DE2315711B2

DE2315711B2 - Verfahren zum Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung

Info

Publication number: DE2315711B2
Application number: DE2315711A
Authority: DE
Inventors: Georg 7101 Obereisesheim Birglechner; Leonhard 7100 Heilbronn Botzenhardt
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1973-03-29
Filing date: 1973-03-29
Publication date: 1980-07-17
Also published as: JPS49130687A; US3967366A; DE2315711A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung mit Hilfe von zwei Kontaktierungsspinnen, die aus je einem Rahmen mit nach innen ragenden Kontaktierungsfingern bestehen, bei dem die Kontaktierungsfinger der ersten Kontaktierungsspinne mit den Anschlußelektroden des Halbleiterkörpers und Teile der ersten Kontaktierungsspinne mit Kontaktierungsfingern der zweiten Kontaktierungsspinne verbunden werden und die Kontaktierungsfinger der ersten Kontaktierungsspinne voneinander getrennt werden,
Durch die DE-AS 18 13 164 ist ein Verfahren zum Kontaktieren von integrierten Halbleiterbauelementen bekannt, bei dem die freien Enden der Kontaktierungsfinger einer ersten Kontaktierungsspinne an den Kontaktierungsfläcben der integrierten Halbleiterbauelemente befestigt werden. Anschließend wird eine zweite Kontaktierungsspinne mit ihren nach innen verlaufenden Kontaktierungsfingern auf die zugeordneten Kontaktzungen der ersten Kontaktierungsspinne ausgerichtet Schließlich werden die freien Enden der

is Kontaktierungsfinger der ersten Kontaktierungsspinne mit den Kontaktierungsfingern der zweiten Kontaktierungsspinne verbunden und die nicht für die Kontaktgabe mit dem integrierten Halbleiterbauelement benötigten Teile der ersten Kontaktierungsspinne entfernt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Kontaktieren von integrierten HaIbieiterschaitungsanordnungen anzugeben, weiches keine so genaue Justierung erfordert und mit geringerem Ausschluß arbeitet als das bekannte Verfahren.

Außerdem soll die im Halbleiterkörper erzeugte Verlustleistung rasch abgeführt werden.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung vorgeschlagen, daß der Halbleiterkörper mit seiner Rückseite auf einem in der zweiten Kontaktierungsspinne zentral angeordneten, als Wärmesenke ausgebildeten Trägerteil befestigt wird, daß danach die erste Kontaktierungsspinne so auf den Halbleiterkörper einjustiert wird, daß die freien Enden ihrer Kontaktierungsfinger mit den Anschlußelektroden des Halbleiterkörpers und Teile des Rahmens der ersten Kontaktierungsspinne mit den freien Enden der Kontaktierungsfinger der zweiten Kontaktierungsspinne verbunden werden, wonach die zwischen den Kontaktierungsfingern der zweiten Kontakticrung^plnne verlaufenden Teile des Rahmens der ersten Kontaktierungsspinne durchgetrennt werden.

Nach der Herstellung aller Verbindungsstellen und dem Auftrennen des Rahmens der ersten Kontaktie-

« rungsspinne wird der Halbleiterkörper mit einem Gehäuse umgeben.

Der Rahmen der ersten Kontaktierungsspinne ist vorzugsweise von einem zweiten Rahmen umgeben, wobei beide Rahmen durch Stege miteinander verbun-

w den sind.

Es empfiehlt sich, die Kontaktierungsfinger der zweiten Kontaktierungsspinne so vorzuprägen, daß durch ihren Verlauf der Höhenunterschied zwischen den Anschlußelektroden des Halbleiterkörpers und den Kontaktierungsfingern der zweiten Kontaktierungsspinne ausgeglichen wird. Das den Halbleiterkörper aufnehmende Trägerteil wird vorzugsweise so ausgebildet, daß über dieses Trägerteil die im Halbleiterkörper entstehende Wärme rasch abgeführt werden kann. Das Trägerteil verläuft vorzugsweise zentral im Inneren der zweiten Kontaktierungsspinne und verbindet zwei einander gegenüberliegende Seitenteile des Rahmens dieser Kontaktierungsspinne miteinander.

Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausfüh-

^hr· rungsbeispicl anhand der Figuren näher erläutert.

In der Fig. 1 ist die erste Kontaktierungsspinne 1 dargestellt. Diese Kontaktierungsspinne wurde in ein Metallband eingeätzt, das beispielsweise aus einer 35 bis

50 μη* starken Kupferfolie besteht. Der Rahmen 2 der Kontaktierungsspinne 1 weist in das Innere des Rahmens ragende Zungen 3 auf, deren freie Enden 6 zum drabtfreien Anschluß an die Elektroden eines Halbleiterkörpers vorgesehen sind. Der Rahmen 2 ist durch schmale Stege 4 mit den äußeren Seitenstegen des Metallbandes 1 und den Querstegen 5 verbunden. Durch die weitgehende Freiätzung des Rahmens 2 kann dieser Rahmen sehr leicht aus der Trägerfolie 1 herausgenommen werden. Bei dem in der F i g. 1 dargestellten Herstellungsstadium wurden die Kontaktierungsfinger 3 bereits durch einen Prägevorgang so mit einem Fragebogen versehen, daß die Enden 6 fiber die vom Rahmen 2 gebildete Fläche hochragen. Vor oder nach der Prägung werden der Rahmen 2 und die zugeordneten Kontaktierungsfinger 3 vorzugsweise verzinnt

In der F i g. 2 ist die größere, zweite Kontaktierungsspinne dargestellt, die beispielsweise in ein ca. 250 μΐη dickes Kupferband eingeätzt oder eingestanzt wurde. Auch der Rahmen 7 dieser Kontaktierungsspinne weist nach innen ragende Kontaktierungsfinger 8 auf, die sich außerhalb des Rahmens in den Anschiußzungen 12 fortsetzen. Durch das Innere des Rahmen* 7 verläuft parallel oder senkrecht zur Richtung der Kontaktierungsfinger ein Trägerteil 9, das die beiden einander gegenüberliegenden Seitenteile 13 des Rahmens miteinander verbindet und sogar über die Seitenteile hinausragt Das Trägerteil 9 ist re^'iv breit ausgebildet, so daß die im Halbleiterkörper entstehende Wärme gut abgeführt wird. Der Rahmen 7 wird völlig oder teilweise verzinnt 10. Danach wird der Halbleiterkörper 11 auf das Trägerteil 9 mit seiner Rückseite mit Hilfe des Zinns 10 aufgelötet Auf der Vorderseite des Halbleiterkörpers sind die meist aus Gold bestehenden Anschlußelektroden 14 des Halbleiterkörpers erkennbar. Die in das Innere des Rahmens ragenden Kontaktierungsfinger 8 sind so geformt daß ihre freien Enden möglichst in unmittelbarer Nähe der zugeordneten Anschlußelektroden des Halbleiterkörpers enden.

Die Stege 4 in F i g. 1 werden nun durchgetrennt und der Rahmen 2 der ersten Kontaktierungsspinne wird aus seinem Trägerstreifen herausgenommen und in. der in der F i g. 3 dargestellten Weise auf die Elektroden des Halbleiterkörpers einjustiert Dabei kommen die freien Enden 6 der Kontaktierungsfinger 3 mit den Elektroden 14 in Berührung, während der Rahmen 2 quer über die freien Enden der Kontaktierungsfinger 8 im Rahmsn der zweiten Kontaktierungsspinne verläuft. Nach der Justierung wird beispielsweise auf den Rahmen 2 und die Enden 6 ein Stempel aufgesetzt, der so erhitzt wird, daß sowohl die Kontaktierungsfingerenden 6 mit den Elektroden 14 als auch der Rahmen 2 mit den Kontaktierungsfingem 8 fest verbunden werden. Es ist auch möglich, daß die Verbindungsstellen an die Halbleiterelektroden bzw. an den Enden der Kontaktierungsfinger 8 nacheinander in beliebiger Reihenfolge hergestellt werden. Da beide Rahmen bereits verzinnt sind, dient dieses Zinn an den Stellen 15 als

Verbindungsmaterial zwischen den Rahmenteilen. Gemäß der Fig.4 wird der Rahmen 2 an den die

is Kontaktierungsfinger 8 überbrückenden Teilen durchgetrennt Dies geschieht beispielsweise mit einem Messer, einer Schere oder einem Meißel. Verwendet man beispielsweise einen Schneidrr.eiße!, so werden die über die Kontaktierungsfinger hinausragenden Teile des Rahinens 2 bei dem Freischneideprozeß zugleich nach unten abgebogen, so daß ^ eine Kurzschlüsse zwischen den einzelnen Kontaktieruujnfingern möglich sind.

Schließlich wird gemäß F i g. 5 der Halbleiterkörper

und alle Verbindungsstellen in ein Kunststoffgehäuse 17 eingegossen. Danach müssen noch die zwischen den Kontaktierungsfingern 8 verbleibenden Teile der Verbindungsstege 13 (Fig.4) sowie die äußeren Seitenstege 18 abgetrennt werden. Die Anschlußleitungen 12 können danach noch gemäß F i g. 5 umgebogen werden und bilden somit steckbare Schaltungsanschiüsse. Die aus dem Gehäuse herausragenden Enden des Trägerteils 9 sind die Kühlfahnen der integrierten Halbleiterschaltungen und können mit weiteren Kühlflächen verbunden werden.

Die Erfindung bietet die Möglichkeit nicht vergoldete, sondern nur verzinnte Kontaktierungsspinnen zu verwenden. Dadurch können die Kosten der Metallstreifen erheblich reduziert werden. Die Bi cite des Rahmens der ersten Kontaktierungsspinne liegt bei ca. 04 cm, während die Breite des Rahmens der zweiten Kontaktierungsspinne beispielsweise in der Größenordnung von 2 cm liegt. Die Kontaktierungsfinger der ersten Kontaktierungsspinne sind beispielsweise nur 0,2 mm breit

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche;

U Verfahren mm Kontaktieren einer integrierten Schaltungsanordnung mit Htjfe von zwei Kontaktierungsspinnen, die aus je einem Rahmen mit nach innen ragenden Kontaktierungsfingern bestehen, bei dem die Kontaktierungsfinger der ersten Kontaktierungsspinne mit den Anschlußelektroden des Halbleiterkörpers und Teile der ersten Kontaktierungsspinne verbunden werden und die Kontaktierungsfinger der ersten Kontaktierungsspinne voneinander getrennt werden, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (11) mit seiner Rückseite auf einem in der zweiten Kontaktierungsspinne (7) zentral angeordneten, als Wärmesenke ausgebildeten Trägerteil (9) befestigt wird, daß danach die erste Kontaktierungsspinne (1) so auf den Halbleiterkörper (11) einjustiert wird, daß die freien Enden (6) ihrer Kontaktierungsfinger (3) mit den Anschlußelektroden (14) des Halbleiterkörpers (11) und Teile Jes Rahmens (2) der ersten Kontaktierungsspinne (1) mit den freien Enden der Kontaküerungsfinger (8) der zweiten Kontaktierungsspinne (7) verbunden werden, wonach die zwischen den Kontaktierungsfingern der zweiten Kontaktierungsspinne verlaufenden Teile des Rahmens der ersten Kontaktierungsspinne durchgetrennt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Auftrennen des Rahmens (2) der ersten Kontaktierungsspinne der Halbleiterkörper (11) mit einem Gehäuse (17) umgeben wird, und daß die zwei < 5 Kontaktierungsspinne so aufgetrennt wird, daß ihre Kontaktierungsfinger (8, 12) von einander isolierte, ins Gehäuseinnere führende Anschlußleitungen für die integrierte Halbleiterschaltungsanordnung bilden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Kontaktierungsspinne verwendet wird, deren Rahmen (2) von einem zweiten Rahmen (1) umgeben ist, wobei beide Rahmen durch Stege (5) miteinander verbunden sind.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsfinger (8) der zweiten Kontaktierungsspinne (7) so vorgeprägt sind, daß durch ihren Verlauf der Höhenunterschied zwischen den Anschlußelektroden des Halbleiterkörpers und den Kontaktierungsfingern der zweiten Kontaktierungsspinne ausgeglichen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beim Durchtrennen des Rahmens (2) der ersten Kontaktierungsspinne überstehenden Rahmenteile umgebogen werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsspinnen verzinnt werden (10).