DE2616148B2

DE2616148B2 - ElektrophotographJsches Aufzeichnungsmaterial

Info

Publication number: DE2616148B2
Application number: DE2616148A
Authority: DE
Inventors: Tsutomu Mobara Fujita; Naohiro Machida Goto; Tadaaki Koganei Hirai; Eiichi Kodaira Maruyama; Keiichi Tama Shidara
Original assignee: Hitachi Ltd; Nippon Hoso Kyokai NHK
Current assignee: Hitachi Ltd; Japan Broadcasting Corp
Priority date: 1975-04-16
Filing date: 1976-04-13
Publication date: 1979-08-23
Also published as: JPS51120611A; DE2616148A1; DE2616148C3; US4040985A; JPS5641148B2

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein elektrophoto- v, graphisches Aufzeichnungsmaterial oder Laminat mit photoleitfähigen Schichten in Bildaufnahmeröhren, mit einem Schichtträger, wenigstens einer transparenten Elektrode, mehreren Selen enthaltenden pholcleitfähigen Schichten und gegebenenfalls einer Deck- w schicht. Neben Bildaufnahmeröhren ist ein weiteres Venvendungsgebiet das der elektrophotographische η Druckplatten. Es geht insbesondere um eine verbesserte Struktur der photoleitenden Schicht vom Glckhrichturtgskontakttyp mit verbesserter Rotemp- « findlichkeit.

Es ist bekannt, daß amorphes Selen Photoleitfähiig,-keit zeigt, ein p-Leiter ist und zur Bildung eines Gleichrichtungs- bzw. Diodenkontakts beim Zusammenbringen mit einem η-leitenden Material befähigt bo ist. Unter Ausnutzung dieser Eigenschaften lassen sich aus amorphem Selen photoleitende Aufnahmeschichten vom Gleichrichtungskontakttyp vorteilhaft herstellen. Selen hat allerdings den Nachteil, daß seine Empfindlichkeit für lange Wellenlängen von Natur b5 aus sehr gering ist. Zur Beseitigung dieses Nachteils wuirde bereits angegeben, der photoleitenden Schichit von Selen (Se) Tellur (Te) zuzusetzen. Die Zugabe von Te zur Se-Schicht führt allerdings in vielen Fällen zu einer Verringerung der Carrier- bzw. Trägerbeweglichkeit und einer Verschlechterung der für Aufnahmeplatten von Bildaufnahmeröhren geforderten Eigenschaften. Zur Überwindung dieser nachteiligen Gegebenheiten wurde bereits angegeben, das Te lediglich einem Teil der photoleitenden Schicht zuzugeben, wie aus der US-PS 3890525 hervorgeht.

Die Auf nahmeplatte der in der US-PS 3P90525 angegebenen Bildaufnahmeröhre besteht aus einer transparenten Basisplatte, einer transparenten Elektrode aus Zinnoxid, Indiumoxid, Titanoxid od. dgl. oder einem Gemisch daraus sowie einer photoleitenden Schicht aus Se, As und Te, wobei der Gleichrichlungs- bzw. Diodenkontakt zwischen der transparenten Elektrode und der photoleitenden Schicht gebildet wird. In der photoleitenden Schicht ist das As über die Dicke der Schicht mit einer Konzentration von 10 Atom-% gleichmäßig verteilt. Im Gegensatz dazu ist die Konzentrationsverteilung des Te in der Weise ungleichmäßig, daß das Te im Grenzflächenbereich zwischen der photoleitenden Schicht und der transparenten Elektrode mit einer Konzentration unter 10 Atom-% dispergjert ist und die Te-Konzentration mit wachsender Entfernung von der transparenten Elektrode ansteigt, wobei sie einen Maximalwert von 10-40 Atom-% erreicht, und wieder auf 10 Atom-% abfällt. Die maximale Te-Konzentration befindet sich zwischen der transparenten Elektrode und dem Mittelteil der photoleitenden Schicht. Eine derartige Te-Verteilung verschlechtert die Eigenschaften von Se nicht un bringt zugleich den Vorteil mit sich, daß die Rotempfindlichkeit der Aufnahmeplatte gesteigert wird.

Bei Aufnahmeplatten der oben beschriebenen Struktur wurde allerdings festgestellt, daß der Signalstrom unerwünschten Änderungen unterliegt, wenn die Aufnahmeplatte unter Beleuchtung mit langwelligem Licht über längere Zeit kontinuierliche betrieben wurde, oder sogenannte Nachtbildv r auftreten, wenn ein und dasselbe Objekt kontinuierlich aufgenommen wurde.

Außerden ist aus der DE-AS 2064 247 ein elektrophotograjphisches Aufzeichnungsmaterial mit einem Schichtträger, einer Selen und einen Kristallisationshemmer enthaltenden Schicht und einer Selen enthaltenden, von Kristallisationshemmern freien Schicht bekannt, daß auf der letzteren Schicht eine Selen und einen Kinistallisationshemmer enthaltende Schicht enthält. Aus Kristallisationshemmer können dabei Arsen und/oder Antimon und/oder Phosphor dienen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial der eingangs genannten Art mit verbesserter Struktur für Aufnahmeplatten von Bildaufnahmeröhren oder Druckplatten zu entwickeln, das keine Änderungen des Signals troms unter längerer Beleuchtung mit langwelligem Licht zeigt und vom Problem des Auftretens van Nachbildern bei kontiniuerlichem Betrieb des Materials über lange Betriebszeiten frei ist.

Die erlfüTiidungsgemäße Lösung zur Verbesserung der Empfindlichkeit einer hauptsächlich aus Se bestehenden plicitoleitenden Schicht gegenüber langwelll· gern Licht beruht auf einer Zusammensetzung, bei der lediglich Te in einem Zwischenbereich in das Se eingeführt wird, das zusätzliche Elemente mit hoher Konzentration enthalten muß, während ein Teil des Te in anderem Bereichen durch andere Elemente als

Te ersetzt ist, die tiefe Niveaus im Se zu bilden vermögen.

■ Und zwar wird die genannte Aufgabe bei einem

elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß es auf einer transparenten Elektrode eine erste, Selen, sowie höchstens 10 Atomrozent Te und höchstens 10 Atomprozent As, Sb, Bi, Si und/oder Ge enthaltende Schicht, darauf eine zweite, Selen, sowie mindestens 15 Atomprozent Te enthaltende Schicht, darauf eine dritte, Selen, sowie mindestens 15 Atomprozent As, Sb, Bi, Si und/oder Ge enthaltende Schicht, darauf eine vierte, Selen, sowie Te bzw. As, Sb, Bi, Si und/oder Ge in mittleren Konzentrationen von höchstens 10 Atomprozent enthaltende Schicht und gegebenenfalls eine Deckschicht aus Sb₂S₃ enthält.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

% Die Erfindung geht von der Feststellung aus, daß

^:\| - obgleich das dem Zwischenbereich der photoleiten-

|| den Schicht mit hoher Te-Konzentration zugegebene

II Element zur Steigerung der Rotempfindlicukeit der

ffc photoleitenden Schicht für die AufnahmeplRtte von

K Bildaufnahmeröhren nach der US-PS 3 890 525 uner-

?| läßlicherweise Te sein sollte - die den zu beiden Seiten

If des Zwischenbereichs liegenden Bereichen zugesetz- If ten Elemente nicht notwendig Te sein müssen, son-

|| dern ein Teil des Te durch eines der Elemente der

ijf Gruppe Vb wie As, Sb und Bi oder eines der Elemente

% der Gruppe IV wie Si oder Ge oder eine Verbindung

ϊ| oder Gemische ersetzt werden können, die zumindest

]S eines der obengenannten Elemente, die zur Bildung

'$ tiefer Niveaus im Se geeignet sind, enthalten.

^;: Der Erfindung liegt die überraschende Feststellung

'■$ zugrunde, daß der Ersatz von Te durch diese zur BiI-

g dung tiefer Niveaus geeigneten Elemente den Vorteil

Y mit sich bringt, daß Änderungen im Signalstrom auch

nach langem und kontinuierlichem Betrtieb einer

Bildaufnahmeröhre mit einer erfindungsgemäßen Aufnahmeplatte auf einen vernachlässigbaren Wert

unterdrückt sind und die Entstehung von Nachbildern zugleich signifikant verringert ist.

Der physikalische Mechanismus der obigen vorteilhaften Effekte kann derzeit noch nicht gänzlich erklärt werden; es wird allerdings angenommen, daß durch -[■ den Zusatz der zur Bildung tiefer Niveaus befähigten

Elemente in einem von der transparenten Elektrode entfernteren Bereich als der Bereich mit hoher Te-Konzentration ein Teil der Träger zum Transport des : Photostroms dadurch uttter Bildung fester Raumladungsgebiete eingefangen wird, was zur Ur.tirdrük- ^; kung der tiurch Änderungen in der Raumladung in

der Schicht bei langer und kontinuierlicher Betriebs-■;■■ weise der Bildaufnahmeröhre hervorgerufenen Einflüsse führt.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert, wobei die angegebenen Ausführungsformen lediglich beispielhaft sind; es zeigt

Fig. 1 eine Schnittansicht einer Aufnahmeplatte mit einer erfindungsgemäßen photoleitenden Schicht, Fig. 2 die Verteilung der Komponenten bzw. Elemente in der photoleitenden Schicht von Fig. 1,

Fig. 3 eine grafische Darstellung der Änderungen des Signalstroms bei einer Bildaufnahmeröhre mit einer erfindungsgemäßen photoleitenden Schich im Vereleich zu einer Ro! ie herkömmlicher Bauart,

Fig, 4 eine Schnittansicht einer Aufnahmeplatte mit einer einer Weiterbildung der Erfindung entsprechenden pbotoleitenden Schicht sowie Fig. 5 die Ver' teilung verschiedener Elemente in der photoleitenden > Schicht von Fig. 4.

F i g. 5 die Verteilung verschiedener Elemente in der photoleitenden Schicht von Fig. 4.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Beispielen bevorzugter Ausführungsformen näher erläui» tert.

Beispiel 1

Nach der in Fig. 1 dargestellten ersten Ausführung der Erfindung ist ein Substrat oder eine Basisplatte 1

ι ϊ aus Glas mit einer transparenten Elektrode 2 mit Zinnoxid als Hauptkomponente versehen, auf der ein erster Bereich 3 aus Se in einer Dicke von 10-50 nm aufgedampft ist. Der erste Bereich S kann Te und andere Elemente, die tiefe Niveaus in Se bilden können,

^" enthalten, hierzu ist allerdings festzustellen, daß der

Gehalt an diesen zugesetzten Elemc- Ken in den ersten Bereichen 3 eine mittlere Konzentration von

10 Atom-% nicht überschreiten sollte.

Darauffolgend ist ein zweiter Bereich 4 durch Si-

■J > multanverdampfung von Se, Te und As aus entsprechender; Verdampferschiffchen aufgebracht. Der zweite Bereich 4 enthält gleichmäßig Te und besitzt eine Dicke von 20-500 nm, vorzugsweise 50-200 nm. Die Konzentration von Te wird so gewählt, daß sie

w im Bereich von 15-10 Atom-% liegt. Der As-Gehalt wird zu nicht mehr als 10 Atom-% gewählt.

Auf dem zweiten Bereich 4 ist ein dritter Bereich 5 aus Se und As aufgedampft. Das dem Se zugesetzte Element ist dabei nicht auf As beschränkt; es können

r. hierbei alle Elemente verwendet werden, die zur Bildung tiefer Niveaus im Se befähigt sind. Die Dicke des dritten Bereichs 5 sollte im Bereich von 50-300 nm und vorzugsweise zwischen 50 und 150 nm liegen. Beim Aufbringen des dritten Bereichs

■»« können Se und As₂Se₃ aus entsprechenden Verdampferschiffchen simultan aufgedampft werden. Das Aufdampfen kann dabei derart durchgeführt werden, daß die Konzentration an As am Anfang den hohen Wert von mindestens 15 Atom-% und verzugsweise

■π einen Wert im Bereich von 15-25 Atom-% aufweist und danach fortschreitend gegen Ende der Verdampfung auf 0-10 Atom-% abfällt, was durch Kontrolle des Heizstroms der Verdampferschiffchen erreicht werden kann. Auf dem dritten Bereich 5 wird ein

>ü vierter Se-Bereich in einer Dicke aufgedampft, daß die erzeugte Schicht als Ganzes 4 μΐη dick ist. Der vierte Bereich 6 enthält zusätzlich zu Te Elemente, die tiefe Niveaus in Se bilden können. Der mittlere Gehalt an diesen Elementen sollte allerdings jeweils

v> nicht mehr als 10 Atom-% betragen.

Das Aufdampfen zur Erzeugung der ersten bis vierten Bereiche kann in einem Vakuum von 3,9 · 10"' mbar vorgenommen werden. Eine Schicht 7 aus Sb₂S₃ wird auf dem vierten Bereich 6

«ι in einer Dicke von i00 nm in einer Argonatmosphäre bei 2,6 10"'mbar erzeugt. Der vierte Bereiche dient zur Verminderung der elektrostatischen Kapazität der Aufnahmeplatte, während die Sb₂S₃-Schicht 7 zur Erleichterung des Auftreffens des abta-

b3 stenden Elektronenstrahls dient. Im Hinblick auf eine Verhinderung der Kristallisation des amorphen Se ist es vorzuziehen, auch As oder Ge in einer Konzentration von nicht mehr als 10 Atom-% während des Auf-

bringens der ersten bis vierten Bereiche zuzugeben. Ein derartiger Zusatz von As oder Oe führt zu einer erhöhten thermischen Stabilität der Aufnahmeplatte. Der In Fig. 1 dargestellte Schichtaufbau dient lediglich der deutlichen Klarstellung der Reihenfolge oder Abfolge der Ausbildung der einzelnen Bereiche, ohne daß dabei die genauen relativen Dimensionen berücksichtigt sind.

Füg. 2 erläutert die Verteilung der Elemente in den ersten bis vierten Bereichen 3 bis 6 der erfindungsgemäßen photoleitenden Schicht, bei der As als zusätzliches Element zur Bildung tiefer Niveaus verwendet ist. Der erste Bereich ist zur Bildung eines Gleichrichtungskontakts beim Zusammenbringen mit der transparenten Elektrode 2 vom n-Leitungstyp unerläßlich erforderlich. Zur Erzielung eines stabilen Gleichrichtungskontakts darf die Te-Konzentration in diesem Bereich 10 Atom-% nicht übersteigen. Die Konzen-

serung der thermischen Stabilität zugesetzt werden, sollte ferner im Mittel nicht über 10 Atom-% betragen.

Die Dicke dieses Bereichs sollte über 10 nm betragen.

Der zweite, Te enthaltende Bereich 4 trägt zur Verbesserung der Rotempfindlichkeit der photoleitenden Schicht bei. Zur Erzielung einer ausreichenden Empfindlichkeit im sichtbaren Spektralbereich sollte das Maximum der kontinuierlichen Te-Konzentrationsverteilung nicht weniger als 15 Atorn-% und am bevorzugtesten 20—40 Atom-% nicht betragen.

Die Dicke dieses Bereichs sollte ferner zwischen 20 und 500 nm liegen.

In der in Fig. 2 dargestellten Ausführung ist die KonzentrationsverteilungdesTe im zweiten Bereich 4 gleichmäßig und als Rechteckverteilung dargestellt. Die Konzentrationsverteilung des Te ist allerdings nicht auf ein derartiges Rechteckprofil beschränkt. Das Verteilungsprofit kann dabei auch dreieckig, trapezoid oder halbkreisförmig sein oder auch einem komplizierteren Funktionsverlauf folgen. Von unerläßlicher Bedeutung ist, daß Te in diesem Bereich zugesetzt ist und das Maximum der kontinuierlichen Konzentrationsverteilung des Te nicht weniger als 15 Atom-% beträgt.

Der in Fig. 2 dargestellte dritte Bereich 5, der das zur Bildung tiefer Niveaus befähigte zusätzliche Element wie etwa As im vorliegenden Fall enthält, dient zur Verstärkung der durch Te des zweiten Bereichs hervorgerufenen Erhöhung der Rotempfindlichkeit sowie zugleich zur Unterdrückung von Änderungen im Signalstrom durch langen Betrieb der Bildaufnahmeröhre. Zur Erzielung der größten Wirkung des zusätzlichen, tiefe Niveaus bildenden Elements sollte dessen Maximum der kontinuierlichen Konzentrationsverteilung nicht weniger als 15 Atom-% betragen. Das Profil der Konzentrationsverteilung des zusätzlichen, tiefe Niveaus bildenden Elements sollte in diesem Bereich günstigerweise so ausgewählt werden, daß die höchste Konzentration im Grenzflächengebiet im Kontakt mit dem zweiten Bereich 4 erzielt wird und die Konzentration mit steigendem Abstand von der Grenzfläche im Dickenbereich zwischen 50 und 300 nm gleichmäßig abnimmt. Wenn dasselbe Element (As) wie das der p-leitenden photoleitenden Schicht 6 zugesetzte Element zur Erhöhung der thermischen Stabilität als Element zur Bildung tiefer Niveaus im in Fig. 2 dargestellten dritten Bereich 5 im Fall der vorliegenden Ausführung verwendet wird, ist es vom praktischen Standpunkt aus wünschenswert, daß die Konzentration des Elements wie beispielsweise As gleich der jeweils anderen Konzentration an

> der Grenzfläche zwischen dem Bereich 5 und dem pleitenden Bereich 6 der photoleitenden Schicht ist. In Fig. 3 ist die in einer Aufnahmeplatte einer erfindungsgemäßen Bildaufnahmeröhre erzielbare Änderung des Signalstroms mit der einer Bildaufnahme-

Hi röhre nach der US-PS 3890535 verglichen, wobei beide Aufnahmeplatten unter denselben Betriebsbedingungen im Langzeitbetrieb standen. Im Fall der herkömmlichen Aufnahmeplatte beläuft sich die Änderung des Signalstroms nach 2stündigem Betrieb auf

ι · etwa 20%, wie aus der durchgezogenen Kurve 31 hervorgeht. Die Änderung des Signalstroms bei der Aufnahmeplatte mit dem erfindungsgemäßen Aufbau beträgt die Änderung des Signalstroms andererseits nach istünrliopm Retrie.h wp.nioer als 2%. wie aus der oe-

-" strichelten Kurve 32 in Fig. 3 ersichtlich ist. Die Entstehung von Nachbildern, die als durch Änderungen des Signalstroms hervorgerufen angesehen wird, kann bei der erfindungsgernäßen Aufnahmeplatte ebenfalls in bemerkenswerter Weise unterdrückt werden.

Beispiel2

Ein Substrat oder eine Basisplatte aus Glas wird mit ein<*r lichtdurchlässigen oder transparenten Elektrode aus Zinnoxid versehen, auf der eine dünne

in CdSe-Schicht von 20 nm Dicke aufgedampft wird. Der CdSe-Schicht wird unter einem Vakuum in der Größenordnung von 5,5 · lO^mbar bei einer Substrattemperatur von 200° C aufgedampft und als photoleitende Schicht vom η-Typ verwendet. Auf der n-

ii leitenden photoleitenden Schicht werden Se und Te simultan unter einem Vakuum in der Größenordnung von 3,9 · 10"^Λ mbar aus entsprechenden Verdampferschiffchen aufgedampft, wobei das Substrat auf Raumtemperatur gehalten wird. Die Aufdampfung

JIi wird dabei so kontrolliert, daß die Te-Konzentration anfänglich im Bereich von 0-5 Atom-% liegt und anschließend allmählich bis zu einer Konzentration von 20-25 Atom-% bei einer Schichtdicke von 100 nm ansteigt.

4-. Darauffolgend werden unter einem Vakuum in der Größenordnung von 3,9 · 10"⁶ mbar aus entsprechenden Verdampferschiffchen Se und Ge simultan aufgedampft. Die Aufdampfung wird dabei so kontrolliert, daß die anfängliche Konzentration an Ge im

in Bereich von 20-25 Atom-% liegt und danach fortschreitend und gleichmäßig auf 0-10 Atom-% hii einer Schichtdicke von 50—150 nm abnimmt. Auf der Ge- und Se-Schicht wird anschließend eine 5 Atom- % Ge enthaltende Se-Schicht aufgedampft. Die Gesamtdicke der Schichtstruktur einschließlich der CdSe-Schicht wird zu etwa 5 μτη gewählt.

Schließlich wird auf der obigen Schichtstruktur in einer Argonatmosphäre von 3,9 · 10"¹ mbar Druck eine 100 nm dicke Sb₂S₃-Schicht aufgedampft, wo-

bo durch eine Aufnahmeplatte für eine Bildaufnahmeröhre erhalten wird. Bei der vorliegenden zweiten Ausführungsweise steht die CdSe-Schicht mit der Se, Ge und Te enthaltenden p-leitenden photoleitenden Schicht in Verbindung, wodurch ein Gleichrichtungs-

b5 bzw. Diodenkontakt gebildet wird. Aufgrund der Anwesenheit der CdSe-Schicht wird die Kristallisationsneigung der Schicht aus Se, Ge und Te unterdrückt und zugleich die Rotempfindlichkeit weiter erhöht.

Zum selben Zweck können Sulfide, Selenate und Tellurate von Zn und Cd oder deren Gemische anstelle von CdSe verwendet werden.

Die vor'Jegende zweite Ausführungsweise unterscheidet sich von der in Fig. 1 dargestellten ersten Ausführung darin, daß die transparente, n-leitende Elektrode 2 in zwei Abschnitte geteilt ist, von denen einer als Elektrode, der andere als η-leitende photoleitende Schicht dient. Bei der vorliegenden zweiten Ausführungsform kann der Te enthaltende Bereich so betrachtet werden, als ob er sich durch die ersten und zweiten Bereiche 3 und 4 benachbart und kontinuierlich erstrecken würde, wobei sich deren Konzentration überdies«: Bereiche hinweg kontinuierlich ändert.

Es ist zwar wünschenswert, daß dem Se zugesetzte Elemente wie Te, As und Ge eine !kontinuierliche Konzentrationsvierteilung über die Dicke der photoleitenden Schicht hinweg aufweisen: dies stellt icdoch eine Forderung von einem makroskopischen Standpunkt aus dar. Sogar wenn beispielsweise eine abrupte Änderung der Konzentationsverteilung mikroskopisch in einem kleineren Bereich als 10 nm gefunden wird, kann die Verteilung vom msikroskopischen Standpunkt aus noch ais kontinuierlich oder effektiv kontinuierlich angesehen werden, solange die Konzentrationsverteilung als ganzes über einen Bereich in der Größenordnung von einigen zehn nm gleichmäßig ist. Es ist bekannt, daß eine im makroskopischen Sinne kontinuierliche Verteilung zur Verhinderung der Eigenschaftsverschlechterung von Bildaufnahmeröhren (vgl. die US-PS 3800194) ausreichend ist. Dasselbe gilt für die Erfindung. Es ist entsprechend auch im erfindmngsgemäßen Fall ausreichend, die Konzentration von Elementen wie Te, As und Ge zu kontrollieren, indem die Kontinuität der Verteilung vom makroskopischen Standpunkt aus bestimmt wird.

Bei den erfindungsgemäßen photoleitenden Schichten ist es entsprechend möglich, zusammengesetzte photoleitende Schichten mit einem gewünschten Komponentenverhältnis oder makroskopisch kontinuierlicher Verteilung der Komponenten durch cyclisches Aufbringen mehrerer Tausend dünner Schichten aufeinander auf einer Basisplane durch Aufdampfen herzustellen, von denen jede einige oder einige nm dick ist, wobei eine mit mehreren Verdampferquellen wie für Se, As₂Se₃, Te oder Ge versehene rotierende Bedampfungsvorrichtung verwendet wird.

Unter kontinuierlicher Verteilung ist hierbei eine Verteilung verstanden, die Änderungen der mittleren Konzentration der Komponentenelemente in jeder durch einen Cyclus der Drehbedampfung erzeugten zusammengesetzten Schicht aufweist.

Beispiel 3

In Fig. 4 ist eine dritte Ausführung der erfindungsgemäßen photoleitenden Schicht dargestellt. Der in Fig. 4 gezeichnete Aufbau umfaßt ein Glassubstrat 41, eine transparente, η-leitende Elektrode 42, die hauptsächlich au« Zinnoxid besteht und auf dem Substrat oder der Basisplatte 41 aufgebracht ist, eine 30 nm dicke, auf der transparenten Elektrode 42 aufgebrachte Schicht 43, die 5 Atom-% Te, 10 Atom-% As und 85 Atoia-% Se enthält, eine 20 nm dicke Schicht 44, die auf der Schicht 43 aufgebracht ist und 5 Atom-% Te, 4 Atom-% As und 91 Atom-% Se

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

enthält, eine 50 nm dicke Sehieht 45, die 10 Atom-% Te, 4 Atom-% As und 86 Atom-% Se enthält, eine 50 nm dicke Schicht 46, die 20 Atom-% Te, 4 Atom-% As und 76 Atom-% Se enthält, eine 100 nm dicke Schicht 47, die 40 Atom-% Te, 4 Atom-% As und 56 Atom-% Se enthält, eine 250 nm dicke Schicht 48, die 2 Atom-% Te, As in einer gleichmäßig von 20 Atom-% auf 4 Atom-% abfallenden Verteilung und Se in einer von 78 Atom-% auf 94 Atom-% allmählich ansteigenden Verteilung enthält, sowie eine 3,5 μηι dicke Schicht 49, die 2 Atom-% Te, 4 Atom-% As und 94 Atom-% Se enthält.

Die obengenannten verschiedenen Schichten werden in der genannten Reihenfolge aufgedampft. Hierzu ist festzustellen, daß die Schichten 43, 44 und 45 dem ersten Bereich 3 der ersten Ausführung, die Schichten 46 und 47 dem zweiten Bereich 4, die Schicht 48 dem dritten Bereich S und die Schicht 49 dem vierten Bereich 6 der ersten Ausführung entsprechen.

Der dem ersten Bereich 3 der ersten Ausführung entsprechende Teil besitzt eine Dicke von 100 nm und enthält 7,5 Atom-% Te und 5,8 Atom-% As als mittlere Konzentrationen. Der dem zweiten Bereich 4 entsprechende Teil ist 150 nm dick und enthält Te in einer maximalen Menge von 40 Atom-%. Der dem dritten Bereich 5 entsprechende Teil ist 250 nm dick und enthält in der maximalen Menge 20 Atom-% As. Die in dem dem vierten Bereich 6 entsprechende Teil enthaltenden Mengen an Te und As betragen 2 bzw. 4 Atom-%.

Auf der photoleitenden Schicht der obigen Struktur wird schließlich eine Sb₂S₃-Schicht 50 zur Erleichterung des Auftreffens des Elektronen-Abstaststrahls in einer Argonatmosphäre bei 2,6 · 10~' mbar aufgedampft, wodurch wie im Fall der ersten Ausführung eine Aufnahmeplatte entsteht. Die der dritten erfindungsgemäßen Ausführungsweise entsprechende photoleitende Schicht besitzt einen höheren Te-Maximalwert als die erste Ausführung. Aufgrund dee Umstands, daß das Verteilungsprofil von Te in einer stufenweisen Konfiguration erzeugt wird, kann ferner Licht mit verschiedenen Wellenlängen an den verschiedenen Bereichen der photoleitenden Schicht absorbiert werden. Diese Eigenschaft stellt insofern einen ausgezeichnten Vorteil dar, als durch Auftreffen der Lichtstrahlen erzeugte Ladungsträger nicht an einer einzigen Stelle konzentriert werden und folglich lange Lebensdauer haben können. Die photoleitende Schicht weist entsprechend über einen weiten Wellenlängenbereich hinweg hohe Empfindlichkeit auf.

Die Erfindung gibt also eine verbesserte Aufnahmeplatte für Bildaufnahmeröhren mit einer Se als Hauptelement enthaltenden photoleitenden Schicht vom p-Typ an, bei der die Änderung des Signalstroms wie auch die dieser Änderung zuzuschreibende Entstehung von Nachbildern dadurch wesentlich verringert sind, daß ein Bereich erzeugt wird, der zur Bildung tiefer Niveaus befähigte Elemente an den Stellen, die an den Te-Bereich angrenzen, zusätzlich enthält.

Die Erfindung wurde anhand der Aufnahmeplatte einer Bildaufnahmeröhre als Beispiel erläutert; sie ist jedoch in gleicher Weise auch auf andere lichtempfindliche Elemente sowie etwa elektrophotographische Druckplatten anwendbar.

909 534/314

Claims

Patentansprüche;

1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial oder Laminat mit photoleitf ähigen Schich ten > in Bildaufnahmeröhren, mit einem Schichtträger, wenigstens einer tranparenten Elektrode, mehreren Selen enthaltenden photoleitf ähigen Schichten und gegebenenfalls einer Deckschicht, dadurch ge kennzeichnet, daß esauf einer transparenten i<> Elektrode (2) eine erste, Selen, sowie höchstens 10 Atomprozent Te und höchsten 10 Atomprozent As, Sb, Bi, Si und/oder Ge enthaltende Schicht (3), darauf eine zweite, Selen, sowie mindestens 15 Atomprozent Te enthaltende Schidht r> (4), darauf eine dritte, Selen, sowie mindestens 15 Atomprozent As, Sb, Bi, Si und/oder Ge enthaltende Schicht (5), darauf eine vierte, Selen, sowie Te bzw. As, Sb, Bi, Si und/oder Ge in mittlerer Konzentrationen von höchstens 10 Atomprozemt enthaltende Schicht (6) und gegebenenfalls eine Deckschicht (7) aus Sb₂S_? enthält

2. Aufzeichnungsmaterial oder Laminat mich Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es eine erste, über 10 nm dicke, Selen enthaltende r> Schicht, eine zweite, 20-500 nm dicke, Selen enthaltende Schicht und eine dritte, 50-300 mn dicke, Selen enthaltende Schicht enthält.

3. Aufzeichnungsmaterial oder Laminat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenig- «· stens eine Schicht aus mehreren, unter 10 nm ducken Einzelsclilchten unterschiedlicher Konzentration an dem (den) dem Selen angesetzten Stoff (cn) besteht.

4. Aufzeichnungsmaterial o-'er Laminat nach r> Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß in der dritten Schicht die Konzentration an As, Sb, Bi, Si und/oder Ge von der zweiten zur vierten Schicht hin abnimmt.