DE69010134T2 - Verfahren zum Herstellen eines für den Gebrauch in einem optischen Kommunikationssystem angepassten Halbleiterlasers. - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines für den Gebrauch in einem optischen Kommunikationssystem angepassten Halbleiterlasers.Info
- Publication number
- DE69010134T2 DE69010134T2 DE69010134T DE69010134T DE69010134T2 DE 69010134 T2 DE69010134 T2 DE 69010134T2 DE 69010134 T DE69010134 T DE 69010134T DE 69010134 T DE69010134 T DE 69010134T DE 69010134 T2 DE69010134 T2 DE 69010134T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- laser
- current
- lasers
- iop
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06812—Stabilisation of laser output parameters by monitoring or fixing the threshold current or other specific points of the L-I or V-I characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/095—Laser devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/162—Testing steps
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
- Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung von in einem analogoptischen Mehrkanal-Faser-Kommunikationssystem verwendbaren Halbleiterlasern.
- Das Konzept der Übertragung mehrerer TV-Kanäle über optische Fasern unter Verwendung der analogen Intensitätsmodulation des Ausgangssignals einer Halbleiterdiode hat seit kurzem erhebliche Beachtung gefunden. Nach dem Stand der Technik würde dies die Übertragung von amplitudenmodulierten Mehrkanalsignalen mit rudimentären Seitenbänder (AM-VSB) wie sie in gegenwärtigen Kabelfernsehsystemen (CATV) heute verwendet werden, in einem optischen Faser-Übertragungsmedium umfassen. Eine derartige Anordnung wäre in einem CATV-Leitungssystem oder einem in die Wohnung führenden Fasernetzwerk nützlich. Optische Faser- Übertragungssysteme, die Frequenzmultiplexen verwenden, überwinden Kompatibilitätsprobleme und besitzen Vorteile wie Einfachheit des Aufbaus, herabgesetzte Bandbreitenanforderungen an die Lichtwellenkomponenten, und sehr viel geringere Kosten im Vergleich zu zeitgemultiplexten (TDM) Systemen.
- Die großen Bandbreiten der Halbleiterlaserdioden und der optischen Fasern machen die analoge Sub-Trägermodulation zu einer attraktiven Technologie. Mehrere Signale mit verschiedenen Sub-Trägerfreguenzen, jedes Signal stellt einen der zu multiplexenden Fernsehkanälen dar, werden aufsummiert und gleichzeitig auf den Eingang der Laservorrichtung gegeben. Das Eingangsinformationssignal ist eine Serie von frequenzmodulierten Sub-Trägern bei verschiedenen Frequenzen, z.B. den Frequenzen w&sub0;, w&sub1;, w&sub2;, .... Der resultierende Injektionsstrom des Lasers enthält ein Gleichsignalniveau und die Serie der frequenzmodulierten Sub-Trägersignale. Die Größe der optischen Ausgangsleistung des Lasers schwankt mit der Größe des Injektionsstroms. Das sich ergebende frequenzgemultiplexte (FDM) optische Ausgangssignal mit Sub- Trägern wird zur Übertragung über eine ausgedehnte Entfernung in eine optische Faser eingekoppelt. Nach der Übertragung durch die Faser wird das optische Signal durch geeignete Mittel, z.B. eine PIN-Diode detektiert und das sich ergebende elektrische Signal mit konventionellen Mittel bearbeitet, um die einzelnen Signale zurückzugewinnen. Siehe z. B., R. Olshansky et. al., Electronics Letters, Vol. 23(22), pp. 1196-1197.
- Die Mehrkanal-Signalübertragung mit Amplitudenmodulation erfordert spezielle Grenzwerte für die Leistung, die Nichtlinearität und das Intensitätsrauschen der sendenden Laserdiode. Für ein adäquates Betriebsverhalten des Systems muß die Laserausgangsintensität eine sehr genau lineare Funktion des Lasertreiberstroms bei Großsignalmodulationen sein. Genaue Grenzwerte für die Nichtlinearität des Lasers sind wegen des großen dynamischen Umfangs der Norm des Videoformats der National Television System Commitee (NTSC) erforderlich. In der Norm des NTSC-Videoformats muß z.B. das Verhältnis des Absolutwertes des Trägers zu den Störungsprodukten dritter Ordnung der Zwischenmodulation bei der Trägerfrequenz kleiner als -60 dBc sein. Ähnlich muß der Höchstwert für die Störung zweiter Ordnung, d.h. die Summe von mehreren zehn Zweiton- Produkten (oder das Verhältnis des Trägers zum größten Composit-Spitzenwert bzw. zusammengesetzten Spitzenwert für die Störung zweiter Ordnung) kleiner als -60 dBc sein. Es wird erwartet, daß andere Normen ähnlich strenge Anforderungen haben. Um die erforderliche hohe Signalqualität in Anbetracht der großen Anzahl der Störungsprodukte zu erreichen, muß die Charakteristik des ausgesendeten Laserlichtes in Abhängigkeit des Stromes extrem linear sein.
- In einem System mit Frequenzmultiplexen wird jede Nichtlinearität der Laserdiodencharakteristik ein Zwischenmodulationsrauschen zur Folge haben. Nichtlinearitäten des Lasers verursachen unter anderem Energieübertragungen von den angewendeten Sub-Trägerfrequenzen zu solchen Frequenzen, die die Summen- und Differenzenfrequenzen von all den Paaren der verwendeten Signalfrequenzen sind. Derartige Energieübertragungen verursachen unerwünschtes Zwischenmodulationsrauschen und Störungen, wobei beide die Leistungsfähigkeit des Sendesystems beschränken können.
- Es gibt mehrere bekannte Ursachen für Nichtlinearitäten in Halbleiterdiodenlasern. Einige der Ursachen für die Nichtlinearität sind hochfrequente Relaxationsschwingungen, niedrigfrequente Aufheizeffekte, Dämpfungsmechanismen, die optische Modulationstiefe, Leckströme, Verstärkungskompression und nichtlineare Absorption. Die Folge dieser Verzerrung und Störung ist eine Erniedrigung des Signal-Rauschverhältnisses des Signals, welches überdies weiter im System erhalten bleibt.
- Ein experimentelles optisches Koinmunikationssystem mit Frequenzmultiplexen mit Sub-Trägern und sechzig frequenzmodulierten Kanälen im 2 GHz bis 8 GHz Band wurde mit einem gewichteten Signal-Rauschverhältnis von 56 dB betrieben. Andere Anordnungen, die Mikrowellenträger für die Teilnehmerschleifenübertragung anwendeten, haben 1) fünf frequenzmodulierte Video Kanäle in das 150 MHz bis 300 MHz Band und 2) zehn frequenzmodulierte Videokanäle in das 4.9 Ghz bis 5.2 Ghz Band eines C-Band Satellitensignals bereitgestellt.
- Das gegenwärtig äußerst attraktive Konzept des Multiplexens einer Vielzahl von Videokanälen auf das kontinuierliche Ausgangsignal eines Lasers umfasst das Signalmultiplexen mit rudimentären Seitenbändern. Einige früher verfügbaren Halbleiterlaser können Störungen zeigen, die den erforderlichen niedrigen Niveaus nahekommen. Typischerweise erfüllt jedoch nur ein kleiner Bruchteil einer vorgegebenen Anzahl von sonst geeigneten Lasern die Anforderungen an die Störungen, was umfassende Rauschmessungen notwendig macht. Eine derartige herkömmliche Prüfung ist zeitaufwendig und kostspielig. Somit sollte es sehr wünschenswert sein, ein Verfahren zur Herstellung der Laser verfügbar zu haben, das eine einfaches Verfahren zur Identifizierung der Laser umfaßt, die eine geringe Verzerrung haben werden, derart, daß die somit identifizierten Laser zur Nutzung in einem Mehrkanal-Faser- Kommunikationssystem angepasst sind. Diese Anmeldung offenbart ein solches Verfahren.
- Das US-Patent 4795976 offenbart eine Technik zur Identifizierung von Lasern, die Nichtlinearitäten in ihrer Ausgangscharakteristik haben und zur Quantifizierng der Nichtlinearitäten. Das Verfahren beinhaltet die Erzeugung einer abgeschätzten ersten Ableitung des Ausgangssignals entsprechend einer Einrichtung ohne Nichtlinearität, die Erzeugung einer Abweichungsfunktion durch Vergleich einer gemessenen ersten Ableitung und der geschätzten ersten Ableitung, und Vergleich der Abweichungsfunktion mit einem vorbestimmten Kriterium. Die offenbarte Methode ist zur Abschirmung der Anwesenheit von Kinken und Sprüngen im Laserausgangssignal nützlich.
- Gemäß dieser Erfindung wird ein Verfahren nach Anpruch 1 bereitgestellt.
- Ein analogoptisches Mehrkanal-Faser- Kommunikationssystem kann Einrichtungen zum Senden und Empfangen, eine optische Faserstrecke, welche die Sende- und Empfängereinrichtungen miteinander signalübertragend verbindet. Die Sendereinrichtung enthält einen Halbleiterlaser. Dem Laser ist eine Lichtausgangsintensität (mit L bezeichnet) zugeordnet, die eine Funktion des elektrischen Stroms (mit I bezeichnet) durch den Laser ist. Diesem Laser ist ferner eine erste Ableitung und eine oder mehrere Ableitung höherer Ordnung von L bezogen auf I (jeweils bezeichnet mit L', L", ....) zugeordnet.
- Der Betrieb des Systems umfaßt im allgemeinen Einrichtungen zur Veranlassung eines vorher festgelegten Stromflusses durch den Laser und zum Variieren des Stromes in Ansprechen auf ein äußeres Signal derart, daß L in Ansprechen auf das äußere Signal variiert wird. Im allgemeinen hat der Strom eine Gleichsignalkomponente entsprechend dem Arbeitspunkt der Diode in der L-I-Kurve und eine Wechselsignalkomponente (typischerweise mit einer Frequenz von 50-500 MHz), die der Gleichsignalkomponente überlagert ist. Der Arbeitspunkt wird an oder in der Nähe des Stromwertes gewählt, bei dem L' ein starkes Maximum besitzt.
- Der Betrieb des Lasers bei diesem festgelegten Arbeitspunkt kann eine verhältnismäßig geringe Signalverzerrung zur Folge haben, insbesonders eine relativ niedrige Störung zweiter Ordnung, und ermöglicht es, die sehr strengen Spezifikationen einzuhalten, die für einen erfolgreichen Betrieb des gegenwärtig betrachteten Mehrkanal-Faser-CATV- Leitungssystems als notwendig erachtet werden.
- Die Prüfung des Lasers könnte die Bestimmung von L als Funktion von I über einem Bereich des Stroms für jeden Laser aus einer Vielfalt von Lasern umfassen, der den Schwellstrom (Ith) und Iop (der Strom, bei dem L' ein Maximum besitzt) enthält. Sie könnte wenigstens für solche Einrichtungen bzw. Bauteile, bei denen Iop-Ith> 0 ist und für die die Ausgangsintensität L bei Iop größer als ein vorbestimmter Wert ist (z.B. wenigstens etwa 1 mW) auch die Bestimmung eine Parameters einschliessen, der das Verzerrungsverhalten der Einrichtung bzw. des Bauteils vorhersagt, wenn es in einem analogen Mehrkanal-System eingesetzt würde. Der Parameter wird aus L, L', L" bestimmt, wobei L" die zweite Ableitung von L bezüglich I ist. Beispielhaft sei der Parameter die (normalisierte) harmonische Störung zweiter Ordnung (hier als 2HD/C bezeichnet). Das Verfahren könnte weiterhin das Auswählen solcher Einrichtungen bzw. Bauteile einschliessen für die der Parameter anzeigt, daß die Verzerrung über einen verhältnismäßig großen Bereich des Laserinjektionsstromes (z.B. wenigstens 2 mA, wobei der Bereich selbstverständlich Iop enthält) unterhalb der vorher festgelegten Grenze sein wird. Dieser Bereich des Stroms wird mit ΔI bezeichnet. Beispielhaft werden solche Geräte ausgewählt, bei denen (bei einem angenommenen Modulationsindex von 0.04) 2HD/C < -70dbc innerhalb dI ≤ 4 mA ist. Die so selektierten Laser werden im allgemeinen brauchbare Ausgangsintensitäten und relativ geringe Signalverzerrungen haben, wenn sie mit einem Gleichsignalanteil bei oder nahe Iop in einem analogen Mehrkanal- Kommunikationssystem arbeiten.
- Es sollte erwähnt werden, daß die Laser ohne Messung der tatsächlichen mit dem Gerät verbundenen Verzerrung (oder irgendeiner anderen Störung) ausgewählt werden können. Rauschmessungen sind typischerweise verhältnismäßig schwierig und deshalb kostspielig. Somit hat das Verfahren wesentliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Methoden, die Rauschmessungen (z.B. Verzerrungsmessungen) an jedem Bauteil erfordern.
- Wie Fachleuten auf dem Gebiet bewußt sein wird, können andere Prüfungen vor oder nach den oben beschriebenen Messungen durchgeführt werden. Zum Beispiel können die Geräte auf einem vorgegebenen Wafer einer vorläufigen Prüfung der Lichtemission unterzogen werden, um nichtfunktionsfähige Geräte zu erkennen.
- Fig. 1 zeigt ein Blockdiagramm eines beispielhaften Systems, nämlich eines optischen Mehrkanal-Kommunikationssystem mit Amplitudenmodulation und rudimentären Seitenbänder;
- Fig. 2 zeigt eine beispielhafte Kurve der Ausgangsintensität als Funktion des Injektionsstroms des Lasers und zeigt auch L', die erste Ableitung von L bezüglich I;
- Fig. 3 zeigt L" und die normalisierte harmonische Störung zweiter Ordnung (2HD/C) für die beispielhafte Einrichtung von Fig. 2; und
- Fig. 4 zeigt eine beispielhafte Kurve des Verhältnisses "Zusammengesetzte zweite Ordnung zu Träger" (Composite second oder-to-carrier, CSO) und der 2HD/C, beide für einen beispielhaften Laser ähnlich dem von Fig. 2 und 3.
- Fig. 1 stellt schematisch ein beispielhaftes optisches Übertragungssystem 10 mit rudimentärer signalgemultiplexter Seitenband-, Amplitudenmodulation dar. Mehrere frequenzmodulierten Grundband-Fernsehkanalsignale 120, 121, ..... 12n sind frequenzgemultiplext bei verschiedenen Trägerfrequenzen w&sub0;, w&sub1;, w&sub2;.....Wn, (wobei n typischerweise wesentlich größer als 10, z.B. etwa 40 ist) als getrennte amplitudenmodulierte Subkanäle mit rudimentären Seitenbänder in einem zusammengesetzten Multiplexsignal. Ein Summierer 15 vereinigt die einzelnen Kanalsignale mit den verschiedenen Sub- Kanalfrequenzen und einem Gleichstrom Iop von der Quelle 11 zu dem zusammengesetzte Multiplexsignal. Dieses zusammengesetzte Multiplexsignal wird als das Treibereingangssignal an die Laserdiode angelegt.
- Das gesamte Laser-Treibereingangssignal ,oder der Injektionsstrom, zur Laserdiode 18 enthält sowohl die Gleichsignalkomponente Iop als auch das zusammengesetzte Multiplexsignal aus dem Summierer 15. Die Kanäle sind typischerweise in der Frequenz gleichmäßig beabstandet, mit einer Frequenzbreite im Bereich von typisch 10 - 550 MHz für jeden Kanal, wobei die Bandbreite neben anderen Dingen von der Art des zu sendenden Signals abhängt. Das Ausgangssignal dem Lasers ist im allgemeinen im sichtbaren oder nahen infraroten Teil des Spektrums, beispielhaft ungefähr im Bereich von 0.8- -1.6 mü m. Gegenwärtig bevorzugte Wellenlängen liegen entsprechend den "Übertragungsfenstern" der gegenwärtig verfügbaren und auf SiO&sub2; basierenden optischen Fasern um 1.3 und 1.55 um. Die Ausgangsstrahlung wird in eine optische Faser 13 eingekoppelt und durch diese zum Empfänger 14 übertragen.
- Obwohl unser Verfahren bei einer Vielzahl von Halbleiterlasern angewendet werden kann, wird die Diskussion hier in erster Linie hinsichtlich eines einzelnen und aktuell bevorzugten Typs von Laser, nämlich dem Laser mit abgedeckter Mesa, vergrabener Heterostruktur und verteilter Rückkopplung (capped mesa burried heterostructur laser distributet feedback, CMBH-DFB-Laser) durchgeführt werden.
- Hierdurch ist keine Einschränkung impliziert. Derartige Laser sind Fachleuten auf diesem Gebiet bekannt. Siehe zum Beispiel J. Zilko u.a. IEEE Journal of Quantum Electronics, Band 15 (10), Seite 2091-95, 1989. Eine Antireflex- Verspiegelung ist typischerweise an der Frontfläche des Laserkristalls, und eine Verspiegelung mit einer verhältnismäßig hohen Reflektivität an der hinteren Kristallfläche angebracht, was eine gutes Gradientenverhalten bzw. guten Wirkungsgrad in bezug auf die Steigung (slope efficiency) des Lichtsignals und Seitenmodenunterdrückung ergibt. Derartige Verspiegelungen sind Fachleuten auf diesem Gebiet gut bekannt.
- Fig. 2 zeigt die Lichtsignal-Strom-Kennlinie 20 eines beispielhaften CMBH-Lasers, der um 1.3 um aussendet, und ferner den Gradienten bzw. den Wirkungsgrad in bezug auf die Steigung des Lichtsignals (L') 21 für den beispielhaften Laser. Ein idealer Laser würde eine perfekte gerade L-I-Kurve und eine flache Kurve über der Schwelle Ith für L' haben. Der Schwellwertstrom wird definiert als der Gerätestrom, bei dem der Übergang zur Laseroszillation auftritt. Eine bequeme Art und Weise, Ith zu bestimmen, ist die folgende. Aus den L-I- Daten identifiziert man die Datenpunkte (In,Ln), für die 1 mW < Ln < 5 mW ist. Eine Anpassung dieser Daten nach kleinsten Fehlerquadraten an ein Polynom zweiten Grades, d.h.
- Ln = a +bIn + c In²
- erbringt die Anpassungsparameter a, b und c. Der Schwellwertstrom Ith kann dann bestimmt werden als der Strom, bei dem das obige Polynom zu L = 0 extrapoliert, d.h.
- 0 = a +bIth + cIth² .
- Wie anhand Fig. 2 veranschaulicht wird, verringert sich L' in tatsächlichen Geräten etwas bei höheren Strömen durch die Gegenwart von Leckströmen und anderen Effekten, was das Auftreten eines Maximums von L' zur Folge hat. Die Lage des Maximums kann unmittelbar aus LW, oder noch typischer, aus L" bestimmt werden. Iop ist der Strom, bei dem L' ein Maximum hat, oder entsprechend, der Strom, bei dem L" = 0 ist. Iop ist in Fig. 2 dargestellt und tritt in dem beistpielhaften Fall bei etwa 32 mA auf. Für Fachleute auf diesem Gebiet ist es einfach, L' und L" mit bekannten elektronischen Einrichtungen oder einem digitalen Computer zu bestimmen.
- Gewöhnlich können in elektronischen Verstärkern Verzerrungen zweiter Ordnung so gut wie beseitigt werden. Im Unterschied hierzu können im allgemeinen in Lasern sowohl die Störungen zweiter als auch die Störungen dritter Ordnung die Leistung beschränken. Vor kurzem wurde herausgefunden, daß die Verzerrung zweiter Ordnung eines Lasers angenähert aus der L-I- Kurve des Lasers berechnet werden kann. Für ein einfaches Beispiel dieser Berechnung, betrachten wir eine Modulation eines einzigen Trägers mit einem Modulationsindex m:
- I(t) = Ib + m(Ib-Ith)cos(wt),
- wobei I(t) der Laserstrom, Ib der Gleichstrom, und w die Winkelfrequenz der Wechselkomponente des Laserstroms ist. Eine Entwicklung um Ib ergibt die (normalisierte) Verzerrung zweiter Ordnung bei der Frequenz 2w, hier als 2HD/C bezeichnet.
- 2HD/C = 20 log( mL"/4L'2 ),
- wobei L, L'und L" die passenden Werte für jedes gegebene Ib besitzen. Dieser Ausdruck deutet an, daß die Verzerrung zweiter Ordnung dort verschwindet, wo L" = 0 ist. In der Praxis wurde herausgefunden, daß für Gleichströme bei oder in der Nähe des L" = 0 entsprechenden Wertes das Verzerungsverhalten von vielen Lasern bedeutend besser als bei anderen Werten des Gleichsignalanteils ist.
- Kurve 30 der Fig. 3 zeigt L" als Funktion von I für das Gerät aus Fig, 2 und Kurve 31 zeigt den Wert von 2HD/C unter der Annahme von m = 0,04 für das gleiche Gerät. Wie aus Fig. 3 ersehen werden kann, zeigt der Wert 2HD/C für das beispielhafte Gerät ein ausgeprägtes Minimum um 32 mA und ist kleiner als -70dbc über den Strombereich von ungefähr 27 bis 39 mA.
- Figur 4 zeigt die 2HD/C (Kuve 40) für einen ähnlichen Laser wie dem aus Fig. 2 und 3 und den gemessenen Wert der gemischten Verzerrung zweiter Ordnung (CSO) in Kanal 3 aus einem analogen, den Laser nutzenden Übertragsystems mit 42 Kanälen. Wie Fig. 4 beweist, wurde eine bedeutende Abnahme der CSO bei Strömen bei oder nahe dem Minimum von 2HD/C entsprechenden Stroms beobachtet. Wie vorstehend erörtet, tritt das Minimum von 2HD/C bei oder nahe Iop auf. Eine geringfügige Feinabstimmung des Injektionsstromes kann erforderlich sein, um ein optimales Betriebsverhalten zu erreichen, obwohl der Betrieb genau bei Iop in vielen Fällen zu einem annehmbaren Betriebsverhalten führt.
- Fig. 2 veranschaulicht ein "sanftes" Anlaufen (Starten), eine sehr erwünschte Eigenschaft für Laser, die in den hier erörterten Arten von analogen Systemen angewendet werden sollen. Mit "sanftem" Anlaufen meinen wir hierbei, daß Iop bedeutend größer (typischerweise wenigstens etwa 5 mA) ist als Ith, und daß der absolute Wert L" bei Iop verhältnismäßig klein ist (beispielhaft ≤ 5x10&supmin;&sup5; mW/mA³). Einige Laser zeigen ein "abruptes" Anlaufen, mit dem wir bezeichnen, daß das Maximum von L' typischerweise bei einem Wert von 1 auftritt, der bedeutend kleiner als der für das "sanfte" Anlaufen ist, manchmal sogar kleiner als Ith und der absolute Wert von L" bei Iop relativ groß ist (beispielhaft größer als 1x10&supmin;&sup4;mW/mA³). Laser, die ein abruptes Anlaufen zeigen sind häufig nicht so gut zur Verwendung in analogen Kommunikationssystemen geeignet wie solche, die ein sanftes Anlaufen zeigen, da unter anderem bei Iop die Lichtausgangsleistung der ersteren zu klein sein kann, als daß sie akzeptiert werden könnte. In Abhängigkeit von sowohl der Systemspezifikationen als auch der Details des Betriebsverhaltens des Lasers sind Laser mit abrupten Anlaufen jedoch nicht notwendigerweise ungeeignet zur Verwendung in analogen Systemen.
- Wir haben beobachtet, daß viele Fabry-Perot- Halbleiterlaser ein abruptes Anlaufverhalten haben. Andererseits besitzen viele DFB-Laser ein sanftes Anlaufen mit einer bedeutend hohen Lichtleistung (L) bei Iop (beispielhaft so hoch wie 10 mW oder sogar noch höher) aus der Kristallendfläche. Somit werden gegenwärtig DFB-Laser zur Verwendung in den oben beschriebenen Arten von analogen Systemen bevorzugt.
- Die Spezifikationen der Laser, welche in den hier erörterten Arten von analogen Mehrkanalsystemen verwendet werden sollen, sind so anspruchsvoll, daß die aktuelle Herstellungstechnologie der Laser typischerweise nicht sicherstellen kann, daß alle (oder auch nur die Mehrzahl) der Bauteile auf einem gegebenen Wafer die Spezifikationen einhalten können. Somit ist die Überprüfung der Bauteile, derart, daß die geeigneten identifiziert werden können, notwendig. Die Messung des tatsächlichen Verzerrungsverhaltens (z.B,, CSO) ist schwierig, zeitaufwendig und daher teuer. Andererseits können L, L'und höhere Ableitungen einfach und schnell gemessen werden. Durch Anwendung der Entdeckung für die Herstellung der Laser zur Nutzung in analogen Mehrkanalsystemen, daß typischerweise das Maximum von L' im wesentlichen bei demselben Strom auftritt, wie das Minimum von CSO, wählt man aus der Vielzahl der vorher hergestellten Laser die aus, die bestimmte Kriterien hinsichtlich ihrer Kurve der Lichtausgangsintensität in Abhänggkeit des Injektionsstroms erfüllen. Diese Kurve läßt sich mit herkömmlichen Mitteln bestimmen. Die Laser können auch mit herkömmlichen Mitteln hergestellt werden.
- Gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung werden L, L', L" für einen allgemeinen Strombereich der Ith und Iop einschließt, und für die identifizierten Geräte, für die Iop - Ith > 0 ( vorzugsweise > 5 mA) und L bei Iop größer als ein vorbestimmter Wert (z.B. > 1 mW, besser mindestens 5 mW) ist, als Funktion des Injektionsstromes bestimmt. Für die so erkannten Geräte wird ein Parameter aus einem oder mehreren der vorher bestimmten L, L' und den höheren Ordnungen ermittelt, der prädiktiv für das Signalverzerrungsverhalten des Gerätes ist. Im aktuellen Ausführungsbeispiel ist der Parameter 2HD/C.
- Das Ausführungsbeispiel schließt weiterhin die Identifizierung eines Lasers (oder meherer Laser) aus einer Serie von vorher bestimmten Bauteilen ein, für welche der Wert des Parameters anzeigt, daß das Gerät über einen relativ großen Bereich des Injektionsstromes eine Signalverzerrung (z.B. CSO) unterhalb eines vorher festgelegten Wertes haben wird. In dem aktuell bevorzugten Ausführungsbeispiel werden solche Geräte identifiziert, für die 2HD/C kleiner als ein vorher festgelegter Wert, z.B. nicht mehr als -70dbc innerhalb eines Strombereichs von mindestens 4 mA ist. So ausgewählte Geräte funktionieren gut in den hier erörterten Typen von analogen Mehrkanalsystemen.
- Wie für Fachleute auf diesem Gebiet erkennbar ist, kann die Nutzung des erfundenen Verfahrens wesentlich die Zeit und die Kosten für die Auswahl der in analogen Mehrkanalsystemen verwendbaren Lasern verringern und somit können die Kosten zur Herstellung solcher Systeme bedeutend reduziert werden.
- Beispiel: Auf einem InP-Wafer werden eine Vielzahl von CMBH-DFB-Laser durch herkömmliche Mittel hergestellt. Die Laser wurden zur Aussendung von Strahlung bei einer Wellenlänge von 1.3 um entworfen. Vor dem Kontaktieren der Laserchips wurden die Laser geprüft und solche, die nicht versagen, erkannt.
- Mehrere der vorher positiv getesteten Laser wurden weiter untersucht. Die Untersuchung eines der Laser erfordert die Befestigung des Chips auf einem geeigneten metallisierten BeO-Träger welcher wiederum auf einem Kupferbolzen angebracht wurde, der durch herkömmliche thermoelektrische Kühlungseinrichtungen gekühlt wurde, wodurch die Temperatur des Geräts auf etwa 20ºC gehalten werden konnte. Es umfasste weiterhin die Anregung des Lasers mit Strompulsen (800 ns Dauer, 0,1 % relative Einschaltdauer), welche mit einem Pulsnetzteil (HP 8160A) erzeugt wurden. Die sich ergebenden Lichtpulse wurden mittels eines Ge-Photodetektors konventioneller Art detektiert und die resultierenden elektrischen Signale mit einem SR 250 Signalprozessors (SR 250 Signal Averager) analysiert. Die Licht- und Stromdaten wurden mit einem konventionellen Computer (HP 310) aufgezeichnet, der zur Erzeugung der L von I-Kurve des Gerätes als auch zur Erzeugung der Kuven L' von I, L" von I und 2HD/C von I programmiert war. Die Computerprogramme waren konventionell. Der Computer erzeugte all die in Fig. 2 und 3 gezeigen Kurven. Aus diesen Kurven bestimmten wir Iop, Ith, und den Strombereich, für den 2HD/C ≤ -70dbc ist. Die Überprüfung all dieser Parameter zeigt, daß das vorliegende Bauteil für die Verwendung in einem analogen optischen Faser-CATV-System mit 42 Kanälen geeignet ist.
- Wie es Fachleuten auf diesem Gebiet bewußt ist, muß die L von I-Funktion nicht notwendigerweise durch ein Pulsverfahren bestimmt werden, obwohl Aufheizeffekte typischerweise dadurch minimiert werden können. Diese Funktionen können z.B. auch durch ein Gleichsignalverfahren oder mittels eines Verfahrens, welches eine Gleichsignalquelle zusammen mit einer Wechselmodulation mit einem oder mehreren Kanälen verwendet, bestimmt werden.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung eines in einem
analogoptischen Mehrkanal-Faser-Kommunikationssystem
verwendbaren Halbleiterlasers, wobei das Verfahren umfaßt
a) Herstellen einer Vielzahl von Halbleiterlasern, wobei
jedem Laser ein Lichtausgangssignal (L) als Funktion eines
Injektionsstroms (I) und wenigstens eine erste Ableitung
(L') von L nach I zugeordnet ist,
b) Prüfen der Vielzahl von Lasern und Auswählen des Lasers
aus der Vielzahl von Lasern gemäß vorbestimmten Kriterien,
und
c) Durchführen eines oder mehrerer weiterer Schritte zur
Vervollständigung des Lasers,
dadurch gekennzeichnet,
daß Schritt b) umfaßt:
i) Bestimmen eines Parameters für einen gegebenen Laser
aus L, L' und L", der für ein Störungsverhalten der
Einrichtung in dem analogen Mehrkanalsystem prädiktiv ist,
wobei L" die zweite Ableitung von L nach I ist, und
ii) Auswählen des gegebenen Lasers zur Verwendung in dem
Übertragungssystem, falls der Wert des Parameters größer als
ein vorbestimmter Wert über einen relativ großen Bereich von
I ist, mit Iop innerhalb des Bereichs, wobei Iop der Strom
ist, bei welchem L' ein Maximum hat.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
in welchem der Parameter die normalisierte Störung zweiter
Ordnung (2HD/C) ist, wobei 2HD/C eine Funktion von L, L' und
L" des Lasers ist, wobei der Laser ausgewählt wird, falls
2HD/C niedriger als ein vorbestimmter Wert über einen
Bereich von wenigstens 2 mA ist und Iop - Ith > 5 mA, wobei Ith
der Schwellenwertstrom des Lasers ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
in welchem der Laser ausgewählt wird, falls 2HD/C < - 70 dbc
über einen Bereich von wenigstens 4 mA ist und der Laser ein
L von wenigstens ungefähr 3 mW bei Iop hat.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3,
in welchem der Laser ein Laser mit verteilter Rückkopplung
ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4,
in welchem b) das Anlegen eines gepulsten Stroms an den
vorgegebenen Laser umfaßt.
6. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3, oder 4,
in welchem b) das Anlegen eines Wechselstrom-modulierten
Gleichstroms an den Laser umfaßt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/420,867 US5034334A (en) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | Method of producing a semiconductor laser adapted for use in an analog optical communications system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69010134D1 DE69010134D1 (de) | 1994-07-28 |
| DE69010134T2 true DE69010134T2 (de) | 1994-12-08 |
Family
ID=23668160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69010134T Expired - Fee Related DE69010134T2 (de) | 1989-10-13 | 1990-10-05 | Verfahren zum Herstellen eines für den Gebrauch in einem optischen Kommunikationssystem angepassten Halbleiterlasers. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5034334A (de) |
| EP (1) | EP0422852B1 (de) |
| JP (1) | JPH07118562B2 (de) |
| DE (1) | DE69010134T2 (de) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5241552A (en) * | 1991-10-22 | 1993-08-31 | At&T Bell Laboratories | Compensated laser structure for analog communication applications |
| US5891746A (en) * | 1996-01-16 | 1999-04-06 | International Business Machines Corporation | Semiconductor wafer testing method and apparatus |
| JPH10336115A (ja) | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Nec Corp | アナログ光送信装置 |
| JP2943766B2 (ja) * | 1997-06-10 | 1999-08-30 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| JP3979767B2 (ja) | 2000-05-17 | 2007-09-19 | 松下電器産業株式会社 | 多チャンネル映像光伝送システム及び光送信装置並びに光受信装置 |
| US6724791B1 (en) | 2002-07-02 | 2004-04-20 | C-Cor.Net Corp. | Method and apparatus for controlling the temperature of a laser module in fiber optic transmissions |
| CN111817787B (zh) * | 2019-04-10 | 2021-10-01 | 南京南瑞继保电气有限公司 | 一种级联型变流器模块单元的通讯系统及其控制方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4062632A (en) * | 1976-06-21 | 1977-12-13 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Constant modulation index technique for measuring the derivatives of device parameters |
| US4372791A (en) * | 1979-04-30 | 1983-02-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for fabricating DH lasers |
| DE3034942C2 (de) * | 1980-09-16 | 1982-10-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Meßeinrichtung zur Bestimmung des Extinktionswertes von Laserentfernungsmessern |
| DE3124817A1 (de) * | 1981-06-24 | 1983-01-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Lumineszenzdiode mit hohem wirkungsgrad und hoher grenzfrequenz der modulierbarkeit |
| FI74371C (fi) * | 1982-06-04 | 1988-01-11 | British Telecomm | Optisk oeverfoering. |
| US4489477A (en) * | 1984-02-23 | 1984-12-25 | Northern Telecom Limited | Method for screening laser diodes |
| US4573255A (en) * | 1984-03-22 | 1986-03-04 | At&T Bell Laboratories | Purging: a reliability assurance technique for semiconductor lasers utilizing a purging process |
| CA1210070A (en) * | 1984-10-26 | 1986-08-19 | Northern Telecom Limited | Laser transmitter |
| US4680810A (en) * | 1985-06-28 | 1987-07-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Labs | Means for controlling a semiconductor device and communication system comprising the means |
| JPS6266424A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Sharp Corp | 光量制御装置 |
| US4714826A (en) * | 1986-08-18 | 1987-12-22 | Westinghouse Electric Corp. | Apparatus and method for testing outputs of logic circuits by modulating optical sequals |
| JPS63202711A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | レ−ザ記録方法および装置 |
| US4795976A (en) * | 1987-01-15 | 1989-01-03 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Apparatus and derivative technique for testing devices |
| US4777146A (en) * | 1987-02-24 | 1988-10-11 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Fabrication process involving semi-insulating material |
| JPS6481382A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Selection of semiconductor laser module |
| US4820047A (en) * | 1987-12-22 | 1989-04-11 | Snyder James J | Laser heterodyne apparatus for measuring optical power |
-
1989
- 1989-10-13 US US07/420,867 patent/US5034334A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-13 JP JP2241348A patent/JPH07118562B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-05 EP EP90310958A patent/EP0422852B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-05 DE DE69010134T patent/DE69010134T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07118562B2 (ja) | 1995-12-18 |
| EP0422852A3 (en) | 1991-10-30 |
| EP0422852B1 (de) | 1994-06-22 |
| US5034334A (en) | 1991-07-23 |
| DE69010134D1 (de) | 1994-07-28 |
| EP0422852A2 (de) | 1991-04-17 |
| JPH03138993A (ja) | 1991-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69013151T2 (de) | Optisches nachrichtennetz. | |
| DE60320210T2 (de) | Verbesserte VCSEL analoge optische Verbindung | |
| DE69408802T2 (de) | Polarisationsmodenselektiver Halbleiterlaser, Lichtquelle und optisches Kommunikationssystem unter Verwendung dieses Lasers | |
| DE69516493T2 (de) | Verfahren zur Ansteuerung eines breitbandigen polarisationsmodenselektiven Halbleiterlasers, und ein optisches Kommunikationssystem | |
| DE69433917T2 (de) | Verfahren und Anordnung zur Verringerung der Störungen von optischen Übertragungssystemen | |
| DE69320101T2 (de) | Unterdrücken von Rauschen und Verzerrungen in einem Lichtwellenleitersystem | |
| DE602004008886T2 (de) | Optischer sender mit sbs-unterdrückung | |
| DE69525159T2 (de) | Erzeugung von hochfrequenzmodulierter optischer strahlung | |
| DE69632720T2 (de) | Mehrfrequenzphasenmodulation für lichtwellenübertragungssystem | |
| DE69611799T2 (de) | Thermisches down-mixing in laserdiodensendern zur unterdrückung stimulierter brillouin-streuung | |
| DE69005949T2 (de) | Interferometrische Vorrichtungen zur Verminderung harmonischer Verzerrungen in Laser-Kommunikationssystemen. | |
| EP0505829B1 (de) | System für optische Signalübertragung, insbesondere optisches Kabelfernsehsystem, mit Überwachungs- und Dienstkanaleinrichtung | |
| DE69007602T2 (de) | Analoges optisches Faser-Kommunikationssystem und zum Gebrauch in einem solchen System angepasster Laser. | |
| DE69315872T2 (de) | Optische Vorrichtung und Methode unter Benutzung dieser Vorrichtung, welche die Änderung einer über die beiden Anschlussenden eines verstärkenden Bereichs abfallenden Spannung ausnutzt | |
| DE69408759T2 (de) | Verfahren und Gerät zur Frequenzmodulation eines Halbleiterlasers und darauf beruhendes optisches Kommunikationssystem | |
| DE69736936T2 (de) | Verfahren und Anordnung zur Reduktion der nachteiligen Wirkungen von Schwebungsinterferenz in einem optischen Übertragungssystem | |
| DE60119573T2 (de) | Vorrichtung und verfahren zur unterdrückung des relativen intensitätsrauschens und verbesserung des sendersignals in einem optischen übertragungssystem | |
| DE69519508T2 (de) | Faseroptische Heterodynübertragungsverbindung mit niedrigem Vorspannungsstrom | |
| DE69735839T2 (de) | Optische Übertragungseinrichtung und optisches Übertragungssystem | |
| EP0897227A2 (de) | Verfahren und Anordnung zur Wellenlängenstabilisierung für mehrkanalige optische Übertragungssysteme | |
| DE69308945T2 (de) | Beschichtete DFB-Halbleiterlaser für Anwendung in einem analogen optischen Faserkommunikationssystem | |
| DE69313287T2 (de) | Optische quelle für ein kommunikationssystem | |
| DE69010134T2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines für den Gebrauch in einem optischen Kommunikationssystem angepassten Halbleiterlasers. | |
| DE3307309A1 (de) | Verfahren und anordnung zur optischen uebertragung eines elektrischen signals | |
| DE69020362T2 (de) | Verlustfreie optische komponente. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: BLUMBACH, KRAMER & PARTNER, 65193 WIESBADEN |
|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |