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JP2002168741A - Pretreatment method and apparatus for sample for analysis of trace components in metal - Google Patents
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JP2002168741A - Pretreatment method and apparatus for sample for analysis of trace components in metal - Google Patents

Pretreatment method and apparatus for sample for analysis of trace components in metal

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JP2002168741A
JP2002168741A JP2000362030A JP2000362030A JP2002168741A JP 2002168741 A JP2002168741 A JP 2002168741A JP 2000362030 A JP2000362030 A JP 2000362030A JP 2000362030 A JP2000362030 A JP 2000362030A JP 2002168741 A JP2002168741 A JP 2002168741A
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JP
Japan
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sample
analysis
metal
main body
pretreatment
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000362030A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisao Yasuhara
久雄 安原
Makoto Shimura
眞 志村
Kenji Abiko
兼次 安彦
Hideo Iwai
秀夫 岩井
Takashi Araida
隆 新井田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIPPON ANALYST KK
JFE Steel Corp
Ulvac PHI Inc
Original Assignee
NIPPON ANALYST KK
Ulvac PHI Inc
Kawasaki Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NIPPON ANALYST KK, Ulvac PHI Inc, Kawasaki Steel Corp filed Critical NIPPON ANALYST KK
Priority to JP2000362030A priority Critical patent/JP2002168741A/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来に比べて簡便かつ迅速に金属中の微量成
分を分析することができ、しかも高精度に分析すること
のできる金属中微量成分分析用試料の予備処理方法およ
び装置を提供する。 【解決手段】 分析試料を10Pa以下の雰囲気に暴露して
表面汚染を除去する。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pretreatment method for a sample for analysis of a trace component in a metal which can analyze a trace component in a metal more easily and more quickly than in the past and which can analyze with high accuracy. Provide equipment. SOLUTION: An analysis sample is exposed to an atmosphere of 10 Pa or less to remove surface contamination.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、金属中の成分の分
析、特に微量元素の分析にあたり分析試料を予備処理し
て分析誤差の発生を防止するための金属中微量成分分析
用試料の予備処理方法方法および金属中微量成分分析用
試料の予備処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pretreatment of a sample for analyzing a trace component in a metal to prevent the occurrence of an analysis error by pretreating an analysis sample in analyzing a component in a metal, in particular, in analyzing a trace element. The present invention relates to a method and a pretreatment device for a sample for analyzing a trace component in a metal.

【0002】[0002]

【従来の技術】金属中の微量元素、例えば窒素、炭素、
水素は延性や加工性などの材料特性に影響を与えること
は良く知られているが、近年、素材の高純度化に伴い、
これらの元素を極めて高精度に分析することが要求され
ている。このような高精度分析では、分析試料の表面の
汚染が分析結果に与える影響が極めて大きい。例えば、
鋼中窒素の分析では大気中窒素や窒素酸化物などの吸
着、鋼中炭素の分析では有機物や炭酸ガスの吸着、鋼中
水素の分析では水分や有機物の吸着の影響が大きく現れ
誤差の原因となる。
2. Description of the Related Art Trace elements in metals, for example, nitrogen, carbon,
It is well known that hydrogen affects material properties such as ductility and workability, but in recent years, with the purifying of materials,
It is required to analyze these elements with extremely high accuracy. In such a high-precision analysis, the contamination of the surface of the analysis sample greatly affects the analysis result. For example,
In the analysis of nitrogen in steel, adsorption of atmospheric nitrogen and nitrogen oxides, in the analysis of carbon in steel, the adsorption of organic substances and carbon dioxide gas, and in the analysis of hydrogen in steel, the influence of adsorption of moisture and organic substances is large, causing errors. Become.

【0003】そのため、分析に先立って分析試料の表面
汚染を除去することが極めて重要であり、そのための手
段として電解研磨法あるいは化学溶解法が用いられてい
る。また、特開平8-211043号公報、特開平10-73586号公
報および特開平11-316220号公報には、金属中微量成分
を定量するあたり、試料を不活性ガス雰囲気の分析予備
処理室内でガススパッタリングを施し、試料表面の汚染
部を除去し直ちに分析反応室に移行せしめる予備処理方
法および装置が開示されている。
[0003] Therefore, it is extremely important to remove the surface contamination of the analysis sample prior to the analysis, and an electrolytic polishing method or a chemical dissolution method is used as a means for that. In addition, JP-A-8-211043, JP-A-10-73586 and JP-A-11-316220 disclose that, when quantifying trace components in a metal, a sample is subjected to gas analysis in an inert gas atmosphere analysis pretreatment chamber. A pretreatment method and apparatus for performing sputtering to remove a contaminated portion on a sample surface and immediately transfer the sample to an analysis reaction chamber are disclosed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】これらの手段を利用す
ることにより、試料表面の汚染を予め除去することがで
き、かつ再汚染することなく分析反応室に試料を移すこ
とができる。しかし、不活性ガススパッタリングを行う
ためには、試料を一定の極性、例えば陽極としながらス
パッタリングする煩雑な操作が必要であり、またそのた
めの装置も高価であり、より簡易かつ迅速に正確な分析
のできる手段が求められていた。本発明は、このような
問題を解決するためなされたもので、従来に比べて簡便
かつ迅速に金属中の微量成分を分析することができ、し
かも高精度に分析することのできる金属中微量成分分析
用試料の予備処理方法および装置を提供することを目的
とする。
By using these means, the contamination on the sample surface can be removed in advance, and the sample can be transferred to the analysis reaction chamber without re-contamination. However, in order to perform the inert gas sputtering, it is necessary to perform a complicated operation of sputtering the sample while keeping the sample at a certain polarity, for example, an anode, and an apparatus for the sputtering is also expensive, so that simple and quick accurate analysis can be performed. There was a need for a means to do it. The present invention has been made to solve such a problem, and it is possible to analyze a trace component in a metal more easily and quickly than in the past, and furthermore, to analyze a trace component in a metal with high accuracy. An object of the present invention is to provide a pretreatment method and apparatus for a sample for analysis.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、分析試料を減
圧された状態に曝せば、試料表面に吸着されたガス成分
が容易に除去され、これにより金属中微量元素の分析誤
差を生ずることが解消されることに基づいてなされたも
のである。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, when an analysis sample is exposed to a reduced pressure, gas components adsorbed on the sample surface are easily removed, thereby causing an analysis error of trace elements in the metal. Has been resolved.

【0006】具体的には、本発明の金属中微量成分分析
用試料の予備処理方法は、分析試料を10Pa以下の雰囲気
に暴露して表面汚染を除去するものである。
Specifically, the pretreatment method for a sample for analyzing a trace component in a metal according to the present invention removes surface contamination by exposing the sample to an atmosphere of 10 Pa or less.

【0007】本発明は、金属中微量成分が窒素、水素ま
たは炭素であるものに適用するのが効果的であり、ま
た、本発明を適用するに当たり、分析試料をあらかじめ
有機溶剤洗浄あるい化学研磨処理あるいは電気化学研磨
処理により研磨して表面付着物を除去しておくのが好ま
しい。
The present invention is effective when applied to a metal in which the trace component in the metal is nitrogen, hydrogen or carbon. In applying the present invention, the analysis sample is previously washed with an organic solvent or chemically polished. It is preferable to remove surface deposits by polishing by a treatment or an electrochemical polishing treatment.

【0008】また、上記本発明の方法を実施するための
金属中微量成分分析用試料の予備処理装置は、分析試料
を10Pa以下の圧力にする予備処理室本体と、該予備処理
室本体に分析試料を導入する試料導入手段、該予備処理
室本体内において試料を保持する試料保持手段、および
処理された試料を分析装置の反応室に導き入れる試料搬
送手段とを付設してなるものが好ましい。
A pretreatment apparatus for a sample for analyzing a trace component in a metal for carrying out the method of the present invention comprises: a pretreatment chamber main body for applying a pressure of 10 Pa or less to an analysis sample; It is preferable that a sample introduction means for introducing a sample, a sample holding means for holding a sample in the main body of the pretreatment chamber, and a sample transport means for introducing the processed sample into a reaction chamber of the analyzer are additionally provided.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の金属中微量成分分析用試
料の予備処理方法では、分析試料は10Pa以下の雰囲気に
暴露される。図1は、質量比でC:0.003%、Si:0.01%、
Mn:0.01%、N:14ppmを含む軟鋼試料を種々の圧力の雰
囲気に1分間暴露した後、直ちに分析装置の反応室に移
し、不活性ガス融解法によりN成分の分析を行ったとき
の雰囲気圧力とN分析値との関係図である。なお、分析
試料は、真空溶解法で実験室的に溶解し、鋳造後にダイ
ヤモンドカッターで質量約1gに切り出し、有機溶剤洗浄
を行って作成したものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the pretreatment method of a sample for analyzing a trace component in a metal according to the present invention, an analysis sample is exposed to an atmosphere of 10 Pa or less. FIG. 1 shows C: 0.003%, Si: 0.01%,
After exposing a mild steel sample containing Mn: 0.01% and N: 14ppm to atmospheres of various pressures for 1 minute, immediately transfer it to the reaction chamber of the analyzer and analyze the N component by the inert gas melting method. FIG. 4 is a diagram showing the relationship between pressure and N analysis values. The analytical sample was prepared by dissolving in a laboratory by a vacuum melting method, cutting out to a mass of about 1 g with a diamond cutter after casting, and washing with an organic solvent.

【0010】図1に示すように、予備処理室の雰囲気圧
力が101Pa(10Pa)以下になると、窒素分析値は安定し
て14ppmを示す。しかし、それより雰囲気圧力が高いと
きには、0.5〜1ppm高い分析値を示し、試料表面に吸着
されていたN2ガスによる汚染の影響が現れていたこと
が分かる。
As shown in FIG. 1, when the atmospheric pressure in the pretreatment chamber becomes 10 1 Pa (10 Pa) or less, the nitrogen analysis value stably shows 14 ppm. However, when the atmospheric pressure was higher than that, the analysis value was higher by 0.5 to 1 ppm, indicating that the influence of the contamination by the N 2 gas adsorbed on the sample surface appeared.

【0011】このような実験を繰り返すことにより、圧
力が10Pa以下の減圧雰囲気に試料を曝すことにより、
試料表面に吸着していたガス物質が取り除かれ、分析誤
差がなくなることが明らかになった。このような処理に
より、分析誤差のなくなる代表的なガス成分としては、
窒素についてはN2、水素についてはH2O(水蒸気)、炭
素については有機溶剤等の炭化水素系物質が挙げられ
る。しかし、本発明はこれら成分に拘束されるものでは
なく、表面に吸着されて分析誤差の原因になるすべての
ガス成分の除去に適用されうる。なお、分析対象とする
元素の試料中含有量が数ppmの場合は、試料表面に吸着
れるガス成分の影響をさらに小さくすることが好まし
い。そのような場合には、減圧雰囲気を10-6Pa以下にす
るとよい。
By repeating such an experiment, the sample is exposed to a reduced-pressure atmosphere having a pressure of 10 Pa or less.
It was clarified that the gas substance adsorbed on the sample surface was removed and the analysis error was eliminated. By such processing, typical gas components that eliminate analysis errors include:
Examples of nitrogen include N 2 , hydrogen include H 2 O (steam), and carbon include hydrocarbon solvents such as organic solvents. However, the present invention is not restricted to these components and can be applied to the removal of all gas components that are adsorbed on the surface and cause analysis errors. When the content of the element to be analyzed in the sample is several ppm, it is preferable to further reduce the influence of the gas component adsorbed on the sample surface. In such a case, the reduced pressure atmosphere is preferably set to 10 −6 Pa or less.

【0012】このように減圧雰囲気に分析試料を暴露す
ることにより、分析試料表面の吸着ガスの影響を除去す
ることができるが、圧力以外の条件には以下のように注
意を払うことが必要である。まず、暴露時間について
は、最低30秒保持するのが好ましい。また、試料形状は
汚染の影響を極力抑えるためできるだけ表面積の小さい
形状が望ましい。また、処理された試料は、例えば大気
やその他の汚染原因となるガスに曝すことなく直接に分
析機器の反応室に移行させることが必要である。
By exposing the analysis sample to the reduced-pressure atmosphere in this manner, the influence of the adsorbed gas on the surface of the analysis sample can be removed. However, it is necessary to pay attention to the conditions other than the pressure as follows. is there. First, the exposure time is preferably kept at least 30 seconds. In addition, the shape of the sample is desirably as small as possible in surface area in order to minimize the influence of contamination. In addition, it is necessary to transfer the processed sample directly to the reaction chamber of the analytical instrument without exposing it to, for example, air or other polluting gases.

【0013】また、試料は上記減圧雰囲気暴露処理に先
立ち、有機溶剤洗浄あるい化学研磨処理あるいは電気化
学研磨処理により表面付着物を除去しておくのが好まし
い。これは研磨材等の付着した汚染は、減圧のみでは除
去できないためである。この処理により、より正確な分
析が可能となる。
It is preferable that the surface of the sample is removed from the surface of the sample by an organic solvent washing, a chemical polishing or an electrochemical polishing before the exposure to the reduced pressure atmosphere. This is because contaminants such as abrasives cannot be removed only by reduced pressure. This processing enables more accurate analysis.

【0014】このようにして、分析試料を減圧雰囲気暴
露処理するに当たっては、図2に示すような装置を用い
ることが好適である。この例では、金属中の成分分析装
置の反応室の上部に本発明に係る金属中微量成分分析用
試料の予備処理装置が設置されている。
As described above, it is preferable to use an apparatus as shown in FIG. 2 when exposing the analysis sample to a reduced pressure atmosphere. In this example, a pretreatment device for a sample for analyzing a trace component in a metal according to the present invention is installed above a reaction chamber of the device for analyzing a component in a metal.

【0015】この予備処理装置は、分析試料を10Pa以下
の圧力にする予備処理室本体4と、該予備処理室本体4に
分析試料2を導入する試料導入手段18、および処理され
た分析試料2を分析装置本体の反応室16に導き入れる試
料搬送手段22とを付設している。
The pretreatment apparatus includes a pretreatment chamber main body 4 for applying a pressure of 10 Pa or less to an analysis sample, a sample introducing means 18 for introducing the analysis sample 2 into the pretreatment chamber main body 4, and a preprocessed analysis sample 2 And sample transport means 22 for introducing the sample into the reaction chamber 16 of the analyzer main body.

【0016】また、予備処理室本体4内には、分析試料2
を支持するための試料保持手段20として先端が尖った分
析試料押さえが設けられており、分析試料2を極めて小
さい支持面積で支えることができるようになっている。
これにより、分析試料2の表面の汚染を試料押さえによ
って妨害されることなく除去できる。
In the main body 4 of the pretreatment chamber, an analysis sample 2 is provided.
An analytical sample holder having a sharp tip is provided as a sample holding means 20 for supporting the analytical sample 2, so that the analytical sample 2 can be supported by an extremely small supporting area.
Thereby, contamination on the surface of the analysis sample 2 can be removed without being hindered by the sample holder.

【0017】さらに図2の場合は、予備処理室本体4にヘ
リウムガス源6からヘリウムガスを供給することができ
るように配管されている。この配管は、分析装置本体の
反応室16へもなされており、したがってバルブ8の切り
替え操作により、ヘリウムガスを予備処理室本体4およ
び反応室16の両方に供給できる。
Further, in the case of FIG. 2, the helium gas is supplied from the helium gas source 6 to the pretreatment chamber main body 4 so as to supply the helium gas. This piping is also provided to the reaction chamber 16 of the main body of the analyzer, so that the helium gas can be supplied to both the pretreatment chamber main body 4 and the reaction chamber 16 by switching the valve 8.

【0018】なお、予備処理室本体4および反応室16に
用いるガスの種類は、分析対象元素の種類などによって
各々定めればよいことであり、他のガス、たとえばアル
ゴンガスに代えてもよい。また、バルブ8を用いて予備
処理室4および反応室16の両方にガスを供給することが
できる配管は必須ではない。すなわち、予備処理室4お
よび反応室16それぞれに、専用のガス源および配管を設
けても差し支えない。
The type of gas used for the pretreatment chamber main body 4 and the reaction chamber 16 may be determined depending on the type of the element to be analyzed and the like, and may be replaced with another gas, for example, argon gas. Further, a pipe that can supply gas to both the pretreatment chamber 4 and the reaction chamber 16 using the valve 8 is not essential. That is, a dedicated gas source and piping may be provided in each of the pretreatment chamber 4 and the reaction chamber 16.

【0019】上記のように構成された金属中微量成分の
分析用試料の予備処理装置は、以下のように作動する。
まず、予備処理室本体4の上部にある試料導入手段18か
ら試料2を予備処理室本体4に挿入し、保持手段20により
固定後、試料導入手段18を気密に閉鎖し排気ポンプ10を
稼働させて予備処理室本体4内を減圧する。
The pretreatment device for a sample for analyzing a trace component in a metal configured as described above operates as follows.
First, the sample 2 is inserted into the pretreatment chamber main body 4 from the sample introduction means 18 at the upper part of the pretreatment chamber main body 4, and after being fixed by the holding means 20, the sample introduction means 18 is closed airtightly and the exhaust pump 10 is operated. To reduce the pressure inside the pretreatment chamber main body 4.

【0020】所定時間、所定圧力に減圧した後、分析装
置本体の反応室16の雰囲気と同種のガス(この場合ヘリ
ウムガス)をガス源6からバルブ8を経由して予備処理
室4に導入する。引き続き、試料搬送手段22により、分
析試料2を大気に触れさせることなく直接に予備処理室
本体4から反応室16に移動させる。具体的には、試料搬
送手段22をスライドバルブにより構成し、これを解放
し、保持手段20を緩めて分析試料2を予備処理室本体4
から反応室16に落下させることになる。
After reducing the pressure to a predetermined pressure for a predetermined time, a gas (helium gas in this case) similar to the atmosphere of the reaction chamber 16 of the analyzer main body is introduced from the gas source 6 into the pre-processing chamber 4 via the valve 8. . Subsequently, the analysis sample 2 is directly moved from the main body 4 of the pretreatment chamber to the reaction chamber 16 without being exposed to the atmosphere by the sample transport means 22. More specifically, the sample transfer means 22 is constituted by a slide valve, which is released, the holding means 20 is loosened, and the analysis sample 2 is transferred to the pretreatment chamber main body 4.
From the reaction chamber 16.

【0021】これにより、金属分析試料はその表面の吸
着ガスが除去された状態で再汚染されることなく、分析
装置本体の反応室に移され、そこで所定の成分分析が行
われることになる。成分分析装置本体は、特に問うとこ
ろではなく金属中微量元素を分析できるものであればい
かなるものでもよい。
Thus, the metal analysis sample is transferred to the reaction chamber of the analyzer main body without re-contamination with the adsorbed gas on the surface removed, and a predetermined component analysis is performed there. The component analyzer main body is not particularly limited, and may be any device that can analyze a trace element in a metal.

【0022】たとえば、図2に示したようにグラファイ
トるつぼ14を収納した反応室14とグラファイトるつぼ14
を加熱する電源30と前記反応室16にキャリアガスを導入
するためのヘリウムガス源、および前記反応室16からキ
ャリアガスとともに分析成分ガスを受けて分析する熱伝
導度検出装置よりなるものが利用できる。
For example, as shown in FIG. 2, a reaction chamber 14 containing a graphite crucible 14 and a graphite crucible 14
A helium gas source for introducing a carrier gas into the reaction chamber 16 and a helium gas source for introducing a carrier gas into the reaction chamber 16, and a thermal conductivity detection device for receiving and analyzing the analysis component gas together with the carrier gas from the reaction chamber 16 can be used. .

【0023】すでに述べたように、成分分析装置本体
は、上記例に限られるものではなく、分析される対象成
分、元素によってその構成が変わるものである。例え
ば、鋼中炭素を分析する場合には、グラファイトるつぼ
を使用することができないので、代わりにアルミナるつ
ぼを設置し、キャリアガスは酸素、また、加熱用電源は
高周波誘導加熱電源、検出器は赤外線吸収装置となる。
キャリアガスや分析成分検出装置も分析対象成分によっ
て適宜変更できる。
As described above, the configuration of the main body of the component analyzer is not limited to the above example, and the configuration of the main body varies depending on the target component or element to be analyzed. For example, when analyzing carbon in steel, a graphite crucible cannot be used, so an alumina crucible was installed instead, oxygen was used as the carrier gas, the high-frequency induction heating power supply was used as the heating power supply, and the infrared radiation was used as the detector. It becomes an absorption device.
The carrier gas and the analysis component detection device can be appropriately changed depending on the analysis target component.

【0024】[0024]

【実施例】表1〜3に本発明法および不活性ガススパッ
タリングを用いて金属分析試料を予備処理して、鋼中の
窒素、炭素および水素分析結果を示す。ここで従来法と
は、分析試料を減圧された状態に曝すことをせず、ある
いは不活性ガススパッタリングによる予備処理も行わな
かった場合である。なお、分析試料の調整は、図1に示
した実験と同様に行ない、減圧雰囲気への暴露条件は10
-1Paに30sとした。試料A, B, D, E, G, Hについては、1
0-1Paに30秒、試料C, F, Iについては、10-6Paに30秒と
した。
EXAMPLES Tables 1 to 3 show the results of analyzing nitrogen, carbon and hydrogen in steel by pretreating a metal analysis sample using the method of the present invention and inert gas sputtering. Here, the conventional method is a case where the analysis sample is not exposed to a reduced pressure state, or a preliminary treatment by inert gas sputtering is not performed. The analysis sample was prepared in the same manner as in the experiment shown in FIG.
30 s was set to -1 Pa. For samples A, B, D, E, G, H, 1
30 sec at 0 -1 Pa, and 30 sec at 10 -6 Pa for samples C, F, and I.

【0025】試験結果は表1〜3に示す。これらの表から
分かるように、従来法の場合は、本発明および不活性ガ
ススパッタリング法よりも明らかに分析値が高い値を示
している。これに対し、本発明によった場合は、不活性
ガススパッタリングにより汚染部除去を行った場合と同
等の分析値を得られた。一方、本発明によって予備処理
したときは、不活性ガススパッタリングによった場合に
比べて1測定あたり約20minの時間短縮ができた。すなわ
ち、本発明による場合には、試料表面に吸着されたガス
成分が完全に除去することができるとともに、試料表面
の汚染除去を含めた分析時間を大幅に減少できることが
分かる。
The test results are shown in Tables 1 to 3. As can be seen from these tables, in the case of the conventional method, the analysis values are clearly higher than those of the present invention and the inert gas sputtering method. On the other hand, in the case of the present invention, an analysis value equivalent to that obtained when the contaminated portion was removed by inert gas sputtering was obtained. On the other hand, when the pretreatment was performed according to the present invention, the time was shortened by about 20 min per measurement as compared with the case where the inert gas sputtering was used. That is, in the case of the present invention, it can be seen that the gas component adsorbed on the sample surface can be completely removed and the analysis time including the contamination removal of the sample surface can be greatly reduced.

【0026】[0026]

【表1】 [Table 1]

【0027】[0027]

【表2】 [Table 2]

【0028】[0028]

【表3】 [Table 3]

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明により、金属中微量元素の分析に
当たり、表面吸着物質を不活性ガススパッタリング法の
ような特別な装置を用いずに簡易かつ確実に除去するこ
とができ、これにより金属中微量元素の高精度な分析を
簡便かつ迅速に実施できる。
According to the present invention, it is possible to easily and reliably remove surface adsorbed substances without using a special apparatus such as an inert gas sputtering method when analyzing trace elements in metals. High-precision analysis of trace elements can be performed easily and quickly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 不活性ガス融解法によりN成分の分析を行っ
たときの予備処理室の雰囲気圧力とN分析値との関係図
である。
FIG. 1 is a diagram showing a relationship between an atmospheric pressure of a pretreatment chamber and an N analysis value when an N component is analyzed by an inert gas melting method.

【図2】 本発明に係る金属中微量成分分析用試料の予
備処理装置の代表例を示す模式断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing a typical example of a pretreatment apparatus for a sample for analyzing a trace component in a metal according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2:分析試料 4:予備処理室本体 6:ヘリウムガス源 8、12:バルブ 10:排気ポンプ 14:グラファイトるつぼ 16:反応室 18:試料導入手段 20:試料保持手段 22:試料搬送手段 30:加熱電源 2: Analytical sample 4: Pretreatment chamber body 6: Helium gas source 8, 12: Valve 10: Exhaust pump 14: Graphite crucible 16: Reaction chamber 18: Sample introduction means 20: Sample holding means 22: Sample transport means 30: Heating Power supply

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 591121959 日本アナリスト株式会社 東京都品川区西五反田3−9−23 (72)発明者 安原 久雄 千葉県千葉市中央区川崎町1番地 川崎製 鉄株式会社技術研究所内 (72)発明者 志村 眞 千葉県千葉市中央区川崎町1番地 川崎製 鉄株式会社技術研究所内 (72)発明者 安彦 兼次 宮城県仙台市泉区高森6−27−9 (72)発明者 岩井 秀夫 神奈川県茅ヶ崎市円蔵370 アルバック・ ファイ株式会社内 (72)発明者 新井田 隆 東京都品川区西五反田3−7−23 日本ア ナリスト株式会社内 Fターム(参考) 2G055 AA01 CA22 CA23 EA10  ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (71) Applicant 591121959 Japan Analyst Co., Ltd. 3-9-23 Nishigotanda, Shinagawa-ku, Tokyo (72) Inventor Hisao Yasuhara 1 Kawasaki-cho, Chuo-ku, Chiba-shi, Chiba Kawasaki Steel (72) Inventor Makoto Shimura 1st Kawasaki-cho, Chuo-ku, Chiba-shi, Chiba Pref. 72) Inventor Hideo Iwai Inside ULVAC-PHI Co., Ltd. 370, Enzo, Chigasaki-shi, Kanagawa (72) Inventor Takashi Niida F-term in Japan Analyst Co., Ltd. 3-7-23 Nishigotanda, Shinagawa-ku, Tokyo (reference) 2G055 AA01 CA22 CA23 EA10

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 分析試料を10Pa以下の雰囲気に暴露して
表面汚染を除去することを特徴とする金属中微量成分分
析用試料の予備処理方法。
1. A pretreatment method for a sample for analyzing a trace component in a metal, wherein the sample is exposed to an atmosphere of 10 Pa or less to remove surface contamination.
【請求項2】 金属中微量成分が窒素、水素または炭素
であることを特徴とする請求項1に記載の金属中微量成
分分析用試料の予備処理方法。
2. The method according to claim 1, wherein the trace component in the metal is nitrogen, hydrogen or carbon.
【請求項3】 分析試料は、あらかじめ有機溶剤洗浄あ
るい化学研磨処理あるいは電気化学研磨処理により表面
付着物を除去されたものであることを特徴とする請求項
1又は2に記載の金属中微量成分分析用試料の予備処理
方法。
3. A trace amount of metal in a metal according to claim 1, wherein the analytical sample is one in which the surface deposits have been removed in advance by washing with an organic solvent, a chemical polishing treatment or an electrochemical polishing treatment. Pretreatment method for sample for component analysis.
【請求項4】 分析試料を10Pa以下の圧力にする予備処
理室本体と、該予備処理室本体に分析試料を導入する試
料導入手段、該予備処理室本体内において試料を保持す
る試料保持手段、および処理された試料を分析装置本体
の反応室に導き入れる試料搬送手段とを付設してなるこ
とを特徴とする金属中微量成分分析用試料の予備処理装
置。
4. A pre-processing chamber main body for applying a pressure of 10 Pa or less to an analysis sample, a sample introducing means for introducing an analysis sample into the pre-processing chamber main body, a sample holding means for holding a sample in the pre-processing chamber main body, And a sample transporting means for introducing the processed sample into a reaction chamber of the analyzer main body.
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