JP2002202748A - 差動増幅回路、定電流回路及びこれら回路を含む表示装置 - Google Patents
差動増幅回路、定電流回路及びこれら回路を含む表示装置Info
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Abstract
い値電圧の偏差の大きさに係わらずオフセット電圧を補
償して、回路を正常に動作させる。 【解決手段】 トランジスタP1、P2に同時にVre
fを与えて、トランジスタP3、P4のしきい値電圧の
偏差により生じるオフセット電圧を容量C1に保持させ
ておき、出力動作時にはトランジスタP3、P4のしき
い値電圧の偏差に係わらず同じ電圧出力が得られるよう
にした。
Description
関し、詳しくは基板上に低温ポリシリコン(p−si)
薄膜トランジスタで形成される差動増幅回路と、この差
動増幅回路において電流制御トランジスタとして機能す
る定電流回路と、これら回路を含む表示装置に関する。
の偏差を補償する方法として、入力電圧を補償する方法
が知られている。例えば図6に示すように、差動増幅回
路101を初段回路とする演算回路102を設け、この
演算回路102で入力電圧を補償するものである。図6
に示す回路の動作を簡単に説明すると、オフセットキャ
ンセル動作時(A)においては、スイッチ103とスイ
ッチ105をオン、スイッチ104をオフすることで、
差動増幅回路101のしきい値電圧の偏差に相当する電
位差(以下、オフセット電圧)をオフセットキャンセル
用容量106に記憶する。そして、電圧出力時(B)に
おいて、スイッチ104をオン、スイッチ103とスイ
ッチ105をオフすると、差動増幅回路101には入力
Vin1と、オフセットキャンセル用容量106に記憶
されたオフセット電圧分が加わった入力電圧Vin2が
入力されるため、差動増幅回路101の内部でのしきい
値電圧の偏差が補償された出力電圧Voutが出力され
ることになる。ちなみに、図6の回路では、演算回路1
02そのものは正常に動作することを前提としている。
同様に、USP4,691,125においても、差動増
幅回路(オペアンプ)外部にキャンセル回路を設けるこ
とで、回路内で発生したオフセット電圧に対して出力電
圧を補償する技術が提案されている。
上で500℃前後の低温、或いは石英基板上で900℃
程度の高温ポリシリコンプロセスで製造されるp−si
においては、トランジスタのしきい値電圧に偏差が生じ
やすく、この傾向は製造プロセス温度が低くなるにつれ
て顕著になる。このような差動増幅回路の内部でのしき
い値電圧の偏差が大きい場合、上述した従来例のような
外部回路による補償では、例え入力電圧の補償を行った
としてもしきい値電圧の偏差を十分に補償することがで
きず、出力ばらつきが残るため、最悪の場合は差動増幅
回路そのものが動作しない事態が起こりうる。
号を供給する回路の一部を差動増幅回路で構成した場合
には、先に説明したようなトランジスタのしきい値電圧
の偏差の影響が映像信号のばらつきとなり、表示ムラが
発生するという問題点があった。
大きいトランジスタについても、そのオフセット電圧を
十分に補償することができる差動増幅回路及び定電流回
路を提供することにある。
タのしきい値電圧の偏差による映像信号のばらつきをな
くして、表示ムラのない良好な表示品位を得ることがで
きる表示装置を提供することにある。
め、請求項1の発明は、第1の電圧入力、第2の電圧入
力を第1の電流出力、第2の電流出力に変換する入力変
換手段と、前記第1の電流出力に対応する第3の電流出
力と前記第2の電流出力との間で演算を行い、前記第1
の電圧入力と前記第2の電圧入力の差に応じた第5の電
流出力を得る出力演算手段とから構成される差動増幅回
路において、前記第1の電圧入力、第2の電圧入力を等
電位とする等電位手段と、前記第1の電圧入力と第2の
電圧入力とが等電位となった際に、前記第3の電流出力
を検出する手段と、前記第3の電流出力と前記第2の電
流出力との間で演算を行ったときの電位を保持する電位
保持手段とを備え、前記電位保持手段に保持された電位
に基づいて、前記出力演算手段における演算の偏差を補
償することを特徴とする。
記入力変換手段の前記第1の電圧入力は第1のトランジ
スタを介して入力され、前記第2の電圧入力は第2のト
ランジスタを介して入力されることを特徴とする。
記出力演算手段が、前記第1の電流出力を検知する第1
の検知手段と、前記電位保持手段と、前記第2の電流出
力を検知する第2の検知手段とから構成されることを特
徴とする。
記第2の検知手段が、誤差補正手段を有することを特徴
とする。
記第1の検知手段が、前記第1の電流出力により端子電
圧が制御される第3のトランジスタからなり、前記第1
の電流出力を検知する構成であることを特徴とする。
記第2の検知手段が、前記第2の電流出力により端子電
圧が制御される第4のトランジスタからなり、前記第2
の電流出力の端子電圧を検知する構成であることを特徴
とする。
記等電位手段が、前記第1のトランジスタを前記第2の
トランジスタと共に制御するための第1のスイッチ手段
と、前記第1のスイッチ手段及び第2のスイッチ手段と
連動して前記第1のトランジスタを制御する第3のスイ
ッチ手段とから構成されることを特徴とする。
記第3の電流出力を検知する手段が、前記第4のトラン
ジスタと前記電位保持手段との間に接続された第2のス
イッチ手段から構成されることを特徴とする。
記誤差補正手段が、前記第4のトランジスタと前記電位
保持手段に接続された第3のスイッチ手段から構成され
ることを特徴とする。
前記電位保持手段が、容量キャパシタであることを特徴
とする。
1の発明は、第1の電圧入力を第1の電流出力に変換す
る入力変換手段を有する定電流回路において、前記入力
変換手段に供給する前記第1の電圧入力の電位を得る出
力演算手段と、前記出力演算手段で得た電位と所定のバ
イアス電位を付加する電位付加手段による電位との差電
位を保持する第1の電位保持手段と、前記入力変換手段
の電流出力部の電位を初期化するための初期化手段とを
備え、前記第1の電位保持手段に保持された電位に基づ
いて、前記第1の電圧入力の電位を補償することを特徴
とする。
て、前記入力変換手段の前記第1の電圧入力は第1のト
ランジスタに入力され、前記出力演算手段は前記第1の
電流出力を検知する第1の検知手段により構成されるこ
とを特徴とする。
て、前記第1の検知手段が、第1のトランジスタとスイ
ッチとからなり、前記第1のトランジスタの端子電圧を
前記スイッチにより検知する構成であることを特徴とす
る。
て、前記第1の検知手段が、誤差補正手段を有すること
を特徴とする。
て、前記入力変換手段で変換される前記第1の電流出力
の電流値が、前記電位付加手段で付加されるバイアス電
位により制御されることを特徴とする。
て、前記入力変換手段の電流出力部に、前記電流出力部
の電位を保持する第2の電位保持手段を接続したことを
特徴とする。
において、前記第1の電位保持手段及び前記第2の電位
保持手段が容量キャパシタであることを特徴とする。
て、前記初期化手段が、前記電流出力部に接続されたC
MOSインバータ回路により構成されることを特徴とす
る。
て、前記電流出力部の電位が、前記CMOSインバータ
回路を流れる貫通電流により初期化されることを特徴と
する。
0の発明は、第1の電圧入力、第2の電圧入力を第1の
電流出力、第2の電流出力に変換する入力変換手段と、
前記第1の電流出力に対応する第3の電流出力と前記第
2の電流出力との間で演算を行い、前記第1の電圧入力
と前記第2の電圧入力の差に応じた第5の電流出力を得
る出力演算手段とを備えた差動増幅回路において、前記
入力変換手段の前段に、請求項11の定電流回路を備え
たことを特徴とする。
2の電圧入力を第1の電流出力、第2の電流出力に変換
する入力変換手段と、前記第1の電流出力に対応する第
3の電流出力と前記第2の電流出力との間で演算を行
い、前記第1の電圧入力と前記第2の電圧入力の差に応
じた出力電圧を得る出力演算手段と、前記第1の電圧入
力、第2の電圧入力を等電位とする等電位手段と、前記
第1の電圧入力と第2の電圧入力とが等電位となった際
に、前記第3の電流出力を検出する第1の検出手段と、
前記第3の電流出力と前記第2の電流出力との間で演算
を行ったときの電位を保持する電位保持手段とを備え、
前記入力変換手段の前段に、請求項11の定電流回路を
備えたことを特徴とする。
求項22の発明は、複数の画素電極、これら画素電極の
それぞれに電極配線を介して接続されたスイッチ素子、
及び前記スイッチ素子を駆動して前記画素電極に映像信
号を書き込む駆動回路が形成された第1の電極基板と、
前記複数の画素電極に相対する対向電極が形成された第
2の電極基板と、これら電極基板間に保持された光変調
層とを備えた表示装置において、前記駆動回路には、請
求項11の定電流回路で構成される回路が含まれること
を特徴とする。
れら画素電極のそれぞれに電極配線を介して接続された
スイッチ素子、及び前記スイッチ素子を駆動して前記画
素電極に映像信号を書き込む駆動回路が形成された第1
の電極基板と、前記複数の画素電極に相対する対向電極
が形成された第2の電極基板と、これら電極基板間に保
持された光変調層とを備えた表示装置において、前記駆
動回路には、請求項1、20又は21の差動増幅回路で
構成される回路が含まれることを特徴とする。
て、前記定電流回路における前記第1の電圧入力の電位
を補償する動作を、一垂直走査期間毎、一水平走査期間
毎、又はn(n≧2)回の水平走査期間毎に実行するこ
とを特徴とする。
て、前記差動増幅回路の前記出力演算手段における演算
の偏差を補償する動作を、一垂直走査期間毎、一水平走
査期間毎、又はn(n≧2)回の水平走査期間毎に実行
することを特徴とする。
回路、定電流回路及びこれら回路を含む表示装置の実施
形態について説明する。ここでは特に回路構成に関して
説明するが、これを実現するプロセスについては、従来
技術で述べた低温ポリシリコンプロセスのほか、高温ポ
リシリコンプロセス等のプロセスが考えられ、これらプ
ロセスで製造されるトランジスタのしきい値電圧の偏差
のみならず、広くはトランジスタのオン電流特性の偏差
をキャンセルするために適用可能である。
る差動増幅回路10の回路構成図である。各部は以下の
ように構成されている。
1と、第2のトランジスタP2からなり、第1の電圧入
力Vinと第2の電圧入力Vrefをゲート電圧とし
て、第1の電流出力I1及び第2の電流出力I2を出力
する。
らのバイアス電圧(Control)により電流値が制
御されるトランジスタP5からなり、電源電圧Vddに
基づいて定電流を出力する。
検知する第1の検知手段としてのトランジスタP3と、
電位保持手段としての容量C1と、第2の電流出力I2
を検知する第2の検知手段としてのトランジスタP4と
から構成されている。トランジスタP3は、ソース〜ド
レイン間の端子電圧を検知して、第3の電流出力I3を
出力する。またトランジスタP4は、ソース〜ドレイン
間の端子電圧を検知して、第4の電流出力I4を出力す
る。出力演算部13では、第1の電流出力I1に対応し
て出力される第3の電流出力I3と第2の電流出力I2
との間で演算を行い、第5の電流出力Ioutを得てい
る。
P1をトランジスタP2と共にオン/オフする第1のス
イッチ手段として機能し、トランジスタP6は、トラン
ジスタP4と容量C1との間に接続された第2のスイッ
チ手段として機能する。また、トランジスタP8、P9
は、トランジスタP6、P7のオン/オフと連動して、
トランジスタP1のゲート電圧をVinとするかVre
fとするかの選択を行う第3のスイッチ手段として機能
する。これらトランジスタP7、P8、P9は、第1の
電圧入力Vinと第2の電圧入力Vrefとを等電位と
する等電位手段を形成している。トランジスタP6は第
3の電流出力I3を検出する手段を形成している。ま
た、トランジスタP7、P8、P9には、図示しない制
御回路から制御信号Φ、/Φ(反転Φ)が与えられてオ
ン/オフが制御される。この際、トランジスタP6及び
P7は、トランジスタP8及びP9と同時にオン(及び
同時にオフ)しないように構成されている。
路10の動作について説明する。参考のために、制御信
号Φ、/Φの駆動波形を図2に示す。
Φ:オン(5V)、/Φ:オフ(GND)とすること
で、トランジスタP6、P7はオン状態、P8、P9は
オフ状態となる。ここで、各トランジスタP1、P2、
P3、P4に流れる電流I1、I2、I3、I4は以下
の通りとなる。
−Vs1)−Vthp1]2 I2=0.5×β(p2)×[(Vref−Vs1)−
Vthp2]2 I3=0.5×β(n3)×[(Vg3−Vthn
3)]2 I4=0.5×β(n4)×[(Vg4−Vthn
4)]2 上述の4つの電流式と、定常回路動作となった時の電流
値はI1=I3、I2=I4となることから、容量C1
両端部の電圧Vg3、Vg4は、 Vg3=Vthn3+|Vgs1−Vthp1|√{β
(p1)/β(n3)} Vg4=Vthn4+|Vgs1−Vthp2|√{β
(p2)/β(n4)} となる。ここで、Vref−Vs1=Vgs1とする
と、この時に容量C1に蓄積されるオフセット電圧とな
る電荷量Qは、Q=C×(Vg3−Vg4)となる。
(GND)、/Φ:オン(5V)とすることで、トラン
ジスタP6、P7はオフ状態、P8、P9はオン状態と
なる。この時、各トランジスタP1、P2、P3、P4
に流れる電流を各々I1′、I2′、I3′、I4′と
すると、トランジスタP1、P2、P3、P4に流れる
電流は以下の通りとなる。
f−Vs1)−Vthp1]2 I2′=0.5×β(p2)×[(Vref−Vs1)
−Vthp2]2 I3′=0.5×β(n3)×[(Vg3−Vthn
3)]2 I4′=0.5×β(n4)×[(Vg4−Vthn
4)]2 ここで、第1入力電圧Vinについても、第2入力電圧
Vrefが入力されると仮定する。
は、Iout=I2′−I4′=0となり、トランジス
タP3とP4のしきい値電圧の偏差の大きさに係わらず
オフセット電圧は生じないことが分かる。すなわち、ト
ランジスタP3とP4のしきい値電圧の偏差により生じ
たオフセット電圧は容量C1の電位差として初期化され
るため、差動増幅回路としての出力時には、トランジス
タP3とP4のしきい値電圧の偏差の大きさに係わら
ず、出力ばらつきの少ない出力電圧を得ることができ
る。ここで、回路の出力電流量は、電流制御回路として
機能するトランジスタP1及びP2により制御されてお
り、この回路の電流制御性が高められることで、複数形
成される差動増幅回路の出力特性の均一化が図られる。
補正手段を付加した場合の実施例を示す回路構成図であ
り、図1と同等部分を同一符号で示している。トランジ
スタP6と容量C1の接続点に、ソース端とドレイン端
が接続されたトランジスタP10を誤差補正手段として
設けている。トランジスタP6とP10の極性(n形か
p形)を同一とし、さらにトランジスタP10の大きさ
をP6に比して半分程度とする。こうすることで、トラ
ンジスタP6がオフした際、そのチャネル電荷が容量C
1に流入して電位誤差となることを、トランジスタP1
0をオンすることで防止することができる。
上述した差動増幅回路10に用いられる定電流回路12
の回路構成について説明する。
回路12を構成するトランジスタP5のしきい値電圧の
偏差は補償されていないため、この偏差によっては差動
増幅回路自体の動作がばらつくことになる。この実施形
態2では、電流源のトランジスタP5のしきい値電圧の
偏差を補償する回路を備えた定電流回路について説明す
る。
0の回路構成図である。なお、図3において、図1のト
ランジスタP5に相当するのはトランジスタP11であ
るが、この実施形態2では説明の都合上、実施形態1と
は別の符号を付している。その他の部分についても、実
施形態1と同一名称を付した部分は必ずしも同等部分を
示していない。
3から容量Cvthを介して供給される電圧入力により
電流値が制御される第1のトランジスタP11からな
り、前記電圧入力をゲート電圧として、電流出力Idd
を出力する。
する第1の検知手段としてのトランジスタP14により
構成されている。トランジスタP14をオンすること
で、入力変換部21を構成するトランジスタP11をダ
イオード接続とし、電流出力Iddを検知してトランジ
スタP11のゲート電圧を規定する。
しての容量Cvthに保持された電位に所定のバイアス
電位を付加する。この実施形態では、電流出力部(以
下、ノードA)の初期化動作時にはVbias1を与
え、出力電圧設定時にはVbias2のバイアス電位を
それぞれ与えるものとする。入力変換部21から出力さ
れる電流出力Iddの電流値は、電位入力V13から与
えられるバイアス電位Vbias2により制御される。
の容量Caが接続されている。この容量Caは、ノード
Aの電位を規定するために接続されたものである。第2
の電位保持手段としては、図3に示すように積極的に容
量を形成してもよいし、ノードAと基板、電極配線等の
間に存在する寄生容量を利用してもよい。
12とNchのトランジスタP13を接続してなるCM
OSインバータ回路で構成されている。CMOSインバ
ータ回路は電圧入力V11によりインバータ動作し、こ
の時に生じる貫通電流によりノードAの電圧が下がるこ
とで、ノードAは初期化される。なお、CMOSインバ
ータ回路のスイッチングを制御する信号波形は、好まし
くはランプ波であり、その波形の傾きは配線抵抗、容量
Ca、容量Cvth及びトランジスタP14により決定
される。
20の動作について説明する。参考のために、電圧入力
11、同12、同13及びスイッチSW1を介して出力
される電流出力Iddの駆動波形を図4に示す。
5[V]、V12=0[V]、V13=Vbias1、
ノードAの電位=Vddとする。
を5[V]から0[V]に変化させると、トランジスタ
P12及びP13がインバータ動作し、ダイオード接続
となるトランジスタP11と同P14には貫通電流が一
瞬だけ流れ、ノードAの電圧が下がり、ノードAは初期
化される。すると、ノードAに接続された容量Caに
は、トランジスタP11と同P14で構成されるダイオ
ード接続で流れる電流により電荷が充電され、ノードA
の電位が上昇する。この時、容量Cvthにもトランジ
スタP14を通じて電荷が充電される。ノードAの電位
は、ダイオード接続されたトランジスタP11から電流
が流れなくなるまで上昇し、最終的なノードAの電位
は、およそトランジスタP11のしきい値電圧Vth
(P11)分低い電圧となる。この時、容量Cvthに
充電される電荷はCvth(Vth(P11)−Vbi
as1)となる。
から5[V]に変化させて、トランジスタP14をオフ
する。そして、トランジスタP14がオフした後に、電
圧入力V13の電位をVbias1からVbias2に
変化させることで、定電流回路として流す電流量Idd
の制御を行う。この時の電流量は、 Idd=0.5×β[(Vth(P11)−Vbias
1)+Vbias2−Vth(P11)]2 であるから、トランジスタP11のしきい値電圧がキャ
ンセルされ、 Idd=0.5×β(Vbias2−Vbias1)2 の電流が流れることになる。
ることにより、電流源のトランジスタP11のしきい値
電圧の偏差を補償することができるため、出力バラツキ
の少ない安定した電流出力を得ることができる。したが
って、この実施形態2の定電流回路20と実施形態1の
差動増幅回路10を組み合わせた場合は、図1に示した
差動増幅回路自体の動作のばらつきをさらに少なくする
ことができ、回路をより正常に動作させることが可能と
なる。また、この実施形態2の定電流回路20を従来例
の差動増幅回路に適用することも可能であり、その場合
も、動作のばらつきを従来例に比べて少なくすることが
できる。
段を付加した場合の実施例を示す回路構成図である。誤
差補正手段として新たに付加したトランジスタP15の
動作は、図7で述べたトランジスタP10と同じであ
り、トランジスタP14のチャネル電荷による誤差を相
殺し、Cvthの保持電位を高精度化する働きを有す
る。
られる電流量は、素子性能値の指標βで決まる。この実
施形態における主たる目的は、しきい値電圧の偏差をキ
ャンセルする機能を回路に付加することにあり、上記I
ddの式から明らかなように、しきい値電圧をキャンセ
ルする目的は達成されている。そして、指標βについて
も、回路性能向上を図る上で検討が必要となる。
ゲート絶縁膜厚、ゲート絶縁膜誘電率、活性層の電気特
性、ゲート絶縁膜との界面特性等の物理的な特性が影響
している。特に、p−siトランジスタでは、活性層に
多結晶シリコン薄膜を使用しているために、その膜の製
法により指標βは大きく異なることになる。多くの場
合、このβ値は実効移動度として示され、そのばらつき
の多くは前述した活性層を形成する多結晶シリコン膜の
不均一性が原因で発生していると考えられている。特に
Nchトランジスタについては、高い電界効果移動度が
得られるが、その反面ばらつきが大きい。一方、Pch
トランジスタについては、キャリアであるホールの粒子
散乱のために、移動度はNchトランジスタほどは高く
ならないが、その反面、ばらつきはNchトランジスタ
の2/3〜1/4程度と優れている。以上の事実から、
図3において電流源となるトランジスタP11は、Pc
hトランジスタで構成することが望ましいことになる。
説明した差動増幅回路、並びに実施形態2で説明した定
電流回路を備えた差動増幅回路を用いて、表示装置の駆
動回路の一部を構成した場合の実施形態について説明す
る。
示装置の構成を示した回路図である。アレイ基板101
上には、表示画素部102と、この表示画素部102を
駆動する走査線駆動回路(Yドライバ)103及び信号
線駆動回路(Xドライバ)104が形成されている。
信号線X1,X2,…と、同じく電極配線としての走査
線Y1,Y2,…が互いに直交するように配置されてお
り、これら両線の各交点には表示画素105が構成され
ている。各表示画素105は、画素電極106、対向電
極107及びこれら電極間に保持される光変調層として
の液晶層108から構成されている。そして、各画素電
極106への映像信号の書き込みは、スイッチ素子とし
てのTFT(薄膜トランジスタ)109により制御され
ている。各TFT109のゲートは行毎に共通に走査線
Y1,Y2,…に接続され、ドレインは列毎に信号線X
1,X2,…に接続されている。ソースは画素電極10
6に接続されている。画素電極106と相対配置される
対向電極107は、図示しない対向基板側に形成される
電極であり、ここでは説明の都合上、図5(A)に示し
ている。なお、図5(A)では、補助容量及び補助容量
線等の図示を省略している。
トレジスタ、レベルシフタ及びバッファを含む回路で構
成され、図示しないコントロールICから供給されるY
ドライバ制御信号に基づいて、走査線Y1,Y2,…に
行選択信号を出力する。
110、図示しないデータバス、及びデータラッチ・D
/A変換回路111等により構成され、図示しないコン
トロールICからデジタルの映像信号と共に供給される
Xドライバ制御信号に基づいて、前記映像信号を信号線
X1,X2,…に出力する。
回路111の構成を示す回路図である。信号線駆動回路
104に含まれるシフトレジスタ110には、前記Xド
ライバ制御信号に含まれるCLK制御データが供給さ
れ、このクロックのタイミングでシフトされたパルスが
映像信号の転送パルスとしてデータラッチ・D/A変換
回路111に出力される。データラッチ回路・D/A変
換回路111は、デジタルデータラッチ回路112、D
/A変換回路113及び増幅回路114で構成されてい
る。シフトレジスタ110から出力され、デジタルデー
タラッチ回路112に一時的に保持されたデジタルの映
像信号は、D/A変換回路113によりアナログの映像
信号に変換され、さらに増幅回路114で増幅された後
に、信号線X1,X2,…に出力される。
幅回路114に、前述の実施形態1で説明した差動増幅
回路、又は実施形態2で説明した定電流回路を備えた差
動増幅回路を適用した場合は、トランジスタのしきい値
電圧の偏差の影響を受けることがなく、映像信号のばら
つきをなくすことができるため、表示ムラのない良好な
表示品位が得られることになる。
を除く他の回路は、必ずしもアレイ基板101上に形成
する必要はなく、図示しない外部駆動回路上に形成され
ていてもよい。
を適用した表示装置においては、オフセット電圧のキャ
ンセル動作を所定周期毎に実行することが望ましい。具
体的には、一垂直走査期間毎、一水平走査期間毎、又は
n(n≧2)回の水平走査期間毎にキャンセル動作を実
行する。
層を用いた液晶表示装置の例を示したが、この他にも、
EL等を用いた表示装置に適用可能であり、更には、ア
ナログの映像信号を使用する表示装置一般に適用可能で
ある。
回路によれば、トランジスタのしきい値電圧の偏差の大
きさに係わらずオフセット電圧を十分に補償することが
できるため、特に低温ポリシリコンプロセスで製造され
るトランジスタにおいて、そのしきい値電圧の偏差が大
きい場合でも、出力ばらつきを少なくして、回路を正常
に動作させることができる。したがって、しきい値電圧
の偏差が大きなトランジスタにより差動増幅回路或いは
差動増幅回路を初段回路とする演算増幅器を構成した場
合でも、従来例の外部回路よりも少ない構成部品でオフ
セット電圧の補償を行うことができる。
源のトランジスタのしきい値電圧の偏差を補償すること
ができるため、出力ばらつきの少ない安定した電流出力
を得ることができる。したがって、この定電流回路と上
記差動増幅回路とを組み合わせた場合には、差動増幅回
路自体の出力ばらつきをさらに少なくして、回路をより
正常に動作させることが可能となる。
ログの映像信号を供給する回路の一部に適用した場合に
は、トランジスタのしきい値電圧の偏差による映像信号
のばらつきをなくすことができるため、表示ムラのない
良好な表示品位を得ることができる。
図。
駆動波形図
た回路図。
場合の実施例を示す回路構成図。
合の実施例を示す回路構成図。
2…出力演算部、 23…電位付加部、24…初期化
部、101…アレイ基板、103…走査線駆動回路、1
04…信号線駆動回路、105…表示画素、111…デ
ータラッチ・D/A変換回路、112…デジタルデータ
ラッチ回路、113…D/A変換回路、114…増幅回
路
Claims (25)
- 【請求項1】 第1の電圧入力、第2の電圧入力を第1
の電流出力、第2の電流出力に変換する入力変換手段
と、前記第1の電流出力に対応する第3の電流出力と前
記第2の電流出力との間で演算を行い、前記第1の電圧
入力と前記第2の電圧入力の差に応じた第5の電流出力
を得る出力演算手段とから構成される差動増幅回路にお
いて、 前記第1の電圧入力、第2の電圧入力を等電位とする等
電位手段と、 前記第1の電圧入力と第2の電圧入力とが等電位となっ
た際に、前記第3の電流出力を検出する手段と、 前記第3の電流出力と前記第2の電流出力との間で演算
を行ったときの電位を保持する電位保持手段と、 を備え、前記電位保持手段に保持された電位に基づい
て、前記出力演算手段における演算の偏差を補償するこ
とを特徴とする差動増幅回路。 - 【請求項2】 前記入力変換手段において、前記第1の
電圧入力は第1のトランジスタを介して入力され、前記
第2の電圧入力は第2のトランジスタを介して入力され
ることを特徴とする請求項1に記載の差動増幅回路。 - 【請求項3】 前記出力演算手段は、前記第1の電流出
力を検知する第1の検知手段と、前記電位保持手段と、
前記第2の電流出力を検知する第2の検知手段とから構
成されることを特徴とする請求項1に記載の差動増幅回
路。 - 【請求項4】 前記第2の検知手段は、誤差補正手段を
有することを特徴とする請求項3に記載の差動増幅回
路。 - 【請求項5】 前記第1の検知手段は、前記第1の電流
出力により端子電圧が制御される第3のトランジスタか
らなり、前記第1の電流出力を検知する構成であること
を特徴とする請求項3に記載の差動増幅回路。 - 【請求項6】 前記第2の検知手段は、前記第2の電流
出力により端子電圧が制御される第4のトランジスタか
らなり、前記第2の電流出力の端子電圧を検知する構成
であることを特徴とする請求項3に記載の差動増幅回
路。 - 【請求項7】 前記等電位手段は、前記第1のトランジ
スタを前記第2のトランジスタと共に制御するための第
1のスイッチ手段と、前記第1のスイッチ手段及び第2
のスイッチ手段と連動して前記第1のトランジスタを制
御する第3のスイッチ手段とから構成されることを特徴
とする請求項1に記載の差動増幅回路。 - 【請求項8】 前記第3の電流出力を検知する手段は、
前記第4のトランジスタと前記電位保持手段との間に接
続された第2のスイッチ手段から構成されることを特徴
とする請求項1に記載の差動増幅回路。 - 【請求項9】 前記誤差補正手段は、前記第4のトラン
ジスタと前記電位保持手段に接続された第3のスイッチ
手段から構成されることを特徴とする請求項4に記載の
差動増幅回路。 - 【請求項10】 前記電位保持手段は、容量キャパシタ
であることを特徴とする請求項1に記載の差動増幅回
路。 - 【請求項11】 第1の電圧入力を第1の電流出力に変
換する入力変換手段を有する定電流回路において、 前記入力変換手段に供給する前記第1の電圧入力の電位
を得る出力演算手段と、 前記出力演算手段で得た電位と所定のバイアス電位を付
加する電位付加手段による電位との差電位を保持する第
1の電位保持手段と、 前記入力変換手段の電流出力部の電位を初期化するため
の初期化手段と、 を備え、前記第1の電位保持手段に保持された電位に基
づいて、前記第1の電圧入力の電位を補償することを特
徴とする定電流回路。 - 【請求項12】 前記入力変換手段において、前記第1
の電圧入力は第1のトランジスタに入力され、 前記出力演算手段は、前記第1の電流出力を検知する第
1の検知手段により構成されることを特徴とする請求項
11に記載の定電流回路。 - 【請求項13】 前記第1の検知手段は、第1のトラン
ジスタとスイッチとからなり、前記第1のトランジスタ
の端子電圧を前記スイッチにより検知する構成であるこ
とを特徴とする請求項12に記載の定電流回路。 - 【請求項14】 前記第1の検知手段は、誤差補正手段
を有することを特徴とする請求項12に記載の定電流回
路。 - 【請求項15】 前記入力変換手段で変換される前記第
1の電流出力の電流値は、前記電位付加手段で付加され
るバイアス電位により制御されることを特徴とする請求
項11に記載の定電流回路。 - 【請求項16】 前記入力変換手段の電流出力部に、前
記電流出力部の電位を保持する第2の電位保持手段を接
続したことを特徴とする請求項11に記載の定電流回
路。 - 【請求項17】 前記第1の電位保持手段及び前記第2
の電位保持手段は、容量キャパシタであることを特徴と
する請求項11又は16に記載の定電流回路。 - 【請求項18】 前記初期化手段は、前記電流出力部に
接続されたCMOSインバータ回路により構成されるこ
とを特徴とする請求項11に記載の定電流回路。 - 【請求項19】 前記電流出力部の電位は、前記CMO
Sインバータ回路を流れる貫通電流により初期化される
ことを特徴とする請求項18に記載の定電流回路。 - 【請求項20】 第1の電圧入力、第2の電圧入力を第
1の電流出力、第2の電流出力に変換する入力変換手段
と、前記第1の電流出力に対応する第3の電流出力と前
記第2の電流出力との間で演算を行い、前記第1の電圧
入力と前記第2の電圧入力の差に応じた第5の電流出力
を得る出力演算手段とを備えた差動増幅回路において、 前記入力変換手段の前段に、請求項11の定電流回路を
備えたことを特徴とする差動増幅回路。 - 【請求項21】 第1の電圧入力、第2の電圧入力を第
1の電流出力、第2の電流出力に変換する入力変換手段
と、前記第1の電流出力に対応する第3の電流出力と前
記第2の電流出力との間で演算を行い、前記第1の電圧
入力と前記第2の電圧入力の差に応じた出力電圧を得る
出力演算手段と、前記第1の電圧入力、第2の電圧入力
を等電位とする等電位手段と、前記第1の電圧入力と第
2の電圧入力とが等電位となった際に、前記第3の電流
出力を検出する第1の検出手段と、前記第3の電流出力
と前記第2の電流出力との間で演算を行ったときの電位
を保持する電位保持手段とを備え、 前記入力変換手段の前段に、請求項11の定電流回路を
備えたことを特徴とする差動増幅回路。 - 【請求項22】 複数の画素電極、これら画素電極のそ
れぞれに電極配線を介して接続されたスイッチ素子、及
び前記スイッチ素子を駆動して前記画素電極に映像信号
を書き込む駆動回路が形成された第1の電極基板と、前
記複数の画素電極に相対する対向電極が形成された第2
の電極基板と、これら電極基板間に保持された光変調層
とを備えた表示装置において、 前記駆動回路には、請求項11の定電流回路で構成され
る回路が含まれることを特徴とする表示装置。 - 【請求項23】 複数の画素電極、これら画素電極のそ
れぞれに電極配線を介して接続されたスイッチ素子、及
び前記スイッチ素子を駆動して前記画素電極に映像信号
を書き込む駆動回路が形成された第1の電極基板と、前
記複数の画素電極に相対する対向電極が形成された第2
の電極基板と、これら電極基板間に保持された光変調層
とを備えた表示装置において、 前記駆動回路には、請求項1、20又は21の差動増幅
回路で構成される回路が含まれることを特徴とする表示
装置。 - 【請求項24】 前記定電流回路における前記第1の電
圧入力の電位を補償する動作を、一垂直走査期間毎、一
水平走査期間毎、又はn(n≧2)回の水平走査期間毎
に実行することを特徴とする請求項22に記載の表示装
置。 - 【請求項25】 前記差動増幅回路の前記出力演算手段
における演算の偏差を補償する動作を、一垂直走査期間
毎、一水平走査期間毎、又はn(n≧2)回の水平走査
期間毎に実行することを特徴とする請求項22に記載の
表示装置。
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|---|---|---|---|
| JP2000403134A JP4888800B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 差動増幅回路 |
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| JP2000403134A JP4888800B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 差動増幅回路 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2002202748A true JP2002202748A (ja) | 2002-07-19 |
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Cited By (6)
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- 2000-12-28 JP JP2000403134A patent/JP4888800B2/ja not_active Expired - Fee Related
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