JP2002265260A - 誘電体磁器および積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高い比誘電率を持ち、誘電損失が低く、静電容
量の温度特性が良好で、高絶縁抵抗で、高温負荷試験に
おける信頼性を向上し長寿命とすることができる誘電体
磁器および積層型電子部品を提供する。 【解決手段】金属元素として、Ｂａ、Ｔｉ、希土類元
素、ＭｇおよびＭｎを含有するペロブスカイト型複合酸
化物からなる主結晶粒子２１と、粒界相２５とからなる
誘電体磁器であって、前記粒界相２５中に、金属元素お
よびＳｉを含有する複合酸化物からなる結晶相２７を含
有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器および
積層型電子部品に関し、特に、携帯電話など小型、高機
能の電子機器に使用され、極めて薄い誘電体層と内部電
極層を交互に積層して構成される小形大容量の積層セラ
ミックコンデンサに好適に用いられる誘電体磁器および
積層型電子部品に関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年、電子機器の小型化、高密度化に伴
い、積層型電子部品、例えば、積層セラミックコンデン
サは小型大容量化が求められており、このため誘電体層
の積層数の増加と誘電体層自体の薄層化が図られてい
る。

【０００３】このような積層セラミックコンデンサ等の
ための誘電体磁器としては、例えば、特開平１０−３３
０１６０号公報に開示されるようなものが知られてい
る。この公報に開示された誘電体磁器は、ＢａＴｉＯ₃
にＭｎＯおよびＶ₂Ｏ₅を含む主成分粉末に、Ｌｉ₂Ｏ、
ＳｉＯ₂、およびＢａＯからなるガラス成分を添加し、
還元雰囲気中で１２００℃、２時間焼成し、酸化性雰囲
気中で６００℃の熱処理して形成したことが記載され、
これにより耐還元性を向上させるＭｎ、Ｖ等の添加成分
を、結晶粒子の全体にほぼ均一に分布させており、これ
により絶縁破壊電圧を高くできると記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１０−３３０１６０号公報に開示される誘電体磁器は、
高温負荷試験における信頼性が低いという問題があっ
た。即ち、近年においては小型高容量化が要求されてい
るが、積層セラミックコンデンサの誘電体層を薄層化す
ると、誘電体磁器の絶縁抵抗の低下が多発し、高温負荷
試験における信頼性が低下するという問題があった。

【０００５】従って、本発明は、薄層化しても高温負荷
試験における信頼性を向上できる誘電体磁器および積層
型電子部品を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器は、
金属元素として、Ｂａ、Ｔｉ、希土類元素、Ｍｇおよび
Ｍｎを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主
結晶粒子と、粒界相とからなる誘電体磁器であって、前
記粒界相中に、希土類元素およびＳｉを含有する複合酸
化物からなる結晶相を含有するものである。

【０００７】このような構成によれば、誘電体磁器にお
いて、誘電特性を向上するための希土類元素が主結晶粒
子間の粒界にＳｉとともに複合酸化物の形態で存在し、
焼結助剤として作用するとともに、希土類元素とＳｉを
含有する複合酸化物が比較的高い絶縁抵抗を有するた
め、誘電体磁器の焼結性を高め、誘電特性を向上するこ
とができ、誘電体層を薄層化しても高温負荷試験におけ
る信頼性を向上でき、長寿命とすることができる。

【０００８】上記誘電体磁器では、粒界相中に存在する
結晶相がγ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇であることが望ましい。Ｙお
よびＳｉを含有する複合酸化物が、誘電損失が低く、高
い絶縁抵抗を示すγ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇であるため、高温負
荷試験における信頼性を向上できるとともに、誘電体磁
器の比誘電率および誘電損失を高めることができる。

【０００９】本発明の積層型電子部品は、上記誘電体磁
器からなる誘電体層と内部電極層とを交互に積層してな
るものである。ここで、誘電体層の厚みが３μｍ以下で
あることが望ましい。

【００１０】本発明の誘電体磁器は上記したように、優
れた特性を有するため、主結晶粒子を微細化して、誘電
体層を薄層化して積層型電子部品を形成したとしても、
誘電特性や絶縁抵抗、および高温負荷試験での信頼性を
向上できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の積層型電子部品Ａである
積層セラミックコンデンサについて、図１の概略断面図
をもとに詳細に説明する。本発明の積層型電子部品Ａ
は、電子部品本体１の両端部に外部電極３を形成して構
成されている。この外部電極３は、例えば、Ｃｕもしく
はＣｕとＮｉの合金ペーストを焼き付けて形成されてい
る。

【００１２】電子部品本体１は、内部電極層５と誘電体
層７を交互に積層してなる容量部９の積層方向の両面
に、誘電体層７と同一材料からなる絶縁層１１を形成し
て構成されている。また外部電極３の表面には、例え
ば、順にＮｉメッキ層１３、Ｓｎメッキ層もしくはＳｎ
−Ｐｂ合金メッキ層１５が形成されている。

【００１３】一方、内部電極層５は導電性ペーストの膜
を焼結させた金属膜からなり、導電性ペーストとして
は、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ等の卑金属が使用されて
いる。また、内部電極層５は卑金属を主成分とし、概略
矩形状の導体膜であり、上から第１層目、第３層目、第
５層目・・・の奇数層の内部電極層５は、その一端がコ
ンデンサ本体１の一方端面に露出しており、上から第２
層目、第４層目、第６層目・・・の内部電極層５は、そ
の一端が電子部品本体１の他方端面に露出している。
尚、外部電極３と内部電極層５は必ずしも同一材料から
構成される必要はない。

【００１４】そして、本発明の積層型電子部品Ａでは、
図２に示すように、誘電体磁器からなる誘電体層７の主
結晶粒子２１は、金属元素としてＢａ、Ｔｉ、希土類元
素、Ｍｇ、Ｍｎを含有するＢａＴｉＯ₃系のペロブスカ
イト型複合酸化物から構成されている。主結晶粒子２１
間には、例えば、成分としてＬｉおよびＳｉを含有する
粒界相２５が結晶相２７や非晶質相２９として存在して
いる。

【００１５】Ｍｇ、Ｍｎについては、殆どが主結晶粒子
２１内に固溶するが、一部粒界に存在し、非晶質相を形
成する場合がある。

【００１６】また、この結晶相２７は、例えば、γ−Ｙ
₂Ｓｉ₂Ｏ₇結晶相３１（ＪＣＰＤＳＮｏ４２−０１６７
の［２７１３］）や、他のＹ、Ｓｉ、Ｌｉ等を含む化合
物から構成されており、このようなγ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇結
晶相３１の存在は、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）の微小領
域電子回折像によって確認できる。

【００１７】また、このγ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇結晶相３１中
のＹの代わりに、他の希土類元素を用いても同様の複合
酸化物を形成することができるが、γ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇結
晶相３１と同じ結晶構造を持つ複合酸化物を形成する点
から、Ｙ、Ｄｙ、およびＨｏが望ましく、特に、高誘電
率化という点からＹが望ましい。

【００１８】一方、主結晶粒子２１は、いわゆるコアシ
ェル構造ではなく、希土類元素とともに、ＭｇおよびＭ
ｎが主結晶粒子２１の中央部まで、即ち主結晶粒子２１
全体に存在している。特に、希土類元素と、ＭｇやＭｎ
が同じような分布で主結晶粒子２１の中央部まで存在す
ることが望ましいが、そのような構造となっていない主
結晶粒子２１が存在する場合がある。

【００１９】また、主結晶粒子２１内における希土類元
素、ＭｇおよびＭｎの存在量は、主結晶粒子２１の中央
部に向けて次第に減少している。これは希土類元素、Ｍ
ｇおよびＭｎが主結晶粒子の表面から連続的な濃度分布
を持つことを意味しており、一定の濃度勾配でなくても
かまわない。

【００２０】このように、主結晶粒子２１内に希土類元
素、ＭｇおよびＭｎが固溶し、また、粒界相２５に、例
えば、γ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇結晶相３１が存在することによ
って、主結晶粒子２１内および粒界相２５の誘電特性を
高め、且つ高温状態での絶縁抵抗を高めることができ
る。

【００２１】尚、希土類元素としては、Ｙ，Ｓｃ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ、Ｓｍ，Ｅｎ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌａ等があげられるが、複合酸
化物の比誘電率が高く、例えば、γ−Ｒｅ₂Ｓｉ₂Ｏ₇型
結晶構造（Ｒｅ：希土類元素）を形成しやすいという理
由からＹ、Ｄｙ、Ｈｏが望ましく、これらのうちでもＹ
が望ましい。

【００２２】これらの主結晶粒子２１から構成されるシ
ート状の誘電体層１層の厚みは３μｍ以下とされてい
る。積層型電子部品Ａの、例えば、積層セラミックコン
デンサの大容量化に対して、誘電体層を薄層化すること
は効果的な手段であり、近年の小型、高容量の積層セラ
ミックコンデンサを構成するためには、その誘電体層厚
みは１〜３μｍが好適である。

【００２３】また、主結晶粒子２１の平均粒径は高い絶
縁抵抗を有するという理由から１μｍ以下、誘電体層を
３μｍ以下とするためには、特には０．１〜０．４μｍ
の範囲が望ましい。このような厚みが３μｍ以下の薄い
誘電体層の場合には、厚い誘電体層に対する絶縁抵抗よ
りも高い絶縁抵抗が要求されるが、本発明の誘電体磁器
では、上記したように高い絶縁抵抗を有するため、特に
望ましい。

【００２４】本発明の積層型電子部品Ａは、先ず、誘電
体層７となるグリーンシートを作製する。このグリーン
シートは、例えば、ＢａＴｉＯ₃原料粉末を用いて形成
することができ、主原料のＢａＴｉＯ₃粉の合成法は、
固相法、液相法（シュウ酸塩を経過する方法等）、水熱
合成法等があるが、そのうち粒度分布が狭く、結晶性が
高いという理由から水熱合成法が望ましい。ＢａＴｉＯ
₃粉の比表面積は１．７〜６．６（ｍ²／ｇ）が好まし
い。

【００２５】そして、本発明の誘電体磁器を作製するに
は、ＢａＴｉＯ₃原料粉末として、その表面を希土類元
素、Ｍｇ、Ｍｎの混合物で被覆したもの（以下、被覆Ｂ
ａＴｉＯ₃粉ということもある）を用いることが重要で
ある。このようなＢａＴｉＯ₃原料粉末の被覆手法とし
ては、固相法、液相法、気相法などがあるが、手法は特
に限定されるものではない。上記のＢａＴｉＯ₃粉３９
の表面に形成された被覆層４０は、図３に示すように、
希土類元素、Ｍｇ、Ｍｎの３種類の元素が混合されてお
り、これらの元素が酸化物の状態で混在した状態となっ
ている。

【００２６】また、希土類元素、Ｍｇ、Ｍｎによる被覆
量は、ＢａＴｉＯ₃粉が１００重量部に対して酸化イッ
トリウム（Ｙ₂Ｏ₃）を０．５〜１．５重量部、酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）を０．１〜０．３重量部、炭酸マン
ガン（ＭｎＣＯ₃）を０．１〜０．３重量部の割合であ
る。

【００２７】グリーンシートの誘電体磁器組成は、この
被覆ＢａＴｉＯ₃粉と、Ｌｉ₂ＯとＳｉＯ₂を含むガラス
成分（ＬｉとＳｉのモル比が０．９〜１．２：３．８〜
４．３）を、ＢａＴｉＯ₃粉が１００重量部に対して
０．５〜２重量部添加して構成されている。

【００２８】次に、上記グリーンシートに内部電極ペー
ストを塗布して内部電極パターンを形成し、これを乾燥
させ、この内部電極パターンが形成されたグリーンシー
トを複数枚積層し、熱圧着させる。その後、この積層物
を格子状に切断して、電子部品本体１の成形体を得る。
この電子部品本体１の成形体の両端面には、内部電極パ
ターンの端部が交互に露出している。

【００２９】次に、この電子部品本体１の成形体を大気
中で４０〜８０℃／ｈの昇温速度で４００〜５００℃に
て脱バインダー処理を行い、その後、還元雰囲気中で５
００℃からの昇温速度を４０〜８０℃／ｈとし、１２０
０〜１３００℃の温度で２〜５時間焼成し、続いて８０
〜１２０℃／ｈの降温速度で冷却し、大気雰囲気中７５
０〜８５０℃で再酸化処理を行う。

【００３０】特に、５００℃からの昇温速度を４０〜８
０℃／ｈとし、１２７０〜１３００℃の温度で焼成する
ことにより、被覆された希土類元素、Ｍｇ、Ｍｎが、Ｂ
ａＴｉＯ₃中により中央部側まで存在するようになると
ともに、希土類元素とＳｉを含有する複合酸化物を粒界
に存在させることができる。

【００３１】即ち、粒界相２５に生成するγ−Ｙ₂Ｓｉ₂
Ｏ₇結晶相３１は、ＢａＴｉＯ₃粉３９に、希土類元素、
Ｍｇ、Ｍｎの３種類の元素を同時に湿式法により化学的
に被覆し、この被覆ＢａＴｉＯ₃粉に対して、Ｌｉ₂Ｏと
ＳｉＯ₂とを含むガラス成分を混合し、この誘電体磁器
を還元雰囲気中で５００℃から焼結温度までの昇温速度
を４０〜８０℃／ｈとし、１２００〜１３００℃の温度
で２〜５時間焼結し、続いて８０〜１２０℃／ｈの降温
速度で冷却することによって生成させることができる。

【００３２】これはＢａＴｉＯ₃粉３９の表面に希土類
元素、ＭｇおよびＭｎを被覆しているため、これらの希
土類元素、ＭｇおよびＭｎのＢａＴｉＯ₃粉末へ固溶し
易くなり、ＢａＴｉＯ₃内部まで全体に存在するように
なるが、そのうちＭｇおよびＭｎが優先的にＢａＴｉＯ
₃粉末へ固溶していくため、被覆している希土類元素の
うち一部がＢａＴｉＯ₃粉末に固溶しきれず、粒界に取
り残され、上記したような、５００℃から焼結温度まで
の昇温速度を従来よりも低い４０〜８０℃／ｈとするこ
とにより、ガラス成分として添加したＳｉＯ₂と反応
し、希土類元素とＳｉとの複合酸化物、例えばγ−Ｙ₂
Ｓｉ₂Ｏ₇結晶相３１が生成すると考えている。

【００３３】即ち、希土類元素のみを被覆したＢａＴｉ
Ｏ₃粉末を用いた場合、添加されたＭｇおよびＭｎより
も、希土類元素のＢａＴｉＯ₃への固溶が促進され、た
とえ、上記したような製法を採用したとしても、希土類
元素とＳｉとの複合酸化物は生成されず、また、ＢａＴ
ｉＯ₃粉末の表面に希土類元素、ＭｇおよびＭｎを被覆
せず、添加した場合には、いわゆるコアシェル構造とな
り、希土類元素およびＭｇが主結晶粒子２１の外周部に
主として存在し、希土類元素、ＭｇおよびＭｎが主結晶
粒子２１全体に存在することはない。

【００３４】この後、焼成したコンデンサ本体の両端面
に、外部電極用ペーストを塗布して窒素中で焼き付ける
ことによって外部電極３を形成する。さらに外部電極３
の表面を脱脂、酸洗浄、純水を用いた水洗を行った後、
バレル方式により、メッキを行う。

【００３５】本発明では金属元素として、Ｂａ、Ｔｉ、
希土類元素、ＭｇおよびＭｎを含有するペロブスカイト
型複合酸化物からなる主結晶粒子２１と、粒界相２５と
からなる誘電体磁器であって、前記誘電体磁器の結晶粒
界に、高い絶縁抵抗を有するγ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇結晶相３
１が存在することにより、厚みを３μｍ以下としても高
温負荷試験における信頼性を向上し、長寿命とすること
ができる。

【００３６】

【実施例】積層型電子部品の一つである積層セラミック
コンデンサを以下のようにして作製した。まず、誘電体
素材料として、比表面積が３．２（ｍ²／ｇ）となるＢ
ａＴｉＯ₃粉末を用い、ＢａＴｉＯ₃１００重量部に対し
て、ＭｇＯを０．２重量部、ＭｎＣＯ₃を０．１重量部
と、表１に示す割合の、Ｙ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、およびＨｏ
₂Ｏ₃のうちのいずれか１種類とを、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ等が
混在した状態で存在するように被覆し、この被覆ＢａＴ
ｉＯ₃粉と、Ｌｉ₂ＯとＳｉＯ₂とからなるガラス成分
（ＬｉとＳｉのモル比が１：４）を、被覆ＢａＴｉＯ₃
粉１００重量部に対して１重量部添加した原料粉末を、
直径５ｍｍのＺｒＯ₂ボールを用いたボールミルにて湿
式粉砕することにより、調製した。

【００３７】次に、この粉末に有機バインダを混合して
スラリーを調製し、ドクターブレードによりグリーンシ
ートを作製した。その厚みは２．３μｍである。

【００３８】次にこのグリーンシート上に、内部電極ペ
ーストをスクリーン印刷した。

【００３９】次に、内部電極ペーストを印刷したグリー
ンシートを１００枚積層し、その上下面に、内部電極ペ
ーストを印刷していないグリーンシートをそれぞれ２０
枚積層し、プレス機を用いて一体化し、積層体を得た。

【００４０】この後、積層体を格子状に切断して、２．
３ｍｍ×１．５ｍｍ×１．５ｍｍの電子部品本体１の成
形体を作製した。

【００４１】次に、この電子部品本体１の成形体を５０
℃／ｈの昇温速度で大気中で５００℃にて脱バインダー
処理を行い、５００℃からの昇温速度が５０℃／ｈの昇
温速度で、１２００℃〜１３００℃（酸素分圧１０^-11
ａｔｍ）で２時間焼成し、続いて１００℃／ｈの降温速
度で８００℃まで冷却し、大気雰囲気中８００℃で４時
間再酸化処理をし、２００℃／ｈの降温速度で冷却し、
電子部品本体１を作製した。この内部電極層５の有効面
積は２．１ｍｍ²であった。また、誘電体層７の厚みは
２．０μｍであった。

【００４２】比較例として、特開平１０−３３０１６０
公報に開示されている組成物のグリーンシートも作製し
た。まずＢａＣＯ₃とＴｉＯ₂とＭｎＯを１２００℃で仮
焼して、Ｂａ_1.00(Ｔｉ_0.999Ｍｎ_0.001)Ｏ₃の主成分を
作製した。そしてこの主成分１００モル部に対して、Ｍ
ｎＯを０．１モル部とＭｇＯを０．３モル部とＤｙ₂Ｏ₃
を１．０モル部を加え、さらにこれらの混合物１００重
量部に対して、Ｌｉ₂ＯとＳｉＯ₂とＢａＯからなる低融
点ガラス成分(それぞれ２０モル％、６０モル％、２０
モル％)を１重量部加えた組成物を１０００℃で仮焼し
て、原料粉末を、調製し、グリーンシートを作製し、表
１のＮｏ．６に記載した。

【００４３】この試料Ｎｏ．６については、５００℃か
ら焼結温度１２００℃までの昇温速度を、一般的な昇温
速度３００℃／ｈとし、１００℃／ｈの降温速度で８０
０℃まで冷却し、還元雰囲気中、６００℃で０．５時間
熱処理して、電子部品本体１を作製した。

【００４４】次に、焼成した電子部品本体１をバレル研
磨した後、電子部品本体１の両端部にＣｕ粉末とガラス
を含んだ外部電極ペーストを塗布し、８５０℃、窒素中
で焼き付けを行い外部電極３を形成した。その後、電解
バレル機を用いて、この外部電極３の表面に、順にＮｉ
メッキおよびＳｎメッキを行い、積層セラミックコンデ
ンサを作製した。

【００４５】次に、これらの積層セラミックコンデンサ
の比誘電率、絶縁破壊電圧、静電容量の温度特性及び高
温負荷の測定を行った。比誘電率及び静電容量の温度特
性は周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧０．５Ｖｒｍｓの測
定条件で、また絶縁破壊電圧は、リーク電流が０．５Ａ
に達したときの電圧を測定した。また、高温負荷試験
は、温度８５℃、電圧は９．５Ｖの条件で行った。ま
た、比誘電率は、静電容量と内部電極層５の有効面積、
誘電体層７の厚みから算出した。比誘電率は、４０００
未満では、積層セラミックコンデンサの小型大容量化が
達成できないため、４０００以上を良とした。

【００４６】静電容量の温度特性が温度−２５℃〜８５
℃で、２０℃の静電容量を基準として、その温度に対す
る温度変化率が±１０％以内に入る即ち、ＪＩＳに規定
されているＢおよびＦ特性を満足する場合を良（適合）
とした。

【００４７】絶縁破壊電圧は、６０Ｖ以下では、高温負
荷試験で不良が発生する為、６０Ｖ以上を良とした。高
温負荷試験は、試験数１００個を１０００時間行った。
結果を表１に記載する。

【００４８】尚、誘電体層７中の粒界相２５の評価は透
過電子顕微鏡観察と微小領域電子線回折法により行っ
た。

【００４９】

【表１】

【００５０】先ず、透過電子顕微鏡観察と微小領域電子
線回折により、粒界相の確認したところ、本発明の被覆
ＢａＴｉＯ₃粉を用いて形成した試料Ｎｏ．１〜５に
は、金属元素として、Ｂａ、Ｔｉ、希土類元素、Ｍｇお
よびＭｎを含有する主結晶粒子２１と、γ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ
₇結晶相３１を含む粒界相２５が存在し、主結晶粒子２
１全体に希土類元素、Ｍｇ、Ｍｎが存在していた。一
方、被覆ＢａＴｉＯ₃粉を用いなかった試料Ｎｏ．６で
は、粒界相中にγ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇結晶相３１が存在しな
かった。

【００５１】そして、表１の結果から明らかなように、
本発明の、粒界相２５にγ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇結晶相３１を
含む試料Ｎｏ．１〜５では、比誘電率が４１００以上、
絶縁破壊電圧が６０Ｖ以上で、静電容量の温度特性がＢ
およびＦ特性を満足し、高温負荷試験での不良が殆ど無
く信頼性が高かった。

【００５２】また、比較例の試料Ｎｏ．６では、いわゆ
るコアシェル構造を有しているが、希土類元素が主結晶
粒子の外周部に偏在しており、粒界相に希土類元素およ
びＳｉを含有する複合酸化物が存在しておらず、高温放
置試験において不良が発生した。

【００５３】高温負荷寿命は、誘電体層７を薄層化する
際に特に重要となるものである。試験条件の如何に関わ
らず、本発明の実施例は比較例よりも高い信頼性を有す
ることが分かった。

【００５４】

【発明の効果】以上のように構成された誘電体磁器で
は、金属元素として、Ｂａ、Ｔｉ、希土類元素、Ｍｇお
よびＭｎを含有するペロブスカイト型複合酸化物からな
る主結晶粒子と、粒界相とからなる誘電体磁器であっ
て、前記粒界相が、希土類元素およびＳｉとを含有する
複合酸化物からなる結晶相として構成され、特に、結晶
相として、γ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇が存在することにより、誘
電特性を高め、高温負荷試験における信頼性を向上し、
長寿命とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層型電子部品の概略断面図である。

【図２】図１の誘電体磁器を拡大して示す模式図であ
る。

【図３】本発明の積層型電子部品を製造するための被覆
ＢａＴｉＯ₃粉を示す断面模式図である。

【符号の説明】

Ａ 積層型電子部品 ５ 内部電極層 ７ 誘電体層 ２１ 主結晶粒子 ２５ 粒界相 ２７ 結晶相 ２９ 非晶質相 ３１ γ−Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇結晶相

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA03 AA06 AA07 AA08 AA11 AA19 AA30 AA39 BA09 CA03 CA05 CA08 5E001 AB03 AE02 AE03 AH01 AH09 AJ01 AJ02 5E082 AA01 AB03 BB07 EE23 FG26 FG46

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】金属元素として、Ｂａ、Ｔｉ、希土類元
   素、ＭｇおよびＭｎを含有するペロブスカイト型複合酸
   化物からなる主結晶粒子と、粒界相とからなる誘電体磁
   器であって、前記粒界相中に、希土類元素およびＳｉを
   含有する複合酸化物からなる結晶相を含有することを特
   徴とする誘電体磁器。
2. 【請求項２】粒界相中に存在する結晶相がγ−Ｙ₂Ｓｉ₂
   Ｏ₇であることを特徴とする請求項１記載の誘電体磁
   器。
3. 【請求項３】請求項１または２記載の誘電体磁器からな
   る誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなることを
   特徴とする積層型電子部品。
4. 【請求項４】誘電体層の厚みが３μｍ以下であることを
   特徴とする請求項３記載の積層型電子部品。