JP2003216072A

JP2003216072A - 画像表示装置及びその製造方法

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Publication number: JP2003216072A
Application number: JP2002009283A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Iwabuchi; 寿章岩渕
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-01-17
Filing date: 2002-01-17
Publication date: 2003-07-30

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、単位表示パネルの接着と共に電気的
接続が行われ、しかも画素ピッチのずれを低減すること
ができ、且つ平坦な画像表示面が形成された画像表示装
置とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の画像表示装置は、画素が形成され
た単位表示パネルが配列されて形成され、前記単位表示
パネルが導電材を介して互いに接着されるとともに電気
的に接続されることを特徴とする。更に、単位表示パネ
ル間を接続するための接続線やコネクタの代りに導電材
を用いることにより、画素ピッチに対して単位表示パネ
ル間のギャップを小さくすることができ、大画面且つ平
坦な画像表示面を有する画像表示装置を提供することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置及び
その製造方法に関する。更に詳しくは、単位表示パネル
が互いに接着されると共に電気的に接続される画像表示
装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】フラットパネルディスプレイには、液晶
ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）
ディスプレイなどが知られている。また、画像を表示す
るための画像表示装置の一つとしては、発光ダイオード
をアレイ状に配列させた構造の発光ダイオードアレイ型
画像表示装置も知られている。この発光ダイオード型画
像表示装置は、一般に、一画素を構成するサブ画素が赤
色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び青色発光ダ
イオードにより構成され、これら発光ダイオードを点滅
させることによりカラー表示が行われている。このと
き、サブ画素が一定のピッチで形成されることにより、
これらサブ画素により構成される画素が所定のピッチで
マトリクス状に配列され、画像表示が行われる。

【０００３】また、これら画素は素子形成基板上で形成
された発光素子を個別に画像表示装置を構成する基板に
実装し、当該画素を駆動させるための配線に接続するこ
とにより画像表示装置が形成されることになる。従っ
て、当該画像表示装置の画像表示面のサイズに合わせて
形成された基板にサブ画素数と同じ数の発光素子を個別
に配置することにより画像表示装置が形成されることに
なる。また、発光素子を配置して形成される画像表示装
置に限定されず、液晶ディスプレイやＥＬディスプレイ
などの面発光型のディスプレイにおいては、液晶や発光
材料を封止して画像表示面が形成されることから、画像
表示面のサイズに合わせて形成された基板に画素を直接
形成している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、画像表示装
置の大画面化を検討した場合、画像表示面のサイズに合
わせて形成された一枚の基板に複数の画素を形成する技
術が重要になる。しかし、複数の画素を当該基板に形成
した場合、当該画像表示装置の製造工程で画素の不具合
を個別に検出することが困難であり、仮に画素の不具合
が検出された場合でも、画像表示装置の製造工程におい
て、当該不具合を有する画素を良品と個別に交換するこ
とは難しい。そこで、画素が形成された単位表示パネル
を形成し、これら単位表示パネルをマトリクス状に接続
し、大画面の画像表示装置を形成する方法が検討されて
いる。

【０００５】しかし、これら単位表示パネルを接続し、
更に互いに電気的な接続を行った後、これら単位表示パ
ネルに形成された画素を駆動させるための駆動回路と接
続するには、当該単位表示パネルに形成された配線と、
当該単位表示パネルと隣り合う単位表示パネルに形成さ
れた配線を個別に接続線やコネクタを用いて接続するこ
とになる。更に、これら単位表示パネルのすべてを接着
固定することにより画像表示面を形成する工程と、これ
ら単位表示パネルを電気的に接続するための接続線を形
成する工程が必要になる。従って、単位表示パネルを配
列して画像表示装置を形成する利点が十分に享受されな
いことになる。

【０００６】また、一定のピッチで画素が形成された単
位表示パネルをマトリクス状に配列して画像表示面を形
成する場合には、隣り合う単位表示パネル間にこれら単
位表示パネルを接続するための接続線やコネクタのサイ
ズに対応したギャップが生じ、これらギャップの幅だけ
隣り合う単位表示パネル間で画素のピッチにずれが生
じ、画像表示装置全体の画質の低下を招く要因ともな
る。

【０００７】更に、これら単位表示パネルが接続線を用
いて互いに電気的に接続された場合、単位表示パネルに
接続線を配設するための領域の確保やスルーホールを形
成する必要が生じるだけでなく、画像表示面に対して当
該接続線に起因する凹凸が生じ、平坦な画像表示面を形
成する際の障害にもなる。

【０００８】よって、本発明は上述の問題点を鑑み、単
位表示パネルの接着と共に電気的接続が行われ、しかも
画素ピッチのずれを低減することができ、且つ平坦な画
像表示面が形成された画像表示装置とその製造方法を提
供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の画像表示装置
は、画素が形成された単位表示パネルが配列されて形成
され、前記単位表示パネルが異方性導電膜を介して互い
に接着されるとともに電気的に接続されることを特徴と
する。更に、単位表示パネル間を接続するための接続線
やコネクタの代りに異方性導電膜を介して接着される単
位表示パネルの間における配線間の電気的な接続を行う
ことができる。また、異方性導電膜を用いることによ
り、同一単位表示パネルに形成された配線が電気的に接
続されることを防止することができる。更に、画素ピッ
チに対して単位表示パネル間のギャップを小さくするこ
とができ、大画面、且つ高画質の画像表示装置を提供す
ることができる。

【００１０】更に、本発明の画像表示装置の製造方法
は、画素が配列された単位表示パネルを配列し、隣り合
う単位表示パネルにより異方性導電膜を押圧し、前記異
方性導電膜を介して前記単位表示パネルを互いに接着す
るとともに電気的に接続することを特徴とする。異方性
導電膜を介して単位表示パネルを接着することにより、
単位表示パネルの機械的接続と電気的接続を同時に行う
ことができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の画像表示装置及び
その製造方法について説明する。本発明の画像表示装置
とその製造方法は、画素が形成された単位表示パネルを
配列して形成される画像表示装置であれば如何なるもの
でもよいが、本実施形態では、発光ダイオードを用いて
画素が形成されてなる画像表示装置を例に挙げて説明す
る。

【００１２】先ず、図１は、本実施形態の画像表示装置
を構成する単位表示パネル１の構造のレイアウトを示す
図であり、水平方向に１画素、垂直方向に２画素形成さ
れている。単位表示パネル１では、配線用基板２の主面
に水平方向に延在されたアドレス線ＡＤＤ１、ＡＤＤ２
が形成され、更に図示しない層間絶縁膜を介して垂直方
向に延在されたデータ線ＤＬＲ、ＤＬＧ及びＤＬＢが形
成されている。配線用基板２は、例えばガラス基板や合
成樹脂又は絶縁層で被覆された金属基板、或いはシリコ
ン基板等の半導体製造に汎用な基板であり、アドレス線
やデータ線を求められる精度で形成可能な基板であれば
如何なる基板で在っても良い。

【００１３】アドレス線ＡＤＤ１、ＡＤＤ２は導電性に
優れた金属材料層や半導体材料層と金属材料層の組合わ
せ等により形成され、各画素当り１本のアドレス線が通
過する。従って、水平方向に複数の画素が形成されてい
る場合には、水平方向に隣接する画素同士では共通のア
ドレス線が選択的に用いられる。

【００１４】データ線ＤＬＲ、ＤＬＧ及びＤＬＢは、ア
ドレス線ＡＤＤ１、ＡＤＤ２と同様に、導電性の優れた
金属材料や半導体材料層と金属材料層の組合わせ等によ
り形成される。これらデータ線ＤＬＲ、ＤＬＧ及びＤＬ
Ｂは垂直方向に延在され、各画素当り発光ダイオードの
数に応じて３本のデータ線が使用されている。例えば、
図中上段の画素を構成する発光素子には発光ダイオード
を用いることができ、左側から順に赤色発光ダイオード
ＤＲ１、緑色発光ダイオードＤＧ１、青色発光ダイオー
ドＤＢ１からなり、データ線ＤＬＲ、ＤＬＧ及びＤＬＢ
も発光色毎に設けられている。データ線ＤＬＲ、ＤＬＧ
及びＤＬＢは垂直方向に隣接する画素の同じ発光色のダ
イオードの間では共通のデータ線が利用される。これら
発光ダイオードは、それぞれアドレス線ＡＤＤ１やデー
タ線ＤＬＲ、ＤＬＧ及びＤＬＢと接続線３、４を介して
電気的に接続されている。

【００１５】また、本実施形態の画像表示装置を形成す
る単位表示パネルには発光ダイオードをマトリクス状に
配列して画素が形成されるが、単位表示パネル当り一つ
の画素が形成されていても良いし、２画素以上の複数の
画素が形成されていても良い。また、画素を構成するサ
ブ画素を単位表示パネルに形成し、これら単位表示パネ
ルを接続した際に隣接する単位表示パネルの間で一つの
画素を形成することもできる。更に、発光ダイオードに
より画素が形成される画像表示装置に限定されず、液晶
ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどのように液晶
や発光材料を封止して形成される画像表示装置では、単
位表示パネル毎にこれら液晶や発光材料を封止し、当該
単位表示パネルを配列して接続することにより液晶ディ
スプレイや有機ＥＬディスプレイを形成することもでき
る。

【００１６】また、配線用基板２の主面と側面５が交差
してなる稜線が除去され、当該主面から側面５にわたる
斜面６が形成されている。更に、配線用基板２の主面と
端面７が交差してなる稜線も同様に除去され、当該主面
から端面７に亘る斜面８が形成されている。更に、水平
方向に延在されるアドレス線ＡＤＤ１、ＡＤＤ２は、配
線用基板２の主面から斜面６及び側面５に亘って延在さ
れている。また、同様にデータ線ＤＬＲ、ＤＬＧ及びＤ
ＬＢも配線用基板２の主面から斜面８及び端面７に亘っ
て延在されている。側面５延在されたアドレス線ＡＤＤ
１、ＡＤＤ２と端面７に延在されたデータ線ＤＬＲ、Ｄ
ＬＧ及びＤＬＢの厚みは配線用基板２のサイズに比較し
て薄いが、図中では厚みを強調して示している。

【００１７】ここで、斜面６、８を形成することなく、
当該主面と側面５が直交して形成する稜線上にアドレス
線ＡＤＤ１、ＡＤＤ２を延設した場合や、当該主面と端
面７が直交して形成される稜線上にデータ線ＤＬＲ、Ｄ
ＬＧ及びＤＬＢを形成した場合には、アドレス線ＡＤＤ
１、ＡＤＤ２、データ線ＤＬＲ、ＤＬＧ及びＤＬＢを形
成する導電膜が薄くなり断線等の不具合を生じる場合が
ある。特に、スパッタ法や蒸着法で金属膜を形成し、パ
ターニングすることにより所定のアドレス線やデータ線
を形成する場合には、稜線で金属膜の膜厚が薄くなり、
当該主面から側面５または端面７に亘って連続した金属
膜を形成することが困難となる。そこで、当該稜線を除
去し、当該主面と、側面５または端面７と鈍角をなす斜
面６、８を介して金属膜を形成することにより、当該主
面から側面５または端面７に亘って同時に信号線及びア
ドレス線を形成した場合であっても、連続した金属膜を
形成することが可能となり、断線による不具合を低減す
ることができる。また、側面５と端面７のみ限らず、単
位表示パネルの他方の側面と端面が直交して形成される
稜線も除去されて斜面が形成され、当該主面から側面５
または端面７に亘ってアドレス線ＡＤＤ１、ＡＤＤ２ま
たはデータ線ＤＬＲ〜ＤＬＢが延在されている。

【００１８】次に、図２乃至図７を参照しながら、上記
構造を有する単位表示パネルを互いに接着すると共に電
気的に接続し、画像表示装置を形成する工程を説明す
る。本実施形態の画像表示装置は、複数の単位表示パネ
ルをマトリクス状に配列して形成されるが、画像表示装
置を構成する単位表示パネルのうち隣接する４つの単位
表示パネルを接着すると共に電気的に接続する工程につ
いて説明する。また、本実施形態では、単位表示パネル
を互いに接着した後、各単位表示パネルに２画素が形成
されるが、各単位表示パネルに形成れる画素数は、一画
素であっても良く、また複数の画素がマトリクス状に形
成されていても良い。更に、サブ画素を単位表示パネル
に形成し、当該単位表示パネルを配列し、異なる色に発
色する単位表示パネルを組み合わせてカラー表示を行う
画像表示面を形成することもできる。

【００１９】単位表示パネルは赤色発光素子、緑色発光
素子及び青色発光素子がそれぞれサブ画素を構成するよ
うに配置され、信号線とアドレス線に接続線を介して電
気的に接続されている。これら赤色発光素子、緑色発光
素子及び青色発光素子により一画素が構成され、単位表
示パネルを接着した後、フルカラー表示の画像表示装置
を構成する。

【００２０】本実施形態では、発光素子として、例え
ば、点光源である発光ダイオードを用いることができ
る。画像表示装置では、赤色、青色及び緑色などの３色
にそれぞれ発光する発光ダイオードを用いることにより
フルカラー表示を行うことができるが、これらの色に限
定されず、カラー表示を行うために必要な３色の発光ダ
イオードを用いても良い。発光ダイオードを用いた画像
表示装置の構成は、例えば１画素に赤色、緑色及び青色
の三原色を割り当て、画素を二次元のアレイ状に配列し
て単位表示パネルとし、これら単位表示パネルをマトリ
クス状に配置することにより形成される。この場合、配
置する単位表示パネルの数を増やすだけで任意の大きさ
の画面を作ることができる。また、発光ダイオードを樹
脂などに埋め込むことにより、製造工程におけるハンド
リグ性も向上させることもできる。

【００２１】図２は、単位表示パネル１０、２０、３０
及び４０を接着すると共に電気的に接続するために配置
した平面図である。単位表示パネル１０、２０、３０及
び４０は、図１で説明した単位表示パネル１と同一の構
造を有しており、それぞれの単位表示パネルの側面１
１、２１、３１及び４１の全体を覆うように導電材１
３、２３、３３及び４３が貼付されている。更に、単位
表示パネル１０、２０、３０及び４０の端面１２、２
２、３２及び４２にもそれぞれの端面の全体を覆うよう
に導電材１４、２４、３４及び４４が貼付されている。
ここで、各単位表示パネルの一方の側面１１、２１、３
１、４１と端面１２、２２、３２、４２にのみ導電材１
３〜４４を貼付しているが、単位表示パネルは図中の垂
直方向と水平方向にマトリクス状に配列されて接着され
ることから、各単位表示パネル１０〜４０のすべての側
面と端面に導電材が貼付されることになる。図２乃至図
７では当該画像表示装置を構成する単位表示パネルのう
ち、例示的に単位表示パネル１０、２０、３０及び４０
の４枚の単位表示パネルを接着する工程を例として本実
施形態の画像表示装置とその製造方法について説明す
る。ここで、各単位表示パネルの一方の側面と端面に貼
付される導電材を図示していない。

【００２２】導電材１１〜４４は、例えば、絶縁性を有
する接着材中に導電粒子を分散された後テープ状に成形
され、側面１１、２１、３１及び４１と、端面１２、２
２、３２及び４２の全面に貼付され、導電層１３、１
４、２３、２４、３３、３４、４３及び４４を形成す
る。また、当該導電材を各単位表示パネルの側面や端面
に延在されたアドレス線ＡＤＤ１１〜ＡＤＤ４２上やデ
ータ線ＤＬＲ１０〜ＤＬＢ４０のこれら単位表示パネル
の接着領域に臨む面にのみ貼付しても良い。更に、液状
の接着材中に導電粒子を分散させた導電材を側面または
端面全体に塗布しておいても良い。また、側面または端
面に延設された信号線ＡＤＤ１１〜ＡＤＤ４２またはア
ドレス線ＤＬＲ１０〜ＤＬＢ４０のこれら単位表示パネ
ルの接着領域に臨む面にのみ導電材を塗布または貼付し
ておくこともでき、更に、絶縁性を有する液状の接着材
中に導電粒子を分散させた導電材を側面１１、２１、３
１及び４１や端面１２、２２、３２及び４２の全面若し
くは当該側面や端面に延在されたアドレス線ＡＤＤ１１
〜ＡＤＤ４２やデータ線ＤＬＲ１０〜ＤＬＢ４０のこれ
ら単位表示パネルの接着領域に臨む面にのみ塗布してお
くこともできる。

【００２３】図３に、図２中に示すａ−ａ線断面図を示
す。単位表示パネル１０を構成する配線用基板１５の主
面１６から側面１１に亘って斜面１７が形成されてお
り、アドレス線ＡＤＤ１２が当該配線用基板１５の主面
１６から側面１１にかけて延在されている。また、同様
に単位表示パネル２０を構成する配線用基板２５の主面
２６から側面２１にアドレス線ＡＤＤ２２が延在されて
いる。これらアドレス線ＡＤＤ１２、ＡＤＤ２２は単位
表示パネル１０、２０を接着することにより互いに電気
的に接続され、単位表示パネル１０と２０で共通の一本
のアドレス線を形成するように、側面１１、２１にそれ
ぞれ延在されたアドレス線ＡＤＤ１２、ＡＤＤ２２が向
かい合うように単位表示パネル１０、２０が配置され
る。

【００２４】続いて、図４に図２中のＡ領域の拡大図を
示す。導電層１３、２３は、接着材１３ａ、２３ａに導
電粒子１３ｂ、２３ｂが分散されて形成されている。接
着材１３ａ、２３ａは、単位表示パネル１０、２０を接
着可能な材料であれば如何なる材料でも良く、例えば、
熱硬化型樹脂、熱可塑性樹脂若しくは光硬化型樹脂など
を用いることができる。導電粒子１３ｂ、２３ｂは、導
電性を有し、且つ、単位表示パネル１０、２０を接着し
た際に接続先以外のアドレス線やデータ線の間を導通さ
せない程度の密度で接着材１３ａ、２３ａ中に分散され
ている。導電粒子１３ｂ、２３ｂは、例えば略球形に成
形された絶縁材料の表面に金属材料をめっきし、導電膜
を形成したものを用いることができる。また、導電粒子
１３ｂ、２３ｂは、図中では略球形に示されているが、
球形に限定されず、立方体や円柱など如何なる形状であ
っても良く、導電粒子１３ａ、２３ｂがすべて金属材料
などを用いて形成れていても良い。

【００２５】ここで、アドレス線ＡＤＤ１１、ＡＤＤ１
２、ＡＤＤ２１及びＡＤＤ２２は、それぞれ斜面１７、
２７を介して側面１１、２１に延在され、各アドレス線
の側面１１、２１に延在された部分が、接続先であるア
ドレス線と向かい合うように単位表示パネル１０、２０
が配置されている。

【００２６】単位表示パネル１０、２０、３０及び４０
は、それぞれの側面１１、２１、３１及び４１や端面１
２、２２、３２及び４２に延設されたアドレス線ＡＤＤ
１２〜ＡＤＤ４２やデータ線ＤＬＲ１０〜ＤＬＢ４０
が、接続先であるアドレス線やデータ線と向かい合うよ
うに配置され後、図５に示す各単位表示パネルは水平垂
直方向から加圧され、これら単位表示パネルの側面１
１、２１、３１、４１及び端面１２、２２、３２、４２
に配置された導電材１３、２３、３３、４３が互いに接
触して押圧される。

【００２７】次に、図６に図５のｂ−ｂ線断面図に示
す。導電層１３、２３は押圧された後、導電層２８を形
成し、接着材１３ａと２３ａが一体となった接着材２８
ａにより導電材２８を挟み込む単位表示パネル１０、２
０が互いに接着される。接着材２８ａとしては、例えば
絶縁性を有する熱硬化性樹脂などを用いることができ、
導電層２８を更に押圧した後、加熱することにより単位
表示パネル１０、２０が接着される。このとき、導電層
２８に分散されている導電粒子１３ｂ、２３ｂを介し
て、隣り合う単位表示パネルに延設されるアドレス線Ａ
ＤＤ１２とＡＤＤ２２が電気的に接続され、アドレス線
ＡＤＤ１２、ＡＤＤ２２を電気的に接続する異方性導電
膜となる。

【００２８】次に図５中のＢ領域の拡大図を図７に示
す。導電層２８が側面１１、２１により押圧されること
により、当該導電層２８は押し縮められ、導電粒子１３
ｂ、２３ｂのうち、何れかの導電粒子が側面１１、２１
に延在されたアドレス線ＡＤＤ１２、ＡＤＤ２２に挟み
込まれ、アドレス線ＡＤＤ１２、ＡＤＤ２２が電気的に
接続される。また、同様に、アドレス線ＡＤＤ１１、Ａ
ＤＤ２１も導電粒子１３ｂ、２３ｂの何れかを介して電
気的に接続される。このとき、導電層２８中の導電粒子
１３ｂ、２３ｂは、垂直方向に隣り合うアドレス線を導
通させないような密度で分散されており、導電粒子１３
ｂ、２３ｂを挟み込むアドレス線のみが電気的に接続さ
れることになる。ここでは、アドレス線の接続について
詳細に説明したが、データ線についても同様に、隣り合
う単位表示パネルに形成されたデータ線により導電粒子
を挟み込むことにより当該データ線同士が導電層２８の
厚み方向に電気的に接続される。

【００２９】上述のような導電層を形成することにより
隣り合う単位表示パネルの間の接着と電気的な接続を行
われ、単位表示パネル間の接着工程と電気的な接続を図
るための配線接続工程を簡便な工程として行うことがで
き、単位表示パネルを配列して大画面の画像表示装置を
容易に製造することが可能となる。また、導電層２８
は、上述のように導電粒子を含む導電材料に限定され
ず、導電材料自身が接着機能と厚み方向への導電性を有
していても良い。

【００３０】更に、単位表示パネル間を接続線を用いて
電気的に接続する場合に比べて、接続線を形成するため
のスルーホールなどを各単位表示パネルの端部に形成す
ることなく、単位表示パネルを互いに電気的に接続する
ことができる。また、接続線やコネクタを用いることな
く単位表示パネルを接続することができることにより、
単位表示パネルを配列して形成される画像表示装置の画
像表示面にこれら接続線やコネクタによる凹凸を生じさ
せることなく、平坦な画像表示面を形成することができ
る。更に、当該単位表示パネルを接着する導電材の厚み
分が隣り合う単位表示パネルのギャップになることか
ら、接続線やコネクタを用いる場合に比べて、導電材を
用いることにより当該ギャップを狭くすることができ、
単位表示パネルに形成される画素ピッチ若しくはサブ画
素ピッチに単位表示パネルの接着部で殆どずれが生じる
ことがなく、均一な画素ピッチを有する大画面の画像表
示装置を形成することもできる。

【００３１】また、本実施形態では、発光素子を搭載し
た単位表示パネルを配列して形成される画像表示装置と
その製造方法について説明したが、画像表示装置に限定
されず、素子を搭載した単位ユニットを配列し、これら
単位ユニットを互いに接着するとともに電気的な接続を
図ることにより形成される電子応用装置であれば如何な
る装置にも応用できる方法である。

【００３２】本発明の画像表示装置は単位表示パネルを
配列して形成することができ、大画面化が容易となると
ともにその製造工程を簡便なものとすることができる。
そこで、この特徴を生かして複数の発光素子を拡大転写
し、単位表示パネルを形成し、これら単位表示パネルを
配列して接着することにより更に効率良く、高品質の画
像表示装置を製造することができる。以下、二段階拡大
転写法を例に挙げ、本発明の画像表示装置の製造方法の
応用例について詳細に説明する。

【００３３】先ず、高集積度をもって素子形成基板に作
成された発光素子を素子形成基板上で発光素子が配列さ
れた状態よりは離間した状態となるように一時保持用部
材に転写し、次いで一時保持用部材に保持された前記素
子をさらに離間して単位表示パネルを構成する基板に転
写する二段階の拡大転写を行う。なお、本例では転写を
２段階としているが、素子を離間して配置する拡大度に
応じて転写を三段階やそれ以上の多段階とすることもで
きる。

【００３４】先ず、図８の(a)に示す素子形成基板６０
上に、例えば、発光ダイオードの如き発光素子６２を密
に形成する。発光素子を密に形成することで、各素子形
成基板６０当たりに生成される発光素子の数を多くする
ことができ、製品コストを下げることができる。素子形
成基板６０は、例えば、半導体ウエハ、ガラス基板、石
英ガラス基板、サファイア基板、プラスチック基板など
の種々素子形成可能な基板であるが、各発光素子６２は
素子形成基板６０上に直接形成したものであっても良
く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっ
ても良い。

【００３５】次に、図８の(b)に示すように、素子形成
基板６０から各発光素子６２が図中破線で示す一時保持
用部材６１に転写され、この一時保持用部材６１の上に
各発光素子６２が保持される。ここで、隣接する発光素
子６２は離間され、図示のようにマトリクス状に配され
る。すなわち、素子６２はｘ方向にもそれぞれ発光素子
の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方
向にもそれぞれ発光素子の間を広げるように転写され
る。このとき離間される距離は、特に限定されず、一例
として後続の工程での樹脂部形成や電極パッドの形成を
考慮した距離とすることができる。一時保持用部材６１
上に素子形成基板６０から転写した際に、素子形成基板
６０上の全部の素子が離間されて転写されるようにする
ことができる。この場合には、一時保持用部材６１のサ
イズはマトリクス状に配された発光素子６２の数（ｘ方
向、ｙ方向にそれぞれ）に離間した距離を乗じたサイズ
以上であれば良い。また、一時保持用部材６１上に素子
形成基板６０上の一部の発光素子が離間されて転写され
るようにすることも可能である。

【００３６】このような第一転写工程の後、図８の(c)
に示すように、一時保持用部材６１上に存在する発光素
子６２は離間されていることから、素子周りの樹脂の被
覆と電極パッドの形成が行われる。素子周りの樹脂の被
覆は電極パッドを形成し易くし、次の第二転写工程での
取り扱いを容易にするなどのために形成される。電極パ
ッドの形成は、後述するように、最終的な配線が続く第
二転写工程の後に行われるため、その際に配線不良が生
じないように比較的大き目のサイズに形成されるもので
ある。尚、図８の(c)には電極パッドは図示していな
い。各素子６２の周りを樹脂６３が覆うことで樹脂形成
チップ６４が形成される。また、１つの樹脂形成チップ
６４には、複数の素子６２が含まれるように素子周りの
樹脂の被覆を行うこともできる。

【００３７】次に、図８の(d)に示すように、第二転写
工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用部材
６１上でマトリクス状に配される発光素子６２が樹脂形
成チップ６４ごと更に離間するように単位表示パネルを
構成する配線用基板６５上に転写される。第二転写工程
においても、隣接する発光素子６２は樹脂形成チップ６
４ごと離間され、図示のようにマトリクス状に配され
る。すなわち素子６２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を
広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にも
それぞれ発光素子の間を広げるように転写される。第二
転写工程によって配置された発光素子の位置が画像表示
装置の最終製品のサブ画素に対応する位置であるとする
と、当初の発光素子６２間のピッチの略整数倍が第二転
写工程によって配置された発光素子６２のピッチとな
る。ここで素子形成基板６０から一時保持用部材６１で
の離間したピッチの拡大率をｎとし、一時保持用部材６
１から基板６５での離間したピッチの拡大率をｍとする
と、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎ×ｍで表される。拡大率
ｎ、ｍはそれぞれ整数であれば良い。

【００３８】配線用基板６５上に樹脂形成チップ６４ご
と離間された各発光素子６２には、配線が施される。こ
の時、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を
極力抑えながら配線がなされる。この配線は例えば発光
素子６２が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、
ｐ側電極、ｎ側電極への配線を含む。このように発光素
子が形成された素子形成基板６０から画像表示装置若し
くは画像表示装置を構成する単位表示パネルを構成する
配線用基板６５に発光素子を拡大転写することにより、
素子形成基板に高い密度で作製した発光素子を用いて容
易に画像表示装置を製造することが可能となる。また、
複数の色にそれぞれ発光する発光素子を単位表示パネル
に配置する場合には、各発光色の発光素子毎に単位表示
パネルへの転写の位置を移動させることにより、所定の
素子間隔で各発光素子を配置することができる。

【００３９】図８に示した二段階拡大転写法において
は、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッ
ドや樹脂固めなどを行うことができ、そして第二転写後
に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用
して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。従っ
て、画像表示装置の歩留まりを向上させることができ
る。また、本例の二段階拡大転写法においては、素子間
の距離を離間する工程が２工程であり、このような素子
間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、
実際は転写回数を減らすこともできる。

【００４０】次に、上記二段階拡大転写法において発光
素子として用いられる樹脂形成チップ６４の一例につい
て図９と図１０を参照しながら説明する。この樹脂形成
チップ６４は、略平板上でその主たる面が略正方形状と
される。この樹脂形成チップ６４の形状は樹脂６３を固
めて形成された形状であり、具体的には未硬化の樹脂を
各発光素子６２を含むように全面に塗布し、これを硬化
した後で縁の部分をダイシング等で切断することで得ら
れる形状である。尚、本実施形態では、窒化物半導体を
用いて形成される青色や緑色に発光するピラミッド型の
発光ダイオードについて説明するが、赤色の発光ダイオ
ードとして砒化ガリウム基板上に成長された砒化アルミ
ニウムガリウム又は隣化インジウムアルミニウムガリウ
ム系の半導体により形成されるプレーナー型の発光ダイ
オードにも本実施形態の転写方法を用いることができ
る。

【００４１】ここで、本実施形態の画像表示装置に適用
なピラミッド型の発光素子５０の構造について図９
（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明する。

【００４２】発光素子５０は例えばＧａＮ系の発光ダイ
オードであり、サファイア基板上に結晶成長される素子
である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基
板を透過するレーザー光の照射によってレーザアブレー
ションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなっ
てサファイア基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥
がれが生じ、素子分離を容易なものとすることができる
という特徴を有している。

【００４３】その構造については、ＧａＮ系半導体層か
らなる下地成長層５１上に選択成長された六角錐形状の
ＧａＮ層５２が形成されている。なお、下地成長層５１
上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ
層５２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ法など
によって形成される。このＧａＮ層５２は、成長時に使
用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合にＳ面
（（１−１０１）面）で覆われたピラミッド型の成長層
であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧａ
Ｎ層５２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造のク
ラッドとして機能する。ＧａＮ層５２の傾斜したＳ面を
覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層５３が形成されて
おり、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層５４が
形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層５４も
クラッドとして機能する。

【００４４】このような発光ダイオードには、アドレス
線やデータ線と接続されるｐ電極５５とｎ電極５６が形
成されている。ｐ電極５５はマグネシウムドープのＧａ
Ｎ層５４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはＮｉ
（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成さ
れる。ｎ電極５６は前述の図示しない絶縁膜を開口した
部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着し
て形成される。なお、下地成長層５１の裏面側からｎ電
極取り出しを行う場合は、ｎ電極５６の形成は下地成長
層５１の表面側には不要となる。

【００４５】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブ
レーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離
することができ、レーザビームを選択的に照射すること
で選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダ
イオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される
構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構
造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子
や化合物半導体素子などであっても良い。

【００４６】一方、樹脂形成チップ６４は、図１０に示
すように、略平板状の樹脂６３の表面側と裏面側にはそ
れぞれ電極パッド６６、６７が形成される。これら電極
パッド６６、６７の形成は全面に電極パッドの材料とな
る金属層や多結晶シリコン層などの導電層を形成し、フ
ォトリソグラフィー技術により所要の電極形状にパター
ンニングすることで形成される。これら電極パッド６
６、６７は発光素子である素子６２のｐ側電極とｎ側電
極にそれぞれ接続するように形成されており、必要な場
合には樹脂にビアホールなどが形成される。

【００４７】ここで電極パッド６６、６７は樹脂形成チ
ップ６４の表面側と裏面側にそれぞれ形成されるが、一
方の面に両方の電極パッドを形成することも可能であ
る。また、図１１に示すように、電極パッド６６、６７
の位置を平板上ずらすことにより、最終的な配線形成時
に上側からコンタクトをとっても重ならないようにする
ことができる。電極パッドの形状も正方形に限定されず
他の形状にすることもできる。

【００４８】このような樹脂形成チップ６４を構成する
ことで、発光素子６２の周りが樹脂６３で被覆され平坦
化によって精度良く電極パッドを形成できるとともに発
光素子６２に比べて広い領域に電極パッドを延在でき、
次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には
取り扱いが容易になる。後述するように、最終的な配線
が続く第二転写工程の後に行われるため、比較的大き目
のサイズの電極パッドを利用した配線を行うことで、配
線不良が未然に防止される。

【００４９】次に、発光素子６２を内包する樹脂形成チ
ップ６４の配列方法の具体的手法について説明する。先
ず、図１２に示すように、素子形成基板７１の主面上に
は発光素子として複数の発光ダイオード７２がマトリク
ス状に形成されている。素子形成基板７１の構成材料と
してはサファイア基板などのように発光ダイオード７２
に照射するレーザの波長に対して透過率の高い材料が用
いられる。発光ダイオード７２にはｐ側電極などまでは
形成されているが最終的な配線は未だなされておらず、
素子間分離の溝７２ｇが形成されていて、個々の発光ダ
イオード７２は分離できる状態にある。この溝７２ｇの
形成は例えば反応性イオンエッチングで行う。このよう
な素子形成基板７１を一時保持用部材７３に対峙させて
選択的な転写を行う。

【００５０】一時保持用部材７３の素子形成基板７１に
対峙する面には剥離層７４と接着剤層７５が２層になっ
て形成されている。ここで一時保持用部材７３の例とし
ては、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板
などを用いることができ、一時保持用部材７３上の剥離
層７４の例としては、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、水
溶性接着剤（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、
ポリイミドなどを用いることができる。また一時保持用
部材７３の接着剤層７５としては紫外線（ＵＶ）硬化型
接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかか
らなる層を用いることができる。

【００５１】一時保持用部材７３の接着剤層７５は、硬
化した領域７５ｓと未硬化領域７５ｙが混在するように
調整され、未硬化領域７５ｙに選択転写にかかる発光ダ
イオード７２が位置するように位置合わせされる。硬化
した領域７５ｓと未硬化領域７５ｙが混在するような調
整は、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選択的にＵ
Ｖ露光し、発光ダイオード７２を転写するところは未硬
化でそれ以外は硬化させてある状態にすればよい。この
ようなアライメントの後、転写対象位置の発光ダイオー
ド７２に対しレーザ１１６を素子形成基板７１の裏面か
ら照射し、当該発光ダイオード７２を素子形成基板７１
からレーザアブレーションを利用して剥離する。ＧａＮ
系の発光ダイオード７２はサファイアとの界面で金属の
Ｇａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離でき
る。照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調波Ｙ
ＡＧレーザなどが用いられる。

【００５２】このレーザアブレーションを利用した剥離
によって、選択照射にかかる発光ダイオード７２はＧａ
Ｎ層と素子形成基板７１の界面で分離し、反対側の接着
剤層７５にｐ側電極部分を突き刺すようにして転写され
る。他のレーザが照射されない領域の発光ダイオード７
２については、対応する接着剤層７５の部分が硬化した
領域７５ｓであり、レーザも照射されていないために、
一時保持用部材７３側に転写されることはない。

【００５３】次に、図１３に示すように、発光ダイオー
ド７２は一時保持用部材７３の接着剤層７５に保持され
た状態で、発光ダイオード７２の裏面がｎ側電極側（カ
ソード電極側）になっていて、発光ダイオード７２の裏
面には樹脂（接着剤）がないように除去、洗浄されてい
るため、電極パッド７６を形成すれば、電極パッド７６
は発光ダイオード７２の裏面と電気的に接続される。

【００５４】接着剤層７５の洗浄の例としては酸素プラ
ズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて
洗浄する。かつ、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードを
サファイア基板からなる素子形成基板７１から剥離した
ときには、その剥離面にＧａが析出しているため、その
Ｇａをエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶
液もしくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッ
ド７６をパターニングする。電極パッド７６としては透
明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくはＴｉ／Ａｌ／
Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いることができる。透明電極
の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光を
さえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大
きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易にな
る。

【００５５】上記電極パッド７６の形成の後、ダイシン
グプロセスにより複数の発光ダイオード７２を含む表示
素子毎に硬化した接着剤層７５を分断し、各発光ダイオ
ード７２に対応した樹脂形成チップとする。ここで、ダ
イシングプロセスは、機械的手段を用いたダイシング、
あるいはレーザビームを用いたレーザダイシングにより
行う。ダイシングによる切り込み幅は画像表示装置の画
素内の接着剤層７５で覆われた発光ダイオード７２の大
きさに依存するが、例えば２０μｍ以下の幅の狭い切り
込みが必要なときには、上記レーザビームを用いたレー
ザによる加工を行うことが必要である。このとき、レー
ザビームとしては、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレー
ザ、炭酸ガスレーザなどを用いることができる。

【００５６】図１４は一時保持用部材７４から発光ダイ
オード７２を第二の一時保持用部材７７に転写して、ア
ノード電極（ｐ側電極）側のビアホール８０を形成した
後、アノード側電極パッド７９を形成し、樹脂からなる
接着剤層７５をダイシングした状態を示している。この
ダイシングの結果、素子分離溝８１が形成され、発光ダ
イオード７２は複数の素子ごとに区分けされたものにな
る。素子分離溝８１はマトリクス状の各発光ダイオード
７２群を分離するため、平面パターンとしては縦横に延
長された複数の平行線からなる。素子分離溝８１の底部
では第二の一時保持用部材７７の表面が臨む。第二の一
時保持用部材７７は、一例としてプラスチック基板にＵ
Ｖ粘着材７８が塗布してある、いわゆるダイシングシー
トであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを
利用できる。

【００５７】尚、上記転写の際には、剥離層７４を形成
した一時保持部材７３の裏面からエキシマレーザを照射
する。これにより、例えば剥離層７４としてポリイミド
を形成した場合では、ポリイミドのアブレーションによ
り剥離が発生して、各発光ダイオード７２は第二の一時
保持部材７７側に転写される。さらに、上記アノード電
極パッド７９の形成プロセスの例としては、接着剤層７
５の表面を酸素プラズマで発光ダイオード７２表面のｐ
側電極が露出してくるまでエッチングする。ビアホール
８０の形成はエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭
酸ガスレーザを用いることができる。アノード側電極パ
ッド７９はＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。

【００５８】次に、機械的手段を用いて複数の発光ダイ
オード７２を含む樹脂形成チップが第二の一時保持用部
材７７から剥離される。このとき、第二の一時保持用部
材７７上には剥離層７８が形成されている。この剥離層
７８は例えばフッ素樹脂、シリコーン樹脂、水溶性接着
剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いて作成する
ことができる。このような剥離層７８を形成した一時保
持部材７７の裏面から例えばＹＡＧ第３高調波レーザを
照射する。これにより、例えば剥離層７８としてポリイ
ミドを形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界面
でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して、
各発光ダイオード７２は第二の一時保持部材７７から上
記機械的手段により容易に剥離可能となる。

【００５９】図１５は、第二の一時保持用部材７７上に
配列している発光ダイオード７２を吸着装置８３でピッ
クアップするところを示した図である。樹脂形成チップ
とされた発光ダイオード７２を吸着装置８３でピックア
ップし、画像表示装置の単位表示パネルを構成する基板
上に実装する。このときの吸着孔８５はマトリクス状に
開口していて、発光ダイオード７２を多数個、一括で吸
着できるようになっている。吸着孔８５の部材は、例え
ば、Ｎｉ電鋳により作製したもの、もしくはステンレス
（ＳＵＳ）などの金属板８２をエッチングで穴加工した
ものが使用され、金属板８２の吸着孔８５の奥には、吸
着チャンバ８４が形成されており、この吸着チャンバ８
４を負圧に制御することで発光ダイオード７２の吸着が
可能になる。発光ダイオード７２はこの段階で樹脂７３
で覆われており、その上面は略平坦化されており、この
ために吸着装置８３による選択的な吸着を容易に進める
ことができる。

【００６０】上述のような発光素子を内包する樹脂形成
チップの配列方法においては、一時保持用部材７３に発
光ダイオード７２を保持させた時点で既に、素子間の距
離が大きくされ、その広がった間隔を利用して比較的サ
イズの電極パッド７６、７９などを設けることが可能と
なる。それら比較的サイズの大きな電極パッド７６、７
９を利用した配線が行われるために、素子サイズに比較
して最終的な装置のサイズが著しく大きな場合であって
も容易に配線を形成できる。また、本実施形態の発光素
子の配列方法では、発光ダイオード７２の周囲が硬化し
た接着剤層７５で被覆され平坦化によって精度良く電極
パッド７６、７９を形成できるとともに素子に比べて広
い領域に電極パッド７６、７９を延在でき、次の転写な
どを吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。
更に、異なる色に発光する発光素子毎に上述の転写工程
を行うことにより、容易にサブ画素を構成する発光素子
を所定の素子間隔で配置することが可能となる。これら
の製造工程により作製された単位表示パネルを互いに密
接するように配置することにより画像表示装置を効率良
く製造することが可能となる。

【００６１】図１６は発光ダイオード７２を配線用基板
９０に転写するところを示した図である。単位表示パネ
ルを構成する配線用基板９０に装着する際に配線用基板
９０にあらかじめ接着剤層８６が塗布されており、その
発光ダイオード７２下面の接着剤層８６を硬化させ、発
光ダイオード７２を配線用基板９０に固着して配列させ
ることができる。この装着時には、吸着装置８３の吸着
チャンバ８４が圧力の高い状態となり、吸着装置８３と
発光ダイオード７２との吸着による結合状態は解放され
る。接着剤層８６はＵＶ硬化型接着剤、熱硬化性接着
剤、熱可塑性接着剤などによって構成することができ
る。発光ダイオード７２が配置される位置は、一時保持
用部材７３、７７上での配列よりも離間したものとな
る。そのとき接着剤層８６の樹脂を硬化させるエネルギ
ーは配線用基板９０の裏面から供給される。ＵＶ硬化型
接着剤の場合はＵＶ照射装置にて、熱硬化性接着剤の場
合はレーザにて発光ダイオード７２の下面のみ硬化さ
せ、熱可塑性接着剤場合は、同様にレーザ照射にて接着
剤を溶融させ接着を行う。

【００６２】また、配線用基板９０上にシャドウマスク
としても機能する電極層８７を配設し、特に電極層８７
の画面側の表面すなわち当該表示装置を見る人がいる側
の面に黒クロム層８８を形成する。このようにすること
で画像のコントラストを向上させることができると共
に、黒クロム層８８でのエネルギー吸収率を高くして、
選択的に照射されるビーム１０３によって接着剤層８６
が早く硬化するようにすることができる。この転写時の
ＵＶ照射としては、ＵＶ硬化型接着剤の場合は約1000mJ
/cm²を照射する。

【００６３】図１７は複数の表示素子を配線用基板９０
に配列させ絶縁層８９を塗布した状態を示す図である。
図１５及び図１６で用いた吸着装置８３をそのまま使用
して、配線用基板９０にマウントする位置をずらすだけ
でマウントすると、ピッチは一定のまま各画素を形成で
きる。絶縁層８９としては透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬
化型接着剤、ポリイミドなどを用いることができる。

【００６４】次に、図１８に示すように、発光ダイオー
ド７２の電極パッド７６、７９や配線用基板９０上の電
極層８７に対応して、これらを電気的に接続するために
開口部（ビアホール）９５、９６、９７、９８、９９、
１００を形成し、さらに配線を形成する。この開口部の
形成も例えばレーザビームを用いて行う。

【００６５】このときに形成する開口部すなわちビアホ
ールは、発光ダイオード７２の電極パッド７６、７９の
面積を大きくしているので、ビアホール形状は大きく、
ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成す
るビアホールに比べて粗い精度で形成できる。例えば、
このときのビアホールは約６０μｍ角の電極パッド７
６、７９に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。ま
た、ビアホールＨの深さは配線基板と接続するもの、ア
ノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するも
のの３種類の深さがあるので、形成に当たっては例えば
レーザのパルス数でこれを制御し、最適な深さを開口す
る。

【００６６】絶縁層８９に開口部９５、９６、９７、９
８、９９、１００を形成した後、発光ダイオード７２の
アノード、カソードの電極パッドと配線用基板９０の配
線用の電極層８７を接続する配線９３、９４、１０１を
形成する。その後、保護層を配線上に形成し、単位表示
パネルが完成する。このときの保護層は図１７の絶縁層
８９と同様、透明エポキシ接着剤などの材料が使用でき
る。この保護層は加熱硬化し配線を完全に覆う。

【００６７】上述のような発光素子の配列方法において
は、一時保持用部材７３に発光ダイオード７２を保持さ
せた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、その広が
った間隔を利用して比較的サイズの電極パッド７６、７
９などを設けることが可能となる。それら比較的サイズ
の大きな電極パッド７６、７９を利用した配線が行われ
るために、素子サイズに比較して最終的な装置のサイズ
が著しく大きな場合であっても容易に配線を形成でき
る。また、本例の発光素子の配列方法では、発光ダイオ
ード７２の周囲が硬化した接着剤層７５で被覆され平坦
化によって精度良く電極パッド７６、７９を形成できる
とともに素子に比べて広い領域に電極パッド７６、７９
を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進
める場合には取り扱いが容易になる。

【００６８】更に、上述の拡大転写法により配線用基板
９０に発光ダイオード７２を転写して形成される単位表
示パネルを導電材により接着すると共に電気的な接続を
行う。図１９に、発光素子が拡大転写法により配置され
て形成された単位表示パネルの接続部の断面図の一例を
示す。

【００６９】単位表示パネル１１０の端部には、例え
ば、プレーナ型の発光ダイオード１１１とピラミッド型
の発光ダイオード１１２とそれぞれ樹脂１１９で被覆し
て形成された樹脂形成チップを配線用基板１３０上に配
置されている。これら発光素子１１１、１１２には電極
パッドがそれぞれ形成され、これら電極パッドは配線１
３３、１３４、及び１３８を介して、アドレス線やデー
タ線である電極層１２７に接続されている。また、これ
ら配線１３３、１３４、及び１３８は樹脂形成チップを
被覆する絶縁層１２９にビアホールを形成して当該電極
パッドを接続されており、配線１２７は配線用基板１３
０の主面に形成された黒クロム層１２８上に形成されて
いる。更に、単位表示パネル１１０の端部には、電極層
１２７に接続される配線１３１が側面１２６に延在され
ている。

【００７０】一方、単位表示パネル１４０も単位表示パ
ネル１１０と同様に発光素子１４２、１５１が樹脂形成
チップとして配線用基板１５０上に配置され、それぞれ
配線１４４、１５３、及び１５４を介して電極層１４７
に接続されている。電極層１４７は配線用基板１５０の
主面に形成された黒クロム層１４８上に形成されてい
る。また、単位表示パネル１４０の端部には、電極層１
４７に接続される配線１４１が側面１４６に延在されて
いる。

【００７１】配線１３１、１４１には予め導電材１６０
がそれぞれ塗布されており、図中矢印方向に単位表示パ
ネル１１０、１４０が押されることにより導電材１６０
が押圧されて、配線１３１、１４１が電気的に接続され
る。導電材１６０は接着材中に導電粒子が分散されてお
り、当該導電粒子が配線１３１、１４１と接触すること
により電気的に接続される。また、導電材１６０が押圧
された後、加熱若しくは光照射などの方法により導電材
１６０を構成する接着材を介して配線１３１、１４１が
接着される。その結果、単位表示パネル１１０、１４０
が接着されると共に電気的な接続が行われる。更に、画
像表示装置を構成するすべての単位表示パネルの間を当
該導電材を用いて接着することにより、画像表示装置全
体が完成される。このとき、接続線やコネクタを用いて
単位表示パネルの間を接続しないので、単位表示パネル
間のギャップを小さくすることができ、画素ピッチのず
れを低減することもできる。

【００７２】

【発明の効果】本発明の画像表示装置は、画素が形成さ
れた単位表示パネルを接着材と導電粒子からなる導電材
を介して接着されることにより、各単位表示パネルの接
着と電気的な接続が一括して行われ、且つ単位表示パネ
ル間のギャップを低減することができる。従って、簡便
な製造工程で画像表示装置が製造されるとともに、画像
表示面全体に亘って画素ピッチを略一定にすることがで
きる。更に、単位表示パネル間を接続するための接続線
やコネクタを用いないことにより平坦な画像表示面を有
する高品質の画像表示装置とすることが可能となる。

【００７３】また、本発明の画像表示装置の製造方法を
拡大転写法による素子の配列方法に応用することによ
り、効率良く形成された単位表示パネルを簡便な方法で
接着することが可能となる。更に各単位表示パネル間を
電気的に接続することができ、製造工程を簡略化が可能
になるだけでなく、高品質の画像表示装置を製造するこ
ともできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像表示装置を形成する単位表示パネ
ルの平面図の一例である。

【図２】本発明の画像表示装置を形成する単位表示パネ
ルを配置した配置図である。

【図３】本発明の画像表示装置を形成する単位表示パネ
ルの接続部を示した図であって、図２中のａ−ａ線断面
図である。

【図４】本発明の画像表示装置を形成する単位表示パネ
ルの接着部の平面図を拡大した拡大図である。

【図５】本発明の画像表示装置を形成する単位表示パネ
ルを接着した状態を示す平面図である。

【図６】本発明の画像表示装置を形成する単位表示パネ
ルの接続部を示した図であって、図５中のｂ−ｂ線断面
図である。

【図７】本発明の画像表示装置を形成する単位表示パネ
ルの接着部の平面図を拡大した拡大図である。

【図８】本発明の画像表示装置の製造方法と組み合わせ
て用いることができる素子の拡大転写法の全体工程図で
ある。

【図９】本発明の画像表示装置に用いられる発光ダイオ
ードの一例の構造図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）
は平面図である。

【図１０】本発明の画像表示装置に用いることができる
樹脂形成チップの斜視図である。

【図１１】本発明の画像表示装置に用いることができる
樹脂形成チップの平面図である。

【図１２】本発明の画像表示装置の製造方法と組み合わ
せて用いることができる素子の拡大転写法において、素
子を転写する転写工程を示す概略断面図である。

【図１３】本発明の画像表示装置の製造方法と組み合わ
せて用いることができる素子の拡大転写法において、素
子を一時保持用部材に保持する工程を示す概略断面図で
ある。

【図１４】本発明の画像表示装置の製造方法と組み合わ
せて用いることができる素子の拡大転写法において、電
極パッド形成工程及びダイシング工程を示す概略断面図
である。

【図１５】本発明の画像表示装置の製造方法と組み合わ
せて用いることができる素子の拡大転写法において、吸
着工程を示す概略断面図である。

【図１６】本発明の画像表示装置の製造方法と組み合わ
せて用いることができる素子の拡大転写法において、第
二転写工程を示す概略断面図である。

【図１７】本発明の画像表示装置の製造方法と組み合わ
せて用いることができる素子の拡大転写法において、絶
縁層の形成工程を示す概略断面図である。

【図１８】本発明の画像表示装置の製造方法と組み合わ
せて用いることができる素子の拡大転写法において、配
線形成工程を示す概略断面図である。

【図１９】本発明の画像表示装置の製造方法において、
単位表示パネルを接着する接着工程を示す概略断面図で
ある。

【符号の説明】

１、１０、２０、３０、４０単位表示パネル２、１
５、２５配線用基板３、４接続線１３、１４導電材１３ａ接着材１３
ｂ導電粒子２２アドレス線２８ａ接着材２８導
電層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画素が形成された単位表示パネルが配列さ
れて形成され、前記単位表示パネルが異方性導電膜を介
して互いに接着されるとともに電気的に接続されること
を特徴とする画像表示装置。
【請求項２】前記異方性導電膜は、厚み方向に導電性を
有することを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】前記単位表示パネルの側面または端面には
前記画素を駆動させるための配線が延設されていること
を特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項４】前記配線は前記単位表示パネルの主面から
前記側面または前記端面に亘って形成された斜面を介し
て延設されることを特徴とする請求項３記載の画像表示
装置。
【請求項５】前記異方性導電膜は接着材中に導電粒子が
分散されてなる導電材により形成されることを特徴とす
る請求項１記載の画像表示装置。
【請求項６】前記導電材は隣り合う単位表示パネルの側
面または端面により押圧されて異方性導電膜が形成さ
れ、前記導電粒子を介して前記配線が電気的に接続され
ることを特徴とする請求項５記載の画像表示装置。
【請求項７】前記導電材が加熱されることにより前記隣
り合う単位表示パネルが接着されることを特徴とする請
求項６記載の画像表示装置。
【請求項８】前記導電材は予め前記側面または前記端面
に貼付されていることを特徴とする請求項５記載の画像
表示装置。
【請求項９】前記導電材は前記隣り合う単位表示パネル
間に注入されることを特徴とする請求項５記載の画像表
示装置。
【請求項１０】前記導電粒子は、有機高分子材料に用い
て形成される粒子の表面に導電膜が形成されてなること
を特徴とする請求項５記載の画像表示装置。
【請求項１１】前記導電膜は多層構造を有することを特
徴とする請求項１０記載の画像表示装置。
【請求項１２】前記導電膜は金属材料がめっきされて形
成されることを特徴とする請求項１０記載の画像表示装
置。
【請求項１３】前記画素が発光素子を有することを特徴
とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項１４】前記発光素子は発光ダイオードであるこ
とを特徴とする請求項１３記載の画像表示装置。
【請求項１５】前記発光素子はＧａＮ系化合物により形
成される結晶層を有することを特徴とする請求項１３記
載の画像表示装置。
【請求項１６】前記結晶層は素子形成基板に対して傾斜
した傾斜結晶面を有することを特徴とする請求項１５記
載の画像表示装置。
【請求項１７】前記傾斜結晶面はＳ面（（１−１０１）
面）であることを特徴とする請求項１６記載の画像表示
装置。
【請求項１８】画素が配列された単位表示パネルを配列
し、隣り合う単位表示パネルにより異方性導電膜を押圧し、前記異方性導電膜を介して前記単位表示パネルを互いに
接着するとともに電気的に接続することを特徴とする画
像表示装置の製造方法。