JP2003283203A - Dielectric filter - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばマイクロ
波、ミリ波等の高周波信号に用いて好適な誘電体フィル
タに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric filter suitable for use in high frequency signals such as microwaves and millimeter waves.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、誘電体フィルタとして、誘電体
基板の表面と裏面にそれぞれ導体膜を形成すると共に、
誘電体基板には導体膜を切欠いたスロット状の開口部を
表面と裏面とに対向して形成したものが知られている
(例えば、特開平11−234008号公報等)。2. Description of the Related Art Generally, as a dielectric filter, a conductive film is formed on each of a front surface and a back surface of a dielectric substrate, and
There is known a dielectric substrate in which a slot-shaped opening in which a conductor film is cut out is formed so as to face the front surface and the back surface (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-234008).
【0003】このような従来技術では、開口部の両端ま
たは片端を誘電体基板の端面まで延ばすことによって、
両端開放型共振器または片端開放型共振器を構成すると
共に、ケーシング内に複数の誘電体基板を共振器の開放
端となった端面同士を対向する状態で配置していた。こ
れにより、従来技術では、複数の共振器を磁界結合さ
せ、帯域通過フィルタ等を構成していた。In such a conventional technique, by extending both ends or one end of the opening to the end surface of the dielectric substrate,
The open-ended resonator or the open-ended resonator is configured, and a plurality of dielectric substrates are arranged in a casing in such a manner that the open end surfaces of the resonator face each other. Thereby, in the conventional technique, a plurality of resonators are magnetically coupled to form a bandpass filter or the like.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術による誘電体フィルタでは、複数の誘電体基板毎
に共振器を形成し、これらをケーシング内に取付ける構
成としていた。このため、誘電体基板の取付け位置にば
らつきが生じ易いから、共振器間の結合係数が変化して
フィルタ特性が安定しないという問題があった。By the way, in the above-described dielectric filter according to the prior art, a resonator is formed for each of a plurality of dielectric substrates, and these resonators are mounted in a casing. For this reason, the mounting position of the dielectric substrate is likely to vary, so that there is a problem that the coupling coefficient between the resonators changes and the filter characteristics are not stable.
【0005】また、複数の誘電体基板を用いるため、こ
れらをケーシングに組み付ける工程が必要となり、生産
性が悪く、製造コストが高くなるという問題もある。さ
らに、従来技術では、共振器間を磁界結合させるから、
共振器同士が必要以上に強く結合する傾向がある。この
ため、共振器間の結合係数を所定の値に設定するために
は、共振器間の距離を離す必要があるから、誘電体フィ
ルタ全体が大型化する傾向があった。Further, since a plurality of dielectric substrates are used, a step of assembling these into a casing is required, resulting in poor productivity and high manufacturing cost. Furthermore, in the prior art, since magnetic fields are coupled between the resonators,
Resonators tend to couple more strongly than necessary. For this reason, in order to set the coupling coefficient between the resonators to a predetermined value, it is necessary to increase the distance between the resonators, which tends to increase the size of the entire dielectric filter.
【0006】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明の目的はフィルタ特性を安定させ
ることができると共に、生産性が高い小型の誘電体フィ
ルタを提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a compact dielectric filter which can stabilize the filter characteristics and has high productivity.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、互いに対向する2面の導体面を有す
るケーシングと、該ケーシング内で前記2面の導体面間
に設けられた誘電体基板と、該誘電体基板の表面と裏面
とにそれぞれ設けられた導体膜と、前記誘電体基板を挟
んで前記表面側,裏面側の導体膜にそれぞれ対向して設
けられたスロットとを備えてなる誘電体フィルタに適用
される。In order to solve the above problems, the present invention provides a casing having two conductor surfaces facing each other, and a casing provided between the two conductor surfaces in the casing. A dielectric substrate, conductor films provided on the front surface and the back surface of the dielectric substrate, and slots provided to face the conductor films on the front surface side and the back surface side with the dielectric substrate sandwiched therebetween. It is applied to the provided dielectric filter.
【0008】そして、請求項1の発明が採用する構成の
特徴は、スロットを導体膜に対して互いに平行に延びて
電界ベクトルが対向する方向に複数個配置したことにあ
る。A feature of the structure adopted by the invention of claim 1 is that a plurality of slots are arranged in parallel with respect to the conductor film and arranged in a direction in which electric field vectors face each other.
【0009】このように構成したことにより、スロット
が共振器を構成すると共に、複数個の共振器が誘電体基
板の内部を通じて電界結合する。これにより、一のスロ
ットに入力された高周波信号は、スロット内で共振する
と共に、隣合う他のスロットに順次結合するから、帯域
通過フィルタ、帯域阻止フィルタ等を構成することがで
きる。With this structure, the slot constitutes a resonator and the plurality of resonators are electrically coupled through the inside of the dielectric substrate. As a result, the high-frequency signal input to one slot resonates in the slot and is sequentially coupled to other adjacent slots, so that a band pass filter, a band stop filter, etc. can be configured.
【0010】請求項2の発明では、複数個のスロット
は、その両端側が前記誘電体基板の端面まで延びて開放
した両端開放型共振器を構成している。According to the second aspect of the present invention, the plurality of slots constitute a double-ended resonator in which both ends thereof extend to the end surface of the dielectric substrate and are open.
【0011】これにより、磁界の集中するスロットの両
端部分に導体膜がないから、導体膜の表面電流の集中す
る箇所が少なくなる。この結果、全体の導体損を抑制す
ることができ、例えば両端が短絡した両端短絡型共振器
に比べて共振器の無負荷Q(Qo)を高めることができ
る。As a result, since there is no conductor film at both ends of the slot where the magnetic field concentrates, the number of places where the surface current of the conductor film concentrates decreases. As a result, the overall conductor loss can be suppressed, and the no-load Q (Qo) of the resonator can be increased as compared with, for example, a double-ended short-circuit type resonator having both ends short-circuited.
【0012】請求項3の発明では、複数個のスロット
は、その一端側が前記誘電体基板の端面まで延びて開放
し、他端側が前記導体膜によって誘電体基板の端面と隔
てられて短絡した片端開放型共振器を構成している。According to another aspect of the present invention, one end of each of the plurality of slots extends to the end surface of the dielectric substrate and is open, and the other end is short-circuited by being separated from the end surface of the dielectric substrate by the conductor film. It constitutes an open resonator.
【0013】これにより、磁界の集中する部分のうちス
ロットの一端部分には導体膜がないから、導体膜の表面
電流の集中する箇所が少なくなる。この結果、全体の導
体損を抑制することができ、例えば両端が短絡した両端
短絡型共振器に比べて共振器の無負荷Q(Qo)を高め
ることができる。As a result, since the conductor film is not provided at one end of the slot in the portion where the magnetic field is concentrated, the number of locations where the surface current of the conductor film is concentrated is reduced. As a result, the overall conductor loss can be suppressed, and the no-load Q (Qo) of the resonator can be increased as compared with, for example, a double-ended short-circuit type resonator having both ends short-circuited.
【0014】請求項4の発明では、複数個のスロットの
うち少なくとも1個のスロットは、その一端側が前記誘
電体基板の端面まで延びて開放し、他端側が前記導体膜
によって誘電体基板の端面と隔てられて短絡した片端開
放型共振器を構成し、該片端開放型共振器の他端側には
前記導体膜を隔てて設けられ一端側が該導体膜によって
短絡し、他端側が前記誘電体基板の端面まで延びて開放
したトラップ共振器を設ける構成としている。According to a fourth aspect of the present invention, at least one slot of the plurality of slots has one end extending to the end surface of the dielectric substrate and opened, and the other end of the slot formed by the conductor film on the end surface of the dielectric substrate. To form a short-circuited one-end open resonator, the one-end open-type resonator is provided on the other end side of the one-end open-type resonator with the conductor film separated, and one end side is short-circuited by the conductor film and the other end side is the dielectric body. A trap resonator that extends to the end face of the substrate and is open is provided.
【0015】これにより、片端開放型共振器をスロット
からなる他の共振器と結合させ、例えば帯域通過フィル
タ、帯域阻止フィルタを構成することができる。また、
トラップ共振器の共振周波数を帯域通過フィルタ等のカ
ットオフ周波数近傍に設定することによって、カットオ
フ周波数近傍の減衰量を大きくすることができ、カット
オフ周波数付近の減衰の立上りを急峻にすることができ
る。Thus, the open-ended resonator can be coupled to another resonator composed of a slot to form, for example, a band pass filter or a band stop filter. Also,
By setting the resonance frequency of the trap resonator near the cutoff frequency of the bandpass filter, the amount of attenuation near the cutoff frequency can be increased, and the rise of attenuation near the cutoff frequency can be made steep. it can.
【0016】請求項5の発明は、ケーシングには、複数
個のスロット間で磁界結合を遮断する遮断隔壁を形成し
たことにある。According to a fifth aspect of the present invention, the casing has a partition wall for blocking magnetic field coupling between the plurality of slots.
【0017】これにより、隣合うスロットは誘電体基板
内を通じて電界結合するから、磁界結合を用いる場合に
比べて共振器間の間隔を狭めることができる。As a result, the adjacent slots are electric-field-coupled through the dielectric substrate, so that the distance between the resonators can be narrowed as compared with the case where magnetic field coupling is used.
【0018】請求項6の発明は、ケーシングには、複数
個のスロット間で磁界結合を許容する空間部を形成した
ことにある。According to a sixth aspect of the present invention, the casing is provided with a space portion that allows magnetic field coupling between the plurality of slots.
【0019】これにより、隣合うスロットは誘電体基板
内を通じて電界結合すると共に、空間部を通じて磁界結
合する。このとき、スロット間の間隔寸法を電界結合と
磁界結合とが相殺する値に設定することによって、スロ
ット間の結合係数をほぼ零に設定することができるか
ら、スロット間のアイソレーションを高めることができ
る。As a result, the adjacent slots are electrically coupled through the dielectric substrate and magnetically coupled through the space. At this time, by setting the interval dimension between the slots to a value that cancels the electric field coupling and the magnetic field coupling, the coupling coefficient between the slots can be set to almost zero, so that the isolation between the slots can be improved. it can.
【0020】請求項7の発明では、ケーシングは、裏面
に2面の導体面のうち裏面側となる導体面が設けられた
裏面側プリント基板と、表面に2面の導体面のうち表面
側となる導体面が設けられた表面側プリント基板とによ
って構成し、誘電体基板は裏面側プリント基板と表面側
プリント基板との間に挟持され、表面側,裏面側の導体
膜が前記表面側,裏面側の導体面にそれぞれ接続される
構成としたことにある。According to a seventh aspect of the invention, the casing has a back surface side printed circuit board having a back surface having a conductor surface which is a back surface side of the two conductor surfaces, and a front surface having a front surface side of the two conductor surfaces. And a front side printed circuit board provided with a conductor surface, the dielectric substrate is sandwiched between the back side printed circuit board and the front side printed circuit board, and the conductor films on the front side and the back side are the front side and the back side. The structure is such that each side is connected to the conductor surface.
【0021】これにより、ケーシングとなる2枚のプリ
ント基板の間に誘電体基板を挟持することによって誘電
体フィルタを構成することができ、ケーシングを金属製
の筐体等によって形成するのに比べて複雑な加工が不要
となるから、生産性を向上することができる。As a result, the dielectric filter can be constructed by sandwiching the dielectric substrate between the two printed circuit boards to be the casing, and compared with the case where the casing is made of a metal casing or the like. Since complicated processing is unnecessary, productivity can be improved.
【0022】請求項8の発明は、ケーシングには、誘電
体基板の近傍に位置して一のスロットに結合可能な入力
部と、該スロットと異なる他のスロットに結合可能な出
力部とを設け、帯域通過フィルタとして構成したことに
ある。According to an eighth aspect of the present invention, the casing is provided with an input portion located near the dielectric substrate and connectable to one slot, and an output portion connectable to another slot different from the slot. , As a bandpass filter.
【0023】これにより、入力部を通じて一のスロット
に高周波信号を入力することができると共に、該一のス
ロットから順次隣合うスロットに高周波信号を結合させ
ることができる。そして、他のスロットは出力部に向け
て高周波信号を出力することができるから、入力部と出
力部との間に複数のスロットからなる帯域通過フィルタ
を構成することができる。Thus, the high frequency signal can be input to one slot through the input section, and the high frequency signal can be sequentially coupled from the one slot to the adjacent slots. Then, since the other slots can output a high frequency signal toward the output section, a band pass filter including a plurality of slots can be formed between the input section and the output section.
【0024】請求項9の発明は、ケーシングには、誘電
体基板の近傍に位置して前記複数個のスロットに結合可
能な伝送線路を設け、帯域阻止フィルタとして構成した
ことにある。According to a ninth aspect of the present invention, the casing is provided with a transmission line located near the dielectric substrate and capable of being coupled to the plurality of slots, and is configured as a band elimination filter.
【0025】これにより、伝送線路は複数個のスロット
に結合するから、スロット間の伝送線路の位相を90°
に設定することによって、スロットの共振周波数を中心
とした帯域の高周波信号が伝送線路を伝搬するのを阻止
することができ、帯域阻止フィルタを構成することがで
きる。As a result, since the transmission line is coupled to the plurality of slots, the phase of the transmission line between the slots is 90 °.
By setting to, it is possible to prevent a high-frequency signal in a band centered on the resonance frequency of the slot from propagating in the transmission line, and thus a band stop filter can be configured.
【0026】請求項10の発明は、ケーシングには、誘
電体基板の近傍に位置して互いに異なるスロットにそれ
ぞれ結合可能な入力部、出力部および入出力部を設け、
デュプレクサまたはマルチプレクサとして構成したこと
にある。According to a tenth aspect of the present invention, the casing is provided with an input portion, an output portion, and an input / output portion which are located in the vicinity of the dielectric substrate and can be respectively coupled to different slots.
It is configured as a duplexer or a multiplexer.
【0027】これにより、入力部と入出力部との間で帯
域通過フィルタを構成することができると共に、入出力
部と出力部との間で帯域通過フィルタを構成することが
できる。このため、入力部、出力部および入出力部を備
えたデュプレクサまたはマルチプレクサに対して帯域通
過フィルタを一体化して取付けることができる。Thus, a bandpass filter can be formed between the input section and the input / output section, and a bandpass filter can be formed between the input / output section and the output section. Therefore, the bandpass filter can be integrally attached to the duplexer or multiplexer having the input section, the output section and the input / output section.
【0028】[0028]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
誘電体フィルタについて添付図面を参照しつつ詳細に説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A dielectric filter according to an embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
【0029】まず、図1ないし図3は第1の実施の形態
を示し、図において、1は導電性金属材料からなる箱状
のケーシングで、該ケーシング1は、例えばブロック状
の金属体に切削加工等を施すことによって形成され、表
面側が開口した底体2と、裏面側が開口して該底体2の
表面側が取付けられた蓋体3とによって構成されてい
る。そして、底体2の底板2Aと蓋体3の蓋板3Aと
は、互いに対向する2面の導体面を形成している。First, FIGS. 1 to 3 show a first embodiment, in which 1 is a box-shaped casing made of a conductive metal material, and the casing 1 is cut into, for example, a block-shaped metal body. The bottom body 2 is formed by processing and has an opening on the front surface side, and the lid body 3 is opened on the back surface side and the front surface side of the bottom body 2 is attached. The bottom plate 2A of the bottom body 2 and the lid plate 3A of the lid body 3 form two conductor surfaces facing each other.
【0030】また、ケーシング1には、底板2Aと蓋板
3Aとの間に位置して外周側を取囲む四角形の枠状をな
した周壁1Aが形成されている。そして、ケーシング1
の内部には、底板2A、蓋板3A、周壁1Aによって取
囲まれることによって、後述の誘電体基板6を収容する
収容空間4が画成されると共に、誘電体基板6に形成さ
れた隣合う2個の共振器9間に位置してこれらの間の磁
界結合を遮断する遮断隔壁5が形成され、収容空間4は
遮断隔壁5によって後述の共振器9に対応した3つの部
屋に区切られている。Further, the casing 1 is formed with a peripheral wall 1A which is located between the bottom plate 2A and the cover plate 3A and which has a rectangular frame shape and surrounds the outer peripheral side. And casing 1
By being surrounded by the bottom plate 2A, the lid plate 3A, and the peripheral wall 1A, an accommodation space 4 for accommodating a dielectric substrate 6, which will be described later, is defined and adjacent to each other formed in the dielectric substrate 6 inside. A blocking partition wall 5 is formed between the two resonators 9 to block the magnetic field coupling therebetween, and the housing space 4 is partitioned by the blocking partition wall 5 into three chambers corresponding to the resonators 9 described later. There is.
【0031】なお、ケーシング1は、全体を金属材料で
形成するものとしたが、例えば樹脂材料を用いてケーシ
ング1とほぼ同じ形状の樹脂ケーシングを形成すると共
に、該樹脂ケーシングの外周面全体に金属メッキを施す
構成としてもよい。The casing 1 is made of a metal material as a whole. However, for example, a resin material is used to form a resin casing having substantially the same shape as that of the casing 1, and a metal is formed on the entire outer peripheral surface of the resin casing. It may be configured to perform plating.
【0032】6はケーシング1内で底体2と蓋体3との
間に設けられた誘電体基板で、該誘電体基板6は、左,
右方向に延びる帯状に形成され、底板2A、蓋板3Aに
対して間隔を隔てて配置されると共に、ケーシング1の
周壁1A、遮断隔壁5に固定されている。また、誘電体
基板6は、ケーシング1の収容空間4内に配置され、そ
の前,後両端とケーシング1との間には隙間が形成され
ている。そして、誘電体基板6は、樹脂材料、セラミッ
クス材料、またはこれらを混合して焼結した複合材料か
らなり、略四角形の平板状に形成されている。Reference numeral 6 denotes a dielectric substrate provided in the casing 1 between the bottom body 2 and the lid body 3. The dielectric substrate 6 is provided on the left,
It is formed in a strip shape extending rightward and is arranged at a distance from the bottom plate 2A and the lid plate 3A, and is fixed to the peripheral wall 1A of the casing 1 and the blocking partition wall 5. Further, the dielectric substrate 6 is arranged in the housing space 4 of the casing 1, and a gap is formed between the casing 1 and the front and rear ends thereof. The dielectric substrate 6 is made of a resin material, a ceramic material, or a composite material obtained by mixing and sintering these materials, and is formed in a substantially rectangular flat plate shape.
【0033】7,8は誘電体基板6の表面6A、裏面6
Bにそれぞれ形成された導体膜で、該導体膜7,8は、
例えばフォトリソグラフィ技術等を用いて金、銅、銀等
の導電性の金属薄膜を両面一緒に高精度にパターニング
することによって形成されている。そして、導体膜7,
8は、スロット9A,9Bによってそれぞれ4個に分離
して設けられている。また、導体膜7,8は、周壁1
A、遮断隔壁5を通じてケーシング1に接続され、浮き
電極とならないようにケーシング1と同じ電位に保持さ
れている。Reference numerals 7 and 8 denote the front surface 6A and the back surface 6 of the dielectric substrate 6.
Conductor films formed on B respectively, and the conductor films 7 and 8 are
For example, it is formed by patterning a conductive metal thin film of gold, copper, silver or the like on both surfaces together with high precision using a photolithography technique or the like. Then, the conductor film 7,
8 are provided separately by four slots 9A and 9B, respectively. Further, the conductor films 7 and 8 are formed on the peripheral wall 1.
A, is connected to the casing 1 through the blocking partition wall 5, and is held at the same potential as the casing 1 so as not to serve as a floating electrode.
【0034】9は誘電体基板6に設けられた例えば3個
の共振器で、該共振器9は、導体膜7,8にそれぞれ設
けられた一対のスロット9A,9Bによって構成されて
いる。そして、スロット9A,9Bは、誘電体基板6を
挟んで互いに対向する位置に設けられ、左,右方向に延
びる誘電体基板6に対して前,後方向を横断すると共
に、その両端側が誘電体基板6の端面にまで溝状をなし
て延びている。これにより、スロット9A,9Bは、そ
の両端が電気的に開放され、両端開放型の共振器9を構
成している。Reference numeral 9 denotes, for example, three resonators provided on the dielectric substrate 6, and the resonator 9 is composed of a pair of slots 9A and 9B provided on the conductor films 7 and 8, respectively. The slots 9A and 9B are provided at positions facing each other with the dielectric substrate 6 interposed therebetween, and the slots 9A and 9B traverse the front and rear directions with respect to the dielectric substrate 6 extending in the left and right directions, and both ends thereof are made of a dielectric material. The groove 6 extends to the end surface of the substrate 6. As a result, both ends of the slots 9A and 9B are electrically opened to form the open-ended resonator 9.
【0035】また、共振器9の長さ寸法L0は、所望の
共振周波数に対応した誘電体基板6中の高周波信号の波
長をλとしたときに、例えばnλ/2程度の値(但し、
n:1以上の整数)、即ち半波長の整数倍の値に設定さ
れている。The length dimension L0 of the resonator 9 is, for example, a value of about nλ / 2 (where, λ is the wavelength of the high frequency signal in the dielectric substrate 6 corresponding to the desired resonance frequency).
n: an integer of 1 or more), that is, an integral multiple of a half wavelength.
【0036】また、3個の共振器9は、誘電体基板6の
左,右方向に離間して互いに前,後方向に平行に延びて
いる。これにより、3個の共振器9は、各共振器9に生
じる電界ベクトルEが互いに対向する方向に配置されて
いる。The three resonators 9 are spaced apart in the left and right directions of the dielectric substrate 6 and extend parallel to each other in the front and rear directions. As a result, the three resonators 9 are arranged so that the electric field vectors E generated in the respective resonators 9 face each other.
【0037】一方、共振器9の前,後両端からは、カッ
トオフ空間をなす収容空間4内に向けて磁界ベクトルH
が広がっている。このため、共振器9の前,後両端とケ
ーシング1との隙間寸法Sは、共振器9の共振周波数が
ケーシング1の影響を大きく受けることがない程度の大
きさをもった値に設定されている。On the other hand, from both the front and rear ends of the resonator 9, the magnetic field vector H is directed toward the accommodation space 4 forming the cutoff space.
Is spreading. Therefore, the gap size S between the front and rear ends of the resonator 9 and the casing 1 is set to a value such that the resonance frequency of the resonator 9 is not greatly affected by the casing 1. There is.
【0038】10は誘電体基板6の近傍に位置して初段
側の共振器9に結合可能な入力部で、該入力部10は、
例えばプリント基板10Aの表面にマイクロストリップ
ライン、コプレーナ線路(CPW)、CB−CPW(Co
nductor-Backed Coplanar Waveguide)等の伝送線路1
0Bを形成することによって構成されている。そして、
伝送線路10Bは、プリント基板10Aの裏面にグラン
ド電極を設けないサスペンデッド線路をなすと共に、共
振器9の開放端に沿って誘電体基板6の左,右方向に延
び、共振器9と磁界結合する。Reference numeral 10 denotes an input portion located near the dielectric substrate 6 and capable of being coupled to the resonator 9 on the first stage side.
For example, a microstrip line, a coplanar line (CPW), a CB-CPW (Co
nductor-Backed Coplanar Waveguide) etc. transmission line 1
It is configured by forming 0B. And
The transmission line 10B forms a suspended line in which a ground electrode is not provided on the back surface of the printed circuit board 10A, extends along the open end of the resonator 9 to the left and right of the dielectric substrate 6, and is magnetically coupled to the resonator 9. .
【0039】11は誘電体基板6の近傍に位置して終段
側の共振器9に結合可能な出力部で、該出力部11は、
入力部10とほぼ同様にプリント基板11Aに伝送線路
11Bを形成することによって構成されている。そし
て、伝送線路11Bは、共振器9の開放端に沿って誘電
体基板6の左,右方向に延び、共振器9と磁界結合す
る。Reference numeral 11 denotes an output portion located near the dielectric substrate 6 and capable of being coupled to the resonator 9 on the final stage side.
It is configured by forming a transmission line 11B on a printed circuit board 11A, similar to the input unit 10. The transmission line 11B extends to the left and right of the dielectric substrate 6 along the open end of the resonator 9 and is magnetically coupled to the resonator 9.
【0040】本実施の形態による誘電体フィルタは上述
の如き構成を有するもので、次にその作動について説明
する。The dielectric filter according to this embodiment has the above-mentioned structure, and its operation will be described below.
【0041】まず、入力部10に高周波信号を入力する
と、伝送線路10Bと初段の共振器9とが磁界結合し、
共振器9内に高周波信号が励振される。このとき、共振
器9は、その共振周波数foの高周波信号を強く励振す
ると共に、隣合う共振器9と順次電界結合する。この結
果、終段の共振器9には共振周波数foの高周波信号が
励振されると共に、最後段の共振器9と出力部11の伝
送線路11Bとが磁界結合する。これにより、出力部1
1は共振周波数foを中心とした帯域の高周波信号が出
力し、他の帯域の高周波信号を遮断することができるか
ら、誘電体フィルタは帯域通過フィルタとして動作す
る。First, when a high frequency signal is input to the input section 10, the transmission line 10B and the first-stage resonator 9 are magnetically coupled,
A high frequency signal is excited in the resonator 9. At this time, the resonator 9 strongly excites the high frequency signal having the resonance frequency fo, and also sequentially couples the adjacent resonators 9 by electric field. As a result, a high frequency signal having the resonance frequency fo is excited in the final stage resonator 9, and the final stage resonator 9 and the transmission line 11B of the output unit 11 are magnetically coupled. As a result, the output unit 1
1 outputs a high frequency signal in a band centered on the resonance frequency fo and can block a high frequency signal in another band, so that the dielectric filter operates as a band pass filter.
【0042】次に、共振器9単体の作用について図4お
よび図5を参照しつつ説明する。Next, the operation of the resonator 9 alone will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
【0043】ここで、共振器9の両端はいずれも開放さ
れているから、電界Eはこの開放端近傍で最大となる。
一方、磁界HはTEの遮断領域となる収容空間4内に広
がる。そして、共振器9の両端から隙間寸法Sだけ離間
した位置にケーシング1の周壁1Aが配置されているか
ら、共振器9は、概ねその長さ寸法L0を半波長とする
共振周波数で共振するものの、隙間寸法Sによって僅か
に共振周波数が変動する。このため、共振器9は、その
長さ寸法L0と隙間寸法Sとによって決まる共振周波数
を有し、2つの周壁1A間で共振する1波長共振器とし
て作動する。Since both ends of the resonator 9 are open, the electric field E becomes maximum near the open end.
On the other hand, the magnetic field H spreads in the accommodation space 4 which is a TE blocking area. Since the peripheral wall 1A of the casing 1 is arranged at a position separated from the both ends of the resonator 9 by the gap dimension S, the resonator 9 resonates at a resonance frequency whose length dimension L0 is a half wavelength. The resonance frequency slightly varies depending on the gap size S. Therefore, the resonator 9 has a resonance frequency determined by the length dimension L0 and the gap dimension S, and operates as a one-wavelength resonator that resonates between the two peripheral walls 1A.
【0044】ここで、共振器9の両端はいずれも開放さ
れているから、磁界の集中する共振器9の両端部分には
導体膜7,8が存在せず、導体膜7,8の表面電流の集
中する箇所が少なくなる。この結果、誘電体フィルタ全
体の導体損を抑制することができ、共振器9の無負荷Q
(Qo)が良くなる。このため、両端開放型となる共振
器9の無負荷Qは、例えば26GHzの高周波信号に対
して両端が短絡した両端短絡型共振器の無負荷Qに比べ
て約1.7〜2倍程度高い値になる。Since both ends of the resonator 9 are open, the conductor films 7 and 8 do not exist at both ends of the resonator 9 where the magnetic field is concentrated, and the surface currents of the conductor films 7 and 8 are not present. There will be fewer places to concentrate. As a result, the conductor loss of the entire dielectric filter can be suppressed, and the unloaded Q of the resonator 9 can be suppressed.
(Qo) improves. Therefore, the unloaded Q of the resonator 9 of which both ends are open is about 1.7 to 2 times higher than the unloaded Q of the both-end short-circuited resonator in which both ends are short-circuited with respect to a high frequency signal of 26 GHz, for example. It becomes a value.
【0045】従って、比誘電率εrが24の材料に比べ
て比誘電率εrが38の材料では誘電正接(tanδ)が約
6倍程度悪くなるのに対し、比誘電率εrが38の材料
を用いて両端開放型の共振器9を構成したとしても、比
誘電率εrが24の材料を用いて両端短絡型の共振器を
構成した場合に比べて無負荷Qが約1.2倍だけ高く
(良く)なる。このため、所望の無負荷Qをもった共振
器9を各種の比誘電率εrをもった材料で構成すること
ができ、材料選択の自由度を高めることができる。Therefore, the material having a relative permittivity εr of 38 has a dielectric loss tangent (tan δ) about 6 times worse than that of a material having a relative permittivity εr of 24, while the material having a relative permittivity εr of 38 is deteriorated. Even if the both-ends open type resonator 9 is constructed by using it, the no-load Q is about 1.2 times higher than the case where the both-ends short-circuit type resonator is constructed by using a material having a relative permittivity εr of 24. (Get better. Therefore, the resonator 9 having a desired unloaded Q can be made of materials having various relative dielectric constants εr, and the degree of freedom in material selection can be increased.
【0046】次に、複数の共振器9間の結合作用につい
て図6ないし図11を参照しつつ説明する。Next, the coupling action between the plurality of resonators 9 will be described with reference to FIGS. 6 to 11.
【0047】ここで、相互に結合する2個の共振器9を
順次組合せることによって、3個以上の共振器9が結合
する場合を説明することができる。このため、図6およ
び図7に示すように2個の共振器9が結合している解析
モデルについて検討する。なお、解析モデルにおいて、
3個の共振器9からなる実施の形態と対応する構成要素
にはダッシュ(′)を付すものとし、入力部10、出力
部11は省略するものとする。Here, a case where three or more resonators 9 are coupled can be described by sequentially combining two resonators 9 coupled to each other. Therefore, an analytical model in which two resonators 9 are coupled as shown in FIGS. 6 and 7 will be examined. In the analysis model,
The components corresponding to the embodiment including the three resonators 9 are given a dash ('), and the input unit 10 and the output unit 11 are omitted.
【0048】まず、一方の共振器9に高周波信号を励振
すると、2個の共振器9間で結合が生じ、他方の共振器
9にも高周波信号が励振される。このとき、2個の共振
器9は、それぞれの共振器9に励振される電界ベクトル
Eが互いに同一方向となる偶モード(図6、図7参照)
または逆方向となる奇モード(図8、図9参照)で結合
する。First, when a high frequency signal is excited in one of the resonators 9, a coupling occurs between the two resonators 9 and the high frequency signal is also excited in the other resonator 9. At this time, the two resonators 9 are even modes in which the electric field vectors E excited in the respective resonators 9 are in the same direction (see FIGS. 6 and 7).
Alternatively, they are combined in the odd mode (see FIGS. 8 and 9) in the opposite direction.
【0049】そして、誘電体基板6′の比誘電率εrを
例えば24、誘電体基板6′の厚さ寸法tを例えば0.
6mm、共振器9の長さ寸法L0を例えば1.86m
m、共振器9の両端とケーシング1の周壁1Aとの隙間
寸法Sを例えば3mm、導体膜7′,8′と底面2A、
蓋面3Aとの隙間寸法hを例えば1.5mmにそれぞれ
設定し、三次元電磁界シミュレーションを行った場合、
図10および図11に示す解析結果を得ることができ
る。The relative permittivity εr of the dielectric substrate 6'is, for example, 24, and the thickness t of the dielectric substrate 6'is, for example, 0.
6 mm, the length L0 of the resonator 9 is set to 1.86 m, for example.
m, the gap dimension S between both ends of the resonator 9 and the peripheral wall 1A of the casing 1 is, for example, 3 mm, the conductor films 7'and 8'and the bottom surface 2A,
When the three-dimensional electromagnetic field simulation is performed with the gap dimension h with the lid surface 3A set to, for example, 1.5 mm,
The analysis results shown in FIGS. 10 and 11 can be obtained.
【0050】ここで、図10は、2個の共振器9間の間
隔寸法gと共振器9間の結合係数kとの関係を示してい
る。一方、図11は、2個の共振器9間の間隔寸法gと
共振器9の偶モードの共振周波数feven、奇モードの共
振周波数fodd、中心の共振周波数fcとの関係を示して
いる。Here, FIG. 10 shows the relationship between the spacing dimension g between the two resonators 9 and the coupling coefficient k between the resonators 9. On the other hand, FIG. 11 shows the relationship between the interval dimension g between the two resonators 9, the even mode resonance frequency feven of the resonator 9, the odd mode resonance frequency fodd, and the central resonance frequency fc.
【0051】本実施の形態では、2個の共振器9間には
磁界結合を遮断する遮断隔壁5′が設けられているか
ら、偶モードの共振周波数fevenは、奇モードの共振周
波数foddよりも常に高くなる。このとき、2個の共振
器9は、磁界結合せず、誘電体基板6′内を通じて電界
結合する。In the present embodiment, since the blocking partition wall 5'for blocking the magnetic field coupling is provided between the two resonators 9, the even mode resonance frequency feven is higher than the odd mode resonance frequency fodd. Always higher At this time, the two resonators 9 are not magnetically coupled but are electrically coupled through the dielectric substrate 6 '.
【0052】また、結合係数kは偶モードの共振周波数
feven、奇モードの共振周波数foddによって以下の数
1のように表すことができる。The coupling coefficient k can be expressed by the following equation 1 by the even mode resonance frequency feven and the odd mode resonance frequency fodd.
【0053】[0053]
【数1】 [Equation 1]
【0054】そして、結合係数kは、図10に示すよう
に2個の共振器9間の間隔寸法gが増加するに従って指
数近似的に減少するから、間隔寸法gを適宜設定するこ
とによって結合係数kを所望の値に設定することができ
る。Since the coupling coefficient k decreases exponentially as the spacing dimension g between the two resonators 9 increases as shown in FIG. 10, the coupling coefficient k is appropriately set. k can be set to a desired value.
【0055】かくして、本実施の形態では、複数個の共
振器9を互いに平行に延びて電界ベクトルEが対向する
方向に配置したから、複数個の共振器9は誘電体基板6
の内部を通じて電界結合する。このため、入力部10に
よって初段の共振器9に励振された高周波信号は、共振
器9内で共振すると共に、隣合う他の共振器9に順次結
合するから、共振器9の共振周波数を中心とした帯域の
高周波信号を終段の共振器9に励振させることができ、
帯域通過フィルタを構成することができる。Thus, in the present embodiment, since the plurality of resonators 9 extend in parallel with each other and are arranged in the direction in which the electric field vectors E face each other, the plurality of resonators 9 are formed on the dielectric substrate 6.
The electric field is coupled through the inside of. Therefore, the high frequency signal excited in the first-stage resonator 9 by the input unit 10 resonates in the resonator 9 and is sequentially coupled to the adjacent other resonators 9, so that the resonance frequency of the resonator 9 is centered. It is possible to excite the high frequency signal in the band
A bandpass filter can be constructed.
【0056】特に、1枚の誘電体基板6に対して複数個
の共振器9を形成したから、誘電体基板6をケーシング
1に取付けることによって、全ての共振器9を位置決め
することができる。このため、従来技術のように、複数
の誘電体基板を用いて誘電体フィルタを構成した場合に
比べて、フィルタ特性のばらつきを低減して安定させる
ことができると共に、生産性を向上することができ、製
造コストを低減することができる。In particular, since a plurality of resonators 9 are formed on one dielectric substrate 6, all the resonators 9 can be positioned by mounting the dielectric substrate 6 on the casing 1. Therefore, as compared with the case where a dielectric filter is configured by using a plurality of dielectric substrates as in the related art, it is possible to reduce variations in filter characteristics and stabilize the characteristics, and improve productivity. Therefore, the manufacturing cost can be reduced.
【0057】また、スロット9A,9Bの両端側が誘電
体基板6の端面まで延びる構成としたから、両端開放型
の共振器9を構成することができる。このため、磁界の
集中するスロット9A,9Bの両端部分に導体膜7,8
がないから、導体膜7,8の表面電流の集中する箇所を
少なくすることができ、共振器9の導体損を抑制するこ
とができる。従って、例えば両端が短絡した両端短絡型
共振器に比べて共振器9の無負荷Qを高めることがで
き、誘電体フィルタの損失を低減することができる。Since both ends of the slots 9A and 9B extend to the end surface of the dielectric substrate 6, the both ends open type resonator 9 can be formed. Therefore, the conductor films 7 and 8 are formed on both ends of the slots 9A and 9B where the magnetic field is concentrated.
Therefore, it is possible to reduce the area where the surface currents of the conductor films 7 and 8 are concentrated, and it is possible to suppress the conductor loss of the resonator 9. Therefore, for example, the no-load Q of the resonator 9 can be increased and the loss of the dielectric filter can be reduced as compared with a resonator with both ends short-circuited.
【0058】また、ケーシング1には、複数個の共振器
9間で磁界結合を遮断する遮断隔壁5を形成したから、
隣合う共振器9は誘電体基板6内を通じて電界結合す
る。このため、従来技術のように共振器間を磁界結合さ
せる場合に比べて共振器9間の結合係数を小さくするこ
とができるから、共振器9間の間隔を狭めることがで
き、誘電体フィルタ全体を小型化することができる。Since the casing 1 is formed with the blocking partition 5 for blocking the magnetic field coupling between the plurality of resonators 9,
Adjacent resonators 9 are electrically coupled through the dielectric substrate 6. Therefore, the coupling coefficient between the resonators 9 can be made smaller than that in the case of magnetic field coupling between the resonators as in the conventional technique, so that the interval between the resonators 9 can be narrowed and the entire dielectric filter can be obtained. Can be miniaturized.
【0059】さらに、ケーシング1には、誘電体基板6
の近傍に位置して初段の共振器9に結合可能な入力部1
0と終段の共振器9に結合可能な出力部11とを設けた
から、入力部10から出力部11に向けて隣合う共振器
9間の結合を用いて高周波信号を伝搬させることがで
き、入力部10と出力部11との間に容易に帯域通過フ
ィルタを構成することができる。Further, the casing 1 includes a dielectric substrate 6
The input section 1 located near the and connectable to the first-stage resonator 9
Since 0 and the output part 11 that can be coupled to the final stage resonator 9 are provided, a high frequency signal can be propagated by using the coupling between the adjacent resonators 9 from the input part 10 toward the output part 11. A bandpass filter can be easily formed between the input unit 10 and the output unit 11.
【0060】次に、図12および図13は本発明の第2
の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、複数個の
スロットは、その一端側が誘電体基板の端面まで延びて
開放し、他端側が導体膜によって誘電体基板の端面と隔
てられて短絡した片端開放型共振器を構成したことにあ
る。なお、本実施の形態では、第1の実施の形態と同一
の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するも
のとする。Next, FIGS. 12 and 13 show the second embodiment of the present invention.
The present embodiment is characterized in that the plurality of slots are such that one end of each of the slots extends to the end surface of the dielectric substrate and is open, and the other end is separated from the end surface of the dielectric substrate by the conductor film. The purpose is to construct a short-circuited open-ended resonator. In addition, in this embodiment, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【0061】21は本実施の形態による共振器で、該共
振器21は、第1の実施の形態による共振器9と同様に
誘電体基板6に例えば3個設けられ、導体膜7,8にそ
れぞれ設けられた一対のスロット21A,21Bによっ
て構成されている。また、スロット21A,21Bは、
誘電体基板6を挟んで互いに対向する位置に設けられ、
誘電体基板6の前,後方向に延びている。Reference numeral 21 denotes a resonator according to the present embodiment. For example, three resonators 21 are provided on the dielectric substrate 6 in the same manner as the resonator 9 according to the first embodiment, and are provided on the conductor films 7 and 8. It is constituted by a pair of slots 21A and 21B provided respectively. Further, the slots 21A and 21B are
Provided at positions facing each other with the dielectric substrate 6 interposed therebetween,
It extends in the front and rear directions of the dielectric substrate 6.
【0062】ここで、スロット21A,21Bは、その
前端側が誘電体基板6の端面にまで延びるものの、後端
側は誘電体基板6の前,後方向の途中位置まで延び、導
体膜7,8と一体となった短絡部22によって誘電体基
板6の端面とは隔てられている。このため、スロット2
1A,21Bは、その前端が電気的に開放され、後端が
短絡部22によって短絡された片端開放型の共振器21
を構成している。Here, the slots 21A, 21B have their front end sides extending to the end faces of the dielectric substrate 6, but their rear end sides extend to the middle positions in the front and rear directions of the dielectric substrate 6, and the conductor films 7, 8 are formed. It is separated from the end surface of the dielectric substrate 6 by the short-circuit portion 22 that is integrated with. Therefore, slot 2
1A and 21B are open-ended resonators 21 whose front end is electrically open and whose rear end is short-circuited by a short-circuit portion 22.
Are configured.
【0063】また、共振器21の長さ寸法L1は、所望
の共振周波数に対応した誘電体基板6中の高周波信号の
波長をλとしたときに、例えば(2n−1)λ/4程度
の値(但し、n:1以上の整数)に設定されている。The length dimension L1 of the resonator 21 is, for example, about (2n-1) λ / 4, where λ is the wavelength of the high frequency signal in the dielectric substrate 6 corresponding to the desired resonance frequency. It is set to a value (however, n is an integer of 1 or more).
【0064】さらに、3個の共振器21は、誘電体基板
6の前,後方向に離間して互いに左,右方向に平行に延
び、各共振器21に生じる電界ベクトルが互いに対向す
る方向に配置されている。Furthermore, the three resonators 21 are spaced apart in the front and rear directions of the dielectric substrate 6 and extend parallel to each other in the left and right directions, so that the electric field vectors generated in the respective resonators 21 face each other. It is arranged.
【0065】かくして、本実施の形態でも第1の実施の
形態と同様に帯域通過フィルタとしての作用効果を得る
ことができる。但し、本実施の形態では、スロット21
A,21Bの前端だけを開放して片端開放型の共振器2
1を構成したから、両端開放型の共振器を用いた場合に
比べて共振器21の後端側で導体損が生じ易く、無負荷
Qが低下する傾向がある。しかし、スロット21A,2
1Bの長さ寸法L1は共振周波数に対応した波長λの1
/4程度の値(λ/4)に設定することができるから、
誘電体基板6の前,後方向の寸法を小さくすることがで
き、誘電体フィルタを小型化することができる。In this way, also in the present embodiment, it is possible to obtain the same operational effect as the band pass filter as in the first embodiment. However, in this embodiment, the slot 21
Resonator 2 with one end open by opening only the front ends of A and 21B
1, the conductor loss is more likely to occur on the rear end side of the resonator 21 and the no-load Q tends to be lower than in the case of using the resonator of which both ends are open. However, the slots 21A, 2
The length dimension L1 of 1B is 1 of the wavelength λ corresponding to the resonance frequency.
Since it can be set to a value of about / 4 (λ / 4),
The front and rear dimensions of the dielectric substrate 6 can be reduced, and the dielectric filter can be downsized.
【0066】前記第1,第2の実施の形態では、全ての
共振器9,21を両端開放型または片端開放型にするも
のとした。しかし、本発明はこれに限らず、図14に示
す第1の変形例のように例えば初段と終段に片端開放型
の共振器23を配置し、これらの共振器23間に位置す
る中段に両端開放型の共振器24を配置し、両端開放型
共振器と片端開放型共振器とが混在する構成としてもよ
い。In the first and second embodiments, all the resonators 9 and 21 are open-ended type or open-ended type. However, the present invention is not limited to this, and as in the first modification shown in FIG. 14, for example, open-ended resonators 23 are arranged in the first stage and the final stage, and in the middle stage located between these resonators 23. The open-ended resonator 24 may be arranged so that the open-ended resonator and the open-ended resonator are mixed.
【0067】次に、図15および図16は本発明の第3
の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、初段と終
段のスロットは片端開放型共振器を構成すると共に、該
片端開放型共振器に隣接してトラップ共振器を設けたこ
とにある。なお、本実施の形態では、第1の実施の形態
と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略
するものとする。Next, FIGS. 15 and 16 show the third embodiment of the present invention.
The embodiment is characterized by the fact that the slots at the first stage and the final stage constitute a single-ended open resonator, and a trap resonator is provided adjacent to the single-ended open resonator. is there. In addition, in this embodiment, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【0068】31は誘電体基板6の左,右方向の両側に
設けられた共振器で、該共振器31は、導体膜7,8に
それぞれ設けられた互いに対向する一対のスロット31
A,31Bによって構成され、スロット31A,31B
は、前,後方向に延びている。また、スロット31A,
31Bは、その前端側が誘電体基板6の端面にまで延び
て開放すると共に、後端側が誘電体基板6の前,後方向
の途中位置まで延びて導体膜7,8と一体となった短絡
部32によって短絡され、方端開放型の共振器31を構
成している。Reference numeral 31 is a resonator provided on both the left and right sides of the dielectric substrate 6, and the resonator 31 is a pair of slots 31 provided on the conductor films 7 and 8 and facing each other.
A and 31B, and slots 31A and 31B
Extends in the front and rear directions. In addition, the slots 31A,
The front end side of 31B extends to the end surface of the dielectric substrate 6 to be opened, and the rear end side extends to an intermediate position in the front and rear directions of the dielectric substrate 6 and is integrated with the conductor films 7 and 8. The resonator 31 is short-circuited by 32 and forms an open-ended resonator 31.
【0069】33は2個の共振器31の間に位置する中
段の共振器で、該共振器33も共振器31と同様に導体
膜7,8にそれぞれ設けられた前,後方向に延びて互い
に対向する一対のスロット31A,31Bによって構成
されている。また、スロット33A,33Bは、その前
端側が誘電体基板6の端面にまで延びて開放すると共
に、後端側が誘電体基板6の前,後方向の途中位置まで
延びて導体膜7,8と一体となった短絡部34によって
短絡され、方端開放型の共振器33を構成している。Reference numeral 33 denotes a middle-stage resonator located between the two resonators 31. Like the resonator 31, the resonator 33 extends in the front and rear directions provided on the conductor films 7 and 8, respectively. It is composed of a pair of slots 31A and 31B facing each other. The front ends of the slots 33A and 33B extend to the end surface of the dielectric substrate 6 to open, and the rear ends of the slots 33A and 33B extend to intermediate positions in the front and rear directions of the dielectric substrate 6 to be integrated with the conductor films 7 and 8. Is short-circuited by the short-circuited portion 34, which constitutes an open-ended resonator 33.
【0070】そして、3個の共振器31,33は、誘電
体基板6の左,右方向に離間して互いに平行に延び、各
共振器31,33に生じる電界ベクトルが互いに対向す
る方向に配置され、全体として帯域通過フィルタを構成
している。The three resonators 31 and 33 are spaced apart in the left and right directions of the dielectric substrate 6 and extend in parallel with each other, and the electric field vectors generated in the resonators 31 and 33 are arranged in directions opposite to each other. And constitutes a bandpass filter as a whole.
【0071】35は初段と終段の共振器31に隣接して
設けられたトラップ共振器で、該トラップ共振器35
は、導体膜7,8にそれぞれ設けられた互いに対向する
一対のスロット35A,35Bによって構成され、スロ
ット35A,35Bは、共振器31のスロット31A,
31Bとほぼ同じ幅寸法をもって前,後方向に延びてい
る。Reference numeral 35 denotes a trap resonator provided adjacent to the first-stage and last-stage resonators 31.
Is formed by a pair of slots 35A and 35B provided in the conductor films 7 and 8 and facing each other. The slots 35A and 35B are the slots 31A and 35B of the resonator 31, respectively.
It has a width dimension substantially the same as 31B and extends in the front and rear directions.
【0072】また、スロット35A,35Bは、短絡部
32を挟んでスロット31A,31Bと逆方向に延び、
その前端側が短絡部32によって短絡されると共に、後
端側が誘電体基板6の端面にまで延びて開放され、方端
開放型のトラップ共振器35を構成している。そして、
トラップ共振器35の長さ寸法L2は、その共振周波数
が共振器31,33からなる帯域通過フィルタのカット
オフ周波数近傍の値となるように設定されている。Further, the slots 35A and 35B extend in the direction opposite to the slots 31A and 31B with the short-circuit portion 32 interposed therebetween,
The front end side thereof is short-circuited by the short-circuit portion 32, and the rear end side thereof is extended to the end surface of the dielectric substrate 6 and opened, thereby forming a trap resonator 35 of an open-ended type. And
The length dimension L2 of the trap resonator 35 is set so that its resonance frequency is a value near the cutoff frequency of the bandpass filter including the resonators 31 and 33.
【0073】かくして、本実施の形態でも第1の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本
実施の形態では、片端開放型の共振器31の近傍にトラ
ップ共振器35を設けたから、トラップ共振器35の共
振周波数での減衰量を大きくすることができ、例えば帯
域通過フィルタのカットオフ周波数付近の減衰の立上り
を急峻にすることができる。これにより、帯域通過フィ
ルタのカットオフ周波数付近で通過域と減衰域との減衰
量の差を大きくすることができる。Thus, in this embodiment, it is possible to obtain the same effect as that of the first embodiment. However, in the present embodiment, since the trap resonator 35 is provided in the vicinity of the one-end open type resonator 31, the amount of attenuation at the resonance frequency of the trap resonator 35 can be increased, and for example, the bandpass filter cutoff can be reduced. It is possible to make the rise of attenuation near the off frequency steep. This makes it possible to increase the difference in attenuation between the pass band and the attenuation band near the cutoff frequency of the bandpass filter.
【0074】次に、図17は本発明の第4の実施の形態
を示し、本実施の形態の特徴は、ケーシングには誘電体
基板の近傍に位置して複数個のスロットに結合可能な伝
送線路を設け、帯域阻止フィルタとして構成したことに
ある。なお、本実施の形態では、第1の実施の形態と同
一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略する
ものとする。Next, FIG. 17 shows a fourth embodiment of the present invention. The feature of this embodiment is that the casing is located near the dielectric substrate and can be coupled to a plurality of slots. A line is provided and the band stop filter is configured. In addition, in this embodiment, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【0075】41は誘電体基板6の前側端面の近傍に設
けられた伝送線路部で、該伝送線路部41は、例えばプ
リント基板41Aの表面に伝送線路41Bを形成するこ
とによって構成されている。そして、伝送線路41B
は、各共振器9の開放端に沿って誘電体基板6の左,右
方向に延びると共に、隣合う2個の共振器9間の伝送線
路部41の位相θが90°となるようにその長さ寸法、
プリント基板41Aの材質等が設定されている。そし
て、伝送線路41Bは、各共振器9と磁界結合する。Reference numeral 41 is a transmission line portion provided in the vicinity of the front end surface of the dielectric substrate 6, and the transmission line portion 41 is formed by forming a transmission line 41B on the surface of the printed board 41A, for example. And the transmission line 41B
Extends in the left and right directions of the dielectric substrate 6 along the open ends of the resonators 9, and the phase θ of the transmission line portion 41 between two adjacent resonators 9 is 90 °. Length dimension,
The material and the like of the printed circuit board 41A are set. The transmission line 41B is magnetically coupled to each resonator 9.
【0076】かくして、本実施の形態は伝送線路41B
は3個の共振器9に結合するから、共振器9の共振周波
数を中心とした帯域の高周波信号が伝送線路41Bを伝
搬するのを阻止することができ、帯域阻止フィルタを構
成することができる。Thus, in this embodiment, the transmission line 41B
Is coupled to the three resonators 9, it is possible to prevent a high-frequency signal in a band centered on the resonance frequency of the resonators 9 from propagating through the transmission line 41B, and thus a band stop filter can be configured. .
【0077】次に、図18ないし図25は本発明の第5
の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、ケーシン
グには複数個のスロット間で磁界結合を許容する空間部
を形成したことにある。なお、本実施の形態では、第1
の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、そ
の説明を省略するものとする。Next, FIGS. 18 to 25 show a fifth embodiment of the present invention.
The embodiment is characterized by the fact that the casing is formed with a space that allows magnetic field coupling between the plurality of slots. In this embodiment, the first
The same components as those in the embodiment will be designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【0078】51は本実施の形態によるケーシングで、
該ケーシング51は導電性金属材料によって箱状に形成
され、第1の実施の形態による底体2、蓋体3とほぼ同
様の底体52、蓋体53とによって構成されている。そ
して、底体52の底板52Aと蓋体53の蓋板53Aと
は互いに対面する一対の導体面を形成している。Reference numeral 51 denotes a casing according to this embodiment,
The casing 51 is formed of a conductive metal material in a box shape, and includes a bottom body 52 and a lid body 53 that are substantially the same as the bottom body 2 and the lid body 3 according to the first embodiment. The bottom plate 52A of the bottom body 52 and the lid plate 53A of the lid body 53 form a pair of conductor surfaces facing each other.
【0079】また、ケーシング51には、底板52Aと
蓋板53Aとの間に位置して外周側を取囲む四角形の枠
状をなした周壁51Aが形成されている。そして、ケー
シング51の内部には、底板52A、蓋板53A、周壁
51Aによって取囲まれることによって、誘電体基板6
を収容する収容空間54が画成されている。Further, the casing 51 is provided with a peripheral wall 51A which is located between the bottom plate 52A and the cover plate 53A and which has a rectangular frame shape and surrounds the outer peripheral side. The casing 51 is surrounded by the bottom plate 52A, the lid plate 53A, and the peripheral wall 51A, so that the dielectric substrate 6
An accommodation space 54 for accommodating the is defined.
【0080】また、ケーシング51の内部には、底板5
2A、蓋板53Aから誘電体基板6に向けて延びる接続
隔壁55が設けられ、該接続隔壁55は、隣合う2個の
共振器9間に位置した導体膜7,8に接続されている。
これにより、導体膜7,8は、接続隔壁55を通じてケ
ーシング51に接続され、浮き電極とならないようにケ
ーシング51と同じ電位に保持されている。The bottom plate 5 is provided inside the casing 51.
A connection partition wall 55 extending from 2A and the cover plate 53A toward the dielectric substrate 6 is provided, and the connection partition wall 55 is connected to the conductor films 7 and 8 located between two adjacent resonators 9.
As a result, the conductor films 7 and 8 are connected to the casing 51 through the connection partition wall 55 and are held at the same potential as the casing 51 so as not to serve as floating electrodes.
【0081】一方、接続隔壁55の前,後方向両端側に
は、周壁51Aとの間に隙間が形成され、該隙間によっ
て隣合う共振器9間の磁界結合を許容する空間部56が
画成されている。On the other hand, a gap is formed between the peripheral wall 51A on both front and rear sides of the connection partition wall 55, and a space portion 56 is defined by the gap, which allows magnetic coupling between the adjacent resonators 9. Has been done.
【0082】57は誘電体基板6の前側端面の近傍に位
置して3個の共振器9に結合可能な伝送線路部で、該伝
送線路部57は、例えばプリント基板57Aの表面に伝
送線路57Bを形成することによって構成されている。
そして、伝送線路57Bは、各共振器9の開放端に沿っ
て誘電体基板6の左,右方向に延びると共に、隣合う2
個の共振器9間の伝送線路部57の位相θが90°とな
るように、その長さ寸法やプリント基板57Aの材質等
が設定されている。そして、伝送線路57Bは、各共振
器9と磁界結合する。Reference numeral 57 denotes a transmission line portion located near the front end surface of the dielectric substrate 6 and capable of being coupled to the three resonators 9. The transmission line portion 57 is, for example, a transmission line 57B on the surface of the printed board 57A. Is formed by forming.
The transmission line 57B extends to the left and right of the dielectric substrate 6 along the open ends of the resonators 9 and is adjacent to each other.
The length dimension, the material of the printed circuit board 57A, etc. are set so that the phase θ of the transmission line portion 57 between the individual resonators 9 becomes 90 °. The transmission line 57B is magnetically coupled to each resonator 9.
【0083】本実施の形態による誘電体フィルタは上述
の如き構成を有するもので、伝送線路57Bは3個の共
振器9に結合するから、共振器9の共振周波数を中心と
した帯域の高周波信号が伝送線路57Bを伝搬するのを
阻止することができ、帯域阻止フィルタを構成すること
ができる。The dielectric filter according to the present embodiment has the above-described structure, and since the transmission line 57B is coupled to the three resonators 9, the high frequency signal in the band centering on the resonance frequency of the resonator 9 is used. Can be prevented from propagating through the transmission line 57B, and a band elimination filter can be configured.
【0084】ここで、複数の共振器9間の結合作用につ
いて図20ないし図25を参照しつつ説明する。Here, the coupling action between the plurality of resonators 9 will be described with reference to FIGS.
【0085】ここで、相互に結合する2個の共振器9を
順次組合せることによって、3個以上の共振器9が結合
する場合を説明することができる。このため、図20お
よび図21に示すように2個の共振器9が結合している
解析モデルについて検討する。なお、解析モデルにおい
て、3個の共振器9からなる実施の形態と対応する構成
要素にはダッシュ(′)を付すものとし、伝送線路部5
7は省略するものとする。Here, the case where three or more resonators 9 are coupled can be described by sequentially combining two resonators 9 coupled to each other. Therefore, an analytical model in which two resonators 9 are coupled as shown in FIGS. 20 and 21 will be examined. In the analysis model, components corresponding to those of the embodiment including the three resonators 9 are given a dash ('), and the transmission line unit 5
7 is omitted.
【0086】まず、一方の共振器9に高周波信号を励振
すると、2個の共振器9間で結合が生じ、他方の共振器
9にも高周波信号が励振される。このとき、2個の共振
器9は、それぞれの共振器9に励振される電界Eが互い
に同一方向となる偶モード(図20、図21参照)また
は逆方向となる奇モード(図22、図23参照)で結合
する。First, when a high frequency signal is excited in one of the resonators 9, coupling occurs between the two resonators 9, and the high frequency signal is also excited in the other resonator 9. At this time, the two resonators 9 have an even mode (see FIGS. 20 and 21) in which the electric fields E excited by the respective resonators 9 are in the same direction (see FIGS. 20 and 21) or an odd mode in which the electric fields E are in the opposite directions (see FIGS. 22 and 22). 23)).
【0087】そして、誘電体基板6′の比誘電率εrを
例えば24、誘電体基板6′の厚さ寸法tを例えば0.
6mm、共振器9の長さ寸法L0を例えば1.86m
m、共振器9の両端とケーシング1の周壁1Aとの隙間
寸法Sを例えば3mm、導体膜7′,8′と底面2A、
蓋面3Aとの隙間寸法hを例えば1.5mmにそれぞれ
設定し、三次元電磁界シミュレーションを行った場合、
図24および図25に示す解析結果を得ることができ
る。The relative permittivity εr of the dielectric substrate 6'is, for example, 24, and the thickness dimension t of the dielectric substrate 6'is, for example, 0.
6 mm, the length L0 of the resonator 9 is set to 1.86 m, for example.
m, the gap dimension S between both ends of the resonator 9 and the peripheral wall 1A of the casing 1 is, for example, 3 mm, the conductor films 7'and 8'and the bottom surface 2A,
When the three-dimensional electromagnetic field simulation is performed with the gap dimension h with the lid surface 3A set to, for example, 1.5 mm,
The analysis results shown in FIGS. 24 and 25 can be obtained.
【0088】ここで、図24は、2個の共振器9間の間
隔寸法gと共振器9間の結合係数kとの関係を示してい
る。一方、図25は、2個の共振器9間の間隔寸法gと
共振器9の偶モードの共振周波数feven、奇モードの共
振周波数fodd、中心の共振周波数fcとの関係を示して
いる。Here, FIG. 24 shows the relationship between the space dimension g between the two resonators 9 and the coupling coefficient k between the resonators 9. On the other hand, FIG. 25 shows the relationship between the space dimension g between the two resonators 9, the even mode resonance frequency feven of the resonator 9, the odd mode resonance frequency fodd, and the center resonance frequency fc.
【0089】本実施の形態では、2個の共振器9間には
磁界結合を許容する空間部56′が設けられているか
ら、共振器9間の誘電体基板6′内での電界結合と共振
器9の両端側に位置する空間部56での磁界結合とが混
在している。この結果、共振器9間の間隔寸法gが0〜
0.24mmの範囲では、偶モードの共振周波数feven
は、奇モードの共振周波数foddよりも高く、電界結合
の方が磁界結合よりも大きくなる。一方、共振器9間の
間隔寸法gが0.24mm以上の範囲では、偶モードの
共振周波数fevenは、奇モードの共振周波数foddより
も低く、磁界結合の方が電界結合よりも大きくなる。そ
して、共振器9間の間隔寸法gが0.24mmのところ
では、電界結合と磁界結合の大きさが等しくなって互い
に相殺するから、共振器9間の結合係数は零になる。In the present embodiment, since the space 56 'for permitting magnetic field coupling is provided between the two resonators 9, electric field coupling between the resonators 9 in the dielectric substrate 6'is provided. Magnetic field coupling in the space portions 56 located on both ends of the resonator 9 is mixed. As a result, the distance g between the resonators 9 is 0 to
In the range of 0.24 mm, the even mode resonance frequency feven
Is higher than the resonance frequency fodd of the odd mode, and the electric field coupling becomes larger than the magnetic field coupling. On the other hand, in the range where the gap dimension g between the resonators 9 is 0.24 mm or more, the even mode resonance frequency feven is lower than the odd mode resonance frequency fodd, and the magnetic field coupling is higher than the electric field coupling. When the distance g between the resonators 9 is 0.24 mm, the electric field coupling and the magnetic field coupling are equal to each other and cancel each other, so that the coupling coefficient between the resonators 9 becomes zero.
【0090】このため、本実施の形態では、共振器9間
の間隔寸法gを電界結合と磁界結合とが相殺する値(g
=0.24mm)に設定し、共振器9間のアイソレーシ
ョンを高めている。Therefore, in the present embodiment, the value (g) at which the space dimension g between the resonators 9 is canceled by the electric field coupling and the magnetic field coupling.
= 0.24 mm) to enhance isolation between the resonators 9.
【0091】かくして、本実施の形態でも第1の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本
実施の形態では、ケーシング51には共振器9間の磁界
結合を許容する空間部56を設けたから、共振器9間の
間隔寸法gを電界結合と磁界結合とが相殺する値に設定
することによって、共振器9間の結合係数をほぼ零に設
定することができる。In this way, also in this embodiment, it is possible to obtain the same effects as those of the first embodiment. However, in this embodiment, since the casing 51 is provided with the space 56 that allows magnetic field coupling between the resonators 9, the gap dimension g between the resonators 9 is set to a value that cancels the electric field coupling and the magnetic field coupling. By doing so, the coupling coefficient between the resonators 9 can be set to almost zero.
【0092】ここで、例えば第1の実施の形態と同様に
共振器9間を電界結合のみさせる場合には、共振器9間
の間隔寸法gを大きく(例えばg=1mm以上)しなけ
れば結合係数を零に近付けることができない(図10参
照)。Here, for example, when only the electric field coupling is performed between the resonators 9 as in the first embodiment, the distance g between the resonators 9 must be increased (for example, g = 1 mm or more) to perform the coupling. The coefficient cannot be brought close to zero (see FIG. 10).
【0093】これに対し、本実施の形態では、電界結合
と磁界結合とが相殺させて共振器9間の結合係数をほぼ
零に設定するから、共振器9間の間隔寸法gを小さい値
(例えばg=0.24mm)に設定することができ、誘
電体フィルタ全体を小型化することができる。On the other hand, in the present embodiment, the electric field coupling and the magnetic field coupling cancel each other to set the coupling coefficient between the resonators 9 to substantially zero, so that the interval dimension g between the resonators 9 is set to a small value ( For example, g = 0.24 mm) can be set, and the entire dielectric filter can be downsized.
【0094】次に、図26および図27は本発明の第6
の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、ケーシン
グを裏面側プリント基板と表面側プリント基板とによっ
て構成し、誘電体基板をこれらのプリント基板間に挟持
する構成としたことにある。なお、本実施の形態では、
第1の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付
し、その説明を省略するものとする。Next, FIGS. 26 and 27 show a sixth embodiment of the present invention.
This embodiment is characterized in that the casing is composed of a back side printed circuit board and a front side printed circuit board, and a dielectric substrate is sandwiched between these printed circuit boards. In the present embodiment,
The same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【0095】61は本実施の形態によるケーシングで、
該ケーシング61は略四角形状をなす裏面側プリント基
板62と表面側プリント基板63とによって構成され、
裏面側プリント基板62の裏面には略全面に亘って導電
性金属薄膜からなる導体面62Aが形成されると共に、
表面側プリント基板63の表面にも略全面に亘って導体
面62Aと同様の導体面63Aが形成されている。Reference numeral 61 denotes a casing according to this embodiment,
The casing 61 is composed of a back surface side printed circuit board 62 and a front surface side printed circuit board 63 having a substantially rectangular shape,
A conductive surface 62A made of a conductive metal thin film is formed on substantially the entire back surface of the back side printed circuit board 62, and
A conductor surface 63A similar to the conductor surface 62A is formed over the entire surface of the front-side printed circuit board 63.
【0096】また、裏面側プリント基板62の表面には
その外周縁に沿って帯状に延びる周壁電極62Bが形成
されると共に、裏面側プリント基板62の左,右方向途
中位置には裏面側プリント基板62を前,後方向に横断
して共振器9間の導体膜8に接触可能な接続電極62C
が形成されている。A peripheral wall electrode 62B is formed on the surface of the back side printed circuit board 62 and extends in a strip shape along the outer periphery of the back side printed circuit board 62. The back side printed circuit board 62 is located at an intermediate position in the left and right directions of the back side printed circuit board 62. A connection electrode 62C that can contact the conductor film 8 between the resonators 9 by traversing 62 in the front and rear directions.
Are formed.
【0097】一方、表面側プリント基板63の裏面には
その外周縁に沿って帯状に延びる周壁電極63Bが形成
されると共に、裏面側プリント基板63の左,右方向途
中位置には裏面側プリント基板63を前,後方向に横断
して共振器9間の導体膜7に接触可能な接続電極63C
が形成されている。On the other hand, on the back surface of the front surface side printed circuit board 63, a peripheral wall electrode 63B extending in a strip shape is formed along the outer peripheral edge of the front surface side printed circuit board 63, and the back surface side printed circuit board 63 is located at an intermediate position in the left and right directions of the back surface side printed circuit board 63. A connecting electrode 63C that can come into contact with the conductor film 7 between the resonators 9 across 63 in the front and rear directions.
Are formed.
【0098】そして、これらのプリント基板62,63
には、高周波信号の波長よりも十分に短い間隔で複数の
スルーホール64が形成されている。Then, these printed circuit boards 62, 63
, A plurality of through holes 64 are formed at intervals sufficiently shorter than the wavelength of the high frequency signal.
【0099】また、接続電極62C,63Cは誘電体基
板6の導体膜7,8に接続されている。これにより、導
体膜7,8は、スルーホール64を通じてプリント基板
62,63の導体面62A,63Aに接続され、導体面
62A,63Aと同じ電位に保持されている。The connection electrodes 62C and 63C are connected to the conductor films 7 and 8 of the dielectric substrate 6. As a result, the conductor films 7 and 8 are connected to the conductor surfaces 62A and 63A of the printed boards 62 and 63 through the through holes 64 and are held at the same potential as the conductor surfaces 62A and 63A.
【0100】65は裏面側プリント基板62に形成され
た入力部で、該入力部65は、誘電体基板6の近傍に位
置して裏面側プリント基板62の表面に設けられたコプ
レーナ線路等の伝送線路65Aによって構成されてい
る。そして、伝送線路65Aは、初段側の共振器9の開
放端に沿って延び、該共振器9と磁界結合する。Reference numeral 65 denotes an input section formed on the back side printed circuit board 62. The input section 65 is located in the vicinity of the dielectric substrate 6 and transmits a coplanar line or the like provided on the front side of the back side printed circuit board 62. It is constituted by the line 65A. The transmission line 65A extends along the open end of the resonator 9 on the first stage side and is magnetically coupled to the resonator 9.
【0101】66は裏面側プリント基板62に形成され
た出力部で、該出力部66は、入力部65と同様に誘電
体基板6の近傍に位置して裏面側プリント基板62の表
面に設けられた伝送線路66Aによって構成されてい
る。そして、伝送線路66Aは、初段側の共振器9の開
放端に沿って延び、該共振器9と磁界結合する。Reference numeral 66 denotes an output section formed on the back side printed circuit board 62. The output section 66 is provided on the front surface of the back side printed circuit board 62 in the vicinity of the dielectric substrate 6 like the input section 65. And the transmission line 66A. Then, the transmission line 66A extends along the open end of the resonator 9 on the first stage side and is magnetically coupled to the resonator 9.
【0102】かくして、本実施の形態でも第1の実施の
形態と同様に帯域通過フィルタとしての作用効果を得る
ことができる。しかし、本実施の形態では、ケーシング
61を2枚のプリント基板62,63によって構成した
から、2枚のプリント基板62,63の間に誘電体基板
6を挟持することによって容易に誘電体フィルタを組立
てることができる。このため、ケーシングを金属製の筐
体等によって形成するのに比べて複雑な加工が不要とな
るから、製造コストを低減することができる。As described above, also in this embodiment, it is possible to obtain the same operational effect as the bandpass filter as in the first embodiment. However, in the present embodiment, since the casing 61 is composed of the two printed boards 62 and 63, the dielectric substrate 6 is sandwiched between the two printed boards 62 and 63 to easily form the dielectric filter. Can be assembled. Therefore, as compared with the case where the casing is made of a metal casing or the like, complicated processing is not required, so that the manufacturing cost can be reduced.
【0103】また、裏面側プリント基板62には入力部
65、出力部66を形成することができるから、これら
をケーシングとは別個に形成した場合に比べて入力部等
をケーシングに取付ける工程を省くことができ、生産性
を向上することができる。Further, since the input portion 65 and the output portion 66 can be formed on the back side printed circuit board 62, the step of attaching the input portion and the like to the casing is omitted as compared with the case where these are formed separately from the casing. It is possible to improve productivity.
【0104】なお、第6の実施の形態では裏面側プリン
ト基板62には入力部65、出力部66を形成し、帯域
通過フィルタを構成するものとした。しかし、本発明は
これに限らず、例えば図28に示す第2の変形例のよう
に、裏面側プリント基板62には3個の共振器9に結合
可能な伝送線路67を形成し、帯域阻止フィルタを構成
してもよい。In the sixth embodiment, the back side printed circuit board 62 is provided with the input section 65 and the output section 66 to form a band pass filter. However, the present invention is not limited to this. For example, as in the second modification shown in FIG. 28, the transmission line 67 that can be coupled to the three resonators 9 is formed on the back side printed circuit board 62, and the band rejection is performed. You may comprise a filter.
【0105】この場合、裏面側プリント基板62には接
続電極62C′の前,後方向両端と周壁電極62B′と
の間に隙間を設けると共に、表面側プリント基板には接
続電極の前,後方向両端と周壁電極との間に隙間を設け
る構成としてもよい。これにより、第5の実施の形態と
ほぼ同様な帯域阻止フィルタを構成することができる。In this case, a gap is provided between the front and rear ends of the connection electrode 62C 'and the peripheral wall electrode 62B' on the back side printed circuit board 62, and the front side and back direction of the connection electrode on the front side printed circuit board. A configuration may be used in which a gap is provided between both ends and the peripheral wall electrode. As a result, it is possible to configure a band elimination filter that is substantially the same as that of the fifth embodiment.
【0106】次に、図29は本発明の第7の実施の形態
を示し、本実施の形態の特徴は、ケーシングには誘電体
基板の近傍に位置して互いに異なるスロットにそれぞれ
結合可能な入力部、出力部および入出力部を設け、デュ
プレクサとして構成したことにある。なお、本実施の形
態では、第1の実施の形態と同一の構成要素に同一の符
号を付し、その説明を省略するものとする。Next, FIG. 29 shows a seventh embodiment of the present invention. The feature of this embodiment is that the casing is provided with an input which is located near the dielectric substrate and can be coupled to different slots. Section, an output section, and an input / output section are provided and configured as a duplexer. In addition, in this embodiment, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【0107】71は本実施の形態によるケーシングで、
該ケーシング71は導電性金属材料によって箱状に形成
され、第1の実施の形態による底体2、蓋体3とほぼ同
様の底体、蓋体(底体のみ図示)によって構成されてい
る。そして、底体の底板と蓋体の蓋板とは互いに対向す
る2面の導体面を形成している。Reference numeral 71 denotes a casing according to this embodiment,
The casing 71 is formed of a conductive metal material into a box shape, and is composed of a bottom body and a lid body (only the bottom body is shown) substantially similar to the bottom body 2 and the lid body 3 according to the first embodiment. The bottom plate of the bottom body and the cover plate of the lid body form two conductor surfaces facing each other.
【0108】また、ケーシング71には、その外周側を
取囲む四角形の枠状をなした周壁71Aが形成されてい
る。さらに、ケーシング71の内部には、2つの誘電体
基板6を収容する収容空間72が画成されると共に、各
共振器9間の磁界結合を遮断する4つの遮断隔壁73が
設けられ、遮断隔壁73は、隣合う2個の共振器9間に
位置した導体膜7,8に接続されている。Further, the casing 71 is formed with a peripheral wall 71A having a quadrangular frame shape surrounding the outer peripheral side thereof. Further, a housing space 72 for housing the two dielectric substrates 6 is defined inside the casing 71, and four blocking partitions 73 for blocking the magnetic field coupling between the resonators 9 are provided. 73 is connected to the conductor films 7 and 8 located between two adjacent resonators 9.
【0109】そして、ケーシング71の内部には、底体
と蓋体とに挟まれて2つの誘電体基板6が取付けられ、
これらの誘電体基板6は左,右方向に離間して配置され
ている。Inside the casing 71, two dielectric substrates 6 are attached by being sandwiched between the bottom body and the lid body,
These dielectric substrates 6 are arranged apart from each other in the left and right directions.
【0110】74は左側の誘電体基板6の前側近傍に位
置して初段側の共振器9に結合可能な入力部で、該入力
部74はプリント基板74Aの表面に伝送線路74Bを
形成することによって構成されると共に、伝送線路74
Bは、共振器9の開放端に沿って延び、共振器9と磁界
結合する。Reference numeral 74 denotes an input portion located near the front side of the left dielectric substrate 6 and capable of being coupled to the resonator 9 on the first stage side. The input portion 74 has a transmission line 74B formed on the surface of the printed circuit board 74A. And the transmission line 74
B extends along the open end of the resonator 9 and is magnetically coupled to the resonator 9.
【0111】75は右側の誘電体基板6の前側近傍に位
置して終段側の共振器9に結合可能な出力部で、該出力
部75は、入力部74とほぼ同様にプリント基板75A
に伝送線路75Bを形成することによって構成されると
共に、伝送線路75Bは、共振器9の開放端に沿って延
び、共振器9と磁界結合する。Reference numeral 75 denotes an output portion located near the front side of the dielectric substrate 6 on the right side and capable of being coupled to the resonator 9 on the final stage side. The output portion 75 is substantially the same as the input portion 74.
And the transmission line 75B extends along the open end of the resonator 9 and is magnetically coupled to the resonator 9.
【0112】76は2つの誘電体基板6の後側近傍に配
置された入出力部で、該入出力部76は、プリント基板
76Aの表面に伝送線路76Bを形成することによって
構成されている。そして、伝送線路76Bは、左側の誘
電体基板6に対しては終段側の共振器9の開放端に沿っ
て延び、右側の誘電体基板6に対しては初段側の共振器
9の開放端に沿って延びている。これにより、伝送線路
76Bは、2つの誘電体基板6の共振器9とそれぞれ磁
界結合する。Reference numeral 76 is an input / output section arranged near the rear side of the two dielectric substrates 6, and the input / output section 76 is formed by forming a transmission line 76B on the surface of the printed board 76A. The transmission line 76B extends along the open end of the resonator 9 on the final stage side with respect to the dielectric substrate 6 on the left side, and opens the resonator 9 on the initial stage side with respect to the dielectric substrate 6 on the right side. It extends along the edge. As a result, the transmission line 76B is magnetically coupled to the resonators 9 of the two dielectric substrates 6 respectively.
【0113】かくして、本実施の形態でも第1の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本
実施の形態では、異なる共振器9にそれぞれ結合可能な
入力部74、出力部75、入出力部76を設けたから、
入力部74から入力された高周波信号を帯域通過特性と
保持しつつ入出力部76に伝搬させることができると共
に、入出力部76から入力された高周波信号を帯域通過
特性と保持しつつ出力部75に伝搬させることができ
る。このため、帯域通過フィルタを備えたデュプレクサ
を構成することができ、帯域通過フィルタを2つ用いて
別個独立して構成したものに比べて、全体を小型化する
ことができる。In this way, also in this embodiment, it is possible to obtain the same effect as that of the first embodiment. However, in the present embodiment, since the input section 74, the output section 75, and the input / output section 76 that can be respectively coupled to different resonators 9 are provided,
The high frequency signal input from the input unit 74 can be propagated to the input / output unit 76 while maintaining the band pass characteristic, and the high frequency signal input from the input / output unit 76 can be retained while maintaining the band pass characteristic and output unit 75. Can be propagated to. Therefore, it is possible to configure a duplexer including a bandpass filter, and it is possible to reduce the size of the duplexer as compared with a duplexer configured by using two bandpass filters separately and independently.
【0114】なお、前記第7の実施の形態では、ケーシ
ング71にはそれぞれ単一の入力部74、出力部75を
取付けてデュプレクサを構成するものとしたが、複数の
入力部、出力部等を取付けることによってマルチプレク
サを構成してもよい。In the seventh embodiment, a single input section 74 and a single output section 75 are attached to the casing 71 to form a duplexer, but a plurality of input sections, output sections, etc. are provided. The multiplexer may be configured by mounting.
【0115】また、前記第1および第2の実施の形態で
は、ケーシング1には共振器9間の磁界結合を遮断する
遮断隔壁5を設けた状態で帯域通過フィルタを構成する
ものとしたが、第5の実施の形態と同様にケーシング1
には共振器9間の磁界結合を許容する空間部を設けた状
態で帯域通過フィルタを構成してもよい。In the first and second embodiments, the bandpass filter is constructed with the casing 1 provided with the blocking partition 5 for blocking the magnetic field coupling between the resonators 9. Casing 1 as in the fifth embodiment
The bandpass filter may be configured with a space portion that allows magnetic field coupling between the resonators 9 to be provided.
【0116】さらに、前記各実施の形態では、3個の共
振器9,21,22,23,31,33を用いて誘電体
フィルタを構成するものとしたが、例えば2個の共振器
を用いて誘電体フィルタを構成してもよく、4個以上の
共振器を用いて誘電体フィルタを構成してもよい。Further, in each of the above-mentioned embodiments, the dielectric filter is constructed by using the three resonators 9, 21, 22, 23, 31, 33, but, for example, two resonators are used. May be used to form a dielectric filter, or four or more resonators may be used to form a dielectric filter.
【0117】[0117]
【発明の効果】以上詳述した如く、請求項1の発明によ
れば、誘電体基板には複数のスロットを互いに平行に延
びて電界ベクトルが対向する方向に配置する構成とした
から、スロットが共振器を構成すると共に、複数個の共
振器が誘電体基板の内部を通じて電界結合する。これに
より、一のスロットに入力された高周波信号は、該スロ
ット内で共振すると共に、隣合う他のスロットに順次結
合するから、帯域通過フィルタ、帯域阻止フィルタ等を
構成することができる。また、複数個の共振器は相互に
電界結合するから、従来技術のように磁界結合するもの
よりも共振器間の間隔を短くすることができ、誘電体フ
ィルタ全体を小型化することができる。さらに、単一の
誘電体基板に複数個の共振器を設ける構成としたから、
複数の誘電体基板を用いる場合に比べてフィルタ特性を
安定させることができると共に、生産性を向上すること
ができる。As described above in detail, according to the first aspect of the invention, the dielectric substrate has a plurality of slots extending in parallel with each other and arranged in the direction in which the electric field vectors face each other. A plurality of resonators are field-coupled through the inside of the dielectric substrate while forming a resonator. As a result, the high-frequency signal input to one slot resonates in the slot and is sequentially coupled to other adjacent slots, so that a band pass filter, a band stop filter, etc. can be configured. Further, since the plurality of resonators are electrically coupled to each other, the distance between the resonators can be made shorter than that of the magnetic field coupling as in the conventional technique, and the entire dielectric filter can be downsized. Furthermore, since a plurality of resonators are provided on a single dielectric substrate,
Compared with the case of using a plurality of dielectric substrates, the filter characteristics can be stabilized and the productivity can be improved.
【0118】請求項2の発明によれば、スロットによっ
て両端開放型共振器を構成したから、磁界の集中するス
ロットの両端部分から導体膜が省くことでき、全体の導
体損を抑制して共振器の無負荷Qを高めることができ
る。According to the second aspect of the present invention, since the both ends open type resonator is constituted by the slots, the conductor film can be omitted from both ends of the slot where the magnetic field is concentrated, and the overall conductor loss can be suppressed to suppress the resonator. No load Q can be increased.
【0119】請求項3の発明によれば、スロットによっ
て片端開放型共振器を構成したから、磁界の集中する部
分のうちスロットの一端部分の導体膜を省くことがで
き、両端短絡型共振器に比べて共振器の無負荷Qを高め
ることができる。また、同じ共振周波数を設定するとき
には、両端開放型共振器に比べてスロットの長さ寸法を
短くすることができ、誘電体フィルタを小型化すること
ができる。According to the invention of claim 3, since the one-end open type resonator is constituted by the slots, the conductor film at one end of the slot in the portion where the magnetic field is concentrated can be omitted, and the both-end short-circuit type resonator can be obtained. In comparison, the unloaded Q of the resonator can be increased. Further, when the same resonance frequency is set, the length dimension of the slot can be shortened as compared with the open-ended resonator, and the dielectric filter can be downsized.
【0120】請求項4の発明によれば、スロットによっ
て片端開放型共振器を構成すると共に、該片端開放型共
振器の近傍にはトラップ共振器を設ける構成としたか
ら、片端開放型共振器によって帯域通過フィルタ、帯域
阻止フィルタを構成することができる。また、トラップ
共振器の共振周波数を帯域通過フィルタ等のカットオフ
周波数近傍に設定することによって、カットオフ周波数
近傍の減衰量を大きくすることができ、遮断周波数付近
の減衰の立上りを急峻にすることができる。According to the invention of claim 4, the one-end open type resonator is constituted by the slot, and the trap resonator is provided in the vicinity of the one-end open type resonator. Therefore, the one-end open type resonator is used. A band pass filter and a band stop filter can be configured. Also, by setting the resonance frequency of the trap resonator near the cutoff frequency of a bandpass filter, etc., the amount of attenuation near the cutoff frequency can be increased, and the rise of attenuation near the cutoff frequency can be made steep. You can
【0121】請求項5の発明によれば、ケーシングには
複数個のスロット間で磁界結合を遮断する遮断隔壁を形
成したから、隣合うスロットは誘電体基板内を通じて電
界結合させることができ、磁界結合を用いる場合に比べ
て共振器間の間隔を狭め、誘電体フィルタ全体を小型化
することができる。According to the fifth aspect of the present invention, since the blocking partition for blocking the magnetic field coupling between the plurality of slots is formed in the casing, the adjacent slots can be field-coupled through the dielectric substrate, and the magnetic field It is possible to reduce the distance between the resonators and to downsize the entire dielectric filter as compared with the case of using the coupling.
【0122】請求項6の発明によれば、ケーシングには
複数個のスロット間で磁界結合を許容する空間部を形成
したから、隣合うスロットは誘電体基板内を通じて電界
結合すると共に、空間部を通じて磁界結合する。このと
き、スロット間の間隔寸法を電界結合と磁界結合とが相
殺する値に設定することによって、スロット間の結合係
数をほぼ零に設定することができるから、スロット間の
アイソレーションを高めることができる。また、スロッ
ト間の間隔寸法を電界結合と磁界結合とが相殺する値に
設定するから、電界結合と磁界結合の一方だけを用いる
場合に比べて共振器間の間隔を狭め、誘電体フィルタ全
体を小型化することができる。According to the sixth aspect of the present invention, the casing is formed with the space portion that allows the magnetic field coupling between the plurality of slots. Therefore, the adjacent slots are electrically coupled through the dielectric substrate and the space portion through the space portion. Magnetic field coupling. At this time, by setting the interval dimension between the slots to a value that cancels the electric field coupling and the magnetic field coupling, the coupling coefficient between the slots can be set to almost zero, so that the isolation between the slots can be improved. it can. Further, since the distance between the slots is set to a value that cancels the electric field coupling and the magnetic field coupling, the distance between the resonators is narrowed as compared with the case where only one of the electric field coupling and the magnetic field coupling is used, and the entire dielectric filter is It can be miniaturized.
【0123】請求項7の発明によれば、誘電体基板は裏
面側プリント基板と表面側プリント基板との間に挟持さ
れる構成としたから、ケーシングとなる2枚のプリント
基板の間に誘電体基板を挟持することによって誘電体フ
ィルタを構成することができ、ケーシングを金属製の筐
体等によって形成するのに比べて複雑な加工が不要とな
るから、生産性を向上することができる。According to the invention of claim 7, since the dielectric substrate is sandwiched between the back side printed circuit board and the front side printed circuit board, the dielectric substrate is sandwiched between the two printed circuit boards to be the casing. By sandwiching the substrate, the dielectric filter can be configured, and since complicated processing is not required as compared with the case where the casing is formed of a metal casing or the like, productivity can be improved.
【0124】請求項8の発明によれば、ケーシングには
誘電体基板の近傍に位置して一のスロットに結合可能な
入力部と、該スロットと異なる他のスロットに結合可能
な出力部とを設けたから、入力部と出力部との間に複数
のスロットからなる帯域通過フィルタを構成することが
できる。According to the eighth aspect of the present invention, the casing is provided with an input portion located near the dielectric substrate and connectable to one slot, and an output portion connectable to another slot different from the slot. Since it is provided, it is possible to configure a bandpass filter including a plurality of slots between the input section and the output section.
【0125】請求項9の発明によれば、ケーシングには
誘電体基板の近傍に位置して複数個のスロットに結合可
能な伝送線路部を設けたから、スロット間の伝送線路の
位相を90°に設定することによって、スロットの共振
周波数を中心とした帯域の高周波信号が伝送線路を伝搬
するのを阻止することができ、帯域阻止フィルタを構成
することができる。According to the ninth aspect of the present invention, the casing is provided with the transmission line portion which is located near the dielectric substrate and can be coupled to the plurality of slots. Therefore, the phase of the transmission line between the slots is set to 90 °. By setting, it is possible to prevent a high-frequency signal in a band centered on the resonance frequency of the slot from propagating in the transmission line, and to configure a band-stop filter.
【0126】請求項10の発明によれば、ケーシングに
は誘電体基板の近傍に位置して互いに異なるスロットに
それぞれ結合可能な入力部、出力部および入出力部を設
けたから、帯域通過フィルタを備えたデュプレクサ、マ
ルチプレクサを構成することができる。According to the tenth aspect of the invention, since the casing is provided with the input section, the output section and the input / output section which are located in the vicinity of the dielectric substrate and can be respectively coupled to the different slots, the band pass filter is provided. A duplexer and a multiplexer can be configured.
【図1】第1の実施の形態による誘電体フィルタを示す
分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view showing a dielectric filter according to a first embodiment.
【図2】第1の実施の形態による誘電体フィルタを蓋体
を取り外した状態で示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the dielectric filter according to the first embodiment with a lid removed.
【図3】誘電体フィルタを図2中の矢示III−III方向か
らみた断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the dielectric filter as viewed in the direction of arrows III-III in FIG.
【図4】図2中の共振器を単体で示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the resonator in FIG. 2 as a single body.
【図5】共振器を図4中の矢示V−V方向からみた断面
図である。5 is a cross-sectional view of the resonator as seen from the direction of arrows VV in FIG.
【図6】第1の実施の形態による2個の共振器が偶モー
ドで結合している状態を示す図2と同様な位置からみた
説明図である。FIG. 6 is an explanatory view seen from the same position as FIG. 2 showing a state where two resonators according to the first embodiment are coupled in an even mode.
【図7】図6中の矢示VII−VII方向からみた断面図であ
る。7 is a cross-sectional view as seen from the direction of arrows VII-VII in FIG.
【図8】第1の実施の形態による2個の共振器が奇モー
ドで結合している状態を示す図2と同様な位置からみた
説明図である。FIG. 8 is an explanatory view seen from the same position as FIG. 2 showing a state where two resonators according to the first embodiment are coupled in an odd mode.
【図9】図8中の矢示IX−IX方向からみた断面図であ
る。9 is a cross-sectional view as seen from the arrow IX-IX direction in FIG.
【図10】第1の実施の形態による2個の共振器間の間
隔寸法と結合係数の絶対値との関係を示す特性線図であ
る。FIG. 10 is a characteristic diagram showing a relationship between a space dimension between two resonators and an absolute value of a coupling coefficient according to the first embodiment.
【図11】第1の実施の形態による2個の共振器間の間
隔寸法と共振周波数との関係を示す特性線図である。FIG. 11 is a characteristic diagram showing a relationship between a space dimension between two resonators and a resonance frequency according to the first embodiment.
【図12】第2の実施の形態による誘電体フィルタを蓋
体を取り外した状態で示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing the dielectric filter according to the second embodiment with a lid removed.
【図13】図12中の誘電体基板を単体で示す底面図で
ある。FIG. 13 is a bottom view showing the dielectric substrate in FIG. 12 as a single body.
【図14】第1の変形例による誘電体フィルタを蓋体を
取り外した状態で示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing a dielectric filter according to a first modified example with a lid removed.
【図15】第3の実施の形態による誘電体フィルタを蓋
体を取り外した状態で示す平面図である。FIG. 15 is a plan view showing the dielectric filter according to the third embodiment with a lid removed.
【図16】図15中の誘電体基板を単体で示す底面図で
ある。16 is a bottom view showing the dielectric substrate in FIG. 15 as a single body.
【図17】第4の実施の形態による誘電体フィルタを蓋
体を取り外した状態で示す平面図である。FIG. 17 is a plan view showing a dielectric filter according to a fourth embodiment with a lid removed.
【図18】第5の実施の形態による誘電体フィルタを蓋
体を取り外した状態で示す平面図である。FIG. 18 is a plan view showing the dielectric filter according to the fifth embodiment with a lid removed.
【図19】誘電体フィルタを図18中の矢示XIX−XIX方
向からみた断面図である。19 is a cross-sectional view of the dielectric filter as seen from the direction of the arrow XIX-XIX in FIG.
【図20】第5の実施の形態による2個の共振器が偶モ
ードで結合している状態を示す図18と同様な位置から
みた説明図である。FIG. 20 is an explanatory view seen from the same position as FIG. 18, showing a state in which two resonators according to the fifth embodiment are coupled in an even mode.
【図21】図20中の矢示XXI−XXI方向からみた断面図
である。21 is a cross-sectional view as seen from the direction of arrows XXI-XXI in FIG.
【図22】第5の実施の形態による2個の共振器が奇モ
ードで結合している状態を示す図18と同様な位置から
みた説明図である。FIG. 22 is an explanatory view seen from the same position as FIG. 18, showing a state where two resonators according to the fifth embodiment are coupled in an odd mode.
【図23】図22中の矢示XXIII−XXIII方向からみた断
面図である。23 is a cross-sectional view as seen from the direction of arrows XXIII-XXIII in FIG. 22.
【図24】第5の実施の形態による2個の共振器間の間
隔寸法と結合係数の絶対値との関係を示す特性線図であ
る。FIG. 24 is a characteristic diagram showing the relationship between the distance between two resonators and the absolute value of the coupling coefficient according to the fifth embodiment.
【図25】第5の実施の形態による2個の共振器間の間
隔寸法と共振周波数との関係を示す特性線図である。FIG. 25 is a characteristic diagram showing a relationship between a space dimension between two resonators and a resonance frequency according to the fifth embodiment.
【図26】第6の実施の形態による誘電体フィルタを表
面側プリント基板を取り外した状態で示す平面図であ
る。FIG. 26 is a plan view showing the dielectric filter according to the sixth embodiment with the front side printed circuit board removed.
【図27】誘電体フィルタを図26中の矢示XXVII−XXV
II方向からみた断面図である。FIG. 27 shows a dielectric filter as indicated by arrows in FIG. 26 XXVII-XXV.
It is the sectional view seen from the II direction.
【図28】第2の変形例による誘電体フィルタを表面側
プリント基板を取り外した状態で示す平面図である。FIG. 28 is a plan view showing a dielectric filter according to a second modification with the front side printed circuit board removed.
【図29】第7の実施の形態による誘電体フィルタを蓋
体を取り外した状態で示す平面図である。FIG. 29 is a plan view showing a dielectric filter according to a seventh embodiment with a lid removed.
1,51,61,71 ケーシング
2A,52A 底板(導体面)
3A,53A 蓋板(導体面)
5,55 遮断隔壁
6 誘電体基板
7,8 導体膜
9,24 共振器(両端開放型共振器)
9A,9B,21A,21B,31A,31B,33
A,33B スロット
10,65,74 入力部
11,66,75 出力部
21,23,31,33 共振器(片端開放型共振器)
35 トラップ共振器
41B,57B,67 伝送線路
56 空間部
62 裏面側プリント基板
63 表面側プリント基板
62A,63A 導体面
76 入出力部1, 51, 61, 71 Casing 2A, 52A Bottom plate (conductor surface) 3A, 53A Cover plate (conductor surface) 5, 55 Breaking partition wall 6 Dielectric substrate 7, 8 Conductor film 9, 24 Resonator (both ends open type resonator) ) 9A, 9B, 21A, 21B, 31A, 31B, 33
A, 33B Slot 10, 65, 74 Input part 11, 66, 75 Output part 21, 23, 31, 33 Resonator (single end open type resonator) 35 Trap resonator 41B, 57B, 67 Transmission line 56 Space part 62 Rear surface Side printed circuit board 63 Front side printed circuit board 62A, 63A Conductor surface 76 Input / output section
フロントページの続き (72)発明者 金川 潔 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 広瀬 圭一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 山地 和裕 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 5J006 HC03 JA01 JA02 KA03 LA02 LA03 LA12 LA21 LA25 NA01 NA08 PA01 PA10 Continued front page (72) Inventor Kiyoshi Kanagawa 2-10-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Stock Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Keiichi Hirose 2-10-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Stock Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Kazuhiro Yamaji 2-10-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Stock Murata Manufacturing Co., Ltd. F term (reference) 5J006 HC03 JA01 JA02 KA03 LA02 LA03 LA12 LA21 LA25 NA01 NA08 PA01 PA10
Claims (10)
ーシングと、該ケーシング内で前記2面の導体面間に設
けられた誘電体基板と、該誘電体基板の表面と裏面とに
それぞれ設けられた導体膜と、前記誘電体基板を挟んで
前記表面側,裏面側の導体膜にそれぞれ対向して設けら
れたスロットとを備えてなる誘電体フィルタにおいて、
前記スロットは前記導体膜に対して互いに平行に延びて
電界ベクトルが対向する方向に複数個配置したことを特
徴とする誘電体フィルタ。1. A casing having two conductor surfaces facing each other, a dielectric substrate provided between the two conductor surfaces in the casing, and a front surface and a back surface of the dielectric substrate, respectively. And a slot provided to face the conductor films on the front surface side and the back surface side with the dielectric substrate interposed therebetween.
The dielectric filter, wherein a plurality of the slots extend parallel to the conductor film and are arranged in a direction in which electric field vectors face each other.
前記誘電体基板の端面まで延びて開放した両端開放型共
振器を構成してなる請求項1に記載の誘電体フィルタ。2. A dielectric filter according to claim 1, wherein both ends of the plurality of slots extend to the end face of the dielectric substrate and are open to form an open-ended resonator.
前記誘電体基板の端面まで延びて開放し、他端側が前記
導体膜によって誘電体基板の端面と隔てられて短絡した
片端開放型共振器を構成してなる請求項1に記載の誘電
体フィルタ。3. A single-ended open resonator in which one end of each of the plurality of slots extends to the end surface of the dielectric substrate and is opened, and the other end is short-circuited by being separated from the end surface of the dielectric substrate by the conductor film. The dielectric filter according to claim 1, which comprises:
1個のスロットは、その一端側が前記誘電体基板の端面
まで延びて開放し、他端側が前記導体膜によって誘電体
基板の端面と隔てられて短絡した片端開放型共振器を構
成し、 該片端開放型共振器の他端側には前記導体膜を隔てて設
けられ一端側が該導体膜によって短絡し、他端側が前記
誘電体基板の端面まで延びて開放したトラップ共振器を
設ける構成としてなる請求項1に記載の誘電体フィル
タ。4. At least one slot of the plurality of slots has one end extending to the end surface of the dielectric substrate and opened, and the other end separated from the end surface of the dielectric substrate by the conductor film. A short-circuited open-ended resonator is configured, and the open-ended resonator is provided on the other end side of the open-ended resonator with the conductor film interposed therebetween. The dielectric filter according to claim 1, wherein the trap resonator is extended and opened.
ット間で磁界結合を遮断する遮断隔壁を形成してなる請
求項1,2,3または4に記載の誘電体フィルタ。5. The dielectric filter according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the casing is formed with a blocking partition for blocking magnetic field coupling between the plurality of slots.
ット間で磁界結合を許容する空間部を形成してなる請求
項1,2,3または4に記載の誘電体フィルタ。6. The dielectric filter according to claim 1, wherein the casing is formed with a space that allows magnetic field coupling between the plurality of slots.
体面のうち裏面側となる導体面が設けられた裏面側プリ
ント基板と、表面に前記2面の導体面のうち表面側とな
る導体面が設けられた表面側プリント基板とによって構
成し、前記誘電体基板は裏面側プリント基板と表面側プ
リント基板との間に挟持され、前記表面側,裏面側の導
体膜が前記表面側,裏面側の導体面にそれぞれ接続され
る構成としてなる請求項1,2,3,4,5または6に
記載の誘電体フィルタ。7. The casing has a back surface side printed circuit board having a back surface provided with a conductor surface which is a back surface side of the two conductor surfaces, and a conductor having a front surface which is a front surface side of the two conductor surfaces. A front side printed circuit board provided with a surface, the dielectric substrate is sandwiched between the back side printed circuit board and the front side printed circuit board, and the conductor films on the front side and the back side are the front side and the back side. The dielectric filter according to claim 1, 2, 3, 4, 5 or 6, which is configured to be respectively connected to the conductor surfaces on the side.
近傍に位置して一のスロットに結合可能な入力部と、該
スロットと異なる他のスロットに結合可能な出力部とを
設け、帯域通過フィルタとして構成してなる請求項1,
2,3,4,5,6または7に記載の誘電体フィルタ。8. The bandpass filter is provided with an input unit located near the dielectric substrate and couplable to one slot, and an output unit couplable to another slot different from the slot. Claim 1, which is configured as a filter
The dielectric filter described in 2, 3, 4, 5, 6 or 7.
近傍に位置して前記複数個のスロットに結合可能な伝送
線路を設け、帯域阻止フィルタとして構成してなる請求
項1,2,3,4,5,6または7に記載の誘電体フィ
ルタ。9. The casing is provided with a transmission line located near the dielectric substrate and capable of being coupled to the plurality of slots, and configured as a band elimination filter. The dielectric filter described in 4, 5, 6 or 7.
の近傍に位置して互いに異なるスロットにそれぞれ結合
可能な入力部、出力部および入出力部を設け、デュプレ
クサまたはマルチプレクサとして構成してなる請求項
1,2,3,4,5,6または7に記載の誘電体フィル
タ。10. The casing is provided with an input section, an output section and an input / output section which are located in the vicinity of the dielectric substrate and can be respectively coupled to different slots, and are configured as a duplexer or a multiplexer. The dielectric filter described in 1, 2, 3, 4, 5, 6 or 7.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002079314A JP2003283203A (en) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | Dielectric filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002079314A JP2003283203A (en) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | Dielectric filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003283203A true JP2003283203A (en) | 2003-10-03 |
Family
ID=29228835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002079314A Pending JP2003283203A (en) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | Dielectric filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003283203A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020022078A (en) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 古野電気株式会社 | Band pass filter and high-frequency device including the same |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002079314A patent/JP2003283203A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020022078A (en) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 古野電気株式会社 | Band pass filter and high-frequency device including the same |
| JP7360764B2 (en) | 2018-08-01 | 2023-10-13 | 古野電気株式会社 | Bandpass filter and high frequency device equipped with the same |
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