JP2012009609A - 多層回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】多層回路基板において、基板本体と、基板本体に実装される部品との接続状態をより良くする。
【解決手段】多層回路基板１の基板本体２は、積層された複数の絶縁層１１間に導電層１２が配置された構成である。基板本体２にビア１８，２５が形成されている。ビア１８，２５上における基板本体２の表面２ａには、導電性のパッド４が設けられている。パッド４上には、金属板６が配置されている。金属板６上には、半導体素子８が実装されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、多層回路基板に関する。

電動モータ等を制御するための回路基板には、例えば、セラミック基板の表面および裏面に導体パターンを形成したもの（例えば、特許文献１参照）や、絶縁層および導電層を交互に積層した多層回路基板がある。

特開２００７−１０９８８０号公報

上記多層回路基板には導電層同士を電気的に接続するビアが設けられることがある。ビアは、例えば、多層回路基板の厚み方向に延びた孔部と、孔部内に配置された合成樹脂とによって形成されている。孔部の内周面には、めっき層が設けられており、このめっき層によって、導電層同士が電気的に接続されている。ビアの上方には、例えば金めっきからなるパッドが設けられている。このパッドに半導体素子等の電子部品が半田付けされたり、ボンディングワイヤが接合されたりする。また、ビアには放熱のために設けられるものもあり、パッドに実装された半導体素子等からの熱は、ビアの合成樹脂部材およびめっき層を通って、多層回路基板の裏面側に伝わる。

しかしながら、多層回路基板の製造時にビアの孔部に充填された合成樹脂材料は、孔部に充填された後、収縮する傾向にある。このため、合成樹脂の収縮に伴って、パッドが窪み、パッドの表面が平坦でなくなってしまう。このように、パッドの表面に窪みができると、パッドに電子部品を半田付けする際に半田に多くのボイドが発生する原因となる。また、パッドにボンディングワイヤを接合する際の接合不良の原因となる。

本発明は、かかる背景のもとでなされたもので、多層回路基板において、基板本体と、基板本体に実装される部品との接続状態をより良くすることを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、積層された複数の絶縁層（１１）間に導電層（１２）が配置された基板本体（２）を含む多層回路基板（１；１Ａ）において、前記基板本体に形成されたビア（１８，２５）と、前記ビア上における前記基板本体の表面（２ａ）に設けられた導電性のパッド（４）と、前記パッド上に配置された金属板（６）と、を備えることを特徴としている（請求項１）。

本発明によれば、多層回路基板の基板本体にビアが形成されている。これにより、例えば、基板本体の表面に実装された半導体素子等の発熱部品からの熱を、ビアを通して基板本体の裏面側に逃がすことができる。例えば、基板本体に孔を設けることでビアを形成することに起因して、基板本体の表面およびパッドに窪みができることがある。しかしながら、パッド上には金属板が配置されている。これにより、基板本体の表面やパッドの窪み変形の影響は、金属板よりも上の部材にまで伝わらないようにできる。すなわち、金属板の表面が略平坦な状態を維持できる。これにより、例えば、金属板に半導体素子等の発熱部品を半田付けしたときに、半田部材に発生するボイドを少なくできる。また、金属板にボンディングワイヤを接合したときに金属板とボンディングワイヤとの間で接合不良を起こすことを抑制できる。このように、金属板に部品を接続することで、基板本体と部品との接続状態をより良くすることができる。

また、本発明において、前記ビアは、前記基板本体に形成され内周面に導電部（１８ｂ，２５ｂ）が形成された孔部（１８ａ，２５ａ）と、この孔部内に充填された合成樹脂部材（１８ｃ，２５ｃ）とを含む場合がある（請求項２）。
この場合、ビアの導電部によって、導電層同士を電気的に接続し得る。また、導電部および合成樹脂部材によって、基板本体の表面からの熱を基板本体の裏面に多く逃がすことができる。これにより、多層回路基板の放熱性能をより高くできる。

また、本発明において、前記ビアは、前記基板本体の表層（１１ｂ）と最下層（１３）とを接続し電流経路を構成しない所定の放熱用ビア（２５）を含む場合がある（請求項３）。この場合、所定の放熱用ビアには、電流が流れないので、ビア自体が発熱することがない。したがって、放熱用ビアによって、基板本体の表面からの熱を、基板本体の裏面により多く逃がすことができる。さらに、基板本体における電流経路は、基板本体に実装される種々の部品（半導体素子等）のレイアウトに左右されるので、電流経路の一部を構成するビアは、配置に制約がある。一方で、所定の放熱用ビアは電流経路を構成しないので、このような配置の制約を受けない。したがって、所定の放熱用ビアの配置の自由度は高く、基板本体の表面からの熱を迅速に基板裏面に逃がす配置が可能となる。その結果、ビアとして、電流経路の一部を構成するビアのみを設けた構成と比べて、基板本体の表面の熱を裏面に逃がす効果を顕著に大きくできる。

また、本発明において、前記パッドは、金めっき層を含む場合がある（請求項４）。
この場合、金めっき層によってパッドを形成することにより、基板本体の表面の導体パターン等の金属部分の劣化および酸化を抑制できる。また、パッドと、金属板との接合性
（接合のし易さ）をより向上できる。特に、パッドと金属板とを半田接合する際の接合性を向上できる。

また、本発明において、前記孔部の直径（Ｄ１）は、０．１５ｍｍ〜０．５５ｍｍである場合がある（請求項５）。
孔部の直径が０．１５ｍｍ未満であれば、孔部内に導電部を形成することが現実的に困難である。また、孔部の直径が０．５５ｍｍを超えると、多層回路基板の製造時において、合成樹脂部材の材料が孔部内で収縮する量が大きくなる。その結果、基板本体の表面およびパッドの窪みが大きくなり、パッドと金属板との接合力が低下するおそれがある。したがって、孔部の直径は、０．１５ｍｍ〜０．５５ｍｍであることが好ましく、０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍであることがより好ましい。

なお、上記において、括弧内の数字等は、後述する実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。

本発明の一実施形態にかかる多層回路基板の概略構成を示す断面図である。 本発明の別の実施形態の多層回路基板の概略構成を示す主要部の断面図である。 孔部の直径と窪みとの関係を概念的に示すグラフである。 比較例の断面図である。 実施例１の断面図である。 実験結果を示すグラフである。

本発明の好ましい実施形態を添付図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明の一実施形態にかかる多層回路基板１の概略構成を示す断面図である。図１を参照して、多層回路基板１は、例えば、電動パワーステアリング装置の電動モータ（ブラシレスモータ）を駆動するためのパワー回路基板である。
多層回路基板１は、基板本体２と、基板本体２の裏面２ｂに実装されたアルミニウム板等の金属板からなる放熱板３と、基板本体２の表面２ａに形成されたパッド４と、パッド４に第１半田部材５を用いて接続された導電性の金属板（ヒートスプレッダ）６と、金属板６に第２半田部材７を用いて接続されたＦＥＴ（Field Effect Transistor）等の半導体素子８と、半導体素子８に接続されたボンディングワイヤ９と、を備えている。

基板本体２は、複数（本実施形態において、３つ）の絶縁層１１が上下に積層され、且つ、隣り合う絶縁層１１間にそれぞれ導電層１２が配置された多層回路基板である。絶縁層１１は、例えば、ガラス繊維に絶縁性樹脂を含浸させた化合物（いわゆる、プリプレグ）である。導電層１２は、銅等の熱伝導性に優れた金属を用いて形成されている。
絶縁層１１のうちの最下層の絶縁層１１ａは、絶縁性の接着層１３と接着されている。この絶縁層１１ａと接着層１３との間には、導電層１０が配置されている。導電層１０は、導電層１２と同様の材料で形成されている。最下層の導電層１０は、接着層１３を介して、放熱板３に接続されている。接着層１３は、絶縁層１１ａおよび導電層１０と、放熱板３とに接着されている。

多層回路基板１の実装面としての表面２ａは、最上層の絶縁層１１ｂと、導電層１４，１５とによって形成されている。導電層１４上に、導電性のパッド４が形成されている。パッド４は、導電層１４（表面２ａ）上に形成された金めっき層等のめっき層である。導電層１４にパッド４が形成されていることにより、導電層１４の上面（外表面）の劣化および酸化を抑制できる。また、金属板６と導電層１４との接合性（接合力の強さ等）を向上できる。

金属板６は、パッド４の窪みの有無に拘わらず基板本体２と半導体素子８との実装状態をよくするために設けられている。金属板６は、例えば、銅等の金属製の薄板である。金属板６は、パッド４の表面（上面）の略全部を覆っている。この金属板６の厚みは、導電層１４の厚みよりも大きくてもよいし、同じでもよいし、小さくてもよい。
半導体素子８は、例えば下面にドレン電極が露出した構成であり、このドレン電極が、第２半田部材７を用いて金属板６に接続されている。このように、半導体素子８は、ベアチップ実装されており、第２半田部材７を用いて金属板６に固定され、且つ電気的に接続されている。

半導体素子８の上面には、ボンディングワイヤ９の一端がワイヤボンディングによって接合されている。ボンディングワイヤ９の他端は、導電層１５にワイヤボンディングによって接合されている。
導電層１４は、回路基板２の厚み方向に並ぶ導電層１０，１２に複数のビア１８を介して電気的に接続されている。なお、ビア１８は、１つでもよい。

ビア１８は、基板本体２の最上層の導電層１４と、他の導電層１０，１２とを電気的に接続する層間接続部材として設けられている。また、ビア１８は、半導体素子８の熱を放熱板３に逃がす放熱部材として設けられている。各ビア１８は、金属板６，パッド４および導電層１４の下方に配置されている。
各ビア１８は、基板本体２に形成された孔部１８ａと、孔部１８ａの内周面に形成された導電部としてのめっき層１８ｂと、孔部１８ａのめっき層１８ｂ内に充填された合成樹脂部材１８ｃとを含んでいる。

孔部１８ａは、上下方向（基板本体２の厚み方向）に関して、最上層の絶縁部１１ｂから最下層の導電層１０にかけて延びている。孔部１８ａ内の空間は、円柱状に形成されている。めっき層１８ｂは、上下方向に並ぶ導電層１０，１２，１４を電気的に接続するために設けられている。
めっき層１８ｂは、例えば、銅等の、導電性および熱伝導性に優れた金属のめっき層である。合成樹脂部材１８ｃは、絶縁性の部材であり、半導体素子８からの熱を放熱板３に逃がすために設けられている。なお、合成樹脂部材１８ｃは、導電性部材であってもよい。

孔部１８ａの直径Ｄ１は、０．１５ｍｍ〜０．５５ｍｍの範囲に設定されている。孔部１８ａの直径Ｄ１が０．１５ｍｍ未満であると、孔部１８ａの直径が小さすぎることにより、孔部１８ａにめっき層１８ｂを形成することが困難となる。
一方、孔部１８ａの直径Ｄ１が０．５５ｍｍを超えると、孔部１８ａ内に充填される合成樹脂部材１８ｃの体積が大きくなる。このため、孔部１８ａに樹脂材料を充填して合成樹脂部材１８ｃを形成する際に、樹脂材料の冷却等に伴う収縮量が大きくなる。その結果、合成樹脂部材１８ｃや、合成樹脂部材１８ｃの上方に配置されている導電層１４や、パッド４や第１半田部材５に窪みが生じ易くなる。

すなわち、孔部１８ａの直径Ｄ１が０．５５ｍｍを超えている場合、図２に示す多層回路基板１Ａが製造される。多層回路基板１Ａは、合成樹脂部材１８ｃに窪み１６が形成され、導電層１４に窪み１９が形成され、パッド４に窪み２０が形成され、且つ第１半田部材５に窪み２１が形成された構成となっている。孔部１８ａの直径Ｄ１と窪み１６，１９〜２１の深さとの関係は、概念的には、図３に示す関係となる。

図２を参照して、このような窪み１６，１９〜２１は、パッド４と導電層１４との結合力や、導電層１４と基板本体２との結合力が低くなる原因となる。また、窪み１６，１９〜２１は、第１半田部材５を介したパッド４と金属板６との結合力が低くなる原因となる。但し、平坦な金属板６があることで、窪み１６，１９〜２１の影響は、金属板６の上方の部材には及ばない。したがって、第２半田部材７を介した金属板６と半導体素子８との結合力は、十分に確保される。その結果、パッド４と半導体素子８との結合力を十分に確保できる。なお、多層回路基板１Ａのうち、多層回路基板１と同様の構成には、図に同様の符号を付して説明を省略している。

一方で、例えば、図４に示すように、金属板６を用いていない多層回路基板２００を考える。多層回路基板２００は、金属板６が設けられていない点以外は、多層回路基板１Ａと同様の構成を有している。この多層回路基板２００では、第１半田部材５に窪み２１が形成されているので、半導体素子８と、第１半田部材５との結合力が大きく低下し、その結果、半導体素子８とパッド４との結合力が大きく低下してしまう。また、半導体素子８と、第１半田部材５およびパッド４との線膨張係数が異なることから、パッド４、導電層１４，基板本体２およびビア１８それぞれの結合力が低下してしまう。

これに対して、図２に示すように、本実施形態では、パッド４の上方に平坦で線膨張係数が導電層１４に近い金属板６を配置している。さらに、金属板６等を介してパッド４に半導体素子８を実装している。このため、半導体素子８と、半導体素子８を支持する金属板６との結合力は、窪み１６，１９〜２１があっても大きくは低下しない。
なお、パッド４と金属板６との結合力を高くするためには、図１に示す多層回路基板１のように、パッド４に実質的に窪みが無いことが好ましい。したがって、孔部１８ａの直径Ｄ１は、０．５５ｍｍ以下であることが好ましく、０．５ｍｍ以下であることがより好ましい。

孔部１８ａの直径Ｄ１を０．５５ｍｍ以下にすることで、パッド４にできる窪みの深さを０．１ｍｍ以下にすることができる。これにより、パッド４および第１半田部材５に実質的に窪みが無い状態を実現できる。また、孔部１８ａの直径Ｄ１を０．５５ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以下にすることで、めっき層１８ｂの強度を十分に確保することができる。

なお、本実施形態では、各ビア１８は、上下に並ぶ全ての導電層１０，１２，１４を接続する構成であるけれども、これに限定されない。例えば、ビア１８は、上下に並ぶ一部の導電層のみを電気的に接続する構成であってもよい。上下に並ぶ導電層１０，１２，１４が、それぞれ、電源層、ＧＮＤ層、およびモータ出力・駆動信号出力用層を有している場合に、必要に応じて２つまたは３つの導電層のみを接続するビアを設けてもよい。

上記の構成により、半導体素子８からの熱は、各ビア１８のめっき層１８ｂおよび合成樹脂部材１８ｃに伝わり、さらに接着層１３を介して放熱板３に伝わるようになっている。
上記のビア１８は、以下のようにして製作される。すなわち、まず、ビア１８が形成されていない状態の単品の基板本体２にドリル等で孔部１８ａを形成する。次いで、孔部１８ａの内部にめっき処理によりめっき層１８ｂを形成する。次いで、孔部１８ａのめっき層１８ｂ内に合成樹脂部材１８ｃの材料である樹脂材料を充填し、固める。

素子実装基板１は、所定の放熱用ビア２５をさらに備えている。放熱用ビア２５は、半導体素子８の熱を放熱板３に逃がす放熱部材として設けられている。この放熱用ビア２５は、電流経路としての機能は有していない。放熱用ビア２５は、１または複数（本実施形態において、１つ）設けられている。放熱用ビア２５は、ビア１８に隣接して配置されており、金属板６，パッド４および導電層１４の下方に配置されている。

放熱用ビア２５は、基板本体２の表層としての絶縁層１１ｂと、基板本体２の最下層としての接着層１３とを接続しており、且つ、絶縁層１１ｂと放熱板３とを接続している。なお、放熱用ビア２５は、絶縁層１１ｂに接続されていればよく、放熱板３に直接接続されていなくてもよい。
放熱用ビア２５は、基板本体２に形成された孔部２５ａと、孔部２５ａの内周面に形成された導電部としてのめっき層２５ｂと、孔部２５ａのめっき層２５ｂ内に充填された合成樹脂部材２５ｃとを含んでいる。

孔部２５ａ内の空間は、円柱状に形成されている。孔部２５ａの直径は、孔部１８ａの直径と同様に設定されている。めっき層２５ｂの材料は、めっき層１８ｂの材料と同様である。合成樹脂部材２５ｃの材料は、合成樹脂部材１８ｃの材料と同様である。
上記の構成により、半導体素子８からの熱は、放熱用ビア２５のめっき層２５ｂおよび合成樹脂部材２５ｃに伝わり、さらに放熱板３に伝わるようになっている。

以上説明したように、本実施形態によれば、基板本体２にビア１８が形成されている。これにより、基板本体２の表面２ａに実装された半導体素子８からの熱を、ビア１８，２５を通して基板本体２の裏面２ｂ（放熱板３）に逃がすことができる。
また、基板本体２に孔部１８ａ，２５ａを設けてビア１８，２５を形成し、孔部１８ａ，２５ａ内に合成樹脂部材１８ｃ，２５ｃを充填することに起因して、基板本体２の表面２ａおよびパッド４に窪み１９，２０等の窪みができることがある。しかしながら、パッド４上には金属板６が配置されている。これにより、基板本体２の表面２ａやパッド４等の窪み１６，１９〜２１による変形の影響は、金属板６よりも上の半導体素子８等にまで伝わらないようにできる。すなわち、金属板６の表面（上面）が略平坦な状態を維持できる。

これにより、金属板６に半導体素子８を半田付けしたときに、第２半田部材７に発生するボイドを少なくでき、接合不良を抑制できる。このように、金属板６に半導体素子８を実装することで、基板本体２と半導体素子８との接続状態をより良くすることができる。
さらに、ビア１８のめっき層１８ｂによって、基板本体２の導電層１０，１２，１４同士を電気的に接続することができる。また、めっき層１８ｂ，２５ｂおよび合成樹脂部材１８ｃ，２５ｃによって、基板本体２の表面２ａからの熱を、基板本体２の裏面２ｂに向けて、多く逃がすことができる。これにより、多層回路基板１の放熱性能を高くできる。

また、放熱用ビア２５には、電流が流れないので、放熱用ビア２５自体が発熱することがない。したがって、放熱用ビア２５によって、基板本体２の表面２ａからの熱を、基板本体２の裏面２ｂにより多く逃がすことができる。
さらに、基板本体２における電流経路は、基板本体２に実装される種々の部品（半導体素子８等）のレイアウトに左右されるので、基板本体２における電流経路の一部を構成するビア１８は、配置に制約がある。一方で、放熱用ビア２５は電流経路を構成しないので、このような配置の制約を受けない。したがって、放熱用ビア２５の配置の自由度は高く、基板本体２の表面２ａからの熱を迅速に基板裏面に逃がす配置が可能となる。その結果、ビアとして、電流経路の一部を構成するビア１８のみを設けた構成と比べて、基板本体２の表面２ａの熱を裏面２ｂに逃がす効果を顕著に大きくできる。

また、金めっき層によってパッド４を形成することにより、基板本体２の表面２ａの導電部１４の金属部分の劣化および酸化を抑制できる。また、パッド４と、金属板６との接合性（接合のし易さ）をより向上できる。特に、パッド４と金属板６とを半田接合する際の接合性を向上できる。
さらに、ビア１８の孔部１８ａの直径Ｄ１は、０．１５ｍｍ〜０．５５ｍｍに設定されている。直径Ｄ１が０．１５ｍｍ未満であれば、孔部１８ａ内にめっき層１８ｂを形成することが現実的に困難である。また、孔部１８ａの直径Ｄ１が０．５５ｍｍを超えると、多層回路基板１Ａの製造時において、合成樹脂部材１８ｃの材料が孔部１８ａ内で収縮する量が大きくなる。その結果、基板本体２の表面２ａやパッド４等の窪み１６，１９〜２１が大きくなり、パッド４と金属板６との接合力が低下する。したがって、多層回路基板１のように、孔部１８ａの直径は、０．１５ｍｍ〜０．５５ｍｍであることが好ましく、０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍであることがより好ましい。

さらに、パッド４と第２半田部材７との間に金属板６を配置している。すなわち、熱膨張係数の差の大きいパッド４（金めっき層）と半導体素子８との間に金属板６を配置している。これにより、パッド４と、半導体素子８との熱膨張差により生じる応力を緩和できる。その結果、第２半田部材７にクラックが入ることや、パッド４と基板本体２との間にクラックが入ることを抑制できる。

本発明は、以上の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
例えば、金属板６とボンディングワイヤ９とをワイヤボンディングにより接合してもよい。この場合、金属板６が平坦であるので、金属板６とボンディングワイヤ９との間で接合不良を起こすことを抑制できる。

また、合成樹脂部材１８ｃに代えて、金属粉末を含むペーストを固めた部材を用いてもよい。さらに、孔部１８ａの直径Ｄ１は、０．５５ｍｍ以下が好ましいと説明したけれども、０．５５ｍｍより大きくてもよい。また、金属板６上に実装される電子部品は、半導体素子８に限らず、他の電気素子でもよい。

図５に示す実施例１を作製した。実施例１は、基板本体と、第１ビアおよび第２ビアと、第１および第２パッドと、金属板と、半導体素子と、ボンディングワイヤと、を備えている。
基板本体は、図１の基板本体２と同様の構成を有している。第１および第２ビアは、基板本体に形成されており、図１のビア１８と同様の構成を有している。

第１および第２パッドは、図１のパッド４と同様の金めっき層である。これら第１パッドおよび第２パッドは、それぞれ、基板本体の表面に形成されており、第１ビアおよび第２ビアのそれぞれの上方に配置されている。
金属板は、図１の金属板６と同様の金属板であり、第１パッド上に配置されている。半導体素子は、図１の半導体素子８と同様の半導体素子であり、金属板上に配置されている。ボンディングワイヤは、半導体素子および第２パッドにワイヤボンディングにより接合されている。ボンディングワイヤの一端および他端は、それぞれ、第１ビアおよび第２ビアの真上に配置されている。

また、実施例１と同様の実施例２〜６を作製した。各実施例は、各ビアの孔部の直径が異なっている点以外は、同様の構成を有している。
以下に、各実施例の孔部の直径を示す。
実施例１：０．３５ｍｍ
実施例２：０．５０ｍｍ
実施例３：０．６５ｍｍ
実施例４：０．８５ｍｍ
実施例５：１．００ｍｍ
実施例６：１．２０ｍｍ
実施例１〜６のそれぞれを治具等で固定しておき、ボンディングワイヤの中央をプル試験機で垂直に持ち上げた。そして、ボンディングワイヤが半導体素子または第２パッドから引き剥がされるときの荷重（プル荷重）を測定した。この測定は、実施例１〜６のそれぞれについて、３回行った。

結果を表１に示す。また、表１のそれぞれの平均値のグラフを図６に示す。

表１および図６を参照して、プル荷重の平均値が１２Ｎ以上であれば、実際の使用に対して極めて良好に耐え得る強度であるとして、◎の評価とした。また、プル荷重の平均値が９Ｎ以上であれば、良好な強度であるとして、○の評価とした。

実施例１，２は、プル荷重の平均値が１２Ｎを超えており、実際の使用に対して極めて良好に耐え得る高い強度を有していることが実証された。すなわち、孔部の直径が０．５５ｍｍ以下であれば、プル荷重の平均値が１２Ｎを超える高い値を有しており、実際の使用に対して極めて良好に耐え得る高い強度を有することが分かる。
また、実施例３〜６は、プル荷重の平均値が９Ｎを超えており、良好な強度を有していることが実証された。

なお、孔部の直径が所定値以上になると、孔部の直径に拘わらず、略一定のプル強度になると考えられる。

１，１Ａ…多層回路基板、２…基板本体、２ａ…基板本体の表面、４…パッド、６…金属板、１１…絶縁層、１１ｂ…絶縁層（基板本体の表層）、１２…導電層、１３…接着層（基板本体の最下層）、１８，２５…ビア、１８ａ，２５ａ…孔部、１８ｂ，２５ｂ…めっき層（導電部）、１８ｃ，２５ｃ…合成樹脂部材、Ｄ１…孔部の直径。

Claims (5)

1. 積層された複数の絶縁層間に導電層が配置された基板本体を含む多層回路基板において、
   前記基板本体に形成されたビアと、
   前記ビア上における前記基板本体の表面に設けられた導電性のパッドと、
   前記パッド上に配置された金属板と、を備えることを特徴とする多層回路基板。
2. 請求項１において、前記ビアは、前記基板本体に形成され内周面に導電部が形成された孔部と、この孔部内に充填された合成樹脂部材とを含むことを特徴とする多層回路基板。
3. 請求項１または２において、前記ビアは、前記基板本体の表層と最下層とを接続し電流経路を構成しない所定の放熱用ビアを含むことを特徴とする多層回路基板。
4. 請求項１〜３の何れか１項において、前記パッドは、金めっき層を含むことを特徴とする多層回路基板。
5. 請求項２において、前記孔部の直径は、０．１５ｍｍ〜０．５５ｍｍであることを特徴とする多層回路基板。

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