JP2523303B2 - Optical recording medium - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 I 発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒
体に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium, particularly to a heat mode optical recording medium.
先行技術とその問題点 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッド
が非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという
特徴をもち、このため種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。Prior Art and its Problems Optical recording media are characterized in that the recording media do not wear and deteriorate because the write and read heads are not in contact with the media. For this reason, various optical recording media have been researched and developed. .
このような光記録媒体のうち、暗室による現像処理が
不要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が
活発になっている。Among such optical recording media, heat mode optical recording media have been actively developed because they do not require development processing in a dark room.
このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として
利用する光記録媒体であり、その一例として、レーザー
等の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピットと
称される小穴を形成して書き込みを行い、このピットに
より情報を記録し、このピットを読み出し光で検出して
読み出しを行うピット形成タイプのものがある。This heat mode optical recording medium is an optical recording medium that uses recording light as heat. As an example, a small hole called a pit is formed by melting and removing a part of the medium with recording light such as a laser. There is a pit formation type in which a pit is formed and writing is performed, information is recorded by the pit, and the pit is detected by reading light to perform reading.
このようなピット形成タイプの媒体、特にそのうち、
装置を小型化できる半導体レーザーを光源とするものに
おいては、これまで、Teを主体とする材料を記録層とす
るものが大半をしめている。Such pit formation type media, especially
So far, most of the devices that use a semiconductor laser as a light source that can miniaturize the device have a recording layer made of a material mainly containing Te.
また、近年、Te系材料が有害であること、そして、よ
り高感度化する必要があること、より製造コストを安価
にする必要があることから、Te系にかえ、色素を主とし
た有機材料系の記録層を用いる媒体についての提案や報
告が増加している(特開昭60−203488号等)。Further, in recent years, since Te-based materials are harmful, need to be more sensitive, and manufacturing costs have to be made lower, Te-based organic materials, instead of Te-based materials, are mainly composed of dyes. The number of proposals and reports on media using the recording layer of the system is increasing (JP-A-60-203488, etc.).
このような色素等の記録層を有するピット形成タイプ
の光記録媒体では、感度およびS/N比の低下を防止する
ために、いわゆるエアーサンドイッチ構造とすることが
好ましい。A pit-forming type optical recording medium having such a recording layer of a dye or the like preferably has a so-called air sandwich structure in order to prevent a decrease in sensitivity and S / N ratio.
さらに、これらの色素を含む記録層を基板上に形成し
て、記録・再生を行なう場合、通常、基板の裏面側から
書き込み光および読み出し光を照射して記録・再生を行
なう。Further, when recording / reproducing is performed by forming a recording layer containing these dyes on a substrate, normally, recording / reproducing is performed by irradiating writing light and reading light from the back surface side of the substrate.
しかし、基板としてポリカーボネート、アクリル樹脂
等の透明樹脂製の基板を用いる場合、記録層の塗布設層
の際の塗布溶媒により樹脂基板表面がおかされ、記録層
の反射率が低下し、読み出しのS/N比が十分高くとれな
いという欠点がある。However, when a substrate made of a transparent resin such as polycarbonate or acrylic resin is used as the substrate, the resin substrate surface is covered by the coating solvent at the time of coating the recording layer, and the reflectance of the recording layer is lowered, so that the read S There is a drawback that the / N ratio cannot be high enough.
また、長期保存に際し、色素その他の添加物が基板樹
脂中へ溶解拡散してしまい、反射率が低下してしまうよ
うなおそれがある。Further, during long-term storage, dyes and other additives may be dissolved and diffused in the substrate resin, which may reduce the reflectance.
さらには、書き込みにより、基板が熱によってへこん
でしまうなど損傷をうけ、これによってもS/N比が低下
する。また、消去後のノイズが増加する。Furthermore, the writing causes damage such as the substrate being dented by heat, which also reduces the S / N ratio. In addition, noise after erasing increases.
これに対し、本発明者らは、下地層として、ケイ素系
縮合物のコロイド粒子分散液の塗膜を用いる旨を提案し
ている(特開昭60−203489号)。On the other hand, the present inventors have proposed to use a coating film of a colloidal particle dispersion of a silicon-based condensate as an underlayer (Japanese Patent Laid-Open No. 60-203489).
ところが、このような塗膜による下地層は、基板との
接着性において十分ではなく、特に記録書き込み後の接
着性が悪化するという問題があった。However, the underlying layer formed by such a coating has a problem in that the adhesiveness to the substrate is not sufficient, and particularly the adhesiveness after recording and writing deteriorates.
また、このような下地層が存在するために、予め基板
上に形成したトラッキング制御用のグルーブないしピッ
トやトラック内の基板上に形成したアドレス信号用ピッ
ト等が埋ってしまい、再生信号やアドレス信号の検出が
しにくいという問題もあった。In addition, because of the presence of such an underlayer, the tracking control grooves or pits formed on the substrate in advance and the address signal pits formed on the substrate in the tracks are filled, and the reproduction signal or the address signal is formed. There is also a problem that is difficult to detect.
II 発明の目的 本発明の目的は、接着性、特に記録書き込み後の接着
性が良好で、かつ耐溶剤性に優れ、再生信号やアドレス
信号等も良好に再生できる光記録媒体を提供することに
ある。II OBJECT OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an optical recording medium which has good adhesiveness, especially adhesiveness after recording and writing, is excellent in solvent resistance, and can also reproduce well reproduced signals and address signals. is there.
III 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成され
る。III Disclosure of the Invention Such an object is achieved by the present invention described below.
すなわち、本発明は、基板上に、塗布により形成した
色素または色素組成物の記録層を有する光記録媒体にお
いて、 記録層と基板との間に、シロキサン結合を有する珪素
化合物をプラズマ重合することにより形成したプラズマ
重合膜下地層を有し、プラズマ重合膜の6328Åにおける
屈折率が1.3〜1.7であることを特徴とする光記録媒体で
ある。That is, the present invention provides an optical recording medium having a recording layer of a dye or a dye composition formed by coating on a substrate by plasma-polymerizing a silicon compound having a siloxane bond between the recording layer and the substrate. An optical recording medium having a plasma polymerized film underlayer formed, wherein the plasma polymerized film has a refractive index of 1.3 to 1.7 at 6328Å.
IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。IV Specific Configuration of the Invention Hereinafter, the specific configuration of the present invention will be described in detail.
本発明の光記録媒体1は、第1図に示すように、基板
11上に記録層12を有するものであって、記録層12と基板
11との間に下地層13を有するものである。The optical recording medium 1 of the present invention, as shown in FIG.
11 having a recording layer 12 on the recording layer 12 and a substrate
The base layer 13 is provided between the base layer 11 and the base layer 11.
そして、基板11は書き込み光および読み出し光に対
し、実質的に透明(好ましくは透過率80%以上)なもの
であることが好ましく、実質的に透明であれば、書き込
みおよび読み出しを基板裏面側から行なうことができ、
感度、S/N比等の点で有利であり、また、ほこり対策等
の実装上の点でも有利である。It is preferable that the substrate 11 is substantially transparent (preferably 80% or more in transmittance) to writing light and reading light. If it is substantially transparent, writing and reading are performed from the back surface side of the substrate. Can be done,
It is advantageous in terms of sensitivity, S / N ratio, etc., and is also advantageous in terms of mounting such as measures against dust.
基板の形状は使用用途に応じ、ディスク、テープ、ド
ラム、ベルト等いずれであってもよい。The shape of the substrate may be any of disc, tape, drum, belt, etc., depending on the intended use.
このような基板11の記録層12および下地層13形成面に
は、第1図に示すように、トラッキング用にプリグルー
プ115が形成されることが好ましい。As shown in FIG. 1, it is preferable to form a pregroup 115 for tracking on the surface of the substrate 11 on which the recording layer 12 and the underlayer 13 are formed.
プリグルーブ115の溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/7
n〜λ/12n(ここに、nは基板の屈折率である)とされ
ている。また、プリグルーブ115の溝の巾は、トラック
巾程度とされる。The groove depth of the pre-groove 115 is about λ / 8n, especially λ / 7.
n to λ / 12n (where n is the refractive index of the substrate). The width of the groove of the pre-groove 115 is about the track width.
そして、このプリグルーブ115の凹部または凸部に位
置する記録層12を記録トラック部として、書き込み光お
よび読み出し光を基板裏面側から照射することが好まし
い。Then, it is preferable to irradiate the writing light and the reading light from the back surface side of the substrate with the recording layer 12 located in the concave portion or the convex portion of the pre-groove 115 as a recording track portion.
このように構成することにより、書き込み感度と読み
出しのS/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。With this configuration, the write sensitivity and the read S / N ratio are improved, and the tracking control signal is increased.
このようなグルーブを形成するかわりにピットを形成
してもよい。Instead of forming such a groove, a pit may be formed.
またトラック部にはアドレス信号用のピットを設ける
ことができる。Further, pits for address signals can be provided in the track portion.
このような基板11上へのグルーブやピットの形成は、
2P法によっても射出成形法によってもよい。The formation of grooves and pits on the substrate 11 is
The 2P method or the injection molding method may be used.
基板11は、通常、樹脂製とし、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン等
のオレフィン系樹脂等から形成するが、その他、ガラス
等であってもよい。The substrate 11 is usually made of resin and is made of acrylic resin, polycarbonate resin, epoxy resin, olefin resin such as polymethylpentene, or the like, but may be glass or the like.
そして基板は、少なくとも樹脂表面を有することが好
ましく、用いる樹脂としては上記のものが挙げられる。The substrate preferably has at least a resin surface, and examples of the resin used include those mentioned above.
このような基板11上には、下地層13および記録層12が
形成される。A base layer 13 and a recording layer 12 are formed on such a substrate 11.
本発明における下地層13は、プラズマ重合膜から形成
され、このプラズマ重合膜はシロキサン結合を有する珪
素化合物を重合したものである。The underlayer 13 in the present invention is formed of a plasma polymerized film, and the plasma polymerized film is formed by polymerizing a silicon compound having a siloxane bond.
シロキサン結合を有する有機珪素化合物としては、以
下のものが好ましい。The following compounds are preferable as the organosilicon compound having a siloxane bond.
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、オク
タメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロ
シロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエト
キシジシロキサン、トリエトキシビニルシラン、ジメチ
ルエトキシビニルシラン、トリメトキシビニルシラン、
メチルトリメトキシシラン、ジメトキシメチルクロロシ
ラン、ジメトキシメチルシラン、トリメトキシシラン、
ジメチルエトキシシラン、トリメトキシシラノール、ハ
イドロキシメチルトリメチルシラン、メトキシトリメチ
ルシラン、ジメトキシジメチルシラン、エトキシトリメ
トキシシラン、ビス(2−クロロエトキシ)メチルシラ
ン、アセトキシトリメチルシラン、クロロメチルジメチ
ルエトキシシラン、2−クロロエトキシトリメチルシラ
ン、エトキシトリメチルシラン、ジエトキシメチルシラ
ン、エチルトリメトキシシラン、トリス(2−クロロエ
トキシ)シラン、ジメトキシメチル−3,3,3−トリフル
オロプロピルシラン、1−クロロメチル−2−クロロエ
トキシトリメチルシラン、アリルオキシトリメチルシラ
ン、エトキシジメチルビニルシラン、イソプロフェノキ
シトリメチルシラン、3−クロロプロピルジメトキシメ
チルシラン、クロロメチルジエトキシメチルシラン、ト
リエトキシクロロシラン、3−クロロプロルピルトリメ
トキシシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキシ
−3−メルカプトプロピルメチルシラン、トリエトキシ
シラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
3−アミノプロピルトリメトキシシラン、ジエトキシメ
チルビニルシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、
ターシャリーブトキシトリメチルシラン、ブチルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、3−(N−
メチルアミノプロピル)トリエトキシシラン、ジエトキ
シジビニルシラン、ジエトキシジエチルシラン、エチル
トリエトキシシラン、2−メルカプトエチルトリエトキ
シシラン、3−アミノプロピルジエトキシメチルシラ
ン、p−クロロフェニルトリエトキシシラン、フェニル
トリメトキシシラン、2−シアノエチルトリエトキシシ
ラン、アリルトリエトキシシラン、3−クロロプロピル
トリエトキシシラン、3−アリルアミノプロピルトリメ
トキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ヘキサト
リメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、3−メチルアクリルオキシプロピルトリメトキシ
シラン、メチルトリス(2−メトキシエトキシ)シラ
ン、ジエトキシメチルフェニルシラン、p−クロロフェ
ニルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、テトラアリルオキシシラン、テトラプロポキシシラ
ン、テトライソプロポキシシラン、ジメトキシジフェニ
ルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、テトラフェノ
キシシラン、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、ヘ
キサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサ
ン、1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、ヘ
キサエチルシクロトリシロキサン、1,3,5−トリメチル
−1,3,5−トリフェニルシクロトリシロキサン、オクタ
メチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロシ
ロキサン。Tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane, hexamethylcyclosiloxane, hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, triethoxyvinylsilane, dimethylethoxyvinylsilane, trimethoxyvinylsilane,
Methyltrimethoxysilane, dimethoxymethylchlorosilane, dimethoxymethylsilane, trimethoxysilane,
Dimethylethoxysilane, trimethoxysilanol, hydroxymethyltrimethylsilane, methoxytrimethylsilane, dimethoxydimethylsilane, ethoxytrimethoxysilane, bis (2-chloroethoxy) methylsilane, acetoxytrimethylsilane, chloromethyldimethylethoxysilane, 2-chloroethoxytrimethyl Silane, ethoxytrimethylsilane, diethoxymethylsilane, ethyltrimethoxysilane, tris (2-chloroethoxy) silane, dimethoxymethyl-3,3,3-trifluoropropylsilane, 1-chloromethyl-2-chloroethoxytrimethylsilane , Allyloxytrimethylsilane, ethoxydimethylvinylsilane, isoprofenoxytrimethylsilane, 3-chloropropyldimethoxymethylsilane, chloro Chill DEMS, triethoxychlorosilane, 3-chloropropionyl Le pills trimethoxysilane, diethoxy dimethyl silane, dimethoxy-3-mercaptopropyl methyl silane, triethoxy silane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane,
3-aminopropyltrimethoxysilane, diethoxymethylvinylsilane, chloromethyltriethoxysilane,
Tertiary butoxytrimethylsilane, butyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, 3- (N-
Methylaminopropyl) triethoxysilane, diethoxydivinylsilane, diethoxydiethylsilane, ethyltriethoxysilane, 2-mercaptoethyltriethoxysilane, 3-aminopropyldiethoxymethylsilane, p-chlorophenyltriethoxysilane, phenyltrimethoxy. Silane, 2-cyanoethyltriethoxysilane, allyltriethoxysilane, 3-chloropropyltriethoxysilane, 3-allylaminopropyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, hexatrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3 -Methylacryloxypropyltrimethoxysilane, methyltris (2-methoxyethoxy) silane, diethoxymethylphenylsilane, p-chlorophenyltriethoxysila , Phenyltriethoxysilane, tetraallyloxysilane, tetrapropoxysilane, tetraisopropoxysilane, dimethoxydiphenylsilane, diethoxydiphenylsilane, tetraphenoxysilane, 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, hexamethyldisiloxane , Octamethyltrisiloxane, 1,1,1,3,5,5,5-heptamethyltrisiloxane, hexaethylcyclotrisiloxane, 1,3,5-trimethyl-1,3,5-triphenylcyclotrisiloxane , Octamethylcyclotetrasiloxane, hexamethylcyclosiloxane.
これらは単独で用いても、2種以上を併用してもよ
い。These may be used alone or in combination of two or more.
この他、上記各種有機珪素化合物を併用したり、シロ
キサンと炭化水素系化合物とを用いてもよい。In addition, the above various organic silicon compounds may be used together, or siloxane and a hydrocarbon compound may be used.
炭化水素系化合物としては、通常操作性の良いことか
ら、常温で気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジエ
ン、アセチレン、メチルアセチレン、その他の飽和ない
し不飽和の炭化水素の1種以上を用い、珪素化合物に対
し炭化水素系化合物は通常、モル比で50倍程度以下用い
ることができる。As a hydrocarbon compound, methane, ethane, propane, butane, which is a gas at ordinary temperature, is usually used because of its good operability.
One or more kinds of pentane, ethylene, propylene, butene, butadiene, acetylene, methylacetylene and other saturated or unsaturated hydrocarbons are used, and the hydrocarbon compound is usually used in a molar ratio of about 50 times or less with respect to the silicon compound. be able to.
本発明の、プラズマ重合膜は、6328Åにおける屈折率
nが1.3〜1.7である。The plasma polymerized film of the present invention has a refractive index n of 1.3 to 1.7 at 6328Å.
このような屈折率とするのは、nが1.3未満では、膜
の緻密性が不十分であり、十分な耐溶剤性が得られず、
接着性も十分ではないからであり、また、1.7をこえる
と、重合膜の撥水性と硬さが増し、重合膜に接して設層
される記録層12(塗布膜)との接着が不良となり、また
設層が困難となるからである。If the refractive index is such that n is less than 1.3, the denseness of the film is insufficient and sufficient solvent resistance cannot be obtained.
This is because the adhesiveness is not sufficient, and if it exceeds 1.7, the water repellency and hardness of the polymer film increase, and the adhesion with the recording layer 12 (coating film) that is placed in contact with the polymer film becomes poor. This is also because it is difficult to construct layers.
このようなnとするときには、後述のように低成膜率
および低圧のプラズマ重合条件を選べばよい。When such n is set, a low film formation rate and low pressure plasma polymerization conditions may be selected as described later.
本発明において、プラズマ重合膜下地層13の厚さは、
10〜1000Å、好ましくは50〜600Åとするのがよい。In the present invention, the thickness of the plasma polymerized film underlayer 13 is
It is preferably 10 to 1000Å, preferably 50 to 600Å.
このような厚さとするのは10Å未満では、本発明の実
効が得られないからであり、1000Åをこえても本発明の
効果に差異はなく、この値以上にする必要がないからで
ある。The reason why such a thickness is set is that if the thickness is less than 10 Å, the effect of the present invention cannot be obtained.
なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いれば
よい。An ellipsometer or the like may be used to measure the film thickness.
このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時の反
応時間、原料ガス流量等を制御すればよい。The film thickness can be controlled by controlling the reaction time at the time of forming the plasma polymerized film, the flow rate of the raw material gas, and the like.
プラズマ重合膜下地層13は、前述の原料ガスの放電プ
ラズマを基板に接触させることにより重合膜を形成する
ものである。The plasma polymerized film underlayer 13 forms a polymerized film by bringing the above-mentioned discharge plasma of the source gas into contact with the substrate.
プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧
に保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由
電子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電
界加速を受け、5〜10eVの運動エネルギー(電子温度)
を獲得する。To summarize the principle of plasma polymerization, when a gas is kept at a low pressure and an electric field is applied, the free electrons present in the gas in a small amount have a much larger intermolecular distance than normal pressure, so they are subjected to electric field acceleration and 5 to 10 eV Kinetic energy (electron temperature)
To win.
この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や
分子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカ
ルなど、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。When the accelerated electrons collide with atoms or molecules, they break up the atomic orbitals and molecular orbitals and dissociate them into species that are unstable in normal conditions, such as electrons, ions, and neutral radicals.
解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分
子を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度
の電離状態となる。そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。The dissociated electrons are again accelerated by the electric field to dissociate another atom or molecule, and the chain action immediately turns the gas into a highly ionized state. And this is called plasma gas.
気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギ
ーをあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。Since gas molecules have few opportunities to collide with electrons, they do not absorb much energy and are kept at a temperature close to room temperature.
このような電子の運動エネルギー(電子温度)と、分
子の熱運動(ガス温度)が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種か比較的原型を保ったまま重合
等の加成的化学反応を進めうる状況を創出しており、本
発明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を形
成しようとするものである。なお、低温プラズマを利用
するため、基板への熱影響は全くない。Such a system in which the kinetic energy of electrons (electron temperature) and the thermal motion of molecules (gas temperature) are separated is called low-temperature plasma, and here, chemical species or comparatively archetypes are maintained while additive processing such as polymerization is performed. A situation has been created in which a chemical reaction can proceed, and the present invention intends to utilize this situation to form a plasma polymerized film on a substrate. Since the low temperature plasma is used, there is no thermal effect on the substrate.
基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第2図
に示してある。第2図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ重合装置である。An example of an apparatus for forming a plasma polymerized film on the surface of a substrate is shown in FIG. FIG. 2 shows a plasma polymerization apparatus using a frequency variable power source.
第2図において、反応容器Rには、原料ガス源511ま
たは512から原料ガスがそれぞれマスフローコントロー
ラ521および522を経て供給される。ガス源511または512
から別々のガスを供給する場合は、混合器53において混
合して供給する。In FIG. 2, raw material gas is supplied to the reaction vessel R from a raw material gas source 511 or 512 via mass flow controllers 521 and 522, respectively. Gas source 511 or 512
When different gases are supplied from the above, they are mixed and supplied in the mixer 53.
原料ガスは、各々1〜250ml/分の流量範囲をとりう
る。The raw material gas may have a flow rate range of 1 to 250 ml / min.
反応容器R内には、被処理基板111が一方の回転式電
極552に支持される。In the reaction container R, the substrate 111 to be processed is supported by one rotary electrode 552.
そして被処理基板111を挟むように回転式電極552に対
向する電極551が設けられている。Then, an electrode 551 facing the rotary electrode 552 is provided so as to sandwich the substrate 111 to be processed.
一方の電極551は、例えば周波数可変型の電源54に接
続され、他方の回転式電極552は8にて接地されてい
る。One electrode 551 is connected to, for example, a variable frequency power source 54, and the other rotary electrode 552 is grounded at 8.
さらに、反応容器R内には、容器内を排気するための
真空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ56、液
体窒素トラップ57、油拡散ポンプ58および真空コントロ
ーラ59を含む。これら真空系統は、反応容器内を0.1Tor
r未満、好ましくは0.005〜0.08Torrの真空度の範囲に維
持する。Further, in the reaction vessel R, a vacuum system for exhausting the inside of the vessel is provided, and this includes an oil rotary pump 56, a liquid nitrogen trap 57, an oil diffusion pump 58 and a vacuum controller 59. These vacuum systems have 0.1 Tor in the reaction vessel.
It is maintained in a vacuum degree range of less than r, preferably 0.005 to 0.08 Torr.
操作においては、反応容器R内がまず10-5Torr以下に
なるまで容器内を排気し、その後処理ガスを所定の流量
において容器内に混合状態で供給させる。In the operation, first, the inside of the reaction vessel R is evacuated to 10 -5 Torr or less, and then the processing gas is supplied in a mixed state into the vessel at a predetermined flow rate.
そして、成膜率は上記のようなnの重合膜とする場合
は50〜200Å/minとするのがよい。The film formation rate is preferably 50 to 200 Å / min in the case of the above-mentioned n polymer film.
このとき、反応容器内の真空度は0.1Torr未満、好ま
しくは0.005〜0.08Torrの範囲に管理される。At this time, the degree of vacuum in the reaction vessel is controlled to be less than 0.1 Torr, preferably 0.005 to 0.08 Torr.
原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにされる。
こうして、基板上にプラズマ上に重合膜が形成される。When the flow rate of the raw material gas becomes stable, the power is turned on.
In this way, the polymerized film is formed on the plasma on the substrate.
なお、キャリアガスとして、Ar,N2,He,H2などを使用
してもよい。Note that Ar, N 2 , He, H 2 or the like may be used as the carrier gas.
また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよ
い。Further, the applied current, the processing time, etc. may be set under normal conditions.
プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイク
ロ波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用でき
る。As the plasma generation source, any of microwave discharge, direct current discharge, alternating current discharge and the like can be used in addition to high frequency discharge.
本発明では、特に動作圧力が低圧にある場合は、磁場
を併用するマグネトロン方式を用いるのが好ましい。In the present invention, it is preferable to use the magnetron system in which a magnetic field is used in combination, especially when the operating pressure is low.
なお、本発明において原料に液体モノマーを用いる場
合は、第2図におけるガス源511,512のところに液体モ
ノマーを入れた容器を恒温槽に設置して使用すればよ
い。When a liquid monomer is used as a raw material in the present invention, a container containing the liquid monomer at the gas sources 511 and 512 in FIG. 2 may be installed in a constant temperature bath for use.
このように形成される本発明の光磁気記録媒体のプラ
ズマ重合膜中のSi含有量は、通常2〜95at%、特に2〜
80at%程度とする。The Si content in the plasma polymerized film of the magneto-optical recording medium of the present invention thus formed is usually 2 to 95 at%, especially 2 to 95 at%.
It is about 80 at%.
また、プラズマ重合膜中のC含有量は、5〜50at%程
度、Hは5〜90at%程度含有されることが好ましい。Further, it is preferable that the C content in the plasma polymerized film is about 5 to 50 at%, and the H content is about 5 to 90 at%.
なお、プラズマ重合膜中のO含有量は、通常40at%程
度以下とされる。The O content in the plasma polymerized film is usually about 40 at% or less.
なお、プラズマ重合膜中のSi,C,Hおよびその他の元素
の含有量の分析は、SIMS(2次イオン質量分析)等に従
えばよい。SIMSを用いる場合、プラズマ重合膜表面に
て、Si,C,Hおよびその他の元素をカウントして算出され
ばよい。The content of Si, C, H and other elements in the plasma polymerized film may be analyzed according to SIMS (secondary ion mass spectrometry) or the like. When SIMS is used, it may be calculated by counting Si, C, H and other elements on the surface of the plasma polymerized film.
あるいは、Ar等でイオンエッチングを行いながら、S
i,C,Hおよびその他の元素のプロファイルを測定して算
出してもよい。Alternatively, while performing ion etching with Ar etc., S
It may be calculated by measuring profiles of i, C, H and other elements.
SIMSの測定については、表面科学基礎講座第3巻(19
84)表面分析の基礎と応用(p70)“SIMSおよびLAMMA"
の記載に従えばよい。Regarding the measurement of SIMS, Surface Science Basic Course Vol. 3 (19
84) Basics and applications of surface analysis (p70) "SIMS and LAMMA"
You can follow the description.
このようなプラズマ重合膜下地層13は、プラズマ処理
された基板11上に形成されることが好ましい。Such a plasma polymerized film underlayer 13 is preferably formed on the plasma-treated substrate 11.
基板11表面をプラズマ処理することによって、基板11
との接着力が向上し、ひいてはこの基板とプラズマ重合
膜下地層13との接着力が向上する。By subjecting the surface of the substrate 11 to plasma treatment, the substrate 11
The adhesive force between the substrate and the plasma polymerized film underlayer 13 is improved.
基板11表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成
条件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的はほぼ
同一である。The principle of the plasma treatment method on the surface of the substrate 11, the method, the forming conditions and the like are basically the same as those of the plasma polymerization method described above.
ただし、プラズマ処理は、原則として無機ガスを処理
ガス(場合によっては無機ガスを混入させてもよい)を
原料ガスとして用いる。However, in the plasma processing, in principle, an inorganic gas is used as a processing gas (in some cases, an inorganic gas may be mixed) as a source gas.
本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はな
い。The plasma processing gas of the present invention is not particularly limited.
すなわち、H2,Ar,He,O2,N2,空気,NH3,O3,H2O;NO,N2O,
O2などのNOx等の中から適宜選定し、これらの単独ない
し混合したものいずれであってもよい。 That, H 2, Ar, He, O 2, N 2, air, NH 3, O 3, H 2 O; NO, N 2 O,
These may be selected from NOx such as O 2 and the like, and these may be used alone or in a mixture.
さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制
限はなく、直流、交流マイクロ波等いずれであってもよ
い。Further, the frequency of the plasma processing power source is not particularly limited, and may be DC, AC microwave or the like.
記録層12としては、種々のものであってよい。ただ、
本発明では色素単独からなるか、色素組成物からなるこ
とが好ましい。The recording layer 12 may be of various types. However,
In the present invention, it is preferable that the dye is used alone or the dye composition is used.
用いる色素としては、書き込み光および読み出し光の
波長に応じ、これを有効に吸収するもののなかから、適
宜決定すればよい。この場合、これらの光源としては、
装置を小型化できる点で、半導体レーザーを用いること
が好ましいので、色素はシアニン系、フタロシアニン
系、アントラキノン系、アゾ系、トリフェニルメタン
系、ピリリウムないしチアピリリウム塩系等が好まし
い。The dye to be used may be appropriately determined from those that effectively absorb the wavelengths of the writing light and the reading light. In this case, as these light sources,
Since it is preferable to use a semiconductor laser from the viewpoint that the device can be downsized, the dye is preferably cyanine, phthalocyanine, anthraquinone, azo, triphenylmethane, pyrylium or thiapyrylium salt.
また、色素組成物を記録層とする場合、ニトロセルロ
ース等の自己酸化性の樹脂や、ポリスチレン、ナイロン
等の熱可塑性樹脂を含有させることができる。また、色
素の酸化劣化を防止するため、クエンチャーを含有させ
ることもできる。さらには、この他の添加剤を含有させ
てもよい。When the dye composition is used as the recording layer, a self-oxidizing resin such as nitrocellulose or a thermoplastic resin such as polystyrene or nylon can be contained. Further, in order to prevent oxidative deterioration of the dye, a quencher may be contained. Further, other additives may be contained.
このような場合、特に好ましくは、インドレニン系の
シアニン色素とビスフェニルジチオール系等のクエンチ
ャーとの混合物が好ましい。In such a case, a mixture of an indolenine type cyanine dye and a bisphenyldithiol type quencher is particularly preferable.
またこれらを色素のカチオンと、クエンチャーのアニ
オンとのイオン結合体として用いるのも好ましい。It is also preferable to use these as an ionic bond between the cation of the dye and the anion of the quencher.
好ましい色素およびクエンチャーの詳細については特
開昭59−55794号、同59−55795号、同59−81194号、同5
9−83695号、同60−18387号、同60−19586号、同60−19
587号、同60−35054号、同60−36190号、同60−36191
号、同60−44554号、同60−44555号、同60−44389号、
同60−44390号、同60−47069号、同60−20991号、同60
−71294号、同60−54892号、同60−71295号、同60−712
96号、同60−73891号、同60−73892号、同60−73893
号、同60−83892号、同60−85449号、同60−92893号、
同60−159087号、同60−162691号、同60−203488号、同
60−201988号、同60−234886号、同60−234892号、同61
−16894号、同61−11292号、同61−11294号、同61−168
91号、同61−8384号、同61−14988号、同61−163243
号、同61−210539号、特願昭60−54013号等に記載され
ている。For details of preferred dyes and quenchers, see JP-A-59-55794, 59-55795, 59-81194 and 5
9-83695, 60-18387, 60-19586, 60-19
587, 60-35054, 60-36190, 60-36191
No. 60, No. 60-44554, No. 60-44555, No. 60-44389,
60-44390, 60-47069, 60-20991, 60
-71294, 60-54892, 60-71295, 60-712
96, 60-73891, 60-73892, 60-73893
No. 60, No. 60-83892, No. 60-85449, No. 60-92893,
60-159087, 60-162691, 60-203488, and
60-201988, 60-234886, 60-234892, 61
-16894, 61-11292, 61-11294, 61-168
No. 91, No. 61-8384, No. 61-14988, No. 61-163243
No. 61-210539, Japanese Patent Application No. 60-54013, and the like.
記録層12の設層は、ケトン系、エステル系、エーテル
系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系、アルコール系等
の溶媒を用いてスピンナーコート等の塗布を行えばよ
い。本発明では下地層13を設けたことにより耐溶剤性が
向上し、最適の溶媒を広範囲で溶媒群から選択して用い
ることができめる。The recording layer 12 may be applied by spinner coating or the like using a solvent such as a ketone type, an ester type, an ether type, an aromatic type, an alkyl halide type, or an alcohol type. In the present invention, since the underlayer 13 is provided, the solvent resistance is improved, and the optimum solvent can be used by selecting it from a wide range of solvents.
このような記録層12は、0.01〜10μmの厚さとすれば
よい。Such a recording layer 12 may have a thickness of 0.01 to 10 μm.
なお、トラッキング制御用のグルーブないしピットを
設ける場合、記録層の厚さは、0.2μm以下、より好ま
しくは0.05〜0.15μmとすることが好ましい。When a groove or pit for tracking control is provided, the thickness of the recording layer is preferably 0.2 μm or less, more preferably 0.05 to 0.15 μm.
このとき、書き込み感度が向上する。また、記録層中
での多重反射により、反射率がきわめて高くなり、読み
出しのS/N比がきわめて高くなる。そして、記録トラッ
ク部と他の領域との厚さの差にもとづく反射率の違いが
大きくなり、トラッキング制御が容易となる。At this time, the writing sensitivity is improved. Also, due to multiple reflections in the recording layer, the reflectivity becomes extremely high, and the S / N ratio for reading becomes extremely high. Then, the difference in reflectance due to the difference in thickness between the recording track portion and other regions becomes large, and tracking control becomes easy.
このような記録部分には、記録層の上層を設層するこ
ともできる。An upper layer of the recording layer may be provided in such a recording portion.
また、本発明の光記録媒体は、保護板を設けてもよ
い。Further, the optical recording medium of the present invention may be provided with a protective plate.
下地層13および記録層12を有する基板11と、保護板と
は空隙を介して一体化することが好ましく、その際一方
に突起を設けて一体化してもよく、一体化するには、通
常超音波融着を用いればよい。It is preferable that the substrate 11 having the underlayer 13 and the recording layer 12 and the protective plate are integrated with each other through a gap, and in that case, a protrusion may be provided on one side to integrate them. Sonic fusing may be used.
超音波融着を施す場合には、突起を例えば棒状とすれ
ばこの突起が有効に加熱され、融着効率が良好で、作業
性が良好となり、また接着強度も高く、空隙間隔も精度
よく制御することができる。In the case of ultrasonic welding, if the projection is made into a rod shape, for example, the projection is effectively heated, the fusion efficiency is good, the workability is good, the adhesive strength is high, and the gap spacing is also accurately controlled. can do.
変形が大きく突起配置密度が高いときには、気密な外
周壁が全面に形成されることがある。When the deformation is large and the protrusion arrangement density is high, an airtight outer peripheral wall may be formed on the entire surface.
また通気口を隔壁間に形成することもできる。 Vents can also be formed between the partitions.
通気口は、突起間間隙に形成される。 The vent hole is formed in the gap between the protrusions.
また、固着は接着剤を注入することによっても行われ
る。Fixing is also performed by injecting an adhesive.
また、基板の周縁部にホットメルト樹脂を接着剤とし
て塗布し、その後、両基板を組み合せ超音波融着を施し
た、いわゆる接着と融着との組み合せを用いて一体化し
てもよい。Alternatively, a hot-melt resin may be applied as an adhesive to the peripheral portion of the substrate, and then both substrates may be combined and ultrasonically fused, that is, a combination of so-called adhesion and fusion may be used for integration.
このような複数の棒状突起を形成するには、原盤また
はスタンパーの加工を行い、基板成形時一体成形すれば
よい。In order to form such a plurality of rod-shaped protrusions, a master or a stamper may be processed and integrally molded at the time of molding a substrate.
以上、棒状突起による一体化について説明してきた
が、この他、公知の種々の一体化構造が可能である。Although the integration using the rod-shaped projections has been described above, various other known integrated structures are possible.
なお、以上では片面記録の場合について述べてきたが
本発明では、両方の基板に記録層を設める両面記録の媒
体としてもよい。この場合には両方の基板が実質的に透
明な樹脂製であり、かつ両方の基板に下地層を設けるこ
とが必要である。Although the case of single-sided recording has been described above, the present invention may be a double-sided recording medium in which recording layers are provided on both substrates. In this case, it is necessary that both substrates are made of a substantially transparent resin, and both substrates are provided with a base layer.
V 発明の具体的作用 本発明の光記録媒体は、通常ディスクとし、回転下、
書き込み光を基板裏面側から照射する。これにより、好
ましくは溝凹部に位置する記録トラック部にピットがト
ラック状に形成される。V Specific Action of the Invention The optical recording medium of the present invention is a normal disc,
The writing light is emitted from the back side of the substrate. As a result, pits are preferably formed in a track shape in the recording track portion located in the groove recess.
このように形成されたピットは、回転下、基板裏面側
から読み出し光を照射して、その反射光を検出すること
によって検知される。The pits thus formed are detected by irradiating the reading light from the back surface side of the substrate while rotating and detecting the reflected light.
また、トラッキングの制御を行うには、通常、書き込
みおよび読み出しを行いながら、その反射光を分割し
て、2分割した一対のセンサーに導入する。このとき、
ビームスポットが記録トラック部をはずれかけると、溝
の段差で位相差による干渉効果による一次光が一方のセ
ンサー側にかたよるので、両センサーの信号を検出し
て、トラックエラー信号が検出される。In order to control tracking, the reflected light is usually divided while writing and reading, and is introduced into a pair of two divided sensors. At this time,
When the beam spot deviates from the recording track portion, the primary light due to the interference effect due to the phase difference due to the step difference of the groove is deflected toward one sensor side, so that the signals of both sensors are detected and the track error signal is detected.
なお、記録層に一旦形成したピットを、光または熱に
よって消去して、再び書き込みを行うこともできる。Note that the pits once formed in the recording layer can be erased by light or heat and writing can be performed again.
また、書き込みおよび読み出しに用いる光源として
は、各種レーザーを用いることができるが、特に半導体
レーザーを用いることが好ましい。As a light source used for writing and reading, various lasers can be used, but a semiconductor laser is particularly preferable.
VI 発明の具体的効果 本発明の光記録媒体は、基板上に、色素または色素組
成物の記録層を有するものであって記録層と基板との間
にシロキサン結合を有する珪素化合物を重合することに
より形成したプラズマ重合膜下地層を有しているため、
接着性、特に記録書き込み後の接着性が良好である また耐溶剤性に優れ反射レベルが高く良好な再生信号
が得られる。さらには、トラッキング制御用のグルーブ
ないしピットやアドレス信号用のピットの埋没を防止で
き、トラッキング制御用のグルーブないしピットの埋没
によるエラー信号の発生がなく、アドレス信号用のピッ
トの埋没がないため、アドレス信号も良好に再生するこ
とができる。VI Specific Effect of the Invention The optical recording medium of the present invention has a recording layer of a dye or a dye composition on a substrate, and a silicon compound having a siloxane bond is polymerized between the recording layer and the substrate. Since it has a plasma polymerized film underlayer formed by
Adhesiveness, particularly adhesiveness after recording and writing, is good, excellent solvent resistance, high reflection level, and good reproduction signal can be obtained. Furthermore, it is possible to prevent burying of the tracking control groove or pit and the address signal pit, and there is no error signal generation due to the tracking control groove or pit burial, and there is no address signal pit burial. The address signal can be reproduced well.
VII 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例をあげて本発明をさらに
詳細に説明する。VII Specific Examples of the Invention Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples of the present invention.
実施例 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールA系のポリカ
ーボネート樹脂(分子量15000)からなる基板11に射出
成型により、スパイラル状に巾0.6μm、深さ0.1μmの
トラッキング制御用のグルーブを、また巾0.6μm、深
さ0.1μmのアドレス信号用のピットをそれぞれ設け
た。このような基板11を真空チャンバ中に入れ、一旦10
-5Torrの真空に引いた後、処理ガスとしてArを用い、流
量:50ml/分にてガス圧0.1Torrに保ちながら13.56MHzの
高周波電圧をかけてプラズマを発生させ、基板11表面を
プラズマ処理した。Example A substrate 11 made of a bisphenol A-based polycarbonate resin (molecular weight: 15000) having a diameter of 13 cm and a thickness of 1.2 mm was injection-molded into a spiral groove having a width of 0.6 μm and a depth of 0.1 μm for tracking control. Pits for address signals of 0.6 μm and depth of 0.1 μm were provided respectively. Such a substrate 11 is put in a vacuum chamber and once
After drawing a vacuum of -5 Torr, Ar is used as a processing gas, and a high frequency voltage of 13.56 MHz is applied to generate plasma while maintaining a gas pressure of 0.1 Torr at a flow rate of 50 ml / min, and the surface of the substrate 11 is plasma-treated. did.
その後、さらに表1に示す条件にてプラズマ重合膜下
地層13を基板11上に形成した。Then, a plasma polymerized film underlayer 13 was further formed on the substrate 11 under the conditions shown in Table 1.
なお、表1に示した屈折率nは6238Åにて測定した。 The refractive index n shown in Table 1 was measured at 6238Å.
また、これらのプラズマ重合膜の元素分析はSIMSで測
定し、膜厚はエリプソメータによって測定した。The elemental analysis of these plasma polymerized films was measured by SIMS, and the film thickness was measured by an ellipsometer.
記録層12はインドレニン系シアニン色素(1,3,3,1′,
3′,3′−ヘキサトリメチルインドトリカルボシアニン
カチオン)とビスフェニルジチオール系のクエンチャー
(ビス(トリクロロフェニルジチオール)Niアニオン)
との色素結合体の2.2%シクロヘキサノン溶液を用い
て、0.05μmの厚さに前述のように下地層13を設層した
基板11上に塗布設層した。The recording layer 12 is an indolenine cyanine dye (1,3,3,1 ′,
3 ', 3'-Hexatrimethylindotricarbocyanine cation) and a bisphenyldithiol system quencher (bis (trichlorophenyldithiol) Ni anion)
A 2.2% cyclohexanone solution of the dye conjugate of and was applied and applied onto the substrate 11 on which the underlayer 13 was applied to a thickness of 0.05 μm as described above.
このようにしてサンプル1〜8を得た。 In this way, samples 1 to 8 were obtained.
また下地層を設層しないものも作製し、これをサンプ
ル10とした。A sample having no underlying layer was also prepared and used as Sample 10.
また、比較として、特開昭60−203489号で開示されて
いるケイ素系縮合物のコロイド粒子分散液(コルコー
ト)の塗膜を下地層に使用したものも作製し、これをサ
ンプル11とした。For comparison, a sample using a coating film of a colloidal particle dispersion liquid (colcoat) of a silicon-based condensate disclosed in JP-A-60-203489 as an underlayer was prepared, and this was designated as Sample 11.
この場合、下地層は酢酸エチルとエチルアルコールを
10:11の割合で混合し、撹拌しながら徐々にSi(OC2H5)
4を酢酸エチルに対し2/25の割合で添加後、3〜4日間
放置した溶液をn−プロパノールでさらに10倍希釈した
後、基板上に塗布設層し、60℃、30分処理して形成し
た。In this case, the underlayer contains ethyl acetate and ethyl alcohol.
Mix at a ratio of 10:11 and gradually add Si (OC 2 H 5 ) while stirring.
After the addition 4 at a ratio of 2/25 to ethyl acetate, allowed to stand solution for 3-4 days was diluted further 10 times with n- propanol, and coating laying layer on a substrate, 60 ° C., and treated for 30 minutes Formed.
なお、酸化ケイ素コロイドの粒径は50〜80Åであり、
下地層の厚さは400Åとした。The particle size of the silicon oxide colloid is 50-80Å,
The thickness of the underlayer was 400Å.
以上のサンプルを用いて下記の測定を行った。 The following measurements were performed using the above samples.
(1)基板と下地層との接着強度 各サンプルの初期時、記録後および60℃、90%RHの雰
囲気中に10日放置後の接着強度を、各サンプルを1mm間
隔で縦横各々11本クロスカットし、セロテープによる剥
離テストを行ったときの基板への残存率(%)により評
価した。(1) Adhesive strength between substrate and underlayer The adhesive strength of each sample at the beginning, after recording, and after being left for 10 days in an atmosphere of 60 ° C, 90% RH, crosses each sample at 1 mm intervals in 11 rows and 11 rows each. It was evaluated by the residual rate (%) on the substrate when cut and subjected to a peeling test with a cellophane tape.
なお、記録は、記録パワー3.8mW、線速度1.3m/Sで行
った。The recording was performed at a recording power of 3.8 mW and a linear velocity of 1.3 m / S.
(2)反射レベル 830nmで基板裏面側から光ディスクドライブ装置にて
溝部をトラッキングコントロールを行った状態で反射レ
ベル測定した。なお、表中の値は任意単位である。(2) Reflection level At 830 nm, the reflection level was measured from the back surface side of the substrate while the groove portion was tracking-controlled by the optical disk drive device. The values in the table are in arbitrary units.
(3)トラッキングエラー信号の量 光ディスクドライブ装置にて、記録膜面(未記録部)
に光を集束させ、トラッキングコントロールを行わない
状態でpush−pullトラッキングエラー信号の量を測定し
た。なお、表中の任意単位である。(3) Amount of tracking error signal Recording film surface (unrecorded portion) in the optical disk drive device
The amount of push-pull tracking error signal was measured in the state where the light was focused on and the tracking control was not performed. It is an arbitrary unit in the table.
(4)アドレス信号の再生 光ディスクドライブ装置にて記録膜面(アドレス信号
部)に光を集束させ、トラッキングコントロールを行っ
た状態でアドレス信号光の量を測定した。なお、表中の
値は任意単位である。(4) Reproduction of Address Signal The amount of address signal light was measured while tracking control was performed by focusing light on the recording film surface (address signal portion) with an optical disk drive device. The values in the table are in arbitrary units.
これらの結果を表2に示す。 Table 2 shows the results.
表2の結果より、本発明の効果は明らかである。すな
わち、プラズマ重合膜の屈折率nが1.3未満となっても
1.7をこえても接着性、特に記録保存後の接着性が悪化
し、再生特性が低下する。また、塗膜では本発明の効果
は得られない。 From the results in Table 2, the effect of the present invention is clear. That is, even if the refractive index n of the plasma polymerized film is less than 1.3
Even if it exceeds 1.7, the adhesiveness, particularly the adhesiveness after recording and storage, is deteriorated and the reproduction characteristics are deteriorated. Further, the effect of the present invention cannot be obtained with a coating film.
第1図は、本発明の光記録媒体の1実施態様を示す断面
図である。 第2図は、プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 1……光記録媒体、11……基板、 115……グルーブ、12……記録層、 13……プラズマ重合膜下地層、 53……混合器、 54……直流、交流および周波数可変型電源、 56……油回転ポンプ、 57……液体窒素トラップ、 58……油拡散ポンプ、 59……真空コントローラ、 111……被処理基板、 511、512……原料ガス源、 521、522……マスフローコントローラ、 551、552……電極FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the optical recording medium of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram of a plasma polymerization apparatus. Explanation of symbols 1 ... Optical recording medium, 11 ... Substrate, 115 ... Groove, 12 ... Recording layer, 13 ... Plasma polymerized film underlayer, 53 ... Mixer, 54 ... DC, AC and variable frequency Type power source, 56 …… Oil rotary pump, 57 …… Liquid nitrogen trap, 58 …… Oil diffusion pump, 59 …… Vacuum controller, 111 …… Substrate to be processed, 511,512 …… Source gas source, 521,522… … Mass flow controller, 551,552 …… Electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 正俊 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−184743(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masatoshi Nakayama 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK Corporation (56) References JP-A-61-184743 (JP, A)
Claims (3)
色素組成物の記録層を有する光記録媒体において、 記録層と基板との間に、シロキサン結合を有する珪素化
合物をプラズマ重合することにより形成したプラズマ重
合膜下地層を有し、プラズマ重合膜の6328Åにおける屈
折率が1.3〜1.7であることを特徴とする光記録媒体。1. An optical recording medium having a recording layer of a dye or a dye composition formed by coating on a substrate, formed by plasma polymerizing a silicon compound having a siloxane bond between the recording layer and the substrate. An optical recording medium having the above-mentioned plasma polymerized film underlayer, wherein the refractive index of the plasma polymerized film at 6328Å is 1.3 to 1.7.
である特許請求の範囲第1項に記載の光記録媒体。2. The thickness of the underlayer of the plasma polymerized film is 10 to 1000Å
The optical recording medium according to claim 1, wherein
求の範囲第1項または第2項に記載の光記録媒体。3. The optical recording medium according to claim 1 or 2, wherein the substrate has at least a resin surface.
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ID=12403078
Family Applications (1)
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-
1987
- 1987-02-17 JP JP62034035A patent/JP2523303B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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