JP2534082B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明はPCM（Pulse Code Modulation）記録再生装置
や電子スチルカメラ等に用いられる薄膜磁気ヘッドに関
し、特に埋込み多層スパイラル型薄膜磁気ヘッドのコイ
ル導体の改良に関する。
や電子スチルカメラ等に用いられる薄膜磁気ヘッドに関
し、特に埋込み多層スパイラル型薄膜磁気ヘッドのコイ
ル導体の改良に関する。
［従来技術］ 薄膜磁気ヘッドは、巻線数増加による記録再生効率の
向上を図るためにスパイラル状のコイル導体を複数層形
成した、いわゆる多層スパイラル型薄膜磁気ヘッド、そ
の中でも特に製造プロセスの簡略化のために埋込み多層
スパイラル型薄膜磁気ヘッドが実用化されている。
向上を図るためにスパイラル状のコイル導体を複数層形
成した、いわゆる多層スパイラル型薄膜磁気ヘッド、そ
の中でも特に製造プロセスの簡略化のために埋込み多層
スパイラル型薄膜磁気ヘッドが実用化されている。
上記埋込み多層スパイラル型薄膜磁気ヘッドは、第３
図（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）に示されるように、磁性あ
るいは非磁性基板50上にアモルファスあるいはセンダス
トなどから成る下部磁性体50aが、さらにその上にSiO2
等から成る第一絶縁層51がスパッタリングや蒸着などに
より形成される。次にその上にCuから成る下層コイル導
体52が形成され、その後前記下層コイル導体52上に第二
絶縁層53が形成され、次に下層コイル導体52間に上層コ
イル導体54を形成し、その上に第三絶縁層55を形成し、
上部磁性体57と下部磁性体50aとを磁気的に結合させる
ための窓をあけるべくテーパーエッチングを行ない、そ
の後SiO2などから成るギャップ層（図示せず）を形成
し、その上にアモルファスあるいはセンダストなどから
成る上部磁性体57を形成する。
図（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）に示されるように、磁性あ
るいは非磁性基板50上にアモルファスあるいはセンダス
トなどから成る下部磁性体50aが、さらにその上にSiO2
等から成る第一絶縁層51がスパッタリングや蒸着などに
より形成される。次にその上にCuから成る下層コイル導
体52が形成され、その後前記下層コイル導体52上に第二
絶縁層53が形成され、次に下層コイル導体52間に上層コ
イル導体54を形成し、その上に第三絶縁層55を形成し、
上部磁性体57と下部磁性体50aとを磁気的に結合させる
ための窓をあけるべくテーパーエッチングを行ない、そ
の後SiO2などから成るギャップ層（図示せず）を形成
し、その上にアモルファスあるいはセンダストなどから
成る上部磁性体57を形成する。
［発明が解決しようとする問題点］ ところで、上述の埋込み型多層スパイラル薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、その構造上、上層コイル導体層を下層
コイル導体間隔の中に最適に配設しないと大きな段差を
生じてしまう〔第３図（Ｂ），（Ｃ）〕。
ッドにおいては、その構造上、上層コイル導体層を下層
コイル導体間隔の中に最適に配設しないと大きな段差を
生じてしまう〔第３図（Ｂ），（Ｃ）〕。
このような大きな段差が生じると、スパッタリング等
の手法で形成している第三絶縁層55及び上部磁性体57
は、段差部に位置する前記第三絶縁層55a及び上部磁性
体57aが、平坦部に較べて薄く被着される。したがって
上部磁性体のエッチングにおいて、段差部に位置する上
部磁性体57aは、平坦部に位置する上部磁性体57に較べ
エッチング時間が短くなる。
の手法で形成している第三絶縁層55及び上部磁性体57
は、段差部に位置する前記第三絶縁層55a及び上部磁性
体57aが、平坦部に較べて薄く被着される。したがって
上部磁性体のエッチングにおいて、段差部に位置する上
部磁性体57aは、平坦部に位置する上部磁性体57に較べ
エッチング時間が短くなる。
このため平坦部に位置する上部磁性体57のエッチング
が完了した時点では、段差部に位置する第三絶縁層55a
がオーバーエッチングされてしまい絶縁破壊を生ずる恐
れがある。また、下層コイル導体52と上部コイル導体54
とが交差する部分に特に急激な段差を生じてしまう。こ
のため、特開昭62−22218号公報に開示されている薄膜
磁気ヘッドでは、第４図（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）に示
すように、上層コイル導体と下層コイル導体が交差する
部分の下層コイル導体52に突出部52aを設けて上記段差
を解消しようとしている。この場合は確かに上層コイル
が下層コイルに渡りこむ部分では段差は解消されるが、
第４図（Ｃ）からわかる様に、その他の部分では上層コ
イル54が完全に下層コイル52上に配設されているため段
差が解消されず、この部分での絶縁層55の絶縁破壊が生
じてしまう。また、上部磁極より後方部分では、下層コ
イル間の間隔ｌを20〜30μ程度とっているため、コイル
のトータル長さが長くなり、直流抵抗が高くなってしま
い、ヘッドのインピーダンスによるノイズが増え、S/N
の劣化を招く恐れがある。
が完了した時点では、段差部に位置する第三絶縁層55a
がオーバーエッチングされてしまい絶縁破壊を生ずる恐
れがある。また、下層コイル導体52と上部コイル導体54
とが交差する部分に特に急激な段差を生じてしまう。こ
のため、特開昭62−22218号公報に開示されている薄膜
磁気ヘッドでは、第４図（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）に示
すように、上層コイル導体と下層コイル導体が交差する
部分の下層コイル導体52に突出部52aを設けて上記段差
を解消しようとしている。この場合は確かに上層コイル
が下層コイルに渡りこむ部分では段差は解消されるが、
第４図（Ｃ）からわかる様に、その他の部分では上層コ
イル54が完全に下層コイル52上に配設されているため段
差が解消されず、この部分での絶縁層55の絶縁破壊が生
じてしまう。また、上部磁極より後方部分では、下層コ
イル間の間隔ｌを20〜30μ程度とっているため、コイル
のトータル長さが長くなり、直流抵抗が高くなってしま
い、ヘッドのインピーダンスによるノイズが増え、S/N
の劣化を招く恐れがある。
即ち、従来の埋込み型多層スパイラル薄膜磁気ヘッド
では、上述したように上部磁性体のエッチングの時に絶
縁破壊あるいは上層コイルの導体切れ、及び直流抵抗増
加によるS/Nの低下が生ずるという問題があった。
では、上述したように上部磁性体のエッチングの時に絶
縁破壊あるいは上層コイルの導体切れ、及び直流抵抗増
加によるS/Nの低下が生ずるという問題があった。
本発明者等は、鋭意実験を重ねた結果、下層コイル導
体間隔Ｓ上に上層コイル導体54を配設した場合に、下層
コイル導体52上へののり上げ量δ〔第３図（Ｂ）参照〕
が20μｍ以上になると、こののり上げ部分の段差が大き
くなってしまい上記問題が生ずるが、20μｍ以下にする
事により段差量が軽減される事を見出した。
体間隔Ｓ上に上層コイル導体54を配設した場合に、下層
コイル導体52上へののり上げ量δ〔第３図（Ｂ）参照〕
が20μｍ以上になると、こののり上げ部分の段差が大き
くなってしまい上記問題が生ずるが、20μｍ以下にする
事により段差量が軽減される事を見出した。
そこで、本発明は、上述の欠点に解消せんがために提
案されたもので上部磁性体をエッチングしても絶縁破壊
や導体切れを生ずる事がなく、かつ直流抵抗を極力小さ
くしS/Nの向上が得られる薄膜ヘッドを提供する事を目
的とする。
案されたもので上部磁性体をエッチングしても絶縁破壊
や導体切れを生ずる事がなく、かつ直流抵抗を極力小さ
くしS/Nの向上が得られる薄膜ヘッドを提供する事を目
的とする。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するために本発明は、下部磁性体上に
複数層のスパイラル状のコイル導体及び上部磁性体がが
絶縁層を介して積層形成されて成る薄膜磁気ヘッドにお
いて、 エッチングされ所定の形状を有する上部磁性体で覆われ
てないコイル導体領域のコイル導体形状を次の様にした
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
複数層のスパイラル状のコイル導体及び上部磁性体がが
絶縁層を介して積層形成されて成る薄膜磁気ヘッドにお
いて、 エッチングされ所定の形状を有する上部磁性体で覆われ
てないコイル導体領域のコイル導体形状を次の様にした
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
ｉ）45゜≦θ≦60゜、1.5S≦Ｌ≦4.5S 但し、 θ：エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル
導体の傾斜角 L:エッチング後の上部磁性体で覆われない上層コイルの
導体幅（μｍ） S:エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル導
体間隔（μｍ） でかつ、 ii）下層コイルに交差して上層コイルが配設された領域
で、下層コイルと上層コイルとで囲まれたスペースの面
積CSが、 49（μm2）≦CS≦225（μm2） である。
導体の傾斜角 L:エッチング後の上部磁性体で覆われない上層コイルの
導体幅（μｍ） S:エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル導
体間隔（μｍ） でかつ、 ii）下層コイルに交差して上層コイルが配設された領域
で、下層コイルと上層コイルとで囲まれたスペースの面
積CSが、 49（μm2）≦CS≦225（μm2） である。
［作用］ このように、エッチングされ所定の形状を有する上部
磁性体で覆われてないコイル導体領域のコイル導体形状
が、 ｉ）45゜≦θ≦60゜、1.5S≦Ｌ≦4.5S 但し、 θ：エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル
導体の傾斜角 L:エッチング後の上部磁性体で覆われない上層コイルの
導体幅（μｍ） S:エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル導
体間隔（μｍ） でかつ、 ii）下層コイルに交差して上層コイルが配設された領域
で、下層コイルと上層コイルとで囲まれたスペースの面
積CSが、 49（μm2）≦CS≦225（μm2） を満足するように配置されているため、段差量が非常に
小さくなり、上部磁性体をエッチングで取り除いても、
絶縁層の過度のオーバーエッチングや上層コイル導体ま
でのエッチングが無くなる。また、下層コイル導体間隔
もしくは上層コイル導体間隔を、これらに囲まれたスペ
ース面積（CS）を49μm2以上225μm2未満、即ち長さに
して７μｍ以上15μｍ以下とすることにより。コイル長
を短くする事ができるため、直流抵抗が小さく出来、S/
Nを向上させることが出来る。
磁性体で覆われてないコイル導体領域のコイル導体形状
が、 ｉ）45゜≦θ≦60゜、1.5S≦Ｌ≦4.5S 但し、 θ：エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル
導体の傾斜角 L:エッチング後の上部磁性体で覆われない上層コイルの
導体幅（μｍ） S:エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル導
体間隔（μｍ） でかつ、 ii）下層コイルに交差して上層コイルが配設された領域
で、下層コイルと上層コイルとで囲まれたスペースの面
積CSが、 49（μm2）≦CS≦225（μm2） を満足するように配置されているため、段差量が非常に
小さくなり、上部磁性体をエッチングで取り除いても、
絶縁層の過度のオーバーエッチングや上層コイル導体ま
でのエッチングが無くなる。また、下層コイル導体間隔
もしくは上層コイル導体間隔を、これらに囲まれたスペ
ース面積（CS）を49μm2以上225μm2未満、即ち長さに
して７μｍ以上15μｍ以下とすることにより。コイル長
を短くする事ができるため、直流抵抗が小さく出来、S/
Nを向上させることが出来る。
［実 施 例］ 以下、本発明の一実施例について、第１図（Ａ），
（Ｂ）及び（Ｃ）を参照しながら詳細に説明する。
（Ｂ）及び（Ｃ）を参照しながら詳細に説明する。
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、下部磁性体１と
しては、Mn−Zn系フェライトやNi−Zn系フェライト等の
強磁性酸化物基板10、または、セラミック等の非磁性基
板上にFe−Ni系合金（パーマロイ）やFe−Al−Si系合金
（センダスト）あるいは、Co−Nb−Zr系合金（アモルフ
ァス）等の強磁性金属材料を積層した複合基板、あるい
は、上記強磁性酸化物基板上にパーマロイやセンダスト
あるいはアモルファス等の強磁性金属材料を積層した複
合基板等が使用される。上記、下部磁性体１上にSiO2等
から成る第一絶縁層２がスパッタリング技術等を用い
て、被着形成される。次いでCuあるいはAl等の金属導体
より成る、下層コイル導体３が所定の間隔をもって、渦
巻状に形成されている。
しては、Mn−Zn系フェライトやNi−Zn系フェライト等の
強磁性酸化物基板10、または、セラミック等の非磁性基
板上にFe−Ni系合金（パーマロイ）やFe−Al−Si系合金
（センダスト）あるいは、Co−Nb−Zr系合金（アモルフ
ァス）等の強磁性金属材料を積層した複合基板、あるい
は、上記強磁性酸化物基板上にパーマロイやセンダスト
あるいはアモルファス等の強磁性金属材料を積層した複
合基板等が使用される。上記、下部磁性体１上にSiO2等
から成る第一絶縁層２がスパッタリング技術等を用い
て、被着形成される。次いでCuあるいはAl等の金属導体
より成る、下層コイル導体３が所定の間隔をもって、渦
巻状に形成されている。
ここで本発明においては、コイル直流抵抗を出来る限
り小さくするために、下層コイル導体間隔Ｓを７μｍ以
上15μｍ以下にしている。さらにマスクとなるフォトレ
ジストとエッチング後の寸法を同一にする（パターン変
換差＝０）ために、イオンミリングでエッチングする際
にマスクとなるフォトレジストにアフターベークを加え
た後、イオンビーム入射角度（フォトレジスト上面の法
線方向に対する角度）０゜〜15゜でエッチングする。こ
うする事によりエッチング後のコイル導体間隔はフォト
レジストパターン間隔と同一となり、フォトマスクパタ
ーン設計が容易となる。次にSiO2等から成る第二絶縁層
４を被着形成した後、下層コイル導体３と上層コイル導
体５を接続するためのコンタクト窓（図示せず）が開け
られ、次いで前記第二絶縁層４を覆う如くCuやAlなどか
ら成る金属導体を被着形成し、イオンミリングによりエ
ッチングして、上層コイル導体５が形成される。この際
上層コイル導体５は、第１図（Ａ）に示す如く、エッチ
ングされ所定の形状を有する上部磁性体で覆われてない
コイル導体領域のコイル導体形状が、 ｉ）45゜≦θ≦60゜、1.5S≦Ｌ≦4.5S 但し、 θ：エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル
導体の傾斜角 L:エッチング後の上部磁性体で覆われない上層コイルの
導体幅（μｍ） S:エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル導
体間隔（μｍ） でかつ、 ii）下層コイルに交差して上層コイルが配設された領域
で、下層コイルと上層コイルとで囲まれたスペースの面
積CSが、 49（μm2）≦CS≦225（μm2） を満足するように配置される。さらに、上層コイル導体
間隔も上層コイル導体の直流抵抗を小さくするために、
スペース面積（CS）が49μm2以上225μm2未満の関係か
ら、下層コイル導体と同様に７μｍ以上15μｍ以下とす
る。ここで前記上層コイル導体を形成する際のイオンビ
ーム入射角は０〜15゜に設定すれば、下層コイルと上層
コイルで囲まれた領域（Ａ部）も７×７μm2の領域まで
はイオンビームが十分入り、上層コイル間の短絡が生じ
ない事がわかった。また導体間の間隔Ｓが15μｍ以上に
なると直流抵抗が増加する。さらに間隔Ｓが大きいと第
三絶縁層６を介してその上に形成される上部磁性体７を
パターンエッチングする際に、マスクとなるフォトレジ
ストを塗布した場合、フォトレジストが下層コイルと上
層コイルで囲まれた領域（Ａ部）で急激な段差となるた
めに、フォトレジストをパターニングするべき上部磁性
体７部分の膜厚変動を生じ、特に上部磁性体７の膜厚が
磁気的飽和を回避するために十数μｍ以上厚くしたい場
合には、前記膜厚変動のため残したい上部磁性体７をエ
ッチングしてしまう事が実験より判った。
り小さくするために、下層コイル導体間隔Ｓを７μｍ以
上15μｍ以下にしている。さらにマスクとなるフォトレ
ジストとエッチング後の寸法を同一にする（パターン変
換差＝０）ために、イオンミリングでエッチングする際
にマスクとなるフォトレジストにアフターベークを加え
た後、イオンビーム入射角度（フォトレジスト上面の法
線方向に対する角度）０゜〜15゜でエッチングする。こ
うする事によりエッチング後のコイル導体間隔はフォト
レジストパターン間隔と同一となり、フォトマスクパタ
ーン設計が容易となる。次にSiO2等から成る第二絶縁層
４を被着形成した後、下層コイル導体３と上層コイル導
体５を接続するためのコンタクト窓（図示せず）が開け
られ、次いで前記第二絶縁層４を覆う如くCuやAlなどか
ら成る金属導体を被着形成し、イオンミリングによりエ
ッチングして、上層コイル導体５が形成される。この際
上層コイル導体５は、第１図（Ａ）に示す如く、エッチ
ングされ所定の形状を有する上部磁性体で覆われてない
コイル導体領域のコイル導体形状が、 ｉ）45゜≦θ≦60゜、1.5S≦Ｌ≦4.5S 但し、 θ：エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル
導体の傾斜角 L:エッチング後の上部磁性体で覆われない上層コイルの
導体幅（μｍ） S:エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル導
体間隔（μｍ） でかつ、 ii）下層コイルに交差して上層コイルが配設された領域
で、下層コイルと上層コイルとで囲まれたスペースの面
積CSが、 49（μm2）≦CS≦225（μm2） を満足するように配置される。さらに、上層コイル導体
間隔も上層コイル導体の直流抵抗を小さくするために、
スペース面積（CS）が49μm2以上225μm2未満の関係か
ら、下層コイル導体と同様に７μｍ以上15μｍ以下とす
る。ここで前記上層コイル導体を形成する際のイオンビ
ーム入射角は０〜15゜に設定すれば、下層コイルと上層
コイルで囲まれた領域（Ａ部）も７×７μm2の領域まで
はイオンビームが十分入り、上層コイル間の短絡が生じ
ない事がわかった。また導体間の間隔Ｓが15μｍ以上に
なると直流抵抗が増加する。さらに間隔Ｓが大きいと第
三絶縁層６を介してその上に形成される上部磁性体７を
パターンエッチングする際に、マスクとなるフォトレジ
ストを塗布した場合、フォトレジストが下層コイルと上
層コイルで囲まれた領域（Ａ部）で急激な段差となるた
めに、フォトレジストをパターニングするべき上部磁性
体７部分の膜厚変動を生じ、特に上部磁性体７の膜厚が
磁気的飽和を回避するために十数μｍ以上厚くしたい場
合には、前記膜厚変動のため残したい上部磁性体７をエ
ッチングしてしまう事が実験より判った。
また、上層コイル導体幅Ｌを下層導体間隔Ｓに対し
て、下記＜表１＞に示すような組み合わせで実験を行な
ったところ、下層コイル導体間隔Ｓと上層コイル導体幅
Ｌは1.5S≦Ｌ≦4.5Sを満たしている。
て、下記＜表１＞に示すような組み合わせで実験を行な
ったところ、下層コイル導体間隔Ｓと上層コイル導体幅
Ｌは1.5S≦Ｌ≦4.5Sを満たしている。
この時の下層コイル導体のエッチング後の傾斜角θは
45゜〜60゜であり、上下コイル導体が存在する部分の段
差が非常に緩やかなものとなった。そして、上層コイル
導体の上に形成される上部磁性体７のパターンエッチン
グにおいて、上部磁性体は均一にエッチング出来、第三
絶縁層６のオーバーエッチングによる絶縁破壊、あるい
は、上部コイル導体５もエッチングされる事がなく、断
線も生じなかった。
45゜〜60゜であり、上下コイル導体が存在する部分の段
差が非常に緩やかなものとなった。そして、上層コイル
導体の上に形成される上部磁性体７のパターンエッチン
グにおいて、上部磁性体は均一にエッチング出来、第三
絶縁層６のオーバーエッチングによる絶縁破壊、あるい
は、上部コイル導体５もエッチングされる事がなく、断
線も生じなかった。
ところで、前記上部コイル導体５は、フロントギャッ
プ近傍部（前述の上部磁性体７が残存形成される部分）
においては下部コイル導体３間の間隙にこの間隙を埋め
る如く形成されるので、これらコイル導体3,5の表面が
略平坦に形成され、この結果上部磁性体７が略平坦に形
成され、良好な磁気特性が得られるようになっている。
プ近傍部（前述の上部磁性体７が残存形成される部分）
においては下部コイル導体３間の間隙にこの間隙を埋め
る如く形成されるので、これらコイル導体3,5の表面が
略平坦に形成され、この結果上部磁性体７が略平坦に形
成され、良好な磁気特性が得られるようになっている。
次に、第２図に本発明の他の実施例を示す。この実施
例は、上部コイル導体が図示の如く形成され、しかも第
１の実施例と同様、上部コイル導体は、エッチングされ
所定の形状を有する上部磁性体７で覆われてないコイル
導体領域のコイル導体形状が、 ｉ）45゜≦θ≦60゜、1.5S≦Ｌ≦4.5S 但し、 θ：エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル
導体の傾斜角 L:エッチング後の上部磁性体で覆われない上層コイルの
導体幅（μｍ） S:エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル導
体間隔（μｍ） でかつ、 ii）下層コイルに交差して上層コイルが配設された領域
で、下層コイルと上層コイルとで囲まれたスペースの面
積CSが、 49（μm2）≦CS≦225（μm2） を満足するように配置されることを特徴としており、か
つ上層コイル導体の直流抵抗を小さくするために、下層
コイル導体３と直交する上層コイル導体５の幅を大きく
とっている。
例は、上部コイル導体が図示の如く形成され、しかも第
１の実施例と同様、上部コイル導体は、エッチングされ
所定の形状を有する上部磁性体７で覆われてないコイル
導体領域のコイル導体形状が、 ｉ）45゜≦θ≦60゜、1.5S≦Ｌ≦4.5S 但し、 θ：エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル
導体の傾斜角 L:エッチング後の上部磁性体で覆われない上層コイルの
導体幅（μｍ） S:エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル導
体間隔（μｍ） でかつ、 ii）下層コイルに交差して上層コイルが配設された領域
で、下層コイルと上層コイルとで囲まれたスペースの面
積CSが、 49（μm2）≦CS≦225（μm2） を満足するように配置されることを特徴としており、か
つ上層コイル導体の直流抵抗を小さくするために、下層
コイル導体３と直交する上層コイル導体５の幅を大きく
とっている。
本実施例でも、先きの実施例と同じく下層に形成され
る絶縁層の絶縁破壊或いは上層コイル導体の断線を生じ
ないで、良好な磁気特性が得られた。
る絶縁層の絶縁破壊或いは上層コイル導体の断線を生じ
ないで、良好な磁気特性が得られた。
以上、各実施例ではコイル導体を２層積層した薄膜磁
気ヘッドについて説明したが、本発明は、スパイラル状
のコイル導体を２層以上積層した薄膜ヘッドにも適用さ
れる。
気ヘッドについて説明したが、本発明は、スパイラル状
のコイル導体を２層以上積層した薄膜ヘッドにも適用さ
れる。
また、各実施例では、１チャンネルの薄膜磁気ヘッド
について説明したが、複数の薄膜磁気ヘッド素子を有す
る、いわゆるマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドにも適用
される。
について説明したが、複数の薄膜磁気ヘッド素子を有す
る、いわゆるマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドにも適用
される。
［発明の効果］ 本発明の薄膜磁気ヘッド下部磁性体上に複数層のスパ
イラル状のコイル導体及び上部磁性体がが絶縁層を介し
て積層形成されて成る薄膜磁気ヘッドにおいて、 エッチングされ所定の形状を有する上部磁性体で覆わ
れてないコイル導体領域のコイル導体形状が、 ｉ）45゜≦θ≦60゜、1.5S≦Ｌ≦4.5S 但し、 θ：エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル
導体の傾斜角 L:エッチング後の上部磁性体で覆われない上層コイルの
導体幅（μｍ） S:エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル導
体間隔（μｍ） でかつ、 ii）下層コイルに交差して上層コイルが配設された領域
で、下層コイルと上層コイルとで囲まれたスペースの面
積CSが、 49（μm2）≦CS≦225（μm2） であることを特徴とする。これにより上部磁性体のパタ
ーンエッチングに際しても絶縁層や上部コイル導体まで
エッチングされることがなくなり、歩留りが向上する。
また直流抵抗が小さく出来、S/Nの良好な薄膜ヘッドが
提供出来る。
イラル状のコイル導体及び上部磁性体がが絶縁層を介し
て積層形成されて成る薄膜磁気ヘッドにおいて、 エッチングされ所定の形状を有する上部磁性体で覆わ
れてないコイル導体領域のコイル導体形状が、 ｉ）45゜≦θ≦60゜、1.5S≦Ｌ≦4.5S 但し、 θ：エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル
導体の傾斜角 L:エッチング後の上部磁性体で覆われない上層コイルの
導体幅（μｍ） S:エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル導
体間隔（μｍ） でかつ、 ii）下層コイルに交差して上層コイルが配設された領域
で、下層コイルと上層コイルとで囲まれたスペースの面
積CSが、 49（μm2）≦CS≦225（μm2） であることを特徴とする。これにより上部磁性体のパタ
ーンエッチングに際しても絶縁層や上部コイル導体まで
エッチングされることがなくなり、歩留りが向上する。
また直流抵抗が小さく出来、S/Nの良好な薄膜ヘッドが
提供出来る。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例を示す平面図、同図
（Ｂ）は、（Ａ）図のａ−ａ断面図、同図（Ｃ）は、
（Ａ）図のｂ−ｂ断面図、 第２図は、本発明による他の実施例を示す平面図、 第３図及び第４図は従来の薄膜磁気ヘッドを説明する図
で、各（Ａ）図はその平面図、各（Ｂ）図はそれぞれの
ａ−ａ断面図、各（Ｃ）図はそれぞれのｂ−ｂ断面図で
ある。 １……下部磁性体、2,4,6……絶縁層 ３……下層コイル導体、５……上層コイル導体 ７……上部磁性体 Ｌ……上層コイル導体幅 Ｓ……下層コイル導体間隔
（Ｂ）は、（Ａ）図のａ−ａ断面図、同図（Ｃ）は、
（Ａ）図のｂ−ｂ断面図、 第２図は、本発明による他の実施例を示す平面図、 第３図及び第４図は従来の薄膜磁気ヘッドを説明する図
で、各（Ａ）図はその平面図、各（Ｂ）図はそれぞれの
ａ−ａ断面図、各（Ｃ）図はそれぞれのｂ−ｂ断面図で
ある。 １……下部磁性体、2,4,6……絶縁層 ３……下層コイル導体、５……上層コイル導体 ７……上部磁性体 Ｌ……上層コイル導体幅 Ｓ……下層コイル導体間隔
Claims (1)
- 【請求項１】下部磁性体上に複数層のスパイラル状のコ
イル導体及び上部磁性体がが絶縁層を介して積層形成さ
れて成る薄膜磁気ヘッドにおいて、 エッチングされ所定の形状を有する上部磁性体で覆われ
てないコイル導体領域のコイル導体形状を次の様にした
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 45゜≦θ≦60゜、1.5S≦Ｌ≦4.5S 但し、 θ：エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル
導体の傾斜角 L:エッチング後の上部磁性体で覆われない上層コイルの
導体幅（μｍ） S:エッチング後の上部磁性体で覆われない下層コイル導
体間隔（μｍ） でかつ、 下層コイルに交差して上層コイルが配設された領域
で、下層コイルと上層コイルとで囲まれたスペースの面
積CSが、 49（μm2）≦CS≦225（μm2） である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281992A JP2534082B2 (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281992A JP2534082B2 (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124109A JPH01124109A (ja) | 1989-05-17 |
| JP2534082B2 true JP2534082B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=17646719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62281992A Expired - Fee Related JP2534082B2 (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2534082B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61210508A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS6247812A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-02 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP62281992A patent/JP2534082B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01124109A (ja) | 1989-05-17 |
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Legal Events
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