JP2551077B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JP2551077B2 JP2551077B2 JP63014302A JP1430288A JP2551077B2 JP 2551077 B2 JP2551077 B2 JP 2551077B2 JP 63014302 A JP63014302 A JP 63014302A JP 1430288 A JP1430288 A JP 1430288A JP 2551077 B2 JP2551077 B2 JP 2551077B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- layer
- insulating film
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、配線層
の層構成方式に関する。
の層構成方式に関する。
従来の技術 従来、半導体集積回路装置の素子および回路間を接続
する層配線は、例えば第２図に示す如く、単独の二層配
線構造を採る場合に、基板１上に下層配線２を、その上
に層間絶縁膜３を成膜し、その上に上層配線４を配置す
る構造となっていた。
する層配線は、例えば第２図に示す如く、単独の二層配
線構造を採る場合に、基板１上に下層配線２を、その上
に層間絶縁膜３を成膜し、その上に上層配線４を配置す
る構造となっていた。
発明が解決しようとする課題点 上述した従来の層配線においては、下層配線２の段差
部における上層配線４の段線あるいは層間絶縁膜３のカ
バレッジ不足による下層配線２と上層配線４間の層配線
間短絡などが生じるという欠点がある。
部における上層配線４の段線あるいは層間絶縁膜３のカ
バレッジ不足による下層配線２と上層配線４間の層配線
間短絡などが生じるという欠点がある。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであ
り、従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記
欠点を解消することを可能とした新規な半導体集積回路
装置を提供することにある。
り、従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記
欠点を解消することを可能とした新規な半導体集積回路
装置を提供することにある。
発明の従来技術に対する相違点 上述した従来の半導体集積回路装置の層配線構造に対
し、本発明は層配線を複数段に分割して構成するという
相違点を有する。
し、本発明は層配線を複数段に分割して構成するという
相違点を有する。
課題を解決するための手段 本発明の半導体集積回路装置は、第１配線層と、該第
１配線層を覆うように形成し、かつ前記第１配線層上を
前記第１配線層よりも狭い幅で除去した部分に設けた第
２配線層と、前記第１絶縁膜および前記第２配線層の上
に形成した第２絶縁膜とを有することを特徴とする。
１配線層を覆うように形成し、かつ前記第１配線層上を
前記第１配線層よりも狭い幅で除去した部分に設けた第
２配線層と、前記第１絶縁膜および前記第２配線層の上
に形成した第２絶縁膜とを有することを特徴とする。
実施例 次に、本発明をその好ましい一実施例について図面を
参照して具体的に説明する。
参照して具体的に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図において、基板１上に下層配線をパターンニン
グするに当たり、下層第１配線12をパターンニングし、
その下層第１配線12の上に層間第１絶縁膜13を成膜し、
下層第１配線12上の第１絶縁膜13を後述の下層第２配線
22の面積だけ除去し、次いで、下層第１配線12上に下層
第２配線22を下層第１配線12よりやや狭い幅でパターン
ニングすることにより下層配線を構成する。その下層配
線の上に層間第２絶縁膜23を成膜し、その上に上層配線
４をパターンニングする。
グするに当たり、下層第１配線12をパターンニングし、
その下層第１配線12の上に層間第１絶縁膜13を成膜し、
下層第１配線12上の第１絶縁膜13を後述の下層第２配線
22の面積だけ除去し、次いで、下層第１配線12上に下層
第２配線22を下層第１配線12よりやや狭い幅でパターン
ニングすることにより下層配線を構成する。その下層配
線の上に層間第２絶縁膜23を成膜し、その上に上層配線
４をパターンニングする。
なお、下層第２配線22の幅は下層第１配線12の幅に対
して少なくとも下層第１配線12の厚さ以上細める事が必
要である。
して少なくとも下層第１配線12の厚さ以上細める事が必
要である。
発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、下層配線のパ
ターンニングを複数回に分けて行うことにより、配線段
差に傾斜を持たせ、上層配線の段線また、層間絶縁膜の
カバレッジ不足による上層配線と下層配線間の配線間短
絡を防止できる効果が得られる。
ターンニングを複数回に分けて行うことにより、配線段
差に傾斜を持たせ、上層配線の段線また、層間絶縁膜の
カバレッジ不足による上層配線と下層配線間の配線間短
絡を防止できる効果が得られる。
第１図は本発明の層間の一実施例を示した断面図、第２
図は従来の層間を示した断面図である。 １……基板、２……下層配線、３……層間絶縁膜、４…
…上層配線、12……下層第１配線、22……下層第２配
線、13……層間第１絶縁膜、23……層間第２絶縁膜
図は従来の層間を示した断面図である。 １……基板、２……下層配線、３……層間絶縁膜、４…
…上層配線、12……下層第１配線、22……下層第２配
線、13……層間第１絶縁膜、23……層間第２絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】第１配線層と、該第１配線層を覆うように
形成し、かつ前記第１配線層上を前記第１配線層よりも
狭い幅で除去した第１絶縁膜と、前記第１配線層上の前
記第１絶縁膜を除去した部分に設けた第２配線層と、前
記第１絶縁膜および前記第２配線層の上に形成した第２
絶縁膜とを有することを特徴とする半導体集積回路装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014302A JP2551077B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014302A JP2551077B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189136A JPH01189136A (ja) | 1989-07-28 |
| JP2551077B2 true JP2551077B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=11857302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63014302A Expired - Lifetime JP2551077B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551077B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58197829A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Nec Corp | 化合物半導体の熱処理方法 |
| JPS5929441A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の多層配線構造 |
| JPS5968952A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 配線形成方法 |
| JPS62245654A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP63014302A patent/JP2551077B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01189136A (ja) | 1989-07-28 |
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