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JP2551118B2 - Magneto-optical disk medium and manufacturing method thereof - Google Patents
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JP2551118B2 - Magneto-optical disk medium and manufacturing method thereof - Google Patents

Magneto-optical disk medium and manufacturing method thereof

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JP2551118B2
JP2551118B2 JP63230702A JP23070288A JP2551118B2 JP 2551118 B2 JP2551118 B2 JP 2551118B2 JP 63230702 A JP63230702 A JP 63230702A JP 23070288 A JP23070288 A JP 23070288A JP 2551118 B2 JP2551118 B2 JP 2551118B2
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巳代三 前田
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Description

【発明の詳細な説明】 [概要] 光磁気ディスクに関し、 優れた密着力および平坦性を共に実現するとともに透
湿による記録再生特性の経時的劣化を防止することを目
的とし、 光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディスク媒体に
おいて、Zr,Ti,Nb,TaおよびVからなる群の少なくとも
1種の金属の窒素酸化物からなる膜を光磁気記録層と基
板の間ならびに光磁気記録層の上に設けるように構成す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] With respect to a magneto-optical disk, a magneto-optical recording layer is provided for the purpose of realizing both excellent adhesion and flatness and preventing deterioration of recording and reproducing characteristics due to moisture permeation. In a magneto-optical disk medium supported on a substrate, a film made of nitrogen oxide of at least one metal selected from the group consisting of Zr, Ti, Nb, Ta and V is provided between the magneto-optical recording layer and the substrate and in the magneto-optical recording layer. It is configured to be provided above.

[産業上の利用分野] 本発明は光磁気ディスクおよびその製造方法に関し、
さらに詳しく述べるならばプラスチックもしくはガラス
等の基板を使用した光磁気ディスクおよびその製造方法
に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a magneto-optical disk and a method for manufacturing the same,
More specifically, it relates to a magneto-optical disk using a substrate such as plastic or glass and a method for manufacturing the same.

[従来の技術] 従来の光磁気ディスクにおいては、反りや記録再生特
性の安定性の等の特性面から、基板にガラス基板が使用
されてきた。しかしながら、ガラス基板は高価であり、
また割れが生じる危険性があるため、最近は基板にプラ
スチック材料が使用され始めている。
[Prior Art] In a conventional magneto-optical disk, a glass substrate has been used as a substrate in terms of characteristics such as warpage and stability of recording / reproducing characteristics. However, glass substrates are expensive,
Also, since there is a risk of cracking, plastic materials have recently begun to be used for substrates.

プラスチック基板は上記特性の面では問題があるた
め、この対策としてTiO2,TiO等の酸化物材料あるいはSi
3N4、AlN等の酸化物材料をプラスチック基板に下地膜と
して施すことが提案されている。
Since plastic substrates have problems in terms of the above characteristics, as a countermeasure against this, oxide materials such as TiO 2 and TiO, or Si
It has been proposed to apply an oxide material such as 3 N 4 or AlN to a plastic substrate as a base film.

[発明が解決しようとする課題] 本発明者等の研究によると、酸化物材料をプラスチッ
ク等の基板に直接製膜してもその密着力が弱いために、
光磁気ディスクが使用される大気環境下で下地酸化膜が
基板から光磁気記録層とともに膜が剥離してしまい、一
方、窒化物膜は基板との密着力が強すぎるために、基板
を反らせ、基板を大きく変形させることが分かった。さ
らに、上記酸化物材料および窒化物材料は透湿性に優れ
ておらないため、これらの材料を光磁気記録層の保護皮
膜として使用して大気中の湿分から光磁気記録層を保護
するために用いたとしても、十分な透湿防止効果は得ら
れない。同様に、これら材料を下地保護膜として使用し
たとしてもプラスチック基板の場合プラスチック基板側
からの透湿を防止する十分な効果は得られず、結局記録
再生特性が経時的に劣化する。したがって、本発明は光
磁気ディスクにおいて密着力が高い窒化物保護膜は反り
が生じ易く、反りが生じない酸化物保護膜は密着力が弱
いという欠点を解消し、優れた密着力および平坦性を共
に実現するとともに透湿による記録再生特性の経時的劣
化を防止することを目的とする。
[Problems to be Solved by the Invention] According to the study by the present inventors, even if a film of an oxide material is directly formed on a substrate such as a plastic, its adhesion is weak.
Under the atmospheric environment where the magneto-optical disk is used, the underlying oxide film peels off from the substrate together with the magneto-optical recording layer, while the nitride film has too strong adhesion to the substrate, so the substrate warps, It was found to significantly deform the substrate. Furthermore, since the above oxide materials and nitride materials do not have excellent moisture permeability, they are used as protective films for the magneto-optical recording layer to protect the magneto-optical recording layer from moisture in the atmosphere. Even if it does, a sufficient moisture permeation preventive effect cannot be obtained. Similarly, even if these materials are used as the base protective film, in the case of a plastic substrate, a sufficient effect of preventing moisture permeation from the plastic substrate side cannot be obtained, and the recording / reproducing characteristics eventually deteriorate with time. Therefore, the present invention solves the drawbacks that a nitride protective film having a high adhesion in a magneto-optical disk is likely to warp, and an oxide protective film that does not cause a warp has a weak adhesion, resulting in excellent adhesion and flatness. It is intended to realize both of them and prevent deterioration of recording and reproducing characteristics due to moisture permeation over time.

[課題を解決するための手段] 本発明に関する光磁気ディスク媒体は、光磁気記録層
を基板で担持した光磁気ディスク媒体において、Zr,Ti,
Nb,TaおよびVからなる群の少なくとも1種の金属の窒
素酸化物からなる膜を前記光磁気記録層と前記基板の間
ならびに前記光磁気記録層の上に設けたことを特徴とす
る。
[Means for Solving the Problems] A magneto-optical disk medium according to the present invention is a magneto-optical disk medium in which a magneto-optical recording layer is supported by a substrate.
A film made of nitrogen oxide of at least one metal of the group consisting of Nb, Ta and V is provided between the magneto-optical recording layer and the substrate and on the magneto-optical recording layer.

以下、本発明の構成を詳しく説明する。 Hereinafter, the constitution of the present invention will be described in detail.

光磁気記録層の上に設けた膜を、以下、上地保護膜と
いう。光磁気記録層と基板の間に設けた膜を、以下、下
地保護膜という。
Hereinafter, the film provided on the magneto-optical recording layer is referred to as an upper protective film. The film provided between the magneto-optical recording layer and the substrate is hereinafter referred to as a base protective film.

上地保護膜は主として大気中からの湿分が光磁気膜に
透過するのを遮断する効果をもつ。一方下地保護膜は光
磁気膜をプラスチック等の基板に対して密着させるとと
もにプラスチック等の基板からの湿分から光磁気膜を遮
断する効果をもつ。
The upper protective film has an effect of mainly blocking moisture from the atmosphere from permeating the magneto-optical film. On the other hand, the undercoat protective film has the effect of adhering the magneto-optical film to the substrate of plastic or the like and blocking the magneto-optical film from moisture from the substrate of plastic or the like.

本発明の光磁気ディスク媒体は上地保護膜も下地保護
膜も同一材料から構成すると構成上簡単になるが、両保
護膜を別種材料から構成することも本発明の範囲に含ま
れる。上地保護膜の厚みは80〜120nmが好ましく、下地
保護膜の厚みは80〜120nmが好ましい。これらの下限値
および上限値は次の理由で定められた。すなわち、下限
値未満では各保護膜の効果は少なく、一方上地保護膜の
厚みが上限値を越えるとレーザーの透過効率が低下し、
下地保護膜の厚みが上限値を越えてもとくに効果は増大
せず経済性が低下する。好ましい厚みは両保護膜とも80
〜100nmである。
The magneto-optical disk medium of the present invention has a simple structure when both the upper protective film and the lower protective film are made of the same material, but it is also within the scope of the present invention that both protective films are made of different materials. The upper protective film preferably has a thickness of 80 to 120 nm, and the lower protective film preferably has a thickness of 80 to 120 nm. The lower limit value and the upper limit value are determined for the following reasons. That is, if the thickness is less than the lower limit, the effect of each protective film is small, while if the thickness of the upper protective film exceeds the upper limit, the laser transmission efficiency decreases,
Even if the thickness of the base protective film exceeds the upper limit value, the effect is not particularly increased and the economical efficiency is lowered. The preferred thickness is 80 for both protective films
~ 100 nm.

本発明においては、基板/下地保護膜/光磁気記録層
/上地保護膜の積層構造が最も好ましく、また窒素酸化
物としてはZrONが最も好ましい。しかしながら、本発明
の効果を損なわず、反り等の欠点を招かないならば、本
発明以外の積層材料の膜を付加的に成膜することができ
る。例えばSiO2,SiON等を下地保護膜あるいは上地保護
膜と光磁気記録層の間に積層することもできる。
In the present invention, the laminated structure of substrate / underlying protective film / magneto-optical recording layer / upper protective film is most preferred, and nitrogen oxide is most preferably ZrON. However, if the effect of the present invention is not impaired and a defect such as warpage is not caused, a film of a laminated material other than the present invention can be additionally formed. For example, SiO 2 , SiON or the like may be laminated between the underlayer protective film or the upper protective film and the magneto-optical recording layer.

プラスチック基板には通常1.2mmの厚みのポリカーボ
ネート、アクリル、APO基板等が使用される。
A 1.2 mm thick polycarbonate, acrylic, or APO substrate is usually used for the plastic substrate.

プラスチック基板以外にもガラス−2P基板に対しても
上記上地保護膜および下地保護膜を使用することができ
る。
The above-mentioned upper protective film and lower protective film can be used not only on the plastic substrate but also on the glass-2P substrate.

上記した上地および下地保護膜の製法としてはスパッ
タ法が膜組成および厚みの均一性の点で好ましい。
As a method of manufacturing the above-mentioned upper and lower protective films, a sputtering method is preferable in terms of film composition and thickness uniformity.

また、スパッタの具体的方法は真空スパッタ法と雰囲
気ガスによる反応を利用するスパッタ法の2つが可能で
ある。
Further, two specific sputtering methods are possible: a vacuum sputtering method and a sputtering method utilizing a reaction by an atmospheric gas.

真空スパッタ法では、Zr,Ti,Nb,TaおよびVからなる
群の少なくとも1種の金属の窒素酸化物からなるターゲ
ットを用いて真空中でスパッタを行ない、前記少なくと
も1種の金属の窒素酸化物からなる膜を前記光磁気記録
層と前記プラスチック基板の間ならびに前記光磁気記録
層の上に設ける。この方法では、ターゲットの組成は、
窒化物50〜99モル%、酸化物が残部となるように調節す
ることが好ましい。窒化物が50モル%未満であると密着
力が低下する。
In the vacuum sputtering method, sputtering is performed in a vacuum using a target made of a nitrogen oxide of at least one metal selected from the group consisting of Zr, Ti, Nb, Ta and V. Is provided between the magneto-optical recording layer and the plastic substrate and on the magneto-optical recording layer. In this method, the composition of the target is
It is preferable to adjust such that the nitride is 50 to 99 mol% and the oxide is the balance. If the amount of nitride is less than 50 mol%, the adhesion will be reduced.

一方窒化物が99モル%を越えると、積層膜が反りを生
じ易くなり、また透湿性が劣化するため、上記組成が好
ましい。このターゲットは例えば窒化ジルコニウムの粉
末と酸化ジルコニウムの粉末を混合して焼成して調製さ
れる。予めジルコニウムの窒素酸化物を化合物として用
意し、これを焼成する方法でターゲットを調製してもよ
いのは当然である。本発明における窒素酸化物は上記の
ように化合物または混合物から選ばれるものであり、保
護膜中においてNとOを含む物質である。次に、スパッ
タ製膜を行なう真空雰囲気の真空度は特に制限はない
が、10-1Torr〜数Torrが好ましい。真空度がこの下限値
未満であると放電にくくなる。上限値を越えるとスパッ
タ効率が低下する。よって上記範囲の真空度が好まし
い。
On the other hand, when the nitride content exceeds 99 mol%, the laminated film is liable to warp and the moisture permeability is deteriorated, so the above composition is preferable. This target is prepared, for example, by mixing powder of zirconium nitride and powder of zirconium oxide and firing. It is natural that the target may be prepared by preparing nitrogen oxide of zirconium as a compound in advance and firing it. The nitrogen oxide in the present invention is selected from compounds or mixtures as described above, and is a substance containing N and O in the protective film. Next, the degree of vacuum in the vacuum atmosphere in which sputtering film formation is performed is not particularly limited, but 10 -1 Torr to several Torr is preferable. When the degree of vacuum is less than this lower limit, it becomes difficult to discharge. If the upper limit is exceeded, the sputtering efficiency will decrease. Therefore, the degree of vacuum in the above range is preferable.

雰囲気との反応を利用するスパッタ法においては、ス
パッタされた物質が窒素および/または酸素と反応する
方法であれば各種ターゲットおよび雰囲気を採用するこ
とができる。
In the sputtering method utilizing the reaction with the atmosphere, various targets and atmospheres can be adopted as long as the sputtered material reacts with nitrogen and / or oxygen.

好ましいスパッタ法としてはZr,Ti,Nb,TaおよびVか
らなる群の少なくとも1種の金属の窒化物または酸化物
からなるターゲットを用いて酸素雰囲気中(窒化物ター
ゲットの場合)または窒素雰囲気中(酸化物ターゲット
の場合)でスパッタして、前記少なくとも1種の金属の
窒素酸化物からなる膜を前記光磁気記録層と前記プラス
チック基板の間ならびに前記光磁気記録層の上に設ける
方法がある。
As a preferable sputtering method, a target made of a nitride or oxide of at least one metal selected from the group consisting of Zr, Ti, Nb, Ta and V is used in an oxygen atmosphere (in the case of a nitride target) or in a nitrogen atmosphere ( In the case of an oxide target), a film made of nitrogen oxide of at least one metal is provided between the magneto-optical recording layer and the plastic substrate and on the magneto-optical recording layer.

この方法においては、Tiの酸化物としてTiO,TiO2O3,T
i2O5等を、Nbの酸化物としてはNbO,Nb2O5等を、Taの酸
化物としてはTaO,TaO2等を、Vの酸化物としてはV2O5
をターゲットとして使用することができる。また、Tiの
窒化物としてTiN,等を、Zrの窒化物としてはZrN等をNb
の窒化物としてはNbN,等を、Taの窒化物としてはTaN,等
を、Vの窒化物といてはVN等をターゲットとして使用す
ることができる。ターゲットの酸化物(窒化物)はスパ
ッチ装置のチャンバ内で窒素ガス(酸素ガス)と反応し
て窒素酸化物として基板上に製膜される。
In this method, as an oxide of Ti, TiO, TiO 2 O 3 , T
i 2 O 5 and the like, Nb oxide, NbO, Nb 2 O 5 and the like, Ta oxide, TaO and TaO 2 and the like, V oxide and V 2 O 5 and the like are used as targets. can do. Further, TiN, etc. is used as a Ti nitride, and ZrN, etc. is used as a Nb for Zr.
, NbN, etc. can be used as targets, the Ta nitride can be TaN, etc., and the V nitrides can be VN, etc. The target oxide (nitride) reacts with nitrogen gas (oxygen gas) in the chamber of the sputtering apparatus to form nitrogen oxide on the substrate.

(作用) 一般に酸化物は程度の差はあるが、プラスチックとの
密着力が悪いので、プラスチックに被着された酸化膜は
容易にプラスチック基板から剥離する。そこで、この酸
化物に窒素または窒化物を添加することにより若干窒化
させると密着力が向上する。
(Function) Although oxides generally have different degrees of adhesion, since they have poor adhesion to plastics, the oxide film deposited on the plastics is easily peeled off from the plastic substrate. Therefore, if nitrogen or nitride is added to this oxide to slightly nitrid it, the adhesion is improved.

窒化物は、プラスチックと密着力が良いが、プラスチ
ック基板と積層された場合に膜面内方向の応力が強すぎ
て、基板を変形させる難点がある。そこで、この窒化物
に酸素または酸化物を添加することにより、密着力をそ
こなわず、基板を変形させないようにする。
Nitride has good adhesion to plastic, but when laminated with a plastic substrate, the stress in the in-plane direction of the film is too strong, which causes a problem of deforming the substrate. Therefore, by adding oxygen or oxide to this nitride, the adhesion is not impaired and the substrate is not deformed.

以上のように、酸化膜に添加された窒素等は密着性を
高めるが基板の反りをもたらさず、一方窒化膜に添加さ
れた酸素等は密着力を低下させずに基板の反りを防止す
る。したがって、本発明によれば、酸化物または窒化物
単独膜の欠点が解消され、各膜のすぐれた性質のみが備
わった下地保護膜および上地保護膜が提供される。
As described above, nitrogen or the like added to the oxide film enhances the adhesion, but does not cause the warp of the substrate, while oxygen or the like added to the nitride film does not reduce the adhesion and prevents the warp of the substrate. Therefore, according to the present invention, the drawbacks of oxide or nitride alone films are eliminated, and a base protective film and a top protective film having only the excellent properties of each film are provided.

以下、実施例によりさらに詳しく本発明を説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.

〔実施例〕〔Example〕

以下の実施例において、下地膜と基板との密着力を調
べるために、第2図に示すような剥離試験を行なった。
下地膜に図のような碁盤目状に切って100個のマス目を
つくり、これにテープを密着させ、そしてテープを剥が
したあと、マス目に何個の膜が残っているかで密着性を
判断する。
In the following examples, a peeling test as shown in FIG. 2 was carried out in order to investigate the adhesion between the base film and the substrate.
Cut the base film into a grid pattern as shown in the figure to make 100 squares, adhere the tape to this, and peel off the tape. to decide.

反りを調べるために、第3図に示すような試験を行な
った。すなわち、上地保護膜および下地保護膜を形成し
たプラスチック基板を台の上に置き、基板変形(そり)
の経時変化を80℃の加速試験で調べた。測定は第3図の
ように基板端部の反り量を測定する方法に依った。
In order to examine the warp, a test as shown in FIG. 3 was conducted. That is, the plastic substrate on which the upper protective film and the lower protective film are formed is placed on the table and the substrate is deformed (sledding).
The change with time was examined by an acceleration test at 80 ° C. The measurement was based on the method of measuring the amount of warp at the edge of the substrate as shown in FIG.

透湿に対する保護効果を調べるために、上地および下
地保護膜を形成したプラスチック基板を85℃、90%RHの
大気中に放置し、C/Nを測定した。
In order to investigate the protective effect against moisture permeation, the C / N was measured by leaving the plastic substrate on which the upper and lower protective films were formed in the air at 85 ° C and 90% RH.

C/N測定条件は以下のとおりであった。 The C / N measurement conditions were as follows.

回転数 900rpm 周波数 1.0MHz 線速度 4.0mW/S 記録磁界 300 Oe 実施例1 本実施例で使用したターゲットは、ZrNを母相に、ZrO
2を添加し、焼結したターゲットを使用した。
Rotation speed 900 rpm Frequency 1.0 MHz Linear velocity 4.0 mW / S Recording magnetic field 300 Oe Example 1 The target used in this example is ZrN as a mother phase and ZrO.
2 was added and a sintered target was used.

このターゲットを用いて光磁気ディスクの上地および
下地保護膜(ZrON)を製膜した。基板は厚み1.2mm、直
径5インチのポリカーボネート樹脂基板(PC)を用い
た。ディスクの構造は次の通りであった。
Using this target, the top and bottom protective film (ZrON) of the magneto-optical disk was formed. As the substrate, a polycarbonate resin substrate (PC) having a thickness of 1.2 mm and a diameter of 5 inches was used. The structure of the disc was as follows.

PC基板/ZrON下地保護膜(厚み80nm)/TbFeCo(厚み90
nm)/ZrON上地保護膜(厚み80nm) 試験の結果は剥離試験を表1に、反りを第1図に、透
湿に対する保護効果を第3図に、ディスク特性を表2
に、それぞれ示す。
PC substrate / ZrON base protection film (thickness 80 nm) / TbFeCo (thickness 90
nm) / ZrON top protective film (thickness: 80 nm) The results of the test are shown in Table 1 for the peeling test, Fig. 1 for the warpage, Fig. 3 for the protective effect against moisture permeation, and Table 2 for the disk characteristics.
, Respectively.

実施例2 本実施例では、TiNを母相に、TiO2を添加し、焼結し
たターゲットを使用して実施例1と同様の処理を行なっ
た。
Example 2 In this example, the same treatment as in Example 1 was performed using a target obtained by adding TiO 2 to a mother phase of TiN and sintering the target.

実施例3 本実施例では、NbNを母相に、Nb2O5を添加し、焼結し
たターゲットを使用して実施例1と同様の処理を行なっ
た。
Example 3 In this example, the same treatment as in Example 1 was performed using a target obtained by adding Nb 2 O 5 to NbN as a mother phase and sintering it.

実施例4 本実施例では、HfNを母相に、HfO2を添加し、焼結し
たターゲットを使用して実施例1と同様の処理を行なっ
た。
Example 4 In this example, the same treatment as in Example 1 was performed using a target obtained by adding HfO 2 to HfN as a mother phase and sintering the target.

比較例1 本比較例では、ZrO2を焼結したターゲットを使用して
実施例1と同様の処理を行なった。
Comparative Example 1 In this comparative example, the same treatment as in Example 1 was performed using a target obtained by sintering ZrO 2 .

比較例2 本比較例では、SiO2を焼結したターゲットを使用して
実施例1と同様の処理を行なった。
Comparative Example 2 In this comparative example, the same treatment as in Example 1 was performed using a target obtained by sintering SiO 2 .

比較例3 本比較例では、Si3N4を焼結したターゲットを使用し
て実施例1と同様の処理を行なった。
Comparative Example 3 In this comparative example, the same treatment as in Example 1 was performed using a target obtained by sintering Si 3 N 4 .

第4図に加速試験によるC/Nの経時変化を示す。これ
より酸化物単独および窒化物単独を上地および下地保護
膜とした場合は透湿によりC/Nが劣化が起こるが、窒素
酸化物の場合はC/Nの劣化は起こらないことが分かる。
Figure 4 shows the change in C / N with time due to the acceleration test. From this, it is understood that when the oxide alone and the nitride alone are used as the upper and lower protective films, the C / N deteriorates due to moisture permeability, but the nitrogen oxide does not deteriorate the C / N.

以上で説明した本発明の実施例は、(イ)保護膜の剥
離がなく、Si3N4と同等の密着性を有し(表1)、
(ロ)はSi3N4のような変形はなく(第1図)、(ハ)
酸化物および窒化物のように透湿による劣化がなく(第
4図)、また(ニ)ディスク特性は表2に示すようにZr
O2を保護膜としたものと全く違いはみられない。
The embodiment of the present invention described above has (a) no peeling of the protective film and has the same adhesiveness as Si 3 N 4 (Table 1),
(B) has no deformation like Si 3 N 4 (Fig. 1), (c)
There is no deterioration due to moisture permeability like oxides and nitrides (Fig. 4), and (d) disk characteristics are Zr as shown in Table 2.
No difference is seen with the protective film of O 2 .

実施例5 本実施例での製膜方法は、ターゲットに100%ZrO2
用い、100%窒素雰囲気中でスパッタを行ないZrONを基
板上にデポジットする方法であった。
Example 5 The film forming method in this example was a method in which 100% ZrO 2 was used as a target and sputtering was performed in a 100% nitrogen atmosphere to deposit ZrON on the substrate.

基板は実施例1と同様のポリカーボネート樹脂(PC)
を用いた。ディスクの構造は実施例1と同様であった。
The substrate is the same polycarbonate resin (PC) as in Example 1.
Was used. The disc structure was the same as in Example 1.

試験の結果は剥離試験を表3に、反りを第1図に、透
湿に対する保護効果を第3図に、ディスク特性を表2
に、それぞれ示す。なお、本実施例で得られた反りおよ
び透湿に対する保護効果は実施例1と同じであったの
で、結果は実施例1と同じ図に示す。
The results of the test are shown in Table 3 for the peeling test, Fig. 1 for the warpage, Fig. 3 for the protective effect against moisture permeation, and Table 2 for the disk characteristics.
, Respectively. The effect of protecting against warpage and moisture permeation obtained in this example was the same as that in Example 1, so the results are shown in the same figure as Example 1.

実施例6 本実施例ではターゲットに100%TiO2を用い実施例5
と同様に処理を行なった。
Example 6 In this example, 100% TiO 2 was used as a target in Example 5
The same treatment was carried out.

実施例7 本実施例ではターゲットに100%Nb2O5を用い実施例5
と同様に処理を行なった。
Example 7 In this example, 100% Nb 2 O 5 was used as a target in Example 5.
The same treatment was carried out.

実施例8 本実施例ではターゲットに100%HfO2を用い実施例5
と同様に処理を行なった。
Example 8 In this example, 100% HfO 2 was used as a target in Example 5
The same treatment was carried out.

100%N2雰囲気に代えてAr+N2混合ガスを用いても同
様の結果が得られた。
Similar results were obtained even when Ar + N 2 mixed gas was used instead of 100% N 2 atmosphere.

(発明の効果) 以上説明したように窒素酸化物を上地/下地保護膜と
して設けた本発明の光磁気ディスク媒体は耐透湿性にす
ぐれ、反りが少ない。また、プラスチック基板使用にも
係わらずガラス基板使用の光磁気ディスクと同等以上の
性能をもつので、基板のプラスチック化を確実に前進さ
せるものである。
(Effects of the Invention) As described above, the magneto-optical disk medium of the present invention in which nitrogen oxide is provided as the upper / lower protective film has excellent moisture permeation resistance and little warpage. Further, even though the plastic substrate is used, it has a performance equal to or higher than that of the magneto-optical disk using the glass substrate, so that the plasticization of the substrate is surely advanced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は光磁気ディスクの反り量の経時変化を示すグラ
フ、 第2図は剥離試験説明図、 第3図は基板の反り量測定図、 第4図はC/Nの経時変化を示すグラフである。
FIG. 1 is a graph showing the change over time of the warp amount of the magneto-optical disk, FIG. 2 is an explanatory diagram of the peel test, FIG. 3 is a graph showing the amount of warp of the substrate, and FIG. 4 is a graph showing the change over time of C / N. Is.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 巳代三 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−193150(JP,A) 特開 昭61−22458(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Mitsuyo Maeda 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited (56) References JP-A-60-193150 (JP, A) JP-A-61- 22458 (JP, A)

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディ
スク媒体に於いて、Zr,Ti,Nb,Ta,及びVからなる群の少
なくとも1種の金属の窒素酸化物からなる膜を前記光磁
気記録層と前記基板の間ならびに前記光磁気記録層の上
に設けたことを特徴とする光磁気ディスク媒体。
1. A magneto-optical disk medium having a magneto-optical recording layer supported on a substrate, wherein a film made of nitrogen oxide of at least one metal selected from the group consisting of Zr, Ti, Nb, Ta and V is formed. A magneto-optical disk medium provided between the magneto-optical recording layer and the substrate and on the magneto-optical recording layer.
【請求項2】光磁気記録層を基板で担持した光磁気ディ
スク媒体の製造方法に於いて、Zr,Ti,Nb,Ta,及びVから
なる群の少なくとも1種の金属の50〜99モル%の窒化物
と残部が酸化物の窒素酸化物からなるターゲットを用い
て真空中でスパッタを行い、前記少なくとも1種の金属
の窒素酸化物からなる膜を前記光磁気記録層と前記基板
の間ならびに前記光磁気記録層の上に設けることを特徴
とする光磁気ディスク媒体の製造方法。
2. A method of manufacturing a magneto-optical disk medium having a magneto-optical recording layer supported on a substrate, wherein 50 to 99 mol% of at least one metal selected from the group consisting of Zr, Ti, Nb, Ta and V. Is sputtered in a vacuum using a target composed of a nitride and the balance being an oxide of nitrogen oxide, and a film of the nitrogen oxide of at least one metal is formed between the magneto-optical recording layer and the substrate. A method for manufacturing a magneto-optical disk medium, which is provided on the magneto-optical recording layer.
【請求項3】上記ターゲットが窒化ジルコニウムの粉末
と酸化ジルコニウムの粉末を混合して焼成してなるター
ゲット、或いは、ジルコニウムの窒素酸化物化合物を焼
成してなるターゲットである請求項2記載の光磁気ディ
スク媒体の製造方法。
3. The magneto-optical device according to claim 2, wherein the target is a target obtained by mixing zirconium nitride powder and zirconium oxide powder and firing the mixture, or a target obtained by firing a nitrogen oxide compound of zirconium. Disk medium manufacturing method.
【請求項4】上記ターゲットがZrNを母相にZrO2を添加
し焼結したターゲット、TiNを母相にTiO2を添加し焼結
したターゲット、NbNを母相にNb2O5を添加し焼結したタ
ーゲット、或いは、HfNを母相にHfO2を添加し焼結した
ターゲットである請求項2記載の光磁気ディスク媒体の
製造方法。
4. The target is a target obtained by adding ZrO 2 to a mother phase of ZrO 2 and sintering, a target obtained by adding TiN to a mother phase of TiO 2 and sintering, and a target of NbN being added to a mother phase of Nb 2 O 5. The method for producing a magneto-optical disk medium according to claim 2, wherein the target is a sintered target or a target obtained by adding HfO 2 to a mother phase of HfN and sintering the target.
【請求項5】光磁気記録層の基板で担持した光磁気ディ
スク媒体の製造方法に於いて、TiN,ZrN,NbN,TaN,VNから
選択される窒化物からなるターゲットを用いて酸素雰囲
気中でスパッタして窒素酸化物からなる膜を前記光磁気
記録層と前記基板の間ならびに前記光磁気記録層の上に
設ける、又は、TiO,Ti2O3,Ti2O5,NbO,Nb2O5,TaO,TaO2,V
2O5から選択される酸化物からなるターゲットを用いて
窒素雰囲気中でスパッタして、窒素酸化物からなる膜を
前記光磁気記録層と前記基板の間ならびに前記光磁気記
録層の上に設けることを特徴とする光磁気ディスク媒体
の製造方法。
5. A method for manufacturing a magneto-optical disk medium supported on a substrate of a magneto-optical recording layer, wherein a target made of a nitride selected from TiN, ZrN, NbN, TaN and VN is used in an oxygen atmosphere. A film made of sputtered nitrogen oxide is provided between the magneto-optical recording layer and the substrate and on the magneto-optical recording layer, or TiO, Ti 2 O 3 , Ti 2 O 5 , NbO, Nb 2 O. 5 , TaO, TaO 2 , V
Sputtering in a nitrogen atmosphere using a target made of an oxide selected from 2 O 5 to provide a film made of a nitrogen oxide between the magneto-optical recording layer and the substrate and on the magneto-optical recording layer. A method of manufacturing a magneto-optical disk medium characterized by the above.
【請求項6】ターゲットにZrO2を用い窒素雰囲気中でス
パッタを行いZrON膜を形成するか、ターゲットにTiO2
用い窒素雰囲気中でスパッタを行いTiON膜を形成する
か、ターゲットにNb2O5を用い窒素雰囲気中でスパッタ
を行いNbON膜を形成するか、ターゲットにHfO2を用い窒
素雰囲気中でスパッタを行いHfON膜を形成する請求項5
記載の光磁気ディスク媒体の製造方法。
6. A ZrON film is formed by sputtering ZrO 2 as a target in a nitrogen atmosphere, or a TiON film is formed by sputtering as TiO 2 as a target in a nitrogen atmosphere, or Nb 2 O is formed as a target. 6. The HbON film is formed by sputtering 5 in a nitrogen atmosphere to form an NbON film or by using HfO 2 as a target in a nitrogen atmosphere.
A method for manufacturing the magneto-optical disk medium described.
【請求項7】上記窒素雰囲気が100%N2雰囲気である
か、或いは、不活性ガスとN2の混合ガス雰囲気である請
求項5,6記載の光磁気ディスク媒体の製造方法。
7. The method for manufacturing a magneto-optical disk medium according to claim 5, wherein the nitrogen atmosphere is a 100% N 2 atmosphere or a mixed gas atmosphere of an inert gas and N 2 .
【請求項8】上記不活性ガスがArである請求項7記載の
光磁気ディスク媒体の製造方法。
8. The method for manufacturing a magneto-optical disk medium according to claim 7, wherein the inert gas is Ar.
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