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JP2551441B2 - シリコンのデンドライトウェッブ結晶を成長させる方法及び装置 - Google Patents
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JP2551441B2 - シリコンのデンドライトウェッブ結晶を成長させる方法及び装置 - Google Patents

シリコンのデンドライトウェッブ結晶を成長させる方法及び装置

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JP2551441B2
JP2551441B2 JP62306820A JP30682087A JP2551441B2 JP 2551441 B2 JP2551441 B2 JP 2551441B2 JP 62306820 A JP62306820 A JP 62306820A JP 30682087 A JP30682087 A JP 30682087A JP 2551441 B2 JP2551441 B2 JP 2551441B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、シリコンのデンドライトウェッブ結晶を成
長させる方法及び装置に関する。
＜発明の背景＞ シリコンのデンドライトウェッブ結晶は、（111）の
方位で成長させることができる高構造品位の単結晶物質
から成る長くて薄いリボンである。シリコンのデンドラ
イトウェッブ結晶の研究開発にとって大きな推進力とな
っているのは、このような形のシリコンの結晶が太陽光
線を電気エネルギーに直接的に変換する低価格で効率の
高い太陽電池に利用できることである。大規模に実施し
ても費用のかさむ工程であるスライス（薄切り）、ラッ
ピング（lapping）及び研磨を使用に先立って行わなけ
ればならない従来法のチョクラルスキー結晶から製造さ
れるウェーハー状基板とは異なり、薄いリボン状の結晶
は装置の製造に先立つ前処理をほとんど必要としない。
更に、シリコンリボンが長方形であるので、個々の電池
を多数のモジュール及び列から成る大きな太陽電池を構
成するように効率良く充填できる。
技術的及び経済的な理由から、太陽電池のような最終
的な半導体装置を製作する上での要求に合致した所定の
一定幅で上記のリボンが成長させることが強く望まれ
る。これまで用いられてきた成長形態では、そのほとん
どの場合において、成長するデンドライトウェッブの幅
が次第に広くなり、ついには結晶が熱ストレスのために
変形してしまう。
＜発明が解決しようとする問題点及びその解決手段＞ 本発明方法は、シリコンのデンドライトウェッブ結晶
を成長させる方法であって、るつぼに多結晶シリコンを
装入し、シリコンを溶融し、スロットを持つ輻射シール
ドをシリコン溶融物の上部に離間させて配置して溶融物
と前記スロットを通って成長するデンドライトウェッブ
との間の熱流をバランスさせ、デンドライトウェッブの
境界部における温度勾配を制御し且つ輻射シールドのス
ロットを通ってウェッブを引き上げるときの溶融物の固
有温度勾配を制御することを特徴とする方法である。
多結晶シリコンのるつぼに装入し、シリコンを溶融
し、デンドライトウェッブ結晶を引き上げることができ
るスロットを持つ蓋をるつぼの上方に置き、蓋に設けた
スロットを通ってウェッブが引き上げられる際にデンド
ライトウェッブの境界部の温度勾配を制御することを特
徴とするシリコンのデンドライトウェッブ結晶を成長さ
せる方法も本発明の技術的範囲内に含まれる。
本発明によれば、更に、シリコンのデンドライトウェ
ッブ結晶を成長させるための装置であって、内部でシリ
コンを溶融し溶融状態に保持することができるるつぼを
収納する空洞部を持つサセプタと；デンドライトウェッ
ブ結晶を引き上げる際に通過するスロットを設けた、る
つぼ上に位置させた蓋を有し、前記の蓋は前記スロット
の両端に端部孔を有し、前記端部孔は溶融シリコンン内
部の固有温度及び温度勾配を制御できる寸法であって前
記スロットから離間しており、更にデンドライトウェッ
ブ結晶を引き上げることができるスロットを持つ蓋の上
方に離間させた輻射シールドを有し、前記スロットはウ
ェッブの境界部の温度勾配を制御できるよう拡大された
拡大端部領域がデンドライトウェッブ境界部に隣接して
設けられた形状を持ち、前記シールドの前記スロットの
両端位置に端部孔が設けられており、前記端部孔は溶融
分内部の固有温度勾配の制御が可能な寸法を持ち且つ前
記スロットの端部から離間していることを特徴とする装
置が提供される。
シリコンのデンドライトウェッブ結晶を成長させるた
めの装置であって、シリコンを溶融させて溶融状態に保
持することができるるつぼを収納する空洞部を持つサセ
プタと；デンドライトウェッブ結晶を引き上げることが
できるスロットを持ちるつぼ上方に配置したサセプタの
蓋とを有し、前記のサセプタの蓋は前記るつぼに収納さ
れている溶融シリコンから引き上げられるシリコンのデ
ンドライトウェッブの境界部に隣接する複数の口部を有
し、前記口部によってデンドライトウェッブ結晶全体の
温度勾配が制御され、更に上記の蓋の上方に離間配置さ
れデンドライトウェッブ結晶を引き上げることができる
スロットと持つ輻射シールドを有することを特徴とする
装置も本発明の技術的範囲内に含まれる。
本発明装置のもう１つの変形例は、シリコンのデンド
ライトウェッブ結晶を成長させるための装置であって、
シリコンを溶融させて溶融状態に保持できるるつぼを収
納する空洞部を持つサセプタと、るつぼ上に載置されデ
ンドライトウェッブ結晶を通して引き上げることができ
るスロットを持つ蓋とから成り、前記の蓋が、前記スロ
ットから外方に延伸し、且つ前記スロットを通って引き
上げられているシリコンのデンドライトウェッブ結晶の
境界部に隣接した輻射口部を有し、前記輻射口部は前記
の蓋の外縁部にまで延伸して前記ウェッブの境界部にお
ける温度勾配を制御できるよう構成されていることを特
徴とする装置である。
シリコンのデンドライトウェッブ結晶を成長させるた
めの装置であって、シリコンを溶融させて溶融状態に保
持できるるつぼを収納する空洞部を持つサセプタと、る
つぼ上に配置されデンドライトウェッブで結晶を通して
引き上げることができるスロットを持つ蓋とから成り、
前記サセプタが該サセプタの底部を通るサセプタ空洞部
の底部から外方に延伸する輻射口部を有し、前記るつぼ
に収納されているシリコン溶融物の固有温度勾配を制御
できるよう構成したことを特徴とする装置も本発明の技
術的範囲内に含まれる装置である。
＜作用及び効果＞ 本発明は、系の熱幾何学的特性（thermalgeometry）
を制御して、得られるウェッブ結晶が全長にわたって一
定の幅を保持するようにする成長形態を開示するもので
ある。この系の設計に当たっては、上述の熱に関する幾
つかの条件を更に敷衍し整理した。上記の条件を言い換
えると、デンドライト結晶チップ周辺の温度分布を軸方
向で対称にしたときに一定幅の成長が得られるというこ
とであり、境界部デンドライト部分は全体的に液体で囲
まれる。溶融物中の固有温度プロフィルを持つデンドラ
イト・チップ付近での非対称の温度損失をバランスさせ
ることにより一定幅の成長をさせる、上の段落中に記載
した、状況においては、２つのかなり大きな量をバラン
スさせることにより事実上温度対称にすることができ
る。これらの量の何れかが僅かに変動しても、バランス
が失われるだけでなく、デンドライト成長が不安定にな
る温度条件になってしまう。即ち、成長中止［プル・ア
ウト（pull out）］或いは他のデンドライト［第三物
（thirds）］を生じる条件になる。本発明の解決策は、
対称形の熱損失状況をつくり出す複数の更にファクター
により成長をより安定にし、現実の状況下における制御
をより容易にする。本解決策の手段の１つは、サセプタ
の成長スロットの幅を広げて、デンドライト受け入れ体
としてはほぼ円形にすることである。このような幾何学
的関係にすることにより、デンドライト・チップ付近の
領域から失われる熱損失パターンがより対照的になり、
異常のない成長が促進されて一定幅のウェッブが得られ
る。
上記の幾何学的関係は、ウェッブ成長の他のファクタ
ーと併立しなければならない。結晶のウェッブ断面の成
長には独自の熱的条件があり、これらの条件は比較的幅
の狭いスロット及びシールド（遮蔽物）により満たさね
ばならない。更に、ウェッブを均一に成長させるために
は、溶融物中の固有温度プロフィルが比較的扁平（平面
状）であることが要求される。上記の全ての条件は下記
の本発明の一実施例によって満足される。本発明の一実
施例は、延長部の大部分については幅が狭くてウェッブ
断面を適当に成長させるように構成され、デンドライト
周辺の熱損失を対称にする両端部を持ち、且つ固有溶融
温度プロフィルを制御すべくスロットから離間させた開
口部を持つ。
固有溶融物プロフィルは扁平でなければならないが、
無限の大きさの領域全体で扁平である必要はない。ウェ
ッブ及びウェッブ下方のメニスカスの存在のために、デ
ンドライト周辺部における熱損失の完全な対称性は得ら
れない。従って、溶融物の温度プロフィル中では、それ
を補償する幾分かの勾配が必要である。しかしながら、
この勾配は極めて小さく、比較的少量の熱流量のみがバ
ランスし、バランス点から少しだけはずれても「プル・
アウト」又は「第三物」の生成を惹き起こすことなく安
定に成長させることができる。
＜実施例＞ 本発明をより明確に理解できるよう、添付の図面を参
照しつつ、以下に本発明の好ましい実施例（なお、以下
の実施例は例示のみを目的とするものである）について
説明する。
デンドライトウェッブ拡幅に含まれる物理的機構は、
第１図の概略説明図から容易に理解できる。再入コーナ
双晶面機構（reentrantcorner twin plane mechanism）
の結晶学的対称を考慮すると、境界画成するデンドライ
ト10は［211］の結晶学的方向に極めて近い方位に連鎖
成長する。しかしながら、第１図に示すような横方向の
熱損失によって生じる横方向の温度勾配のために、境界
画成デンドライトの対称成長性が乱される。デンドライ
ト10周辺の熱損失は非対称であり、外側縁部11では大き
く、デンドライト表面及び内側縁部12では少ない。上記
の如き勾配のために、外側縁部11でのデンドライトの成
長は内側縁部12での成長よりも僅かに大きく、その結
果、ウェッブ結晶は成長して長くなるに従って幅が広く
なる。第１図中には溶融物の表面上の固有温度プロフィ
ルを合わせて図示してあるが、このプロフィルは第２図
に示す代表的な成長装置における如く、サセプタを覆っ
ている蓋に設けたスロット及び口部を介する熱損失の結
果である。理論的には、固有溶融物プロフィルに起因す
る温度勾配によって横方向の熱損失に起因する温度勾配
がバランスしたときに、一定幅の成長が得られる。原理
的には、系の温度を変化させて適当な位置において結晶
を「熱樋」の形で成長させることにより、成長しつつあ
るデンドライトウェッブ結晶の幅を制御することができ
る。なるほど、このような技法によりデンドライトウェ
ッブの幅を制御することはできる。しかしながら、実施
してみると、要求されるバランスは極めて微妙であり、
僅かの温度変動によってデンドライトの成長が止まり結
晶が溶融物から引き抜かれてしまう。
第２図にデンドライトウェッブ結晶を成長させるため
の代表的な装置の例を示す。図示したように、サセプタ
・キャビティ（空洞部）29を持つサセプタ28が、溶融し
た多結晶シリコン31を入れたるつぼ30を収納している。
サセプタの蓋15がるつぼ／サセプタ系の上部に載置され
ている。サセプタの蓋15はスロット16を持ち、このスロ
ットを通ってデンドライトウェッブ結晶32引き上げるこ
とができる。図示の如く、デンドライトウェッブ結晶32
の境界は、溶融した多結晶シリコン31内に浸漬された境
界画成デンドライト10によって形成される。第２図に
は、蓋15の上方に離間して配置した輻射シールド20を合
わせて図示してある。図示のように、輻射シールド20も
スロット16を有し、これらのスロットを通ってデンドラ
イトウェッブで結晶32を引き上げることができる。
第３図に、所定幅でシリコンのデンドライトウェッブ
を成長させるように特に設計された蓋及びシールドの形
状を示す。上記の形状・構造は、成長途上で幾分が所定
幅の調整ができるものである。サセプタの蓋15は比較的
短いスロット領域16を有し、このスロット領域により高
温ブリッジ領域17が形成されて横方向の熱損失を減少さ
せ、更に、スロット16の両端部から所定距離離れてデン
ドライトウェッブの境界部に隣接している適切な寸法の
端部孔19が設けられていて溶融物中の固有温度勾配を制
御する。第３図に示すように、スロット領域16は拡大円
形端部領域18とつながっている。端部領域18によってデ
ンドライトの周囲の熱損失は対称になり、端部領域18は
デンドライトに対してほぼ対称形である。溶融物中の熱
勾配は、スロット16の円形端部領域18の寸法によって更
に制御される。第３図に示すように、成長についての他
の熱に関する条件に従ってシールド20の数及び間隔を変
えることができるけれども、本発明構造の一例は蓋の上
方に載置される熱輻射遮蔽部（シールド）20によって具
現されている。第３図に示すように、輻射シールド20の
形状をサセプタの蓋15の上方においてそれと合致させ
て、スロット領域16、端部孔19及び端部領域18は覆われ
ないようにする。
上記の設計中に具現されている原理は、主としてリボ
ン縁部からの横方向熱損失を制御することによって幅の
制御を行うことである。短いスロット16のみを用いた場
合には、溶融物の表面温度をプロフィルが凹み、横方向
の熱損失が減少するにも拘らず成長が不安定になる。端
部孔を追加することにより、溶融物温度が安定な成長が
可能なように変わる。制御を達成できる幅は、スロット
16及び端部孔19の寸法と、端部孔19とスロット16との離
間距離とによって定まる。溶融物の表面の浅い温度
「樋」が存在するので、系の温度を少し調整することに
より小範囲内で結晶の幅を正確に細かく合わせることが
できる。
第４図に、第３図の成長装置を用いて結晶成長に当た
っての幅の長さの函数として示してある。成長長さ1mを
充分に越えるものについて、結晶の幅は±0.5mmの幅に
おさまる。生起した変動のあるものは、オペレータによ
る同一温度変化の結果生じたものであった。本実施例の
構成を用いて成長させた他の結晶は、5mの長さにわた
り、同一幅を示す幅／長さ特性を再現性良く発揮する。
系の温度を意図的に少し変化させることにより、結晶の
幅を広げ或いはせばめて、全体としての成長安定性を損
なうことなく特定幅で成長させることができる。
上述の第３図に示した実施例は、本発明の技術的思想
を限定するものと着做されるべきではない。本発明の思
想を具現するその他の構成ないし実施例を採用して、ウ
ェッブ結晶の幅を制御することもできる。蓋スロットの
他の幾何学的特徴の２〜３の例を第５図に示す。これら
の各構成は、スロット・パターンの寸法及び形状を調整
することにより、ウェッブ結晶領域内、境界画成デンド
ライト並びにウェッブ成長領域内及びウェッブ成長領域
を越えた部分の溶融物表面の全般の領域内の熱損失パタ
ーンを制御し、その結果、ウェッブの幅の受動的制御を
行うものである。第５図に示すように、これらの全ての
蓋スロットの幾何学的特徴は、幾つかの点について、共
通点がある。第一に、各スロットは、各端部上に端部領
域18a〜18eによって境界が定められたスロット領域16a
〜16eを持つ。これらの端部領域は、上述の説明では、
「円形」という表現をしたが、第５図に示すように、横
長、ダイヤモンド形、卵形又は夫々特定の例に適応した
適当な他の形状にすることができる。いずれの場合も、
領域18a〜18eは、ウェッブの境界部を中心にして対称で
ある。第５図に示すように、蓋スロットの幾何学的特徴
として、端部孔19a〜19eを持つ。これら端部孔は円形で
あってもよいが、円形であることは必須条件ではない。
たとえば、第5b図及び第5c図には、卵形端部孔を例示し
てある。更に、スロット16の各端部に２つ以上の端部孔
19を設けてもよい。第5c図乃至第5e図に示すように、副
スロット領域21c〜21eにより、端部孔19を端部領域18に
つなげてある。図示の如く、系の特有の必要性に応じ
て、副スロット領域21の幅を変えることができる。
本発明を実施するもう１つの方法を第６図に示す。た
とえば、溶融物中で所望する温度プロフィルをつくり出
す構成がわかったとすると、焦点を合わせた輻射熱源22
を用いてデンドライトに熱を加えることにより、デンド
ライトからの熱損失を制御しデンドライト・チップから
の熱損失パターンをより対称なパターンに近づけるべ
く、デンドライト縁部11からの熱損失を減少させること
もできる。
第７図に示すように、ガス・ジェット24を用いてデン
ドライト表面23からの熱損失を増大させることにより、
熱損失パターンを変形させることもできる。図示したよ
うに、ガス・ジェット24を用いてデンドライト表面23を
冷却し、デンドライト周辺の熱損失条件を対称形に近づ
ける。
第８図に、デンドライト10がサセプタの蓋15に設けた
スロット16を通って引き出されるデンドライトウェッブ
成長のための代表的な装置を示す。
第８図に示すようにサセプタの蓋15に輻射口部25を設
けて、デンドライト面23からの熱損失を大きくすること
もできる。図示したように、これらの輻射口部25は、サ
セプタの蓋15のスロット16から外方にサセプタの蓋の外
側縁部33にまで延伸している。図示した輻射口部は、デ
ンドライト即ちデンドライトウェッブの境界部が引き出
される領域に隣接するスロット16の内部の領域から延伸
している。サセプタの側部に沿って、デンドライトウェ
ッブ境界部に隣接する位置にも輻射口部を設けて、境界
部における温度勾配を更に制御することもできる。
逆に、デンドライトからの熱損失パターンを制御する
スロットの設計が与えられると、第９図に示すようにサ
セプタ28の底部から外側に延びる輻射口部27を設ける
か、又は適宜な熱輻射遮蔽を行うことにより、溶融物の
温度制御を行うこともできる。第９図に示すように、輻
射口部27は、サセプタの空洞部（キャビティ）29からサ
セプタ底部を貫通して延伸している。輻射口部27は、溶
融物から熱を逃がし、溶融物中の溶融温度プロフィルを
制御できるようなサセプタ28の内部位置に設けられてい
る。第８図及び第９図に示すように、上記の配置は、サ
セプタの蓋15の端部孔19の位置と一致している。
【図面の簡単な説明】
第１図は、溶融物から引き上げられているデンドライト
ウェッブ結晶を示す概略説明図である。また第１図中に
は、溶融物の表面上の固有温度プロフィルをも示してあ
る。 第２図は、デンドライトウェッブ結晶を成長させる代表
的な成長装置の細部を示すために、成長装置の一部分を
切除した半分の断面図である。 第３図は、蓋及びシールド構造の一実施例の四半分の断
面図である。 第４図は、第３に示した蓋及びシールド構造を用いて結
晶を成長させた場合における幅対長さの関係を示すグラ
フである。 第５図は、本発明で使用する蓋とスロットとの幾何学的
関係の更に幾つかの例を示す概略図である。 第６図は、輻射熱源を使用した本発明のもう１つの実施
方法を示す概略説明図である。 第７図は、ガス・ジェットを用いた本発明の別の実施方
法を示す概略説明図である。 第８図は、本発明の更に別の実施方法を示すために掲げ
るサセプタの蓋の上面図である。 第９図は、本発明の更に別の実施方法を示すために掲げ
るサセプタの側面図である。 10……境界画成デンドライト 15……サセプタの蓋 16……スロット 18……拡大円形端部領域 19……端部孔 20……輻射シールド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レイモンド・ジョージ・サイデンスティ ッカー アメリカ合衆国、ペンシルベニア州、フ ォーレスト・ヒルズ、キャッスルゲー ト・ロード 319 (72)発明者 チャールズ・スチュアート・ダンカン アメリカ合衆国、ペンシルベニア州、ピ ッツバーグ ルシル・ドライブ 140 (56)参考文献 特開 昭61−174188（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−9896（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−119282（ＪＰ，Ａ)

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】シリコンのデンドライトウェッブ結晶を成
    長させる方法であって、るつぼに多結晶シリコンを装入
    し、シリコンを溶融し、スロットを持つ輻射シールドを
    シリコン溶融物の上部に離間させて配置して溶融物と前
    記スロットを通って成長するデンドライトウェッブとの
    間の熱流をバランスさせ、デンドライトウェッブの境界
    部における温度勾配を制御し且つ輻射シールドのスロッ
    トを通ってウェッブを引き上げるときの溶融物の固有温
    度勾配を制御することを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】前記境界部に隣接するスロット部分を拡大
    して拡大端部領域を形成することにより、デンドライト
    ウェッブの境界部における温度勾配を制御することを特
    徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  3. 【請求項３】輻射シールドのスロットを通って引き上げ
    られるデンドライトウェッブの境界部周辺の温度勾配
    が、スロット端部に設けた拡大端部領域により、対称に
    なることを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の方
    法。
  4. 【請求項４】デンドライトウェッブの境界部に隣接する
    スロットから離れたシールド部分に別の開口部を追加し
    て設けることにより、多結晶シリコン溶融物中の固有温
    度勾配を制御することを特徴とする特許請求の範囲第２
    項又は第３項に記載の方法。
  5. 【請求項５】輻射熱源又はガス噴射により、デンドライ
    トウェッブの境界部における温度勾配の制御を行うこと
    を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項に何れか
    に記載の方法。
  6. 【請求項６】シリコンのデンドライトウェッブ結晶を成
    長させるための装置であって、内部でシリコンを溶融し
    溶融状態に保持することができるるつぼを収納する空洞
    部を持つサセプタと；デンドライトウェッブ結晶を引き
    上げる際に通過するスロットを設けた、るつぼ上に位置
    させた蓋を有し、前記の蓋は前記スロットの両端に端部
    孔を有し、前記端部孔は溶融シリコンン内部の固有温度
    及び温度勾配を制御できる寸法であって前記スロットか
    ら離間しており、更にデンドライトウェッブ結晶を引き
    上げることができるスロットを持つ蓋の上方に離間させ
    た輻射シールドを有し、前記スロットはウェッブの境界
    部の温度勾配を制御できるよう拡大された拡大端部領域
    がデンドライトウェッブ境界部に隣接して設けられた形
    状を持ち、前記シールドの前記スロットの両端位置に端
    部孔が設けられており、前記端部孔は溶融物内部の固有
    温度勾配の制御が可能な寸法を持ち且つ前記スロットの
    端部から離間していることを特徴とする装置。
  7. 【請求項７】蓋のスロットの拡大端部領域及びウェッブ
    の境界部に隣接する輻射シールドが、ウェッブ境界部を
    中心として、対称であることを特徴とする特許請求の範
    囲第６項に記載の寸法。
  8. 【請求項８】シリコンのデンドライトウェッブ結晶を成
    長させるための装置であって、シリコンを溶融させて溶
    融状態に保持することができるるつぼを収納する空洞部
    を持つサセプタと；デンドライトウェッブ結晶を引き上
    げることができるスロットを持ちるつぼ上方に配置した
    サセプタの蓋とを有し、前記のサセプタの蓋は前記るつ
    ぼに収納されている溶融シリコンから引き上げられるシ
    リコンのデンドライトウェッブの境界部に隣接する複数
    の口部を有し、前記口部によってデンドライトウェッブ
    結晶全体の温度勾配が制御され、更に上記の蓋の上方に
    離間配置されデンドライトウェッブ結晶を引き上げるこ
    とができるスロットと持つ輻射シールドを有することを
    特徴とする装置。
  9. 【請求項９】前記の蓋と、デンドライトウェッブの境界
    部に隣接するスロットから離間配置されている輻射シー
    ルドとに、更に開口部が追加して設けられていることを
    特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の装置。
  10. 【請求項１０】シリコンのデンドライトウェッブ結晶を
    成長させるための装置であって、シリコンを溶融させて
    溶融状態に保持できるるつぼを収納する空洞部を持つサ
    セプタと、るつぼ上に載置されデンドライトウェッブ結
    晶を通して引き上げることができるスロットを持つ蓋と
    から成り、前記の蓋が、前記スロットから外方に延伸
    し、且つ前記スロットを通って引き上げられているシリ
    コンのデンドライトウェッブ結晶の境界部に隣接した輻
    射口部を有し、前記輻射口部は前記の蓋の外縁部にまで
    延伸して前記ウェッブの境界部における温度勾配を制御
    できるように構成されていることを特徴とする装置。
  11. 【請求項１１】シリコンのデンドライトウェッブ結晶を
    成長させるための装置であって、シリコンを溶融させて
    溶融状態に保持できるるつぼを収納する空洞部を持つサ
    セプタと、るつぼ上に配置されデンドライトウェッブで
    結晶を通して引き上げることができるスロットを持つ蓋
    とから成り、前記サセプタが該サセプタの底部を通るサ
    セプタ空洞部の底部から外方に延伸する輻射口部を有
    し、前記るつぼに収納されているシリコン溶融物の固有
    温度勾配を制御できるよう構成したことを特徴とする装
    置。
  12. 【請求項１２】シリコンのデンドライトウェッブ結晶を
    成長させる方法であって、るつぼに多結晶シリコンを装
    入し、シリコンを溶融し、デンドライトウェッブ結晶を
    引き上げることができるスロットを持つるつぼの上方に
    蓋を配置し、蓋のスロットを通ってウェッブを引き上げ
    る際に輻射熱源を用いてデンドライトウェッブの境界部
    における温度勾配を制御することを特徴とする方法。
JP62306820A 1986-12-05 1987-12-03 シリコンのデンドライトウェッブ結晶を成長させる方法及び装置 Expired - Lifetime JP2551441B2 (ja)

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