JP2551491B2

JP2551491B2 - 低損失酸化物磁性材料

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Publication number: JP2551491B2
Application number: JP2024364A
Authority: JP
Inventors: 潔庄司; 努大塚; 淳米倉; 哲義千葉; 龍矢千葉
Original assignee: Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 1989-02-04
Filing date: 1990-02-05
Publication date: 1996-11-06
Anticipated expiration: 2011-11-06
Also published as: JPH03224204A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は，電源トランス等に用いられる低損失酸化物
磁性材料に関する。

［従来の技術］従来のスイッチング電源用の変圧器においては，スイ
ッチング周波数として専ら10〜200kHz程度のものが使用
されており，これに対応すべき低損失酸化物磁性材料と
して，主成分として30〜40モル％の一酸化マンガン（Mn
O）,5〜15モル％の酸化亜鉛（ZnO）及び残部として，酸
化第二鉄（Fe₂O₃）を含み，副成分として,0.04〜0.15重
量％の酸化カルシウム（CaO）と0.010〜0.100重量％の
二酸化ケイ素（SiO₂）とを含むMn−Zn系スピネル型フェ
ライトがすでに開発されている。

［発明が解決しようとする課題］近年，スイッチング電源を小型・軽量化するために，
スイッチング周波数が100kHz以上の高周波で使用するの
が一般的となりつつある。

ところが従来の成分を有する低損失酸化物磁性材料を
スイッチング周波数が100kHz以上のスイッチング電源用
の変圧器の磁心材料として使用すると鉄損による電力損
失が大きく，それによる発熱のため許容温度以上に温度
が上昇し，トランス自体やその周辺部品を損ない使用に
耐えないという欠点があった。

そこで，本発明の技術的課題は周波数が100kHz以上の
高い周波数で使用しても鉄損を小さく，従って発熱を許
容温度以下に抑えて実用に供し得る低損失酸化物磁性材
料を提供することにある。

［課題を解決するための手段］本発明によれば，主成分として30〜42.0モル％の一酸
化マンガン（MnO）,4.0〜19モル％の酸化亜鉛（ZnO）及
び残部として酸化第二鉄（Fe₂O₃）を含み，副成分とし
て0.020〜0.15重量％の酸化カルシウム（CaO）と,0.005
〜0.10重量％の二酸化ケイ素（SiO₂）とを含み，添加物
として1.00重量％以下の酸化ハフニウム（HfO₂）を含む
ことを特徴とする低損失酸化物磁性材料が得られる。

本発明によれば，前記低損失酸化物磁性材料におい
て，添加物として，さらに0.30重量％以下の酸化ジルコ
ニウム（ZrO₂）,0.20重量％以下の酸化バナジウム（V₂O
₅）及び0.30重量％以下の酸化タンタル（Ta₂O₅）の少な
くとも一種を含むことを特徴とする低損失酸化物磁性材
料が得られる。

本発明によれば，前記した，いずれかの低損失酸化物
磁性材料において，添加物としてさらに0.50重量％以下
のAl₂O₃,及び0.30重量％以下のTiO₂の少なくとも一種を
含むことを特徴とする低損失酸化物磁性材料が得られ
る。

ここで，本発明において，必須添加物として1.00重量
％以下の酸化ハフニウム（HfO₂）としたのは，この元素
の上記適量は，粗大結晶粒成長の抑制を行うとともに，
結晶粒界に析出して，粒界の比抵抗を増加させる効果が
あるからである。

また，本発明において，任意添加物として0.30重量％
以下酸化ジルコニウム（ZrO₂）,0.20重量％以下酸化バ
ナジウム（V₂O₅），及び0.300重量％以下の酸化タンタ
ル（Ta₂O₃）の少なくとも一種としたのは，これらの元
素の上記適量は，酸化ハフニウム（HfO₂）と同様に粗大
結晶粒成長の抑制を行うとともに，結晶粒界に析出し
て，粒界の比抵抗を増加させる効果があり，これら酸化
ハフニウム，酸化ジルコニウム，酸化バナジウム，及び
酸化タンタルの添加量は，それぞれの成分の上記した適
量の上限値を越えると著しい粒成長が生じ，経済的でな
く，また，電力損失特性が劣化するからである。

また，本発明において，上記必須添加物及び任意添加
物の他に，添加物としてさらに0.50重量％以下の酸化ア
ルミニウム（Al₂O₃），及び0.30重量％以下の二酸化チ
タン（TiO₂）の少なくとも一種を含むとしたのは，酸化
アルミニウム（Al₂O₃），及び二酸化チタン（TiO₂）
は，上記上限値内において，結晶内に固溶し，結晶粒内
の組織を均一にし，結晶内部の抵抗を増加させるからで
ある。

しかし，この上限値を越えると著しい電力損失を増加
させる。

［実施例］以下，本発明の実施例について，図面を参照して，説
明する。

（実施例１）主成分として,53.0モル％の酸化第二鉄（Fe₂O₃）,37
モル％の一酸化マンガン（MnO）及び10.0モル％の酸化
亜鉛（ZnO）を含有し，副成分として,0.025重量％の二
酸化ケイ素（SiO₂）と0.043重量％の酸化カルシウム（C
aO）を含有し，添加成分として酸化ハフニウム（HfO₂）
を添加し，これらを混合し，予焼し，微粉砕し，造粒
し，成形プレスした後，酸素分圧0.1at％，温度1150℃
において焼結し，酸化物磁性材料を得た。

第１図は得られた酸化物磁性材料に対し酸化ハフニウ
ム（HfO₂）の添加量をパラメータとした時の温度Ｔ
［℃］と電力損失P_B［kW/m³］の関係を示した図であ
る。第１図においては電力損失はP_B［kW/m³］は周波数
が1MHz,最大磁束密度B_mが500Gの場合を示している。ま
た，第１図において，曲線１は酸化ハフニウム（HfO₂）
を添加しない場合，曲線２は0.20重量％の酸化ハフニウ
ム（HfO₂）を添加した場合，曲線３は0.40重量％の酸化
ハフニウム（HfO₂）を添加した場合，曲線４は0.60重量
％の酸化ハフニウム（HfO₂）を添加した場合，曲線５は
0.80重量％の酸化ハフニウム（HfO₂）を添加した場合，
曲線６は1.00重量％の酸化ハフニウム（HfO₂）を添加し
た場合，曲線７は1.20重量％の酸化ハフニウム（HfO₂）
を添加した場合の特性をそれぞれ示している。第１図よ
り周波数1MHzの場合においては電力損失P_Bは酸化ハフニ
ウム（HfO₂）を添加するか否かに無関係に温度が約60℃
の時最小値を有する。そして酸化ハフニウム（HfO₂）の
添加量を増加していくにつれて，電力損失P_Bは小さくな
り添加量が0.60重量％の時が最も電力損失P_Bは小さくな
りそれよりも添加量を増加していくにつれて，電力損失
P_Bが増加していき，添加量が1.20重量％を越えると，添
加しない時よりも電力損失P_Bが大きくなる。

以上から周波数1MHzにおいて酸化ハフニウム（HfO₂）
を1.00重量％以下（０％を含まず）添加した方が，添加
しないものより電力損失P_Bが小さくなる事がわかる。

第１表に，実施例１により得られた酸化物磁性材料
（副成分として,0.025重量％の二酸化ケイ素（SiO₂）,
0.043重量％の酸化カルシウム（CaO）及び0.060重量％
の酸化ハフニウム（HfO₂）を含有）と，従来の酸化物磁
性材料（副成分として0.025重量％の二酸化ケイ素（SiO
₂）と0.043重量％の酸化カルシウム（CaO）を含有し，
酸化ハフニウム（HfO₂）は添加しない）の諸特性（初透
磁率μi,飽和磁束密度B₁₅（磁化力15［Oe］における磁
束密度）［Ｇ］，残留磁束密度Br［Ｇ］，保持力Hc［O
e］を示す。尚，主成分はいずれも酸化第二鉄（Fe₂O₃）
を53.0モル％，酸化マンガン（MnO）を37.0モル％及び
酸化亜鉛（ZnO）を10.0モル％含有している。

第１表より明らかな如く，本発明の実施例１のもの
は，スイッチング電源用磁心材料として求められる諸特
性，例えば初透磁率μｉが1000以上，飽和磁束密度が50
00G以上等という特性を十分に満たしている。

以上のことより添加物として酸化ハフニウム（HfO₂）
は，スイッチング電源用磁心材料として求められる諸特
性を十分に満たし，周波数が200kHz以上において，電力
損失P_Bを，例えば約0.60重量％添加した場合，添加しな
い場合に比較し，温度60℃で約500kW/m³改善できること
がわかる。

（実施例２）酸化物粉末を混合，成形，焼成してなる酸化物磁性材
料を主成分として,53.0モル％の酸化第二鉄（Fe₂O₃）,3
6.0モル％の一酸化マンガン（MnO），及び11.0モル％の
酸化亜鉛（ZnO）を含有し，副成分として酸化カルシウ
ム（CaO），及び二酸化ケイ素（SiO₂）を従来の低損失
酸化物磁性材料の成分範囲（酸化カルシウム（CaO）が
0.02〜0.15重量％，二酸化ケイ素（SiO₂）が0.005〜0.1
00重量％の範囲）で含有する従来の低損失酸化物磁性材
料に，さらに，酸化ジルコニウム（ZrO₂），酸化アルミ
ニウム（Al₂O₃）及び酸化ハフニウム（HfO₂）の添加物
を種々の割合で複合添加した複数の実施例２の低損失酸
化物磁性材料，上記添加物を添加しない従来例，及び比
較例２として上記添加物の単独または複合添加した複数
の低損失酸化物磁性材料を試作した。これらの実施例2,
従来例，及び比較例２の試作においては，それぞれの酸
化物原料を所定量秤量し混合した後，造粒，成形プレス
し，窒素ガス雰囲気中において，酸素分圧5.0at％以下
で,1100〜1300℃の温度で焼成して試料を得た。

第２表は試作した実施例２の試料No.15〜17,No.19,2
0,22,23,25,26と，従来例として試料No.8,及び比較例２
の試料No.9〜No.14,No.18,21,24について，それぞれの
副成分及び添加成分の含有量と，周波数200kHzで最大磁
束密度Bmが1000Gの場合の電力損失P_Bの試料温度に対す
る最小値を示したものである。

第２表によれば，添加物である二酸化ジルコニウム
（ZrO₂），酸化アルミニウム（Al₂O₃）及び酸化ハフニ
ウム（HfO₂）の複合添加によって、従来例の試料No.8よ
り電力損失が減少していることがわかる。

これは，これらの添加物において,ZrO₂とHfO₂は，低
損失酸化物磁性材料の粒界に析出して，粒界の抵抗率を
増大させ,Al₂O₃は結晶内に固溶して結晶内の抵抗率を増
大させ，且つ結晶組織を均一にする効果があったと考え
られ，これらの複合作用によって，組織内部の電磁気特
性の均一化と組織全体の抵抗率を増大せしめ，これが鉄
損失を減少せしめたものと，考えられる。

また，第２表において,ZrO₂を0.40％添加した試料No.
18,Al₂O₃0.60％添加した試料No.21及びHfO₂1.10添加し
た試料No.24においては，異常粒の成長が認められ，そ
のため電力損失が大きくなったと考えられる。

又，第２表の試料No.9〜14は，それぞれ添加物の単独
又は２つが０％であり，この場合も電力損失が大きく効
果が薄いことがわかる。

（実施例３）実施例２と同様の主成分と従来の副成分範囲を含有す
る従来の低損失酸化物磁性材料に，さらに二酸化チタン
（TiO₂），五酸化バナジウム（V₂O₅），及び酸化ハフニ
ウム（HfO₂）の添加物を種々の割合で複合添加した複数
の実施例３の低損失酸化物磁性材料を各種試作し，この
比較例として，上記添加物を添加しない従来の低損失酸
化物磁性材料，及び比較例３として上記添加物を単独ま
たは複合添加した複数の低損失磁性材料を併せて各種試
作した。

実施例3,従来例，及び比較例３の試作においては，実
施例２と同様に，それぞれの酸化物原料を所定量秤量し
混合した後，造粒，成形プレスし，窒素ガス雰囲気中に
おいて，酸素分圧5.0at％以下で,1100〜1300℃の温度で
焼成して試料を得た。

第３表は試作した実施例３の試料No.33〜35,37,38,4
0,41,43,44と，従来例として試料No.8,及び比較例３の
試料No.27〜32,No.36,39,42について，それぞれの副成
分及び添加物成分の含有量と，周波数200kHzで最大磁束
密度Bmが1000Gの場合の電力損失の試料温度に対する最
小値を示したものである。

第３表によれば，添加物である二酸化チタン（Ti
O₂），五酸化バナジウム（V₂O₅），及び酸化ハフニウム
（HfO₂）の複合添加によって，従来の比較例の試料No.2
8より電力損失が減少していることがわかる。これは，
添加物,V₂O₅及びHfO₂が粒界に析出して粒界の抵抗率を
増大させ，且つ結晶組織を均一にする効果があったと考
えられ，これらの複合作用によって，実施例２と同様に
して，電力損失を減少せしめたものと考えられる。

第３表において,TiO₂を0.30重量％添加した試料No.39
及びHfO₂を1.10重量％添加した試料No.42においては，
異常粒の成長が認められ，そのため電力損失が大きくな
ったと考えられる。

第３表の試料No.27〜32は，それぞれ添加物の単独又
は２つが０％であり，この場合も電力損失が大きく効果
が薄いことがわかる。

第４表は，従来の試料No.8と本発明の実施例２の試料
No.15について，第５表は，従来の試料No.8と，実施例
３の試料No.33について，それぞれの初透磁率μ，飽和
磁束密度B₁₅,残留磁束密度Br,及び抵抗率ρの各電磁気
特性について比較したものである。

第４表及び第５表では，μ,B₁₅,Brについては，試料N
o.8とNo.15,又は，試料No.33のいずれも遜色なく，抵抗
率のみが実施例２のNo.15又は実施例３のNo.33のそれぞ
れが，従来のNo.8の十倍以上の値を示している。この抵
抗率の格段の向上が，渦電流損失を減少せしめた主な原
因になっていることが理解される。

以上，本発明の実施例2,3によって,100kHz以上の電力
損失の低減がなされ,100kHz以上の高周波におけるスイ
ッチング電源用トランスコア材料として優れた低損失酸
化物磁性材料が得られることが確認された。

（実施例４）主成分として,53.0モル％の酸化第二鉄（Fe₂O₃）,39.
0モル％の一酸化マンガン（MnO）及び8.0モル％の酸化
亜鉛（ZnO）に，副成分として，二酸化ケイ素（Si
O₂），酸化カルシウム（CaO），酸化ハフニウム（Hf
O₂），酸化ジルコニウム（ZrO₂），三酸化アルミニウム
（Al₂O₃），五酸化バナジウム（V₂O₅）を単独または複
合添加し，混合し，造粒し，成形プレスした後，窒素ガ
ス雰囲気中において，酸素分圧5.0at％以下，各組成に
おいて，最適焼結温度である1100〜1300℃温度で焼結し
た。

第６表は，主成分として53.0モル％酸化第二鉄（Fe₂O
₃）,39.0モル％の一酸化マンガン（MnO）及び8.0モル％
の酸化亜鉛（ZnO）を含有する高透磁率Mn−Znフェライ
トに，副成分として二酸化ケイ素（SiO₂），酸化カルシ
ウム（CaO）を添加し，更に，酸化ハフニウム（HfO₂）
と酸化ジルコニウム（ZrO₂），及び選択成分として，酸
化アルミニウム（Al₂O₃），五酸化バナジウム（V₂O₅）
とを複合添加したときの，周波数が1MHz,最大磁束密度
Ｂの値が500G（ガウス）の場合の電力損失（鉄損）の60
℃付近に於ける夫々の組成に於ける値を示す。

本発明の組成と電力損失（鉄損）との値を示す第６表
を参照して説明する。

第６表に，各副成分の添加量と，電力損失（鉄損）と
の関係を示す。

第６表より二酸化ハフニウム（HfO₂），二酸化ジルコ
ニウム（ZrO₂），酸化アルミニウム（Al₂O₃），五酸化
バナジウム（V₂O₅）の複合添加によって，電力損失の値
は，従来の低損失酸化物磁性材料の値に比べて低い値を
示し，特性値は，従来の値に比べてほぼ30％程向上して
いることがわかる。

酸化ハフニウム（HfO₂）1.10重量％添加（試料番号5
7），二酸化ジルコニウム（ZrO₂）0.40重量％添加（試
料番号60），酸化アルミニウム（Al₂O₃）0.60重量％添
加（試料番号63），五酸化バナジウム（V₂O₅）0.25重量
％添加（試料番号66）においては，結晶粒に異常粒の成
長が認められ，比抵抗ρも劣化し，電力損失が大きくな
っている。

（実施例５）実施例４と同様にして，主成分として,53.0モル％の
酸化第二鉄（Fe₂O₃）,39.0モル％の一酸化マンガン（Mn
O）及び8.0モル％の酸化亜鉛（ZnO）に，副成分とし
て，二酸化ケイ素（SiO₂），酸化カルシウム（CaO），
酸化ハフニウム（HfO₂），酸化ジルコニウム（ZrO₂），
及び選択成分として酸化アルミニウム（Al₂O₃），二酸
化チタン（TiO₂）を単独または複合添加し，混合し，造
粒し，成形プレスした後，窒素ガス雰囲気中において，
酸素分圧5.0at％以下，各組成において，最適焼結温度
である1100〜1300℃温度で焼結した。

第７表は主成分として53.0モル％の酸化第二鉄（Fe₂O
₄）39.0モル％の一酸化マンガン（MnO）を含有し，副成
分として二酸化ケイ素（SiO₂），酸化カルシウム（Ca
O）を基本とし，さらに酸化ハフニウム（HfO₂）と酸化
ジルコニウム（ZrO₂），及び選択成分として酸化アルミ
ニウム（Al₂O₃）と二酸化チタン（TiO₂）とを複合添加
したときの，周波数が1MHz,動作磁束密度Ｂが500G（ガ
ウス）の場合の電力損失（鉄損）の60℃付近に於ける各
組成の於ける値を示す。

本発明の組成と，電力損失（鉄損）との値を示す第７
表について説明する。第７表は各副成分の添加量と電力
損失の関係を示す。第７表より，酸化ハフニウム（Hf
O₂），酸化ジルコニウム（ZrO₂），酸化アルミニウム
（Al₂O₃），二酸化チタン（TiO₂）の複合添加によっ
て，電力損失が向上していることがわかる。又，電力損
失は，例として前述の通り周波数が1MHz,最大磁束密度5
00G（ガウス）での測定値を示すが,100kHz以上の周波数
において，すべて同様の電力損失が見られる。

酸化ハフニウム（HfO₂）1.10重量％添加（試料番号8
5），酸化ジルコニウム（ZrO₂）0.40重量％添加（試料
番号88）酸化アルミニウム（Al₂O₃）0.60重量％添加
（試料番号91），二酸化チタン（TiO₂）0.35重量％添加
（試料番号94）においては，結晶粒に異常粒の成長が認
められ比抵抗ρも劣化し，電力損失が大きくなってい
る。

第８表は，実施例５に於ける試料番号83と，従来組成
（試料番号47,71）について，初透磁率μ，飽和磁束密
度B₁₅,残留磁束密度Br,比抵抗ρの比較を示す。

第８表には，実施例４に於ける試料番号55と，従来組
成（試料番号44）について，初透磁率μ，磁化力が15Oe
に於ける飽和磁束密度B₁₅,残留磁束密度Br,保持力Hc,比
抵抗ρの値を示すが，本発明による低損失磁性材料の比
抵抗の値は，従来の組成の低損失磁性材料に比べて,20
倍以上の高い値となっている。

また，第８表において，本発明による実施例５の試料
番号83と従来（試料番号72）について，諸特性を比較す
ると，比抵抗ρが約20倍以上となっていることがわか
る。

尚，実施例4,実施例５において，窒素ガス雰囲気中酸
素分圧0.5％における焼結温度は,1100〜1300℃の範囲に
おいて，最適温度で焼結した。

（実施例６）主成分として53.0モル％の酸化第二鉄（Fe₂O₃）,39.0
モル％の一酸化マンガン（MnO），及び8.0モル％の酸化
亜鉛（ZnO）を含有し，副成分として,0.010〜0.040重量
％の二酸化ケイ素（SiO₂）,0.020〜0.15重量％の酸化カ
ルシウム（CaO）を含有し，添加成分として0.01〜0.80
重量％の酸化ハフニウム（HfO₂）,0.005〜0.300重量％
の酸化タンタル（Ta₂O₅）を添加し，これらをボールミ
ルにて混合した後，予焼し，粉砕し，造粒し，成形プレ
スした後，酸素分圧０〜３％（０を含まず），温度1100
〜1300℃で１〜４時間焼結し，酸化物磁性材料を得た。

第９表は各組成に於いて焼結条件を変化させて得られ
た酸化物磁性材料の中で最も優れたコアロス特性を示し
た試料について，二酸化ケイ素（SiO₂），酸化カルシウ
ム（CaO），酸化ハフニウム（HfO₂），酸化タンタル（T
a₂O₅）をパラメータとしたときの温度60℃，磁束度500G
としたときの電力損失P_B（mW/cc）を示したものであ
る。

第９表において，試料番号106は主成分として53.0モ
ル％の酸化第二鉄（Fe₂O₃）,39.0モル％の一酸化マンガ
ン（MnO），及び8.0モル％の酸化亜鉛（ZnO）を含有し,
0.030重量％の二酸化ケイ素（SiO₂）,0.080重量％の酸
化カルシウム（CaO）を副成分とし，酸化ハフニウム（H
fO₂），酸化タンタル（Ta₂O₅）を添加していない従来の
電源用Mn−Zn系フェライトである。

本発明における酸化物磁性材料は，いずれの場合も従
来のもの（試料106）より優れていることがわかる。ま
た，二酸化ケイ素（SiO₂）が0.030重量％，酸化カルシ
ウム（CaO）が0.060重量％，酸化ハフニウム（HfO₂）が
0.15重量％，酸化タンタル（Ta₂O₅）が0.05重量％を添
加して作製した試料番号102は，従来のフェライトと比
較して電力損失P_Bが約1/2程度になっており，著しい低
損失特性を実現している。

［発明の効果］以上説明したように，本発明によれば，二酸化ケイ素
及び酸化カルシウムを含むZn−Mnフェライト系酸化物磁
性材料において，添加物として1.00重量％以下のHfO₂ス
イッチング電源用トランスとして求められる諸特性を充
分満足するとともに，周波数が100kHz以上の高周波にお
いても従来ものよりも電力損失を低減でき，高周波磁心
用材料としてスイッチング電源の小型，軽量化に十分に
適合した材料を提供することができる。

また，本発明によれば，このZn−Mnフェライト系酸化
物磁性材料において，添加物として，さらに,0.30重量
％以下の酸化ジルコニウム（ZrO₂）,0.30重量％以下の
酸化タンタル（Ta₂O₃）の少なくとも一種を含むことに
より，スイッチング電源用トランスとして求められる諸
特性を更に向上させることができる。

更に，本発明によれば，これらZn−Mnフェライト系酸
化物磁性材料において,0.50重量％以下のAl₂O₃及び0.30
重量％以下のTiO₂の少なくとも一種を含むことにより，
更に，電力損失等の諸特性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係る低損失酸化物磁性材料の
温度と電力損失（P_B）との関係を示す図で，比較例とし
て，酸化ハフニウム（HfO₂）を添加しない材料（曲線
１）及び1.20重量％の酸化ハフニウム（HfO₂）を添加し
た材料（曲線７）を併せて示した。

フロントページの続き (72)発明者千葉哲義宮城県仙台市太白区郡山６丁目７番１号株式会社トーキン内 (72)発明者千葉龍矢宮城県仙台市太白区郡山６丁目７番１号株式会社トーキン内

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】主成分として30〜42.0モル％の一酸化マン
ガン（MnO）,4.0〜19モル％の酸化亜鉛（ZnO），及び残
部として酸化第二鉄（Fe₂O₃）を含み，副成分として0.0
20〜0.15重量％の酸化カルシウム（CaO）と,0.005〜0.1
0重量％の二酸化ケイ素（SiO₂）とを含み，添加物とし
て1.00重量％以下の酸化ハフニウム（HfO₂）を含むこと
を特徴とする低損失酸化物磁性材料。
【請求項２】第１の請求項記載の低損失酸化物磁性材料
において，添加物としてさらに0.30重量％以下の酸化ジ
ルコニウム（ZrO₂）,0.20重量％以下の酸化バナジウム
（V₂O₅），及び0.30重量％以下の酸化タンタル（Ta
₂O₅）の少なくとも一種を含むことを特徴とする低損失
酸化物磁性材料。
【請求項３】第１又は第２の請求項記載の低損失酸化物
磁性材料において，添加物としてさらに0.50重量％以下
のAl₂O₃,及び0.30重量％以下のTiO₂の少なくとも一種を
含むことを特徴とする低損失酸化物磁性材料。