JP2552838B2 - マルチ電子ビーム撮像装置 - Google Patents
マルチ電子ビーム撮像装置Info
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- JP2552838B2 JP2552838B2 JP61252029A JP25202986A JP2552838B2 JP 2552838 B2 JP2552838 B2 JP 2552838B2 JP 61252029 A JP61252029 A JP 61252029A JP 25202986 A JP25202986 A JP 25202986A JP 2552838 B2 JP2552838 B2 JP 2552838B2
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- Japan
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- electron beam
- pattern
- scanning
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、撮像装置、特に、複数の電子ビーム発生源
を用いたマルチ電子ビーム撮像装置に関するものであ
る。
を用いたマルチ電子ビーム撮像装置に関するものであ
る。
この種の装置の電子放出源としては、従来、例えば、
特公昭54−30274号公報、特開昭54−111272号公報（米
国特許第4,259,678号明細書）、特開昭56−15529号公報
（米国特許第4,303,930号明細書）、あるいは、特開昭5
7−38528号公報等に開示されている。
特公昭54−30274号公報、特開昭54−111272号公報（米
国特許第4,259,678号明細書）、特開昭56−15529号公報
（米国特許第4,303,930号明細書）、あるいは、特開昭5
7−38528号公報等に開示されている。
また、マルチ電子ビーム撮像管に関しては、本出願人
により同時出願された本願発明者らと同一発明者らによ
る特願「マルチ電子ビーム撮像管」明細書に開示されて
いる。
により同時出願された本願発明者らと同一発明者らによ
る特願「マルチ電子ビーム撮像管」明細書に開示されて
いる。
ここにおいて、ある与えられた画像の中から、ある特
定のパターンが存在する位置を見つけること（マッチン
グ）は、様々な応用分野で重要な技術である。例えば、
印刷物の原稿画像の中から特定の文字の位置を見出すこ
と、または、監視システムから得られた画像の中から目
標対象を見つけて追跡することなど、例を挙げればきり
がない。
定のパターンが存在する位置を見つけること（マッチン
グ）は、様々な応用分野で重要な技術である。例えば、
印刷物の原稿画像の中から特定の文字の位置を見出すこ
と、または、監視システムから得られた画像の中から目
標対象を見つけて追跡することなど、例を挙げればきり
がない。
マッチングの手法としては、画像のある部分と特定パ
ターンとの相互相関を求めることを反復することが代表
的である。
ターンとの相互相関を求めることを反復することが代表
的である。
以下、デジタル画像処理の分野において相互相関を利
用したマッチングをどのように行うかを、第５図
（ａ）、（ｂ）に示すアルゴリズム説明図にしたがって
簡単に説明する。
用したマッチングをどのように行うかを、第５図
（ａ）、（ｂ）に示すアルゴリズム説明図にしたがって
簡単に説明する。
第５図（ａ）では、大きさがKLの画像FI、Ｊ（Ｉ・・
１〜Ｋ、Ｊ・・１〜Ｌ）中より、（ｂ）図に示すような
大きさがKlのパターンGI、Ｊ（Ｉ・・１〜ｋ、Ｊ・・１
〜ｌ）を見つけるものとする。基本的には、パターンＧ
を画像Ｆのある位置に重ね合わせ、対応する画素ごとの
差を求めて総和を計算し、これがある許容値以下なら、
この位置に目的とするパターンが存在していると判断す
る。この基本操作を画像Ｇの全画面について行えば目的
が遂行できたことになる。例えば、（ａ）図では、位置
P1では誤差が大きく、目的とするパターンではないと判
断され、位置PKでは誤差がゼロであり目的とするパター
ンが存在していると判断される。
１〜Ｋ、Ｊ・・１〜Ｌ）中より、（ｂ）図に示すような
大きさがKlのパターンGI、Ｊ（Ｉ・・１〜ｋ、Ｊ・・１
〜ｌ）を見つけるものとする。基本的には、パターンＧ
を画像Ｆのある位置に重ね合わせ、対応する画素ごとの
差を求めて総和を計算し、これがある許容値以下なら、
この位置に目的とするパターンが存在していると判断す
る。この基本操作を画像Ｇの全画面について行えば目的
が遂行できたことになる。例えば、（ａ）図では、位置
P1では誤差が大きく、目的とするパターンではないと判
断され、位置PKでは誤差がゼロであり目的とするパター
ンが存在していると判断される。
さて次にこのような相互相関によるマッチングを行う
ときに必要とされる計算量を見積もってみる。一回の相
互相関を実行するのにK1回の引き算とK1-1回の加算すな
わち約2K1回の演算が必要である。これを画像Ｇのほぼ
画素数分、Ｋ×Ｌ回行わねばならないため、2K・Ｌ・K1
回の演算が必要となる。
ときに必要とされる計算量を見積もってみる。一回の相
互相関を実行するのにK1回の引き算とK1-1回の加算すな
わち約2K1回の演算が必要である。これを画像Ｇのほぼ
画素数分、Ｋ×Ｌ回行わねばならないため、2K・Ｌ・K1
回の演算が必要となる。
しかしながら、ここにおいて、例えば、Ｋ＝Ｌ＝51
2、ｋ＝ｌ＝５のとき、演算を１マイクロ秒で実行する
と仮定した場合、マッチングに要する時間は約７秒であ
り、画像の大きさ、パターンの大きさがさらに大きくな
った場合、この方式ではとても満足のゆくものではない
し、また、動画像を対象とした場合、全く対処できな
い。
2、ｋ＝ｌ＝５のとき、演算を１マイクロ秒で実行する
と仮定した場合、マッチングに要する時間は約７秒であ
り、画像の大きさ、パターンの大きさがさらに大きくな
った場合、この方式ではとても満足のゆくものではない
し、また、動画像を対象とした場合、全く対処できな
い。
このため、相互相関を求める方法では、差の総和値が
許容値を越えた時点で残りの差を求める処理を打切り、
次位置にパターンをすすめるなどの工夫は施されてはい
る。しかしながら、このようにしても実用にはほど遠く
特殊なプロセッサーを利用しているのが現状である。
許容値を越えた時点で残りの差を求める処理を打切り、
次位置にパターンをすすめるなどの工夫は施されてはい
る。しかしながら、このようにしても実用にはほど遠く
特殊なプロセッサーを利用しているのが現状である。
本発明は、以上のような従来例の問題点に着目してな
されたもので、上述欠点を除去して高速処理を行い得る
マルチ電子ビーム撮像装置の影響を目的としている。
されたもので、上述欠点を除去して高速処理を行い得る
マルチ電子ビーム撮像装置の影響を目的としている。
このため、本発明においては、被写体像が結像される
ターゲット電極と、複数の電子ビーム発生源をマトリッ
クス上に配設した電子ビーム発生部と、該電子ビーム発
生部より発生した電子ビームを前記ターゲット電極に対
して走査させるための走査手段と、複数の形状パターン
を記憶した記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記
複数の形状パターンの内の１つを選択する選択手段と、
該選択手段により選択された形状パターンで前記電子ビ
ーム発生源を駆動制御する駆動制御手段と、前記駆動制
御手段によって前記形状パターンの電子ビームを前記タ
ーゲット電極に照射させると共に、前記走査手段によっ
て前記電子ビームを前記ターゲット電極に対して走査さ
せた際にターゲット電極に流れる電流を計測することに
よって被写体中に存在する前記形状パターンの位置を検
出する検出手段と、を有するマルチ電子ビーム撮像装置
の提供により、前記目的を達成しようとするものであ
る。
ターゲット電極と、複数の電子ビーム発生源をマトリッ
クス上に配設した電子ビーム発生部と、該電子ビーム発
生部より発生した電子ビームを前記ターゲット電極に対
して走査させるための走査手段と、複数の形状パターン
を記憶した記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記
複数の形状パターンの内の１つを選択する選択手段と、
該選択手段により選択された形状パターンで前記電子ビ
ーム発生源を駆動制御する駆動制御手段と、前記駆動制
御手段によって前記形状パターンの電子ビームを前記タ
ーゲット電極に照射させると共に、前記走査手段によっ
て前記電子ビームを前記ターゲット電極に対して走査さ
せた際にターゲット電極に流れる電流を計測することに
よって被写体中に存在する前記形状パターンの位置を検
出する検出手段と、を有するマルチ電子ビーム撮像装置
の提供により、前記目的を達成しようとするものであ
る。
以上のような構成／制御方式により、相互相関による
マッチング演算を極めて短時間に行うことができる。
マッチング演算を極めて短時間に行うことができる。
以下に、本発明を実施例に基づいて説明する。第１図
に、本発明により相互相関を求める方法の説明図、第２
図に、本発明に使用するマルチ電子ビーム撮像管の一例
の構成概要図を示す。
に、本発明により相互相関を求める方法の説明図、第２
図に、本発明に使用するマルチ電子ビーム撮像管の一例
の構成概要図を示す。
（撮像管の構成） （第２図） まず、本発明に使用する上記撮像管の構成概要を説明
する。PECは光電変換部で、透光性基板FP、透光性導電
膜TSPおよび光導電体層PCの積層構造より成る。また、
電子ビーム発生部SEGは、Ｍ行×Ｎ列個をマトリックス
状に配設した複数の電子ビーム発生源より成る。また、
ENBLは電子ビーム発生部（源）SEGに与えられる電子ビ
ーム射出イネーブル信号、EBは発生された電子ビーム、
MMは、電子ビームEBの水平方向の有効径で光導電体PC面
を水平方向に分割したときの水平分割画素数、NNは、電
子ビームEBの垂直方向の有効径で光導電体PC面を垂直方
向に分割したときの垂直分割画素数である。OUTは、光
導電体PC上のある位置を電子ビームBEで照射したとき透
光性導電膜TSPを介して流れるターゲット電流の出力端
子、DYCは、電子ビームEBを水平方向に偏向する水平偏
向電極、DYRは、電子ビームEBを垂直方向に偏向する垂
直偏向電極、PMは、相関をとるべきパターンを記憶する
パターンメモリであり、各マルチ電子ビーム発生源のそ
れぞれに接続されている。
する。PECは光電変換部で、透光性基板FP、透光性導電
膜TSPおよび光導電体層PCの積層構造より成る。また、
電子ビーム発生部SEGは、Ｍ行×Ｎ列個をマトリックス
状に配設した複数の電子ビーム発生源より成る。また、
ENBLは電子ビーム発生部（源）SEGに与えられる電子ビ
ーム射出イネーブル信号、EBは発生された電子ビーム、
MMは、電子ビームEBの水平方向の有効径で光導電体PC面
を水平方向に分割したときの水平分割画素数、NNは、電
子ビームEBの垂直方向の有効径で光導電体PC面を垂直方
向に分割したときの垂直分割画素数である。OUTは、光
導電体PC上のある位置を電子ビームBEで照射したとき透
光性導電膜TSPを介して流れるターゲット電流の出力端
子、DYCは、電子ビームEBを水平方向に偏向する水平偏
向電極、DYRは、電子ビームEBを垂直方向に偏向する垂
直偏向電極、PMは、相関をとるべきパターンを記憶する
パターンメモリであり、各マルチ電子ビーム発生源のそ
れぞれに接続されている。
（相互相関アルゴリズム） いま、被写体はレンズ系を通して光導電体層PCに光学
像を形成しているとすれば、周知ビジコン撮像管の動作
原理により、光導電体層PC上位で光学像に対応する電荷
分布に交換されている。これを模式的に表わしたのが第
１図であり、被写体OBJの光学像IMGにより光導電体層PC
上の電荷は破線曲線QCで示すように分布している。一
方、パターンメモリPMには、画像中から見つけ出したい
パターンが格納されており、このパターンに従い、電子
ビーム発生源SEGの一部が電子ビームを射出している。
第１図EBがこのパターンに従って射出された電子ビーム
を表わしている。さて、パターンと画像との相互相関を
上記の構成で得る原理は、第１図に示したように各偏向
電極DYR、DYCに印加する電圧を制御し、電子ビーム群EB
で光電変換部PECを走査すればよい。すなわち、走査に
より電子ビーム群が第１図EBOで示すように指定パター
ンに一致しなければ、出力端子OUTより得られるターゲ
ット電流は少なく、逆に、EBIで示すように一致すれ
ば、電流は多く得られる。
像を形成しているとすれば、周知ビジコン撮像管の動作
原理により、光導電体層PC上位で光学像に対応する電荷
分布に交換されている。これを模式的に表わしたのが第
１図であり、被写体OBJの光学像IMGにより光導電体層PC
上の電荷は破線曲線QCで示すように分布している。一
方、パターンメモリPMには、画像中から見つけ出したい
パターンが格納されており、このパターンに従い、電子
ビーム発生源SEGの一部が電子ビームを射出している。
第１図EBがこのパターンに従って射出された電子ビーム
を表わしている。さて、パターンと画像との相互相関を
上記の構成で得る原理は、第１図に示したように各偏向
電極DYR、DYCに印加する電圧を制御し、電子ビーム群EB
で光電変換部PECを走査すればよい。すなわち、走査に
より電子ビーム群が第１図EBOで示すように指定パター
ンに一致しなければ、出力端子OUTより得られるターゲ
ット電流は少なく、逆に、EBIで示すように一致すれ
ば、電流は多く得られる。
ここで注意しなければならないのは、第２図で示した
ような蓄積形撮像管の場合、電子ビーム群EBを、ひとた
びある領域に照射すると、その領域の電荷情報は初期化
されてしまうということである。すなわち、単純に電子
ビーム群EBを水平あるいは垂直に偏向させた場合、水平
方向では直前の、垂直方向では、一水平走査時間前の、
電子ビームで相関を求めた領域と重なり、重なった部分
ではまだ十分に電荷は蓄積されていないため、正確な相
関を求められない。これを解決するためには、パターン
の大きさを単位として、走査を行い（ブロック走査と呼
ぶ）、一ブロック走査が終了すれば、ブロック走査の原
点をパターンの一画素分だけ移行させて再び、全画面を
ブロック走査する、ということを反復すればよい。
ような蓄積形撮像管の場合、電子ビーム群EBを、ひとた
びある領域に照射すると、その領域の電荷情報は初期化
されてしまうということである。すなわち、単純に電子
ビーム群EBを水平あるいは垂直に偏向させた場合、水平
方向では直前の、垂直方向では、一水平走査時間前の、
電子ビームで相関を求めた領域と重なり、重なった部分
ではまだ十分に電荷は蓄積されていないため、正確な相
関を求められない。これを解決するためには、パターン
の大きさを単位として、走査を行い（ブロック走査と呼
ぶ）、一ブロック走査が終了すれば、ブロック走査の原
点をパターンの一画素分だけ移行させて再び、全画面を
ブロック走査する、ということを反復すればよい。
第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、このブロック走査
方法を説明する図であり、パターンの大きさ、すなわち
複数の電子ビームで同時に照射される領域を、この例で
は、縦横ともに２としている。このパターンの大きさで
で光電変換部PECの光導電体層PCを分割すると破線で示
すようになる。さて、まず、同図（ａ）で示すように、
領域Ｓから領域Ｅまでブロック走査を一回行い、次の走
査では同図（ｂ）に示すように、パターンの一画素分水
平方向に移行した（２、１）位置を原点としてブロック
走査を行っている。すなわち領域Ｓ′か領域Ｅ′までが
走査されて相関を調べられる。同図（ｃ）はブロック走
査原点が（２、２）の位置に設定された状態を表わして
いる。
方法を説明する図であり、パターンの大きさ、すなわち
複数の電子ビームで同時に照射される領域を、この例で
は、縦横ともに２としている。このパターンの大きさで
で光電変換部PECの光導電体層PCを分割すると破線で示
すようになる。さて、まず、同図（ａ）で示すように、
領域Ｓから領域Ｅまでブロック走査を一回行い、次の走
査では同図（ｂ）に示すように、パターンの一画素分水
平方向に移行した（２、１）位置を原点としてブロック
走査を行っている。すなわち領域Ｓ′か領域Ｅ′までが
走査されて相関を調べられる。同図（ｃ）はブロック走
査原点が（２、２）の位置に設定された状態を表わして
いる。
第４図は上記の走査を行わせるための制御回路のブロ
ック図である。CLKは、発生した電子ビームBEを走査す
る基本クロック、MCTは、マルチ電子ビーム発生源SEGの
水平方向の数Ｍに等しいＭ進のカウンタ、NCTは、マル
チ電子ビーム発生源SEGの垂直方向の数Ｎに等しいＮ進
のカウンタ、MMCTは、水平分割画素数MMから、上記マル
チ電子ビーム発生源SEGの水平方向の数Ｍを減じた（MM
−Ｍ）進のカウンタ、NNCTは、垂直分割画素数NNから上
記マルチ電子ビーム発生源SEGの垂直方向の数Ｎを減じ
た（NN−Ｎ）進のカウンタ、であり、それぞれ、カウン
タMMCTのキャリーは、カウンタNNCTの入力クロックに、
カウンタNNCTのキャリーはカウンタMCTの入力クロック
に、また、カウンタMCTのキャリーは、カウンタNCTの入
力クロックになっている。また、ADCはMMビットのAD変
換器であり、その下位ＭビットはカウンタMCTの出力
が、上記（MM−Ｍ）ビットはカウンタMMCTの出力に接続
されており、そのアナログ出力は増幅器AMPCで増幅され
て、偏向電極DYCに供給される。同様にADRはNNビットの
AD変換器であり、その下位ＮビットはカウンタNCTの出
力が、上記（NN−Ｎ）ビットカウンタNNCTの出力に接続
されており、そのアナログ出力は増幅器AMPRで増幅され
て、偏向電極DYRに供給される。また、基本クロックCLK
はインバータINVで反転され、電子ビーム射出イネーブ
ル信号として供給される。
ック図である。CLKは、発生した電子ビームBEを走査す
る基本クロック、MCTは、マルチ電子ビーム発生源SEGの
水平方向の数Ｍに等しいＭ進のカウンタ、NCTは、マル
チ電子ビーム発生源SEGの垂直方向の数Ｎに等しいＮ進
のカウンタ、MMCTは、水平分割画素数MMから、上記マル
チ電子ビーム発生源SEGの水平方向の数Ｍを減じた（MM
−Ｍ）進のカウンタ、NNCTは、垂直分割画素数NNから上
記マルチ電子ビーム発生源SEGの垂直方向の数Ｎを減じ
た（NN−Ｎ）進のカウンタ、であり、それぞれ、カウン
タMMCTのキャリーは、カウンタNNCTの入力クロックに、
カウンタNNCTのキャリーはカウンタMCTの入力クロック
に、また、カウンタMCTのキャリーは、カウンタNCTの入
力クロックになっている。また、ADCはMMビットのAD変
換器であり、その下位ＭビットはカウンタMCTの出力
が、上記（MM−Ｍ）ビットはカウンタMMCTの出力に接続
されており、そのアナログ出力は増幅器AMPCで増幅され
て、偏向電極DYCに供給される。同様にADRはNNビットの
AD変換器であり、その下位ＮビットはカウンタNCTの出
力が、上記（NN−Ｎ）ビットカウンタNNCTの出力に接続
されており、そのアナログ出力は増幅器AMPRで増幅され
て、偏向電極DYRに供給される。また、基本クロックCLK
はインバータINVで反転され、電子ビーム射出イネーブ
ル信号として供給される。
第４図の回路の動作は、第３図を用いた前記の説明で
明らかであるが、各カウンタMMCT、NNCTがブロック走査
を行う部分であり、また、各カウンタMCT、NCTがブロッ
ク走査の原点を移動する役割を担っている。また、イネ
ーブル信号ENBLは、ある領域から次の領域へ電子ビーム
群を偏向する間、電子ビームBEの照射を禁止し、正確に
相関を求める位置が確定してから、電子ビームBEを照射
させるものである。
明らかであるが、各カウンタMMCT、NNCTがブロック走査
を行う部分であり、また、各カウンタMCT、NCTがブロッ
ク走査の原点を移動する役割を担っている。また、イネ
ーブル信号ENBLは、ある領域から次の領域へ電子ビーム
群を偏向する間、電子ビームBEの照射を禁止し、正確に
相関を求める位置が確定してから、電子ビームBEを照射
させるものである。
つぎに、以上の実施例により、相互相関演算に必要と
される時間を見積もってみる。例えば、画像として512
×512画素、パターンとして５×５画素とし、蓄積時間
として1/30秒必要と仮定すると、約0.8秒で演算可能で
ある。また、この蓄積時間はかならずしも1/30秒に設定
する必要はなく、S/N比の許す限り短くすることがで
き、より高速化することも可能である。
される時間を見積もってみる。例えば、画像として512
×512画素、パターンとして５×５画素とし、蓄積時間
として1/30秒必要と仮定すると、約0.8秒で演算可能で
ある。また、この蓄積時間はかならずしも1/30秒に設定
する必要はなく、S/N比の許す限り短くすることがで
き、より高速化することも可能である。
（他の実施例） 前記実施例では、簡単のためパターンメモリPM縦横の
大きさＭ、Ｎをそのまま用いて制御回路を構成したが、
実際には、パターンメモリPMに記憶されるパターンの外
装四角形の大きさｍ、ｎ（ｍ≦Ｍ、ｎ≦Ｎ）を利用する
ことも考えられる。この場合、第４図中のカウンタをす
べてプログラマブルカウンタとして構成する必要がある
が、より高速に相互相関を演算できる。
大きさＭ、Ｎをそのまま用いて制御回路を構成したが、
実際には、パターンメモリPMに記憶されるパターンの外
装四角形の大きさｍ、ｎ（ｍ≦Ｍ、ｎ≦Ｎ）を利用する
ことも考えられる。この場合、第４図中のカウンタをす
べてプログラマブルカウンタとして構成する必要がある
が、より高速に相互相関を演算できる。
また、前記の説明では、ビジコン撮像管のような蓄積
形の撮像管を仮定したが、非蓄積形撮像管に対しても適
用可能であり、この場合、第４図で示したような走査制
御回路は不要となり、より簡単な構成で相互相関演算を
行い得る。
形の撮像管を仮定したが、非蓄積形撮像管に対しても適
用可能であり、この場合、第４図で示したような走査制
御回路は不要となり、より簡単な構成で相互相関演算を
行い得る。
以上説明したように、本発明によれば、マルチ電子ビ
ーム発生源をマトリックス状に行列配置した撮像管の各
電子ビーム発生源を、所定パターンで駆動を行って電子
ビームの発生、偏向を制御するよう構成したため、従
来、処理に長時間を必要としていた相互相関演算を極め
て短時間に演算することが可能となり、その効果は極め
て大きい。
ーム発生源をマトリックス状に行列配置した撮像管の各
電子ビーム発生源を、所定パターンで駆動を行って電子
ビームの発生、偏向を制御するよう構成したため、従
来、処理に長時間を必要としていた相互相関演算を極め
て短時間に演算することが可能となり、その効果は極め
て大きい。
第１図は、本発明による相互相関を求める方法の説明
図、第２図は、マルチ電子ビーム撮像管の構成概要図、
第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれブロック走
査方法説明図、第４図は、ブロック走査制御回路ブロッ
ク図、第５図（ａ）、（ｂ）は、相互相関アルゴリズム
説明図である。 PEC……光電変換部 PC……光導電体層（撮像面） SEG……電子ビーム発生部（源） EB、EBI/EBO……電子ビーム DYC/DYR……水平／垂直偏光電極 OBJ……被写体 OUT……ターゲット電流出力端子
図、第２図は、マルチ電子ビーム撮像管の構成概要図、
第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれブロック走
査方法説明図、第４図は、ブロック走査制御回路ブロッ
ク図、第５図（ａ）、（ｂ）は、相互相関アルゴリズム
説明図である。 PEC……光電変換部 PC……光導電体層（撮像面） SEG……電子ビーム発生部（源） EB、EBI/EBO……電子ビーム DYC/DYR……水平／垂直偏光電極 OBJ……被写体 OUT……ターゲット電流出力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水澤 伸俊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 新井 竜一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 石渡 恭彦 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−105439（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−105576（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−107374（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】被写体像が結像されるターゲット電極と、 複数の電子ビーム発生源をマトリックス上に配設した電
子ビーム発生部と、 該電子ビーム発生部より発生した電子ビームを前記ター
ゲット電極に対して走査させるための走査手段と、 複数の形状パターンを記憶した記憶手段と、 前記記憶手段に記憶された前記複数の形状パターンの内
の１つを選択する選択手段と、 該選択手段により選択された形状パターンで前記電子ビ
ーム発生源を駆動制御する駆動制御手段と、 前記駆動制御手段によって前記形状パターンの電子ビー
ムを前記ターゲット電極に照射させると共に、前記走査
手段によって前記電子ビームを前記ターゲット電極に対
して走査させた際にターゲット電極に流れる電流を計測
することによって被写体中に存在する前記形状パターン
の位置を検出する検出手段と、 を有するマルチ電子ビーム撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61252029A JP2552838B2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | マルチ電子ビーム撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61252029A JP2552838B2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | マルチ電子ビーム撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63107375A JPS63107375A (ja) | 1988-05-12 |
| JP2552838B2 true JP2552838B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=17231594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61252029A Expired - Fee Related JP2552838B2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | マルチ電子ビーム撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2552838B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011116467A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-16 | Fusako Suzuki | 芥袋保管具、およびそれを利用した芥袋保管具セット |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP61252029A patent/JP2552838B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63107375A (ja) | 1988-05-12 |
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