JP2555046B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JP2555046B2 JP2555046B2 JP62012361A JP1236187A JP2555046B2 JP 2555046 B2 JP2555046 B2 JP 2555046B2 JP 62012361 A JP62012361 A JP 62012361A JP 1236187 A JP1236187 A JP 1236187A JP 2555046 B2 JP2555046 B2 JP 2555046B2
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- Japan
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- exposure
- pattern
- substrate
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- forming method
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、たとえば半導体素子，磁気バブル素子，超
電導素子等の作製における投影露光法を用いた微細パタ
ーン形成方法に係り、特に縮小投影露光法に有効なパタ
ーン系平方法に関する。
電導素子等の作製における投影露光法を用いた微細パタ
ーン形成方法に係り、特に縮小投影露光法に有効なパタ
ーン系平方法に関する。
〔従来の技術〕 周知のように、半導体装置や磁気バブルメモリ装置な
どの各種微細パターン形成には、投影露光法が広く用い
られている。投影露光法、特に縮小投影露光法は微細の
パターン形成に有用である。投影露光法ではレンズの開
口数の増加および露光波長の短波長化により解像度が向
上する。しかし、従来の投影露光法においては、露光光
学系の焦点深度は投影レンズの開口数と露光波長に強く
依存していた。投影レンズの焦点深度はその開口数の２
乗に反比例し、露光波長に比例するため、解像度を上げ
るために開口数を大きくしたり、短波長化を行なつたり
すると、それにともなつて焦点深度は浅くなつてしま
う。このため、投影レンズの像面歪や基板表面の凹凸段
差によつて生ずる障害への対処が次第に困難となつてき
ている。比較的微細なパターンによつて生ずる段差によ
る障害については、これまで周知の多層レジスト法によ
る平滑化によつて対処されてきた。しかし、この方法を
用いても大面積パターンによつて生じた段差を完全に平
坦化することはできず、段差の上部もしくた下部に結像
不良が生ずるのは避けられなかつた。
どの各種微細パターン形成には、投影露光法が広く用い
られている。投影露光法、特に縮小投影露光法は微細の
パターン形成に有用である。投影露光法ではレンズの開
口数の増加および露光波長の短波長化により解像度が向
上する。しかし、従来の投影露光法においては、露光光
学系の焦点深度は投影レンズの開口数と露光波長に強く
依存していた。投影レンズの焦点深度はその開口数の２
乗に反比例し、露光波長に比例するため、解像度を上げ
るために開口数を大きくしたり、短波長化を行なつたり
すると、それにともなつて焦点深度は浅くなつてしま
う。このため、投影レンズの像面歪や基板表面の凹凸段
差によつて生ずる障害への対処が次第に困難となつてき
ている。比較的微細なパターンによつて生ずる段差によ
る障害については、これまで周知の多層レジスト法によ
る平滑化によつて対処されてきた。しかし、この方法を
用いても大面積パターンによつて生じた段差を完全に平
坦化することはできず、段差の上部もしくた下部に結像
不良が生ずるのは避けられなかつた。
なお、多層レジスト法については特開昭51−107775号
などに記載されている。
などに記載されている。
近年の半導体集積回路の高集積化にともない、パター
ンの微細化と基板表面の凹凸段差が著しく増大し、それ
らへの対応が要求されている。パターン形成に投影露光
法を用いる場合、凹凸段差の増大に対応するためには、
露光光学系としてはより大きな焦点深度が必要となる。
しかし解像度を向上させるには投影レンズの開口数を大
きくする必要があるため、焦点深度は逆に浅くなつてい
る。また、投影レンズの像面歪により結像面は完全平面
ではないため、露光領域全面にわたり、その表面凹凸段
差に対応して焦点深度を確保するのが困難になつてきて
いる。
ンの微細化と基板表面の凹凸段差が著しく増大し、それ
らへの対応が要求されている。パターン形成に投影露光
法を用いる場合、凹凸段差の増大に対応するためには、
露光光学系としてはより大きな焦点深度が必要となる。
しかし解像度を向上させるには投影レンズの開口数を大
きくする必要があるため、焦点深度は逆に浅くなつてい
る。また、投影レンズの像面歪により結像面は完全平面
ではないため、露光領域全面にわたり、その表面凹凸段
差に対応して焦点深度を確保するのが困難になつてきて
いる。
前記従来技術では大面積パターンによつて生ずる凹凸
段差を完全に平坦化することはできず、また完全平坦化
が達成されたとしてもレンズの像面歪のため露光領域全
面にわたつてマスクパターンの結像面を基板表面と一致
させることができず、上記問題点に対処するのが困難で
あつた。
段差を完全に平坦化することはできず、また完全平坦化
が達成されたとしてもレンズの像面歪のため露光領域全
面にわたつてマスクパターンの結像面を基板表面と一致
させることができず、上記問題点に対処するのが困難で
あつた。
本発明の目的は段差が表面に存在しても、十分高い精
度で微細なパターンを形成できるパターン形成方法を提
供することである。本発明の他の目的はレンズを開口数
が大きい場合および露光波長が短かい場合にも光学系の
実質的の焦点深度の低下を防止し、段差の有無にかかわ
らず露光領域全面にわたつて結像不良のない良好な微細
パターンを形成することである。
度で微細なパターンを形成できるパターン形成方法を提
供することである。本発明の他の目的はレンズを開口数
が大きい場合および露光波長が短かい場合にも光学系の
実質的の焦点深度の低下を防止し、段差の有無にかかわ
らず露光領域全面にわたつて結像不良のない良好な微細
パターンを形成することである。
上記目的はフオトレジストに露光光強度の増加にとも
ない感度が向上する性質を有する材料を使用し、絶像面
位置を変えて多重露光することにより達成される。
ない感度が向上する性質を有する材料を使用し、絶像面
位置を変えて多重露光することにより達成される。
露光光強度の増加にともない感度が向上するレジスト
としては、例えば短時間照射のほうが感度が向上する相
反則不軌性を有する材料がある。
としては、例えば短時間照射のほうが感度が向上する相
反則不軌性を有する材料がある。
微細パターンの場合、結像位置から離れた位置での、
いわゆるデフオーカスした像の光強度分布は裾の広がつ
たゆるやかな山型となり、そのピーク強度は結像位置上
の像のピーク強度に比べ低下する。
いわゆるデフオーカスした像の光強度分布は裾の広がつ
たゆるやかな山型となり、そのピーク強度は結像位置上
の像のピーク強度に比べ低下する。
フオトレジストに照射時間が短いほど感度が向上する
相反則不軌の性質がある場合、照射光強度が強いほど感
度が向上し、照射光強度が弱いと露光量が多くてもフオ
トレジストはほとんど感光しない。したがつて結像位置
を変えて多重露光し、かつ露光強度を適当に選択する
と、デフオーカスした像は光強度が弱いためフオトレジ
ストをほとんど感光させず、結像位置の合つた、いわゆ
るベストフオーカスの像のみがフオトレジストを感光さ
せる。デフオーカスした像を複数回露光するとデフオー
カスした像のトータル露光量は増え、ピントのあつた像
の露光量に比べ相対的に大きくなるが、それにもかかわ
らずフオトレジストの相反則不軌性、すなわち、感光現
象は露光強度で決まるという性質により、ベストピント
の像のみがフオトレジストを感光させる。
相反則不軌の性質がある場合、照射光強度が強いほど感
度が向上し、照射光強度が弱いと露光量が多くてもフオ
トレジストはほとんど感光しない。したがつて結像位置
を変えて多重露光し、かつ露光強度を適当に選択する
と、デフオーカスした像は光強度が弱いためフオトレジ
ストをほとんど感光させず、結像位置の合つた、いわゆ
るベストフオーカスの像のみがフオトレジストを感光さ
せる。デフオーカスした像を複数回露光するとデフオー
カスした像のトータル露光量は増え、ピントのあつた像
の露光量に比べ相対的に大きくなるが、それにもかかわ
らずフオトレジストの相反則不軌性、すなわち、感光現
象は露光強度で決まるという性質により、ベストピント
の像のみがフオトレジストを感光させる。
場所によりベストフオーカスの位置が異なる場合も結
像位置を変えて多重露光しているため、いずれかの露光
にベストフオーカスの像があり、その像のみ選択的にフ
オトレジストを感光させるので、基板段差にともなう焦
点ボケ、およびレンズの像面歪による焦点ボケの問題を
解決できる。
像位置を変えて多重露光しているため、いずれかの露光
にベストフオーカスの像があり、その像のみ選択的にフ
オトレジストを感光させるので、基板段差にともなう焦
点ボケ、およびレンズの像面歪による焦点ボケの問題を
解決できる。
実施例１ 以下、本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。
第１図（ａ）に示すようにフオトレジストを段差のあ
る基板１上に塗布し、フオトレジスト層２を形成した。
ここで、フオトレジストとしてはOMR83（東京応化
（株）社商品名）を用い、高解像化を目的としてその平
坦面上での膜厚を約0.4μｍとした。しかしレジスト膜
厚はこの値に限らず解像度とのかね合いで自由に選べ
る。OMR83の露光感度の露光強度依存性を第２図に示
す。露光強度2.5mW/cm2を越えると急激にOMR83の感度は
高くなる。
る基板１上に塗布し、フオトレジスト層２を形成した。
ここで、フオトレジストとしてはOMR83（東京応化
（株）社商品名）を用い、高解像化を目的としてその平
坦面上での膜厚を約0.4μｍとした。しかしレジスト膜
厚はこの値に限らず解像度とのかね合いで自由に選べ
る。OMR83の露光感度の露光強度依存性を第２図に示
す。露光強度2.5mW/cm2を越えると急激にOMR83の感度は
高くなる。
その後、第１図（ａ）に示すようにマスク３上に形成
されたマスクパターン4,4′を投影レンズ５を介して露
光した。この露光は次のようにして行なつた。まず基板
１の凸面７上に、マスクパターンの結像面６がくるよう
に、基板を固定したステージを移動し、その場所で１回
目の露光を行なつた。次に第１図（ｂ）に示すように基
板１の凹面上８にマスクパターンの結像面６′がくるよ
うにステージを光軸方向に沿つて動かし、上記パターン
の二回目の露光を行なつた。なお、上記露光装置として
は日立RA101VL型縮小投影露光装置を使用し、露光強度
は約5mW/cm2とした。露光波長は365nm、レンズの開口数
は0.42である。
されたマスクパターン4,4′を投影レンズ５を介して露
光した。この露光は次のようにして行なつた。まず基板
１の凸面７上に、マスクパターンの結像面６がくるよう
に、基板を固定したステージを移動し、その場所で１回
目の露光を行なつた。次に第１図（ｂ）に示すように基
板１の凹面上８にマスクパターンの結像面６′がくるよ
うにステージを光軸方向に沿つて動かし、上記パターン
の二回目の露光を行なつた。なお、上記露光装置として
は日立RA101VL型縮小投影露光装置を使用し、露光強度
は約5mW/cm2とした。露光波長は365nm、レンズの開口数
は0.42である。
その後現像を行なつてレジストパターンを形成した。
本方法により３μｍ以上の段差がある場合でも段差の
上下ともに0.6μｍのライアンドスペースパターンを形
成することができた。一方、従来法では段差が約２μｍ
を越えると不良を生じた。またOFPR800（東京応化
（株）社商品名）などの相反則性が成り立つフオトレジ
ストを用いた場合は、段差の上下ともパターンは形成で
きるものの断面形状はゆるやかな山型となり、レジスタ
残膜率も低い劣化したレジストパターンした形成できな
かつた。このためレジストと基板とのエツチング選択性
の悪いエツチングに対しては、このレジストパターンは
マスクとしての機能をはたさなかつた。また、OMR83を
用いた場合でも、露光強度を2mW/cm2以下とした場合
は、OFPR800を用いた場合と同様に良好なパターンは形
成できなかつた。これはこの光強度領域では第２図から
明らかなように光強度による感度変化がほとんどないた
めである。
上下ともに0.6μｍのライアンドスペースパターンを形
成することができた。一方、従来法では段差が約２μｍ
を越えると不良を生じた。またOFPR800（東京応化
（株）社商品名）などの相反則性が成り立つフオトレジ
ストを用いた場合は、段差の上下ともパターンは形成で
きるものの断面形状はゆるやかな山型となり、レジスタ
残膜率も低い劣化したレジストパターンした形成できな
かつた。このためレジストと基板とのエツチング選択性
の悪いエツチングに対しては、このレジストパターンは
マスクとしての機能をはたさなかつた。また、OMR83を
用いた場合でも、露光強度を2mW/cm2以下とした場合
は、OFPR800を用いた場合と同様に良好なパターンは形
成できなかつた。これはこの光強度領域では第２図から
明らかなように光強度による感度変化がほとんどないた
めである。
また、露光雰囲気を窒素リツチにすると強い光強度領
域で感光感度の向上がおこり、酸素リツチにすると比較
的弱い強度領域から感度があがりはじめる。雰囲気の酸
素量を制御することにより本露光に必要な光強度を選択
することができた。これはOMR83の相反則不軌感光機構
が大気からの酸素の拡散に支配されているためである。
同様にフオトレジストOMR83上に酸素を透過しにくいポ
リビニルアルコールなどの膜を適当な膜厚で形成するこ
とにより露光に必要な光強度を選択することができる。
域で感光感度の向上がおこり、酸素リツチにすると比較
的弱い強度領域から感度があがりはじめる。雰囲気の酸
素量を制御することにより本露光に必要な光強度を選択
することができた。これはOMR83の相反則不軌感光機構
が大気からの酸素の拡散に支配されているためである。
同様にフオトレジストOMR83上に酸素を透過しにくいポ
リビニルアルコールなどの膜を適当な膜厚で形成するこ
とにより露光に必要な光強度を選択することができる。
なお、上記実施例においてはフオトレジストとしてOM
R83を用いたが、これに限らずONNR20（東京応化（株）
社商品名）,KTFR（コダツク社商品名）,KPR（コダツク
社商品名）,CBR（日本合成ゴム（株）社商品名）、およ
び環化ゴムビスアジドなどの相反則不軌性をもつフオト
レジストを用いることができた。また相反則不軌性を持
つポジタイプフオトレジストでも同様に効果がある。
R83を用いたが、これに限らずONNR20（東京応化（株）
社商品名）,KTFR（コダツク社商品名）,KPR（コダツク
社商品名）,CBR（日本合成ゴム（株）社商品名）、およ
び環化ゴムビスアジドなどの相反則不軌性をもつフオト
レジストを用いることができた。また相反則不軌性を持
つポジタイプフオトレジストでも同様に効果がある。
また、本実施例では露光波長を365nm、レンズの開口
数を0.42としたが、これに限らない。例えば短波長光で
あるエキシマレーザー光も用いることができる。また、
本実施例では単層レジストの例を示したが、多層レジス
ト法と組み合わせることもできる。また、CEL（コント
ラスト エンハンスメント リソグラフイー：Ｃontras
t Ｅnhancement Ｌithography）法と組み合わせること
ができる。
数を0.42としたが、これに限らない。例えば短波長光で
あるエキシマレーザー光も用いることができる。また、
本実施例では単層レジストの例を示したが、多層レジス
ト法と組み合わせることもできる。また、CEL（コント
ラスト エンハンスメント リソグラフイー：Ｃontras
t Ｅnhancement Ｌithography）法と組み合わせること
ができる。
実施例２ 実施例１と同様に段差のある基板上にフオトレジスト
塗布，露光，現像を行なつてパターンお形成した。レジ
スト材料およびその処理は実施例１と同様とした。但し
下記に示すように、露光方法は実施例１と変えた。
塗布，露光，現像を行なつてパターンお形成した。レジ
スト材料およびその処理は実施例１と同様とした。但し
下記に示すように、露光方法は実施例１と変えた。
まず、基板表面の主平面が投影光学系の結像面より約
４μｍ下方（投影光学系から離れる方向）に位置するよ
うに設定して露光を行なつた後、基板を固定したステー
ジを光軸に沿つて約2.5μｍずつ上方に移動させ、その
つど露光を行なつた。この操作を基板表面の主平面が結
像面より約５μｍ上方にくるまで続けた。
４μｍ下方（投影光学系から離れる方向）に位置するよ
うに設定して露光を行なつた後、基板を固定したステー
ジを光軸に沿つて約2.5μｍずつ上方に移動させ、その
つど露光を行なつた。この操作を基板表面の主平面が結
像面より約５μｍ上方にくるまで続けた。
本実施例では基板段差が約3.5μｍ、投影光学レンズ
の像面歪が最大約２μｍ、基板の厚さの違いによる露光
面内の基板の傾きが、高さの差にして約１μｍあり、投
影光学系に一番近い部分と一番遠い部分の基板表面の位
置の差は約6.5μｍあつた。この高さの差にもかかわら
ず、露光面内全域にわたつて例えば0.6μｍラインアン
ドスペースパターンのような微細なパターンを形成する
ことができた。一方、従来法では基板段差が約３μｍを
こえると段差の上か下で解像不良が生じ、パターンを形
成できないばかりでなく、基板段差のない平坦面同士で
も像面歪および基板の傾きにより、露光周辺領域の一部
で解像不良が起こつた。
の像面歪が最大約２μｍ、基板の厚さの違いによる露光
面内の基板の傾きが、高さの差にして約１μｍあり、投
影光学系に一番近い部分と一番遠い部分の基板表面の位
置の差は約6.5μｍあつた。この高さの差にもかかわら
ず、露光面内全域にわたつて例えば0.6μｍラインアン
ドスペースパターンのような微細なパターンを形成する
ことができた。一方、従来法では基板段差が約３μｍを
こえると段差の上か下で解像不良が生じ、パターンを形
成できないばかりでなく、基板段差のない平坦面同士で
も像面歪および基板の傾きにより、露光周辺領域の一部
で解像不良が起こつた。
本実施例では基板表面の主平面が投影光学系の結像面
より約４μｍ下方から順次上方に基板を移動させながら
露光を行なつたが、これに限らず、基板表面の最も高い
位置（投影光学系に最も近い位置）が結像面より約２μ
ｍ上方にくるようにステージ位置を調整し、そこから順
次上方に移動させながら露光を行なつても効果があつ
た。また、逆に基板表面の最も低い位置が結像面より約
２μｍ下方にくるようにステージ位置を調整し、そこか
ら順次下方に移動させながら露光を行なつても効果があ
つた。２μｍという値は一例であり、焦点深度内の値で
あれば効果がある。しかし焦点深度を越えた値を用いた
場合には、一部に解像不良が生じた。
より約４μｍ下方から順次上方に基板を移動させながら
露光を行なつたが、これに限らず、基板表面の最も高い
位置（投影光学系に最も近い位置）が結像面より約２μ
ｍ上方にくるようにステージ位置を調整し、そこから順
次上方に移動させながら露光を行なつても効果があつ
た。また、逆に基板表面の最も低い位置が結像面より約
２μｍ下方にくるようにステージ位置を調整し、そこか
ら順次下方に移動させながら露光を行なつても効果があ
つた。２μｍという値は一例であり、焦点深度内の値で
あれば効果がある。しかし焦点深度を越えた値を用いた
場合には、一部に解像不良が生じた。
本実施例では露光および基板の位置移動をステップ的
に行なつたが、露光中基板位置を連続的に光軸方向に沿
つて移動させてもよい。
に行なつたが、露光中基板位置を連続的に光軸方向に沿
つて移動させてもよい。
本実施例では、結像面と基板表面の相対的位置は、基
板をのせるステージの位置移動によつて変えていた。こ
の方法に限らず、マスクパターンの存在するレチクルを
光軸方向に移動させる，露光光学系中に空気と異なる屈
折率を有する物質を挿入する，露光光学系の全体または
一部を含む部分を気圧を変動させる，多焦点レンズと用
いる，設定結像面の異なる複数の光学系からの光を重ね
合わせる，同一光学系を用いて複数の異なるまたは連続
した波長の光により露光するなど、種々な方法を用いて
結像面と基板表面の相対的位置を変えてもよい。
板をのせるステージの位置移動によつて変えていた。こ
の方法に限らず、マスクパターンの存在するレチクルを
光軸方向に移動させる，露光光学系中に空気と異なる屈
折率を有する物質を挿入する，露光光学系の全体または
一部を含む部分を気圧を変動させる，多焦点レンズと用
いる，設定結像面の異なる複数の光学系からの光を重ね
合わせる，同一光学系を用いて複数の異なるまたは連続
した波長の光により露光するなど、種々な方法を用いて
結像面と基板表面の相対的位置を変えてもよい。
上記説明から明らかなように、本発明によれば投影露
光法における実効的焦点深度を増大させることができる
ので、投影レンズと高開口数化，像面歪，基板表面の凹
凸段差の増大に対応することが可能である。
光法における実効的焦点深度を増大させることができる
ので、投影レンズと高開口数化，像面歪，基板表面の凹
凸段差の増大に対応することが可能である。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を示す模式
図、第２図は本発明の効果を表わす曲線図である。 １……基板、２……フオトレジスト層、３……マスク、
4,4′……マスクパターン、５……投影レンズ、6,6′…
…マスクパターンの結像面上の像。
図、第２図は本発明の効果を表わす曲線図である。 １……基板、２……フオトレジスト層、３……マスク、
4,4′……マスクパターン、５……投影レンズ、6,6′…
…マスクパターンの結像面上の像。
Claims (4)
- 【請求項１】所望の形状を有するマスクパターンを介し
てレジスト膜へ投影露光し、その後現像を行なつてレジ
ストパターンを形成するパターン形成方法において、露
光強度の増加にともない感光感度が向上するレジストを
用い、かつ上記投影露光を上記マスクパターンを結像面
と上記レジスト膜の相対的に異なる光軸上の複数の位置
において行なうことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】上記結像面の複数の位置が基板段差の凸面
および凹面近傍上に設定されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】上記結像面が２箇所以上であり、その一方
が基板表面上の投影露光光学系に最も近い位置近傍に設
定され、他方が基板表面上の投影露光光学系から最も遠
い位置近傍に設定され、３箇所以上の場合は残りの結像
面がその両者の中間に設定されることを特徴とする特許
請求範囲第１項記載のパターン形成方法。 - 【請求項４】上記結像面の位置が少なくとも基板上面上
の投影露光光学系に最も近い位置から光学系から最も遠
い位置に至るまで上記基板位置あるいは結像面位置ある
いはその両方の位置を連続的に変化させながら上記露光
を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
パターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012361A JP2555046B2 (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | パタ−ン形成方法 |
| US07/144,065 US4904569A (en) | 1986-08-08 | 1988-01-15 | Method of forming pattern and projection aligner for carrying out the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012361A JP2555046B2 (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63181318A JPS63181318A (ja) | 1988-07-26 |
| JP2555046B2 true JP2555046B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=11803132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62012361A Expired - Fee Related JP2555046B2 (ja) | 1986-08-08 | 1987-01-23 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555046B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7852158B2 (en) | 2006-11-30 | 2010-12-14 | Panasonic Corporation | Operational amplifier |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100281116B1 (ko) * | 1998-05-27 | 2001-04-02 | 김영환 | 반도체소자의 제조방법 |
| JP2005122122A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-05-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | レジスト画像形成方法 |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP62012361A patent/JP2555046B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7852158B2 (en) | 2006-11-30 | 2010-12-14 | Panasonic Corporation | Operational amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63181318A (ja) | 1988-07-26 |
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