JP2555897B2 - Resin adhesive curing device for die bonding - Google Patents
Resin adhesive curing device for die bondingInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置に
関し、特にリードフレーム１枚１枚を個々に搬送加熱す
るインラインタイプのダイボンディング用樹脂接着剤キ
ュア装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a die-bonding resin adhesive curing device, and more particularly to an in-line die-bonding resin adhesive curing device for individually conveying and heating lead frames one by one. Regarding the device.
従来のダイボンディング用樹脂接着剤キュア方法に
は、加熱温度約200℃、加熱時間約２時間の低温長時間
キュアと、加熱温度約350℃、加熱時間約40秒の高温短
時間キュアの２種類があり、前者はリードフレームをマ
ガジンに詰めた状態でオーブン炉に入れまとめてキュア
を行ない、後者はリードフレーム１枚１枚をヒータブロ
ック上に載せて、あるいは、滑らせてキュアを行なって
いた。ところが、最近では前者の場合、 （１）キュア時間が長いため、製品工期が長くなってし
まう、 （２）自動化又はインライン化が困難、 などの欠点があるため、後者が一般的に用いられるよう
になってきた。There are two types of conventional resin adhesive curing methods for die bonding: low temperature long time curing with heating temperature of about 200 ° C and heating time of about 2 hours, and high temperature short time curing of heating temperature of about 350 ° C and heating time of about 40 seconds. In the former, the lead frames were packed in a magazine and put together in an oven to perform the curing, and in the latter, the lead frames were placed on the heater block or slid or cured. . However, recently, in the case of the former, (1) the curing time is long, the product construction period becomes long, and (2) automation or in-line integration is difficult, so the latter is generally used. Has become.
高温短時間キュア方式は、上述したように、ヒータブ
ロック上にリードフレームを直接載せて、あるいは、滑
らせて加熱キュアしていたが、最近半導体素子（以下ダ
イと記す）の巨大化（例えば14mm×14mmなど）に伴な
い、ダイボンディング用樹脂接着剤の使用量が増えたた
めに、キュアによって発生するガスの量が増えるように
なってきた。そのため、従来のようにヒータブロックと
リードフレームが接する方式だとキュアにより発生した
ガスの抜けが悪く、ガスがリードフレームの内部リード
部やダイの電極パッドに付着してしまい、ワイヤボンデ
ィング時にワイヤが付かない、あるいは、剥れやすくな
るなど不良率が増えるという欠点がある。As described above, in the high-temperature short-time curing method, the lead frame was directly placed on the heater block, or the heating curing was performed by sliding it, but recently the semiconductor element (hereinafter referred to as a die) becomes huge (for example, 14 mm). (* 14 mm), the amount of die bonding resin adhesive used has increased, and the amount of gas generated by curing has increased. Therefore, if the heater block and the lead frame are in contact with each other as in the conventional case, the gas generated by curing is not easily released, and the gas adheres to the inner lead portion of the lead frame and the electrode pad of the die, and the wire is not attached during wire bonding. There is a drawback that the defective rate increases such that it does not stick or is easily peeled off.
本発明の目的は、キュアにより発生したガスがリード
フレームの内部リード部やダイの電極パッドに付着して
ワイヤボンディング不良の発生を防止できるダイボンデ
ィング用樹脂接着剤キュア装置を提供することにある。It is an object of the present invention to provide a die-bonding resin adhesive curing device that can prevent the occurrence of wire bonding failure due to the gas generated by curing adhering to the inner lead portion of the lead frame or the electrode pad of the die.
本発明は、少くともリードフレーム搬送機構と、リー
ドフレーム加熱用熱源と、ガス供給機構とを備え、リー
ドフレーム１枚１枚を個々に搬送し、銀ペーストを含む
ダイボンディング用樹脂接着剤を加熱し硬化させて半導
体素子を前記リードフレームの半導体素子取付部に固定
するインラインタイプのダイボンディング用樹脂接着剤
キュア装置において、前記リードフレーム加熱用熱源を
前記リードフレーム搬送機構により搬送される前記リー
ドフレームに接触しない位置に設け、かつ、前記ガス供
給機構を前記リードフレーム上方から窒素を吹き付け前
記リードフレーム下方から吸引する機構となっている。The present invention includes at least a lead frame transport mechanism, a heat source for heating a lead frame, and a gas supply mechanism, transports each lead frame individually, and heats a die bonding resin adhesive containing silver paste. In the in-line type die-bonding resin adhesive curing device for fixing and fixing the semiconductor element to the semiconductor element mounting portion of the lead frame, the lead frame is heated by the lead frame transfer mechanism and the heat source for heating the lead frame is transferred by the lead frame transfer mechanism. Is provided at a position where it does not come into contact with, and the gas supply mechanism is a mechanism that blows nitrogen from above the lead frame and sucks from below the lead frame.
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。 FIG. 1 is a sectional view of the first embodiment of the present invention.
第１の実施例は、第１図に示すように、銀ペースト２
によりダイ１が取り付けられているリードフレーム３
は、搬送レール4a及び4bに自由にスライドできるように
保持され、図示しない搬送機構により動作する送り爪６
によって搬送される。搬送レール4a及び4bには、窒素カ
バー５及びダクトカバー７が取り付けられており、その
中の雰囲気を保つようになっている。図示しない温調
計、カートリッジヒータ９及び熱電対10により温度コン
トロールされているヒータブロック８は、図示しない上
下機構により保持され、リードフレーム３との間隔が自
由に変えられるようになっている。また、同じく、図示
しない温調計、カートリッジヒータ12及び熱電対13によ
り温度コントロールされている窒素加熱ブロック11は、
ブロック内に迷路状に穴があいており、継手14及びチュ
ーブ15を通して供給される窒素を加熱し、窒素カバー５
の孔からリードフレーム３に吹き付ける。ダクトカバー
７は図示しないダクトにつながっており、中の雰囲気を
排出している。In the first embodiment, as shown in FIG. 1, silver paste 2
Lead frame 3 to which the die 1 is attached
Is a feed claw 6 which is held by the transport rails 4a and 4b so as to be freely slidable and which is operated by a transport mechanism (not shown).
Transported by. A nitrogen cover 5 and a duct cover 7 are attached to the transfer rails 4a and 4b so that the atmosphere therein can be maintained. The heater block 8 whose temperature is controlled by a temperature controller (not shown), the cartridge heater 9 and the thermocouple 10 is held by an up / down mechanism (not shown), and the distance between the heater block 8 and the lead frame 3 can be freely changed. Similarly, the temperature controller (not shown), the cartridge heater 12 and the nitrogen heating block 11 whose temperature is controlled by the thermocouple 13,
There is a labyrinth-like hole in the block, which heats the nitrogen supplied through the joint 14 and the tube 15, and the nitrogen cover 5
The lead frame 3 is sprayed from the hole. The duct cover 7 is connected to a duct (not shown) and discharges the atmosphere inside.
ここで、ヒータブロック８を400℃、窒素加熱ブロッ
ク11を350℃に加熱し窒素を５〜10／分供給した場
合、ヒータブロック８とリードフレーム３の間隔は、２
〜3mmが最良の条件となることが確認されている。例え
ば、3mm以上だとヒータブロック８の加熱効率が悪くな
り、2mm以下だと銀ペースト２の加熱により発生するガ
スがうまく流れず淀んでしまい、リードや電極パッドに
付着したり、同じく、ガスの流れが悪いためリードフレ
ーム３の裏面が酸化してしまったりする傾向がある。ま
た、単にヒータブロック８を下げただけでは加熱不足に
なるため、どうしても上方からの高温窒素が必要であ
る。Here, when the heater block 8 is heated to 400 ° C. and the nitrogen heating block 11 is heated to 350 ° C. and nitrogen is supplied at 5 to 10 minutes, the distance between the heater block 8 and the lead frame 3 is 2
It has been confirmed that ~ 3mm is the best condition. For example, if it is 3 mm or more, the heating efficiency of the heater block 8 becomes poor, and if it is 2 mm or less, the gas generated by the heating of the silver paste 2 does not flow well and stagnates, and it adheres to the leads and electrode pads, and the gas Since the flow is bad, the back surface of the lead frame 3 tends to be oxidized. In addition, simply lowering the heater block 8 causes insufficient heating, so high-temperature nitrogen is absolutely necessary from above.
以上のように、セットされた状態でリードフレームを
送り爪６により間欠送りすれば、銀ペーストは加熱され
硬化し、ダイをリードフレームに固着する。また、銀ペ
ーストから発生したガスは、上から供給されている窒素
及び下から引いているダクトの流れによって下方に流れ
るため、リードや電極パッドに付着することはなく、良
好なキュアが出来ることになる。As described above, if the lead frame is intermittently fed by the feed claws 6 in the set state, the silver paste is heated and hardened, and the die is fixed to the lead frame. In addition, the gas generated from the silver paste flows downward due to the nitrogen supplied from above and the flow of the duct drawn from below, so it does not adhere to the leads or electrode pads, and good curing can be performed. Become.
第２図は本発明の第２の実施例の断面図、第３図は第
２図の部分拡大斜視図である。FIG. 2 is a sectional view of a second embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a partially enlarged perspective view of FIG.
第２の実施例は、第２図及び第３図に示すように、リ
ードフレーム受け16は、炉18の内部を通り炉18の外部２
ケ所で固定されているい。搬送ワイヤ17は、炉18の内部
を通り炉18の外部において上下及び前後進する搬送機構
に保持されている。炉18は、入口22a及び出口22b以外を
断熱カバーされており、上部の窒素吹き出し口19から窒
素を供給し、下部のダクト20から炉内雰囲気を排出して
いる。また、炉内リードフレーム搬送面上方には、石英
管でシールされたボビンヒータ21が設けられており、窒
素吹き出し口19から供給される窒素の加熱すなわち雰囲
気の加熱及び搬送ワイヤ17とリードフレーム受け16によ
り搬送されるリードフレーム３の加熱を行なっている。In the second embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, the lead frame receiver 16 passes through the inside of the furnace 18 and the outside 2 of the furnace 18.
It's fixed in place. The carrying wire 17 is held by a carrying mechanism that passes through the inside of the furnace 18 and moves up and down and forward and backward outside the furnace 18. The furnace 18 is heat-insulated except for the inlet 22a and the outlet 22b, nitrogen is supplied from the upper nitrogen blowing port 19, and the furnace atmosphere is discharged from the lower duct 20. Further, a bobbin heater 21 sealed by a quartz tube is provided above the lead frame transfer surface in the furnace, and heating of nitrogen supplied from a nitrogen outlet 19, that is, heating of the atmosphere and transfer wire 17 and lead frame receiver 16 are performed. The lead frame 3 conveyed by is heated.
ここで、リードフレーム受け16をできるだけ細く（例
えば10mm幅）しておけば、炉18上方から供給された窒素
は下方のダクトに向かって流れるため、銀ペースト２の
加熱により発生するガスも下方に流れる。すなわち、搬
送ワイヤ17とリードフレーム受け16により搬送されるリ
ードフレーム３にダイ１を取り付けている銀ペースト２
はボビンヒータ21により加熱された雰囲気及び輻射熱に
より加熱され硬化する。その際発生したガスも雰囲気の
流れに沿って下方に流れるため、リードや電極パッドに
付着することはなく良好なキュアが行なえる。Here, if the lead frame receiver 16 is made as thin as possible (for example, a width of 10 mm), the nitrogen supplied from above the furnace 18 flows toward the duct below, so that the gas generated by heating the silver paste 2 also goes below. Flowing. That is, the silver paste 2 in which the die 1 is attached to the lead frame 3 carried by the carrier wire 17 and the lead frame receiver 16.
Is cured by being heated by the atmosphere heated by the bobbin heater 21 and radiant heat. Since the gas generated at that time also flows downward along the flow of the atmosphere, it does not adhere to the leads or electrode pads, and good curing can be performed.
以上説明したように本発明は、リードフレーム加熱用
熱源とリードフレームの間に間隔を設け、また、リード
フレーム上方から窒素を吹き付けることにより、キュア
により発生したガスが淀むことなく流れるため、リード
や電極パッドに付着せず、したがって、ガス付着による
ワイヤボンディングの不良が無くなるため、歩留りが向
上できる効果がある。As described above, the present invention provides a space between the heat source for heating the lead frame and the lead frame, and by blowing nitrogen from above the lead frame, the gas generated by the cure flows without stagnating, so that the leads and Since it does not adhere to the electrode pad, and therefore, defective wire bonding due to gas adhesion is eliminated, the yield can be improved.
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図、第３図は第２図の部分拡大
斜視図である。 １……ダイ、２……銀ペースト、３……リードフレー
ム、4a,4b……搬送レール、５……窒素カバー、６……
送り爪、７……ダクトカバー、８……ヒータブロック、
９……カートリッジヒータ、10……熱電対、11……窒素
加熱ブロック、12……カートリッジヒータ、13……熱電
対、14……継手、15……チューブ、16……リードフレー
ム受け、17……搬送ワイヤ、18……炉、19……窒素吹き
出し口、20……ダクト、21……ボビンヒータ、22a……
入口、22b……出口。FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a second embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a partially enlarged perspective view of FIG. 1 ... Die, 2 ... Silver paste, 3 ... Lead frame, 4a, 4b ... Conveyor rail, 5 ... Nitrogen cover, 6 ...
Feed claw, 7 ... Duct cover, 8 ... Heater block,
9 ... Cartridge heater, 10 ... Thermocouple, 11 ... Nitrogen heating block, 12 ... Cartridge heater, 13 ... Thermocouple, 14 ... Fitting, 15 ... Tube, 16 ... Lead frame receiver, 17 ... … Conveyor wire, 18 …… Furnace, 19 …… Nitrogen outlet, 20 …… Duct, 21 …… Bobbin heater, 22a ……
Entrance, 22b ... Exit.
Claims (3)
ドフレーム加熱用熱源と、ガス供給機構とを備え、リー
ドフレーム１枚１枚を個々に搬送し、銀ペーストを含む
ダイボンデング用樹脂接着剤を加熱し硬化させて半導体
素子を前記リードフレームの半導体素子取付部に固定す
るインラインタイプのダイボンディング用樹脂接着剤キ
ュア装置において、前記リードフレーム加熱用熱源を前
記リードフレーム搬送機構により搬送される前記リード
フレームに接触しない位置に設け、かつ前記ガス供給機
構をカートリッジヒータ及び熱電対により温度コントロ
ールすると共に迷路状穴のある窒素加熱ブロックにて構
成し、前記リードフレーム上方から窒素を吹き付け前記
リードフレーム下方から吸引する機構としたことを特徴
とするダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置。1. A lead frame transport mechanism, a heat source for heating a lead frame, and a gas supply mechanism, which are individually transported one by one to heat a die bonding resin adhesive containing silver paste. In the in-line type die-bonding resin adhesive curing device for fixing and fixing the semiconductor element to the semiconductor element mounting portion of the lead frame, the lead frame is heated by the lead frame transfer mechanism and the heat source for heating the lead frame is transferred by the lead frame transfer mechanism. It is provided in a position where it does not come into contact with the lead frame, and the gas supply mechanism is composed of a nitrogen heating block with a labyrinthine hole and temperature is controlled by a cartridge heater and a thermocouple, and nitrogen is blown from above the lead frame and sucked from below the lead frame. A die bonder characterized by a mechanism Ring resin adhesive curing oven.
ッジヒータを用いたヒータブロックで構成され該ヒータ
ブロックと前記リードフレームの間隔を２〜3mmとした
ことを特徴とする請求項１記載のダイボンディング用樹
脂接着剤キュア装置。2. The die bonding according to claim 1, wherein the heat source for heating the lead frame is composed of a heater block using a cartridge heater, and the gap between the heater block and the lead frame is set to 2 to 3 mm. Resin adhesive curing device.
ータにて構成され、ガス供給機構により供給される窒素
の加熱と輻射熱によるリードフレームの加熱とを行うこ
とを特徴とする請求項１記載のダイボンディング用樹脂
接着剤キュア装置。3. The die bonding according to claim 1, wherein the heat source for heating the lead frame is composed of a bobbin heater, and heats the nitrogen supplied by the gas supply mechanism and heats the lead frame by radiant heat. Resin adhesive curing device
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|---|---|---|---|
| JP2001902A JP2555897B2 (en) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | Resin adhesive curing device for die bonding |
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|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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