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JP2556533B2 - Scanning tunneling microscope scanner - Google Patents
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JP2556533B2 - Scanning tunneling microscope scanner - Google Patents

Scanning tunneling microscope scanner

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JP2556533B2
JP2556533B2 JP62288077A JP28807787A JP2556533B2 JP 2556533 B2 JP2556533 B2 JP 2556533B2 JP 62288077 A JP62288077 A JP 62288077A JP 28807787 A JP28807787 A JP 28807787A JP 2556533 B2 JP2556533 B2 JP 2556533B2
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displacement
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公郎 大井
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は走査トンネル顕微鏡(STM)を備えた電子顕
微鏡のスキャナに関するものである。
The present invention relates to an electron microscope scanner equipped with a scanning tunneling microscope (STM).

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、探針先端の原子と試料の原子の電子雲とが重
なり合う1nm程度まで探針を試料に近づけ、この状態で
探針と試料との間に電圧をかけると電流が流れる。この
電流はトンネル電流と呼ばれ、電圧が1mVのとき、1〜1
0mA程度である。このトンネル電流の大きさは、試料と
探針との間の距離により変化し、トンネル電流の大きさ
を測定することにより試料と探針との間の距離を超精密
測定することができ、探針位置が既知であれば試料の表
面形状を求めることができる。またトンネル電流が一定
になるように探針位置を制御すれば探針位置軌跡により
同様に試料の表面形状を測定することができる。
In general, when the probe is brought close to the sample until the atom at the tip of the probe and the electron cloud of the atoms of the sample overlap by about 1 nm, and a voltage is applied between the probe and the sample in this state, a current flows. This current is called the tunnel current, and when the voltage is 1 mV, 1 to 1
It is about 0mA. The magnitude of this tunnel current changes depending on the distance between the sample and the probe, and by measuring the magnitude of the tunnel current, the distance between the sample and the probe can be measured ultra-precision. If the needle position is known, the surface shape of the sample can be obtained. Further, if the probe position is controlled so that the tunnel current becomes constant, the surface shape of the sample can be measured in the same manner by the trace of the probe position.

第5図はこのような走査型トンネル顕微鏡の概略構成
を示す図で、1は探針、2は試料、3は3次元アクチュ
エータ、4はXY走査回路、5はサーボ回路、6はトンネ
ル電流増幅器、7は電池、8はメモリ、9はCPU、10は
表示装置である。
FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of such a scanning tunneling microscope. 1 is a probe, 2 is a sample, 3 is a three-dimensional actuator, 4 is an XY scanning circuit, 5 is a servo circuit, 6 is a tunnel current amplifier. , 7 is a battery, 8 is a memory, 9 is a CPU, and 10 is a display device.

3次元アクチュエータ3は一つの圧電素子をくりぬい
て構成しており、CPU9、メモリ8を通して制御され、XY
走査回路4によりX軸、Y軸方向圧電素子に対して印加
電圧を掃引することにより探針1をX軸、Y軸方向に移
動して走査し、またサーボ回路5を通してZ軸方向圧電
素子に対する電圧を制御することによりトンネル電流が
一定に制御され、そのときの電圧値はCPUに読み込まれ
て表示装置10に表示され、試料の表面形状を観察するこ
とができる。
The three-dimensional actuator 3 is constructed by hollowing out one piezoelectric element, and is controlled through the CPU 9 and memory 8
The scanning circuit 4 sweeps the applied voltage to the X-axis and Y-axis direction piezoelectric elements to move the probe 1 in the X-axis and Y-axis directions for scanning, and also through the servo circuit 5 to the Z-axis direction piezoelectric elements. The tunnel current is controlled to be constant by controlling the voltage, and the voltage value at that time is read by the CPU and displayed on the display device 10, so that the surface shape of the sample can be observed.

このような3次元アクチュエータ3としては、第6図
に示すように圧電素子11をトライポット型にネジ止め等
により結合した片持ち式のものや、またこれよりも剛性
を高くするために、第7図に示すように圧電素子11を、
X軸、Y軸は両端支持、Z軸は一端支持するようにした
ものも使用されている。
As such a three-dimensional actuator 3, as shown in FIG. 6, a cantilever type in which a piezoelectric element 11 is connected to a tripod type by screwing or the like, or in order to make the rigidity higher than this, As shown in FIG. 7, the piezoelectric element 11 is
An X-axis and a Y-axis are supported at both ends, and a Z-axis is supported at one end.

〔発明が解決すべき問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、従来のトライポット型のものは固有振
動数が1〜3KHzと低く、そのため走査速度を速くするこ
とができなかった。そのため熱ドリフト等の影響を受け
易く、流れた像になり易いという問題があった。またX
軸、Y軸、Z軸の各動きが他の軸に影響を与えてしま
い、その歪を小さくすると共に、動きを大きくとろうと
すると、どうしても大型になってしまうという問題があ
った。
However, the conventional tripot type has a low natural frequency of 1 to 3 KHz, so that the scanning speed cannot be increased. Therefore, there is a problem that the image is liable to be affected by thermal drift, etc. Also X
The movements of the axes, the Y-axis, and the Z-axis affect the other axes, and there is a problem that the distortion becomes small and the movement becomes large when the movement is increased.

ところで走査ンネル顕微鏡の場合、試料のどこを観察
しているのか分りにくいので、透過型電子顕微鏡(TE
M)に組込んでTEM、或いは反射電子顕微鏡(REM)法に
より視野探しを行うと共に、さらに超精密にトンネル顕
微鏡で観察することが望まれているが、従来のトライポ
ット型のスキャナではTEMホルダに搭載することは不可
能で、STMをTEMの試料室に組み入れて使用することはで
きなかった。
By the way, in the case of a scanning tunneling microscope, it is difficult to know where the sample is being observed.
It is hoped that the field of view will be searched by TEM or backscattered electron microscope (REM) method by incorporating it in M) and observe with a tunnel microscope with higher precision. It was not possible to mount the STM in the TEM sample chamber and use it.

本発明は上記問題点を解決するためのもので、各軸が
独立して歪を少なくすることができ、高速走査が可能で
あると共に、TEM用ホルダ内に組み込むことができ、TEM
像またはREM像とSTM像の同時観察を行うことができる走
査トンネル顕微鏡のスキャナを提供することを目的とす
る。
The present invention is for solving the above problems, each axis can independently reduce the strain, high-speed scanning is possible, and can be incorporated in the TEM holder, TEM
An object of the present invention is to provide a scanner for a scanning tunneling microscope capable of simultaneously observing an STM image or an REM image.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

そのために本発明の走査トンネル顕微鏡のスキャナ
は、直交する3軸方向に探針をそれぞれ変位させるよう
に駆動電圧が印加される3個のピエゾ素子エレメントを
積層した一体化構造を有するスキャナであって、前記3
個のピエゾ素子エレメントのうち2個のピエゾ素子エレ
メントについて、ピエゾ素子エレメントの積層方向と直
交する方向にスベリ変位を生じさせると共に、他の1個
のピエゾ素子エレメントについては前記積層方向に変位
を生じさせるように構成すると共に、少なくとも前記3
個のピエゾ素子エレメントのうち1個のピエゾ素子エレ
メントは2枚以上のピエゾ素子が積層されている。
Therefore, the scanner of the scanning tunneling microscope of the present invention is a scanner having an integrated structure in which three piezo element elements to which a driving voltage is applied so as to displace the probes in the directions of three axes orthogonal to each other are integrated. , Said 3
For two of the piezo element elements, a sliding displacement is generated in a direction orthogonal to the stacking direction of the piezo element elements, and a displacement is generated in the stacking direction for the other one piezo element element. And at least the above-mentioned 3
One of the piezo element elements has two or more piezo elements stacked.

[作用] 直交する3軸方向に探針をそれぞれ変位させるように
駆動電圧が印加される3個のピエゾ素子エレメントを積
層した一体化構造を有するスキャナであって、前記3個
のピエゾ素子エレメントのうち2個のピエゾ素子エレメ
ントについて、ピエゾ素子エレメントの積層方向と直交
する方向にスベリ変位を生じさせると共に、他の1個の
ピエゾ素子エレメントについては前記積層方向に変位を
生じさせるように構成すると共に、少なくとも前記3個
のピエゾ素子エレメントのうち1個のピエゾ素子エレメ
ントは2枚以上のピエゾ素子が積層されているようにし
たため、走査トンネル顕微鏡のスキャナを小型化できる
と共に、共振周波数を高くすることができるため、高速
走査が可能になる。
[Operation] A scanner having an integrated structure in which three piezo element elements to which a driving voltage is applied so as to respectively displace the probes in the directions of three axes orthogonal to each other is provided. Two of these piezo element elements are configured to cause sliding displacement in a direction orthogonal to the stacking direction of the piezo element elements, and the other one piezo element element is configured to cause displacement in the stacking direction. Since at least one of the three piezo element elements has two or more piezo elements laminated, the scanner of the scanning tunnel microscope can be downsized and the resonance frequency can be increased. Therefore, high-speed scanning becomes possible.

〔実施例〕〔Example〕

以下、実施例を図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明による走査トンネル顕微鏡のスキャナ
の一実施例を示す図で、同図(イ)は平面図、同図
(ロ)は縦側面図、同図(ハ)は横側面図、第2図はス
キャナのZ軸変位を説明すための図である。図中、11は
スキャナー本体、12は端子板、13、14、15は絶縁板、16
はZ軸エレメント、17はX軸エレメント、18はY軸エレ
メント、19〜21はX軸、Y軸、Z軸の各端子、22はGND
端子、23はリード線である。
1A and 1B are views showing an embodiment of a scanner of a scanning tunneling microscope according to the present invention. FIG. 1A is a plan view, FIG. 1B is a vertical side view, and FIG. 1C is a side view. FIG. 2 is a diagram for explaining the Z-axis displacement of the scanner. In the figure, 11 is the scanner body, 12 is a terminal plate, 13, 14, 15 are insulating plates, 16
Is a Z-axis element, 17 is an X-axis element, 18 is a Y-axis element, 19 to 21 are X-axis, Y-axis and Z-axis terminals, and 22 is a GND.
Terminals and 23 are lead wires.

図において、スキャナ本体11は接着剤で結合したPZT
からなるX軸、Y軸エレメント17、18と、これらと絶縁
板14で絶縁され、層状に積層して接着されたPZTからな
るZ軸エレメント16からなり、端子板12からウレタン被
覆したリード線によりそれぞれ駆動電圧が供給されてい
る。図ではスキャナ本体11と端子板12とは分離して示し
ているが、これは一体であってもよい。そして、Y方向
とZ方向の変位にはPZTの厚みすべり(ズレ)方向変位
を用い、X方向変位には厚み方向変位を使用する。また
Z軸エレメント16はPZTを4枚積み重ねて積層型とし、
それによってZ方向の変位量を大きくするようにしてい
る。このZ軸エレメントの先端に図示しない探針を取り
つける。
In the figure, the scanner body 11 is a PZT bonded with an adhesive.
The X-axis and Y-axis elements 17 and 18 made of PZT and the Z-axis element 16 made of PZT which are insulated from each other by the insulating plate 14 and laminated and adhered to each other by the lead wire coated with urethane from the terminal plate 12. A drive voltage is supplied to each. Although the scanner body 11 and the terminal plate 12 are shown separately in the figure, they may be integrated. Then, the displacement in the thickness slip (deviation) direction of the PZT is used for the displacement in the Y direction and the Z direction, and the displacement in the thickness direction is used for the displacement in the X direction. In addition, the Z-axis element 16 is a laminated type in which four PZTs are stacked.
Thereby, the amount of displacement in the Z direction is increased. A probe (not shown) is attached to the tip of this Z-axis element.

例えばZ軸の変位について説明すると、第2図に示す
ようにZ軸エレメント16aのズレによる変位に対して、
エレメント16bがさらにズレによる変位を生じ、順次ズ
レ変位が重畳され、その結果先端部においては大きな変
位量を得ることができる。
For example, when explaining the displacement of the Z axis, as shown in FIG. 2, with respect to the displacement caused by the displacement of the Z axis element 16a,
The element 16b is further displaced due to the displacement, and the displacement displacement is sequentially superimposed, and as a result, a large displacement amount can be obtained at the tip portion.

このような本発明におけるスキャナでは、一枚一枚の
エレメントを極めて薄くすると共に、これらの非常に薄
い接着層で接着すると、PZT単体における固有振動数を
殆ど低下させることなく、250KHz以上の固有振動数を得
ることができる。また各軸の動きは互いに独立であるの
で、歪のない変位を得ることが可能となる。また各エレ
メントは0.3mmと薄く、接着層を極めて薄くすることに
より全体でも約1.6mm×3mm×5mm程度の大きさで構成す
ることができる。
In such a scanner according to the present invention, each element is made extremely thin, and when these very thin adhesive layers are used for adhesion, the natural frequency of 250 KHz or more is hardly reduced without substantially reducing the natural frequency of the PZT simple substance. You can get a number. Further, since the movements of the respective axes are independent of each other, it is possible to obtain a displacement without distortion. In addition, each element is as thin as 0.3 mm, and by making the adhesive layer extremely thin, it is possible to form a total size of about 1.6 mm x 3 mm x 5 mm.

第3図は本発明のスキャナを組み込んだ透過型電子顕
微鏡により反射像を得る場合の概略構成を示す図、第4
図は電子線の軌跡を示す図で、図中、31はホルダ、32は
試料、33は試料固定台、34はSTM走査部、35はSTM針、36
は対物レンズ(OL)ポールピース、37は光軸、38は偏向
器、38a、38bは第1、第2偏向器、39は対物レンズであ
る。
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration when a reflection image is obtained by a transmission electron microscope incorporating the scanner of the present invention, and FIG.
The figure shows the trajectory of the electron beam. In the figure, 31 is the holder, 32 is the sample, 33 is the sample fixing base, 34 is the STM scanning unit, 35 is the STM needle, and 36
Is an objective lens (OL) pole piece, 37 is an optical axis, 38 is a deflector, 38a and 38b are first and second deflectors, and 39 is an objective lens.

ホルダ31は、図示しないサイドエントリゴニオメータ
により移動させられて試料32を所定位置にセットするよ
うになっている。このホルダ31内には、試料32が試料固
定台33に図示のように取りつけられ、またピエゾ素子か
らなるSTM走査部34が収納され、STM針35が試料31に対向
して設けられている。このSTM走査部34は、前述したよ
うに約1.6mm×3mm×5mm程度のものであるので、ホルダ3
1内に十分収納可能である。
The holder 31 is moved by a side entry goniometer (not shown) to set the sample 32 at a predetermined position. In this holder 31, a sample 32 is attached to a sample fixing base 33 as shown in the figure, an STM scanning section 34 made of a piezo element is housed, and an STM needle 35 is provided facing the sample 31. Since the STM scanning unit 34 is about 1.6 mm × 3 mm × 5 mm as described above, the holder 3
It can be fully stored in 1.

上記構成において、光軸に沿って試料面に平行に放出
された電子線が、対物レンズ39の前方磁場と対物レンズ
上方に設置された偏向器38により曲げられかつ集束され
て試料面にある角度を持ってスポット状に照射されそこ
で反射されたビームは光軸上を通って対物レンズ下方に
反射像を結像する。その反射像が図示しない感光面状に
結像されて試料面の観察が行われる。このとき、試料面
が光軸に平行であるために、凹凸部分が電子線に対して
影となるために、その形状に対応して縞が観察される。
この凹凸の程度はSTM走査部34を駆動してSTM走査針35に
より超精密に測定される。この場合、前述したようにST
Mの分解能は原子レンズであるので、STM針の許容される
振動の振幅は0.1Å以下であるが、本発明においては試
料と針とが1つのホルダ内に固定されているため耐振上
極めて有利となる。また、STMの探針を試料に近づける
際、TEM像として観察することができるのでSTMの探針を
試料面に衝突させてしまうようなことを防止することが
できる。
In the above structure, the electron beam emitted parallel to the sample surface along the optical axis is bent and focused by the front magnetic field of the objective lens 39 and the deflector 38 installed above the objective lens to form an angle on the sample surface. The beam radiated in a spot shape and reflected there forms an image reflected below the objective lens through the optical axis. The reflected image is formed on a photosensitive surface (not shown) to observe the sample surface. At this time, since the sample surface is parallel to the optical axis, the concave and convex portions are shaded with respect to the electron beam, and thus fringes are observed corresponding to the shape.
The degree of the unevenness is measured with high precision by the STM scanning needle 35 by driving the STM scanning unit 34. In this case, as described above, ST
Since the resolution of M is an atomic lens, the allowable vibration amplitude of the STM needle is 0.1 Å or less, but in the present invention, the sample and the needle are fixed in one holder, which is extremely advantageous in terms of vibration resistance. Becomes Further, when the STM probe is brought close to the sample, it can be observed as a TEM image, so that it is possible to prevent the STM probe from colliding with the sample surface.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように本発明によれば、直交する3軸方向に探
針をそれぞれ変位させるように駆動電圧が印加される3
個のピエゾ素子エレメントを積層した一体化構造を有す
るスキャナであって、前記3個のピエゾ素子エレメント
のうち2個のピエゾ素子エレメントについて、ピエゾ素
子エレメントの積層方向と直交する方向にスベリ変位を
生じさせると共に、他の1個のピエゾ素子エレメントに
ついては前記積層方向に変位を生じさせるように構成す
ると共に、少なくとも前記3個のピエゾ素子エレメント
のうち1個のピエゾ素子エレメントは2枚以上のピエゾ
素子が積層されているようにしたため、探針の変位量を
充分な量に維持したまま、トンネル顕微鏡のスキャナを
小型化できると共に、共振周波数を高くすることができ
るため、高速走査が可能になる。
As described above, according to the present invention, the drive voltage is applied so as to displace the probes in the directions of the three orthogonal axes.
A scanner having an integrated structure in which three piezo element elements are laminated, and two of the three piezo element elements are subjected to sliding displacement in a direction orthogonal to a laminating direction of the piezo element elements. In addition, the other one piezo element element is configured to be displaced in the stacking direction, and at least one of the three piezo element elements has two or more piezo elements. Since they are stacked, the scanner of the tunnel microscope can be downsized and the resonance frequency can be increased while maintaining the displacement of the probe at a sufficient amount, which enables high-speed scanning.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明による走査トンネル顕微鏡のスキャナの
一実施例を示す図、第2図はスキャナのZ軸変位を説明
すための図、第3図は本発明のスキャナを組み込んだ透
過型電子顕微鏡により反射像を得る場合の概略構成を示
す図、第4図は電子線の軌跡を示す図、第5図は走査型
トンネル顕微鏡の概略構成を示す図、第6図、第7図は
従来のトライポット型スキャナを示す図である。 11……スキャナー本体、12……端子板、13、14、15……
絶縁板、16……Z軸エレメント、17……X軸エレメン
ト、18……Y軸エレメント、19〜21……X軸、Y軸、Z
軸の各端子、22……GND端子、23……リード線。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a scanner of a scanning tunneling microscope according to the present invention, FIG. 2 is a diagram for explaining the Z-axis displacement of the scanner, and FIG. 3 is a transmission electron incorporating the scanner of the present invention. FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration when a reflection image is obtained by a microscope, FIG. 4 is a diagram showing a trajectory of an electron beam, FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a scanning tunneling microscope, FIG. 6 and FIG. It is a figure which shows the tripot type scanner of. 11 …… Scanner body, 12 …… Terminal plate, 13, 14, 15 ……
Insulation plate, 16 ... Z-axis element, 17 ... X-axis element, 18 ... Y-axis element, 19-21 ... X-axis, Y-axis, Z
Axis terminals, 22 ... GND terminal, 23 ... Lead wire.

フロントページの続き (72)発明者 西村 生哉 東京都昭島市武蔵野3丁目1番2号 日 本電子株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−257776(JP,A) 特開 昭60−59980(JP,A) 実開 昭58−196834(JP,U)Front Page Continuation (72) Inventor Ikuya Nishimura 3-1-2 Musashino, Akishima-shi, Tokyo Nihon Electronics Co., Ltd. (56) Reference JP-A-60-257776 (JP, A) JP-A-60- 59980 (JP, A) Actual development Sho 58-196834 (JP, U)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】直交する3軸方向に探針をそれぞれ変位さ
せるように駆動電圧が印加される3個のピエゾ素子エレ
メントを積層した一体化構造を有するスキャナであっ
て、前記3個のピエゾ素子エレメントのうち2個のピエ
ゾ素子エレメントについて、ピエゾ素子エレメントの積
層方向と直交する方向にスベリ変位を生じさせると共
に、他の1個のピエゾ素子エレメントについては前記積
層方向に変位を生じさせるように構成すると共に、少な
くとも前記3個のピエゾ素子エレメントのうち1個のピ
エゾ素子エレメントは2枚以上のピエゾ素子が積層され
ている走査トンネル顕微鏡のスキャナ。
1. A scanner having an integrated structure in which three piezo element elements to which a drive voltage is applied so as to respectively displace the probes in the directions of three orthogonal axes are laminated, and the three piezo elements are provided. Two of the elements are configured to cause sliding displacement in a direction orthogonal to the stacking direction of the piezoelectric element elements, and for another one piezoelectric element element to be displaced in the stacking direction. In addition, at least one of the three piezoelectric element elements is a scanner of a scanning tunneling microscope in which two or more piezoelectric elements are laminated.
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