JP2569862B2 - X線露光装置およびx線露光方法 - Google Patents
X線露光装置およびx線露光方法Info
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Description
工程で用いられるX線露光装置に関するものである。
の角度検出方法を説明する図である。同図において、30
はシリコンウエハ、31はシリコンウエハ30の回転方向、
32はシリコンウエハ30のオリエンテーシヨナルフラツ
ト、33はレーザー発振器、34はレーザ光、35は光センサ
である。
したレーザ光34は、シリコンウエハ30の周辺部を照明す
るように配置されている。そこでレーザ光34がウエハ周
辺部を照明している状態でシリコンウエハ30を回転方向
31へ回動させると、オリエンテーシヨナルフラツト32の
部分のみにレーザ光34が通過し、光センサ35まで達する
ことができるので、光センサ35出力の信号強度のプロフ
アイルによりシリコンウエハ30の方向を決定することが
できる。
ハ30の結晶軸を間接的にしか観測できないので、シリコ
ン結晶軸との一致が容易に得られないという問題があつ
た。また、角度設定後の移動回数も多いので、高い角度
設定精度が得られないなどの問題があつた。
もので、その目的は、シリコンウエハの結晶軸を直接観
測できるとともにシリコン結晶軸とレチクルの方向とを
一致させることができ、さらに角度設定精度が向上でき
るX線露光装置を提供することにある。
のレジスト露光用とシリコンウエハの角度検出用とに分
離されたX線ビームを照射するX線照射手段と、シリコ
ンウエハからのX線ビームの回折によって形成されたラ
ウエ回折光を検出するラウエテレビと、ラウエテレビが
検出したラウエ回折光のパターン状態によりシリコンウ
エハの結晶軸の向きを示す角度およびシリコンウエハの
水平の傾きを検出する角度検出手段とを有している。
線ビームを照射し、このX線ビームと同一線源から発し
たX線ビームの照射により発生するシリコンウエハから
のX線ビームの回折によって形成されたラウエ回折光を
ラウエテレビで検出し、ラウエテレビが検出したラウエ
回折光のパターン状態により、シリコンウエハの結晶軸
の向きを示す角度および前記シリコンウエハの水平の傾
きを検出するようにした。
ターンを観測しているので、ラウエパターンの傾きから
角度検出ができ、ラウエパターンの非対称性から、シリ
コンウエハのレベリング調整ができる。
る。
構成を示す図である。同図において、10はシンクロトロ
ン、11はシンクロトロン10から放射された露光用のX
線、12は同様に角度検出用のX線、13,14はシリコン単
結晶板、15はラウエテレビ、16はラウエ回折光、17はオ
リエンテーシヨナルフラツトを有するシリコンウエハで
ある。
された光を露光用X線11と角度検出用X線12とに分け
る。オリエンテーシヨナルフラツトを用いてシリコンウ
エハ17の上下方向を決定した後、角度検出用X線12はシ
リコン単結晶板13,14によりラウエテレビ15中を通過さ
せた後、シリコンウエハ17の裏面を照射する。シリコン
ウエハ17からのラウエ回折光16はラウエテレビ15上に達
する。
ついて説明する。同図において、20〜25はラウエテレビ
15上のラウエパターンの各スポツトであり、角度検出用
X線12はシリコンウエハ17を照明し、ラウエ回折光16は
ラウエテレビ15上へ達する。このとき、ラウエスポツト
20,21を用いると、角度の検出が可能となる。また、ラ
ウエスポツト22,23,24,25の非対称性を観測すると、シ
リコンウエハ17の水平の傾きの情報が得られる。さらに
シリコンウエハ17はウエハステージ上に載置した状態で
角度補正ができるので、角度設定後のシリコンウエハ17
の移動をしないですむので、設定精度の低下がなくな
る。
ロトロン放射光を用いた場合について説明したが、他の
放射線源を用いても同様の効果が得られる。また、シリ
コンウエハの裏面へ光を導く手段として他のミラーなど
を用いても良い。さらに角度検出用光源を他の手段で発
生させても同様の効果が得られる。また、シリコンウエ
ハの裏面を用いて角度を検出したが、シリコンウエハ表
面のチツプを形成しない部分を用いても良い。
表面のレジストにX線ビームを照射し、このX線ビーム
と同一線源から発したX線ビームの照射により発生する
シリコンウエハからのX線ビームの回折によって形成さ
れたウエハ回折光をラウエテレビで検出し、ラウエテレ
ビが検出したラウエ回折光のパターン状態により、シリ
コンウエハの結晶軸の向きを示す角度および前記シリコ
ンウエハの水平の傾きを検出するようにしたことによ
り、シリコンウエハの結晶軸を直接的に観測し角度が測
定できるので、マスクのXY線と一致させることができ、
量子効果デバイスに対応できるとともに角度設定後のシ
リコンウエハの移動が不要となり、角度設定精度が向上
できるなどの極めて優れた効果が得られる。
成を説明する図、第2図は角度検出方法を説明する図、
第3図は従来の角度検出方法を説明する図である。 10……シンクロトロン、11……露光用X線、12……角度
検出用X線、13,14……シリコン単結晶板、15……ラウ
エテレビ、16……ラウエ回折光、17……シリコンウエ
ハ。
Claims (5)
- 【請求項1】同一線源から発し、シリコンウエハ表面の
レジスト露光用と前記シリコンウエハの角度検出用とに
分離されたX線ビームを照射するX線照射手段と、 前記シリコンウエハからの前記X線ビームの回折によっ
て形成されたラウエ回折光を検出するラウエテレビと、 前記ラウエテレビが検出したラウエ回折光のパターン状
態により、前記シリコンウエハの結晶軸の向きを示す角
度および前記シリコンウエハの水平の傾きを検出する角
度検出手段と を備えたことを特徴とするX線露光装置。 - 【請求項2】前記X線ビームを反射して前記シリコンウ
エハの裏面に照射する反射手段を有することを特徴とす
る請求項1に記載のX線露光装置。 - 【請求項3】前記反射手段はシリコンから構成されてい
ることを特徴とする請求項2に記載のX線露光装置。 - 【請求項4】前記ラウエテレビは中央部にピンホールを
有し、前記委X線ビームは前記ピンホールを通過して前
記シリコンウエハに照射されることを特徴とする請求項
1〜3いずれかに記載のX線露光装置。 - 【請求項5】シリコンウエハ表面のレジストにX線ビー
ムを照射し、 前記X線ビームと同一線源から発したX線ビームの照射
により発生する前記シリコンウエハからの前記X線ビー
ムの回折によって形成されたラウエ回折光をラウエテレ
ビで検出し、 前記ラウエテレビが検出したラウエ回折光のパターン状
態により、前記シリコンウエハの結晶軸の向きを示す角
度および前記シリコンウエハの水平の傾きを検出する ことを特徴とするX線露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2032809A JP2569862B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | X線露光装置およびx線露光方法 |
| US07/564,163 US5073918A (en) | 1990-02-13 | 1990-08-08 | Angle detector device for silicon wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2032809A JP2569862B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | X線露光装置およびx線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03236214A JPH03236214A (ja) | 1991-10-22 |
| JP2569862B2 true JP2569862B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=12369163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2032809A Expired - Fee Related JP2569862B2 (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | X線露光装置およびx線露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5073918A (ja) |
| JP (1) | JP2569862B2 (ja) |
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