JP2576796B2 - Ｔａｂインナーリードの接合方法 - Google Patents
Ｔａｂインナーリードの接合方法Info
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- JP2576796B2 JP2576796B2 JP6225130A JP22513094A JP2576796B2 JP 2576796 B2 JP2576796 B2 JP 2576796B2 JP 6225130 A JP6225130 A JP 6225130A JP 22513094 A JP22513094 A JP 22513094A JP 2576796 B2 JP2576796 B2 JP 2576796B2
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- lead
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の実装に用
いられるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ）用テープキャリアのインナーリードと半導
体素子の電極とを接合するためのボンディング方法およ
びＴＡＢテープに関する。
いられるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ）用テープキャリアのインナーリードと半導
体素子の電極とを接合するためのボンディング方法およ
びＴＡＢテープに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＴＡＢテープは図３に示すよう
に、ポリイミド製の長尺のテープキャリア１上に半導体
素子を搭載するデバイスホール６と、Ｃｕ配線電極を保
持するサポートリング４とが形成されている。テープキ
ャリア１の幅方法の両端には、あらかじめテープ位置決
め用と搬送用に等ピッチ間隔に規格化されたスプロケッ
トホール５がプレス加工により形成されている。サポー
トリング４には、デバイスホール６の内側に突出したイ
ンナーリード２と、外側にＴＡＢテープを実装する基板
との電気的接続のためのアウターリード７とが形成され
ている。インナーリードおよびアウターリードを含む全
てのＣｕ配線電極には、電解メッキあるいは無電解メッ
キにより厚さ０．５〜１μｍのＡｕかＳｎが施されてい
る。
に、ポリイミド製の長尺のテープキャリア１上に半導体
素子を搭載するデバイスホール６と、Ｃｕ配線電極を保
持するサポートリング４とが形成されている。テープキ
ャリア１の幅方法の両端には、あらかじめテープ位置決
め用と搬送用に等ピッチ間隔に規格化されたスプロケッ
トホール５がプレス加工により形成されている。サポー
トリング４には、デバイスホール６の内側に突出したイ
ンナーリード２と、外側にＴＡＢテープを実装する基板
との電気的接続のためのアウターリード７とが形成され
ている。インナーリードおよびアウターリードを含む全
てのＣｕ配線電極には、電解メッキあるいは無電解メッ
キにより厚さ０．５〜１μｍのＡｕかＳｎが施されてい
る。
【０００３】図４は、図３に示したＴＡＢテープにおけ
る従来のインナーリードの接続方法を示す概略図であ
る。ＴＡＢテープのインナーリード２と半導体素子２１
のＡｌ電極部とを逐次方式で接合するシングルポイント
ボンディング方式では、半導体素子２１のＡｌ電極部ま
たはＴＡＢテープのインナーリード２の先端部のいずれ
か一方にバンプ８となる突起を形成した後、バンプ８を
介してボンディングツール３２によって超音波と熱を併
用した方法で接合を行っている。このとき、接合部には
荷重１００ｇｆ，超音波出力１５０ｍＷが印加され、半
導体素子２１は加熱ステージにより２５０°Ｃ程度に加
熱されている。
る従来のインナーリードの接続方法を示す概略図であ
る。ＴＡＢテープのインナーリード２と半導体素子２１
のＡｌ電極部とを逐次方式で接合するシングルポイント
ボンディング方式では、半導体素子２１のＡｌ電極部ま
たはＴＡＢテープのインナーリード２の先端部のいずれ
か一方にバンプ８となる突起を形成した後、バンプ８を
介してボンディングツール３２によって超音波と熱を併
用した方法で接合を行っている。このとき、接合部には
荷重１００ｇｆ，超音波出力１５０ｍＷが印加され、半
導体素子２１は加熱ステージにより２５０°Ｃ程度に加
熱されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】超音波併用熱圧着によ
るシングルポイントボンディング方法で安定した接合強
度を得るには、超音波振動によりインナーリード表面の
Ｓｎメッキ層に存在するＳｎの自然酸化膜を十分に破壊
し、加熱ステージによる熱エネルギーによりインナーリ
ード表面のＳｎとバンプのＡｕとの十分な合金層を形成
することが条件となる。ここで、インナーリードの端部
が並ぶ辺を、図４に示すように、テープキャリア１の長
手方向に直角な辺を第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２とし、テー
プキャリア１の長手方向に平行な辺を第３辺，第４辺と
した場合に、超音波ホーン３１に印加される超音波の振
動方向３３は、第３辺Ｈ３，第４辺Ｈ４に対してはイン
ナーリード２の長手方向に対して平行であり、第１辺Ｈ
１，第２辺Ｈ２に対してはインナーリード２の長手方向
に直交する方向である。
るシングルポイントボンディング方法で安定した接合強
度を得るには、超音波振動によりインナーリード表面の
Ｓｎメッキ層に存在するＳｎの自然酸化膜を十分に破壊
し、加熱ステージによる熱エネルギーによりインナーリ
ード表面のＳｎとバンプのＡｕとの十分な合金層を形成
することが条件となる。ここで、インナーリードの端部
が並ぶ辺を、図４に示すように、テープキャリア１の長
手方向に直角な辺を第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２とし、テー
プキャリア１の長手方向に平行な辺を第３辺，第４辺と
した場合に、超音波ホーン３１に印加される超音波の振
動方向３３は、第３辺Ｈ３，第４辺Ｈ４に対してはイン
ナーリード２の長手方向に対して平行であり、第１辺Ｈ
１，第２辺Ｈ２に対してはインナーリード２の長手方向
に直交する方向である。
【０００５】第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２のように超音波振
動３３がインナーリード２の長手方向に対して直交する
方向に印加された場合には、超音波振動３３によりイン
ナーリード２が動き易く、接合界面に超音波振動３３を
十分伝達することができず、Ｓｎ酸化膜を破壊できな
い。このため、第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２の接合強度は、
第３辺Ｈ３，第４辺Ｈ４に比べて低下するという問題が
あった。
動３３がインナーリード２の長手方向に対して直交する
方向に印加された場合には、超音波振動３３によりイン
ナーリード２が動き易く、接合界面に超音波振動３３を
十分伝達することができず、Ｓｎ酸化膜を破壊できな
い。このため、第１辺Ｈ１，第２辺Ｈ２の接合強度は、
第３辺Ｈ３，第４辺Ｈ４に比べて低下するという問題が
あった。
【０００６】さらに、接合強度のバラツキを低減するた
めに超音波出力を高くした場合には、インナーリードの
位置ズレが増大し、隣接するインナーリードと接触する
虞れがあり、狭ピッチ化の妨げになる問題があった。
めに超音波出力を高くした場合には、インナーリードの
位置ズレが増大し、隣接するインナーリードと接触する
虞れがあり、狭ピッチ化の妨げになる問題があった。
【０００７】また、リードピッチが１００μｍ以下で
は、リード幅が５０μｍ以下と細くなりリード剛性が小
さくなるために、ＴＡＢテープ製作時にリードの垂れ下
がりや、リード曲がりが発生し、歩留り低下の原因とな
っていた。
は、リード幅が５０μｍ以下と細くなりリード剛性が小
さくなるために、ＴＡＢテープ製作時にリードの垂れ下
がりや、リード曲がりが発生し、歩留り低下の原因とな
っていた。
【０００８】本発明の目的は、このような問題を解決
し、接合強度にばらつきの無い安定した接合を実現し、
狭ピッチ化が可能なＴＡＢインナーリードの接合方法お
よびＴＡＢテープを提供することにある。
し、接合強度にばらつきの無い安定した接合を実現し、
狭ピッチ化が可能なＴＡＢインナーリードの接合方法お
よびＴＡＢテープを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明で使用するＴＡＢ
テープは、半導体素子を実装するサポートリングの内側
に配線電極が突出したインナーリードを有するＴＡＢテ
ープであって、前記インナーリードの先端を保持するベ
ースフィルムを備えることを特徴とする。
テープは、半導体素子を実装するサポートリングの内側
に配線電極が突出したインナーリードを有するＴＡＢテ
ープであって、前記インナーリードの先端を保持するベ
ースフィルムを備えることを特徴とする。
【００１０】本発明は、上記のＴＡＢテープのインナー
リードと半導体素子の電極を接合する方法であって、前
記インナーリードと前記半導体素子の電極の位置合わせ
を行い、クランパにより前記インナーリード先端上部を
押圧し、ボンディングツールにより、前記インナーリー
ドと前記電極との間の接合を順次行うことを特徴とす
る。
リードと半導体素子の電極を接合する方法であって、前
記インナーリードと前記半導体素子の電極の位置合わせ
を行い、クランパにより前記インナーリード先端上部を
押圧し、ボンディングツールにより、前記インナーリー
ドと前記電極との間の接合を順次行うことを特徴とす
る。
【００１１】
【作用】本発明で使用するＴＡＢテープは、インナーリ
ードの先端に設けられたリード保持フィルムによりＴＡ
Ｂテープ製作時、特にインナーリードのエッチング時に
発生するリードの垂れ下がりや、リード曲がりによるピ
ッチズレを防止し、ＴＡＢテープの歩留りが向上し、狭
ピッチ化が可能となった。
ードの先端に設けられたリード保持フィルムによりＴＡ
Ｂテープ製作時、特にインナーリードのエッチング時に
発生するリードの垂れ下がりや、リード曲がりによるピ
ッチズレを防止し、ＴＡＢテープの歩留りが向上し、狭
ピッチ化が可能となった。
【００１２】また、本発明の接合方法では、クランパで
インナーリードを抑えることで超音波振動によるリード
の位置ズレを防止することができ、狭ピッチのリード接
合が可能となった。さらに、効率よく接合界面に超音波
振動が伝達するために低出力の超音波出力で接合でき、
半導体素子への接合ストレスが低減し、信頼性の高い接
合が可能となった。
インナーリードを抑えることで超音波振動によるリード
の位置ズレを防止することができ、狭ピッチのリード接
合が可能となった。さらに、効率よく接合界面に超音波
振動が伝達するために低出力の超音波出力で接合でき、
半導体素子への接合ストレスが低減し、信頼性の高い接
合が可能となった。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１は、本発明で使用するＴＡＢテープの
一例を示す概略図である。本発明のＴＡＢテープは、図
１に示すように、例えば厚さ１００〜１２５μｍ，幅が
３５ｍｍのポリイミド製の長尺のテープキャリア１上
に、半導体素子を搭載するデバイスホール６と、例えば
厚さ３５μｍのＣｕ配線電極を保持するサポートリング
４とが形成されている。テープキャリア１の幅方向の両
側には、あらかじめテープ位置決め用と搬送用に、等ピ
ッチ間隔に規格化されたスプロケットホール５がプレス
加工により形成されている。
一例を示す概略図である。本発明のＴＡＢテープは、図
１に示すように、例えば厚さ１００〜１２５μｍ，幅が
３５ｍｍのポリイミド製の長尺のテープキャリア１上
に、半導体素子を搭載するデバイスホール６と、例えば
厚さ３５μｍのＣｕ配線電極を保持するサポートリング
４とが形成されている。テープキャリア１の幅方向の両
側には、あらかじめテープ位置決め用と搬送用に、等ピ
ッチ間隔に規格化されたスプロケットホール５がプレス
加工により形成されている。
【００１５】サポートリング４の外側には、ＴＡＢテー
プを実装する基板との電気的接続のための、例えば幅が
１００μｍ，配列ピッチが２００μｍのアウターリード
７が形成されている。サポートリング４の内側には、デ
バイスホール６側に突出した、例えば幅が６０μｍ，配
列ピッチが１００μｍのインナーリード２が形成されて
いる。インナーリード２の補強とボンディング時の超音
波振動によるリード位置ズレを防止するために、インナ
ーリード２の先端部に、先端部を下側から保持する例え
ばテープキャリア１と同材質のポリイミド製のリード保
持フィルム３が形成されている。
プを実装する基板との電気的接続のための、例えば幅が
１００μｍ，配列ピッチが２００μｍのアウターリード
７が形成されている。サポートリング４の内側には、デ
バイスホール６側に突出した、例えば幅が６０μｍ，配
列ピッチが１００μｍのインナーリード２が形成されて
いる。インナーリード２の補強とボンディング時の超音
波振動によるリード位置ズレを防止するために、インナ
ーリード２の先端部に、先端部を下側から保持する例え
ばテープキャリア１と同材質のポリイミド製のリード保
持フィルム３が形成されている。
【００１６】インナーリードおよびアウターリードを含
む全てのＣｕ配線電極には、無電解メッキにより例えば
厚さ０．５μｍのＳｎメッキが施されている。ＴＡＢテ
ープの歩留りは、リード保持フィルム３を設けること
で、リード配列ピッチ１００μｍ以下のＴＡＢテープで
９８％以上に高い歩留りであった。
む全てのＣｕ配線電極には、無電解メッキにより例えば
厚さ０．５μｍのＳｎメッキが施されている。ＴＡＢテ
ープの歩留りは、リード保持フィルム３を設けること
で、リード配列ピッチ１００μｍ以下のＴＡＢテープで
９８％以上に高い歩留りであった。
【００１７】次に、図１のＴＡＢテープにおけるインナ
ーリードのボンディング方法を説明する。
ーリードのボンディング方法を説明する。
【００１８】図２は本発明のインナーリードのボンディ
ング方法を示す概略図である。図２に示すように、半導
体素子２１のＡｌ電極２２上には、電解メッキにより、
例えば高さ２０μｍ，直径５０μｍのＡｕ製のバンプ８
が形成されている。
ング方法を示す概略図である。図２に示すように、半導
体素子２１のＡｌ電極２２上には、電解メッキにより、
例えば高さ２０μｍ，直径５０μｍのＡｕ製のバンプ８
が形成されている。
【００１９】まず、１０ｍｍ角の半導体素子２１のバン
プ８とインナーリード２との位置合わせを行った後、ク
ランパ２３でインナーリード２先端部上を、例えば２０
０ｇｆ／１リードで加圧する。
プ８とインナーリード２との位置合わせを行った後、ク
ランパ２３でインナーリード２先端部上を、例えば２０
０ｇｆ／１リードで加圧する。
【００２０】次に、超音波ホーン３１が下降し、ボンデ
ィングツール３２がインナーリード２に押し込まれ、イ
ンナーリード２と半導体素子２１のバンプ８が接触す
る。さらに、超音波ホーン３１の方向に平行に超音波振
動３３を印加し、半導体素子２１の加熱温度２８０°Ｃ
の下でインナーリード２とバンプ８との接合を行う。接
合の際には、ボンディングツール３２に接合荷重をＦ＝
６０ｇｆ印加した状態で、超音波出力１００ｍＷ（振幅
幅０．２μｍ）を印加する。
ィングツール３２がインナーリード２に押し込まれ、イ
ンナーリード２と半導体素子２１のバンプ８が接触す
る。さらに、超音波ホーン３１の方向に平行に超音波振
動３３を印加し、半導体素子２１の加熱温度２８０°Ｃ
の下でインナーリード２とバンプ８との接合を行う。接
合の際には、ボンディングツール３２に接合荷重をＦ＝
６０ｇｆ印加した状態で、超音波出力１００ｍＷ（振幅
幅０．２μｍ）を印加する。
【００２１】以上の操作を、全インナーリード２に行い
バンプ８との接合を行った。その後、接合強度の測定、
インナーリード２とバンプ８との位置ズレ量を観察し、
Ａｌ電極２２面下のクラック発生の有無を観察した。そ
の結果、プル強度は、全ての辺で平均３０ｇｆ／リード
（δ＝５）であり、バラツキの小さい実用上十分な強度
で接合できた。しかもインナーリード２とＡｌ電極２２
との位置ズレ量は、１０μｍ以下であり、従来の接合方
法に比べ約半分に減少することができた。さらに、Ａｌ
電極２２面下にはクラックの発生が無いことを確認し
た。
バンプ８との接合を行った。その後、接合強度の測定、
インナーリード２とバンプ８との位置ズレ量を観察し、
Ａｌ電極２２面下のクラック発生の有無を観察した。そ
の結果、プル強度は、全ての辺で平均３０ｇｆ／リード
（δ＝５）であり、バラツキの小さい実用上十分な強度
で接合できた。しかもインナーリード２とＡｌ電極２２
との位置ズレ量は、１０μｍ以下であり、従来の接合方
法に比べ約半分に減少することができた。さらに、Ａｌ
電極２２面下にはクラックの発生が無いことを確認し
た。
【００２２】また、外形寸法が１５ｍｍ角で電極配列ピ
ッチ８０μｍの半導体素子のインナーリード接合におい
て、本発明のＴＡＢテープおよび接合方法を用いること
により、信頼性の高い安定した接合強度が得られ、かつ
インナーリードの位置ズレ量１０μｍ以下の高精度な接
合を行うことができ、大型チップおよび狭ピッチ化ＴＡ
Ｂ実装が可能となる。
ッチ８０μｍの半導体素子のインナーリード接合におい
て、本発明のＴＡＢテープおよび接合方法を用いること
により、信頼性の高い安定した接合強度が得られ、かつ
インナーリードの位置ズレ量１０μｍ以下の高精度な接
合を行うことができ、大型チップおよび狭ピッチ化ＴＡ
Ｂ実装が可能となる。
【００２３】さらに、インナーリード接合後、環境試験
として温湿度サイクル試験（ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｂ
の試験方法に準ずる）を行った。環境条件は、温度が２
５±２°Ｃ〜６５±２°Ｃ、湿度が９０〜９８％、サイ
クル数が１０サイクル（２４Ｈｒ／サイクル）で行っ
た。温湿度試験後のプル強度試験によれば、強度の低下
は生じなかった。
として温湿度サイクル試験（ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｂ
の試験方法に準ずる）を行った。環境条件は、温度が２
５±２°Ｃ〜６５±２°Ｃ、湿度が９０〜９８％、サイ
クル数が１０サイクル（２４Ｈｒ／サイクル）で行っ
た。温湿度試験後のプル強度試験によれば、強度の低下
は生じなかった。
【００２４】なお、本発明は、従来の超音波併用の熱圧
着に比べ超音波出力を低出力にすることができるため、
半導体素子に与える機械的ストレスが低減し、バンプを
介さずにインナーリードとＡｌ電極を直接接合するバン
プレス接合にも効果があることが確認されている。
着に比べ超音波出力を低出力にすることができるため、
半導体素子に与える機械的ストレスが低減し、バンプを
介さずにインナーリードとＡｌ電極を直接接合するバン
プレス接合にも効果があることが確認されている。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＴＡＢイ
ンナーリードの接合方法によれば、リード保持フィルム
により接合強度のバラツキが小さい安定した接合を実現
することができ、超音波振動によるインナーリードと半
導体素子の電極との位置ズレを最小限に抑え、大型チッ
プおよび狭ピッチＴＡＢ実装を実現できるという効果が
ある。
ンナーリードの接合方法によれば、リード保持フィルム
により接合強度のバラツキが小さい安定した接合を実現
することができ、超音波振動によるインナーリードと半
導体素子の電極との位置ズレを最小限に抑え、大型チッ
プおよび狭ピッチＴＡＢ実装を実現できるという効果が
ある。
【００２６】さらに、超音波振動の伝達効率が向上し低
出力で接合が可能となり、半導体素子の電極面下にクラ
ックの損傷を生じることなく、しかも十分な強度で半導
体素子のバンプとインナーリードとを信頼性高く接合で
きる効果がある。
出力で接合が可能となり、半導体素子の電極面下にクラ
ックの損傷を生じることなく、しかも十分な強度で半導
体素子のバンプとインナーリードとを信頼性高く接合で
きる効果がある。
【００２７】また、インナーリードの先端に設けられた
リード保持フィルムにより、リードの垂れ下がりやリー
ド曲がりによるピッチズレを防止し、ＴＡＢテープの歩
留りの向上が可能となり、低コスト化が実現した。
リード保持フィルムにより、リードの垂れ下がりやリー
ド曲がりによるピッチズレを防止し、ＴＡＢテープの歩
留りの向上が可能となり、低コスト化が実現した。
【図１】本発明のＴＡＢテープを示す概略図である。
【図２】本発明のインナーリードの接合方法を示す概略
図である。
図である。
【図３】従来のＴＡＢテープを示す概略図である。
【図４】従来のバンプを用いたＴＡＢインナーリードの
ボンディング方法を示す概略図である。
ボンディング方法を示す概略図である。
１ テープキャリア ２ インナーリード ３ リード保持フィルム ４ サポートリング ５ スプロケットホール ６ デバイスホール ７ アウターリード ８ バンプ ２１ 半導体素子 ２２ Ａｌ電極 ２３ クランパ ３１ 超音波ホーン ３２ ボンディングツール ３３ 超音波振動方向 Ｈ１ 第１辺 Ｈ２ 第２辺 Ｈ３ 第３辺 Ｈ４ 第４辺
Claims (3)
- 【請求項１】半導体素子を実装するサポートリングの内
側に配線電極が突出したインナーリードを有するＴＡＢ
テープであって、前記インナーリードの先端を保持する
ベースフィルムを備えるＴＡＢテープのインナーリード
と半導体素子の電極を接合する方法であって、前記イン
ナーリードと前記半導体素子の電極の位置合わせを行
い、クランパにより前記インナーリード先端上部を押圧
し、ボンディングツールにより、前記インナーリードと
前記電極との間の接合を順次行うことを特徴とするＴＡ
Ｂインナーリードの接合方法。 - 【請求項２】 前記電極の上部には、バンプが形成されて
おり、バンプを介して前記インナーリードと前記電極と
を接合することを特徴とする請求項１記載のＴＡＢイン
ナーリードの接合方法。 - 【請求項３】 前記ベースフィルムは、前記インナーリー
ドの先端を、下側から保持することを特徴とする請求項
１記載のＴＡＢインナーリードの接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6225130A JP2576796B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | Ｔａｂインナーリードの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6225130A JP2576796B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | Ｔａｂインナーリードの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888250A JPH0888250A (ja) | 1996-04-02 |
| JP2576796B2 true JP2576796B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=16824437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6225130A Expired - Fee Related JP2576796B2 (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | Ｔａｂインナーリードの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576796B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460260B1 (ko) * | 1997-06-19 | 2005-04-08 | 삼성전자주식회사 | 마이크로BGA(microballgridarray)용빔리드본딩장치및그본딩방법 |
| JP2002151551A (ja) | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | フリップチップ実装構造、その実装構造を有する半導体装置及び実装方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS635636U (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-14 | ||
| JPH04146636A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フィルムキャリヤテープのインナーリードボンディング方法 |
| JPH05326648A (ja) * | 1992-05-22 | 1993-12-10 | Sony Corp | フィルムキャリアとこれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-09-20 JP JP6225130A patent/JP2576796B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0888250A (ja) | 1996-04-02 |
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