JP2583620B2 - 膜厚分布の計算方法 - Google Patents
膜厚分布の計算方法Info
- Publication number
- JP2583620B2 JP2583620B2 JP1297453A JP29745389A JP2583620B2 JP 2583620 B2 JP2583620 B2 JP 2583620B2 JP 1297453 A JP1297453 A JP 1297453A JP 29745389 A JP29745389 A JP 29745389A JP 2583620 B2 JP2583620 B2 JP 2583620B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- calculation
- film thickness
- point
- thickness distribution
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高指向性ビームを利用したスパッタリング
装置（以下、スパッタリング装置と呼ぶ）で得られる薄
膜の膜厚分布の計算方法に関するものである。
装置（以下、スパッタリング装置と呼ぶ）で得られる薄
膜の膜厚分布の計算方法に関するものである。
本発明による計算方法の対象であるスパッタリング装
置の概略を第１図に示す。図において、ビーム源２は、
Arイオン等を高い指向性で引き出す電極からなる孔Ｂを
有し、該孔Ｂから高指向性ビーム３が飛び出す。上記高
指向性ビーム３は、所望成膜物質からなるターゲット４
に衝突し、上記成膜物質をスパッタリングする。スパッ
タリングされた成膜物質５はウエハ６上に成膜される。
置の概略を第１図に示す。図において、ビーム源２は、
Arイオン等を高い指向性で引き出す電極からなる孔Ｂを
有し、該孔Ｂから高指向性ビーム３が飛び出す。上記高
指向性ビーム３は、所望成膜物質からなるターゲット４
に衝突し、上記成膜物質をスパッタリングする。スパッ
タリングされた成膜物質５はウエハ６上に成膜される。
第２図は、スパッタリング装置内における膜厚計算に
必要な部分を抽出した模式図である。ウエハ６上の点Ｑ
に成膜される薄膜の膜厚を計算するためには、つぎの２
重積分を実施しなければならない。
必要な部分を抽出した模式図である。ウエハ６上の点Ｑ
に成膜される薄膜の膜厚を計算するためには、つぎの２
重積分を実施しなければならない。
ｔ（θ）＝∬ｆ（x,y）Ｉ（x,y）dxdy …（１） ここに、x,yはターゲット４上にとった直交座標系、
Ｉ（x,y）は点（x,y）におけるビーム強度であり、ｆ
（x,y）は点（x,y）でスパッタリングされた原子が、点
Ｑを含む単位面積に到達し成膜される確率である。積分
領域はターゲット４全体である。
Ｉ（x,y）は点（x,y）におけるビーム強度であり、ｆ
（x,y）は点（x,y）でスパッタリングされた原子が、点
Ｑを含む単位面積に到達し成膜される確率である。積分
領域はターゲット４全体である。
従来、（１）式を計算するためには、座標変換して極
座標で表示し、 ｔ（θ）＝∬ｆ（r cosθ r sinθ）Ｉ（r cosθ r sinθ）rdrdθ を、まずｒを固定してθを台形則で計算し、ついでｒに
関する積分を、所望精度に達するまで収束計算を行って
いた。なお、この種の計算方法に関連するものには、例
えば、ジャーナル・オブ・ヴァキューム・サイエンス・
アンド・テクノロジー,B3,531（1985）（J.Vac.Sci.Tec
hnol.,B3,531（1985））等が挙げられる。
座標で表示し、 ｔ（θ）＝∬ｆ（r cosθ r sinθ）Ｉ（r cosθ r sinθ）rdrdθ を、まずｒを固定してθを台形則で計算し、ついでｒに
関する積分を、所望精度に達するまで収束計算を行って
いた。なお、この種の計算方法に関連するものには、例
えば、ジャーナル・オブ・ヴァキューム・サイエンス・
アンド・テクノロジー,B3,531（1985）（J.Vac.Sci.Tec
hnol.,B3,531（1985））等が挙げられる。
上記従来技術では、２重積分の収束計算を行うため、
多大な計算時間を費やしていた。
多大な計算時間を費やしていた。
本発明の目的は、計算時間を大幅に短縮するととも
に、実用的に十分な程度の精度を保証する膜厚分布の計
算方法を得ることにある。
に、実用的に十分な程度の精度を保証する膜厚分布の計
算方法を得ることにある。
上記目的は、つぎに示す手段によって達成される。ビ
ーム中心軸と直交する平面（ξ＝０）上では、高指向性
ビームの強度分布がつぎのガウス型分布で良く近似でき
る。
ーム中心軸と直交する平面（ξ＝０）上では、高指向性
ビームの強度分布がつぎのガウス型分布で良く近似でき
る。
ここに、２σ0 2＝l2tan2θ０であって、ｌは距離▲
▼０、θ０は拡がり角（すなわち、ビーム強度がビー
ム中心軸方向に対し1/eとなる方向までの角度）である
（第２図参照）。また、ビーム中心軸とターゲットとの
交わる点P0を原点（0,0）としている。したがって、タ
ーゲットが角度ξだけ傾いた場合、上記ターゲット上で
の強度分布は周知の幾何学的計算により となる。ここに、 である。つぎにＩ（x,y）を と書く。ここで、 である。さらに周知のつぎの公式を用いる。
▼０、θ０は拡がり角（すなわち、ビーム強度がビー
ム中心軸方向に対し1/eとなる方向までの角度）である
（第２図参照）。また、ビーム中心軸とターゲットとの
交わる点P0を原点（0,0）としている。したがって、タ
ーゲットが角度ξだけ傾いた場合、上記ターゲット上で
の強度分布は周知の幾何学的計算により となる。ここに、 である。つぎにＩ（x,y）を と書く。ここで、 である。さらに周知のつぎの公式を用いる。
ここに、δ（ｘ）、δ（ｙ）はディラクのデルタ関数
であり、 である。（１）式より、ビーム源Ｂの膜厚分布への寄与
は ところで高指向性ビームの場合は、ビームの拡がり角
θ０が小さく（＜10゜）からσ0 2も小さい。したがっ
て、（５）式をσ0 2に関する展開と見なせば、 ｔ（θ）＝ｆ（0,0）＋σ0 2ζ＋Ｏ（σ0 4） …（６） と表わすことができ、Ｏ（σ0 4）は0.01％オーダーの寄
与しかしないから、膜厚分布計算において省略できる。
Ｊ（x,y）もσ０に依存することに注意すると、 が得られる。（６）および（７）式を用いることにより
膜厚を計算することができる。また、さほど計算精度を
要求しない場合（10％）以下には、（６）式の第１項だ
けで代用することも可能である。
であり、 である。（１）式より、ビーム源Ｂの膜厚分布への寄与
は ところで高指向性ビームの場合は、ビームの拡がり角
θ０が小さく（＜10゜）からσ0 2も小さい。したがっ
て、（５）式をσ0 2に関する展開と見なせば、 ｔ（θ）＝ｆ（0,0）＋σ0 2ζ＋Ｏ（σ0 4） …（６） と表わすことができ、Ｏ（σ0 4）は0.01％オーダーの寄
与しかしないから、膜厚分布計算において省略できる。
Ｊ（x,y）もσ０に依存することに注意すると、 が得られる。（６）および（７）式を用いることにより
膜厚を計算することができる。また、さほど計算精度を
要求しない場合（10％）以下には、（６）式の第１項だ
けで代用することも可能である。
高指向性ビームではσ０は十分小さいので、（６）式
の展開においてＯ（σ0 4）は通常無視することができ
る。したがって、（１）式の２重積分を、（６）式およ
び（７）式の高々４項の和に置き換えることになり、処
理が高速化されることは明らかである。
の展開においてＯ（σ0 4）は通常無視することができ
る。したがって、（１）式の２重積分を、（６）式およ
び（７）式の高々４項の和に置き換えることになり、処
理が高速化されることは明らかである。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。第１
図は本発明による計算方法の対象であるスパッタリング
装置の概略を示す図、第２図は上記計算方法に用いるパ
ラメータをそれぞれ示す図、第３図は本発明を実施する
ためのシステム構成を示す図、第４図はホスト計算機が
行う処理のフローチャート、第５図は計算結果の比較を
示す図、第６図は他の実施例のパラメータをそれぞれ示
す図、第７図はホスト計算機が行う処理のフローチャー
ト、第８図は上記実施例で得られる膜厚分布の出力を示
す図である。
図は本発明による計算方法の対象であるスパッタリング
装置の概略を示す図、第２図は上記計算方法に用いるパ
ラメータをそれぞれ示す図、第３図は本発明を実施する
ためのシステム構成を示す図、第４図はホスト計算機が
行う処理のフローチャート、第５図は計算結果の比較を
示す図、第６図は他の実施例のパラメータをそれぞれ示
す図、第７図はホスト計算機が行う処理のフローチャー
ト、第８図は上記実施例で得られる膜厚分布の出力を示
す図である。
第１図において、真空チャンバ１がこれに接続した真
空ポンプ（図示せず）により10-3Pa以下に排気されたの
ち、イオンビーム源２から高指向性ビーム３を出射す
る。上記高指向性ビーム３はターゲット４に衝突し、ス
パッタリング粒子５を発生する。スパッタリング粒子５
はウエハ６に到達し、薄膜を形成する。
空ポンプ（図示せず）により10-3Pa以下に排気されたの
ち、イオンビーム源２から高指向性ビーム３を出射す
る。上記高指向性ビーム３はターゲット４に衝突し、ス
パッタリング粒子５を発生する。スパッタリング粒子５
はウエハ６に到達し、薄膜を形成する。
第２図は、上記第１図中における膜厚計算に必要な部
分を模式的に抽出したものである。座標系（x,y,z）を
図のようにとり、ビーム中心軸に対するターゲット４の
傾きをξ、ウエハ６の単位法線ベクトルを ウエハ上の着目する点Ｑの位置ベクトルを ターゲット４の法線と とのなす角をβ、またビーム源２とターゲット中心およ
びターゲット中心とＱとの距離を、それぞれｌおよびＬ
とする。
分を模式的に抽出したものである。座標系（x,y,z）を
図のようにとり、ビーム中心軸に対するターゲット４の
傾きをξ、ウエハ６の単位法線ベクトルを ウエハ上の着目する点Ｑの位置ベクトルを ターゲット４の法線と とのなす角をβ、またビーム源２とターゲット中心およ
びターゲット中心とＱとの距離を、それぞれｌおよびＬ
とする。
第３図には、本発明を実施するためのシステム構成の
一例を示す。第３図において、７は各種情報処理を行う
ホスト計算機、８はキーボードとグラフィックディスプ
レイ装置を備え、適当な回線を介して対話形式でホスト
計算機１と交信するTSS端末、９は該TSS端末８を用いて
作成した情報を記憶しておく記憶装置、10は出力用のラ
インプリンタである。
一例を示す。第３図において、７は各種情報処理を行う
ホスト計算機、８はキーボードとグラフィックディスプ
レイ装置を備え、適当な回線を介して対話形式でホスト
計算機１と交信するTSS端末、９は該TSS端末８を用いて
作成した情報を記憶しておく記憶装置、10は出力用のラ
インプリンタである。
第４図は本発明の優位性を示すためのテスト計算にお
いて、ホスト計算機７が行う処理の概略をフローチャー
トで表わしたものである。このうち、処理11は第２図に
示した幾何情報をオペレータが入力する部分、処理12、
13はホスト計算機による処理であり、t1（Ｑ）は従来法
の収束計算による膜厚計算、t2（Ｑ）は本発明による膜
厚計算である。また、処理14はグラフィックディスプレ
イ装置による表示や、ラインプリンタへの出力、あるい
は記録装置への書き込みである。
いて、ホスト計算機７が行う処理の概略をフローチャー
トで表わしたものである。このうち、処理11は第２図に
示した幾何情報をオペレータが入力する部分、処理12、
13はホスト計算機による処理であり、t1（Ｑ）は従来法
の収束計算による膜厚計算、t2（Ｑ）は本発明による膜
厚計算である。また、処理14はグラフィックディスプレ
イ装置による表示や、ラインプリンタへの出力、あるい
は記録装置への書き込みである。
第５図は上記第４図の手続きによって得られた膜厚分
布の計算結果を比較した図であって、t1（Ｑ）、t
2（Ｑ）はそれぞれ従来法および本発明による計算結果
である。本発明の優位性を示すためにCPU時間も併記し
た。計算に用いたパラメータは、ｌ＝200mm、Ｌ＝300m
m、ξ＝45゜、β＝45゜、 とした。また、スパッタリング粒子の角度分布はコサイ
ン分布に従うものとした。この場合、 と表わされ、したがって である。本発明によれば、計算誤差が−0.0557％の精度
結果が、従来法に較べ約7570倍の処理速度で得られてい
る。上記計算精度は実用上十分すぎる程で、本発明の優
位性は明らかである。
布の計算結果を比較した図であって、t1（Ｑ）、t
2（Ｑ）はそれぞれ従来法および本発明による計算結果
である。本発明の優位性を示すためにCPU時間も併記し
た。計算に用いたパラメータは、ｌ＝200mm、Ｌ＝300m
m、ξ＝45゜、β＝45゜、 とした。また、スパッタリング粒子の角度分布はコサイ
ン分布に従うものとした。この場合、 と表わされ、したがって である。本発明によれば、計算誤差が−0.0557％の精度
結果が、従来法に較べ約7570倍の処理速度で得られてい
る。上記計算精度は実用上十分すぎる程で、本発明の優
位性は明らかである。
第６図は他の実施例のパラメータをそれぞれ示す図で
あって、装置内の物理的状況は、イオン源直径DB、イオ
ン引き出し電極間隔ａ、焦点距離ｆ、イオン源とターゲ
ット間の距離LB、ターゲット直径DT、ターゲットとウエ
ハ間の距離LW、ウエハ直径DW、および図に示す角度α、
β、γによって指定される。
あって、装置内の物理的状況は、イオン源直径DB、イオ
ン引き出し電極間隔ａ、焦点距離ｆ、イオン源とターゲ
ット間の距離LB、ターゲット直径DT、ターゲットとウエ
ハ間の距離LW、ウエハ直径DW、および図に示す角度α、
β、γによって指定される。
第７図は本実施例においてホスト計算機７が行う処理
の概略をフローチャートで表わしたものである。このう
ち、処理11はオペレータによる第６図に示したパラメー
タDB、ａ、ｆ、LB、DT、LW、DW、α、β、γのTSS端末
８からの入力、処理12、13、14、15はホスト計算機７に
よる処理、処理16はグラフィックディスプレイ装置によ
る表示やラインプリンタへの出力、あるいは記憶装置へ
の書き込みである。オペレータが第６図に示したパラメ
ータをTSS端末８のキーボードから入力すると、ホスト
計算機７は引き出し電極Bi（ｉ＝1,…,N）に対応するタ
ーゲット４上の を生成する。引き続きウエハ６上の格子点Ｐを生成し、
Ｐにおける膜厚ｔ（Ｐ）を にしたがい計算し、これをウエハ６上の所望の数の格子
点Ｐについて行う。すべての計算が終了したら計算結果
を記憶装置９に記憶させる。
の概略をフローチャートで表わしたものである。このう
ち、処理11はオペレータによる第６図に示したパラメー
タDB、ａ、ｆ、LB、DT、LW、DW、α、β、γのTSS端末
８からの入力、処理12、13、14、15はホスト計算機７に
よる処理、処理16はグラフィックディスプレイ装置によ
る表示やラインプリンタへの出力、あるいは記憶装置へ
の書き込みである。オペレータが第６図に示したパラメ
ータをTSS端末８のキーボードから入力すると、ホスト
計算機７は引き出し電極Bi（ｉ＝1,…,N）に対応するタ
ーゲット４上の を生成する。引き続きウエハ６上の格子点Ｐを生成し、
Ｐにおける膜厚ｔ（Ｐ）を にしたがい計算し、これをウエハ６上の所望の数の格子
点Ｐについて行う。すべての計算が終了したら計算結果
を記憶装置９に記憶させる。
第８図は本実施例によって得られた膜厚分布の出力例
を示す図である。計算に用いたパラメータはDB＝100、
ａ＝６、ｆ＝400、LB＝300、DT＝100、LW＝200、DW＝15
0、α＝60゜、β＝０゜、γ＝−30゜であり、ホスト計
算機７としてHITACM680Hを用いた。所要計算時間はグラ
フィックも含め約10秒であった。比較のため、同じ物理
的状況を同じ計算機を用いて従来の計算を行う計算時間
は、粗く分割した場合でも約13時間と見積られ、本発明
の優位性は明らかである。
を示す図である。計算に用いたパラメータはDB＝100、
ａ＝６、ｆ＝400、LB＝300、DT＝100、LW＝200、DW＝15
0、α＝60゜、β＝０゜、γ＝−30゜であり、ホスト計
算機７としてHITACM680Hを用いた。所要計算時間はグラ
フィックも含め約10秒であった。比較のため、同じ物理
的状況を同じ計算機を用いて従来の計算を行う計算時間
は、粗く分割した場合でも約13時間と見積られ、本発明
の優位性は明らかである。
上記のように本発明による膜厚分布の計算方法は、高
指向性ビームを用いたスパッタリング法で得られる薄膜
の膜厚分布の計算方法において、高指向性ビーム源上の
点Ｂから出射したビームが、ターゲット上の点Ｐ（x,
y）近傍の原子をスパッタリングし、上記原子がウエハ
上の点Ｑを含む単位面積に到達して成膜される確率（x,
y）の、ビーム中心軸がターゲットと交わる点P0＝Ｐ
（0,0）における値ｆ（0,0）、および微分値 のうち、１つないし全部を含む計算式で計算することに
より、スパッタリング法で得られる蒸発物質の膜厚分布
の計算に要する時間を大幅に（5000倍以上）短縮できる
ので、スパッタリング装置設計における条件の最適化に
極めて有用である。
指向性ビームを用いたスパッタリング法で得られる薄膜
の膜厚分布の計算方法において、高指向性ビーム源上の
点Ｂから出射したビームが、ターゲット上の点Ｐ（x,
y）近傍の原子をスパッタリングし、上記原子がウエハ
上の点Ｑを含む単位面積に到達して成膜される確率（x,
y）の、ビーム中心軸がターゲットと交わる点P0＝Ｐ
（0,0）における値ｆ（0,0）、および微分値 のうち、１つないし全部を含む計算式で計算することに
より、スパッタリング法で得られる蒸発物質の膜厚分布
の計算に要する時間を大幅に（5000倍以上）短縮できる
ので、スパッタリング装置設計における条件の最適化に
極めて有用である。
第１図は本発明による計算方法の対象であるスパッタリ
ング装置の概略を示す図、第２図は上記計算方法に用い
るパラメータをそれぞれ示す図、第３図は本発明を実施
するためのシステム構成を示す図、第４図はホスト計算
機が行う処理のフローチャート、第５図は計算結果の比
較を示す図、第６図は他の実施例のパラメータをそれぞ
れ示す図、第７図はホスト計算機が行う処理のフローチ
ャートを示す図、第８図は上記実施例で得られる膜厚分
布の出力を示す図で、（ａ）は等高線図、（ｂ）は３次
元図である。 ２……高指向性ビーム源、３……ビーム ４……ターゲット、６……ウエハ
ング装置の概略を示す図、第２図は上記計算方法に用い
るパラメータをそれぞれ示す図、第３図は本発明を実施
するためのシステム構成を示す図、第４図はホスト計算
機が行う処理のフローチャート、第５図は計算結果の比
較を示す図、第６図は他の実施例のパラメータをそれぞ
れ示す図、第７図はホスト計算機が行う処理のフローチ
ャートを示す図、第８図は上記実施例で得られる膜厚分
布の出力を示す図で、（ａ）は等高線図、（ｂ）は３次
元図である。 ２……高指向性ビーム源、３……ビーム ４……ターゲット、６……ウエハ
Claims (2)
- 【請求項１】高指向性ビームを用いたスパッタリング法
で得られる薄膜の膜厚分布の計算方法において、高指向
性ビーム源上の点Ｂから出射したビームが、ターゲット
上の点Ｐ（x,y）近傍の原子をスパッタリングし、上記
原子がウエハ上の点Ｑを含む単位面積に到達して成膜さ
れる確率ｆ（x,y）の、ビーム中心軸がターゲットと交
わる点P0＝Ｐ（0,0）における値ｆ（0,0）、および微分
値 のうち、１つないし全部を含む計算式で計算することを
特徴とする膜厚分布の計算方法。 - 【請求項２】上記ｆ（0,0）、および微分値 の各係数は、ビーム中心軸に対するターゲット法線がな
す角ξ、ビーム拡がり角θ０、点Ｂと点P0との距離ｌと
により、それぞれ1, とするつぎの式 により計算することを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載した膜厚分布の計算方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1297453A JP2583620B2 (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | 膜厚分布の計算方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1297453A JP2583620B2 (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | 膜厚分布の計算方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03158464A JPH03158464A (ja) | 1991-07-08 |
| JP2583620B2 true JP2583620B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=17846707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1297453A Expired - Lifetime JP2583620B2 (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | 膜厚分布の計算方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583620B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102909086B1 (ko) * | 2023-08-22 | 2026-01-13 | 한국생산기술연구원 | 증착소스 배열 설계 방법 및 이를 이용한 균일 코팅 장치 및 균일 코팅 시스템 |
-
1989
- 1989-11-17 JP JP1297453A patent/JP2583620B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03158464A (ja) | 1991-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6039000A (en) | Focused particle beam systems and methods using a tilt column | |
| US7094312B2 (en) | Focused particle beam systems and methods using a tilt column | |
| US5541411A (en) | Image-to-image registration focused ion beam system | |
| US7611610B2 (en) | Method and apparatus for controlling topographical variation on a milled cross-section of a structure | |
| EP3980970A1 (en) | Cross section imaging with improved 3d volume image reconstruction accuracy | |
| US10879055B2 (en) | Techniques, system and apparatus for selective deposition of a layer using angled ions | |
| CN116125462B (zh) | 一种纯角度量测下机动目标跟踪方法 | |
| CN109949346A (zh) | 基于方向梯度直方图粒子滤波的焊缝跟踪方法 | |
| US20150270102A1 (en) | Focused ion beam apparatus | |
| US20190355550A1 (en) | Volume Scanning Electron Microscopy of Serial Thick Tissue Sections with Gas Cluster Milling | |
| JP2583620B2 (ja) | 膜厚分布の計算方法 | |
| US10755891B2 (en) | Systems and methods of aberration correction for atom probe tomography | |
| Bachurin et al. | Wavelike periodic structures on the Silicon surface initiated by irradiation with a focused Gallium ion beam | |
| KR102629571B1 (ko) | 재구성된 체적체에 기초한 라멜라 정렬 | |
| US20230186459A1 (en) | Pattern measuring method | |
| CN117115575B (zh) | 一种基于尺度空间理论的改进rpca红外小目标检测方法 | |
| US11133149B2 (en) | Focused ion beam apparatus | |
| JPH08171549A (ja) | 形状シミュレーション方法 | |
| JP2660023B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| US11817395B2 (en) | Depositive shielding for fiducial protection from redeposition | |
| CN115980870B (zh) | 一种嵌入式的红外空间非合作目标去帆板方法 | |
| JP2000178729A (ja) | スパッター粒子軌道のシミュレーション方法 | |
| WO2026064334A1 (en) | Lamella lift-out geometry based on sample plane orientation | |
| JP2609698B2 (ja) | 蒸発物質の指向性及び膜厚分布の予測方法 | |
| CN121503002A (zh) | 一种用于电大尺寸目标电磁加速计算的波束分解方法 |