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JP2587632B2 - Semiconductor device - Google Patents
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JP2587632B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JP2587632B2
JP2587632B2 JP62088691A JP8869187A JP2587632B2 JP 2587632 B2 JP2587632 B2 JP 2587632B2 JP 62088691 A JP62088691 A JP 62088691A JP 8869187 A JP8869187 A JP 8869187A JP 2587632 B2 JP2587632 B2 JP 2587632B2
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leads
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淳 越村
坦 松下
正企 津島
満晴 清水
秀夫 有賀
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  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関するもので、特にダイパッド
を排除した特定の形状のリードフレーム上にダイボンデ
ィング接着剤を使用することなく半導体ペレットを固定
しうる特定構造のダイパッドテープを用いた半導体装置
に関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a method for fixing a semiconductor pellet on a lead frame having a specific shape without a die pad without using a die bonding adhesive. The present invention relates to a semiconductor device using a die pad tape having a specific structure.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の半導体装置は第1図および第2図に示すような
ダイパッド1、リード2およびサポートバー3から構成
されるリードフレームのダイパッドの上に、第2図に示
すようにダイボンディング接着層5を介して半導体ペレ
ット4を載置し、該ペレット上に形成された電極7とリ
ード2とを接続したボンディングワイヤー6と共に封止
樹脂8により一体化した構成を有する。
In a conventional semiconductor device, as shown in FIG. 2, a die bonding adhesive layer 5 is formed on a die pad of a lead frame including a die pad 1, a lead 2 and a support bar 3 as shown in FIGS. A semiconductor pellet 4 is placed via the intermediary, and is integrated by a sealing resin 8 together with a bonding wire 6 connecting an electrode 7 and a lead 2 formed on the pellet.

この場合、リードフレームを構成するダイパッドは、
多種多様をきわめる半導体ペレットの大きさ、形状に対
応すべくその寸法、形状を変更する必要があり、これに
付随してリードの寸法、形状にも変更を余儀なくされ
る。このように多種多様の半導体ペレットに合わせてリ
ードフレームの設計変更をすることは、リードフレーム
の金型を何種類も作製しなければならず金型の費用、ひ
いてはリードフレームが高価となって問題が多い。
In this case, the die pad constituting the lead frame is
It is necessary to change the size and shape of the semiconductor pellet to correspond to the size and shape of the semiconductor pellet, which is extremely diverse, and accordingly, the size and shape of the lead must be changed. Changing the design of the lead frame in accordance with a wide variety of semiconductor pellets in this way requires the production of many types of lead frame dies, which increases the cost of the dies and, consequently, the cost of the lead frame. There are many.

又、半導体ペレットを固定するためのダイボンディン
グ接着剤は通常銀を成分とする導電性ペーストの状態に
て適用されるので半導体装置の組立上、その取扱い性あ
るいはペースト自体の保存安定性に問題があった。
In addition, since the die bonding adhesive for fixing the semiconductor pellet is usually applied in the form of a conductive paste containing silver as a component, there is a problem in assembling the semiconductor device, handling the semiconductor device, or preserving the paste itself. there were.

又、ダイパッドの背面は封止樹脂との接着封止性が悪
いために、リードと封止樹脂との界面から侵入した外部
からの水分が溜り易く、半導体装置をサーキット板に面
実装する際のはんだ付け工程の加熱処理の際これがもと
で水分の急激な膨張により封止樹脂等に内部応力を生じ
易く、さらに又、半導体ペレットとダイパッドの熱膨張
率の差によって生ずる応力により半導体ペレットや封止
樹脂にクラックが生じるなどの問題を有する。
In addition, since the back surface of the die pad has poor adhesion and sealing properties with the sealing resin, it is easy for moisture from the outside that has entered from the interface between the lead and the sealing resin to accumulate, which is a problem when the semiconductor device is surface-mounted on a circuit board. During the heat treatment in the soldering process, internal stress is easily generated in the sealing resin and the like due to rapid expansion of water due to this, and the semiconductor pellet and the sealing are caused by the stress generated by the difference in the thermal expansion coefficient between the semiconductor pellet and the die pad. There is a problem that cracks occur in the resin.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

本発明は上記の実情に鑑みてなされたものであり、リ
ード数の同じ半導体装置のリードフレームの統一化をは
かり、各種の大きさ、形状を有する半導体ペレットに対
応すべく半導体装置を組立てる際に煩雑さを解消すると
同時に信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的
とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and aims to unify the lead frame of a semiconductor device having the same number of leads, and when assembling a semiconductor device to accommodate semiconductor pellets having various sizes and shapes. An object of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor device while eliminating complexity.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明の概要はダイパッドの排除されたリードフレー
ムおよび該リードフレームのリード先端を含んで覆う大
きさを有するダイパッドテープに搭載された半導体ペレ
ットを封止してなる半導体装置において、リードフレー
ムを構成するリードのうち所望の本数のリードがダイパ
ッド空隙部に突出し、かつ、突出したリードの先端部が
他のリードに比べて広い面積に構成されるか、あるいは
突出したリードの先端部が他のリードの先端部と互いに
結合して架橋部が形成されており、前記ダイパッドテー
プが、支持体と、その一方の面に設けた半導体ペレット
を支持体に固定するための第1の接着層と、他方の面に
支持体をリードに固定するための第2の接着層とからな
る半導体装置とする。
An outline of the present invention constitutes a lead frame in a semiconductor device formed by sealing a semiconductor pellet mounted on a die pad tape having a size covering a lead frame from which a die pad is eliminated and a lead end of the lead frame. A desired number of leads among the leads protrude into the die pad gap, and the protruding tip of the lead is configured to have a larger area than other leads, or the protruding tip of the lead is formed of another lead. The die pad tape is bonded to the tip portion to form a bridge portion, and the die pad tape includes a support, a first adhesive layer for fixing a semiconductor pellet provided on one surface thereof to the support, and a second adhesive layer. A semiconductor device comprising a surface and a second adhesive layer for fixing a support to leads.

次に本発明を図面により説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

本発明の半導体装置の一例は第3図に示す断面図のと
おりで、ダイパッドテープの支持体10の上面の第1の接
着層11には半導体ペレット4が直接接着して固定され、
一方支持体の下面の第2の接着層12はリードフレームの
リード2の上に接着され、電極7とリード2とを接続し
たボンディングワイヤー6と共に封止樹脂8により一体
化した構成をなしている。なお9は空隙部である。
An example of the semiconductor device of the present invention is as shown in the cross-sectional view of FIG. 3, and the semiconductor pellet 4 is directly bonded and fixed to the first adhesive layer 11 on the upper surface of the support 10 of the die pad tape,
On the other hand, the second adhesive layer 12 on the lower surface of the support is adhered onto the lead 2 of the lead frame, and is integrated with the bonding wire 6 connecting the electrode 7 and the lead 2 with the sealing resin 8. . Reference numeral 9 denotes a void.

この場合、本発明の半導体装置の封止材料は樹脂によ
る封止に限定されるものではなく、例えばサーデイップ
タイプやサーパックタイプによる封止であってもよい。
In this case, the sealing material of the semiconductor device of the present invention is not limited to the sealing with a resin, but may be a sealing type or a sealing type, for example.

なお本発明でいうダイパッドテープは第4図または第
5図に示す如く、従来のダイパッドを排除した構成を有
するリードフレームに適用するもので、その空隙部9の
位置においてリード2の上に半導体ペレットの形状、大
きさに合わせて任意の寸法に作成されて接着載置される
ものである。
The die pad tape according to the present invention is applied to a lead frame having a structure excluding a conventional die pad as shown in FIG. 4 or FIG. Is formed in an arbitrary size in accordance with the shape and size of the device, and is mounted by bonding.

なお図において2はリード、9は空隙部、13は空隙部
に突出したリード、14aは広幅部、14bは架橋部である。
In the drawing, 2 is a lead, 9 is a void, 13 is a lead protruding into the void, 14a is a wide portion, and 14b is a bridge.

〔作用〕[Action]

本発明では第4図に示したとおり、リードの先端部を
他のリードに比べて広い面積に構成することにより、最
少限のリード本数でダイパッドテープに対する安定した
平面性が得られ、テープに対する好適な支持材料として
の機能を発揮することができる。
In the present invention, as shown in FIG. 4, by forming the leading end of the lead to have a larger area than the other leads, a stable flatness with respect to the die pad tape can be obtained with a minimum number of leads, which is suitable for the tape. It can exhibit its function as a support material.

また、第5図に示したように、突出したリードの先端
同志を結合して架橋部を形成する、いわゆる連結リード
にすることにより、力学的にも安定し良好な平面性と装
置の組立てラインの過程での耐振動性などにおいても好
適であるばかりでなく、リードを電源リードとして使用
する場合において、連結リードの方が電圧が安定化し、
かつ、バックバイアスを必要とする半導体素子を搭載す
る場合、素子の安定化に有利であるという作用効果を奏
するものである。
Also, as shown in FIG. 5, by forming a cross-linking portion by connecting the tips of the protruding leads to form a so-called connecting lead, it is mechanically stable and has good flatness and an assembly line of the apparatus. Not only is it suitable for vibration resistance in the process of, but also when the lead is used as a power supply lead, the connection lead stabilizes the voltage,
In addition, when a semiconductor element requiring a back bias is mounted, there is an operational effect that is advantageous for stabilizing the element.

(接着剤) 支持体の両面に用いられる接着剤について述べれば、
第1の接着層は半導体ペレットを支持体に固定するため
のものであり、第2の接着層は支持体をリードに固定す
るためのものであって、耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を5〜50μm好ましくは20〜30μmの塗布厚と
なるように半硬化(Bステージ)の状態で塗布して形成
される。
(Adhesive) Regarding the adhesive used on both sides of the support,
The first adhesive layer is for fixing the semiconductor pellet to the support, and the second adhesive layer is for fixing the support to the lead, and is made of a heat-resistant epoxy resin, polyimide resin, or the like. It is formed by coating in a semi-cured (B stage) state so as to have a coating thickness of 5050 μm, preferably 20-30 μm.

この場合、実際の組立てに当っては、先にリード表面
に第2の接着層を以て熱硬化させながらテープを接着す
る。ただしこの段階では第1の接着層は完全に硬化しな
いようにする。次にペレットを第1の接着層に接着せし
め、第1、第2の接着層を同時に完全に硬化せしめる。
従って、第1の接着層の硬化温度は第2の接着層の硬化
温度より高い方が望ましい。
In this case, in actual assembling, the tape is first adhered to the lead surface while being thermally cured with a second adhesive layer. However, at this stage, the first adhesive layer is not completely cured. Next, the pellet is adhered to the first adhesive layer, and the first and second adhesive layers are simultaneously completely cured.
Therefore, it is desirable that the curing temperature of the first adhesive layer be higher than the curing temperature of the second adhesive layer.

〔支持体〕 支持体は例えば厚さ10〜150μm、好ましくは25〜75
μmのポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテル・エーテルケトン等の耐
熱性フィルムや、エポキシ樹脂をガラスクロスに含浸
し、加熱硬化もしくは半硬化したエポキシガラスクロ
ス、エポキシ・ポリイミド・ガラスクロス、ガラスクロ
スにビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)を含浸
させたBTレジンガラスクロス等の耐熱テープが用いられ
る。
[Support] The support is, for example, 10 to 150 μm in thickness, preferably 25 to 75 μm.
Heat-resistant or semi-cured epoxy glass cloth, epoxy-polyimide glass cloth, glass impregnated with heat-resistant film such as polyimide, polyetherimide, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, etc. A heat-resistant tape such as a BT resin glass cloth impregnated with a bismaleimide triazine resin (BT resin) is used.

〔実施例〕〔Example〕

実施例1. 厚さ50μmのポリイミド樹脂フィルム(「ユーピレッ
クスS」宇部興産社製)からなる支持体の片面に第1の
接着層として下記配合の塗液を乾燥後の塗布厚が20μm
となるように塗布乾燥した。
Example 1 A coating solution having the following composition was dried as a first adhesive layer on one surface of a support made of a polyimide resin film ("UPILEX S" manufactured by Ube Industries, Ltd.) having a thickness of 50 [mu] m to have a coating thickness of 20 [mu] m.
And dried.

エポキシ樹脂(「エピコート1001」油化シエルエポキシ
社製)80%MEK溶液 ………120重量部 ジシアンジアミド(和光純薬社製) ………10重量部 ポリアミド樹脂(「#6900」ヘンケル白水社製)メタノ
ール/トルエン(1:1)20%溶液 ………100重量部 次に第2の接着層として下記配合の塗液を乾燥後の塗
布厚が20μmとなるように塗布乾燥した。
Epoxy resin (“Epicoat 1001” manufactured by Yuka Shell Epoxy) 80% MEK solution ……… 120 parts by weight Dicyandiamide (Wako Pure Chemical Industries) ……… 10 parts by weight Polyamide resin (“# 6900” manufactured by Henkel Hakusui) 20% methanol / toluene (1: 1) solution 100 parts by weight Next, a coating solution having the following composition was applied as a second adhesive layer and dried so that the coating thickness after drying was 20 μm.

エポキシ樹脂(「EOCN−102」、日本化薬社製) 10重量
部 ポリエステル樹脂(「KA−1036」、荒川化学社製)50重
量部 イミダゾール系硬化剤(「2PZ」、四国化成社製) 10重
量部 メチルエチルケトン 100重量部 得られたダイパッドテープを所望の大きさに切断して
第4図(イ)に示す形状の、鉄系の金属板例えばコバー
ル板を打ち抜き加工してなるリードフレームに第2の接
着層により加熱接着した後、順次第3図に示すような半
導体装置を組立てた。
Epoxy resin (EOCN-102, Nippon Kayaku) 10 parts by weight Polyester resin (KA-1036, Arakawa Chemical) 50 parts by weight Imidazole-based curing agent (2PZ, Shikoku Chemicals) 10 100 parts by weight Methyl ethyl ketone 100 parts by weight The obtained die pad tape is cut into a desired size, and a lead frame formed by punching an iron-based metal plate such as a Kovar plate having a shape shown in FIG. Then, the semiconductor devices as shown in FIG. 3 were sequentially assembled.

得られた半導体装置について、実装試験による信頼性
を見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定
した接着性が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ
ーも良好で信頼性のある半導体装置を構成することがで
きた。
When the reliability of the obtained semiconductor device was checked by a mounting test, no current leakage of the adhesive layer was observed, and stable adhesiveness was confirmed. In addition, a reliable semiconductor device having good wire bondability could be formed.

実施例2. 厚さ50μmのポリイミド樹脂フィルム(「ユーピレッ
クスS」宇部興産社製)からなる支持体の片面に、第1
の接着層としてポリウレタン系樹脂(「チッソレックス
372」チッソ社製)のジメチルホルムアミド/メチルエ
チルケトン=2/1の43%溶液70重量部とフェノール・ノ
ボラック・エポキシ樹脂(「EPPN−201」、日本化薬社
製)のメチルエチルケトン20%溶液30重量部との混合液
を半硬化の状態になるよう120℃5分間の加熱条件で乾
燥後の塗布厚が40μmとなるように塗布し加熱乾燥し
た。
Example 2 A support made of a 50 μm thick polyimide resin film (“UPILEX S” manufactured by Ube Industries, Ltd.)
Polyurethane resin ("Chisso Rex
372 "70% by weight of a 43% solution of dimethylformamide / methyl ethyl ketone = 2/1 in Chisso Corporation and 30 parts by weight of a 20% solution of phenol novolak epoxy resin (" EPPN-201 ", Nippon Kayaku) in methyl ethyl ketone Was applied under a heating condition of 120 ° C. for 5 minutes so as to be in a semi-cured state, so that a coating thickness after drying was 40 μm, and was heated and dried.

次に実施例1にて使用した第2の接着層を設けて本発
明のダイパッドテープを作成した。
Next, the second adhesive layer used in Example 1 was provided to prepare a die pad tape of the present invention.

得られたダイパッドテープを所望の大きさに切断後第
4図(ロ)に示すリードフレームに接着層により加熱接
着した後、第3図に示す半導体装置を組立てた。
After the obtained die pad tape was cut into a desired size and then bonded to a lead frame shown in FIG. 4 (b) by heating with an adhesive layer, the semiconductor device shown in FIG. 3 was assembled.

得られた半導体装置について、実装試験による信頼性
を見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定
した接着性が確認された。又、ワイヤボンダビリティー
も良好で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
When the reliability of the obtained semiconductor device was checked by a mounting test, no current leakage of the adhesive layer was observed, and stable adhesiveness was confirmed. In addition, a reliable semiconductor device having good wire bondability was able to be constructed.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明は上記の構成よりなるのでダイパッドテープを
半導体ペレットの形状、寸法に合わせて任意に裁断して
リードフレームの半導体ペレット搭載部に供給すること
ができ、ペレット、リードフレームの設計製作上効率化
とコストダウンに有効であり、又、ペースト状のダイボ
ンディング接着剤が不要となるので装置の組立上作業性
がよい。
Since the present invention has the above-described configuration, the die pad tape can be arbitrarily cut in accordance with the shape and dimensions of the semiconductor pellet and supplied to the semiconductor pellet mounting portion of the lead frame, thereby improving the efficiency in designing and manufacturing the pellet and the lead frame. This is effective for cost reduction, and the paste-type die bonding adhesive is not required, so that the workability in assembling the apparatus is good.

又、ダイパッドテープを構成する接着層と封止樹脂と
の接着性が良好なので、急激な水分の膨張により封止樹
脂にクラックが発生する心配もなく、かつ半導体ペレッ
トとダイパッドテープ間の熱膨張率の差によって生ずる
応力が小さいので半導体ペレットのクラックの発生もな
く、さらに又、リードのうち所望のリードの先端部をダ
イパッド空隙部に突出させて、その先端部を面積を大き
くするか、あるいは架橋部を設けるかしているので、ダ
イパッドテープの支持が安定するとともに、従来のリー
ドフレームにあるようなリードの先端とダイパッドとの
間の隙間に相当するものがないので、モールド加工時に
ボンディングワイヤーが流れたり、切れたりすることが
ない効果も期待でき極めて信頼性の高い半導体装置を提
供することができる。
In addition, because the adhesiveness between the adhesive layer and the sealing resin constituting the die pad tape is good, there is no fear that cracks may occur in the sealing resin due to rapid expansion of moisture, and the coefficient of thermal expansion between the semiconductor pellet and the die pad tape. Since the stress caused by the difference between the leads is small, there is no occurrence of cracks in the semiconductor pellet. Further, the tip of the desired lead among the leads is protruded into the die pad gap to increase the area of the tip or to bridge the area. Because the part is provided, the support of the die pad tape is stable, and there is no equivalent to the gap between the tip of the lead and the die pad as in the conventional lead frame, so the bonding wire is It is possible to provide an extremely reliable semiconductor device which can be expected to have an effect of not flowing or cutting.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図、第2図は従来の半導体装置の一例を示す斜視図
および断面図、第3図は本発明の実施例を示す断面図、
第4図及び第5図は本発明で用いられるリードフレーム
例を示す正面図。 2……リード、4……半導体ペレット、6……ボンディ
ングワイヤー、8……封止材料、9……ダイパッド空隙
部、10……支持体、11……第1の接着層、12……第2の
接着層。
1 and 2 are a perspective view and a sectional view showing an example of a conventional semiconductor device. FIG. 3 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
4 and 5 are front views showing examples of a lead frame used in the present invention. 2 ... lead, 4 ... semiconductor pellet, 6 ... bonding wire, 8 ... sealing material, 9 ... die pad gap, 10 ... support, 11 ... first adhesive layer, 12 ... second 2, adhesive layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 越村 淳 静岡市用宗巴町3番1号 株式会社巴川 製紙所技術研究所内 (72)発明者 松下 坦 静岡市用宗巴町3番1号 株式会社巴川 製紙所技術研究所内 (72)発明者 津島 正企 静岡市用宗巴町3番1号 株式会社巴川 製紙所技術研究所内 (72)発明者 清水 満晴 中野市草間五里原1216番地 高丘工業団 地新光電気工業株式会社高丘工場内 (72)発明者 有賀 秀夫 中野市草間五里原1216番地 高丘工業団 地新光電気工業株式会社高丘工場内 (56)参考文献 特開 昭60−167454(JP,A) 特開 昭57−97659(JP,A) 特開 昭60−68639(JP,A) 特開 昭61−12095(JP,A) 特開 昭63−216365(JP,A) 実開 昭57−83753(JP,U) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Atsushi Koshimura, Inventor 3-1, Yosobamachi, Shizuoka City Inside the Technical Research Laboratory of Hamakawa Paper Mill Co., Ltd. (72) Inventor Tan Matsushita 3-1, Yosobamachi, Shizuoka City Shares (72) Inventor, Masaki Tsushima, 3-1 Yosoba-cho, Shizuoka-shi In-house Technical Research Laboratory, (72) Inventor, Mitsuharu Shimizu 1216, Gorihara Kusama, Nakano-shi Takaoka Kogyo Co., Ltd. Inside the Shinko Electric Industrial Co., Ltd. Takaoka Factory (72) Inventor Hideo Ariga 1216 Kusama Gorihara Nakano City Takaoka Industrial Park In the Shinoka Electric Industrial Co., Ltd. Takaoka Factory (56) References JP-A-60-167454 (JP) JP-A-57-97659 (JP, A) JP-A-60-68639 (JP, A) JP-A-61-12095 (JP, A) JP-A-63-216365 (JP, A) 57-83753 (J , U)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ダイパッドが排除されたリードフレームお
よび該リードフレームのリードの先端を含んで覆う大き
さを有するダイパッドテープに搭載された半導体ペレッ
トを封止してなる半導体装置において、リードフレーム
を構成するリードのうち所望の本数のリードがダイパッ
ド空隙部に突出し、かつ、突出したリードの先端部が他
のリードに比べて広い面積に構成され、かつ、ダイパッ
ドテープが支持体と、その一方の面に設けた半導体ペレ
ットを支持体に固定するための第1の接着層と、他方の
面に設けた支持体をリードに固定するための第2の接着
層とから構成されていることを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device comprising: a lead frame from which a die pad has been removed; and a semiconductor device comprising a semiconductor pellet mounted on a die pad tape having a size including a tip of a lead of the lead frame. A desired number of leads among the leads to be formed protrude into the die pad gap, and the protruding tips have a larger area than the other leads, and the die pad tape has a support and one surface thereof. A first adhesive layer for fixing the semiconductor pellet provided on the substrate to the support, and a second adhesive layer for fixing the support provided on the other surface to the lead. Semiconductor device.
【請求項2】ダイパッドが排除されたリードフレームお
よび該リードフレームのリードの先端を含んで覆う大き
さを有するダイパッドテープに搭載された半導体ペレッ
トを封止してなる半導体装置において、リードフレーム
を構成するリードのうち所望の本数のリードがダイパッ
ド空隙部に突出し、かつ、突出したリードの先端部が他
のリードの先端部と互いに結合して架橋部を形成し、か
つダイパッドテープが支持体と、その一方の面に設けた
半導体ペレットを支持体に固定するための第1の接着層
と、他方の面に設けた支持体をリードに固定するための
第2の接着層とから構成されていることを特徴とする半
導体装置。
2. A semiconductor device comprising: a lead frame from which a die pad is removed; and a semiconductor device in which a semiconductor pellet mounted on a die pad tape having a size covering a lead end of the lead frame is covered. The desired number of leads among the leads to be projected into the die pad gap, and the tips of the protruded leads are combined with the tips of the other leads to form a bridge, and the die pad tape has a support, It is composed of a first adhesive layer provided on one surface for fixing the semiconductor pellet to the support, and a second adhesive layer provided on the other surface for fixing the support to the lead. A semiconductor device characterized by the above-mentioned.
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