JP2587945B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JP2587945B2 JP2587945B2 JP62194806A JP19480687A JP2587945B2 JP 2587945 B2 JP2587945 B2 JP 2587945B2 JP 62194806 A JP62194806 A JP 62194806A JP 19480687 A JP19480687 A JP 19480687A JP 2587945 B2 JP2587945 B2 JP 2587945B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resistance
- gas
- thin film
- introduction amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は導電性を有する金属化合物の薄膜等を形成す
る巻取式スパッタ装置に係り、特に反応性スパッタリン
グ法により酸化インジウム・スズ薄膜を形成させる薄膜
形成装置に関する。
る巻取式スパッタ装置に係り、特に反応性スパッタリン
グ法により酸化インジウム・スズ薄膜を形成させる薄膜
形成装置に関する。
従来の技術 近年、電子部品、電子機器等の分野において、導電
体、抵抗体その他の薄膜を合成樹脂フィルム等（以下被
着基体という）上に形成することが行われている。この
種の薄膜をその面積抵抗が再現性よく分布特性もまた均
一に形成することは重要であり、そのため形成装置自体
の信頼性を向上するように努力が払われている。
体、抵抗体その他の薄膜を合成樹脂フィルム等（以下被
着基体という）上に形成することが行われている。この
種の薄膜をその面積抵抗が再現性よく分布特性もまた均
一に形成することは重要であり、そのため形成装置自体
の信頼性を向上するように努力が払われている。
一般に反応性スパッタリング法により酸化インジウム
・スズ薄膜（以下ITO被膜という）を形成する場合、反
応性ガスとして用いる酸素ガスの流量制御が膜の面積抵
抗に大きく影響を与えることが知られており、酸素ガス
流量を制御することでITO被膜の面積抵抗分布を均一化
する方法も一般的である。
・スズ薄膜（以下ITO被膜という）を形成する場合、反
応性ガスとして用いる酸素ガスの流量制御が膜の面積抵
抗に大きく影響を与えることが知られており、酸素ガス
流量を制御することでITO被膜の面積抵抗分布を均一化
する方法も一般的である。
第３図に従来用いられている薄膜形成装置の要部の系
統説明図を示す。本図において、１はターゲット、２は
被着基体、３は表面が金属材料からなる抵抗測定用ロー
ル、６および６′は酸素ガス噴出管を示し、これらが図
外の真空槽内に配置されている。被着基体２が陰極であ
るターゲット１の上方を通過する際にスパッタされたイ
ンジウム・スズ原子は酸素ガス噴出管６および６′より
噴出した酸素ガスとの反応によりITO被膜が形成され、
連続的に抵抗測定用ロール３へ送られる。前記被着基体
２が抵抗測定用ロール３を通過する際に、測定した面積
抵抗値を演算回路装置４で電圧値に換算し、ガス導入量
制御装置５を制御することにより、前記酸素ガス噴出管
６および６′より噴出する酸素ガスの流量を制御してい
る。
統説明図を示す。本図において、１はターゲット、２は
被着基体、３は表面が金属材料からなる抵抗測定用ロー
ル、６および６′は酸素ガス噴出管を示し、これらが図
外の真空槽内に配置されている。被着基体２が陰極であ
るターゲット１の上方を通過する際にスパッタされたイ
ンジウム・スズ原子は酸素ガス噴出管６および６′より
噴出した酸素ガスとの反応によりITO被膜が形成され、
連続的に抵抗測定用ロール３へ送られる。前記被着基体
２が抵抗測定用ロール３を通過する際に、測定した面積
抵抗値を演算回路装置４で電圧値に換算し、ガス導入量
制御装置５を制御することにより、前記酸素ガス噴出管
６および６′より噴出する酸素ガスの流量を制御してい
る。
該酸素ガス噴出管６および６′には被着基体２の移送
方向と直行する方向（以下基体幅方向という）の面積抵
抗値が均一となるように酸素ガスの分圧分布を設定する
ために数個所の噴出口が予め設けられており、基体幅方
向と移送方向の面積抵抗値を均一とすることが可能とな
る。
方向と直行する方向（以下基体幅方向という）の面積抵
抗値が均一となるように酸素ガスの分圧分布を設定する
ために数個所の噴出口が予め設けられており、基体幅方
向と移送方向の面積抵抗値を均一とすることが可能とな
る。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、前記酸素ガス噴出管６および６′に設
けるガス噴出口の間隔は気流の方向、流速、淀み等を考
慮しながら試行錯誤により決定する以外に方法がなく、
最適条件を求めることは容易ではない。さらに、反応性
スパッタリング法においては、処理気圧の変化、ターゲ
ット表面のエロージョン状態および酸化度合等が刻々変
化し、これらが直接的にITO被膜の面積抵抗に影響を与
え、必ずしも所望する面積抵抗分布を有するITO被膜を
得ることは困難である。
けるガス噴出口の間隔は気流の方向、流速、淀み等を考
慮しながら試行錯誤により決定する以外に方法がなく、
最適条件を求めることは容易ではない。さらに、反応性
スパッタリング法においては、処理気圧の変化、ターゲ
ット表面のエロージョン状態および酸化度合等が刻々変
化し、これらが直接的にITO被膜の面積抵抗に影響を与
え、必ずしも所望する面積抵抗分布を有するITO被膜を
得ることは困難である。
第４図は従来の装置により連続的に形成したITO被膜
の任意の一部を幅方向に沿って測定した面積抵抗即ち、
面積抵抗の分布を示す。第４図においては前記条件が変
動するため、所望する特性が得られていないことが判
る。しかるに近年注目されている透明タッチパネル用途
においては、面積抵抗分布特性の均一化は最も要求され
る仕様の一つとなっており、特に広幅の製品を得るには
現状の特性では満足できないのが実情である。
の任意の一部を幅方向に沿って測定した面積抵抗即ち、
面積抵抗の分布を示す。第４図においては前記条件が変
動するため、所望する特性が得られていないことが判
る。しかるに近年注目されている透明タッチパネル用途
においては、面積抵抗分布特性の均一化は最も要求され
る仕様の一つとなっており、特に広幅の製品を得るには
現状の特性では満足できないのが実情である。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、スパッタ
条件の変化に充分対応でき、均一な面積抵抗分布を有す
るITO被膜を形成させることを可能とした薄膜形成装置
を提供することを目的としている。
条件の変化に充分対応でき、均一な面積抵抗分布を有す
るITO被膜を形成させることを可能とした薄膜形成装置
を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 本発明に係る薄膜形成装置は、移送中の合成樹脂フィ
ルム等の被着基体に導電性を有する金属化合物の薄膜を
真空槽内で形成させる薄膜形成装置であって、被着基体
の幅方向に設けられ被着基体に回転接触する回転電極
と、回転電極が接触した被着基体領域の抵抗を測定する
抵抗測定装置と、真空槽内へのガス導入量を制御するガ
ス導入量制御装置と、基端が導入量制御装置に接続され
先端が前記回転電極と同じ位置に開口したガス噴出管
と、前記抵抗測定装置とガス導入量制御装置との間に接
続された制御部とを１組とする複数組を具備しており、
かつ、前記制御部は、抵抗測定装置で測定された測定値
と予め設定された基準値とを比較演算し、その演算結果
に基づいてガス導入量制御装置を介してガス噴出管から
噴出するガス量をそれぞれ独立して制御するようにした
ことを特徴としている。
ルム等の被着基体に導電性を有する金属化合物の薄膜を
真空槽内で形成させる薄膜形成装置であって、被着基体
の幅方向に設けられ被着基体に回転接触する回転電極
と、回転電極が接触した被着基体領域の抵抗を測定する
抵抗測定装置と、真空槽内へのガス導入量を制御するガ
ス導入量制御装置と、基端が導入量制御装置に接続され
先端が前記回転電極と同じ位置に開口したガス噴出管
と、前記抵抗測定装置とガス導入量制御装置との間に接
続された制御部とを１組とする複数組を具備しており、
かつ、前記制御部は、抵抗測定装置で測定された測定値
と予め設定された基準値とを比較演算し、その演算結果
に基づいてガス導入量制御装置を介してガス噴出管から
噴出するガス量をそれぞれ独立して制御するようにした
ことを特徴としている。
作用 移送される被着基体は回動自在に設けられたＮ個の回
転電極および抵抗測定装置によって面積抵抗値が測定さ
れ、この測定値がそれぞれ制御部へ送られる。制御部は
予め設定した基準値と前記測定値とを比較演算する。そ
してこの演算結果に基づく信号をＮ組のガス導入量制御
装置に送り、流量制御装置はＮ組の反応性ガス噴出管
（例えば酸素ガス噴出管）から噴出する反応性ガスの量
をそれぞれ独立的に制御する。
転電極および抵抗測定装置によって面積抵抗値が測定さ
れ、この測定値がそれぞれ制御部へ送られる。制御部は
予め設定した基準値と前記測定値とを比較演算する。そ
してこの演算結果に基づく信号をＮ組のガス導入量制御
装置に送り、流量制御装置はＮ組の反応性ガス噴出管
（例えば酸素ガス噴出管）から噴出する反応性ガスの量
をそれぞれ独立的に制御する。
実施例 本発明は形成される薄膜の部分的抵抗値（比抵抗も含
む）の測定個所を被着基体の基体幅方向に４個の測定子
を１組とするＮ組に分割して設け、各々の測定個所に対
応する位置にある酸素ガス噴出管より噴出する酸素ガス
の流量を独立して制御可能としたものである。即ち、被
着基体の幅方向Ｎ個所にわたり測定した抵抗値が基準値
に近づくようにＮ個所のガス導入量制御装置を制御する
ことにより、被着基体の幅方向および移送方向において
均一にできる装置である。以下本発明の一実施例を図面
にしたがって説明する。
む）の測定個所を被着基体の基体幅方向に４個の測定子
を１組とするＮ組に分割して設け、各々の測定個所に対
応する位置にある酸素ガス噴出管より噴出する酸素ガス
の流量を独立して制御可能としたものである。即ち、被
着基体の幅方向Ｎ個所にわたり測定した抵抗値が基準値
に近づくようにＮ個所のガス導入量制御装置を制御する
ことにより、被着基体の幅方向および移送方向において
均一にできる装置である。以下本発明の一実施例を図面
にしたがって説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜形成装置の要部
系統図である。
系統図である。
ターゲット１の近傍で被着基体２の幅方向のＮ個所に
酸素ガス噴出管10を、また真空槽外に同数のガス導入量
制御装置９を設置し、各々を配管で結合する。11は抵抗
測定装置であり、この抵抗測定装置11はターゲット１の
上方を，通過した被着基体２が巻取られるまでの間にIT
O被膜を傷付けないように設けられてある。３はガイド
ロールであって、このガイドロール３は前記回転電極７
の裏面側であり、被着基体２をガイドするとともに回転
電極７をほどよく被着基体２に接触させる役目を果たし
ている。
酸素ガス噴出管10を、また真空槽外に同数のガス導入量
制御装置９を設置し、各々を配管で結合する。11は抵抗
測定装置であり、この抵抗測定装置11はターゲット１の
上方を，通過した被着基体２が巻取られるまでの間にIT
O被膜を傷付けないように設けられてある。３はガイド
ロールであって、このガイドロール３は前記回転電極７
の裏面側であり、被着基体２をガイドするとともに回転
電極７をほどよく被着基体２に接触させる役目を果たし
ている。
回転電極７は基体幅方向に対して前記酸素ガス噴出管
10と同一位置に配列されている。
10と同一位置に配列されている。
前記抵抗測定装置11と前記ガス導入量制御装置９は制
御部８を介して電気的に接続されている。該制御部８は
例えばマイクロプロセッサ、マルチプレクサ等で構成す
ることができる。即ち、抵抗測定装置11と制御部８とガ
ス導入量制御装置９と、酸素ガス噴出管10とを１組とす
るＮ組によって閉ループが構成される。
御部８を介して電気的に接続されている。該制御部８は
例えばマイクロプロセッサ、マルチプレクサ等で構成す
ることができる。即ち、抵抗測定装置11と制御部８とガ
ス導入量制御装置９と、酸素ガス噴出管10とを１組とす
るＮ組によって閉ループが構成される。
上記のように構成した薄膜形成装置の動作について説
明する。
明する。
最初に制御部８に基準となる抵抗値（基準値）を設定
し、ついでITO被膜の形成を開始する。ITO被膜を形成し
た被着基体２が回転電極７の位置へ達すると、Ｎ個所の
抵抗値が抵抗測定装置11により測定され、その結果がそ
れぞれ制御部８へ送られ、ここで基準値と比較演算さ
れ、そしてこの演算結果に基づいて制御部８から各々に
対応するガス導入量制御装置９に信号が送られることに
より酸素ガスの導入量が決定（制御）される。このよう
なループ制御により均一な抵抗分布特性を有するITO被
膜を連続的に容易に形成することができる。ここで回転
電極７の測定子およびガス導入量制御装置等の設置数Ｎ
は被着基体２の幅によって決定すればよく、例えば被着
基体２の幅が1000mmであれば、Ｎ＝５の場合に良好な結
果が得られた。このように種々の被着基体幅に対しても
前記Ｎ数を最適化することにより柔軟に対応することが
可能である。
し、ついでITO被膜の形成を開始する。ITO被膜を形成し
た被着基体２が回転電極７の位置へ達すると、Ｎ個所の
抵抗値が抵抗測定装置11により測定され、その結果がそ
れぞれ制御部８へ送られ、ここで基準値と比較演算さ
れ、そしてこの演算結果に基づいて制御部８から各々に
対応するガス導入量制御装置９に信号が送られることに
より酸素ガスの導入量が決定（制御）される。このよう
なループ制御により均一な抵抗分布特性を有するITO被
膜を連続的に容易に形成することができる。ここで回転
電極７の測定子およびガス導入量制御装置等の設置数Ｎ
は被着基体２の幅によって決定すればよく、例えば被着
基体２の幅が1000mmであれば、Ｎ＝５の場合に良好な結
果が得られた。このように種々の被着基体幅に対しても
前記Ｎ数を最適化することにより柔軟に対応することが
可能である。
なお図外の透過率測定器を被着基体２の移動径路上、
回転電極７の近傍にＮ個所配置し、この信号を前記制御
部８へ入力することによりさらに制御性能が向上するこ
とはいうまでもない。また本実施例による回転電極７は
４探触子による接触式の手段を用いているが、非接触式
の回転電極を用いても差支えない。
回転電極７の近傍にＮ個所配置し、この信号を前記制御
部８へ入力することによりさらに制御性能が向上するこ
とはいうまでもない。また本実施例による回転電極７は
４探触子による接触式の手段を用いているが、非接触式
の回転電極を用いても差支えない。
本発明による好ましい実施例によりポリエステルフィ
ルム上にITO被膜を形成したところ、第２図に示す如く
処理気圧が４×10-3Torr、アルゴンガス導入量が250cc/
min、酸素ガス導入量70〜71cc/minの条件でフィルム長5
00mにわたる面積抵抗分布は300Ω／□に対して±３％以
内に入ることを可能とした。
ルム上にITO被膜を形成したところ、第２図に示す如く
処理気圧が４×10-3Torr、アルゴンガス導入量が250cc/
min、酸素ガス導入量70〜71cc/minの条件でフィルム長5
00mにわたる面積抵抗分布は300Ω／□に対して±３％以
内に入ることを可能とした。
発明の効果 以上説明したように、本発明装置は移送中の合成樹脂
フィルム等の被着基体に導電性を有する金属化合物の薄
膜を真空槽内で形成させる薄膜形成装置であって、被着
基体の幅方向に設けられ被着基体に回転接触する回転電
極と、回転電極が接触した被着基体領域の抵抗を測定す
る抵抗測定装置と、真空槽内へのガス導入量を制御する
ガス導入量制御装置と、基端が導入量制御装置に接続さ
れ先端が前記回転電極と同じ位置に開口したガス噴出管
と、前記抵抗測定装置とガス導入量制御装置との間に接
続された制御部とを１組とする複数組を具備しており、
かつ、前記制御部は、抵抗測定装置で測定された測定値
と予め設定された基準値とを比較演算し、その演算結果
に基づいてガス導入量制御装置を介してガス噴出管から
噴出するガス量をそれぞれ独立して制御するようにした
ことを特徴としている。従って、被着基体の導電性薄膜
の面積抵抗分布が従来に比して大幅に改善されるととも
に、面積抵抗分布特性が大面積にわたり均一化できると
いう効果がある。
フィルム等の被着基体に導電性を有する金属化合物の薄
膜を真空槽内で形成させる薄膜形成装置であって、被着
基体の幅方向に設けられ被着基体に回転接触する回転電
極と、回転電極が接触した被着基体領域の抵抗を測定す
る抵抗測定装置と、真空槽内へのガス導入量を制御する
ガス導入量制御装置と、基端が導入量制御装置に接続さ
れ先端が前記回転電極と同じ位置に開口したガス噴出管
と、前記抵抗測定装置とガス導入量制御装置との間に接
続された制御部とを１組とする複数組を具備しており、
かつ、前記制御部は、抵抗測定装置で測定された測定値
と予め設定された基準値とを比較演算し、その演算結果
に基づいてガス導入量制御装置を介してガス噴出管から
噴出するガス量をそれぞれ独立して制御するようにした
ことを特徴としている。従って、被着基体の導電性薄膜
の面積抵抗分布が従来に比して大幅に改善されるととも
に、面積抵抗分布特性が大面積にわたり均一化できると
いう効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜形成装置の要部を
示す系統図、第２図は本発明により形成したITO被膜の
面積比抵抗を被着基体の幅方向に沿って測定したグラ
フ、第３図は従来の薄膜形成装置の要部を示す系統説明
図、第４図は従来装置を使用した場合のITO被膜の面積
比抵抗を被着基体の幅方向に沿って測定したグラフであ
る。 １……ターゲット ２……被着基体 ３……抵抗測定用ロール ７……抵抗測定装置 ８……制御部 ９……ガス導入量制御装置 10……酸素ガス噴出管
示す系統図、第２図は本発明により形成したITO被膜の
面積比抵抗を被着基体の幅方向に沿って測定したグラ
フ、第３図は従来の薄膜形成装置の要部を示す系統説明
図、第４図は従来装置を使用した場合のITO被膜の面積
比抵抗を被着基体の幅方向に沿って測定したグラフであ
る。 １……ターゲット ２……被着基体 ３……抵抗測定用ロール ７……抵抗測定装置 ８……制御部 ９……ガス導入量制御装置 10……酸素ガス噴出管
Claims (1)
- 【請求項１】移送中の合成樹脂フィルム等の被着基体に
導電性を有する金属化合物の薄膜を真空槽内で形成させ
る薄膜形成装置であって、被着基体の幅方向に設けられ
被着基体に回転接触する回転電極と、回転電極が接触し
た被着基体領域の抵抗を測定する抵抗測定装置と、真空
槽内へのガス導入量を制御するガス導入量制御装置と、
基端が導入量制御装置に接続され先端が前記回転電極と
同じ位置に開口したガス噴出管と、前記抵抗測定装置と
ガス導入量制御装置との間に接続された制御部とを１組
とする複数組を具備しており、かつ、前記制御部は、抵
抗測定装置で測定された測定値と予め設定された基準値
とを比較演算し、その演算結果に基づいてガス導入量制
御装置を介してガス噴出管から噴出するガス量をそれぞ
れ独立して制御するようにしたことを特徴とする薄膜形
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62194806A JP2587945B2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62194806A JP2587945B2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6439361A JPS6439361A (en) | 1989-02-09 |
| JP2587945B2 true JP2587945B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=16330566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62194806A Expired - Lifetime JP2587945B2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2587945B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3390579B2 (ja) * | 1995-07-03 | 2003-03-24 | アネルバ株式会社 | 液晶ディスプレイ用薄膜の作成方法及び作成装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8401721A (nl) * | 1984-05-29 | 1985-12-16 | Leer Koninklijke Emballage | Werkwijze en stelsel voor het produceren van een reactief gesputterde geleidende transparante metaaloxidefilm op een doorlopende materiaalbaan. |
| JPS6111671A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS6137964A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング装置 |
-
1987
- 1987-08-04 JP JP62194806A patent/JP2587945B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6439361A (en) | 1989-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4849087A (en) | Apparatus for obtaining transverse uniformity during thin film deposition on extended substrate | |
| US4661229A (en) | Method and system for producing a reactively sputtered conducting transparent metal oxide film onto a continuous web | |
| CA1155798A (en) | Reactive deposition method and apparatus | |
| JPH10501068A (ja) | 還元又は酸化ガス用のガスセンサ | |
| GB1448034A (en) | Corrosion-resistant electrical conductors | |
| US4625075A (en) | Patterned conductive ink touch panel | |
| CN107130218B (zh) | 成膜方法及使用前述成膜方法的积层体基板的制造方法 | |
| US4140990A (en) | Probe for selectively detecting vapors, water vapor in particular | |
| JP2587945B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| WO1995033081A1 (en) | Filmed substrate, and method and apparatus for producing the same | |
| JPH0139670B2 (ja) | ||
| TW209329B (ja) | ||
| JPH01318975A (ja) | 薄層のオーム抵抗の非破壊的測定装置 | |
| JPS60185151A (ja) | 金属層の電気抵抗測定方法 | |
| WO2022066944A1 (en) | Coated-substrate sensing and crazing mitigation | |
| US3390453A (en) | Method of making a sandwich resistor | |
| JP2002180247A (ja) | 透明導電積層体の製造方法および製造装置 | |
| JP2000065875A (ja) | 絶縁抵抗測定電極および測定方法 | |
| JP4260305B2 (ja) | 被膜の形成方法及び真空成膜装置 | |
| JPS6439363A (en) | Method and device for forming thin film of conductive and transparent metal oxide by reactive sputtering | |
| CN205426436U (zh) | 一种利用离子溅射镀膜电路的漏液检测传感器 | |
| WO2007001155A1 (en) | Conductive panel structure and manufacturing method thereof | |
| Landorf et al. | Sputtered manganese dioxide as counterelectrodes in thin film capacitors | |
| KR0162871B1 (ko) | 박막제조용 진공장치의 산소분압 측정방법 및 장치 | |
| JPS58108747A (ja) | スパツタ成膜装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071205 Year of fee payment: 11 |