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JP2589433B2 - Plateable thick film copper conductor paste composition - Google Patents
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JP2589433B2 - Plateable thick film copper conductor paste composition - Google Patents

Plateable thick film copper conductor paste composition

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JP2589433B2
JP2589433B2 JP24469592A JP24469592A JP2589433B2 JP 2589433 B2 JP2589433 B2 JP 2589433B2 JP 24469592 A JP24469592 A JP 24469592A JP 24469592 A JP24469592 A JP 24469592A JP 2589433 B2 JP2589433 B2 JP 2589433B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はメッキ付け可能な厚膜銅
導体ペースト組成物に関し、詳しくはアルミナなどの無
機誘電体に焼き付けた後、その焼成銅導体上に無電解メ
ッキあるいは電解メッキが可能であり、さらにメッキ後
の無機誘電体と焼成銅導体とが優れた密着性を有する、
メッキ付け可能な厚膜銅導体ペースト組成物に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thick-film copper conductor paste composition which can be plated, and more particularly to an electroless or electrolytic plating on a baked copper conductor after baking on an inorganic dielectric such as alumina. In addition, the plated inorganic dielectric and the baked copper conductor have excellent adhesion,
The present invention relates to a thick-film copper conductor paste composition that can be plated.

【0002】[0002]

【従来の技術】厚膜導体組成物は、導電性金属および無
機バインダーが微粉末状で有機媒体中に分散し、さらに
必要に応じて他の添加剤が配合されたもので、厚膜導体
はハイブリッド回路を始めとする種々の電子部品構成材
料として使用されている。この導体に対しては、電気伝
導性、半田濡れ性、耐半田溶解性および基板に対する接
着性などが要求されており、この要求特性に応じて各種
の添加剤が選択使用されている。
2. Description of the Related Art A thick film conductor composition is a composition in which a conductive metal and an inorganic binder are dispersed in a fine powder form in an organic medium, and further, if necessary, other additives are blended. It is used as a component material for various electronic components such as hybrid circuits. The conductor is required to have electrical conductivity, solder wettability, solder dissolution resistance, adhesion to a substrate, and the like, and various additives are selectively used in accordance with the required characteristics.

【0003】さて、銅を導電性金属として用いる厚膜導
体は、金、銀、白金、パラジウムなどの高価な貴金属を
導電性金属とする厚膜導体のコストを低減させるという
目的で導入されたが、最近になって銅自身のもつ特性、
特に高周波特性が着目され、種々の方法で各方面に応用
されている。
A thick film conductor using copper as a conductive metal has been introduced for the purpose of reducing the cost of a thick film conductor using an expensive noble metal such as gold, silver, platinum or palladium as a conductive metal. Recently, the properties of copper itself,
In particular, attention has been paid to high-frequency characteristics, which are applied to various fields by various methods.

【0004】ところが、銅を導電性金属として用いた場
合、従来の金、銀、白金、パラジウムなどの貴金属を用
いた厚膜導体に比べて不都合な点がある。例えば、銅を
焼き付けた基板は空気中で容易に銅表面が酸化されやす
く、そのため半田濡れ性が悪くなったり、金線やアルミ
ニウム線のワイヤーボンディングが難しくなっりするこ
とがある。これらの問題を回避する方策として、銅導体
上に酸化されにくいメッキを施すことが考えられるが、
従来の銅導体ペーストでは、メッキ時のメッキ液により
銅導体と無機誘電体との接着性が大きく劣化した。
However, when copper is used as a conductive metal, there is an inconvenience as compared with a conventional thick film conductor using a noble metal such as gold, silver, platinum and palladium. For example, the surface of a copper-baked substrate is easily oxidized in air in the air, which may result in poor solder wettability or difficulties in wire bonding of gold wires or aluminum wires. As a measure to avoid these problems, plating that is difficult to oxidize on the copper conductor is considered,
In the conventional copper conductor paste, the adhesion between the copper conductor and the inorganic dielectric was greatly deteriorated by the plating solution at the time of plating.

【0005】この厚膜銅導体ペースト組成物に関して
は、トレプトー(Treptow) の米国特許第2993815
号には、「5〜50重量部の銅または酸化銅および1重
量部の還元抵抗性ガラスフリットからなり、500〜1
050℃で2段階焼成して銅導体層を形成するプリント
回路用導体組成物」が開示され、フリードマン(Friedma
n)の米国特許第3647532号には、「酸化カドミウ
ムを含むホウケイ酸鉛ガラスをバインダーとする銅、ガ
ラス組成物」が開示され、ホフマン(Hoffman) の米国特
許第4070518号には、「特に誘電体上で使用する
85〜97重量部の銅粉末と、3〜15重量部のCd、
Biを含まないアルミナホウ酸ガラスフリットからなる
導体組成物」が開示され、グリエル(Grier) 等の米国特
許第4072771号には、「表面を予備酸化した銅粉
とアルミナホウケイ酸鉛ガラスからなり、酸化銅は固形
分の1〜5重量部であり、ガラスフリットは固形分の1
〜10重量部である導体組成物」が開示されている。
In connection with this thick film copper conductor paste composition, reference is made to US Pat. No. 2,993,815 to Treptow.
The number includes "5 to 50 parts by weight of copper or copper oxide and 1 part by weight of reduction-resistant glass frit,
A conductor composition for a printed circuit, which is formed by firing at 050 ° C. in two steps to form a copper conductor layer, is disclosed by Friedman.
U.S. Pat. No. 3,674,532 to n) discloses "copper and glass compositions using lead borosilicate glass containing cadmium oxide as a binder" and U.S. Pat. No. 4,070,518 to Hoffman discloses "particularly dielectric materials. 85-97 parts by weight of copper powder used on the body, 3-15 parts by weight of Cd,
US Pat. No. 4,072,771 to Grier et al. Discloses "a conductor composition comprising Bi-free alumina borate glass frit" which discloses "a copper powder having a pre-oxidized surface and lead alumina borosilicate glass, Copper is 1 to 5 parts by weight of solids, and glass frit is 1 to 5 parts by weight of solids.
To 10 parts by weight of a conductive composition ".

【0006】また、ミッチェル(Mitchell)の米国特許第
4182919号には、「銅86〜97重量部、酸化銅
1〜7重量部および少なくとも75重量部の酸化ビスマ
スを含むガラスフリット1〜7重量部からなる導体組成
物」が開示され、プロバンス(Provance)の米国特許第4
322316号には、「ホウ素7〜27重量部、ガラス
フリット0〜35重量部、残部酸化銅からなる導体組成
物」が開示され、レリック(Rellick) の米国特許第43
23483号には、「銅、酸化銅、酸化鉛およびビスマ
ス酸化物からなり、ガラスフリットを必要としない導体
組成物」が開示され、シウタ(Siuta) 等の米国特許第4
521329号には、「酸化物被覆を有する銅粉末と3
00〜700℃の軟化点を持つ無機バインダーからなる
導体組成物」が開示され、さらに、マコーミック(MaCor
mick) 等のヨーロッパ特許第0068167号には、
「銅65〜80重量部、酸化銅0〜6重量部およびBi
を含まない低軟化点ガラス3〜8重量部からなる導体組
成物」が開示されている。上記したように、銅導体組成
物に関する多数の文献が公知であるが、いずれも銅導体
上へのメッキ付けに関しては考慮されていない。
Mitchell, US Pat. No. 4,182,919, discloses 86 to 97 parts by weight of copper, 1 to 7 parts by weight of copper oxide, and 1 to 7 parts by weight of a glass frit containing at least 75 parts by weight of bismuth oxide. US Patent No. 4 of Provance.
No. 322316 discloses "A conductor composition comprising 7 to 27 parts by weight of boron, 0 to 35 parts by weight of a glass frit and the balance of copper oxide", and is disclosed in Rellick U.S. Pat.
No. 23483 discloses a "conductor composition comprising copper, copper oxide, lead oxide and bismuth oxide and requiring no glass frit", and is disclosed in U.S. Pat.
No. 5,321,329 states that “Copper powder having an oxide coating and 3
A conductor composition comprising an inorganic binder having a softening point of from 00 to 700 ° C.,
Mick) et al., EP-A-0068167,
"65 to 80 parts by weight of copper, 0 to 6 parts by weight of copper oxide and Bi
And a conductor composition comprising 3 to 8 parts by weight of a low softening point glass containing no. As noted above, numerous documents are known about copper conductor compositions, none of which consider plating on copper conductors.

【0007】一方、厚膜ペースト上へのメッキに関して
は、例えば、特開昭56−125889号には、「耐熱
性絶縁基板上へPd、Pt化合物を含むペーストを塗
布、焼成後、Ni、CuまたはCoを無電解メッキする
ことで回路を形成する方法」が開示され、また厚膜印刷
基板の製造法に関し、特開平3−124091号には、
「アルミナセラミック基板に銅ペーストを印刷し、焼成
した銅厚膜の電極部に無電解メッキ法でNi−Au層を
設ける方法」が開示され、さらに、特開平3−1756
89号には、「導体パターン上にNiまたはCoを含有
する物質よりなるメッキ層を無電解メッキにて形成し、
厚膜回路基板を得る方法」が開示されている。このよう
に、導体上へ無電解メッキでメッキ層を形成する方法が
各種提案されているが、本発明に関連のある銅導体ペー
ストの組成に関しては開示されていない。
On the other hand, with respect to plating on a thick film paste, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-125889 discloses that "a paste containing a Pd and Pt compound is applied on a heat-resistant insulating substrate, and after baking, Ni, Cu Or a method of forming a circuit by electroless plating of Co ", and a method of manufacturing a thick-film printed board is disclosed in JP-A-3-124091.
"A method of printing a copper paste on an alumina ceramic substrate and providing a Ni-Au layer on an electrode portion of a baked thick copper film by an electroless plating method" is disclosed.
No. 89, "A plating layer made of a substance containing Ni or Co is formed on a conductor pattern by electroless plating,
Method for Obtaining Thick Film Circuit Board ". As described above, various methods for forming a plating layer on a conductor by electroless plating have been proposed, but the composition of the copper conductor paste related to the present invention is not disclosed.

【0008】以上詳述したように、メッキが可能な銅導
体ペースト組成物に関する有用な技術は開示されていな
い。
[0008] As described in detail above, a useful technique relating to a copper conductor paste composition that can be plated is not disclosed.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような現
状に鑑みてなされたものであって、その目的は、焼成さ
れた銅導体上に無電解あるいは電解によるメッキ処理を
行った後においても無機誘電体との間で接着強度の劣化
の少ないメッキ付け可能な厚膜銅導体ペースト組成物を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a method for performing electroless or electrolytic plating on a baked copper conductor. It is an object of the present invention to provide a thick-film copper conductor paste composition that can be plated with less deterioration in adhesive strength between the inorganic dielectric and the inorganic dielectric.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明者は種々検討を重ねた結果、ガラスフリットと
して特定成分のものを使用し、さらに酸化チタン粉末と
酸化亜鉛粉末を併用することで、メッキ後の無機誘電体
との接着強度の強い厚膜銅導体ペースト組成物を得るに
至ったのである。
In order to achieve the above object, the present inventor has conducted various studies. As a result, the present inventors have found that a glass frit having a specific component is used, and that titanium oxide powder and zinc oxide powder are used in combination. Thus, a thick-film copper conductor paste composition having high adhesion strength to the inorganic dielectric material after plating was obtained.

【0011】すなわち、本発明の要旨は、下記配合の無
機粉末70〜95重量部と有機ビヒクル5〜30重量部
からなるメッキ付け可能な厚膜銅導体ペースト組成物に
ある。この無機粉末は、「銅粉末100重量部」と「P
bOとSiO2 とB2 3 とアルカリ金属酸化物からな
るガラスフリット3〜10重量部」と「酸化チタン粉末
0.1〜3重量部」と「酸化亜鉛粉末0.5〜3重量
部」からなるものであり、上記アルカリ金属酸化物と
は、Li2 O、Na2 OおよびK2 Oのうちの1種以上
からなるものをいう。
That is, the gist of the present invention resides in a plateable thick film copper conductor paste composition comprising 70 to 95 parts by weight of an inorganic powder and 5 to 30 parts by weight of an organic vehicle having the following composition. This inorganic powder is composed of “100 parts by weight of copper powder” and “P
3-10 parts by weight of glass frit comprising bO, SiO 2 , B 2 O 3 and alkali metal oxide ”,“ 0.1-3 parts by weight of titanium oxide powder ”, and“ 0.5-3 parts by weight of zinc oxide powder ” And the above-mentioned alkali metal oxides are those composed of at least one of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O.

【0012】ガラスフリット中の各無機物の配合として
は、PbO50〜70重量部、SiO2 20〜40重量
部、B2 3 5〜15重量部およびアルカリ金属酸化物
のうちの1種以上のもの0.5〜10重量部であるのが
好ましい。更に、Al2 3、CaO、MgO、Zn
O、BaOおよびSrOのうちの1種以上のものを必要
に応じて10重量部以下の範囲内で添加することができ
る。
[0012] As formulated in the inorganic matter in the glass frit, PbO50~70 parts, SiO 2 20 to 40 parts by weight, B 2 O 3 5~15 parts by weight of one or more ones of the alkali metal oxides It is preferably from 0.5 to 10 parts by weight. Further, Al 2 O 3 , CaO, MgO, Zn
One or more of O, BaO and SrO can be added as needed within a range of 10 parts by weight or less.

【0013】また、酸化チタン粉末としては、ルチル
型、ブルッカイト型またはアナターゼ型構造のものが知
られているが、これら結晶構造のうちどの構造のものを
用いてもよく、また2種以上を用いることもできる。
As the titanium oxide powder, those having a rutile type, a brookite type or an anatase type structure are known, and any of these crystal structures may be used, or two or more types may be used. You can also.

【0014】本発明でいう銅粉末とは、平均粒径が0.
5〜10μm、タップ密度が2〜5g/cm3 のものを指
しており、粉末形状は球状、フレーク状、樹脂状のいず
れでもよい。また、自然環境下で銅粉表面が酸化される
程度の酸素を含有してもよく、その量は銅粉中の酸素含
有量として1重量%以下である。
The copper powder referred to in the present invention has an average particle size of 0.1.
5 to 10 μm and a tap density of 2 to 5 g / cm 3 , and the powder may be spherical, flake, or resin. Further, oxygen may be contained to such an extent that the copper powder surface is oxidized in a natural environment, and the amount is 1% by weight or less as the oxygen content in the copper powder.

【0015】また、有機ビヒクルとは、エチルセルロー
ス、(メタ)アクリル樹脂、ポリエステル樹脂等をブチ
ルカルビトールアセテート、ターピネオール等の樹脂成
分を溶解することのできる溶媒で溶解したものを指し、
当業界で一般に使用されているものを使用できる。
The organic vehicle is obtained by dissolving ethyl cellulose, (meth) acrylic resin, polyester resin and the like in a solvent capable of dissolving resin components such as butyl carbitol acetate and terpineol.
Those commonly used in the art can be used.

【0016】本発明のメッキ付け可能な厚膜銅導体組成
物は、撹拌混合機を用いて混練したのち3本ロールミル
で分散安定化させ、ペースト状とすることができる。こ
のペースト組成物は無機誘電体上にスクリーン印刷、転
写印刷、ディッピング、またはディスペンサー塗布等の
適宜な方法によって塗工することができる。次いで、ペ
ーストを塗布した無機誘電体を100〜200℃の温度
で乾燥後、850〜1060℃の温度範囲内で焼成する
ことができる。焼成雰囲気は、非酸化性が好ましく、N
2 またはAr等の不活性雰囲気を採用することができ
る。なお、有機樹脂の燃焼促進のため系内に少量の酸素
を含有することが好ましい。
The thick film copper conductor composition capable of being plated according to the present invention can be kneaded by using a stirring mixer, and then dispersed and stabilized by a three-roll mill to form a paste. This paste composition can be applied onto the inorganic dielectric by an appropriate method such as screen printing, transfer printing, dipping, or dispenser application. Next, the inorganic dielectric to which the paste is applied can be dried at a temperature of 100 to 200 ° C. and then fired in a temperature range of 850 to 1060 ° C. The firing atmosphere is preferably non-oxidizing,
An inert atmosphere such as 2 or Ar can be employed. It is preferable that a small amount of oxygen be contained in the system in order to promote the combustion of the organic resin.

【0017】上記ペースト化工程において、ぺーストの
性状をコントロールするため、メッキ付け可能な厚膜銅
導体組成物の特性を損なわない限りにおいて、界面活性
剤、可塑剤等を配合することが可能である。
In the above-mentioned paste-forming step, in order to control the properties of the paste, a surfactant, a plasticizer and the like can be added as long as the properties of the thick-film copper conductor composition that can be plated are not impaired. is there.

【0018】また、無機誘電体としては、ハイブリッド
ICやセラミックパッケージ等に使用されているアルミ
ナ基板、窒化アルミニウム基板、ホーロー基板の他に低
温で焼成可能なガラス−セラミック基板などを挙げるこ
とができる。さらに、セラミックコンデンサーや高周波
用途の基板材料、フェライト基板等のセラミック基板を
使用することが可能である。
Examples of the inorganic dielectric include an alumina substrate, an aluminum nitride substrate, and an enamel substrate used for a hybrid IC, a ceramic package, and the like, and a glass-ceramic substrate that can be fired at a low temperature. Further, it is possible to use ceramic capacitors, substrate materials for high-frequency applications, and ceramic substrates such as ferrite substrates.

【0019】[0019]

【作用】本発明によれば、無機誘電体上に本発明のペー
ストを塗布焼成することによって、無電解メッキあるい
は電解メッキを施した後も無機誘電体と銅導体との密着
性は十分に確保され、信頼性のある回路または電極を得
ることができる。
According to the present invention, the paste of the present invention is applied and baked on an inorganic dielectric to ensure sufficient adhesion between the inorganic dielectric and the copper conductor even after electroless plating or electrolytic plating. Thus, a reliable circuit or electrode can be obtained.

【0020】本発明において各成分の配合量を限定した
理由は以下に示す通りである。 (無機粉末の組成) 『ガラスフリット』 ガラスフリットの配合量が3重
量部未満では、無機誘電体との密着性が不十分であり、
一方、その配合量が10重量部を超えると、銅ペースト
を塗布した無機誘電体を焼成するときにガラスが銅導体
表面にブリードアウトし、その結果メッキ付け時にメッ
キ金属と銅導体の表面銅とが十分結合せず、密着性が弱
くなる。 『酸化チタン粉末』 酸化チタン粉末が0.1重量部
未満では、メッキ時の接着強度の劣化が著しく、一方、
酸化チタン粉末が3重量部を超えると、メッキ金属と銅
導体との密着性が低下する。 『酸化亜鉛粉末』 酸化亜鉛粉末についても本発明の
範囲内で配合することで、酸化チタン粉末と同様の効果
があり、両者を併用することで相乗効果が期待できる。
The reasons for limiting the amount of each component in the present invention are as follows. (Composition of Inorganic Powder) "Glass Frit" When the blending amount of the glass frit is less than 3 parts by weight, the adhesion to the inorganic dielectric is insufficient.
On the other hand, if the compounding amount exceeds 10 parts by weight, the glass bleeds out to the surface of the copper conductor when the inorganic dielectric coated with the copper paste is fired, and as a result, the plating metal and the surface copper of the copper conductor are not plated at the time of plating. Are not sufficiently bonded, and the adhesion is weak. "Titanium oxide powder" When the titanium oxide powder is less than 0.1 parts by weight, the adhesive strength during plating is significantly deteriorated,
If the amount of the titanium oxide powder exceeds 3 parts by weight, the adhesion between the plated metal and the copper conductor is reduced. "Zinc oxide powder" By mixing zinc oxide powder within the scope of the present invention, the same effect as titanium oxide powder can be obtained, and a synergistic effect can be expected by using both together.

【0021】(ガラスフリットの組成) 『PbO』 PbOはガラスの軟化温度を決定する重
要な成分であり、PbOが50重量部未満では、ガラス
の軟化温度が高くなり無機誘電体との密着性が十分でな
くなる。一方、PbOが70重量部を超えると、メッキ
時にPbOが還元されてガラスの破壊につながり、無機
誘電体との密着性が劣化する。
(Composition of Glass Frit) "PbO" PbO is an important component that determines the softening temperature of glass. If PbO is less than 50 parts by weight, the softening temperature of glass becomes high, and the adhesion to the inorganic dielectric material becomes poor. Not enough. On the other hand, if PbO exceeds 70 parts by weight, PbO is reduced at the time of plating, leading to breakage of the glass, and the adhesion to the inorganic dielectric is deteriorated.

【0022】『SiO2 』 SiO2 はメッキ液によ
るガラスの侵食をくい止める効果があり、そのために
は、20重量部以上必要であるが、40重量部を超える
と軟化点が高くなり過ぎてガラスとしての作用を示さな
くなる。
“SiO 2 ” SiO 2 has an effect of inhibiting the erosion of glass by the plating solution. For this purpose, 20 parts by weight or more is required. No longer exhibits the effect of

【0023】『B2 3 』 B2 3 はガラスの融剤
としての役目を持っているが、多過ぎるとメッキ液に侵
食されやすくなり、少な過ぎるとガラスの軟化温度を上
げて無機誘電体との密着性向上に対する効果が期待でき
ない。そこで、B2 3 は5〜15重量部配合するのが
好ましい。
"B 2 O 3 " B 2 O 3 has a role as a glass flux. However, if it is too much, it tends to be eroded by the plating solution, and if it is too little, the softening temperature of the glass is raised to increase the inorganic dielectric. No effect on improving the adhesion to the body can be expected. Accordingly, B 2 O 3 is preferably blended 5 to 15 parts by weight.

【0024】『アルカリ金属酸化物』 アルカリ金属
酸化物はガラスの軟化点とガラスの流動化を促進するも
のであるが、多くなり過ぎるとメッキ液による侵食が大
きくなり、少な過ぎるとガラスの流動化が起こりにくく
なる。そこで、0.5〜10重量部配合するのが好まし
い。なお、Al2 3 、CaO、MgO、ZnO、Ba
OおよびSrO等も10重量部以下の範囲内で添加する
ことにより、アルカリ金属酸化物と同様の効果が期待で
きる。
"Alkali metal oxide" Alkali metal oxide promotes the softening point of glass and fluidization of glass. When the content is too large, the erosion by the plating solution increases. Is less likely to occur. Therefore, it is preferable to add 0.5 to 10 parts by weight. Here, Al 2 O 3 , CaO, MgO, ZnO, Ba
By adding O, SrO and the like in a range of 10 parts by weight or less, the same effect as the alkali metal oxide can be expected.

【0025】(有機ビヒクル)無機粉末70〜95重量
部に対して有機ビヒクル5重量部未満では、ペースト化
に際しペースト状とするのが困難で、一方、有機ビヒク
ルが30重量部を超えると、焼成後の銅導体がポーラス
となってメッキ液の銅導体への侵食を大幅に助長し、密
着性を劣化させる。
(Organic Vehicle) If the amount of the organic vehicle is less than 5 parts by weight with respect to 70 to 95 parts by weight of the inorganic powder, it is difficult to form a paste when forming the paste. The subsequent copper conductor becomes porous, greatly promoting the erosion of the plating solution into the copper conductor, and deteriorating the adhesion.

【0026】[0026]

【実施例】以下に本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれら実施例により何等限定されるものではない。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

【0027】本実施例においては、以下の表1に示すよ
うに、銅粉としてはA、Bの2種類を使用し、ガラスフ
リットとしては以下の表2に示す3種類のもの(C、
D、E)を使用した。表2において、配合量は重量部を
示す。
In this example, as shown in Table 1 below, two types of copper powder, A and B, were used, and three types of glass frit (C,
D, E) were used. In Table 2, the compounding amounts indicate parts by weight.

【0028】[0028]

【表1】 [Table 1]

【0029】[0029]

【表2】 [Table 2]

【0030】そして、以下の表3に示すように配合した
ものを混合撹拌機にて予備混練した後、3本ロールミル
で均一に分散させてペーストを作製した。これらの各ペ
ーストを同表に示す材質の基板に同表記載の各塗布方法
で塗布し、120℃で10分間乾燥した。次いで、この
各基板を、5ppmの酸素を含有する窒素雰囲気、ピー
ク温度900℃、インアウト60分の条件のベルト式焼
成炉で焼成した。そして、焼成した基板をまず溶剤で脱
脂し、次いでアルカリ脱脂および酸洗を行い、表面が清
浄にされたものについて、表3記載のようにメッキを行
った。メッキ条件は、無電解NiおよびAuメッキの場
合、あらかじめPd溶液にて活性化処理を行った後にN
i−P系のメッキ浴中で処理を行い、Niを0.1〜3
μm厚付着させ、さらにその後Auを0.01〜0.1
μm厚付着させた。一方、電解メッキの場合、洗浄工程
は無電解メッキと同一であるが、バレルメッキ法により
Niを1〜5μm厚付着させ、引き続き半田メッキを
0.5〜2μm厚み施した。このようにしてメッキされ
た各基板に対して半田にてワイヤを固定し、ピール法で
引き剥がし強度を測定した。その結果を表3に示す。表
3において、配合量は重量部を示す。
Then, the mixture prepared as shown in Table 3 below was preliminarily kneaded with a mixing stirrer, and then uniformly dispersed with a three-roll mill to prepare a paste. Each of these pastes was applied to a substrate of the material shown in the same table by each coating method described in the same table, and dried at 120 ° C. for 10 minutes. Next, each of the substrates was fired in a belt-type firing furnace under the conditions of a nitrogen atmosphere containing 5 ppm of oxygen, a peak temperature of 900 ° C., and an in-out time of 60 minutes. Then, the fired substrate was first degreased with a solvent, then subjected to alkali degreasing and pickling, and the one whose surface was cleaned was plated as shown in Table 3. In the case of electroless Ni and Au plating, the plating conditions are as follows.
The treatment is performed in an i-P-based plating bath, and the Ni content is 0.1 to 3%.
.mu.m thick and then Au
A thickness of μm was deposited. On the other hand, in the case of electrolytic plating, the cleaning step is the same as that of electroless plating, but Ni is applied in a thickness of 1 to 5 μm by barrel plating, and then solder plating is applied in a thickness of 0.5 to 2 μm. A wire was fixed to each of the substrates plated in this manner with solder, and peeled off by a peeling method to measure the strength. Table 3 shows the results. In Table 3, the blending amounts indicate parts by weight.

【0031】[0031]

【表3】 [Table 3]

【0032】表3に明らかなように、本実施例に係る厚
膜銅導体ペースト組成物は、メッキ後にも実用上十分な
接着強度を有していることが分かる。
As is clear from Table 3, the thick-film copper conductor paste composition according to the present example has practically sufficient adhesive strength even after plating.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明により、焼成された銅導体上に無
電解あるいは電解によるメッキ処理を行って後において
も、無機誘電体との間で接着強度の劣化の少ないメッキ
可能な厚膜銅導体ペースト組成物を提供することができ
る。
According to the present invention, a thick-film copper conductor which can be plated with less deterioration of the adhesive strength between the sintered copper conductor and the inorganic dielectric even after the electroless or electrolytic plating treatment is performed. A paste composition can be provided.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 下記配合の無機粉末70〜95重量部と
有機ビヒクル5〜30重量部からなるメッキ付け可能な
厚膜銅導体ペースト組成物。無機粉末は、「銅粉末10
0重量部」と「PbOとSiO2 とB2 3 とアルカリ
金属酸化物からなるガラスフリット3〜10重量部」と
「酸化チタン粉末0.1〜3重量部」と「酸化亜鉛粉末
0.5〜3重量部」からなるものであり、上記アルカリ
金属酸化物とは、Li2 O、Na2 OおよびK2 Oのう
ちの1種以上からなるものをいう。
1. A plateable thick film copper conductor paste composition comprising 70 to 95 parts by weight of an inorganic powder and 5 to 30 parts by weight of an organic vehicle having the following composition. The inorganic powder is “copper powder 10
0 parts by weight "and" PbO and SiO 2, B 2 O 3 and alkali metal oxides and glass frit 3-10 parts by weight "consisting of" 0.1 to 3 parts by weight of titanium oxide powder "" zinc oxide powder 0. 5-3 and made of parts by weight ", and the alkali metal oxides, Li 2 O, refers to consist of one or more of Na 2 O and K 2 O.
【請求項2】 ガラスフリットの組成が、PbO50〜
70重量部で、SiO2 20〜40重量部で、B2 3
5〜15重量部で、アルカリ金属酸化物のうちの1種以
上のもの0.5〜10重量部であることを特徴とする請
求項1記載のメッキ付け可能な厚膜銅導体ペースト組成
物。
2. The composition of the glass frit is PbO50 or more.
70 parts by weight, 20-40 parts by weight of SiO 2 , B 2 O 3
2. The composition according to claim 1, wherein the composition is 0.5 to 10 parts by weight of 5 to 15 parts by weight of at least one of the alkali metal oxides.
【請求項3】 酸化チタン粉末が、ルチル型、ブルッカ
イト型またはアナターゼ型のうち1種以上の構造を有す
ることを特徴とする請求項1記載のメッキ付け可能な厚
膜銅導体ペースト組成物。
3. The composition according to claim 1, wherein the titanium oxide powder has at least one of rutile type, brookite type and anatase type.
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