JP2590105B2 - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/90—Masterslice integrated circuits
- H10D84/998—Input and output buffer/driver structures
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Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、LSIのテスト容易化回路およびノイズマ
ージン評価回路を内蔵した半導体集積回路装置に関する
もので、特にゲートアレイ等の高速,多ピンのカスタム
ICに使用されるものである。The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having an LSI test facilitating circuit and a noise margin evaluation circuit, and particularly relates to a gate array and the like. High-speed, multi-pin custom
Used for IC.
(従来の技術) 一般に、LSIのテストには、DCテスト,ファンクショ
ンテスト、およびACテスト等があるが、上記DCテストの
実行時において出力ピンのDC特性を測定する場合には、
通常はLSIを機能させて目的のピンを高レベル,低レベ
ル、あるいは高インピーダンス状態に固定している。し
かし、上記のように出力バッファの出力状態を固定する
ためには、全ての出力ピン(双方向ピンの出力モード時
を含む)が“H"レベル,“L"レベル、さらにトライステ
ートバッファにおいてはハイインピーダンス状態(“Z"
レベル)に必ず変化するような入力データを順次与えて
行く必要がある。このためテスト時間が長くかかる欠点
がある。また、LSIを機能させて入力データを順次変化
させて出力ピンを変えているため、全てのピンを一度に
測定することが困難であり、このことによってもテスト
時間の増加を招く。(Prior art) Generally, LSI tests include a DC test, a function test, an AC test, and the like. When measuring the DC characteristics of an output pin during the DC test,
Normally, the target pin is fixed to a high level, a low level, or a high impedance state by operating the LSI. However, in order to fix the output state of the output buffer as described above, all the output pins (including the output mode of the bidirectional pin) are at “H” level and “L” level. High impedance state (“Z”
It is necessary to sequentially provide input data which always changes to the level (level). Therefore, there is a disadvantage that the test time is long. Further, since the output pins are changed by sequentially changing the input data by operating the LSI, it is difficult to measure all the pins at once, which also increases the test time.
第6図は、ハードウェアによって出力バッファのテス
トの容易化を行なうための従来のテスト容易化回路を示
している。この回路ではオアゲート111,112,…の一方の
入力端に内部回路からの信号S1,S2,…が供給され、これ
らオアゲート111,112,…の他方の入力端にはテストモー
ドと通常動作モードとを切換えるための制御信号SCが供
給される。そして、上記オアゲート111,112…の出力が
出力バッファ121,122,…および出力端子131,133…を介
して出力される。しかし、このような構成では、上記出
力バッファ121,122,…の出力は“H"レベルにしか固定で
きない。上記オアゲート111,112,…に代えてノアゲート
を用いればバッファ121,122,…の出力を“L"レベルに固
定できるが、“H"レベルには固定できず、いずれの回路
でもバッファ121,122,…の出力をハイインピーダンス状
態には設定できない。また、上記のような回路構成では
オアゲート(あるいはノアゲート)1段分の遅延が生ず
るため出力の遅延時間が大きくなる欠点がある。このよ
うに従来のテスト容易化回路の機能は充分とは言えなか
った。FIG. 6 shows a conventional test facilitating circuit for facilitating the test of the output buffer by hardware. OR gate 11 1 In this circuit, 11 2, from the internal circuit ... to one input terminal of the signal S1, S2, ... are supplied, these OR gate 11 1, 11 2, ... the other to the input terminal and the test mode A control signal SC for switching between the normal operation mode and the normal operation mode is supplied. Then, the OR gate 11 1, 11 2 ... it outputs the output buffer 12 1, 12 2, and output ... and the output terminals 13 1, 13 3 ... via. However, in such a configuration, the outputs of the output buffers 12 1 , 12 2 ,... Can only be fixed to the “H” level. If the NOR gates are used in place of the OR gates 11 1 , 11 2 ,..., The outputs of the buffers 12 1 , 12 2 ,... Can be fixed at the “L” level, but cannot be fixed at the “H” level. The outputs of the buffers 12 1 , 12 2 ,... Cannot be set to the high impedance state. In addition, the circuit configuration as described above has a disadvantage in that the output delay time increases because a delay of one stage of the OR gate (or NOR gate) occurs. As described above, the function of the conventional test facilitation circuit cannot be said to be sufficient.
また、完成したLSIのノイズマージンの評価を行なう
場合は、通常上記ファンクションテストの実行時に入力
レベル電圧を変化させることにより行なっている。しか
し、このような方法では、どの入力バッファが誤動作し
たのかわからず、入力バッファの誤動作出力を直接評価
することが困難である。さらに、出力同時スイッチング
を任意に起こすことが不可能なため、同時スイッチング
させるようなテストパターンがなかった場合にはノイズ
マージンの評価ができない。また、ノイズマージン向上
のための最適化条件を見つけることも困難である。In addition, when evaluating the noise margin of the completed LSI, it is usually performed by changing the input level voltage during the execution of the function test. However, with such a method, it is difficult to directly evaluate the malfunction output of the input buffer without knowing which input buffer malfunctioned. Furthermore, since simultaneous output switching cannot be arbitrarily performed, the noise margin cannot be evaluated if there is no test pattern for simultaneous switching. It is also difficult to find an optimization condition for improving a noise margin.
(発明が解決しようとする問題点) 上述したように従来の半導体集積回路装置では、出力
バッファのDCテストを行なうためにはDCテスト用の入力
パターン列が必要であり、且つ同時スイッチングを任意
に起こすことができないためノイズマージンの評価が難
しい欠点がある。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in the conventional semiconductor integrated circuit device, in order to perform the DC test of the output buffer, an input pattern sequence for the DC test is required, and the simultaneous switching is arbitrarily performed. There is a disadvantage that it is difficult to evaluate the noise margin because it cannot be caused.
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、DCテスト用の入力パタ
ーン列を準備することなく出力バッファのDCテストを容
易に行なえ、且つ同時スイッチングを任意に起こすこと
が可能な構成にすることによりノイズマージンの評価が
容易に行なえる半導体集積回路装置を提供することであ
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to perform a DC test of an output buffer easily without preparing an input pattern sequence for a DC test, and perform simultaneous switching. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device in which a noise margin can be easily evaluated by adopting a configuration that can be arbitrarily raised.
(問題点を解決するための手段と作用) すなわち、この発明においては、上記の目的を達成す
るために、半導体集積回路装置の各出力バッファ(双方
向端子の出力用バッファも含む)にラッチ回路を設け、
このラッチ回路の内容により前段の回路の状態とは無関
係に出力バッファの出力状態を任意に決定できるように
している。また、上記ラッチ回路を縦続接続して出力決
定用のデータをシリアルに転送できるようにしている。(Means and Actions for Solving the Problems) That is, in the present invention, in order to achieve the above object, a latch circuit is provided in each output buffer (including a bidirectional terminal output buffer) of the semiconductor integrated circuit device. Is established,
The output state of the output buffer can be arbitrarily determined irrespective of the state of the preceding circuit by the contents of the latch circuit. Further, the latch circuits are cascaded so that data for output determination can be serially transferred.
上記のような構成において、ラッチ回路に予めデータ
を記憶させておき、共通のトリガ信号によって全て同時
に出力バッファを動作させれば、ラッチ回路の記憶デー
タに基づいて同時スイッチングを任意に起こすことがで
きるため、この事を利用して同時スイッチングによる誤
動作を容易に知ることができる。In the above-described configuration, if data is stored in the latch circuit in advance and the output buffers are simultaneously operated by a common trigger signal, simultaneous switching can be arbitrarily performed based on the data stored in the latch circuit. Therefore, a malfunction caused by simultaneous switching can be easily known by utilizing this fact.
(実施例) 以下、この発明の一実施例について図面を参照して説
明する。第1図は半導体集積回路装置の概略構成を示す
もので、図において、14は半導体集積回路装置のチッ
プ、15は本来の機能部、16はモード切換信号入力端子
で、この端子16に供給されるモード切換信号MSによって
通常動作モードとテストモードの切換えを行なう。17は
クロック信号CKが供給されるクロック入力端子、181〜1
85は出力バッファ、191〜195は上記出力バッファ181〜1
85のテスト用ラッチ回路である。また、201〜204は入力
バッファで、211〜214がこれら入力バッファ201〜204の
テスト用ラッチ回路である。22は本来の機能部15および
誤動作信号出力用のクロック信号線、23は出力値決定デ
ータ伝送用のクロック信号線、241〜245は本来の機能部
15からの出力信号線、251〜254は本来の機能部15への入
力信号線、26は誤動作信号シリアル出力線、27は出力値
決定用データシリアル入力線である。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a semiconductor integrated circuit device. In the figure, 14 is a chip of the semiconductor integrated circuit device, 15 is an original functional unit, and 16 is a mode switching signal input terminal. The mode switching signal MS switches between the normal operation mode and the test mode. 17 is a clock input terminal to which the clock signal CK is supplied, 18 1 to 1
8 5 is the output buffer, 19 1 to 19 5 is the output buffer 18 1 to 1
8 is a test for the latch circuit of 5. Also, the 20 1 to 20 4 in the input buffer, 21 1 to 21 4 is a test latch circuit of the input buffer 20 1 to 20 4. 22 original function unit 15 and the malfunction signal output of the clock signal line, 23 is a clock signal line for transmission output value determining data, 24 1-24 5 original function unit
The output signal line from 15, 25 to 253 4 input signal lines to the original function unit 15, 26 malfunction signal serial output line, 27 is a data serial input line for the output value determination.
上記のような構成において、出力バッファ181〜185の
テストを行なう場合には、モード切換信号MSによりテス
トモードに設定し、出力値決定用データシリアル入力線
27から出力値決定用データを順次各ラッチ回路195〜191
に供給してラッチする。そして、これらのラッチ回路19
5〜191にラッチした出力値決定用データに基づいて出力
バッファ185〜181のDCテストを実行する。出力の“H"レ
ベル,“L"レベル,“Z"レベルのテストを各々実行する
時には、上述した動作を3回繰返してそれぞれの出力値
決定用データをラッチすれば良い。With the above construction, the output in the case of the testing of the buffer 18 1-18 5, the mode switching is set by signal MS to the test mode, the data serial input line for the output value determined
Sequentially each latch circuit the output value determination data from 27 19 5-19 1
And latch it. And these latch circuits 19
5-19 1 based on the output value determination data latched executes the output buffer 18 5-18 1 DC test. When each of the tests of the "H" level, "L" level, and "Z" level of the output is executed, the above operation is repeated three times to latch the respective output value determination data.
一方、入力バッファ201〜204のテストを行なう場合に
は、モード切換信号MSにより通常動作モードに設定し、
クロック入力端子17からクロック信号CKを与えてラッチ
回路211〜214にラッチされたデータを誤動作信号シリア
ル出力線26から順次読み出す。従って、この出力線26か
ら得られた信号をチェックすればどの入力バッファが誤
動作したのかを容易にチェックできる。On the other hand, in the case of the test input buffers 20 1 to 20 4, the mode switching signal MS is set to the normal operation mode,
Sequentially reading the data latched in the latch circuit 21 1 to 21 4 from the malfunction signal serial output line 26 from the clock input terminal 17 is given a clock signal CK. Therefore, by checking the signal obtained from the output line 26, it is possible to easily check which input buffer has malfunctioned.
第2図は、前記第1図の回路における出力バッファ18
1〜185およびテスト用ラッチ回路191〜195の周辺の詳細
な構成例を示している。第2図において、18は出力バッ
ファ(ここではトライステートバッファ)、28〜31は通
常動作モードとテストモードとを切換えるためのNチャ
ネル型MOSトランジスタから成る半導体スイッチ、32は
インバータ、33は“L"レベルと“H"レベルの決定用デー
タラッチ回路、34はハイインピーダンス状態決定用のデ
ータラッチ回路、35は同時スイッチング動作用のラッチ
回路、36は出力値決定用のデータシフト信号線、37はテ
ストモード時のデータシフト用クロック信号線、38は出
力パッド、39は同時スイッチング動作用のトリガ信号線
である。FIG. 2 shows the output buffer 18 in the circuit of FIG.
Shows a detailed configuration example of the near 1-18 5 and test latch circuits 19 1 to 19 5. In FIG. 2, reference numeral 18 denotes an output buffer (here, a tri-state buffer), reference numerals 28 to 31 denote semiconductor switches composed of N-channel MOS transistors for switching between a normal operation mode and a test mode, 32 an inverter, and 33 an "L". A data latch circuit for determining the “level” and “H” level, 34 is a data latch circuit for determining a high impedance state, 35 is a latch circuit for simultaneous switching operation, 36 is a data shift signal line for determining an output value, and 37 is In the test mode, a clock signal line for data shift, 38 is an output pad, and 39 is a trigger signal line for simultaneous switching operation.
上記のような構成において、モード切換信号MSにより
本来の機能部15とテストモード用の機能部との接続を切
換制御する。すなわち、まずモード切換信号MSを“H"レ
ベルに設定すると、半導体スイッチ28,29がオン状態、
半導体スイッチ30,31がオフ状態となって、出力バッフ
ァ18は本来の機能部15に接続され、テストモード用の機
能部とは切離される。従って、上記出力バッファ18は通
常動作を行なう。一方、モード切換信号MSを“L"レベル
に設定すると半導体スイッチ30,31がオン状態、半導体
スイッチ28,29がオフ状態となって出力バッファ15はテ
ストモード用の機能部に接続され、本来の機能部15とは
切離される。In the above configuration, the connection between the original function unit 15 and the test mode function unit is switched by the mode switching signal MS. That is, first, when the mode switching signal MS is set to “H” level, the semiconductor switches 28 and 29 are turned on,
When the semiconductor switches 30 and 31 are turned off, the output buffer 18 is connected to the original function unit 15 and is separated from the test mode function unit. Therefore, the output buffer 18 performs a normal operation. On the other hand, when the mode switching signal MS is set to “L” level, the semiconductor switches 30 and 31 are turned on, and the semiconductor switches 28 and 29 are turned off, and the output buffer 15 is connected to the test mode function unit, and It is separated from the functional unit 15.
今、モード切換信号MSが“L"レベルであるとし、この
時の動作を説明する。各ラッチ回路33,34,35には、デー
タシフト用クロック信号線37に供給されるクロック信号
に基づいてデータシフト信号線36から順次データが入力
される。全てのラッチ回路33,34,35に任意のデータを転
送した後、同時スイッチング動作用のトリガ信号線39に
トリガ信号TSとしてクロック信号を入力する。これによ
って、出力パッド38には出力バッファ18を介して各ラッ
チ回路33,34,35により決定された出力信号が得られる。
この際、上記同時スイッチング動作用のトリガ信号線39
から与えるクロック信号により全てのラッチ回路を動作
させるので、DCテストの容易化だけでなく、同時スイッ
チングにようノイズマージンのチェックも可能となる。Now, assuming that the mode switching signal MS is at "L" level, the operation at this time will be described. Data is sequentially input to each of the latch circuits 33, 34, and 35 from the data shift signal line 36 based on the clock signal supplied to the data shift clock signal line 37. After transferring any data to all the latch circuits 33, 34, 35, a clock signal is input to the trigger signal line 39 for simultaneous switching operation as a trigger signal TS. As a result, an output signal determined by each of the latch circuits 33, 34, and 35 is obtained at the output pad 38 via the output buffer 18.
At this time, the trigger signal line 39 for the simultaneous switching operation
Since all the latch circuits are operated by the clock signal supplied from the controller, not only the DC test can be facilitated but also the noise margin can be checked as in the case of simultaneous switching.
なお、上記第2図に示した回路では出力バッファ18と
してトライステートバッファを用いた場合の構成を示し
たが、通常の出力バッファを用いても同様であり、この
場合にはトライステートバッファのイネーブル信号用回
路、すなわち半導体スイッチ28,31、およびハイインピ
ーダンス状態決定用のラッチ回路34は不要である。ま
た、第3図に示すような双方向端子40の双方向出力バッ
ファ18′にも同様にして適応が可能である。第3図にお
けるブロック41は出力バッファ18を除いて前記第2図の
回路と同様な構成であり、42は双方向の入力バッファで
ある。In the circuit shown in FIG. 2, a configuration in which a tri-state buffer is used as the output buffer 18 is shown. However, the same applies when a normal output buffer is used. The signal circuit, that is, the semiconductor switches 28 and 31, and the latch circuit 34 for determining the high impedance state are not required. Further, the present invention can be similarly applied to the bidirectional output buffer 18 'of the bidirectional terminal 40 as shown in FIG. The block 41 in FIG. 3 has the same configuration as that of the circuit in FIG. 2 except for the output buffer 18, and 42 is a bidirectional input buffer.
第4図は、前記第1図の回路における入力バッファ20
1〜204およびテスト用ラッチ回路211〜214の周辺の詳細
な構成例を示しており、同時スイッチングノイズによる
入力バッファ201〜204の誤動作検出回路の例である。第
4図において、43は入力パッド、20は入力バッファ、44
はオアゲート、45はインバータ、46は誤動作信号記憶用
のラッチ回路(フリップフロップ)、47はPチャネル型
のMOSトランジスタによる半導体スイッチ、48はNチャ
ネル型のMOSトランジスタによる半導体スイッチ、49は
ノイズによる誤動作パルス入力線、50は前段のラッチ回
路の出力信号線(直列出力用)、51は次段のラッチ回路
の入力信号線(直列出力用)、52はクロック信号線、53
はラッチ回路46のクリア信号線でクリア信号Cが供給さ
れる。FIG. 4 shows the input buffer 20 in the circuit of FIG.
20 1 to 20 4 and shows the detailed structure of the periphery of the test latch circuit 21 1 to 21 4, an example of the malfunction detection circuit of the input buffer 20 1 to 20 4 by simultaneous switching noise. In FIG. 4, 43 is an input pad, 20 is an input buffer, 44
Is an OR gate, 45 is an inverter, 46 is a latch circuit (flip-flop) for storing a malfunction signal, 47 is a semiconductor switch using a P-channel MOS transistor, 48 is a semiconductor switch using an N-channel MOS transistor, and 49 is a malfunction due to noise. A pulse input line, 50 is an output signal line of the preceding latch circuit (for serial output), 51 is an input signal line of the next latch circuit (for serial output), 52 is a clock signal line, 53
Is a clear signal line of the latch circuit 46 to which the clear signal C is supplied.
上記のような構成において、モード切換信号MSを“H"
レベルに設定すると、入力バッファ20は本来の機能部15
に接続されるので、通常動作モードとして動作する。こ
の時、半導体スイッチ47はオフ状態、48はオン状態とな
ってラッチ回路46にはクロック信号CKが供給される。一
方、モード切換信号MSを“L"レベルに設定すると、半導
体スイッチ47がオン状態、48はオフ状態となってラッチ
回路46には入力バッファ20の出力が供給される。この
時、ラッチ回路46としてのフリップフロップのデータ入
力端子は上記モード切換信号MSの“L"レベルにより“H"
レベルに固定される。この状態で故意に同時スイッチン
グを起こし、この時入力バッファ20が“H"レベルと見な
せるレベルのノイズが生ずると、この"H"レベルの信号
が半導体スイッチ47およびパルス入力線49を介してフリ
ップフロップ(ラッチ回路)46のクロック入力端に入力
される。これによって、オアゲート44から出力される
“H"レベルの信号がフリップフロップ46にラッチされ、
この入力バッファ20が誤動作したことを記憶する。次
に、モード切換信号MSを“H"レベルに切換えて通常動作
モードに戻すと、各入力バッファに対応して設けた上記
フリップフロップ46が直列に接続されているので、クロ
ック信号線52からクロック信号CKを供給することによ
り、上記フリップフロップ46に記憶したデータが順次シ
フトされて外部端子から出力される。従って、この外部
端子から出力された信号をチェックすることによりどの
入力バッファが誤動作したかを検知できる。In the above configuration, the mode switching signal MS is set to “H”.
When set to the level, the input buffer 20
, So that it operates in the normal operation mode. At this time, the semiconductor switch 47 is turned off and the semiconductor switch 48 is turned on, and the clock signal CK is supplied to the latch circuit 46. On the other hand, when the mode switching signal MS is set to “L” level, the semiconductor switch 47 is turned on and the semiconductor switch 48 is turned off, and the output of the input buffer 20 is supplied to the latch circuit 46. At this time, the data input terminal of the flip-flop as the latch circuit 46 is set to “H” by the “L” level of the mode switching signal MS.
Fixed to level. In this state, simultaneous switching is intentionally performed. At this time, when noise of a level that can be regarded as “H” level occurs in the input buffer 20, this “H” level signal is supplied to the flip-flop via the semiconductor switch 47 and the pulse input line 49. (Latch circuit) Input to the clock input terminal of 46. As a result, the "H" level signal output from the OR gate 44 is latched by the flip-flop 46,
The fact that the input buffer 20 malfunctioned is stored. Next, when the mode switching signal MS is switched to the “H” level to return to the normal operation mode, the flip-flops 46 provided corresponding to the respective input buffers are connected in series. By supplying the signal CK, the data stored in the flip-flop 46 is sequentially shifted and output from the external terminal. Therefore, by checking the signal output from the external terminal, it is possible to detect which input buffer has malfunctioned.
第5図は、前記第2図に示した回路における出力バッ
ファの同時スイッチング動作を得るためのトリガ信号TS
の発生回路を示している。第5図において、54は出力値
決定用データ伝送線、23は前記出力値決定データ伝送用
のクロック信号線、55,55,…は出力値決定用データラッ
チ回路(前記第2図の回路におけるラッチ回路33,34に
相当する)、55nは上記出力値決定用データラッチ回路5
5,55,…の最終段、56は同時スイッチング用トリガ発生
用ラッチ回路、57は電源VDD(“H"レベル)、58は同時
スイッチング用トリガ発生信号線、59はクリア信号Cが
供給されるクリア信号線である。FIG. 5 shows a trigger signal TS for obtaining the simultaneous switching operation of the output buffers in the circuit shown in FIG.
Is shown. In FIG. 5, 54 is an output value determining data transmission line, 23 is the output value determining data transmitting clock signal line, and 55, 55,... Are output value determining data latch circuits (in the circuit of FIG. 2). 55n is the output value determining data latch circuit 5
5, 55,..., 56 is a latch circuit for generating a trigger for simultaneous switching, 57 is a power supply V DD (“H” level), 58 is a trigger generation signal line for simultaneous switching, and 59 is a clear signal C supplied. Clear signal line.
まず、上記トリガ発生用のラッチ回路(フリップフロ
ップ)58は、クリア信号Cによってリセットされ、同時
スイッチング用トリガ信号線58は“L"レベルになってい
る。出力値決定用データ伝送線54を介して出力値決定用
データを順次送って行く時には1番先頭のビットには必
ず“H"レベルを転送する。クロック信号を上記ラッチ回
路55,55,…55nの段数+1回入力すると上記1番初めに
入力した“H"レベルの信号がラッチ回路(フリップフロ
ップ)56のクロック入力端に入力され、同時スイッチン
グ用トリガ信号線58には“H"レベルが出力される。この
信号線58は前記第2図の回路におけるトリガ信号線39を
介してラッチ回路35に接続するため、上記同時スイッチ
ング用トリガ信号線58の“L"レベルから“H"レベルへの
立ち上がりによってトリガされ、出力決定用データに基
づいた同時スイッチングが発生する。従って、このよう
なトリガ発生回路を用いれば、トリガ信号TSを外部から
与えることなく生成できるので、ピン数を増加させるこ
となく同時スイッチングが行なえる。First, the trigger generation latch circuit (flip-flop) 58 is reset by the clear signal C, and the simultaneous switching trigger signal line 58 is at "L" level. When sequentially sending output value determination data via the output value determination data transmission line 54, the "H" level is always transferred to the first bit. When a clock signal is input +1 times the number of stages of the latch circuits 55, 55,..., 55n, the first input “H” level signal is input to the clock input terminal of the latch circuit (flip-flop) 56 for simultaneous switching. An “H” level is output to the trigger signal line 58. Since this signal line 58 is connected to the latch circuit 35 via the trigger signal line 39 in the circuit of FIG. 2, a trigger is caused by the rise of the simultaneous switching trigger signal line 58 from "L" level to "H" level. Then, simultaneous switching based on the output determination data occurs. Therefore, if such a trigger generation circuit is used, the trigger signal TS can be generated without an externally applied signal, so that simultaneous switching can be performed without increasing the number of pins.
このような構成によれば、下記(1)〜(5)に記す
ような種々の効果が得られる。According to such a configuration, various effects described in the following (1) to (5) can be obtained.
(1)DCテスト専用のテストデータ(全ての出力が“L"
レベル,“H"レベル、および“Z"レベル)を用意する必
要がないため、LSIの開発時におけるDCテストのための
時間を短縮できる。(1) Test data dedicated to DC test (all outputs are “L”
Level, “H” level, and “Z” level), it is possible to reduce the time for DC testing during LSI development.
(2)DCテストの方法が全ての場合において同じとなる
ため、テストプログラムおよびテスト治具類の標準化が
でき、低コスト化を図れる。(2) Since the DC test method is the same in all cases, test programs and test jigs can be standardized and cost can be reduced.
(3)基本的に全機能を動作させる必要がないため、テ
スト時間を短縮でき、テスト効率を向上できる。(3) Since it is basically unnecessary to operate all functions, the test time can be reduced and the test efficiency can be improved.
(4)LSIの完成後に外部から容易に任意の位置の出力
バッファを任意の数だけ同時スイッチングさせることが
でき、且つどの位置の入力バッファが同時スイッチング
によって誤動作したかを知ることができるため、ノイズ
マージンの評価が簡単に実行できる。(4) After completion of the LSI, any number of output buffers at any position can be simultaneously switched easily from the outside from the outside, and it is possible to know which position of the input buffer has malfunctioned due to the simultaneous switching. The margin can be easily evaluated.
(5)種々の条件でノイズマージンのチェックが可能な
ため、ノイズマージンを向上させるための最適化条件を
見つけることが容易である。このことは、結果としてLS
Iのコスト削減につながる。(5) Since the noise margin can be checked under various conditions, it is easy to find an optimization condition for improving the noise margin. This results in LS
I leads to cost reduction.
[発明の効果] 以上説明したようにこの発明によれば、DCテスト用の
入力パターン列を準備することなく出力バッファのDCテ
ストを容易に行なえ、且つ同時スイッチングを任意に起
こすことが可能な構成にすることによりノイズマージン
の評価が容易に行なえる半導体集積回路装置が得られ
る。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a DC test of an output buffer can be easily performed without preparing an input pattern sequence for a DC test, and simultaneous switching can be arbitrarily performed. By doing so, a semiconductor integrated circuit device in which the noise margin can be easily evaluated can be obtained.
第1図はこの発明の一実施例に係わる半導体集積回路装
置を示す回路図、第2図および第3図はそれぞれ上記第
1図の回路における出力バッファとテスト用ラッチ回路
の周辺の詳細な構成例を示す回路図、第4図は上記第1
図の回路における入力バッファとテスト用ラッチ回路の
周辺の詳細な構成例を示す回路図、第5図は上記第2図
に示した回路における出力バッファの同時スイッチング
動作用のトリガ信号発生回路を示す図、第6図は従来の
テスト容易化回路を示す図である。 14……半導体集積回路装置のチップ、15……本来の機能
部、16……モード切換信号入力端子、17……クロック入
力端子、181〜185……出力バッファ、191〜195……テス
ト用ラッチ回路、201〜204……入力バッファ、211〜214
……テスト用ラッチ回路、22,23……クロック信号線、2
41〜245……出力信号線、251〜254……入力信号線、26
……誤動作信号シリアル出力線、27……出力値決定用デ
ータシリアル入力線、MS……モード切換信号、CK……ク
ロック信号。FIG. 1 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are detailed configurations around an output buffer and a test latch circuit in the circuit of FIG. FIG. 4 is a circuit diagram showing an example.
5 is a circuit diagram showing a detailed configuration example around an input buffer and a test latch circuit in the circuit shown in FIG. 5. FIG. 5 shows a trigger signal generation circuit for simultaneous switching operation of the output buffer in the circuit shown in FIG. FIG. 6 is a diagram showing a conventional test facilitation circuit. 14: a chip of a semiconductor integrated circuit device, 15: an original functional part, 16: a mode switching signal input terminal, 17: a clock input terminal, 18 1 to 18 5 ... an output buffer, 19 1 to 19 5 ... … Test latch circuit, 20 1 to 20 4 …… Input buffer, 21 1 to 21 4
…… Test latch circuit, 22, 23 …… Clock signal line, 2
4 1 to 24 5 …… Output signal line, 25 1 to 25 4 …… Input signal line, 26
… Malfunction signal serial output line, 27… Data serial input line for output value determination, MS… Mode switching signal, CK… Clock signal.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−87150(JP,A) 特開 昭60−220942(JP,A) 特開 昭57−133656(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-57-87150 (JP, A) JP-A-60-220942 (JP, A) JP-A-57-133656 (JP, A)
Claims (2)
して設けられ出力値決定用データを記憶するテスト用の
第1のラッチ手段と、複数の入力バッファに各対応して
縦続接続して設けられ、各入力バッファの出力信号を記
憶するテスト用の第2のラッチ手段とを具備し、 上記出力バッファのテストを行なう場合には、モード切
り換え信号によりテストモードに設定し、出力値決定用
データを上記第1のラッチ手段に順次供給してラッチ
し、これら第1のラッチ手段にラッチした出力値決定用
データに基づいて上記出力バッファのDCテストを実行
し、 上記入力バッファのテストを行なう場合には、上記モー
ド切り換え信号により通常動作モードに設定し、クロッ
ク信号を与えて第2のラッチ手段にラッチされたデータ
をシリアルに読み出して誤動作を検出するようにして成
り、 上記第1のラッチ手段はそれぞれ、クロック信号に応答
して出力値決定用データが入力され、“L"レベルと“H"
レベルを決定するための第1のラッチ回路と、この第1
のラッチ回路に縦続接続され、上記クロック信号に応答
して上記出力値決定用データが入力され、上記出力バッ
ファのハイインピーダンス状態を決定するための第2の
ラッチ回路と、上記クロック信号に応答して上記出力値
決定用データが入力され、各出力バッファの同時スイッ
チング動作を行なうための第3のラッチ回路と、上記モ
ード切り換え信号に応答し、通常動作モード時に上記出
力バッファの入力端を本来の機能部に接続し且つ上記第
1ないし第3のラッチ回路を切り離し、テストモード時
に上記出力バッファの入力端に上記第1及び第3のラッ
チ回路の出力を供給し、上記出力バッファの制御入力端
に第3のラッチ回路の出力を供給し、且つ本来の機能部
を切り離す第1のスイッチ回路とを備え、 上記第2のラッチ手段はそれぞれ、上記入力バッファの
出力端に設けられ、同時スイッチング時の誤動作信号を
記憶するための第4のラッチ回路と、上記モード切り換
え信号に応答して通常動作モード時に上記第4のラッチ
回路に上記クロック信号を供給し、テストモード時に上
記入力バッファの出力を上記第4のラッチ回路に供給し
てラッチさせる第2のスイッチ回路とを備え、 上記第4のラッチ回路のデータ入力端を固定した状態で
同時スイッチングを起こし、誤動作を上記第4のラッチ
回路にラッチする ことを特徴とする半導体集積回路装置。A first latch means for testing, which is provided in cascade connection with each of a plurality of output buffers and stores output value determination data, and is cascade-connected to each of a plurality of input buffers. A second latch means for storing an output signal of each input buffer. When a test of the output buffer is performed, a test mode is set by a mode switching signal, and an output value is determined. Data is sequentially supplied to the first latch means and latched, and a DC test of the output buffer is executed based on the output value determination data latched by the first latch means. When the operation is performed, the normal operation mode is set by the mode switching signal, the clock signal is supplied, and the data latched by the second latch means is read out serially. Each of the first latch means receives an output value determination data in response to a clock signal, and outputs an "L" level signal and an "H" signal.
A first latch circuit for determining a level;
A second latch circuit for determining the high impedance state of the output buffer, and a second latch circuit for determining the high impedance state of the output buffer. And a third latch circuit for performing simultaneous switching operations of the respective output buffers, and in response to the mode switching signal, connecting the input terminal of the output buffer to the original during normal operation mode. Connected to a functional unit, disconnecting the first to third latch circuits, supplying an output of the first and third latch circuits to an input terminal of the output buffer in a test mode, and controlling an input terminal of the output buffer. And a first switch circuit for supplying an output of a third latch circuit and disconnecting an original function unit. A fourth latch circuit provided at an output terminal of the input buffer for storing a malfunction signal during simultaneous switching; and a fourth latch circuit in a normal operation mode in response to the mode switching signal. A second switch circuit for supplying a clock signal and supplying the output of the input buffer to the fourth latch circuit in a test mode to latch the output, and wherein a data input terminal of the fourth latch circuit is fixed. Wherein the semiconductor integrated circuit device causes simultaneous switching and latches a malfunction in the fourth latch circuit.
の最終段に設けられ、前記トリガ信号を発生するトリガ
発生回路を更に備え、出力値決定用データの先頭のビッ
トに“H"レベルを付加して前記縦続接続された第1,第2
のラッチ回路を転送し、前記第1,第2のラッチ回路の直
列段数を越えた時に上記先頭のビットに付加した“H"レ
ベルに応答して前記トリガ信号を生成することを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路装置。2. The apparatus according to claim 1, further comprising: a trigger generation circuit provided at the last stage of the cascade-connected first and second latch circuits and generating the trigger signal. "The first and second cascade-connected first and second
And the trigger signal is generated in response to the "H" level added to the first bit when the number of serial stages of the first and second latch circuits is exceeded. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62136171A JP2590105B2 (en) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62136171A JP2590105B2 (en) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63301553A JPS63301553A (en) | 1988-12-08 |
| JP2590105B2 true JP2590105B2 (en) | 1997-03-12 |
Family
ID=15168983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62136171A Expired - Lifetime JP2590105B2 (en) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2590105B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5300796A (en) * | 1988-06-29 | 1994-04-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having an internal cell array region and a peripheral region surrounding the internal cell array for providing input/output basic cells |
| JP4725563B2 (en) * | 2007-08-29 | 2011-07-13 | 日本電気株式会社 | Noise generation circuit, semiconductor integrated circuit, and noise tolerance evaluation method |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5787150A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Large-scale integrated circuit |
| JPS60220942A (en) * | 1984-04-17 | 1985-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | Testing method for integrated circuit |
-
1987
- 1987-05-30 JP JP62136171A patent/JP2590105B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63301553A (en) | 1988-12-08 |
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