JP2596473B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレ―ザ―光の光パルスを
照射することにより情報信号を記録する光記録媒体に関
するものである。
照射することにより情報信号を記録する光記録媒体に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】非晶質を結晶質との相変化が可逆的に行
われる記録材料は、その非晶質相と結晶相とのレ―ザ―
光の反射率が異なることを利用して情報の記録を行う。
即ち、初期状態として結晶状態となっている記録層にレ
―ザ―光を照射すると、該当する照射部は急熱急冷され
ることにより非晶質状態に変化し、非照射部とは反射率
の異なるピットが形成される（記録）。さらに、記録層
に形成されたピットに記録時よりも弱いレ―ザ―光を照
射すると、該当する照射部は穏やかに加熱冷却され非晶
質状態のピットは初期状態である結晶状態に戻る（消
去）。これらの、非晶質相と結晶相との間の相転移が可
逆的に行える、言い換えれば、記録と消去が可逆的に行
える書換え可能な記録材料としては、例えば、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ（例えば、特開昭63−228433等）が報告されて
いる。これらの記録材料をプラスチック製の基板あるい
はガラス製の基板上に、直接または下地層を介して所定
の厚さの薄膜を成膜し、その上に保護層、さらに場合に
よっては反射層を積層して光記録媒体の基本構成として
いる。ここで用いられる下地層および保護層にはＳｉＯ
2 ，ＺｎＳ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮ，Ａｌ2 Ｏ3 等の誘電
体膜やそれらの混合物、例えばＺｎＳとＳｉＯ2 の組合
せ等がある。また、反射層としてはＡｕ，Ａｌ，Ｎｉ−
Ｃｒ等の金属や合金が用いられている。これらの成膜方
法としては、蒸着法、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法等
が用いられている。
われる記録材料は、その非晶質相と結晶相とのレ―ザ―
光の反射率が異なることを利用して情報の記録を行う。
即ち、初期状態として結晶状態となっている記録層にレ
―ザ―光を照射すると、該当する照射部は急熱急冷され
ることにより非晶質状態に変化し、非照射部とは反射率
の異なるピットが形成される（記録）。さらに、記録層
に形成されたピットに記録時よりも弱いレ―ザ―光を照
射すると、該当する照射部は穏やかに加熱冷却され非晶
質状態のピットは初期状態である結晶状態に戻る（消
去）。これらの、非晶質相と結晶相との間の相転移が可
逆的に行える、言い換えれば、記録と消去が可逆的に行
える書換え可能な記録材料としては、例えば、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ（例えば、特開昭63−228433等）が報告されて
いる。これらの記録材料をプラスチック製の基板あるい
はガラス製の基板上に、直接または下地層を介して所定
の厚さの薄膜を成膜し、その上に保護層、さらに場合に
よっては反射層を積層して光記録媒体の基本構成として
いる。ここで用いられる下地層および保護層にはＳｉＯ
2 ，ＺｎＳ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮ，Ａｌ2 Ｏ3 等の誘電
体膜やそれらの混合物、例えばＺｎＳとＳｉＯ2 の組合
せ等がある。また、反射層としてはＡｕ，Ａｌ，Ｎｉ−
Ｃｒ等の金属や合金が用いられている。これらの成膜方
法としては、蒸着法、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法等
が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】情報社会の発達に伴
い、これまで以上に情報伝達の高速化および記録情報保
持の信頼性が要求されるようになってきている。この記
録媒体上の情報の保持耐久性は、記録層の非晶質相の結
晶化温度が高いほど良い。ここで、上述のＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ非晶質膜の結晶化温度はいずれも 180℃以下であり
必ずしも充分であるとは言えない。そこでＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5が 200
℃以上の結晶化温度を有することを見い出した。しか
し、消去時間は400 ns程度で必ずしも高速消去に充分で
あるとは言えない。本発明は高速消去可能な光情報記録
媒体を提供することを目的とする。
い、これまで以上に情報伝達の高速化および記録情報保
持の信頼性が要求されるようになってきている。この記
録媒体上の情報の保持耐久性は、記録層の非晶質相の結
晶化温度が高いほど良い。ここで、上述のＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ非晶質膜の結晶化温度はいずれも 180℃以下であり
必ずしも充分であるとは言えない。そこでＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5が 200
℃以上の結晶化温度を有することを見い出した。しか
し、消去時間は400 ns程度で必ずしも高速消去に充分で
あるとは言えない。本発明は高速消去可能な光情報記録
媒体を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の書換え可能な光情報記録媒体は、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5に
Ｇａ，Ｐｂの内少なくとも１種類の元素を含有させたこ
とを特徴とする。記録膜のベ―ス組成は、成膜条件など
の誤差により±２at％程度ずれることがあるが、その場
合にも上記目的を達成できる。
め、本発明の書換え可能な光情報記録媒体は、Ｇｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5に
Ｇａ，Ｐｂの内少なくとも１種類の元素を含有させたこ
とを特徴とする。記録膜のベ―ス組成は、成膜条件など
の誤差により±２at％程度ずれることがあるが、その場
合にも上記目的を達成できる。
【０００５】
【作用】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓ
ｂ61.5Ｔｅ23.5にＧａ或いはＰｂがド―プされると、そ
れらが結晶核となり結晶化速度を速めたものと考えられ
る。添加物の添加量が本発明の範囲未満の場合は消去時
間の短縮効果はなく、範囲よりも多い場合には記録消去
が困難となる。
ｂ61.5Ｔｅ23.5にＧａ或いはＰｂがド―プされると、そ
れらが結晶核となり結晶化速度を速めたものと考えられ
る。添加物の添加量が本発明の範囲未満の場合は消去時
間の短縮効果はなく、範囲よりも多い場合には記録消去
が困難となる。
【０００６】
【実施例１】以下に本発明の実施例を示す。記録膜、保
護膜等の成膜はＲＦマグネトロンスパッタリングによっ
て行った。洗浄されたガラス片にＧｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ
23.5にＧａ＋Ｐｂ 0.5〜12.3at％含ませたスパッタリン
グタ―ゲットを用いて、Ａｒ＝３ｍTorrを導入してＲＦ
パワ―50Ｗで膜厚約150 nmのＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物に
よる保護膜を積層成膜した。この試料を窒素雰囲気中、
温度 240℃で約30分間加熱し初期結晶化した。あるい
は、連続光または１KHz のパルス光で記録消去特性評価
領域をレ―ザ―アニ―ルして初期結晶化した。各試料に
ついて、パルス幅30ns、波長830 nmのレ―ザ―光により
直径約 0.6μｍの記録ピットを形成し、その記録ピット
を消去することができる消去パルス幅（消去時間）を調
べた。その結果を第１表に示した。この結果より明らか
なように本発明のＧａ，Ｐｂの内少なくとも１種類の元
素を含有するＧｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5記録膜は150 ns以
下で消去可能であった。
護膜等の成膜はＲＦマグネトロンスパッタリングによっ
て行った。洗浄されたガラス片にＧｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ
23.5にＧａ＋Ｐｂ 0.5〜12.3at％含ませたスパッタリン
グタ―ゲットを用いて、Ａｒ＝３ｍTorrを導入してＲＦ
パワ―50Ｗで膜厚約150 nmのＺｎＳ−ＳｉＯ2 混合物に
よる保護膜を積層成膜した。この試料を窒素雰囲気中、
温度 240℃で約30分間加熱し初期結晶化した。あるい
は、連続光または１KHz のパルス光で記録消去特性評価
領域をレ―ザ―アニ―ルして初期結晶化した。各試料に
ついて、パルス幅30ns、波長830 nmのレ―ザ―光により
直径約 0.6μｍの記録ピットを形成し、その記録ピット
を消去することができる消去パルス幅（消去時間）を調
べた。その結果を第１表に示した。この結果より明らか
なように本発明のＧａ，Ｐｂの内少なくとも１種類の元
素を含有するＧｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5記録膜は150 ns以
下で消去可能であった。
【０００７】次に、結晶化開始温度を熱分析（ＤＳＣ）
によって調べた。熱分析の際の昇温速度は毎分10℃であ
る。その結果を第１表に示した。この結果より明らかな
ように本発明のＧａ，Ｐｂの少なくとも１種類の元素を
含有するＧｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5薄膜の結晶化開始温度
は 180℃を越えていた。ところで、記録膜のベ―ス組成
は、成膜条件などの実験誤差により±２at％程度ずれる
場合があり、その場合（Ｇｅ15±２Ｓｂ61.5±２Ｔｅ2
3.5±２）も同様の結果が得られた。 第１表 添加物 添加量 消去時間 結晶化開始温度 at% ns ℃ なし ０ ４００ ２２５ Ｇａ １．８ １５０ ２３３ Ｇａ ３．８ １００ ２４７ Ｇａ ６．２ 記録消去困難 Ｐｂ ０．５ １５０ ２２７ Ｐｂ １．０ １３０ ２２５ Ｐｂ ５．０ １００ ２００ Ｐｂ ８．５ １００ １８７ Ｐｂ ９．５ 記録消去困難
によって調べた。熱分析の際の昇温速度は毎分10℃であ
る。その結果を第１表に示した。この結果より明らかな
ように本発明のＧａ，Ｐｂの少なくとも１種類の元素を
含有するＧｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5薄膜の結晶化開始温度
は 180℃を越えていた。ところで、記録膜のベ―ス組成
は、成膜条件などの実験誤差により±２at％程度ずれる
場合があり、その場合（Ｇｅ15±２Ｓｂ61.5±２Ｔｅ2
3.5±２）も同様の結果が得られた。 第１表 添加物 添加量 消去時間 結晶化開始温度 at% ns ℃ なし ０ ４００ ２２５ Ｇａ １．８ １５０ ２３３ Ｇａ ３．８ １００ ２４７ Ｇａ ６．２ 記録消去困難 Ｐｂ ０．５ １５０ ２２７ Ｐｂ １．０ １３０ ２２５ Ｐｂ ５．０ １００ ２００ Ｐｂ ８．５ １００ １８７ Ｐｂ ９．５ 記録消去困難
【０００８】
【比較例】消去時間および結晶化開始温度の比較例とし
ては、Ｇｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5（共晶組成）記録膜のデ
―タを第１表に示した、評価条件は実施例と同様であ
る。Ｇａ 6.2at％添加及びＰｂ 9.5at％添加の場合には
記録消去が困難であった。
ては、Ｇｅ15Ｓｂ61.5Ｔｅ23.5（共晶組成）記録膜のデ
―タを第１表に示した、評価条件は実施例と同様であ
る。Ｇａ 6.2at％添加及びＰｂ 9.5at％添加の場合には
記録消去が困難であった。
【０００９】
【発明の効果】以上のように、本発明によるＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓｂ61 .5Ｔｅ23.5にＧ
ａ、Ｐｂの内少なくとも１種類の元素をド―プした記録
層を有する光情報記録媒体は、消去時間が十分に速いも
のである。
−Ｔｅ３元系の共晶組成Ｇｅ15Ｓｂ61 .5Ｔｅ23.5にＧ
ａ、Ｐｂの内少なくとも１種類の元素をド―プした記録
層を有する光情報記録媒体は、消去時間が十分に速いも
のである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−76120（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−116455（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−225934（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−118229（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅの３元系の共晶組成Ｇ
ｅ15（±２）Ｓｂ61.5（±２）Ｔｅ23.5（±２）にＧ
ａ，Ｐｂの内の少なくとも１種類の元素を含有した記録
薄膜を有することを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 Ｇｅ15（±２）Ｓｂ61.5（±２）Ｔｅ2
3.5（±２）を100 at％としてＧａ＋Ｐｂが 0.5〜12.3a
t％含有することを特徴とする請求項１記載の光情報記
録媒体。 - 【請求項３】 Ｇｅ15（±２）Ｓｂ61.5（±２）Ｔｅ2
3.5（±２）を100 at％としてＧａが 1.8〜 3.8at％含
有することを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒
体。 - 【請求項４】 Ｇｅ15（±２）Ｓｂ61.5（±２）Ｔｅ2
3.5（±２）を100 at％としてＰｂが 0.5〜 8.5at％含
有することを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070292A JP2596473B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070292A JP2596473B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05229259A JPH05229259A (ja) | 1993-09-07 |
| JP2596473B2 true JP2596473B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=13427256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3070292A Expired - Lifetime JP2596473B2 (ja) | 1991-03-12 | 1991-03-12 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2596473B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60027815T2 (de) | 1999-05-19 | 2006-12-21 | Mitsubishi Kagaku Media Corp., Ltd. | Wiederbeschreibbares optisches Aufzeichnungsmedium und optisches Aufzeichnungsverfahren |
| JP2003034081A (ja) * | 2000-09-14 | 2003-02-04 | Ricoh Co Ltd | 相変化型光情報記録媒体 |
| JP2003228834A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-15 | Ricoh Co Ltd | 情報記録方式及び光記録媒体 |
-
1991
- 1991-03-12 JP JP3070292A patent/JP2596473B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05229259A (ja) | 1993-09-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |