JP2612554B2 - Method for fixing target in sputtering apparatus - Google Patents
Method for fixing target in sputtering apparatusInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、コンパクトディスク等の基板面にアルミ
ニューム被膜等を形成するスパッタリング装置におい
て、ターゲットをバッキングプレートにねじ止め固定す
るターゲット固定方法の改良に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) In the present invention, in a sputtering apparatus for forming an aluminum film or the like on a substrate surface such as a compact disk, a target is screwed and fixed to a backing plate. Related to improvement of target fixing method.
(従来の技術) デジタル化された音声画像や画像情報を大量に記録す
るのにコンパクトディスク(以下、CDと略称する)が広
く使用されるようになってきた。(Prior Art) Compact discs (hereinafter abbreviated as CDs) have been widely used for recording a large amount of digitized audio images and image information.
CDは、ポリカーボネート等の透明な合成樹脂性基板の
表面にスパッタリングにより光反射率の高いアルミニュ
ーム(Al)薄膜層が形成されて構成され、「1」か
「0」のデジタル情報に合わせて、その基板にピット
(pit)と称する小さな孔を開け、その孔の有無をレー
ザ光の反射波あるいは透過波の有無によりその記録情報
を読み出し得るものである。The CD is formed by forming an aluminum (Al) thin film layer having a high light reflectance by sputtering on the surface of a transparent synthetic resin substrate such as polycarbonate, and according to the digital information of "1" or "0", A small hole called a pit is formed in the substrate, and the presence or absence of the hole can be read out based on the presence or absence of a reflected or transmitted wave of laser light.
1枚のディスクへの薄膜形成はスパッタにより比較的
短時間で行われることから、多数のディスクに連続的に
薄膜形成することが可能である。Since the formation of a thin film on one disk is performed in a relatively short time by sputtering, it is possible to continuously form a thin film on many disks.
従来のスパッタリング装置は、第4図に示すように、
搬送テーブル1によってスパッタ源2に運ばれた基板3
は、成膜室21を形成するマスク22下端面に密着するよう
にプッシャー4によって押し上げられる。A conventional sputtering apparatus, as shown in FIG.
Substrate 3 transported to sputter source 2 by transport table 1
Is pushed up by the pusher 4 so as to be in close contact with the lower end surface of the mask 22 forming the film forming chamber 21.
成膜室21は、外囲器23内に内接した防着シールド23a,
23bとマスク22、及びターゲット24を固定したバッキン
グプレート25により形成され、排気は基板3のないとき
には、マスク22の空間22aを通して排気口26から排気さ
れる。The deposition chamber 21 includes a deposition-inhibiting shield 23a inscribed in an envelope 23,
The substrate 23 is formed by a backing plate 25 to which the mask 22 and the target 24 are fixed, and the exhaust is exhausted from the exhaust port 26 through the space 22 a of the mask 22 when there is no substrate 3.
マスク22は基板3を支持するとともに、その非成膜部
分を遮蔽するが、マスク22の外形寸法は高精度に製作さ
れており、その熱膨張力を利用して外囲器23に密着固定
される。The mask 22 supports the substrate 3 and shields the non-film-forming portion thereof. The outer dimensions of the mask 22 are manufactured with high precision, and the mask 22 is tightly fixed to the envelope 23 by using the thermal expansion force. You.
またAl製等のターゲット24は成膜室21側に面し、バッ
キングプレート25にボルト等のねじ25a,25bにより密着
固定される。A target 24 made of Al or the like faces the film forming chamber 21 and is fixed to the backing plate 25 by screws 25a and 25b such as bolts.
しかし、成膜室21側に面したターゲット24の表面は、
第5図に太線Aで示すように磁石27による磁力線Bがタ
ーゲット24と平行になった部分が最もエッチングされ
る。そこで磁石27は、永久磁石からなり中央の磁石27a
とこれを取囲むように円形に配置された周囲の磁石27b
とによって構成されるが、エッチングの均一化を目的と
して、ターゲット24の中心位置Cから距離dだけ偏心し
て位置させ、モータによって位置Cを中心軸として回転
駆動される。However, the surface of the target 24 facing the film forming chamber 21 is
As shown by the bold line A in FIG. 5, the portion where the line of magnetic force B by the magnet 27 is parallel to the target 24 is most etched. Therefore, the magnet 27 is made of a permanent magnet and the central magnet 27a
And surrounding magnets 27b arranged in a circle to surround it
The target 24 is eccentrically positioned at a distance d from the center position C of the target 24 for the purpose of uniform etching, and is rotationally driven about the position C by a motor.
このようにして、ターゲットゲット24はほぼ全面にわ
たってエッチングされるため、ねじ25bで固定されるタ
ーゲット外周フランジ部を除き、中央部を固定する大形
のねじ25aは図示のようにバッキングプレート25側から
取付けられていた。In this manner, since the target get 24 is etched over substantially the entire surface, except for the target outer peripheral flange portion fixed with the screw 25b, the large-sized screw 25a fixing the center portion is, as shown, from the backing plate 25 side. Was installed.
バッキングプレート25はカソード電極を構成し、ター
ゲット24面で75W/cm2程度の放電電界を形成するので、
相当な熱を発生する。熱による表面温度上昇を200〜300
℃以下に押え、ターゲット24が変形したりバッキングプ
レート25との間に間隙が生じるのを防ぐため、バッキン
グプレート25内にリング状の空洞を形成し、給水パイプ
25cを介して冷却水が供給されている。The backing plate 25 constitutes a cathode electrode and forms a discharge electric field of about 75 W / cm 2 on the surface of the target 24,
Generates considerable heat. 200-300 surface temperature rise due to heat
In order to prevent the target 24 from deforming or forming a gap with the backing plate 25, a ring-shaped cavity is formed in the backing plate 25,
Cooling water is supplied via 25c.
基板3への成膜時は、成膜に必要なアルゴンガスが管
23cから供給されて0.6[Pa(パスカル)]程度の圧力に
設定され、形成された放電磁界のもとでアルゴンガスイ
オンによるスパッタリング作用が起り、基板3表面にAl
の膜が形成される。薄膜形成後は、放電停止され、基板
3は再び搬送テーブル1に載置され取出される。At the time of film formation on the substrate 3, argon gas necessary for film formation
The pressure is set to about 0.6 [Pa (Pascal)] supplied from 23c, and a sputtering action by argon gas ions occurs under the formed discharge magnetic field, and Al
Is formed. After the formation of the thin film, the discharge is stopped, and the substrate 3 is placed again on the transfer table 1 and taken out.
上記構成のスパッタリング装置において、ターゲット
24は消耗品でありしばしば交換が必要とされる。しか
し、ターゲット24は周縁のフランジ部はともかくとし
て、中央部ではバッキングプレート25側からねじ25aに
より固定されるので、ターゲット24を交換するには、磁
石27を取除いた後にねじ25aを取外す必要がある。しか
も、磁石27はケース28内にあって、バッキングプレート
25とケース28との間には給水管25cが連結されているこ
となどから、ターゲット24の交換には繁雑な分解作業が
要求され、多くの手間と高い技術力を必要としたので改
善が要望されていた。In the sputtering apparatus having the above configuration, the target
24 are consumables that often need to be replaced. However, the target 24 is fixed with screws 25a from the backing plate 25 side at the center, apart from the peripheral flange, so to replace the target 24, it is necessary to remove the screws 25a after removing the magnet 27. is there. Moreover, the magnet 27 is in the case 28,
Since the water supply pipe 25c is connected between the case 25 and the case 28, replacing the target 24 requires complicated disassembly work, and requires much labor and high technical skills, so improvement is required. It had been.
(発明が解決しようとする課題) 従来のスパッタリング装置におけるターゲットの固定
方法では、ターゲットの中央部がバッキングプレート側
からねじ止め固定されているので、ターゲットの交換作
業は容易でなかった。(Problems to be Solved by the Invention) According to the conventional method of fixing a target in a sputtering apparatus, the target replacement operation is not easy because the central portion of the target is screwed and fixed from the backing plate side.
そこでこの発明は、取外しが容易なスパッタリング装
置におけるターゲットの固定方法を提供することを目的
とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a method for fixing a target in a sputtering apparatus that is easy to remove.
[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明に係るスパッタリング装置におけるターゲッ
トの固定方法は成膜室内で基板と対向配置されるように
ターゲットをバッキングプレートにねじ止め固定するス
パッタリング装置におけるターゲットの固定方法におい
て、ターゲットのほぼ中央部およびターゲット外周フラ
ンジ部を成膜室側から前記バッキングプレートにねじ止
め固定したのち、先端部の少なくとも一部にばね性を有
する複数の爪部を有しターゲットと同質で有底筒状の封
止部材を形成し、またターゲットの中央ねじ部の凹部に
前記爪部を嵌合させて封止部材の露出表面をターゲット
に対し凹凸なく、かつ着脱自在に封止することを特徴と
する。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) A method for fixing a target in a sputtering apparatus according to the present invention is a method for fixing a target to a backing plate with a screw so as to face a substrate in a film forming chamber. In the method of fixing the target, after substantially fixing the substantially central portion of the target and the outer peripheral flange portion of the target to the backing plate by screwing from the film forming chamber side, the plurality of claw portions having spring properties are provided on at least a part of the distal end portion. A bottomed cylindrical sealing member of the same quality as the target is formed, and the claw portion is fitted into the concave portion of the central threaded portion of the target so that the exposed surface of the sealing member can be freely attached to and detached from the target without irregularities. It is characterized by sealing.
(作用) この発明に係るスパッタリング装置におけるターゲッ
トの固定方法は、ターゲットを成膜室側から前記バッキ
ングプレートにねじ止め固定するので、磁石を取外すこ
となくターゲットの交換が簡単に達成できる。また、中
央ねじ部にターゲットと同質の封止部材を着脱自在に封
止することで、ねじがエッチングされるのが防止され、
成膜室の汚染を回避する。さらに封止部材を有底筒状で
先端部の少なくとも一部にばね性を有する複数の爪部を
設けて形成し、かつターゲットの中央ねじ部の凹部に前
記爪部を嵌合させて封止することで封止部材の装着が確
実となりねじの被エッチングが防止され、ターゲットの
交換が簡単にできる。(Operation) In the method for fixing a target in the sputtering apparatus according to the present invention, since the target is fixed to the backing plate by screws from the film forming chamber side, the target can be easily replaced without removing the magnet. In addition, the sealing member of the same quality as the target is detachably sealed in the central screw portion, so that the screw is prevented from being etched,
Avoid contamination of the deposition chamber. Further, the sealing member is formed by providing a plurality of claw portions having a resiliency at least at a part of a distal end portion with a bottomed cylindrical shape, and fitting the claw portion into a concave portion of the central screw portion of the target to seal. By doing so, the mounting of the sealing member is ensured, the etching of the screw is prevented, and the target can be easily replaced.
(実施例) 以下、第1図ないし第3図を参照し、この発明による
スパッタリング装置のターゲットの固定方法の一実施例
を説明する。なお、第4図及び第5図に示した従来のス
パッタリング装置と同一構成には同一符号を付して詳細
な説明は省略する。(Embodiment) An embodiment of a method for fixing a target of a sputtering apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. The same components as those of the conventional sputtering apparatus shown in FIGS. 4 and 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
即ち、成膜室21は、マスク22と外囲器23に内接する防
着シールド23d、及びターゲット24を固定したバッキン
グプレート25で構成される。That is, the film forming chamber 21 is constituted by a deposition-inhibiting shield 23d inscribed in the mask 22 and the envelope 23, and a backing plate 25 to which the target 24 is fixed.
そこで、成膜室21には従来と同様に、管23cからアル
ゴンガスが流入され、アルゴンガスイオンによるスパッ
タリング作用により、対向配置された基板3表面にAl薄
膜が形成される。膜形成後は従来と同様に、放電が停止
され、基板3は搬送テーブルに載置されて取出される。Therefore, as in the conventional case, an argon gas flows from the tube 23c into the film forming chamber 21, and an Al thin film is formed on the surface of the substrate 3 opposed to the surface by the sputtering action using the argon gas ions. After the film is formed, the discharge is stopped as in the related art, and the substrate 3 is placed on the transfer table and taken out.
ところで、Al製等のターゲット24は成膜室21内に面し
てバッキングプレート25に固定されるが、中央部はボル
ト等のねじ25aにより、外周フランジ部は複数の比較的
小さなねじ25bにより、夫々ターゲット24側からねじ止
め固定され、カソード電極を構成する。カソード電極
は、従来と同様に偏心して回転する磁石27とともに成膜
室21内に磁界を形成する。By the way, the target 24 made of Al or the like faces the inside of the film forming chamber 21 and is fixed to the backing plate 25.The center part is formed by screws 25a such as bolts, and the outer peripheral flange part is formed by a plurality of relatively small screws 25b. Each is screwed and fixed from the target 24 side to form a cathode electrode. The cathode electrode forms a magnetic field in the film forming chamber 21 together with the magnet 27 that rotates eccentrically as in the related art.
この実施例では、ねじ25aの頭部がターゲット24の中
央凹部24aに深く位置させて取付けるとともに、第2図
に拡大して示すように、ねじ25aを覆い、凹部24aをター
ゲット24と同質の、例えばAl部材からなる蓋状の封止部
材29で封止し、ターゲット24面とほぼ同一となり凹凸が
ないように構成したものである。In this embodiment, the head of the screw 25a is mounted with the head positioned deep in the central recess 24a of the target 24, and as shown in an enlarged view in FIG. 2, the screw 25a is covered, and the recess 24a is made of the same quality as the target 24. For example, it is sealed with a lid-shaped sealing member 29 made of an Al member, and is configured to be substantially the same as the surface of the target 24 and to have no irregularities.
また、上記封止部材29は第3図に拡大して示すよう
に、有底筒状からなり、周縁部には複数のスリット29a
によって、先端部が若干外側に反ってばね性を有する複
数の爪部29bが形成されている。そして封止部材29の爪
部29bの先端29b′は、ターゲット24の凹部24aに形成し
たリング状の溝24a′に嵌合するように形成したので、
封止部材29は押し込み操作でワンタッチで取付けられる
とともに、成膜室21内への脱落が防止される。また、封
止部材29のスリット29aは、成膜室21の排気処理と同時
に、凹部24a内のガスを排出する機能をも併せ持つもの
である。The sealing member 29 is formed in a cylindrical shape with a bottom as shown in FIG.
As a result, a plurality of claw portions 29b having a spring property with the tip portions slightly bent outward are formed. Since the tip 29b 'of the claw 29b of the sealing member 29 is formed so as to fit into the ring-shaped groove 24a' formed in the recess 24a of the target 24,
The sealing member 29 is attached by a one-touch operation by a pushing operation, and is prevented from falling into the film forming chamber 21. In addition, the slit 29a of the sealing member 29 has a function of discharging the gas in the concave portion 24a simultaneously with the exhaust processing of the film forming chamber 21.
なお、封止部材29を外すときは、細いキリ状の金具で
爪部29bを押し狭めることによって容易に取外すことが
できる。When the sealing member 29 is to be removed, it can be easily removed by pressing and narrowing the claw portion 29b with a thin metal fitting.
以上のように、この発明によるターゲットの固定方法
によれば、ターゲット24と同じ材質からなる封止部材29
で中央部のねじ25aを封止するので、異質な材料からな
るねじ25aが成膜室21側に露出しないことから、異常放
電や成膜室11の汚染を未然に防ぐことがでいるととも
に、磁石27,バッキングプレート25及びターゲット24
を、ねじ23eにより外囲器23側から一体として切離すだ
けで、ターゲット24を成膜室21側から簡単に交換できる
ものである。As described above, according to the target fixing method of the present invention, the sealing member 29 made of the same material as the target 24 is used.
Since the screw 25a in the central portion is sealed with the screw 25a made of a different material is not exposed to the film forming chamber 21 side, it is possible to prevent abnormal discharge and contamination of the film forming chamber 11 beforehand, Magnet 27, backing plate 25 and target 24
The target 24 can be easily exchanged from the film forming chamber 21 side only by integrally separating the target 24 from the envelope 23 side with the screw 23e.
[発明の効果] この発明に係るスパッタリング装置におけるターゲッ
トの固定方法は、ターゲットを成膜室側から前記バッキ
ングプレートにねじ止め固定するので、磁石を取外すこ
となくターゲットの交換が簡単にできる。また、中央ね
じ部にターゲットと同質の封止部材を着脱自在に封止す
ることで、ねじがエッチングされるのが防止され、成膜
室の汚染を回避する。さらに封止部材を有底筒状で先端
部の少なくとも一部にばね性を有する複数の爪部を設け
て形成し、かつターゲットの中央ねじ部の凹部に前記爪
部を嵌合させて封止することで封止部材の装着が確実と
なり、また封止部材の露出表面をターゲットに対し凹凸
なく封止することでねじの被エッチングが防止され、か
つ着脱自在でターゲットの交換が簡単にできる。[Effects of the Invention] In the method for fixing a target in a sputtering apparatus according to the present invention, the target is fixed to the backing plate by screws from the film forming chamber side, so that the target can be easily replaced without removing the magnet. In addition, by sealing the sealing member of the same quality as the target to the center screw portion in a detachable manner, the screw is prevented from being etched, and the deposition chamber is prevented from being contaminated. Further, the sealing member is formed by providing a plurality of claw portions having a resiliency at least at a part of a distal end portion in a bottomed cylindrical shape, and fitting the claw portions into recesses of the central screw portion of the target for sealing. By doing so, the mounting of the sealing member is assured, and the exposed surface of the sealing member is sealed to the target without unevenness, so that the screw can be prevented from being etched, and the target can be easily replaced and detached, so that the target can be easily replaced.
叙上の如くして良好なスパッタ処理が可能となり、例
えば連続的なCDの薄膜形成のスパッタリング装置等に適
用して顕著な効果が得られる。As described above, good sputtering can be performed, and a remarkable effect can be obtained by applying the present invention to, for example, a sputtering apparatus for forming a continuous CD thin film.
第1図はこの発明によるスパッタリング装置におけるタ
ーゲットの固定方法の一実施例を示す断面図、第2図は
第1図に示した方法でのねじ止め部の拡大断面図、第3
図は第1図に示した方法で使用する蓋の拡大斜視図、第
4図は従来のスパッタリング装置におけるターゲットの
固定方法を示す断面図、第5図は第4図に示す方法にお
ける磁石による磁力線の発生状況を示す説明図である。 1……搬送テーブル、2……スパッタ源、 21……成膜室、22……マスク、 23……外囲器、24……ターゲット、 25……バッキングプレート、 25a,25b……ねじ、27……磁石、 28……ケース、29……封止部材、 3……基板。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a method for fixing a target in a sputtering apparatus according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged sectional view of a screwed portion by the method shown in FIG.
FIG. 4 is an enlarged perspective view of a lid used in the method shown in FIG. 1, FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method for fixing a target in a conventional sputtering apparatus, and FIG. 5 is a magnetic field line by a magnet in the method shown in FIG. FIG. 4 is an explanatory diagram showing a situation of occurrence of an error. 1 ... transfer table, 2 ... sputter source, 21 ... film forming chamber, 22 ... mask, 23 ... envelope, 24 ... target, 25 ... backing plate, 25a, 25b ... screws, 27 ... magnet, 28 ... case, 29 ... sealing member, 3 ... board.
フロントページの続き (72)発明者 木ノ切 恭治 神奈川県座間市相模が丘6丁目25番22号 株式会社徳田製作所内 (72)発明者 池田 治朗 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−161163(JP,A) 特開 昭58−197271(JP,A) 実開 昭63−154661(JP,U) 実開 昭60−102249(JP,U)Continuing from the front page (72) Inventor Kyoji Kinokiri 6-25-22 Sagamigaoka, Zama City, Kanagawa Prefecture Inside Tokuda Seisakusho Co., Ltd. (72) Inventor Jiro Ikeda 6-35 Kita Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sonny (56) References JP-A-63-161163 (JP, A) JP-A-58-197271 (JP, A) JP-A-63-154661 (JP, U) JP-A-60-102249 (JP, A) U)
Claims (1)
ーゲットをバッキングプレートにねじ止め固定するスパ
ッタリング装置におけるターゲットの固定方法におい
て、ターゲットのほぼ中央部およびターゲット外周フラ
ンジ部を成膜室側から前記バッキングプレートにねじ止
め固定したのち、先端部の少なくとも一部にばね性を有
する複数の爪部を有しターゲットと同質で有底筒状の封
止部材を形成し、またターゲットの中央ねじ部の凹部に
前記爪部を嵌合させて封止部材の露出表面をターゲット
面に対し凹凸なく、かつ着脱自在に封止することを特徴
としたスパッタリング装置におけるターゲットの固定方
法。In a method of fixing a target in a sputtering apparatus, wherein a target is screwed and fixed to a backing plate so as to be opposed to a substrate in a film forming chamber, a substantially central portion of the target and a target outer peripheral flange portion are disposed on the side of the film forming chamber. From the backing plate to form a bottomed cylindrical sealing member of the same quality as the target having a plurality of claw portions having resilience at least at a part of the tip portion, and a central screw of the target. A method for fixing a target in a sputtering apparatus, wherein the claw portion is fitted into a concave portion of the portion, and the exposed surface of the sealing member is detachably sealed to the target surface without irregularities.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2139022A JP2612554B2 (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Method for fixing target in sputtering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2139022A JP2612554B2 (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Method for fixing target in sputtering apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH0432565A JPH0432565A (en) | 1992-02-04 |
| JP2612554B2 true JP2612554B2 (en) | 1997-05-21 |
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| JP2139022A Expired - Lifetime JP2612554B2 (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Method for fixing target in sputtering apparatus |
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Families Citing this family (1)
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-
1990
- 1990-05-29 JP JP2139022A patent/JP2612554B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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