JP2614239B2 - Optical device manufacturing equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、光導波路によって、光源であるレーザダ
イオード、機能素子であるスイッチ及び変調器、光検出
素子であるダイオードを集積化するようにした光集積回
路（光デバイス）の製造装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Industrial application field" In the present invention, a laser diode as a light source, a switch and a modulator as a functional element, and a diode as a photodetector are integrated by an optical waveguide. The present invention relates to an apparatus for manufacturing an optical integrated circuit (optical device).
「従来の技術」 一般に、基板上に光導波路のパターンを形成する際の
加工技術としては、レーザーリソグラフィー、レーザー
アニールといったレーザー光線による方法が用いられて
いる。[Prior Art] Generally, as a processing technique for forming an optical waveguide pattern on a substrate, a method using a laser beam such as laser lithography and laser annealing is used.
前記レーザーリソグラフィーは、導波路パターンを基
板上に直接描画する方法であり、また、レーザーアニー
ルは、レーザーリソグラフィーによって形成された導波
路を熱処理して、該導波路の伝送損失を低減させる方法
である。The laser lithography is a method of directly drawing a waveguide pattern on a substrate, and the laser annealing is a method of heat-treating a waveguide formed by laser lithography to reduce the transmission loss of the waveguide. .
特に、後者のレーザーアニールは、窒素をドープした
SiO2、Ta2O3をドープしたSiO2等のガラス導波路の損失
を低減させる際に有効である。In particular, the latter laser annealing is nitrogen doped
It is effective in reducing the loss of glass waveguide such as SiO 2 doped with SiO 2, Ta 2 O 3.
「発明が解決しようとする問題点」 ところで、上記のようなレーザーリソグラフィーによ
る導波路パターンの描画処理、また、レーザーアニール
による伝送損失の低減処理は、それぞれ個別の装置を用
いることにより行なわれており、これらの処理を行う毎
に、レーザー光線の基板に対する走査を制御し、かつ、
ステージに取り付けられた基板の位置合わせを行う必要
があった。[Problems to be Solved by the Invention] By the way, the drawing processing of the waveguide pattern by the laser lithography as described above, and the processing of reducing the transmission loss by the laser annealing are performed by using individual devices. Controlling the scanning of the laser beam on the substrate each time these processes are performed; and
It was necessary to align the substrate mounted on the stage.
この発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであっ
て、共通のパターンデータに基づいて、リソグラフィー
用のレーザー光線またはアニール用のレーザー光線を走
査することにより、該走査の簡易化を図るようにした光
デバイス製造装置を得ることを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and is intended to simplify the scanning by scanning a laser beam for lithography or a laser beam for annealing based on common pattern data. An object is to obtain an optical device manufacturing apparatus.
「問題点を解決するための手段」 上記の目的を達成するために、この発明では、リソグ
ラフィー用のレーザー光線を出力する第１の光源と、ア
ニール用のレーザー光線を出力する第２の光源と、これ
ら第１の光源あるいは第２の光源から出力されたリソグ
ラフィー用のレーザー光線とアニール用のレーザー光線
とをそれぞれ基板上に集光させる集光手段と、この集光
手段と、前記第１の光源及び第２の光源との間に設けら
れて、これら第１の光源及び第２の光源から出力された
リソグラフィー用のレーザー光線またはアニール用のレ
ーザー光線を選択的に集光手段に供給する切換手段と、
この切換手段によって選択され、かつ、前記集光手段に
よって集光されたリソグラフィー用のレーザー光線また
はアニール用のレーザー光線が照射されるとともに、そ
れらレーザー光線の照射位置において、基板が面方向に
沿って移動自在に設けられたステージとを備え、更に、
このステージに、リソグラフィー用レーザー光線によっ
て基板を描画した際の回路パターンが、パターンデータ
として入力される記憶部を有し、この記憶部に記憶され
た一つのパターンデータに基づいて、基板をその面方向
に沿って移動かつ位置決めする制御手段を設けるように
している。"Means for Solving the Problems" In order to achieve the above object, according to the present invention, a first light source for outputting a laser beam for lithography, a second light source for outputting a laser beam for annealing, and A focusing means for focusing a laser beam for lithography and a laser beam for annealing output from the first light source or the second light source on the substrate, respectively, the focusing means, the first light source and the second light source. Switching means provided between the first light source and the second light source to selectively supply a laser beam for lithography or a laser beam for annealing output from the first light source and the second light source to the focusing means;
A laser beam for lithography or a laser beam for annealing selected by the switching unit and focused by the focusing unit is irradiated, and at the irradiation position of the laser beam, the substrate is movable along the surface direction. With the stage provided,
On this stage, a circuit pattern when a substrate is drawn by a laser beam for lithography has a storage unit that is input as pattern data, and based on one pattern data stored in this storage unit, the substrate is oriented in the plane direction. Control means for moving and positioning along the axis.
「作用」 この発明によれば、記憶部に記憶された一つのパター
ンデータに基づき、リソグラフィー用のレーザー光線と
アニール用のレーザー光線とがそれぞれ照射される基板
をその面方向に移動し、かつ位置決めするようにした。
つまり、共通のパターンデータに基づき、リソグラフィ
ー用のレーザー光線及びアニール用のレーザー光線の基
板に対する走査を行うようにしたので、従来のように、
リソグラフィーまたはアニールを行う毎に、個々に走査
用のパターンデータを用意する必要がない。According to the present invention, based on one pattern data stored in the storage unit, the substrate irradiated with the laser beam for lithography and the laser beam for annealing is moved in the surface direction and positioned. I made it.
In other words, based on the common pattern data, the laser beam for lithography and the laser beam for annealing are scanned on the substrate.
It is not necessary to individually prepare pattern data for scanning each time lithography or annealing is performed.
「実施例」 この発明の光デバイスの作製装置について第１図〜第
４図を参照して説明する。Example An apparatus for manufacturing an optical device according to the present invention will be described with reference to FIGS.
まず、光デバイスの作製装置を説明する前に、光デバ
イスを作製するための手順、特に、三次元導波路を作製
するために微細加工技術について簡単に説明する。First, before describing an optical device manufacturing apparatus, a procedure for manufacturing an optical device, particularly, a fine processing technique for manufacturing a three-dimensional waveguide will be briefly described.
この光デバイスの作製手順は、大きく別けて３つの行
程からなっている。つまり、 （１）回路を形成するために必要なパターンデータの作
製、 （２）（１）のパターンデータに基づくレジストのパタ
ーニング、 （３）（２）のパターニングの後の加工、 といった行程からなる。This optical device fabrication procedure is roughly divided into three steps. That is, (1) production of pattern data necessary for forming a circuit, (2) patterning of resist based on the pattern data of (1), and (3) processing after patterning of (2). .
これらの行程の内、特に（２）のレジストのパターニ
ングを行う行程は、基板（この基板は既に二次元光導波
路の形成がなされている。）の上面にレジストを塗布し
て前処理（プリベーキング）し、この上から、（１）に
おいて作製されたパターンデータの内容に従って、レー
ザー光線が、不活性ガスの雰囲気下で回路パターンの焼
き付け（リソグラフィー）を行うものである。Of these steps, the step of patterning the resist (2) is, in particular, a step of applying a resist on the upper surface of a substrate (this substrate is already formed with a two-dimensional optical waveguide) and performing a pretreatment (prebaking). Then, a laser beam is printed (lithography) from above on the circuit pattern in an inert gas atmosphere according to the contents of the pattern data prepared in (1).
そして、前記（２）によるパターニングの後には、
（３）によって、例えば、エッチング処理等行ない、ま
た、レーザー光線を用いたアニール（焼きなまし処理）
等の処理を行うことにより、前記（２）によって形成さ
れた回路を結晶化させるものである。After the patterning according to the above (2),
According to (3), for example, an etching process is performed, and annealing using a laser beam (annealing process) is performed.
By performing such processes, the circuit formed by the above (2) is crystallized.
そして、上記の（１）〜（３）の行程によって、表面
処理された基板上に、該基板の厚み方向と面方向との両
方から光を閉じ込める、いわゆる三次元導波路が作製さ
れる。Then, by the steps (1) to (3), a so-called three-dimensional waveguide is formed on the surface-treated substrate, which confine light from both the thickness direction and the surface direction of the substrate.
次に、上記の行程（２）及び行程（３）で使用される
リソグラフィー、アニールを行う装置（光デバイス製造
装置）について第１図〜第３図を参照して説明する。Next, an apparatus (optical device manufacturing apparatus) for performing lithography and annealing used in the above steps (2) and (3) will be described with reference to FIGS.
まず、第１図において、符号１で示されるものは、リ
ソグラフィー用レーザーの光源であるHe−Cdレーザー
（第１の光源）であり、符号２で示されるものは、アニ
ール用レーザーの光源であるYAGレーザー（第２の光
源）である。First, in FIG. 1, reference numeral 1 denotes a He-Cd laser (first light source) which is a light source of a laser for lithography, and reference numeral 2 denotes a light source of a laser for annealing. This is a YAG laser (second light source).
前記リソグラフィー用レーザーから出力されたレーザ
ー光は、変調器３、コリメートレンズ４、反射ミラー
５、合成ミラー６、反射ミラー７を順次経由して、縮小
レンズ（集光手段）８に入射されることにより、Ｘ−Ｙ
ステージ９に取り付けられた基板Ｂ上に集光され、ま
た、前記アニール用レーザーから出力されたレーザー光
は、変調器10、コリメートレンズ11、合成ミラー６、反
射ミラー７を順次経由して、前記リソグラフィー用レー
ザーから出力されたレーザー光と同様に、前記縮小レン
ズ８に入射されることにより、Ｘ−Ｙステージ９に取り
付けられた同基板Ｂ上に集光されるようになっている。The laser light output from the lithography laser passes through a modulator 3, a collimator lens 4, a reflection mirror 5, a combining mirror 6, and a reflection mirror 7 in order, and is incident on a reduction lens (light collecting means) 8. XY
The laser light condensed on the substrate B attached to the stage 9 and output from the annealing laser passes through a modulator 10, a collimating lens 11, a combining mirror 6, and a reflecting mirror 7 in order, and Similarly to the laser light output from the lithography laser, the laser light is incident on the reduction lens 8 so as to be focused on the same substrate B attached to the XY stage 9.
なお、前記リソグラフィー用レーザーから出力された
レーザー光の通過経路と、アニール用レーザーから出力
されたレーザー光の通過経路とは、図に示すように合成
ミラー６とＸ−Ｙステージ９との間が共通となってい
る。The passage of the laser light output from the laser for lithography and the passage of the laser light output from the laser for annealing have a path between the combining mirror 6 and the XY stage 9 as shown in FIG. It is common.
また、この第１図において、符号15で示すものは、制
御回路であって、この制御回路15から出力される出力信
号S1・S2は、アナログインターフェイス16a・16bを経由
して、前記変調器３・10の調整を行うドライバ17a・17b
にそれぞれ供給されるようになっている。In FIG. 1, reference numeral 15 denotes a control circuit, and output signals S 1 and S 2 output from the control circuit 15 are transmitted through analog interfaces 16 a and 16 b to the modulation circuit. Drivers 17a and 17b for adjusting devices 3 and 10
Respectively.
一方、前記制御回路15から出力される出力信号S3・S4
は、デジタルインターフェイス18a・18bを経由して、パ
ルスコントローラ19a及びパルスコントローラ19bにそれ
ぞれ供給されるようになっており、更に、これらパルス
コントローラ19a及びパルスコントローラ19bによって、
前記縮小レンズ８及びＸ−Ｙステージ９上の基板Ｂを位
置決めするパルスモータ20a及びパルスモータ20b・20c
を駆動するようになっている なお、前記出力信号S3によって制御されるパルスモー
タ20aは、前記縮小レンズ８を図中上下方向に移動させ
て、前記基板Ｂに対して近接離間させるものであり、ま
た、前記出力信号S4によって制御されるパルスモータ20
b・20cは、Ｘ−Ｙステージ９上の基板ＢをＸ方向、Ｙ方
向にそれぞれ移動させるものである（Ｘ−Ｙによって一
平面が形成される）。On the other hand, the output signals S 3 and S 4 output from the control circuit 15
Are supplied to the pulse controller 19a and the pulse controller 19b via the digital interfaces 18a and 18b, respectively, and further, by the pulse controller 19a and the pulse controller 19b,
The pulse motor 20a and the pulse motors 20b and 20c for positioning the substrate B on the XY stage 9 and the reduction lens 8.
Note and drives the pulse motor 20a which is controlled by the output signal S 3 is the reduction lens 8 is moved in the vertical direction Figure, which is close to or away from to the substrate B In addition, the pulse motor 20 which is controlled by the output signal S 4
b · 20c moves the substrate B on the XY stage 9 in the X direction and the Y direction, respectively (one plane is formed by XY).
つまり、前記パルスモータ20aは、縮小レンズ８を上
下に移動させることによって、He−Cdレーザー１または
YAGレーザー２から出力された各レーザー光線を基板Ｂ
に対して焦点合わせするものであり、また、前記パルス
モータ20b・20cは、基板ＢをＸ−Ｙ方向に移動させるこ
とによって、前記縮小レンズ８によるレーザー光の集光
位置をＸ−Ｙ方向に対して位置合わせし、この位置合わ
せによって、基板Ｂ上に所定の回路パターンを形成する
ように該レーザー光を移動させるものである。In other words, the pulse motor 20a moves the reduction lens 8 up and down, so that the He-Cd laser 1 or
Each laser beam output from the YAG laser 2 is applied to the substrate B
The pulse motors 20b and 20c move the substrate B in the XY directions to move the focus position of the laser beam by the reduction lens 8 in the XY directions. The laser beam is moved so that a predetermined circuit pattern is formed on the substrate B by the positioning.
なお、上述したレーザー光の移動制御について説明す
ると、前者のHe−Cdレーザー１の場合、基板Ｂに付着さ
せたレジスト上から走査を行い、任意の回路パターンを
作成することができるが、後者のYAGレーザー２の場
合、He−Cdレーザー１によって基板を描画した際の回路
パターンに基づいて、その走査が行なわれることにな
る。In addition, the movement control of the laser light described above will be described. In the case of the former He-Cd laser 1, an arbitrary circuit pattern can be created by scanning from the resist attached to the substrate B. In the case of the YAG laser 2, the scanning is performed based on the circuit pattern when the substrate is drawn by the He-Cd laser 1.
つまり、制御回路15に設けられてなる記憶部には、He
−Cdレーザー１によって基板を描画した際の回路パター
ンがパターンデータとして逐一入力され、以後、この記
憶部に記憶したパターンデータに基づいて、YAGレーザ
ー２が、前記He−Cdレーザー１によって形成された回路
パターンをアニール処理するようにしている。That is, the storage unit provided in the control circuit 15 stores He
A circuit pattern when the substrate was drawn by the -Cd laser 1 was sequentially input as pattern data, and thereafter, based on the pattern data stored in the storage unit, the YAG laser 2 was formed by the He-Cd laser 1. The circuit pattern is annealed.
上記のように構成された光デバイス製造装置において
は、He−Cdレーザー１の描画パターンをパターンデータ
として制御回路15の記憶部に記憶させ、以後、YAGレー
ザー２の走査を、該記憶部に記憶させたパターンデータ
に基づいて行うようにしたので、結果として、リソグラ
フィー用のHe−Cdレーザー１と、アニール用のYAGレー
ザー２とは同一の回路パターンで以て基板Ｂ上を走査す
ることになり、これによって、リソグラフィーまたはア
ニールを行う毎に、個々に回路パターンを設定し、か
つ、レーザーの照射位置の位置合わせを逐一行っていた
従来の方式と比較して、その走査の簡易化を図ることが
できて、光デバイスの製造作業を能率良く行うことがで
きる。In the optical device manufacturing apparatus configured as described above, the drawing pattern of the He-Cd laser 1 is stored in the storage unit of the control circuit 15 as pattern data, and thereafter, the scanning of the YAG laser 2 is stored in the storage unit. As a result, the He-Cd laser 1 for lithography and the YAG laser 2 for annealing scan the substrate B with the same circuit pattern. Therefore, each time lithography or annealing is performed, the circuit pattern is individually set, and the scanning is simplified compared to the conventional method in which the laser irradiation position is aligned one by one. As a result, the optical device manufacturing operation can be performed efficiently.
このようにして基板Ｂに形成された回路パターンの一
例を示すと、第２図の通りである。この回路パターン
は、１本ラインを10本のラインに分岐させたものであっ
て、ライン同士のピッチは最低３μｍに形成されてい
る。FIG. 2 shows an example of the circuit pattern formed on the substrate B in this manner. In this circuit pattern, one line is branched into ten lines, and the pitch between the lines is formed at least 3 μm.
なお、上記の光デバイス製造装置においては、アニー
ル用レーザーとして、CO2レーザーを使用した場合に
は、第３図に示すように、凹面に形成された反射ミラー
（集光手段）25を配置してレーザー光線を反射させると
ともに、反射したレーザー光線に対し基板Ｂの上面が直
交するようにＸ−Ｙステージ26を配置するようにすれば
良い。この場合、前記Ｘ−Ｙステージ９は、反射ミラー
25に対して近接離間するような構造にすることが望まし
い。In the above-described optical device manufacturing apparatus, when a CO 2 laser is used as the annealing laser, a reflecting mirror (condensing means) 25 formed on a concave surface is arranged as shown in FIG. The XY stage 26 may be arranged so that the laser beam is reflected by the laser beam and the upper surface of the substrate B is orthogonal to the reflected laser beam. In this case, the XY stage 9 is a reflection mirror
It is desirable to have a structure that is close to and apart from 25.
また、上記の光デバイス製造装置においては、He−Cd
レーザー１の描画パターンに基づいて、YAGレーザー２
の走査を行うようにしたが、必ずしもこれに限定され
ず、制御回路15の記憶部に一つのパターンデータ（プロ
グラム）を予め記憶しておき、このパターンデータに基
づいて、He−Cdレーザー１、YAGレーザー２の走査を行
うようにしても良い。In the above optical device manufacturing apparatus, He-Cd
YAG laser 2 based on the drawing pattern of laser 1
Is performed, but the present invention is not limited to this. One pattern data (program) is stored in advance in the storage unit of the control circuit 15, and based on this pattern data, the He-Cd laser 1, The scanning by the YAG laser 2 may be performed.
つまり、前記制御回路15の記憶部に予め記憶しておい
た一つのパターンデータに基づき、パルスモータ20a〜2
0cの駆動を制御して、前記He−Cdレーザー１またはYAG
レーザー２からのレーザー光線の焦点をそれぞれ移動さ
せ、これによって、リソグラフィー用レーザーまたはア
ニール用レーザーの基板Ｂに対する走査をしても良い。That is, based on one pattern data stored in advance in the storage unit of the control circuit 15, the pulse motors 20a to 2a
0c to control the He-Cd laser 1 or YAG
The focal point of the laser beam from the laser 2 may be moved to scan the substrate B with the lithography laser or the annealing laser.
更に、上記の光デバイス製造装置においては、変調器
３、変調器10、ドライバ17a・17b、アナログインターフ
ェイス16a・16b、制御回路15によって切換手段が構成さ
れ、また、デジタルインターフェイス18a・18b、パルス
コントローラ19a・19b、パルスモータ20a〜20c、制御回
路15によって制御手段が構成される。Further, in the above optical device manufacturing apparatus, switching means is constituted by the modulator 3, the modulator 10, the drivers 17a and 17b, the analog interfaces 16a and 16b, and the control circuit 15. The digital interface 18a and 18b, the pulse controller Control means are constituted by 19a and 19b, the pulse motors 20a to 20c, and the control circuit 15.
「実験例」 400μｍ厚のSi基板上に、水蒸気熱酸化法により、３
μｍ厚のSiO2層を設けた（第４図（Ａ）〜第４図（Ｂ）
参照）。これに７μｍのSiO2−TiO2−比屈折率差Δ0.7
％を、400℃のO2雰囲気下でスパッタリングし（第４図
（Ｃ）参照）、更に、その上面に、前記SiO2−TiO2−Δ
0.7％をスパッタリングした条件と同一の条件で、Tiを
スパッタリングした。"Experimental example" On a 400 μm thick Si substrate, 3
A μm thick SiO 2 layer was provided (FIGS. 4A and 4B).
reference). 7 μm SiO 2 —TiO 2 —specific refractive index difference Δ0.7
% Is sputtered in an O 2 atmosphere at 400 ° C. (see FIG. 4 (C)), and the SiO 2 —TiO 2 −Δ
Ti was sputtered under the same conditions as those for sputtering 0.7%.
上述したように、SiO2−TiO2及びTiのスパッタリング
が完了したならば、次に、レジストを壁付プリベークし
た上で、出力が100ワットのHe−Cdレーザーによって回
路パターンを書き込んだ（第４図（Ｄ）参照）。As described above, after the sputtering of SiO 2 —TiO 2 and Ti was completed, the resist was pre-baked with a wall, and a circuit pattern was written with a He—Cd laser having a power of 100 Watt (fourth). FIG. (D)).
なお、前記He−Cdレーザーが基板に書き込んだ回路パ
ターンは、パターンデータとして記憶部に記憶する。The circuit pattern written on the substrate by the He-Cd laser is stored in the storage unit as pattern data.
次に、前記レジストを除去した後、露出したTi層をウ
エットエッチングにより除去し、更に、ERCドライエッ
チング装置を用いて、不要なSiO2−TiO2層を除去した。
これによって、第４図（Ｅ）に示すような導波路層（符
号イ示す）を作製した。このとき、前記導波路層（イ）
の損失を調べたところ、3.2dB/cmであった。Next, after removing the resist, the exposed Ti layer was removed by wet etching, and an unnecessary SiO 2 —TiO 2 layer was further removed using an ERC dry etching apparatus.
As a result, a waveguide layer (indicated by reference numeral a) as shown in FIG. 4 (E) was produced. At this time, the waveguide layer (a)
The loss was 3.2 dB / cm.
次いで、前記記憶部に記憶したパターンデータに基づ
き、出力30ワットのCO2レーザーが前記導波路層（イ）
を900℃に加熱してアニール処理した。このように処理
した前記導波路層（イ）の損失を調べたところ、0.4dB/
cmまで低減させることができた。Next, based on the pattern data stored in the storage unit, a CO 2 laser having an output of 30 watts is supplied to the waveguide layer (a).
Was heated to 900 ° C. for annealing. When the loss of the waveguide layer (a) thus treated was examined, it was found that the loss was 0.4 dB /
cm.
「発明の効果」 以上詳細に説明したように、この発明によれば、記憶
部に記憶された一つのパターンデータに基づき、リソグ
ラフィー用レーザー光線またはアニール用レーザー光線
とが照射される基板をその面方向に移動かつ位置決めす
るようにした。[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, based on one pattern data stored in the storage unit, the substrate irradiated with the lithography laser beam or the annealing laser beam is moved in the surface direction. Moved and positioned.
つまり、共通のパターンデータに基づき、リソグラフ
ィー用レーザー光線及びアニール用レーザー光線の基板
に対する走査を行うようにしたので、リソグラフィーま
たはアニールを行う毎に、個々にパターンデータを用意
していた従来の方式と比較して、その走査の簡易化を図
ることができて、光デバイスの製造作業を能率良く行う
ことができる。In other words, the lithography laser beam and the annealing laser beam are scanned on the substrate based on the common pattern data, so each time lithography or annealing is performed, the pattern data is individually prepared compared to the conventional method. Therefore, the scanning can be simplified, and the optical device manufacturing operation can be performed efficiently.
第１図〜第４図（Ｅ）は、本発明の一実施例を示す図で
あって、第１図はその全体構成を示す回路図、第２図は
光デバイス製造装置によって製造された導波路のパター
ンを示す平面図、第３図はCO2レーザーを用いた場合に
おけるレンズ及びステージの配置を示す側面図、第４図
（Ａ）〜第４図（Ｅ）は回路パターンの製造行程を示す
図である。 １……He−Cdレーザー（第１の光源） ２……YAGレーザー（第２の光源） ８……縮小レンズ（集光手段） ９……ステージ 25……反射ミラー（集光手段） 26……ステージFIGS. 1 to 4E are views showing an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a circuit diagram showing the entire structure, and FIG. FIG. 3 is a plan view showing a wave pattern, FIG. 3 is a side view showing an arrangement of a lens and a stage when a CO 2 laser is used, and FIGS. 4 (A) to 4 (E) show a manufacturing process of a circuit pattern. FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... He-Cd laser (1st light source) 2 ... YAG laser (2nd light source) 8 ... Reduction lens (condensing means) 9 ... Stage 25 ... Reflection mirror (condensing means) 26 ... …stage
Claims (1)
第１の光源と、アニール用のレーザー光線を出力する第
２の光線と、 これら第１の光源あるいは第２の光源から出力されたリ
ソグラフィー用のレーザー光線とアニール用のレーザー
光線とをそれぞれ基板に集光させる集光手段と、 この集光手段と、前記第１の光源および第２の光源との
間に設けられて、これら第１の光源及び第２の光源から
出力されたリソグラフィー用のレーザー光線とアニール
用のレーザー光線を選択的に集光手段に供給する切替手
段と、 この切替手段によって選択されたリソグラフィー用のレ
ーザー光線またはアニール用のレーザー光線が、前記集
光手段によって集光されつつ照射されるとともに、それ
らレーザー光線の照射位置において、前記基板を面方向
に沿って移動自在に支持するステージから構成されてな
り、 このステージには、リソグラフィー用レーザー光線によ
って基板を描写した際の回路パターンが、パターンデー
タとして入力される記憶部を有し、この記憶部に記憶さ
れた一つのパターンデータに基づいて、基板をその面方
向に沿って移動かつ位置決めし、前記記憶された一つの
パターンデータに基づいて、アニール用のレーザー光線
の移動を制御する制御手段が設けられていることを特徴
とする光デバイス製造装置。1. A first light source for outputting a laser beam for lithography, a second light beam for outputting a laser beam for annealing, and a laser beam for lithography output from the first light source or the second light source. And a first light source and a second light source provided between the first light source and the second light source. Switching means for selectively supplying the laser beam for lithography and the laser beam for annealing output from the laser beam to the focusing means, the laser beam for lithography or the laser beam for annealing selected by the switching means, The substrate is irradiated while being condensed, and at the irradiation position of the laser beam, the substrate is The stage has a storage unit in which a circuit pattern when a substrate is drawn by a laser beam for lithography is input as pattern data, and is stored in this storage unit. Control means is provided for moving and positioning the substrate along the surface direction based on the one set of pattern data and controlling the movement of the annealing laser beam based on the stored one pattern data. An optical device manufacturing apparatus, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62237954A JP2614239B2 (en) | 1987-09-22 | 1987-09-22 | Optical device manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62237954A JP2614239B2 (en) | 1987-09-22 | 1987-09-22 | Optical device manufacturing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6480909A JPS6480909A (en) | 1989-03-27 |
| JP2614239B2 true JP2614239B2 (en) | 1997-05-28 |
Family
ID=17022928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62237954A Expired - Lifetime JP2614239B2 (en) | 1987-09-22 | 1987-09-22 | Optical device manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2614239B2 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60156014A (en) * | 1983-12-27 | 1985-08-16 | Omron Tateisi Electronics Co | Production of flush type optical waveguide device |
| JPS6128940A (en) * | 1984-07-20 | 1986-02-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method and device for forming fine pattern |
-
1987
- 1987-09-22 JP JP62237954A patent/JP2614239B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6480909A (en) | 1989-03-27 |
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