JP2614338B2 - 液体ソース容器 - Google Patents
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- JP2614338B2 JP2614338B2 JP433790A JP433790A JP2614338B2 JP 2614338 B2 JP2614338 B2 JP 2614338B2 JP 433790 A JP433790 A JP 433790A JP 433790 A JP433790 A JP 433790A JP 2614338 B2 JP2614338 B2 JP 2614338B2
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
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- Y10T137/2931—Diverse fluid containing pressure systems
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、液体ソース・ガスの取り扱いに使用される
液体ソース容器に関するもので、特に半導体装置の製造
工程において、液体ソース・ガス圧送時の安全性確保及
び外部汚染の防止等のために使用されるものである。
液体ソース容器に関するもので、特に半導体装置の製造
工程において、液体ソース・ガス圧送時の安全性確保及
び外部汚染の防止等のために使用されるものである。
（従来の技術） 液体ソース・カスを気化させて、一般のガスと同様に
取り扱いできる機構を備えた液体材料気化制御装置（以
下ベーキングシステムと記す）は、従来より半導体製造
装置のCVD（Chemical Vapor Deposition）用反応炉の前
段設備等に使用されている。その主な装置構成の一例を
第６図に示す。即ちベーキングシステム１は、恒温室
２、タンク３、流量制御コントローラ４、及びエアー駆
動弁５等から成る。このシステム１への液体材料を供給
する機構としては、第６図に示すように液体ソース容器
６を接続する場合が多い。液体ソース容器６は、液体ソ
ース容器本体７、圧送ガス供給ライン８、液体ソース吐
出ライン９、圧送ガス供給元弁10、液体ソース吐出元弁
11等から成る。液体ソース容器６は、ジョイント継手12
でシステムから容易に切り離すことが可能であり、一般
の気化ガスと同様に、液体ソース13は、ガス充填メーカ
ーにより、液体ソース容器６に充填されて半導体メーカ
ーに供給される。符号14はパージバルブである。
取り扱いできる機構を備えた液体材料気化制御装置（以
下ベーキングシステムと記す）は、従来より半導体製造
装置のCVD（Chemical Vapor Deposition）用反応炉の前
段設備等に使用されている。その主な装置構成の一例を
第６図に示す。即ちベーキングシステム１は、恒温室
２、タンク３、流量制御コントローラ４、及びエアー駆
動弁５等から成る。このシステム１への液体材料を供給
する機構としては、第６図に示すように液体ソース容器
６を接続する場合が多い。液体ソース容器６は、液体ソ
ース容器本体７、圧送ガス供給ライン８、液体ソース吐
出ライン９、圧送ガス供給元弁10、液体ソース吐出元弁
11等から成る。液体ソース容器６は、ジョイント継手12
でシステムから容易に切り離すことが可能であり、一般
の気化ガスと同様に、液体ソース13は、ガス充填メーカ
ーにより、液体ソース容器６に充填されて半導体メーカ
ーに供給される。符号14はパージバルブである。
液体ソース圧送時には、パージバルブ14を閉じ、圧送
ガス供給元弁10及び吐出元弁11を開け、且つベーキング
システム１のタンク３内を負荷のかからぬ状態に保ち、
しかる後、不活性ガスによる圧力を、圧送ガス供給配管
15より、圧送ガス供給ライン８を通して、液体ソース容
器本体７内の液体ソース13の液面に加える。これにより
液体ソース13は、吐出ライン９及びベーキングシステム
１への連結配管16を通して、タンク３に導入される。液
体ソースは、図示してない排気機構によりタンク３で気
化されガスとなり、流量制御コントローラ４を通り、反
応炉に接続されるガスラインを通して、反応炉に吸入さ
れる。
ガス供給元弁10及び吐出元弁11を開け、且つベーキング
システム１のタンク３内を負荷のかからぬ状態に保ち、
しかる後、不活性ガスによる圧力を、圧送ガス供給配管
15より、圧送ガス供給ライン８を通して、液体ソース容
器本体７内の液体ソース13の液面に加える。これにより
液体ソース13は、吐出ライン９及びベーキングシステム
１への連結配管16を通して、タンク３に導入される。液
体ソースは、図示してない排気機構によりタンク３で気
化されガスとなり、流量制御コントローラ４を通り、反
応炉に接続されるガスラインを通して、反応炉に吸入さ
れる。
このような使用方式において、対象となる液体ソース
13は、例えばテトラエトキシシランSi（OC2H5）４（以
下、TEOSと記す）等の有機系液体ソースが、半導体基板
上に絶縁層を形成するソースとして広く使用される。又
僅かではあるが、半導体基板への不純物拡散源の膜を形
成する場合、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）或いはヒ素（A
s）等のドーピング原料を含んだ有機系液体ソースも併
せて用いられている。
13は、例えばテトラエトキシシランSi（OC2H5）４（以
下、TEOSと記す）等の有機系液体ソースが、半導体基板
上に絶縁層を形成するソースとして広く使用される。又
僅かではあるが、半導体基板への不純物拡散源の膜を形
成する場合、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）或いはヒ素（A
s）等のドーピング原料を含んだ有機系液体ソースも併
せて用いられている。
又液体ソース13を補充する場合には、前述の通り液体
ソース容器６をジョイント継手12から取り外し、ガス充
填メーカーに送付して、液体ソースを充填するのが普通
である。このため、ベーキングシステム１への連結配管
16及び液体ソース容器６のジョイント継手12から元弁1
0,11に至るまでのライン8,9は、毎回大気と接すること
になる。
ソース容器６をジョイント継手12から取り外し、ガス充
填メーカーに送付して、液体ソースを充填するのが普通
である。このため、ベーキングシステム１への連結配管
16及び液体ソース容器６のジョイント継手12から元弁1
0,11に至るまでのライン8,9は、毎回大気と接すること
になる。
一方液体ソースを圧送する工程の直後では、連結配管
16等の内面には、液体ソースが濡れて残る。このような
使用方法における有機系液体ソースの特徴は、大気中の
水分と反応し、ゆるやかであるが、シリカ（SiO2）等の
副生物を生じることである。
16等の内面には、液体ソースが濡れて残る。このような
使用方法における有機系液体ソースの特徴は、大気中の
水分と反応し、ゆるやかであるが、シリカ（SiO2）等の
副生物を生じることである。
このため、従来技術では、液体ソース圧送工程の前後
において、パージバルブ14を開け、元弁10,11を閉じ、
不活性ガスを圧送して連結配管16等のパージ乾燥を行な
っている。しかしながら従来技術では、パージライン
（パージ用ガスの流れるライン）から元弁10,11までの
配管15,16の長さが長く、又パージ用ガスの流路でない
ので、パージ乾燥を十分行なうことが難しい。パージ乾
燥が不十分であると、前述の通り、連結配管16、元弁1
0,11等の内面にシリカ等の副生物が生じ、この副生物に
より、液体ソース容器６、ベーシングシステム１或いは
被処理材が汚染され、更にはベーキングシステム１内の
タンク３への副生物の混入や、流量制御コントローラ４
の故障にもつながる。又リン、ヒ素等のドーピング原料
を含んだ液体ソースを取り扱う場合に、パージ不足であ
ると、強い刺激臭を伴う有毒ガスが室内に放散され、人
体への影響が大であり、作業上特に注意が必要である。
において、パージバルブ14を開け、元弁10,11を閉じ、
不活性ガスを圧送して連結配管16等のパージ乾燥を行な
っている。しかしながら従来技術では、パージライン
（パージ用ガスの流れるライン）から元弁10,11までの
配管15,16の長さが長く、又パージ用ガスの流路でない
ので、パージ乾燥を十分行なうことが難しい。パージ乾
燥が不十分であると、前述の通り、連結配管16、元弁1
0,11等の内面にシリカ等の副生物が生じ、この副生物に
より、液体ソース容器６、ベーシングシステム１或いは
被処理材が汚染され、更にはベーキングシステム１内の
タンク３への副生物の混入や、流量制御コントローラ４
の故障にもつながる。又リン、ヒ素等のドーピング原料
を含んだ液体ソースを取り扱う場合に、パージ不足であ
ると、強い刺激臭を伴う有毒ガスが室内に放散され、人
体への影響が大であり、作業上特に注意が必要である。
（発明が解決しようとする課題） これまで述べたように、液体ソースをベーキングシス
テムに圧送する作業の前後において、前記システムとの
連結配管や液体ソース容器内の吐出ライン等の内面に付
着している液体ソースを十分パージ乾燥して除去する必
要がある。しかしながら従来の液体ソース容器では、十
分なパージ効果が得られず、しばしば液体ソース容器及
びベーキングシステムが汚染され、更にはウェーハ等の
被処理基板の汚染につながるという課題があった。又従
来の液体ソース容器では、毒性の強いリン、ヒ素等の化
合物を含む液体ソースを取り扱う場合には、格別の注意
を必要とし、安全な作業条件が得られないという課題が
あった。
テムに圧送する作業の前後において、前記システムとの
連結配管や液体ソース容器内の吐出ライン等の内面に付
着している液体ソースを十分パージ乾燥して除去する必
要がある。しかしながら従来の液体ソース容器では、十
分なパージ効果が得られず、しばしば液体ソース容器及
びベーキングシステムが汚染され、更にはウェーハ等の
被処理基板の汚染につながるという課題があった。又従
来の液体ソース容器では、毒性の強いリン、ヒ素等の化
合物を含む液体ソースを取り扱う場合には、格別の注意
を必要とし、安全な作業条件が得られないという課題が
あった。
本発明は、前記の課題に鑑み行なわれたもので、液体
ソース圧送作業時のパージ効率を向上し、液体ソース容
器、ベーシングシステム等の半導体製造装置及び被処理
材への汚染を防止し、安全な作業条件が得られる液体ソ
ース容器を提供することを目的とする。
ソース圧送作業時のパージ効率を向上し、液体ソース容
器、ベーシングシステム等の半導体製造装置及び被処理
材への汚染を防止し、安全な作業条件が得られる液体ソ
ース容器を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の液体ソース容器は、第１図に例示するよう
に、液体ソースの供給元と使用先との間で液体ソースを
運搬する容器であって、液体ソース13を収容する液体ソ
ース容器本体17と、液体ソース13を圧送するための継手
27aと継手27aより容器側の圧送ガス供給ライン18と、こ
の圧送ガス供給ライン18に設置された第１及び第２の２
つの圧送ガス供給元弁20及び24と、液体ソース13を吐出
する継手27bと継手27bより容器側の液体ソース吐出ライ
ン19と、この液体ソース吐出ライン19に設置された第１
及び第２の２つの液体ソース吐出元弁21及び25と、第１
及び第２の圧送ガス供給元弁20と24を結ぶ圧送ガス供給
ライン18に一端が接続され、第１及び第２の液体ソース
吐出元弁21と25を結ぶ液体ソース吐出ライン19に他端が
接続されるパージライン23と、パージライン23に設置さ
れたパージ弁22とを、具備することを特徴とするもので
ある。なお圧送ガス供給ライン18、液体ソース吐出ライ
ン19及びパージライン23に加温機構を付加することは、
本発明の液体ソース容器に対し、望ましい実施態様であ
る。
に、液体ソースの供給元と使用先との間で液体ソースを
運搬する容器であって、液体ソース13を収容する液体ソ
ース容器本体17と、液体ソース13を圧送するための継手
27aと継手27aより容器側の圧送ガス供給ライン18と、こ
の圧送ガス供給ライン18に設置された第１及び第２の２
つの圧送ガス供給元弁20及び24と、液体ソース13を吐出
する継手27bと継手27bより容器側の液体ソース吐出ライ
ン19と、この液体ソース吐出ライン19に設置された第１
及び第２の２つの液体ソース吐出元弁21及び25と、第１
及び第２の圧送ガス供給元弁20と24を結ぶ圧送ガス供給
ライン18に一端が接続され、第１及び第２の液体ソース
吐出元弁21と25を結ぶ液体ソース吐出ライン19に他端が
接続されるパージライン23と、パージライン23に設置さ
れたパージ弁22とを、具備することを特徴とするもので
ある。なお圧送ガス供給ライン18、液体ソース吐出ライ
ン19及びパージライン23に加温機構を付加することは、
本発明の液体ソース容器に対し、望ましい実施態様であ
る。
（作用） 以下第２図を参照して説明する。
液体ソースを圧送する工程では、バージ弁22を閉じ、
圧送ガス供給元弁20,24及び液体ソース吐出弁21,25を開
け、加圧された不活性ガスを、圧送ガス供給ライン18を
通し、液体ソース容器本体17に導入する。液体ソース13
は加圧され、液体ソース吐出ライン19から連結配管16を
経てベーキングシステム１に吐出される。液体ソース13
は、主としてタンク３内で気化され、流量制御コントロ
ーラ４を経て図示してない反応炉に、真空引きにより導
入される。
圧送ガス供給元弁20,24及び液体ソース吐出弁21,25を開
け、加圧された不活性ガスを、圧送ガス供給ライン18を
通し、液体ソース容器本体17に導入する。液体ソース13
は加圧され、液体ソース吐出ライン19から連結配管16を
経てベーキングシステム１に吐出される。液体ソース13
は、主としてタンク３内で気化され、流量制御コントロ
ーラ４を経て図示してない反応炉に、真空引きにより導
入される。
液体ソース圧送工程の前後において、連結配管等の内
壁に濡れて残る液体ソースのパージ乾燥が行なわれる。
この場合には第１圧送ガス供給元弁20及び第１液体ソー
ス吐出弁21を閉じ、第２圧送ガス供給元弁24、パージ弁
22及び第２液体ソース吐出弁15を開ける。この状態で不
活性ガスを、圧送ガス供給配管15、圧送ガス供給ライン
18、パージライン23、液体ソース吐出ライン19及び連結
配管16を経て、ベーキングシステム１に流し、パージ乾
燥を行なう。
壁に濡れて残る液体ソースのパージ乾燥が行なわれる。
この場合には第１圧送ガス供給元弁20及び第１液体ソー
ス吐出弁21を閉じ、第２圧送ガス供給元弁24、パージ弁
22及び第２液体ソース吐出弁15を開ける。この状態で不
活性ガスを、圧送ガス供給配管15、圧送ガス供給ライン
18、パージライン23、液体ソース吐出ライン19及び連結
配管16を経て、ベーキングシステム１に流し、パージ乾
燥を行なう。
液体ソース容器26を取り外す場合には、パージ乾燥に
引き続いて第２圧送ガス供給元弁24、パージ弁22及び第
２液体ソース吐出弁25を閉じ、ジョイント継手27a,27b
で、液体ソース容器26を切り離す。
引き続いて第２圧送ガス供給元弁24、パージ弁22及び第
２液体ソース吐出弁25を閉じ、ジョイント継手27a,27b
で、液体ソース容器26を切り離す。
本発明の液体ソース容器の特徴は、パージライン23及
びパージ弁22を、該容器26に付属させ、容器本体17に近
接して設けたことである。これにより、従来技術では連
結配管16の一部及び吐出ライン19等の管内に直接パージ
用不活性ガスを流すことができなかったものが、可能と
なった。即ち容器本体17に近接して設けられる第１ガス
供給元弁20の上流及び第１吐出弁21の下流の配管又はパ
イプラインの管内には、パージ用不活性ガスが流通する
ので、パージ効率（短い時間で、管内の有害物を完全に
追い出すこと）が大幅に改善され、液体ソース容器、ベ
ーキングシステム及びウェーハ等の被処理材の汚染を防
止することができる。
びパージ弁22を、該容器26に付属させ、容器本体17に近
接して設けたことである。これにより、従来技術では連
結配管16の一部及び吐出ライン19等の管内に直接パージ
用不活性ガスを流すことができなかったものが、可能と
なった。即ち容器本体17に近接して設けられる第１ガス
供給元弁20の上流及び第１吐出弁21の下流の配管又はパ
イプラインの管内には、パージ用不活性ガスが流通する
ので、パージ効率（短い時間で、管内の有害物を完全に
追い出すこと）が大幅に改善され、液体ソース容器、ベ
ーキングシステム及びウェーハ等の被処理材の汚染を防
止することができる。
本発明の液体ソース容器の他の特徴は、ガス供給ライ
ン18及び吐出ライン19のそれぞれに第１、第２の元弁2
0,24及び元弁21,25を設けたことである。パージ乾燥作
業終了時に第２の元弁24及び25は閉じられる。この状態
では４つの元弁20,24,21,25は閉じられ、各元弁に挟ま
れたガス供給ライン18、吐出ライン19及びパージライン
23内には不活性ガスが封入されている。即ち容器本体17
内の液体ソース・ガスは、前記不活性ガスを介し、液体
ソース容器26外の雰囲気につながる。従って液体ソース
容器26を取り外した場合、操作ミス等により、いずれか
の元弁が開いても、液体ソースに起因する有毒ガスが室
内に放散することはない。これにより、従来に比し、よ
り安全に作業ができる。
ン18及び吐出ライン19のそれぞれに第１、第２の元弁2
0,24及び元弁21,25を設けたことである。パージ乾燥作
業終了時に第２の元弁24及び25は閉じられる。この状態
では４つの元弁20,24,21,25は閉じられ、各元弁に挟ま
れたガス供給ライン18、吐出ライン19及びパージライン
23内には不活性ガスが封入されている。即ち容器本体17
内の液体ソース・ガスは、前記不活性ガスを介し、液体
ソース容器26外の雰囲気につながる。従って液体ソース
容器26を取り外した場合、操作ミス等により、いずれか
の元弁が開いても、液体ソースに起因する有毒ガスが室
内に放散することはない。これにより、従来に比し、よ
り安全に作業ができる。
（実施例） 発明を完成するまでの経過を含め、本発明の実施例に
ついて、図面を参照して説明する。
ついて、図面を参照して説明する。
前述の従来技術では、パージ効果が不十分で、液体ソ
ース容器、ベーキングシステム等が汚染するという問題
点があり、これを解決するため、第３図に示す液体ソー
ス容器36を開発した。従来の第６図に示す液体ソース容
器６を使用する場合のパージ乾燥時において、吐出ライ
ン９及び連結配管16の比較的長い部分等には、直接管内
にパージ用不活性ガスが流れない。このため、圧送しき
れずに配管内に残った液体ソースを、完全に抜き取るこ
とができないし、又パージに必要な時間も長くなる。本
開発の液体ソース容器36では、パージライン43及びパー
ジ弁42を該容器36の一部と考え、液体ソース容器本体37
に近接して設けた。これにより、圧送ガス供給元弁40の
上流及び液体ソース吐出元弁41の下流に配設される圧送
ガス供給ライン38、液体ソース吐出ライン39及び連結配
管16等には、直接パージ用不活性ガスが流れる。即ち従
来例に比べ、容器本体37に近接した所まで、完全なパー
ジが可能となる。これによりパージ効果は著しく改善さ
れ、前記汚染する問題点は、ほぼ解決される。又、該容
器をジョイント継手27a,27bにて切り離した場合でも、
空気に触れる配管部分の残留液体ソースは十分パージさ
れているので、人体に対する安全性は確保される。この
場合、液体ソース容器外に設けていたパージバルブ14
は、必ずしも設ける必要はない。
ース容器、ベーキングシステム等が汚染するという問題
点があり、これを解決するため、第３図に示す液体ソー
ス容器36を開発した。従来の第６図に示す液体ソース容
器６を使用する場合のパージ乾燥時において、吐出ライ
ン９及び連結配管16の比較的長い部分等には、直接管内
にパージ用不活性ガスが流れない。このため、圧送しき
れずに配管内に残った液体ソースを、完全に抜き取るこ
とができないし、又パージに必要な時間も長くなる。本
開発の液体ソース容器36では、パージライン43及びパー
ジ弁42を該容器36の一部と考え、液体ソース容器本体37
に近接して設けた。これにより、圧送ガス供給元弁40の
上流及び液体ソース吐出元弁41の下流に配設される圧送
ガス供給ライン38、液体ソース吐出ライン39及び連結配
管16等には、直接パージ用不活性ガスが流れる。即ち従
来例に比べ、容器本体37に近接した所まで、完全なパー
ジが可能となる。これによりパージ効果は著しく改善さ
れ、前記汚染する問題点は、ほぼ解決される。又、該容
器をジョイント継手27a,27bにて切り離した場合でも、
空気に触れる配管部分の残留液体ソースは十分パージさ
れているので、人体に対する安全性は確保される。この
場合、液体ソース容器外に設けていたパージバルブ14
は、必ずしも設ける必要はない。
しかしながら液体ソース容器36では、該容器を切り離
す作業等で、万一ガス供給元弁40或いは吐出元弁41のど
ちらかが作業ミス等で開いた場合には、液体ソースに起
因する有毒物が室内に放出されるので、その取り扱いに
ついては、なお細心の注意が必要である。この問題点を
解決するため、第１図に示す液体ソース容器26が発明さ
れた。
す作業等で、万一ガス供給元弁40或いは吐出元弁41のど
ちらかが作業ミス等で開いた場合には、液体ソースに起
因する有毒物が室内に放出されるので、その取り扱いに
ついては、なお細心の注意が必要である。この問題点を
解決するため、第１図に示す液体ソース容器26が発明さ
れた。
第１図は液体ソース容器26の構成を、又第２図は該容
器26をベーキングシステム１に接続した場合の構成を示
す。本容器26は、パージ兼用の第２圧送ガス供給元弁24
及び第２液体ソース吐出元弁を、それぞれ第１圧送ガス
供給元弁20及び第１液体ソース吐出元弁21に付加したも
のである。
器26をベーキングシステム１に接続した場合の構成を示
す。本容器26は、パージ兼用の第２圧送ガス供給元弁24
及び第２液体ソース吐出元弁を、それぞれ第１圧送ガス
供給元弁20及び第１液体ソース吐出元弁21に付加したも
のである。
本容器26の構成、作用等については、前述の通りであ
る。本容器26は、第３図に示す前記液体ソース容器36の
特徴であるパージ効率の顕著な改善等を継承し、且つこ
れに加えて、この容器26の４つの元弁20,24,21,25を閉
じ、各弁間の圧送ガス供給ライン18,パージライン23及
び吐出ライン19内に不活性ガスを封じ込めた状態で、圧
送ガス供給配管15、連結配管16との切り離し作業を行な
うことができるようにしたものである。これにより安全
に作業できると共に操作ミス等で第１元弁が開いても第
２元弁で抑止され、液体ソースが大気と接する確率は大
幅に軽減される。
る。本容器26は、第３図に示す前記液体ソース容器36の
特徴であるパージ効率の顕著な改善等を継承し、且つこ
れに加えて、この容器26の４つの元弁20,24,21,25を閉
じ、各弁間の圧送ガス供給ライン18,パージライン23及
び吐出ライン19内に不活性ガスを封じ込めた状態で、圧
送ガス供給配管15、連結配管16との切り離し作業を行な
うことができるようにしたものである。これにより安全
に作業できると共に操作ミス等で第１元弁が開いても第
２元弁で抑止され、液体ソースが大気と接する確率は大
幅に軽減される。
ここで、第１図ないし第３図に示す液体ソース容器2
6、36において、圧送ガス供給配管15、連結配管16との
各々の継手方法を例えば片方を雄型27a、もう一方を雌
型27b等のように異種組み合わせ継手にすると、誤接続
による圧送ミスを無くすることができる。
6、36において、圧送ガス供給配管15、連結配管16との
各々の継手方法を例えば片方を雄型27a、もう一方を雌
型27b等のように異種組み合わせ継手にすると、誤接続
による圧送ミスを無くすることができる。
次に第４図は、本発明の液体ソース容器の他の実施例
を示すものである。同図の液体ソース容器56は、圧送ガ
ス供給ライン58、パージライン63及び液体ソース吐出ラ
イン59に、加温機構47を付加した例である。この場合、
連結配管16にも、同様の加温機構47を付加する。なお第
１、第２圧送ガス供給元弁60、64、第１、第２液体ソー
ス吐出元弁61、65及びパージ弁62は、所望により耐熱性
の弁を使用してもよい。符号28はストップ元弁である。
なお本実施例では、加温機構47は、テープヒータ（ヒー
タを絶縁テープに埋め込んだもの）を配管に巻いたもの
を使用した。
を示すものである。同図の液体ソース容器56は、圧送ガ
ス供給ライン58、パージライン63及び液体ソース吐出ラ
イン59に、加温機構47を付加した例である。この場合、
連結配管16にも、同様の加温機構47を付加する。なお第
１、第２圧送ガス供給元弁60、64、第１、第２液体ソー
ス吐出元弁61、65及びパージ弁62は、所望により耐熱性
の弁を使用してもよい。符号28はストップ元弁である。
なお本実施例では、加温機構47は、テープヒータ（ヒー
タを絶縁テープに埋め込んだもの）を配管に巻いたもの
を使用した。
ヒータに電流を流し、液体ソース容器56に設けられた
各パイプライン及び連結配管16を、所望の温度に加熱
し、配管内での液体ソースの気化効率を上げることがで
きる。加温温度は、加温材、各弁の耐温度、及び液体ソ
ースの種類によって最適温度を選べばよい。本実施例で
は前記ヒータテープを用い、90〜100℃の温度にした。
これにより従来真空引き或いは真空引きN2パージの方法
により行なってきたパージ乾燥の時間が、更に短くな
り、パージ効率が飛躍的に向上した。又この結果、第１
図及び第３図の実施例で時々見られたパージ時間不足に
よる配管内のシリカ付着による汚染を皆無にすることが
でき、配管内を常に清浄に保つことができるようになっ
た。
各パイプライン及び連結配管16を、所望の温度に加熱
し、配管内での液体ソースの気化効率を上げることがで
きる。加温温度は、加温材、各弁の耐温度、及び液体ソ
ースの種類によって最適温度を選べばよい。本実施例で
は前記ヒータテープを用い、90〜100℃の温度にした。
これにより従来真空引き或いは真空引きN2パージの方法
により行なってきたパージ乾燥の時間が、更に短くな
り、パージ効率が飛躍的に向上した。又この結果、第１
図及び第３図の実施例で時々見られたパージ時間不足に
よる配管内のシリカ付着による汚染を皆無にすることが
でき、配管内を常に清浄に保つことができるようになっ
た。
次に第５図は、前記液体ソース容器56の容器本体57を
直接恒温タンクとして用いた応用例で、相手側ジョイン
ト継手を逆に組めば取り付け可能である。恒温槽52の加
温された水溶液51に容器本体57を浸し、加温機構47を付
加することにより、ベーキングシステムと同じ機能を持
たせることができる。通常のベーキングシステムと何ら
変わることなく作業が実現でき、簡単なシステムには有
用である。
直接恒温タンクとして用いた応用例で、相手側ジョイン
ト継手を逆に組めば取り付け可能である。恒温槽52の加
温された水溶液51に容器本体57を浸し、加温機構47を付
加することにより、ベーキングシステムと同じ機能を持
たせることができる。通常のベーキングシステムと何ら
変わることなく作業が実現でき、簡単なシステムには有
用である。
上記実施例では、液体ソースとしてTEOSを取り上げた
が、これに限定されない。特に人体に対し有害物を含む
液体ソースの取り扱いには、本発明の液体ソース容器は
有効である。
が、これに限定されない。特に人体に対し有害物を含む
液体ソースの取り扱いには、本発明の液体ソース容器は
有効である。
又本発明の液体ソース容器は、ガス充填メーカでも使
用することができ、特に液体ソース容器56のように、加
温機構を付加すれば、より安全に液体ソース容器へのガ
ス充填が可能となる。
用することができ、特に液体ソース容器56のように、加
温機構を付加すれば、より安全に液体ソース容器へのガ
ス充填が可能となる。
［発明の効果］ これまで述べたように、本発明の液体ソース容器で
は、容器本体に近接して設けたパージライン、パージ弁
及び４つの元弁等により、液体ソース圧送前後のパージ
効率は著しく向上し、液体ソース容器、ベーキングシス
テム等の半導体製造装置及び被処理材への汚染は防止さ
れ、一方安全な作業条件も確保でき、その結果ベーキン
グシステムと付随システム及び被処理材への影響が軽減
され、生産性、信頼性の向上が得られる。
は、容器本体に近接して設けたパージライン、パージ弁
及び４つの元弁等により、液体ソース圧送前後のパージ
効率は著しく向上し、液体ソース容器、ベーキングシス
テム等の半導体製造装置及び被処理材への汚染は防止さ
れ、一方安全な作業条件も確保でき、その結果ベーキン
グシステムと付随システム及び被処理材への影響が軽減
され、生産性、信頼性の向上が得られる。
第１図は本発明の液体ソース容器の実施例を示す図、第
２図は第１図の液体ソース容器及び圧送システムを示す
図、第３図は発明の過程で開発した液体ソース容器を示
す図、第４図は本発明の液体ソース容器の他の実施例及
び圧送システムを示す図、第５図は第４図の液体ソース
容器の応用例を示す図、第６図は従来の液体ソース容器
及び圧送システムを示す図である。１ ……ベーキングシステム、６，26，36，56……液体ソ
ース容器、13……液体ソース、16……連結配管、17,37,
57……液体ソース容器本体、18,38,58……圧送ガス供給
ライン、19,39,59……液体ソース吐出ライン、20,60…
…第１圧送ガス供給元弁、21,61……第１液体ソース吐
出元弁、22,62……パージ弁、23,63……パージライン、
24,64……第２圧送ガス供給元弁、25,65……第２液体ソ
ース吐出元弁。
２図は第１図の液体ソース容器及び圧送システムを示す
図、第３図は発明の過程で開発した液体ソース容器を示
す図、第４図は本発明の液体ソース容器の他の実施例及
び圧送システムを示す図、第５図は第４図の液体ソース
容器の応用例を示す図、第６図は従来の液体ソース容器
及び圧送システムを示す図である。１ ……ベーキングシステム、６，26，36，56……液体ソ
ース容器、13……液体ソース、16……連結配管、17,37,
57……液体ソース容器本体、18,38,58……圧送ガス供給
ライン、19,39,59……液体ソース吐出ライン、20,60…
…第１圧送ガス供給元弁、21,61……第１液体ソース吐
出元弁、22,62……パージ弁、23,63……パージライン、
24,64……第２圧送ガス供給元弁、25,65……第２液体ソ
ース吐出元弁。
Claims (1)
- 【請求項１】液体ソースの供給元と使用先との間で液体
ソースを運搬する容器であって、液体ソースを収容する
液体ソース容器本体と、前記液体ソースを圧送するため
の継手と該継手より容器側の圧送ガス供給ラインと、こ
の圧送ガス供給ラインに設置された第１及び第２の２つ
の圧送ガス供給元弁と、前記液体ソースを吐出する継手
と該継手より容器側の液体ソース吐出ラインと、この液
体ソース吐出ラインに設置された第１及び第２の２つの
液体ソース吐出元弁と、第１及び第２の圧送ガス供給元
弁を結ぶ圧送ガス供給ラインに一端が接続され、第１及
び第２の液体ソース吐出元弁を結ぶ液体ソース吐出ライ
ンに他端が接続されるパージラインと、このパージライ
ンに設置されたパージ弁とを、具備することを特徴とす
る液体ソース容器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP433790A JP2614338B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 液体ソース容器 |
| US07/635,655 US5069244A (en) | 1990-01-11 | 1990-12-28 | Liquid source container device |
| DE69113066T DE69113066T2 (de) | 1990-01-11 | 1991-01-02 | Behälter für flüssigen Rohstoff. |
| EP19910100041 EP0437196B1 (en) | 1990-01-11 | 1991-01-02 | Liquid source container device |
| KR1019910000315A KR930007441B1 (ko) | 1990-01-11 | 1991-01-11 | 액체소오스용기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP433790A JP2614338B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 液体ソース容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03208889A JPH03208889A (ja) | 1991-09-12 |
| JP2614338B2 true JP2614338B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=11581628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP433790A Expired - Lifetime JP2614338B2 (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 液体ソース容器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5069244A (ja) |
| EP (1) | EP0437196B1 (ja) |
| JP (1) | JP2614338B2 (ja) |
| KR (1) | KR930007441B1 (ja) |
| DE (1) | DE69113066T2 (ja) |
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| EP2677061A2 (en) | 2012-05-27 | 2013-12-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Vessel with Filter |
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-
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- 1991-01-11 KR KR1019910000315A patent/KR930007441B1/ko not_active Expired - Fee Related
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