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JP2627324B2 - Silane purification method - Google Patents
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JP2627324B2 - Silane purification method - Google Patents

Silane purification method

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JP2627324B2
JP2627324B2 JP28776588A JP28776588A JP2627324B2 JP 2627324 B2 JP2627324 B2 JP 2627324B2 JP 28776588 A JP28776588 A JP 28776588A JP 28776588 A JP28776588 A JP 28776588A JP 2627324 B2 JP2627324 B2 JP 2627324B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシランの精製方法に関し、さらに詳細には不
純物としてシラン中に含有される酸素を極低濃度まで除
去しうるシランの精製方法に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for purifying silane, and more particularly, to a method for purifying silane capable of removing oxygen contained in silane as an impurity to an extremely low concentration.

シランはシリコン半導体などを製造するための原料お
よびイオン注入用ガスなどとして重要なものであり、そ
の使用量が年々増加しつつあると同時に半導体の高度集
積化に伴い、不純物の含有量の極めて低いものが要求さ
れている。
Silane is important as a raw material for manufacturing silicon semiconductors and a gas for ion implantation, etc., and its usage is increasing year by year, and at the same time, with the high integration of semiconductors, the content of impurities is extremely low. Things are required.

〔従来の技術〕 半導体製造時に使用されるシランは一般的には純シラ
ンの他、水素ガスまたは不活性ガスで稀釈された形態で
市販されている。これらのシラン中には不純物として酸
素および水分などが含有されており、このうち水分は合
成ゼオライトなどの脱湿剤により除去することが可能で
ある。
2. Description of the Related Art In general, silanes used in the production of semiconductors are commercially available in a form diluted with hydrogen gas or inert gas in addition to pure silane. These silanes contain oxygen, moisture and the like as impurities, of which the moisture can be removed by a dehumidifier such as synthetic zeolite.

市販の精製シラン中の酸素含有量は通常は10ppm以下
であるが、最近のボンベ入りのシランなどでは、その酸
素含有量は0.1〜0.5ppmと比較的低いものも市販されて
いる。
The oxygen content in commercially available purified silane is usually 10 ppm or less, but some of the recent silanes in cylinders have a relatively low oxygen content of 0.1 to 0.5 ppm, and are commercially available.

シラン中に含有される酸素を効率よく除去する方法に
ついての公知技術は殆ど見当たらない。
There are few known techniques for efficiently removing oxygen contained in silane.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、酸素含有量が単に1ppmを切る程度では
最近の半導体製造プロセスにおける要求に充分に対応す
ることはできず、さらに、0.1ppm以下とすることが強く
望まれている。
However, if the oxygen content is less than 1 ppm, it is not possible to sufficiently respond to the demands in recent semiconductor manufacturing processes, and it is strongly desired that the oxygen content be 0.1 ppm or less.

また、これらのガスはボンベの接続時や配管の切替時
など半導体製造装置への供給過程において空気など不純
物の混入による汚染もあるため、装置の直前でこれらを
最終的に除去することが望ましい。
In addition, since these gases may be contaminated by impurities such as air during the supply process to the semiconductor manufacturing apparatus such as when connecting cylinders or switching pipes, it is desirable that these gases be finally removed immediately before the apparatus.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明者らは、シラン中に含有される酸素を極低濃度
まで効率よく除去するべく鋭意研究を重ねた結果、シラ
ンをニッケルの珪素化物と接触させることにより、酸素
濃度を0.1ppm以下、さらには0.01ppm以下まで除去しう
ることを見い出し、本発明を完成した。
The present inventors have conducted intensive studies to efficiently remove oxygen contained in silane to an extremely low concentration, and as a result, by bringing silane into contact with nickel silicide, the oxygen concentration is 0.1 ppm or less, furthermore Has been found to be able to remove to 0.01 ppm or less, and completed the present invention.

すなわち本発明は、粗シランをニッケルの珪素化物と
接触させて、該粗シラン中に含有される酸素を除去する
ことを特徴とするシランの精製方法である。
That is, the present invention is a method for purifying silane, comprising contacting a crude silane with a silicide of nickel to remove oxygen contained in the crude silane.

本発明はシラン単独、水素(水素ガスベース)および
窒素、アルゴンなどの不活性ガス(不活性ガスベース)
で稀釈されたシラン(以下総称して粗シランと記す)中
に含有される酸素の除去に適用される。
The present invention is applicable to silane alone, hydrogen (based on hydrogen gas) and inert gas such as nitrogen and argon (based on inert gas).
This is applied to the removal of oxygen contained in silane diluted with (hereinafter referred to as crude silane).

本発明においてニッケルの珪素化物とはNi3Si、Ni2S
i、Ni3Si2、Ni2Si3などNiXSiYとして一般的に知られて
いる珪化ニッケルおよびニッケルに珪素がその他の種々
な形態で結合したものである。
In the present invention, nickel silicide is Ni 3 Si, Ni 2 S
Nickel silicide and nickel generally known as Ni X Si Y such as i, Ni 3 Si 2 , and Ni 2 Si 3, and silicon bonded to nickel in various other forms.

ニッケルの珪素化物を得るには種々な方法があるが、
これらのうちでも簡便な方法として例えばニッケルにモ
ノシランを接触させることによっても容易に珪素化物を
得ることができる。この場合のニッケルとしては金属ニ
ッケルまたはニッケルの酸化物など還元され易いニッケ
ル化合物を主成分とするものであればよい。また、ニッ
ケル以外の金属成分として銅、クロム、鉄、コバルトな
どが少量含有されているものであってもよい。
There are various ways to obtain nickel silicide,
Among these, silicide can be easily obtained by contacting nickel with monosilane as a simple method. In this case, the nickel may be any one containing a nickel compound which is easily reduced such as metallic nickel or nickel oxide as a main component. Further, a material containing a small amount of copper, chromium, iron, cobalt, or the like as a metal component other than nickel may be used.

これらのニッケルは単独で用いてもよく、また、触媒
担体などに担持させた形で用いてもよいが、ニッケルの
表面とガスとの接触効率を高める目的などから、通常は
触媒担体などに担持させた形態で使用される。
These nickels may be used alone or in a form supported on a catalyst carrier or the like, but are usually supported on a catalyst carrier or the like for the purpose of increasing the contact efficiency between the nickel surface and the gas. It is used in the form which was made.

ニッケルを担体に担持させる方法としては、例えば、
ニッケル塩の水溶液中に珪藻土、アルミナ、シリカアル
ミナ、アルミノシリケートおよびカルシウムシリケート
などの担体粉末を分散させ、さらにアルカリを添加して
担体の粉末上にニッケル成分を沈着させ、次いで濾過
し、必要に応じて水洗して得たケーキを120〜150℃で乾
燥後、300℃以上で焼成し、この焼成物を粉砕する、あ
るいはNiCO3,Ni(OH)2,Ni(NO3などの無機塩、NiC
2O4,Ni(CH3COO)などの有機塩を焼成し、粉砕した
後、これに耐熱性セメントを混合し、焼成するなどが挙
げられる。
As a method of supporting nickel on a carrier, for example,
A carrier powder such as diatomaceous earth, alumina, silica alumina, aluminosilicate and calcium silicate is dispersed in an aqueous solution of a nickel salt, and an alkali is added to deposit a nickel component on the carrier powder, followed by filtration, if necessary. The cake obtained by washing with water is dried at 120-150 ° C, and then calcined at 300 ° C or more, and the calcined product is pulverized, or inorganic salts such as NiCO 3 , Ni (OH) 2 , Ni (NO 3 ) 2 , NiC
After baking and pulverizing an organic salt such as 2 O 4 , Ni (CH 3 COO) 2 , a heat-resistant cement is mixed with this, and baking is performed.

これらは、通常は、押出し成型、打錠成型などで成型
体とされ、そのまま、または、必要に応じて適当な大き
さに破砕して使用される。成型方法としては乾式法ある
いは湿式法を用いることができ、その際、少量の水、滑
材などを使用してもよい。
These are usually formed into a molded body by extrusion molding, tablet molding, or the like, and are used as they are, or crushed to an appropriate size as needed. As a molding method, a dry method or a wet method can be used, and in that case, a small amount of water, a lubricant, or the like may be used.

また、ニッケル系触媒として例えば水蒸気変成触媒、
C11−2−03(NiO−セメント)、C11−2−06(NiO−耐
火物)、C11−2(Ni−カルシウムアルミネート)、C11
−9(Ni−アルミナ);水素化触媒、C46−5(Ni−シ
リカアルミナ)、C46−6(Ni−カルシウムシリカ)、C
46−7(Ni−珪藻土)、C46−8(Ni−シリカ)、C36
(Ni−Co−Cr−アルミナ);ガス化触媒、XC99(Ni
O);水素化変成触媒、C20−7(Ni−Mo−アルミナ)
〔以上、東洋CCI(株)製〕および水素化触媒、N−111
(Ni−珪藻土);ガス化変成触媒、N−174(NiO);ガ
ス化触媒、N−185(NiO)〔以上、日揮(株)製〕など
種々のものが市販されているのでこれらの中からから適
当なものを選択して使用してもよい。
Further, as a nickel-based catalyst, for example, a steam conversion catalyst,
C11-2-03 (NiO-cement), C11-2-06 (NiO-refractory), C11-2 (Ni-calcium aluminate), C11
-9 (Ni-alumina); hydrogenation catalyst, C46-5 (Ni-silica alumina), C46-6 (Ni-calcium silica), C
46-7 (Ni-diatomaceous earth), C46-8 (Ni-silica), C36
(Ni-Co-Cr-alumina); gasification catalyst, XC99 (Ni
O); Hydrotransformation catalyst, C20-7 (Ni-Mo-alumina)
[The above are manufactured by Toyo CCI Co., Ltd.] and hydrogenation catalyst, N-111
(Ni-diatomaceous earth); various catalysts such as gasification catalyst, N-174 (NiO); gasification catalyst, N-185 (NiO) (all manufactured by JGC Corporation) are commercially available. An appropriate one may be selected from the above and used.

要は還元ニッケル、酸化ニッケルなどが微細に分散さ
れて、その表面積が大きくガスとの接触効率の高い形態
のものであればよい。
In short, any form may be used as long as reduced nickel, nickel oxide, and the like are finely dispersed and have a large surface area and a high contact efficiency with gas.

触媒の比表面積としては通常は、BET法で10〜300m2/g
の範囲のもの、好ましくは30〜250m2/gの範囲のもので
ある。
The specific surface area of the catalyst is usually 10 to 300 m 2 / g by the BET method.
, Preferably in the range of 30 to 250 m 2 / g.

また、ニッケルの含有量は金属ニッケル換算で通常
は、5〜95wt%、好ましくは20〜95wt%である。
The content of nickel is usually 5 to 95% by weight, preferably 20 to 95% by weight in terms of metallic nickel.

ニッケルの含有量が5wt%よりも少なくなると脱酸素
能力が低くなり、また、95wt%よりも高くなると水素に
よる還元の際にシンタリングが生じて活性が低下する虞
れがある。
If the content of nickel is less than 5 wt%, the deoxidizing ability is reduced. If the content is more than 95 wt%, sintering may occur during reduction with hydrogen and the activity may be reduced.

ニッケルの珪素化は通常は、還元ニッケル、酸化ニッ
ケルなどにシランを接触させることによっておこなうこ
とができるが、酸化ニッケルなどの場合には、あらかじ
め水素還元によって還元ニッケルとすることが好まし
い。水素還元に際しては、例えば350℃以下程度で水素
−窒素の混合ガスを空筒線速度(LV)1cm/sec程度で通
すことによっておこなえるが、発熱反応であるため温度
が急上昇しないよう注意が必要である。また、還元を水
素ベースのシランでおこなうことにより、珪素化も同時
におこなうことができるので好都合である。
The siliconization of nickel can be usually carried out by bringing silane into contact with reduced nickel, nickel oxide or the like. In the case of nickel oxide or the like, however, it is preferable to reduce hydrogen in advance by hydrogen reduction. Hydrogen reduction can be performed, for example, by passing a hydrogen-nitrogen mixed gas at a cylinder linear velocity (LV) of about 1 cm / sec at about 350 ° C. or less, but care must be taken to prevent a sudden rise in temperature due to the exothermic reaction. is there. Further, by performing the reduction with hydrogen-based silane, siliconization can be performed at the same time, which is advantageous.

珪素化は通常は、ニッケルまたはこれらを担体に担持
させたものを精製筒などの筒に充填し、これにシランま
たはシラン含有ガスを通すことによっておこなわれる。
Usually, siliconization is carried out by filling a cylinder such as a purification cylinder with nickel or a carrier obtained by supporting nickel or the like, and passing silane or a silane-containing gas through the cylinder.

珪素化に用いるシランの濃度は、通常は0.1%以上、
好ましくは1%以上のものが用いられる。シラン濃度が
0.1%よりも低くなると反応を終了させるまでに時間を
要し不経済である。
The concentration of silane used for siliconization is usually 0.1% or more,
Preferably, 1% or more is used. Silane concentration
If it is lower than 0.1%, it takes time to complete the reaction, which is uneconomical.

珪素化は常温でおこなうことができるが、発熱反応で
あり、シラン濃度が高い程温度が上昇し易いため、通常
は200℃以下、好ましくは100℃以下に保たれるようガス
の流速を調節しながらおこなうことが好ましい。
Although siliconization can be performed at room temperature, it is an exothermic reaction, and the temperature is easily raised as the silane concentration is higher, so that the gas flow rate is usually adjusted to 200 ° C or lower, preferably 100 ° C or lower. It is preferable to perform while doing.

珪素化の終了は発熱量の減少および筒の出口からのシ
ランの流出量の増加などによって知ることができる。
The end of the siliconization can be known from a decrease in the calorific value and an increase in the amount of silane flowing out from the outlet of the cylinder.

本発明において、珪素化されたニッケルをあらためて
別の精製筒に充填し、これに粗シランを通して酸素の除
去精製をおこなってもよいが珪素化合物は毒性が強く取
扱に細心の配慮を要することなどから、珪素化は最初か
らシランの精製筒でおこない、珪素化の終了後、引き続
いて粗シランを供給して酸素除去精製をおこなうことが
好ましい。
In the present invention, siliconized nickel may be charged into another purification cylinder again, and oxygen may be removed and purified through crude silane. Preferably, siliconization is performed in a silane purification column from the beginning, and after completion of siliconization, crude silane is continuously supplied to perform oxygen removal purification.

シランの精製は、通常は、ニッケルの珪素化物が充填
された精製筒に粗シランを流すことによっておこなわ
れ、粗シランがニッケルの珪素化物と接触することによ
って粗シラン中に不純物として含有される酸素が除去さ
れる。
The purification of silane is usually performed by flowing crude silane through a purification cylinder filled with nickel silicide, and oxygen contained as impurities in crude silane by contacting the crude silane with nickel silicide. Is removed.

本発明に適用される粗シラン中の酸素濃度は通常は10
0ppm以下である。酸素濃度がこれより高くなると発熱量
が増加するため条件によっては徐熱手段が必要となる。
The oxygen concentration in the crude silane applied to the present invention is usually 10
It is 0 ppm or less. If the oxygen concentration is higher than this, the calorific value increases, so that a gradual heating means is required depending on the conditions.

精製筒に充填されるニッケルの珪素化物の充填長は、
実用上通常は50〜1500mmとされる。充填長が50mmよりも
短くなると酸素除去率が低下する虞れがあり、また、15
00mmよりも長くなると圧力損失が大きくなり過ぎる虞れ
が生ずる。
The filling length of silicide of nickel to be filled in the purification cylinder is
In practice, it is usually 50 to 1500 mm. If the filling length is shorter than 50 mm, the oxygen removal rate may be reduced.
If it is longer than 00 mm, the pressure loss may be too large.

精製時の粗シランの空筒線速度(LV)は供給されるシ
ラン中の酸素濃度および操作条件などによって異なり一
概に特定はできないが、通常は100cm/sec以下、好まし
くは30cm/sec以下である。
The cylinder linear velocity (LV) of the crude silane at the time of refining differs depending on the oxygen concentration in the supplied silane and the operating conditions and cannot be specified unconditionally, but is usually 100 cm / sec or less, preferably 30 cm / sec or less. .

シランとニッケルの珪素化物との接触温度は精製筒の
入口に供給されるガスの温度で、200℃以下程度、好ま
しくは0〜100℃であり、通常は常温でよく特に加熱や
冷却は必要としない。
The contact temperature between the silane and the silicide of nickel is the temperature of the gas supplied to the inlet of the refining column, which is about 200 ° C. or lower, preferably 0 to 100 ° C., which is usually room temperature and requires special heating and cooling. do not do.

圧力にも特に制限はなく常圧、減圧、加圧のいずれで
も処理が可能であるが、通常は20Kg/cm2abs以下、好ま
しくは0.1〜10Kg/cm2absである。
Atmospheric pressure is not particularly limited to the pressure, vacuum, although it is possible either process the pressure is usually 20 Kg / cm 2 abs or less, preferably 0.1~10Kg / cm 2 abs.

また、シラン中に少量の水分が含有されていても脱酸
素能力には特に悪影響を及ぼすことはなく、さらに担体
などを用いている場合には、その種類によっては水分も
同時に除去される。
Further, even if a small amount of water is contained in the silane, the deoxygenation ability is not particularly adversely affected, and when a carrier or the like is used, the water is also removed depending on the type.

本発明においてニッケルの珪素化物による酸素除去工
程に、必要に応じて合成ゼオライトなどの脱湿剤による
水分除去工程を適宜組合わせることも可能であり、これ
によって水分も完全に除去され、極めて高純度の精製シ
ランを得ることができる。
In the present invention, it is also possible to appropriately combine a water removing step with a dehumidifier such as a synthetic zeolite as needed in the oxygen removing step using silicon silicide, whereby water is completely removed, and extremely high purity is obtained. Can be obtained.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によって、従来除去が困難であったシラン中の
酸素を0.1ppm以下、さらには0.01ppm以下のような極低
濃度まで除去することができ、半導体製造工業などで要
望されている超高純度の精製シランを得ることが可能と
なった。
According to the present invention, oxygen in silane, which was conventionally difficult to remove, can be removed to an extremely low concentration of 0.1 ppm or less, and even 0.01 ppm or less. It has become possible to obtain purified silane.

〔実施例〕〔Example〕

実施例1 (ニッケルの還元処理) 市販のニッケル触媒(日揮(株)製、N−111)を用
いた。このものの組成はNi+NiOの形であり、Niとして4
5〜47wt%、Cr2〜3wt%、Cu2〜3wt%、珪藻土27〜29wt
%および黒鉛4〜5wt%であり、直径5mm、高さ4.5mmの
成型体である。
Example 1 (Reduction treatment of nickel) A commercially available nickel catalyst (N-111, manufactured by JGC Corporation) was used. Its composition is in the form of Ni + NiO,
5 ~ 47wt%, Cr2 ~ 3wt%, Cu2 ~ 3wt%, diatomaceous earth 27 ~ 29wt
% And graphite of 4 to 5 wt%, and is a molded body having a diameter of 5 mm and a height of 4.5 mm.

このニッケル触媒を8〜10meshに破砕したもの85mlを
内径19mm、長さ400mmの石英製の精製筒に充填長300mm
(充填密度1.0g/ml)に充填した。
85 ml of this nickel catalyst crushed to 8-10 mesh is filled into a quartz purification cylinder with an inner diameter of 19 mm and a length of 400 mm, and a filling length of 300 mm
(1.0 g / ml packing density).

これに水素を常圧で温度150℃、流量595cc/min(LV=
3.6cm/sec)で3時間流して還元処理をおこなった後、
常温に冷却した。
Hydrogen at normal pressure, temperature 150 ° C, flow rate 595cc / min (LV =
(3.6cm / sec) for 3 hours,
Cooled to room temperature.

(ニッケルの珪素化物) この精製筒に10vol%のシランを含有する水素を510cc
/min(LV=3cm/sec)で流してニッケルの珪素化をおこ
なった。このときの室温は25℃であったが、珪素化によ
る発熱で筒の出口のガスの温度は約80℃に上昇した。そ
の後出口ガスの温度は徐々に低下し、1.5時間後には室
温に戻り、珪素化処理を終了した。
(Silicide of nickel) 510cc of hydrogen containing 10vol% silane is added to this purifying cylinder.
/ min (LV = 3 cm / sec) to siliconize nickel. At this time, the room temperature was 25 ° C., but the temperature of the gas at the outlet of the cylinder rose to about 80 ° C. due to the heat generated by siliconization. Thereafter, the temperature of the outlet gas gradually decreased, and after 1.5 hours, returned to room temperature, and the siliconization treatment was completed.

(シランの精製) 引き続いて、この精製筒にシラン10vol%および不純
物として0.15ppmの酸素を含有する水素ベースの粗シラ
ンを1700cc/min(LV=10cm/sec)で流して黄燐発光式酸
素分析計(測定下限濃度0.01ppm)を用いて出口ガス中
の酸素温度を測定したところ、酸素は検出されず0.01pp
m以下であった。精製を始めてから100分後に、ガスの流
速を4倍の6800cc/min(LV=40cm/sec)に上げても出口
ガスの酸素濃度は0.01ppm以下であった。この状態で300
分間保った後、ガスをシラン濃度が10vol%で50ppmの酸
素を含有する水素ベースの粗シランに切替え、流速を元
の1700cc/min(LV=10cm/sec)に戻して300時間流し続
けたが、出口ガス中の酸素は0.01ppm以下であった。
(Purification of silane) Subsequently, a hydrogen-based crude silane containing 10 vol% of silane and 0.15 ppm of oxygen as an impurity was flowed at 1700 cc / min (LV = 10 cm / sec) into the purifier, and the yellow phosphorus emission type oxygen analyzer was used. When the oxygen temperature in the outlet gas was measured using (lower limit of measurement: 0.01 ppm), no oxygen was detected.
m or less. After 100 minutes from the start of the purification, even if the gas flow rate was increased four times to 6800 cc / min (LV = 40 cm / sec), the oxygen concentration of the outlet gas was 0.01 ppm or less. 300 in this state
After holding for 1 minute, the gas was switched to a hydrogen-based crude silane containing 10 ppm by volume of oxygen at a silane concentration of 10 vol%, and the flow rate was returned to 1700 cc / min (LV = 10 cm / sec), and the gas continued to flow for 300 hours. The oxygen in the outlet gas was 0.01 ppm or less.

比較例1 活性炭(耶子殻炭)を8〜24meshに破砕したもの48g
を実施例1におけると同じ精製筒に300mm(充填密度0.5
7g/ml)充填し、ヘリウム気流中270〜290℃で4時間加
熱処理した後、室温に冷却した。
Comparative Example 1 Activated carbon (yago shell charcoal) crushed to 8 to 24 mesh 48g
300 mm (packing density 0.5
7 g / ml), and heat-treated in a helium stream at 270 to 290 ° C. for 4 hours, and then cooled to room temperature.

この精製筒に実施例1で用いたと同じシラン10vol%
および不純物として0.15ppmの酸素を含有する水素ベー
スの粗シランを1700cc/min(LV=10cm/sec)で流して出
口ガス中の酸素温度を測定したところ、0.10ppmであ
り、この状態で2時間流し続けたが酸素濃度の変化は見
られなかった。
10 vol% of the same silane used in Example 1
A hydrogen-based crude silane containing 0.15 ppm of oxygen as an impurity was flowed at 1700 cc / min (LV = 10 cm / sec), and the oxygen temperature in the outlet gas was measured to be 0.10 ppm. Although the flow was continued, no change in the oxygen concentration was observed.

実施例2 (ニッケルの珪素化物) 実施例1と同様にして精製筒内で還元ニッケルを調製
し、これに100%のシランを51cc/min(LV=0.3cm/sec)
で2時間流してニッケルの珪素化をおこなった。
Example 2 (silicide of nickel) Reduced nickel was prepared in a purification cylinder in the same manner as in Example 1, and 100% silane was added to this at 51 cc / min (LV = 0.3 cm / sec).
For 2 hours to siliconize nickel.

(シランの精製) この精製筒に不純物として0.05ppmの酸素を含有する
シラン(100%)を850cc/min(LV=5cm/sec)で流して
出口ガス中の酸素濃度を測定したところ、0.01ppm以下
であった。この状態で10時間流し続けたが、出口ガス中
の酸素は0.01ppm以下であった。
(Purification of silane) When silane (100%) containing 0.05 ppm of oxygen as an impurity was flowed at 850 cc / min (LV = 5 cm / sec) into this purifier and the oxygen concentration in the outlet gas was measured, it was 0.01 ppm. It was below. In this state, the flow was continued for 10 hours, but oxygen in the outlet gas was 0.01 ppm or less.

実施例3 (ニッケルの珪素化物) 実施例1と同様にして精製筒内で還元ニッケルを調製
し、これに10vol%のシランを含有する窒素を510cc/min
(LV=3cm/sec)で3時間流してニッケルの珪素化をお
こなった。
Example 3 (Siliconide of Nickel) Reduced nickel was prepared in a purification cylinder in the same manner as in Example 1, and nitrogen containing 10 vol% of silane was added thereto at 510 cc / min.
(LV = 3 cm / sec) for 3 hours to siliconize nickel.

(シランの精製) この精製筒に10vol%のシランおよび不純物として0.2
0ppmの酸素を含有する窒素ベースの粗シランを850cc/mi
n(LV=5cm/sec)で流して出口ガス中の酸素濃度を測定
したところ、0.01ppm以下であった。この状態で10時間
流し続けたが、出口ガスの酸素は0.01ppm以下であっ
た。
(Purification of silane) 10 vol% of silane and 0.2
850cc / mi of nitrogen-based crude silane containing 0ppm oxygen
When the oxygen concentration in the outlet gas was measured by flowing at n (LV = 5 cm / sec), it was 0.01 ppm or less. In this state, the flow was continued for 10 hours, but the oxygen in the outlet gas was 0.01 ppm or less.

実施例4 (ニッケル触媒の調製) 3の水にAl(NO3・9H2O454gを溶解し、氷浴で
5〜10℃に冷却した。激しくかき混ぜながら、これにNa
OH200gを1の水に溶解して5〜10℃に冷却した溶液を
2時間かけて滴下し、アルミン酸ナトリウムとした。
Example 4 (Preparation of Nickel Catalyst) 454 g of Al (NO 3 ) 3 .9H 2 O was dissolved in water of No. 3 and cooled to 5 to 10 ° C. in an ice bath. While stirring vigorously, add Na
A solution of 200 g of OH dissolved in 1 water and cooled to 5 to 10 ° C. was added dropwise over 2 hours to obtain sodium aluminate.

次に、Ni(NO3・6H2O101gを600mlの水に溶解し、
これに45mlの濃硝酸を加えて5〜10℃に冷却したもの
を、アルミン酸ナトリウム溶液に激しくかき混ぜながら
1時間かけて加えた。
Then dissolved Ni (NO 3) 2 · 6H 2 O101g of water 600 ml,
To this was added 45 ml of concentrated nitric acid, cooled to 5-10 ° C., and added to the sodium aluminate solution over 1 hour with vigorous stirring.

生じた沈殿を濾過し、得られた沈殿を2の水中で15
分間かき混ぜて洗う操作を6回繰り返して中性とした。
得られた沈殿物を細分して空気浴中で105℃で16時間乾
燥してから粉砕し、これをふるい分けて12〜24meshのも
のを集めた。このものは29.5wt%の酸化ニッケル(Ni
O)を含有していた。
The precipitate formed is filtered and the precipitate obtained is diluted with 2
The operation of stirring for minutes and washing was repeated six times to make the mixture neutral.
The obtained precipitate was subdivided, dried in an air bath at 105 ° C. for 16 hours, and then pulverized, and sieved to collect 12 to 24 mesh. This is 29.5wt% nickel oxide (Ni
O).

(ニッケルの珪素化物) このものを実施例1で使用したと同じ精製筒に85ml
(65g)充填し(充填密度0.77g/ml)、これに水素を350
℃、空筒線速度(LV)1.0cm/secで16時間流してニッケ
ルを還元した後、実施例1と同様の条件でニッケルの珪
素化をおこなった。
(Silicide of nickel) 85 ml of this was placed in the same purification cylinder as used in Example 1.
(65g) (filling density 0.77g / ml)
After reducing the nickel by flowing at a temperature of 1.0 ° C. and a linear velocity (LV) of 1.0 cm / sec for 16 hours, the silicon was siliconized under the same conditions as in Example 1.

(シランの精製) この精製筒にシラン10vol%および不純物として0.17p
pmの酸素を含有する水素ベースの粗シランを1700cc/min
(LV=10cm/sec)で流して出口ガス中の酸素濃度を測定
したところ、0.01ppm以下であった。この状態で10時間
流し続けたが、出口ガス中の酸素は常に0.01ppm以下で
あった。
(Purification of silane) 10vol% of silane and 0.17p as impurities
1700cc / min of hydrogen-based crude silane containing pm oxygen
(LV = 10 cm / sec), and the oxygen concentration in the outlet gas was measured and found to be 0.01 ppm or less. In this state, flowing was continued for 10 hours, but oxygen in the outlet gas was always 0.01 ppm or less.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】粗シランをニッケルの珪素化物と接触させ
て、該粗シラン中に含有される酸素を除去することを特
徴とするシランの精製方法。
1. A method for purifying silane, comprising contacting a crude silane with a silicide of nickel to remove oxygen contained in the crude silane.
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