JP2627612B2 - Thyristor valve - Google Patents
Thyristor valveInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、サイリスタバルブに係
り、特に、サイリスタ素子およびその周辺回路を実装し
た複数のサイリスタモジュールを多段積みするに好適な
サイリスタバルブの構造に関する。The present invention relates to relates to a thyristor valves, and more particularly to a structure of suitable thyristor valve to stacking multiple stages a plurality of thyristor modules that implement the thyristor element and its peripheral circuits.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、複数のサイリスタモジュールでサ
イリスタバルブを構成するに際しては、繊維強化プラス
チック(FRP)で構成された円筒型の絶縁支柱と、形
鋼からなるフレームとで組立られた支持構造の中に、複
数のサイリスタモジュールを多段に積み上げる構造が多
く採用されている。この場合、各サイリスタモジュール
は所定の電圧になるように互いに直列に接続されるが、
各段のサイリスタモジュールは全て異なる電位を有する
ため、互いに絶縁を保つことが必要である。更に、サイ
リスタバルブを構成する場合、大電力輸送に伴うサイリ
スタバルブの高電圧大容量化により、サイリスタモジュ
ールの重量増加と多段積が余儀なくさている。そして、
サイリスタバルブが多段積みされると、サイリスタバル
ブの総重量が増大し、且つ構造内の絶縁距離を含め全体
の高さが増加するため、地震時の変形量や支持部材にか
かる荷重が多大となり、強度部材の増加および強化や制
振装置の付加などが必要となっている。2. Description of the Related Art Conventionally, when a thyristor valve is constituted by a plurality of thyristor modules, a supporting structure constructed by a cylindrical insulating support made of fiber reinforced plastic (FRP) and a frame made of a shaped steel is used. Among them, a structure in which a plurality of thyristor modules are stacked in multiple stages is often adopted. In this case, each thyristor module is connected in series with each other so as to have a predetermined voltage.
Since the thyristor modules in each stage all have different potentials, it is necessary to keep them insulated from each other. Further, when a thyristor valve is configured, a high voltage and a large capacity of the thyristor valve accompanying a large electric power transport necessitate an increase in the weight of the thyristor module and a multi-stage structure. And
When thyristor valves are stacked in multiple stages, the total weight of the thyristor valves increases, and the overall height including the insulation distance in the structure increases, so the amount of deformation during earthquakes and the load on the support members increase, It is necessary to increase and strengthen the strength members and to add a vibration damping device.
【0003】そこで、サイリスタモジュールの重量増加
と多段積を考慮して各種のサイリスタバルブが提案され
ている。例えば、サイリスタバルブの耐振構造に関して
は、特開昭59−3114号公報に記載されているよう
に、絶縁板壁または絶縁棒を用いて補強を行うようにし
たものがある。また下部で免震支持し、且つ上部から懸
下する耐震構造を用いたものとして、特開昭63−26
5042号公報が挙げられ、支持硝子フランジ部のボル
ト締結部に防振ゴムを用いて耐震構造としたものとし
て、特開昭60−91865号公報が挙げられる。また
特開平2−84068号公報には絶縁支柱内部に振動吸
収錘部剤を設けたものが示されている。Therefore, various thyristor valves have been proposed in consideration of an increase in the weight of the thyristor module and a multi-stage product. For example, as for a vibration-resistant structure of a thyristor valve, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-3114, there is a structure in which reinforcement is performed using an insulating plate wall or an insulating rod. Japanese Unexamined Patent Publication No. Sho 63-26 uses a seismic-resistant structure that supports a base isolated at the bottom and hangs from the top.
Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 50-91865 discloses a vibration-proof rubber structure for a bolt fastening portion of a supporting glass flange portion. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-84068 discloses a structure in which a vibration absorbing weight member is provided inside an insulating support.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、サ
イリスタバルブを構成するに際しては、電位の異なるサ
イリスタモジュールをそれぞれ三次元的に配列するため
に、各段のサイリスタモジュール間のみならず、電気伝
導性を有する金属性のフレームとサイリスタモジュール
との間も絶縁距離を保って組み立てるようになってい
る。このため、各段のサイリスタモジュールの間に金属
フレームを挿入すれば、耐震構造に関しては有利となる
が、金属フレームの数が増えるに従ってサイリスタバル
ブ全体の高さが高くなり、装置の設置スペースを小さく
することができなくなる。In the prior art described above, when a thyristor valve is constructed, thyristor modules having different electric potentials are arranged three-dimensionally. The thyristor module and the metallic frame having the property are also assembled while maintaining an insulating distance. Therefore, if a metal frame is inserted between the thyristor modules in each stage, it is advantageous for the earthquake-resistant structure, but as the number of metal frames increases, the height of the entire thyristor valve increases, and the installation space for the device is reduced. You can't do that.
【0005】本発明の目的は、設置スペースを小さくす
ることができるサイリスタバルブを提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide a thyristor valve capable of reducing the installation space.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、少なくとも1段のサイリスタモジュール
と金属フレームとを一体化したものとして、サイリスタ
素子及びサイリスタ素子を駆動するための周辺回路を実
装し複数段に分かれて配置された複数のサイリスタモジ
ュールと、各サイリスタモジュールをそれぞれ支持する
複数の絶縁支柱と、各絶縁支柱に連結されて各絶縁支柱
を支持する複数の金属フレームとを備え、前記複数のサ
イリスタモジュールのうち少なくとも1段のサイリタモ
ジュールは金属フレームに一体となって結合されている
サイリスタバルブを構成したものである。According to the present invention, there is provided a thyristor module having at least one stage.
And a metal frame, as a unit, a thyristor element and a plurality of thyristor modules which are mounted in a plurality of stages and are mounted on a peripheral circuit for driving the thyristor element, and a plurality of insulating members each supporting each thyristor module. comprising a post, and a plurality of metal frame supporting the connection has been the isolation struts to each isolation strut, the at least one stage rhino Rita module of the plurality of thyristor modules are coupled together in a metal frame A thyristor valve is configured.
【0007】また、本発明は、各段のサイリスタモジュ
ールを複数個に分けて配置し、少なくとも1段のサイリ
スタモジュールと金属フレームとを一体化したものとし
て、サイリスタ素子及びサイリスタ素子を駆動するため
の周辺回路を実装し複数段に分かれて配置された複数の
サイリスタモジュールと、各サイリスタモジュールをそ
れぞれ支持する複数の絶縁支柱と、各絶縁支柱に連結さ
れて各絶縁支柱を支持する複数の金属フレームとを備
え、前記各段のサイリスタモジュールは複数個に分かれ
て配置されており、複数段のサイリスタモジュールのう
ち少なくとも1段の各サイリタモジュールは金属フレー
ムに一体となって結合され、サイリスタモジュールと一
体化された金属フレームは分割型金属フレームとしてそ
れぞれ互いに分離して配置されているサイリスタバルブ
を構成したものである。 Further , the present invention provides a thyristor module of each stage.
At least one stage.
Star module and metal frame are integrated
To drive the thyristor element and the thyristor element
Peripheral circuits are mounted and divided into multiple
Thyristor module and each thyristor module
Each supporting column is connected to a plurality of supporting columns.
With multiple metal frames to support each insulating post.
The thyristor module at each stage is divided into multiple
Thyristor module
Each thyristor module of at least one stage is a metal frame
And integrated with the thyristor module.
The embodied metal frame is used as a split-type metal frame.
Thyristor valves arranged separately from each other
It is what constituted.
【0008】少なくとも1段のサイリスタモジュールと
中間用金属フレームとを一体化したものとして、サイリ
スタ素子及びサイリスタ素子を駆動するための周辺回路
を実装し複数段に分かれて配置された複数のサイリスタ
モジュールと、各サイリスタモジュールをそれぞれ支持
する複数の絶縁支柱と、各絶縁支柱の上部側に連結され
た上部側金属フレームと、各絶縁支柱の下部側に連結さ
れた下部側金属フレームと、各絶縁支柱の中ほどに連結
された中間用金属フレームとを備え、前記複数のサイリ
スタモジュールのうち少なくとも1段のサイリタモジュ
ールは中間用金 属フレームに一体となって結合されてい
るサイリスタバルブを構成したものである。 [0008] At least one stage thyristor module
As an integrated metal frame for intermediate,
Peripheral circuit for driving star element and thyristor element
Multiple thyristors mounted in multiple stages
Supports each module and each thyristor module
Connected to the upper side of each
Connected to the lower metal frame and the lower side of each insulating column.
With lower metal frame in the middle of each support post
An intermediate metal frame, and
Thyristor module of at least one of the star modules
Lumpur are coupled together to an intermediate for Metal Frame
Thyristor valve.
【0009】さらに、各段のサイリスタモジュールを複
数個に分けて配置し、少なくとも1段のサイリスタモジ
ュールと中間用金属フレームとを一体化したものとし
て、サイリスタ素子及びサイリスタ素子を駆動するため
の周辺回路を実装し複数段に分かれて配置された複数の
サイリスタモジュールと、各サイリスタモジュールをそ
れぞれ支持する複数の絶縁支柱と、各絶縁支柱の上部側
に連結された上部側金属フレームと、各絶縁支柱の下部
側に連結された下部側金属フレームと、各絶縁支柱の中
ほどに連結された中間用金属フレームとを備え、前記各
段のサイリスタモジュールは複数個に分かれて配置され
ており、前記複数段のサイリスタモジュールのうち少な
くとも1段の各サイリタモジュールは中間用金属フレー
ムに一体となって結合され、サイリスタモジュールと一
体化された中間用金属フレームは分割型金属フレームと
してそれぞれ互いに分離して配置されているサイリスタ
バルブを構成したものである。 Further, each stage thyristor module is
At least one stage thyristor module
Module and an intermediate metal frame
To drive the thyristor element and the thyristor element
Peripheral circuits are mounted and divided into multiple
Thyristor module and each thyristor module
Multiple insulating posts to be supported, and the upper side of each insulating post
The upper metal frame connected to
The lower metal frame connected to the
And an intermediate metal frame connected to the
The tier thyristor modules are divided into multiple
Of the thyristor modules of the plurality of stages
Each thyristor module of at least one stage has an intermediate metal frame.
And integrated with the thyristor module.
The embodied intermediate metal frame is divided metal frame
Thyristors that are arranged separately from each other
This constitutes a valve.
【0010】更に、サイリスタバルブを構成するに際し
ては、以下の構成を採用することが望ましい。Further, when configuring a thyristor valve, it is desirable to employ the following configuration.
【0011】(1) サイリスタモジュールと一体化さ
れた各金属フレームは互いに絶縁部材を介して連結され
ている。(1) Each metal frame integrated with the thyristor module is connected to each other via an insulating member.
【0012】(2) 金属フレームと一体化されたサイ
リスタモジュールは金属フレームを介して絶縁支柱に連
結されている。(2) A rhino integrated with a metal frame
The Lister module is connected to the insulating support via a metal frame.
Is tied .
【0013】(3)金属フレームは平板状のカラーを介
して絶縁支柱に連結されている。(3) The metal frame is provided with a flat collar.
And is connected to the insulating pillar .
【0014】(4)金属フレームと一体化されたサイリ
スタモジュールは金属フレームと共に絶縁支柱に連結さ
れている。(4) Siri integrated with metal frame
The star module is connected to the insulating column together with the metal frame .
【0015】(5)金属フレームとサイリスタモジュー
ルはそれぞれ平板状のカラーを介して絶縁支柱に連結さ
れている。(5) Metal frame and thyristor module
Each of the lugs is connected to an insulating column via a flat collar .
【0016】[0016]
【作用】前記した手段によれば、特定の金属フレームを
水平面内でサイリスタモジュールの電位に対応して複数
に分割するようにしたため、特定の金属フレームを各サ
イリスタモジュールと一体化することができる。金属フ
レームがサイリスタモジュールと一体化されると、金属
フレームとサイリスタモジュールとの間に絶縁距離とし
ての空間を設ける必要がなくなり、設置スペースを小さ
くすることができる。そして、サイリスタモジュールを
垂直方向に沿って多段に積み上げた場合、サイリスタバ
ルブ全体の高さを低く抑えることができる。サイリスタ
バルブ全体の高さを低くできると、構造物として全体の
固有振動数が高くなり、地震等の外力に対して応答変位
量を小さくすることができる。更に、サイリスタバルブ
は高電圧機器であり、他の機器や建屋との絶縁を取らな
ければならないが、振動変位が小さくなることにより、
他の部材との絶縁距離を確保し易くなり、他の機器との
電気配線などの接続の仕方を容易にできるとともに、機
器としての信頼性が向上する。また、サイリスタモジュ
ールと一体化された各金属フレームを絶縁部材を介して
互いに連結すると、耐震性をさらに高めることができ
る。According to the above-described means, the specific metal frame is divided into a plurality of parts in the horizontal plane corresponding to the potential of the thyristor module, so that the specific metal frame can be integrated with each thyristor module. When the metal frame is integrated with the thyristor module, there is no need to provide a space as an insulating distance between the metal frame and the thyristor module, and the installation space can be reduced. When the thyristor modules are stacked in multiple stages along the vertical direction, the overall height of the thyristor valve can be reduced. When the height of the entire thyristor valve can be reduced, the natural frequency of the entire structure increases, and the amount of displacement in response to an external force such as an earthquake can be reduced. In addition, thyristor valves are high-voltage equipment and must be insulated from other equipment and buildings.
It is easy to secure an insulation distance from other members, and it is possible to easily connect electrical wiring and the like to other devices, and to improve the reliability of the devices. In addition, when the metal frames integrated with the thyristor module are connected to each other via an insulating member, the earthquake resistance can be further improved.
【0017】[0017]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0018】図1において、サイリスタバルブは上部側
金属フレームF1、下部側金属フレームF2、中間用金
属フレームF31〜F34、複数のサイリスタモジュー
ルM11〜M44、複数の絶縁支柱10を備えて構成さ
れている。金属フレームF1、F2は水平面(重力の作
用する方向と直交する方向の面である設置面)と平行に
配置されており、各金属フレームF1、F2は、垂直方
向に沿って配置された複数の絶縁支柱10によって互い
に連結されている。各絶縁支柱10は、例えばFRPや
ガラスなどの絶縁性に優れた材料が用いられてほぼ円柱
状に形成されている。また、各金属フレームF1、F2
は形鋼などを用いてほぼ平板状に形成されている。In FIG. 1, the thyristor valve includes an upper metal frame F1, a lower metal frame F2, intermediate metal frames F31 to F34, a plurality of thyristor modules M11 to M44, and a plurality of insulating posts 10. . The metal frames F1 and F2 are arranged in parallel with a horizontal plane (an installation surface that is a surface orthogonal to the direction in which gravity acts), and each of the metal frames F1 and F2 has a plurality of metal frames arranged in a vertical direction. They are connected to each other by insulating posts 10. Each of the insulating pillars 10 is formed in a substantially cylindrical shape using a material having excellent insulating properties, such as FRP or glass. In addition, each metal frame F1, F2
Is formed in a substantially flat plate shape using a shaped steel or the like.
【0019】サイリスタモジュールM1〜M44は、サ
イリスタ素子およびサイリスタ素子を駆動するための周
辺回路を実装しており、4個が一段となって4段積み上
げられている。すなわち、サイリスタモジュールM11
〜M14が1段目を構成し、サイリスタモジュールM2
1〜M24が2段目を構成し、サイリスタモジュールM
31〜M34が3段目を構成し、サイリスタモジュール
M41〜M44が4段目を構成するようになっている。
各段のサイリスタモジュールは、4個ずつ互いに離れて
各金属フレームF1、F2と平行となるように分散配置
されている。そして各サイリスタモジュールM11〜M
44の四隅は絶縁支柱10に連結されている。さらに、
各サイリスタモジュールM11〜M44は水平方向およ
び垂直方向において互いに絶縁距離を保って配置されて
いる。また1段目のサイリスタモジュールM11〜M1
4は金属フレームF2と垂直方向において絶縁距離を保
って配置され、4段目のサイリスタモジュールM41〜
M44は金属フレームF1と垂直方向において絶縁距離
を保って配置されている。The thyristor modules M1 to M44 are mounted with thyristor elements and peripheral circuits for driving the thyristor elements, and four thyristor modules are stacked one on top of another. That is, the thyristor module M11
To M14 constitute the first stage, and the thyristor module M2
1 to M24 constitute the second stage, and the thyristor module M
31 to M34 constitute a third stage, and thyristor modules M41 to M44 constitute a fourth stage.
The thyristor modules in each stage are distributed and arranged so as to be separated from each other by four and parallel to the metal frames F1 and F2. And each thyristor module M11 to M
The four corners 44 are connected to the insulating pillar 10. further,
Each of the thyristor modules M11 to M44 is arranged with an insulation distance from each other in the horizontal direction and the vertical direction. The first-stage thyristor modules M11 to M1
Reference numeral 4 denotes a fourth thyristor module M41 to M4, which is arranged with an insulation distance in the vertical direction from the metal frame F2.
M44 is arranged so as to keep an insulation distance in the vertical direction with respect to the metal frame F1.
【0020】一方、形鋼などを用いて平板状に形成され
た中間用金属フレームF33〜F34は各絶縁支柱10
のほぼ中間部に挿入されて、各絶縁支柱10によって支
持されているとともに、3段目のサイリスタモジュール
M31〜M34とそれぞれ一体的に固定され、分割型金
属フレームとして互いに分離して構成されている。On the other hand, the intermediate metal frames F33 to F34 formed in a flat plate shape using a shaped steel or the like
Of the thyristor modules M31 to M34 in the third stage, and are integrally fixed to the third-stage thyristor modules M31 to M34, and are configured to be separated from each other as a split-type metal frame. .
【0021】すなわちサイリスタモジュールM31〜M
34はそれぞれ電位が異なるため、各サイリスタモジュ
ールM31〜M34は互いに電気的に絶縁されなければ
ならない。このため、フレームF31〜F34が一体の
もので構成されているときには、この金属フレームは各
サイリスタモジュールM31〜M34とを互いに絶縁距
離を保って組立なければならない。しかし、金属フレー
ムF31〜F34はサイリスタモジュールM31〜M3
4ごとに互いに分離されているため、各サイリスタモジ
ュールM31〜M34と金属フレームF31〜F34を
それぞれ一体化しても、各金属モジュールM31〜M3
4間の絶縁距離を保つことができる。That is, the thyristor modules M31 to M
The thyristor modules M31 to M34 must be electrically insulated from each other because the potentials of the thyristor modules 34 are different from each other. For this reason, when the frames F31 to F34 are integrally formed, the metal frame must be assembled with the thyristor modules M31 to M34 while maintaining an insulating distance from each other. However, the metal frames F31 to F34 are thyristor modules M31 to M3.
4, the thyristor modules M31 to M34 are integrated with the metal frames F31 to F34, respectively.
4 can be maintained.
【0022】従って、図2(a)に示すように、中間用
の金属フレームF30を一体型で構成した場合には、2
段目のサイリスタモジュールM21〜M24と3段目の
サイリスタモジュールM31〜M34との間にそれぞれ
絶縁距離を保つ必要がある。しかし、本実施例のサイリ
スタバルブの場合には、図2の(b)に示すように、中
間用の金属フレームF31〜F34が互いに分離されて
サイリスタモジュールM31〜M34と一体化されてい
るため、中間用金属フレームF31〜F34と3段目の
サイリスタモジュールM31〜M34との間に絶縁距離
を保つ必要がなく、少なくともこの分だけはサイリスタ
バルブ全体の高さを低くすることができる。Therefore, as shown in FIG. 2 (a), when the intermediate metal frame F30 is integrally formed,
It is necessary to maintain an insulation distance between each of the thyristor modules M21 to M24 of the third stage and each of the thyristor modules M31 to M34 of the third stage. However, in the case of the thyristor valve of the present embodiment, as shown in FIG. 2B, the intermediate metal frames F31 to F34 are separated from each other and integrated with the thyristor modules M31 to M34. There is no need to maintain an insulation distance between the intermediate metal frames F31 to F34 and the third-stage thyristor modules M31 to M34, and at least this allows the overall height of the thyristor valve to be reduced.
【0023】サイリスタバルブの高さを低くできると、
構造物として全体の固有振動数が高くなり、地震などの
外力に対して応答変位量を小さくすることができる。ま
た、サイリスタバルブは高電圧機器であり、他の機器や
建屋との絶縁を取らなければならないが、振動変位が小
さくなることにより、他の機器との絶縁距離を確保し易
くなり、他の機器との電気配線などの接続の仕方を容易
にできるとともに、機器としての信頼性の向上を図るこ
とができる。If the height of the thyristor valve can be reduced,
As a structure, the natural frequency of the entire structure increases, and the amount of response displacement can be reduced with respect to an external force such as an earthquake. Thyristor valves are high-voltage equipment and must be insulated from other equipment and buildings.However, the reduced vibration displacement makes it easier to secure the insulation distance from other equipment and reduces the In this case, it is possible to easily connect electric wires and the like to the device and improve the reliability of the device.
【0024】また、金属フレームF31〜F34は金属
フレームF1とF2のほぼ中間部に設けてあるため、地
震などが発生したときに、各絶縁支柱10に加わるモー
メントを低減することができ、強度の向上を図ることが
できる。さらに、金属フレームF31〜F34に相当す
る構造を各サイリスタモジュールに設けても絶縁支柱1
0に加わる荷重を低減することができる。Further, since the metal frames F31 to F34 are provided substantially in the middle between the metal frames F1 and F2, the moment applied to each of the insulating columns 10 when an earthquake or the like occurs can be reduced, and the strength can be reduced. Improvement can be achieved. Furthermore, even if a structure corresponding to the metal frames F31 to F34 is provided in each thyristor module, the insulating support 1
The load applied to zero can be reduced.
【0025】次に発明の他の実施例を図3に従って説明
する。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【0026】本実施例は、サイリスタモジュールを6段
積みするに際して、上部側金属フレームF1と下部側金
属フレームF2との間に、中間用金属フレームとして、
金属フレームF3、F4、F5を設け、金属フレームF
3、F5を分割型金属フレームとして4分割し、各金属
フレームF31〜F34、F51〜F54に各サイリス
タモジュールM21〜M24、M51〜M54を一体に
固定したものであり、他の構成は、前記実施例と同様で
あるので、図1と同一のもの又は相当するものには同一
符号を付してそれらの説明は省略する。In this embodiment, when thyristor modules are stacked in six stages, an intermediate metal frame is provided between the upper metal frame F1 and the lower metal frame F2.
Metal frames F3, F4, F5 are provided, and metal frames F
3, F5 is divided into four parts as a split type metal frame, and the thyristor modules M21 to M24, M51 to M54 are integrally fixed to the metal frames F31 to F34, F51 to F54. Since these are the same as in the example, the same or corresponding elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
【0027】本実施例においては、2段目と5段目の各
サイリスタモジュールM21〜M24、M51〜M54
を各金属フレームF31〜F34、F51〜F54に一
体に固定したので、サイリスタモジュールを6段積みし
ても、サイリスタバルブ全体の高さを低く抑えることが
できる。In this embodiment, the second and fifth thyristor modules M21 to M24, M51 to M54
Is fixed to each of the metal frames F31 to F34 and F51 to F54, so that even if six thyristor modules are stacked, the overall height of the thyristor valve can be reduced.
【0028】また、サイリスタモジュールを6段積みす
るに際しては、図4に示すように、各段の金属フレーム
F31〜F34、F51〜F54を互いに絶縁部材5
1、52を介して連結すると、各サイリスタモジュール
M21〜M24、M51〜M54間の絶縁を保った状態
で、より強度を向上させることができ、耐震性を高める
ことができる。この絶縁部材51、52としては、例え
ば、FRP等のパイプで構成され、絶縁性を有し、且つ
モーメント等の荷重に耐える強度を有するものを用いる
ことが望ましい。さらに、金属フレームF31〜F3
4、F51〜F54と絶縁部材51、52と連結する場
合、絶縁支柱10と金属フレームF31〜F34、F5
1〜F54とを組立て後、絶縁部材51、52を取り付
けもよく、逆に、金属フレームF31〜F34、F51
〜F54に絶縁部材51、52を取り付けた後、金属フ
レームF31〜F34、F51〜F54に絶縁支柱10
を締結してもよい。また、分割型金属フレームを絶縁部
材51、52を介して連結する構造はサイリスタモジュ
ールの段数によらず他の段数ものにも適用することがで
きる。When six thyristor modules are stacked, as shown in FIG. 4, the metal frames F31 to F34 and F51 to F54 of each stage are connected to each other by an insulating member 5 as shown in FIG.
When the thyristor modules are connected to each other via the first and second thyristors, the strength can be further improved while the insulation between the thyristor modules M21 to M24 and M51 to M54 is maintained, and the earthquake resistance can be improved. As the insulating members 51 and 52, it is desirable to use, for example, a member made of a pipe such as FRP, which has an insulating property and a strength withstanding a load such as a moment. Further, metal frames F31 to F3
4, when connecting F51 to F54 and the insulating members 51 and 52, the insulating support 10 and the metal frames F31 to F34 and F5
After assembling them with the insulating members 51 and 52, the metal frames F31 to F34 and F51 may be attached.
After attaching the insulating members 51 and 52 to the metal frames F31 to F34 and F51 to F54,
May be concluded. Further, the structure in which the divided metal frames are connected via the insulating members 51 and 52 can be applied to other thyristor modules regardless of the number of stages.
【0029】次に、分割型金属フレームとサイリスタモ
ジュールとを一体化したものを絶縁支柱10に固定する
際の固定法を図5乃至図8に従って説明する。なお、各
図では、金属フレームF31とサイリスタモジュールM
31を絶縁支柱10に固定する場合を示している。Next, a fixing method for fixing the integrated metal frame and the thyristor module to the insulating support 10 will be described with reference to FIGS. In each figure, the metal frame F31 and the thyristor module M
The case where 31 is fixed to the insulating pillar 10 is shown.
【0030】まず第1の方法は、図5に示すように、金
属フレームF31にサイリスタモジュールM31を固定
し、金属フレームF31の端部を、絶縁支柱10の端部
に取り付けられたフランジ60間に挿入し、各フランジ
60をボルト等で締結して金属フレームF31の端部を
フランジ60を介して絶縁支柱10に固定する。First, as shown in FIG. 5, the thyristor module M31 is fixed to the metal frame F31, and the end of the metal frame F31 is placed between the flanges 60 attached to the end of the insulating support post 10, as shown in FIG. Then, each flange 60 is fastened with a bolt or the like, and the end of the metal frame F31 is fixed to the insulating pillar 10 via the flange 60.
【0031】第2の方法は、図6に示すように、金属フ
レームF31にサイリスタモジュールM31を固定し、
金属フレームF31の端部を、絶縁支柱10の端部に取
り付けられたフランジ60間に挿入し、各フランジ60
をボルト等で締結して金属フレームF31の端部をフラ
ンジ60を介して絶縁支柱10に固定する。さらに、サ
イリスタモジュールM31の端部を、絶縁支柱10に固
定されたカラー70に連結する。この場合は、金属フレ
ームF31とサイリスタモジュールM31が共に絶縁支
柱10に固定されるので、図5の固定法よりも強度が増
す。In the second method, as shown in FIG. 6, a thyristor module M31 is fixed to a metal frame F31,
The end of the metal frame F31 is inserted between the flanges 60 attached to the ends of the insulating support posts 10, and each flange 60
Is fixed with bolts or the like to fix the end of the metal frame F31 to the insulating support 10 via the flange 60. Further, the end of the thyristor module M31 is connected to the collar 70 fixed to the insulating support 10. In this case, since the metal frame F31 and the thyristor module M31 are both fixed to the insulating column 10, the strength is increased as compared with the fixing method of FIG.
【0032】第3の方法は、図7に示すように、金属フ
レームF31にサイリスタモジュールM31を固定し、
金属フレームF31の端部を、絶縁支柱10に固定され
たカラー70に連結し、絶縁支柱10の端部に取り付け
られた各フランジ60をボルト等で締結して金属フレー
ムF31の端部をカラー70を介して絶縁支柱10に固
定する。In a third method, as shown in FIG. 7, a thyristor module M31 is fixed to a metal frame F31.
The end of the metal frame F31 is connected to a collar 70 fixed to the insulating support 10, and the flanges 60 attached to the end of the insulating support 10 are fastened with bolts or the like to connect the end of the metal frame F31 to the collar 70. Is fixed to the insulating support post 10 via.
【0033】第4の方法は、図8に示すように、金属フ
レームF31にサイリスタモジュールM31を固定し、
金属フレームF31の端部を、絶縁支柱10に固定され
たカラー70に連結し、さらに、サイリスタモジュール
M31の端部を、絶縁支柱10に固定されたカラー70
に連結し、絶縁支柱10の端部に取り付けられた各フラ
ンジ60をボルト等で締結して、サイリスタモジュール
M31と金属フレームF31の端部をそれぞれカラー7
0を介して絶縁支柱10に固定する。この場合は、金属
フレームF31とサイリスタモジュールM31が共に絶
縁支柱10に固定されるので、図7の固定法よりも強度
が増す。In a fourth method, as shown in FIG. 8, a thyristor module M31 is fixed to a metal frame F31.
The end of the metal frame F31 is connected to the collar 70 fixed to the insulating post 10, and the end of the thyristor module M31 is connected to the collar 70 fixed to the insulating post 10.
And the flanges 60 attached to the ends of the insulating posts 10 are fastened with bolts or the like, so that the ends of the thyristor module M31 and the metal frame F31 are respectively connected to the collar 7.
And fixed to the insulating column 10 via the “0”. In this case, since the metal frame F31 and the thyristor module M31 are both fixed to the insulating column 10, the strength is increased as compared with the fixing method of FIG.
【0034】一方、分割型金属フレームに固定されない
サイリスタモジュールの場合は、図9に示すように、サ
イリスタモジュールMiの端部をカラー70に直接連結
し、カラー70を介して絶縁支柱10に固定することが
できる。On the other hand, in the case of a thyristor module that is not fixed to the split-type metal frame, as shown in FIG. 9, the end of the thyristor module Mi is directly connected to the collar 70, and is fixed to the insulating support 10 via the collar 70. be able to.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
多段積みされた複数のサイリスタモジュールのうち少な
くとも1段の各サイリスタモジュールを金属フレームに
一体に結合し、この金属フレームを各サイリスタモジュ
ール毎に分割して互いに分離するようにしたため、設置
スペースを小さくできる共にサイリスタバルブの小型化
に寄与することができる。As described above, according to the present invention,
Since at least one thyristor module of the plurality of tiered thyristor modules is integrally connected to the metal frame, and the metal frame is divided for each thyristor module and separated from each other, the installation space can be reduced. Both can contribute to downsizing of the thyristor valve.
【図1】本発明の第1実施例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention.
【図2】第1実施例と従来例との差異を説明するための
図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a difference between the first embodiment and a conventional example.
【図3】本発明の第2実施例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a second embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第3実施例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a third embodiment of the present invention.
【図5】分割型金属フレームの第1の固定法を説明する
ための図である。FIG. 5 is a view for explaining a first fixing method of the split-type metal frame.
【図6】分割型金属フレームの第2の固定法を説明する
ための図である。FIG. 6 is a view for explaining a second fixing method of the split-type metal frame.
【図7】分割型金属フレームの第3の固定法を説明する
ための図である。FIG. 7 is a view for explaining a third fixing method of the split-type metal frame.
【図8】分割型金属フレームの第4の固定法を説明する
ための図である。FIG. 8 is a view for explaining a fourth fixing method of the split-type metal frame.
【図9】サイリスタモジュールの固定法を説明するため
の図である。FIG. 9 is a view for explaining a method of fixing the thyristor module.
F1 上部側金属フレーム F2 下部側金属フレーム F3、F3、F4 中間用金属フレーム F31〜34、F51〜54 中間用金属フレーム M11〜14、M21〜24、M31〜34、M41〜
44 サイリスタモジュール 10 絶縁支柱 51、52 絶縁部材 60 フランジ 70 カラーF1 Upper metal frame F2 Lower metal frame F3, F3, F4 Intermediate metal frame F31-34, F51-54 Intermediate metal frame M11-14, M21-24, M31-34, M41-
44 Thyristor module 10 Insulating column 51, 52 Insulating member 60 Flange 70 Collar
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 主税 茨城県日立市幸町三丁目1番1号 株式 会社 日立製作所 日立工場内 (72)発明者 井上 雅彦 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所 機械研究所内 (72)発明者 浅野 勝則 大阪府大阪市北区中之島3丁目3番22号 関西電力株式会社内 (72)発明者 橋本 隆輝 香川県高松市丸の内2番5号 四国電力 株式会社内 (72)発明者 色川 裕之 東京都中央区銀座六丁目15番1号 電源 開発株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−178541(JP,A) 特開 平7−203680(JP,A) 特開 平7−75338(JP,A) 特開 平7−87742(JP,A) 特開 平7−176686(JP,A) 特開 平2−84068(JP,A) 特開 平7−183452(JP,A) 特開 平7−335827(JP,A) 特開 平7−176687(JP,A) 特公 昭59−3114(JP,B2) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tanaka Main Tax 3-1-1, Sachimachi, Hitachi-shi, Ibaraki Hitachi, Ltd. Inside the Hitachi Plant (72) Inventor Masahiko Inoue 502, Kandatecho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Co., Ltd. Hitachi Machinery Research Laboratory (72) Inventor Katsunori Asano 3-3-22 Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Kansai Electric Power Company (72) Inventor Takateru Hashimoto 2-5 Marunouchi, Takamatsu City, Kagawa Prefecture Shikoku Electric Power Company (72) Inventor Hiroyuki Arokawa 6-15-1, Ginza, Chuo-ku, Tokyo Inside Power Supply Development Co., Ltd. (56) References JP-A-6-178541 (JP, A) JP-A-7-203680 (JP, A JP-A-7-75338 (JP, A) JP-A-7-87742 (JP, A) JP-A-7-176686 (JP, A) JP-A-2-84068 (JP, A) JP-A-7-76 18 3452 (JP, A) JP-A-7-335827 (JP, A) JP-A-7-176687 (JP, A) JP-B-59-3114 (JP, B2)
Claims (9)
動するための周辺回路を実装し複数段に分かれて配置さ
れた複数のサイリスタモジュールと、各サイリスタモジ
ュールをそれぞれ支持する複数の絶縁支柱と、各絶縁支
柱に連結されて各絶縁支柱を支持する複数の金属フレー
ムとを備え、前記複数のサイリスタモジュールのうち少
なくとも1段のサイリタモジュールは金属フレームに一
体となって結合されているサイリスタバルブ。A thyristor element and a peripheral circuit for driving the thyristor element are mounted and arranged in a plurality of stages.
Comprising a plurality of thyristor modules, a plurality of insulating pillars for supporting respectively the thyristors module, and a plurality of metal frame supporting the respective insulating pillars are coupled to each isolation strut, at least one of the plurality of thyristor modules thyristor valves coupled together to Sai Rita module metal frame of one stage.
動するための周辺回路を実装し複数段に分かれて配置さ
れた複数のサイリスタモジュールと、各サイリスタモジ
ュールをそれぞれ支持する複数の絶縁支柱と、各絶縁支
柱に連結されて各絶縁支柱を支持する複数の金属フレー
ムとを備え、前記各段のサイリスタモジュールは複数個
に分かれて配置されており、複数段のサイリスタモジュ
ールのうち少なくとも1段の各サイリタモジュールは金
属フレームに一体となって結合され、サイリスタモジュ
ールと一体化された金属フレームは分割型金属フレーム
としてそれぞれ互いに分離して配置されているサイリス
タバルブ。2. A thyristor element and a peripheral circuit for driving the thyristor element are mounted and arranged in a plurality of stages.
Comprising a plurality of thyristor modules, a plurality of insulating pillars for supporting respectively the thyristors module, and a plurality of metal frame supporting the respective insulating pillars are coupled to each isolation strut, said thyristor modules in each stage a plurality Pieces
Are arranged divided into at least one stage each site Rita modules are coupled together in a metal frame, the metal frame integrated with the thyristor modules split metal frame among the plurality of stages of thyristor modules
Thyristor valves which are arranged separately from each other .
動するための周辺回路を実装し複数段に分かれて配置さ
れた複数のサイリスタモジュールと、各サイリスタモジ
ュールをそれぞれ支持する複数の絶縁支柱と、各絶縁支
柱の上部側に連結された上部側金属フレームと、各絶縁
支柱の下部側に連結された下部側金属フレームと、各絶
縁支柱の中ほどに連結された中間用金属フレームとを備
え、前記複数のサイリスタモジュールのうち少なくとも
1段のサイリタモジュールは中間用金属フレームに一体
となって結合されているサイリスタバルブ。3. A thyristor element and a peripheral circuit for driving the thyristor element are mounted and arranged in a plurality of stages.
A plurality of thyristor modules, a plurality of insulating pillars for supporting respectively the thyristors module, an upper side metal frame connected to the upper side of the insulating support rod, a lower side metal which is connected to the lower side of the insulating support rod comprising a frame and a middle metal frame connected to the middle of the insulation <br/> edge struts, wherein at least one stage rhino Rita module of the plurality of thyristor modules together in an intermediate metal frame the combined to have a thyristor valve.
動するための周辺回路を実装し複数段に分かれて配置さ
れた複数のサイリスタモジュールと、各サイリスタモジ
ュールをそれぞれ支持する複数の絶縁支柱と、各絶縁支
柱の上部側に連結された上部側金属フレームと、各絶縁
支柱の下部側に連結された下部側金属フレームと、各絶
縁支柱の中ほどに連結された中間用金属フレームとを備
え、前 記各段のサイリスタモジュールは複数個に分かれ
て配置されており、前記複数段のサイリスタモジュール
のうち少なくとも1段の各サイリタモジュールは中間用
金属フレームに一体となって結合され、サイリスタモジ
ュールと一体化された中間用金属フレームは分割型金属
フレームとしてそれぞれ互いに分離して配置されている
サイリスタバルブ。4. A thyristor element and a peripheral circuit for driving the thyristor element are mounted and arranged in a plurality of stages.
A plurality of thyristor modules, a plurality of insulating pillars for supporting respectively the thyristors module, an upper side metal frame connected to the upper side of the insulating support rod, a lower side metal which is connected to the lower side of the insulating support rod comprising a frame and a middle metal frame connected to the middle of the insulation <br/> edge struts, before Symbol thyristor modules in each stage divided into a plurality
Are arranged Te, said plurality of stages at least one stage each site Rita modules of the thyristor modules are coupled together to an intermediate metal frames, intermediate metal frame integrated with the thyristor modules split metal
Thyristor valves which are arranged separately from each other as frames .
金属フレームは互いに絶縁部材を介して連結されている
請求項2又は4記載のサイリスタバルブ。5. The thyristor valve according to claim 2 , wherein the metal frames integrated with the thyristor module are connected to each other via an insulating member.
モジュールは金属フレームを介して絶縁支柱に連結され
ている請求項2、4、又は5記載のサイリスタバルブ。6. A thyristor integrated with a metal frame.
Modules are connected to insulating posts via metal frames
And which claims 2,4, or 5 thyristor valve according.
絶縁支柱に連結されている請求項6記載のサイリスタバ
ルブ。7. The metal frame is provided via a flat collar.
7. The thyristor valve according to claim 6 , wherein the thyristor valve is connected to an insulating post .
モジュールは金属フレームと共に絶縁支柱に連結されて
いる請求項2、4又は5記載のサイリスタバルブ。8. A thyristor integrated with a metal frame.
The module is connected to the insulating posts with the metal frame
Claim 2, 4 or 5 a thyristor valve according to have.
それぞれ平板状のカラーを介して絶縁支柱に連結されて
いる請求項8記載のサイリスタバルブ。9. The metal frame and the thyristor module
9. The thyristor valve according to claim 8, wherein each of the thyristor valves is connected to the insulating support via a flat collar .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17404494A JP2627612B2 (en) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | Thyristor valve |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17404494A JP2627612B2 (en) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | Thyristor valve |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837280A JPH0837280A (en) | 1996-02-06 |
| JP2627612B2 true JP2627612B2 (en) | 1997-07-09 |
Family
ID=15971646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17404494A Expired - Lifetime JP2627612B2 (en) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | Thyristor valve |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2627612B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107546962B (en) * | 2017-09-05 | 2024-06-11 | 国网江苏省电力公司南京供电公司 | A thyristor bypass switch valve module |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP17404494A patent/JP2627612B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0837280A (en) | 1996-02-06 |
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