JP2632882B2 - Thin film magnetic head and method of manufacturing the same - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 168
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、基体の上に、下部磁性膜及び上部磁性膜
と、導体コイル膜とでなる磁気回路を形成した面内記録
用の薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a thin film magnetic for in-plane recording in which a magnetic circuit including a lower magnetic film, an upper magnetic film, and a conductor coil film is formed on a base. The present invention relates to a head and a method for manufacturing the same.
＜従来の技術＞ 第６図は従来よりよく知られたこの種の薄膜磁気ヘッ
ドの要部の斜視図で、１はセラミックで構成された基
体、２は下部磁性膜、３はアルミナ等でなるギャップ
膜、４は上部磁性膜、５は導体コイル膜、６はノボラッ
ク樹脂等の有機絶縁樹脂で構成された絶縁膜、７、８は
引出リード部である。図示はされていないが、各部２〜
８を覆うアルミナ等の保護膜が設けられる。下部磁性膜
２及び上部磁性膜４の先端部は、微小厚みのギャップ膜
３を隔てて対向するポール部21、41となっており、この
ポール部21、41において読み書きを行なう。<Prior Art> FIG. 6 is a perspective view of a main part of a thin-film magnetic head of this type, which is well known in the related art, wherein 1 is a base made of ceramic, 2 is a lower magnetic film, and 3 is made of alumina or the like. A gap film, 4 is an upper magnetic film, 5 is a conductor coil film, 6 is an insulating film made of an organic insulating resin such as a novolak resin, and 7 and 8 are lead-out portions. Although not shown, each part 2
8 is provided with a protective film such as alumina. The tip portions of the lower magnetic film 2 and the upper magnetic film 4 are pole portions 21 and 41 facing each other with the gap film 3 having a small thickness therebetween. Reading and writing are performed in the pole portions 21 and 41.
上述の薄膜磁気ヘッドは、フォトリソグラフィと呼ば
れる薄膜パターン形成技術を用いて形成されるが、特に
下部磁性膜２の境界Ａの付近で、段差を生じる。このた
め、導体コイル膜５のパターン形成のためのフォトリソ
グラフィ．プロセスにおいて、ポジレジスト膜を使用し
た場合は、段差上面に位置する導体コイル膜５の幅より
も、段差下面に位置する導体コイル膜５の幅の方が広く
なり、隣り合う導体コイル膜５−５間に短絡を生じる。
ネガレジスト膜を使用した場合には、段差下面に位置す
る導体コイル膜５の幅が狭くなり、断線等を引起す。こ
のような問題点を解決するための従来技術としては、例
えば、特開昭61−120315号公報に記載された技術が知ら
れている。この先行技術では、基体１上に形成された下
部磁性膜２を含む上端面と含まない上端面とが、同程度
の高さとなるように、絶縁パターンを形成することによ
り、導体コイル膜の形成領域を平坦化したものである。
第７図は上記先行技術によって得られた薄膜磁気ヘッド
の要部の断面図、第８図は下部磁性膜と絶縁パターンと
の関係を示す平面図である。図において、導体１の上に
下部磁性膜２を形成すると共に、この下部磁性膜２の上
にアルミナ等の酸化物絶縁膜でなるギャップ膜３を形成
し、このギャップ膜３の上から、基体１と下部磁性膜２
の間に生じている段差を埋めるように、有機絶縁膜９を
形成してある。４は上部磁性膜、51、52は導体コイル
膜、61〜63は層間絶縁膜、10はアルミナ等でなる保護膜
である。The above-described thin-film magnetic head is formed by using a thin-film pattern forming technique called photolithography, and a step is generated particularly near the boundary A of the lower magnetic film 2. Therefore, photolithography for forming a pattern of the conductor coil film 5 is performed. In the case where a positive resist film is used in the process, the width of the conductor coil film 5 located on the lower surface of the step is wider than the width of the conductor coil film 5 located on the upper surface of the step. A short circuit occurs between the five.
When a negative resist film is used, the width of the conductor coil film 5 located on the lower surface of the step becomes narrow, causing disconnection and the like. As a conventional technique for solving such a problem, for example, a technique described in JP-A-61-120315 is known. In this prior art, a conductor coil film is formed by forming an insulating pattern such that an upper end surface including a lower magnetic film 2 formed on a base 1 and an upper end surface not including the lower magnetic film 2 have substantially the same height. The region is flattened.
FIG. 7 is a sectional view of a main part of the thin-film magnetic head obtained by the above-mentioned prior art, and FIG. 8 is a plan view showing a relationship between a lower magnetic film and an insulating pattern. In the figure, a lower magnetic film 2 is formed on a conductor 1 and a gap film 3 made of an oxide insulating film such as alumina is formed on the lower magnetic film 2. 1 and lower magnetic film 2
An organic insulating film 9 is formed so as to fill in a step generated between them. 4 is an upper magnetic film, 51 and 52 are conductor coil films, 61 to 63 are interlayer insulating films, and 10 is a protective film made of alumina or the like.
有機絶縁膜９を形成するには、例えば、ノボラック樹
脂系のポジタイプレジスト膜を塗布した後、ソフトベー
クのための熱処理を加え、次にフォトマスクを当てて露
光した後、現像し、次に、熱処理を加えて硬化させる。In order to form the organic insulating film 9, for example, after applying a novolak resin-based positive type resist film, heat treatment for soft baking is applied, then exposure is performed by applying a photomask, development is performed, and then, And heat treatment to cure.
上述のようにして平坦化した後、通常の工程にしたが
って、膜間絶縁膜61〜63、導体コイル膜51、52及び上部
磁性膜４及び保護膜10を形成する。After the planarization as described above, the inter-layer insulating films 61 to 63, the conductor coil films 51 and 52, the upper magnetic film 4, and the protective film 10 are formed according to a normal process.
上述した先行技術によれば、下部磁性膜２の段差が有
機絶縁膜９によって埋められ、導体コイル膜51、52の形
成領域が平坦化されるので、フォトリソグラフィによる
導体コイル膜51、52のパターン形成時に、その線幅が均
一化され、断線、短絡等が防止できる。According to the above-described prior art, the step of the lower magnetic film 2 is filled with the organic insulating film 9 and the formation region of the conductor coil films 51 and 52 is flattened. At the time of formation, the line width is made uniform, and disconnection and short circuit can be prevented.
＜発明が解決しようとする問題点＞ しかしながら、上述した先行技術は、下部磁性膜に対
する上部磁性膜のポール部の幅や長さが変化し易く、電
磁変換領域が変動すること、狭トラック化対応に限界を
生じること、また、下部磁性膜に対する上部磁性膜の位
置ズレを生じ、電磁変換領域が変動してしまうこと等の
問題点を有する。<Problems to be Solved by the Invention> However, in the above-described prior art, the width and length of the pole portion of the upper magnetic film with respect to the lower magnetic film are easily changed, the electromagnetic conversion region is changed, and the track width is reduced. In addition, there is a problem that the upper magnetic film is displaced with respect to the lower magnetic film, and the electromagnetic conversion region fluctuates.
＜問題点を解決するための手段＞ 上述する従来の問題点を解決するため、本発明に係る
薄膜磁気ヘッドは、基体の上に、ポール部が磁気ギャッ
プ膜を介して互いに対向する下部磁性膜及び上部磁性膜
と、導体コイル膜とでなる磁気回路を有する。前記上部
磁性膜は、一つのみ備えられ、前記下部磁性膜との間で
単一の磁気ギャップを構成している。前記磁気ギャップ
膜は、無機絶縁膜によって構成されている。前記無機絶
縁膜は、前記下部磁性膜の前記ポール部に対応する部分
の表面に溝を有し、前記溝に前記上部磁性膜の前記ポー
ル部が形成されている。前記溝は、前記下部磁性膜のポ
ール部の幅に合わせて形成されている。<Means for Solving the Problems> In order to solve the above-mentioned conventional problems, a thin-film magnetic head according to the present invention comprises a lower magnetic film having pole portions opposed to each other via a magnetic gap film on a base. And a magnetic circuit comprising an upper magnetic film and a conductor coil film. Only one upper magnetic film is provided, and forms a single magnetic gap with the lower magnetic film. The magnetic gap film is constituted by an inorganic insulating film. The inorganic insulating film has a groove on a surface of a portion of the lower magnetic film corresponding to the pole portion, and the pole portion of the upper magnetic film is formed in the groove. The groove is formed in accordance with a width of a pole portion of the lower magnetic film.
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基
体の上に下部磁性膜を形成する工程と、前記下部磁性膜
の上から前記基体に対して無機絶縁膜を付与する工程
と、前記下部磁性膜のポール部に対応する部分におい
て、前記ポール部の幅に合わせて、前記無機絶縁膜の表
面に溝を付与する工程と、前記無機絶縁膜に付与された
前記溝内に前記上部磁性膜のポール部を形成する工程と
を含む。The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention may further comprise a step of forming a lower magnetic film on the base, a step of applying an inorganic insulating film to the base from above the lower magnetic film, Providing a groove on the surface of the inorganic insulating film in a portion corresponding to the pole portion of the magnetic film in accordance with the width of the pole portion; and forming the upper magnetic film in the groove provided on the inorganic insulating film. Forming a pole portion of
＜作用＞ 無機絶縁膜のポール部に対応する部分の表面に溝を設
け、溝に上部磁性膜のポール部を形成してあるので、上
部磁性膜のポール部の幅や長さが、溝によって規制でき
るようになり、溝によって規制された正確な電磁変換領
域が形成されると共に、狭トラック化にも対応できるよ
うになる。また、上部磁性膜に位置ズレを生じたとして
も、ポール部に対する溝の形成位置が一定である限り、
磁気ギャップの電磁変換領域が溝の位置によって定まる
実質的に一定の値に設定される。<Operation> Since a groove is provided on the surface of the portion corresponding to the pole portion of the inorganic insulating film, and the pole portion of the upper magnetic film is formed in the groove, the width and length of the pole portion of the upper magnetic film depend on the groove. It is possible to regulate, so that an accurate electromagnetic conversion region regulated by the groove is formed, and it is possible to cope with a narrow track. Even if the upper magnetic film is displaced, as long as the position of the groove with respect to the pole portion is constant,
The electromagnetic conversion area of the magnetic gap is set to a substantially constant value determined by the position of the groove.
＜実施例＞ 第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部における
断面図、第２図は第１図A1−A1線上における断面図、第
３図は第１図A2−A2線上における断面図である。図にお
いて、第６図〜第８図と同一の参照符号は同一性ある構
成部分を示している。11は無機絶縁膜である。この無機
絶縁膜11は例えばAl2O3、SiO2、Ta2O5等の酸化物絶縁物
の少なくとも１種で構成されており、下部磁性膜２の上
から基体１に対して、両者間２−１の段差を埋めて平坦
化するように付与されている。このような無機絶縁膜11
はバイアススパッタ等の手段によって形成できる。導体
コイル膜51、52及びその層間絶縁膜61〜63は、平坦化さ
れた無機絶縁膜11の表面に形成されている。このため、
導体コイル膜51、52の形成領域に段差がなくなり、その
線幅が均一化され、断線、短絡等が防止できる。しか
も、無機絶縁膜11は、スパッタリング等の手段によっ
て、下部磁性膜２の上から基体１に連続して形成されて
いるので、無機絶縁膜11の表面に不連続部分や、部分的
重なりを生じることがない。このため、無機絶縁膜11の
表面が高度の平坦面となり、導体コイル膜51、52の断
線、短絡がより一層効果的に防止される。<Example> sectional view of the main part of the thin-film magnetic head according to Figure 1 the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view in FIG. 1 A 1 -A 1 line, Figure 3 is a first diagram A 2 -A FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line 2 ; In the drawings, the same reference numerals as those in FIGS. 6 to 8 indicate identical components. 11 is an inorganic insulating film. The inorganic insulating film 11 is made of at least one kind of oxide insulator such as Al 2 O 3 , SiO 2 and Ta 2 O 5. It is provided so as to fill the step 2-1 and flatten it. Such an inorganic insulating film 11
Can be formed by means such as bias sputtering. The conductor coil films 51 and 52 and the interlayer insulating films 61 to 63 are formed on the flattened surface of the inorganic insulating film 11. For this reason,
Steps are eliminated in the formation regions of the conductor coil films 51 and 52, the line width is made uniform, and disconnection, short circuit, and the like can be prevented. Moreover, since the inorganic insulating film 11 is formed on the base 1 from above the lower magnetic film 2 by means such as sputtering, a discontinuous portion or a partial overlap occurs on the surface of the inorganic insulating film 11. Nothing. For this reason, the surface of the inorganic insulating film 11 becomes a highly flat surface, and the disconnection and short circuit of the conductor coil films 51 and 52 are more effectively prevented.
無機絶縁膜11は、下部磁性膜２を、媒体との接触部と
なるポール部21の先端部まで覆うように付与しポール部
21での段差も埋めている。このため、保護膜10をスパッ
タリング等の手段によって形成する場合のポール部分2
1、41でのステップカバレッジが良好になる 無機絶縁膜11には、ボール部21に対応する部分の表面
に溝12を設けてあり、溝12に上部磁性膜４のポール部41
を形成してある。溝12は、下部磁性膜２のポール部21の
幅に合わせて形成されている。ポール部41とポール部21
との間に介在する磁気ギャップＧの幅、厚み、ギャップ
ディプスは、溝12の深さh1、幅w1及び長さによって定め
ることができる。このように、磁気ギャップＧの厚みや
ギャップディプが溝12によって規制できるので、電磁変
換領域の一定化と共に、狭トラック化にも対応きるよう
になる。また、下部磁性膜２に対する上部磁性膜４の位
置ズレを生じたとしても、ポール部21に対する溝12の形
成位置が一定である限り、ポール部21に対するポール部
41の対向関係は実質的に一定に保たれ、磁気ギャップＧ
の電磁変換領域が溝12の位置によって定まる一定の値に
設定される。The inorganic insulating film 11 is provided so as to cover the lower magnetic film 2 to the tip of the pole portion 21 which is a contact portion with the medium.
The gap at 21 is also filled. For this reason, the pole portion 2 when the protective film 10 is formed by means such as sputtering.
A groove 12 is provided on the surface of the portion corresponding to the ball portion 21 in the inorganic insulating film 11 to improve the step coverage in 1 and 41. The groove 12 is formed in the pole portion 41 of the upper magnetic film 4 in the groove 12.
Is formed. The groove 12 is formed according to the width of the pole portion 21 of the lower magnetic film 2. Pole part 41 and pole part 21
Width, thickness, gap Depth of the magnetic gap G interposed between the depth h 1 of the groove 12 may be defined by the width w 1 and a length. As described above, since the thickness and the gap depth of the magnetic gap G can be regulated by the groove 12, the electromagnetic conversion region can be made constant and the track can be narrowed. Even if the position of the upper magnetic film 4 is shifted with respect to the lower magnetic film 2, as long as the formation position of the groove 12 with respect to the pole portion 21 is constant, the pole portion
The facing relationship of 41 is kept substantially constant and the magnetic gap G
Is set to a constant value determined by the position of the groove 12.
次に第４図及び第５図を参照して、本発明に係る薄膜
磁気ヘッドの製造方法を説明する。まず、第４図
（ａ）、第５図（ａ）に示すように、基体１の上に通常
の手段によって下部磁性膜２を形成する。Next, a method for manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIGS. 4 (a) and 5 (a), a lower magnetic film 2 is formed on a substrate 1 by ordinary means.
次に第４図（ｂ）、第５図（ｂ）に示すように下部磁
性膜２の上から基体１に対して無機絶縁膜11を付与し、
両者２−１間の段差を埋める。この工程は、例えばAl2O
3、SiO2、Ta2O5等の酸化絶縁物のバイアススパッタ等に
よって行なうことができる。Next, as shown in FIGS. 4 (b) and 5 (b), an inorganic insulating film 11 is applied to the base 1 from above the lower magnetic film 2,
Fill the step between the two. In this step, for example, Al 2 O
3 , can be performed by bias sputtering of an oxide insulator such as SiO 2 or Ta 2 O 5 .
次に第４図（ｃ）、第５図（ｃ）に示すように、無機
絶縁膜11を面加工して平坦化すると共に、ポール部に対
応する無機絶縁膜11の部分に、幅w1、厚みh1及び長さl1
の溝12を形成する。この工程は、研磨、イオンミーリン
グまたは両者の組合せによって行なうことができる。Next, as shown in FIG. 4 (c) and FIG. 5 (c), the inorganic insulating film 11 is flattened by surface processing, and a width w 1 is added to the portion of the inorganic insulating film 11 corresponding to the pole portion. , Thickness h 1 and length l 1
Is formed. This step can be performed by polishing, ion milling, or a combination of both.
この後、通常のフォトリソグラフィ．プロセスを経る
ことにより、導体コイル膜、その層間絶縁膜及び上部磁
性膜を形成することにより、本発明による薄膜磁性ヘッ
ドが得られる。次に、その一例について説明する。第４
図（ｄ）、第５図（ｄ）に示すように、無機絶縁膜11の
表面に、ノボラック系のポジタイプレジスト膜61をコー
ティングし、90℃、30分の条件でソフトベークを行なっ
た後、露光、現像及び洗浄の処理を施し、続いて、130
℃、１時間の熱処理及び220℃、１時間の熱処理をそれ
ぞれ行なって層間絶縁膜61を形成する。Thereafter, normal photolithography. The thin film magnetic head according to the present invention can be obtained by forming a conductor coil film, an interlayer insulating film thereof and an upper magnetic film through a process. Next, an example will be described. 4th
As shown in FIG. 5 (d) and FIG. 5 (d), the surface of the inorganic insulating film 11 is coated with a novolak-based positive type resist film 61 and soft-baked at 90 ° C. for 30 minutes. , Exposure, development and washing, followed by 130
A heat treatment of 1 hour at 220 ° C. and a heat treatment of 220 ° C. for 1 hour are performed to form an interlayer insulating film 61.
次に、第４図（ｅ）、第５図（ｅ）に示すように、層
間絶縁膜61の表面にCu/Tiをスパッタリングして、下地
導体膜51Aを形成した後、第４図（ｆ）、第５図（ｆ）
に示すように、下地導体膜51Aの表面にポジレジスト膜6
2Aを塗布し、90℃、30分の条件でソフトベークを行な
う。Next, as shown in FIG. 4 (e) and FIG. 5 (e), Cu / Ti is sputtered on the surface of the interlayer insulating film 61 to form the underlying conductor film 51A. ), FIG. 5 (f)
As shown in the figure, a positive resist film 6
Apply 2A and perform soft bake at 90 ° C for 30 minutes.
次に、第４図（ｇ）、第５図（ｇ）に示すように、ポ
ジレジスト膜62Aの上にフォトマス13を位置決めし、露
光を行なう。層間絶縁膜61、下地導体膜51A及びポジレ
ジスト層62Aのベースとなる無機絶縁膜11の表面が平坦
化されているので、フォトマスク13がポジレジスト膜62
Aの表面に密着し、隙間が生じない。このため、第４図
（ｈ）に示すように、フォトマスク13のパターンと一致
した均一な露光パターンが得られる。Next, as shown in FIGS. 4 (g) and 5 (g), the photomass 13 is positioned on the positive resist film 62A, and exposure is performed. Since the surfaces of the interlayer insulating film 61, the underlying conductor film 51A, and the inorganic insulating film 11 serving as the base of the positive resist layer 62A are flattened, the photomask 13 serves as the positive resist film 62.
It adheres to the surface of A, and no gap is formed. Therefore, as shown in FIG. 4H, a uniform exposure pattern matching the pattern of the photomask 13 is obtained.
次に、第４図（ｉ）に示すように、導体コイル膜51と
なるCuメッキ膜51Bを、例えば2.5μｍの厚さで、レジス
ト膜62Aの除去された部分62Bに付着させる。Next, as shown in FIG. 4 (i), a Cu plating film 51B serving as the conductor coil film 51 is attached to the removed portion 62B of the resist film 62A with a thickness of, for example, 2.5 μm.
次に、レジスト膜51Bを剥離し、更に、剥離されたレ
ジスト膜51Bの下にある下地導体膜51Aをイオンミーリン
グで除去して、第４図（ｊ）に示すように、層間絶縁膜
61の上に導体コイル膜51を形成する。Next, the resist film 51B is peeled off, and the underlying conductor film 51A under the peeled resist film 51B is removed by ion milling to form an interlayer insulating film as shown in FIG. 4 (j).
A conductor coil film 51 is formed on 61.
次に、第４図（ｄ）〜（ｊ）の工程を繰返し、第４図
（ｋ）、第５図（ｈ）に示すように、層間絶縁膜62、導
体コイル膜52及び層間絶縁膜62を積層した後、第４図
（ｌ）、第５図（ｉ）に示すように、層間絶縁膜63の表
面に、上部磁性膜４を形成する。ここで、無機絶縁膜11
には、下部磁性膜２のポール部21に対応する部分の表面
に溝12を設けてあるので、溝12に上部磁性膜４のポール
部41が形成される。このため、ポール部21−41間の磁気
ギャップＧの電磁変換領域が、溝12の幅w1、長さl1、厚
みh1等によって定まる所定の値に選定される。また、下
部磁性膜２に対する上部磁性膜４の位置ズレを生じたと
しても、ポール部21に対する溝12の形成位置が一定であ
る限り、磁気ギャップＧの電磁変換領域が溝12の位置に
よって定まる一定の値に設定される。Next, the steps of FIGS. 4 (d) to (j) are repeated, and as shown in FIGS. 4 (k) and 5 (h), the interlayer insulating film 62, the conductor coil film 52 and the interlayer insulating film 62 Then, the upper magnetic film 4 is formed on the surface of the interlayer insulating film 63, as shown in FIGS. 4 (l) and 5 (i). Here, the inorganic insulating film 11
Since the groove 12 is provided on the surface of the lower magnetic film 2 corresponding to the pole portion 21, the pole portion 41 of the upper magnetic film 4 is formed in the groove 12. Therefore, the electromagnetic conversion area of the magnetic gap G between the pole portions 21-41 is, the width w 1 of the groove 12, is selected to a predetermined value determined by the length l 1, the thickness h 1 and the like. Even if the upper magnetic film 4 is displaced from the lower magnetic film 2, as long as the position of the groove 12 with respect to the pole portion 21 is constant, the electromagnetic conversion region of the magnetic gap G is determined by the position of the groove 12. Is set to the value of
この後、保護膜10（第１図〜第３図参照）をスパッタ
リングによって形成することとなるが、第４図（ｃ）、
第５図（ｃ）で説明したように、無機絶縁膜11は、下部
磁性膜２のポール部21の先端部まで覆うように付与して
あって、ポール部21での段差も埋めている。このため、
保護膜10をスパッタリング等の手段によって形成する場
合のポール部分21、41でのステップカバレッジが良好に
なる。Thereafter, a protective film 10 (see FIGS. 1 to 3) is formed by sputtering.
As described with reference to FIG. 5 (c), the inorganic insulating film 11 is provided so as to cover the tip of the pole portion 21 of the lower magnetic film 2, and also fills the step in the pole portion 21. For this reason,
When the protective film 10 is formed by means such as sputtering, the step coverage at the pole portions 21 and 41 is improved.
＜発明の効果＞ 以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドによ
れば、上部磁性膜のポール部の幅や長さが、溝によって
規制できるようになり、溝によって規制された正確な電
磁変換領域が形成されると共に、狭トラック化にも対応
し得る薄膜磁気ヘッドを提供できる。<Effects of the Invention> As described above, according to the thin-film magnetic head of the present invention, the width and length of the pole portion of the upper magnetic film can be regulated by the groove, and the accurate width regulated by the groove can be improved. It is possible to provide a thin-film magnetic head that can form an electromagnetic conversion region and can cope with a narrow track.
また、上部磁性膜の位置ズレを生じたとしても、磁気
ギャップの電磁変換領域が溝の位置によって定まる実質
的に一定の値に設定し得る薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。Further, even if the upper magnetic film is displaced, it is possible to provide a thin film magnetic head capable of setting the electromagnetic conversion region of the magnetic gap to a substantially constant value determined by the position of the groove.
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部における断
面図、第２図は第１図A1−A1線上における断面図、第３
図は第１図A2−A2線上における断面図、第４図（ａ）〜
（ｌ）は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す
断面図、第５図（ａ）〜（ｉ）は本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの製造工程を媒体摺動面側から見た図、第６図は
従来より知られた薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、第７
図は従来の薄膜磁気ヘッドの要部の断面図、第８図は同
じく下部磁性膜と絶縁パターンとの関係を示す平面図で
ある。 １……基体、２……下部磁性膜 21……ポール部、４……上部磁性膜 41……コール部 ５、51、52……導体コイル膜 ６、61〜63……層間絶縁膜 11……無機絶縁膜、12……溝Sectional view of the main part of the thin-film magnetic head according to Figure 1 the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view in FIG. 1 A 1 -A 1 line, third
Figure is a cross-sectional view in FIG. 1 A 2 -A 2 lines, FIG. 4 (a) ~
(L) is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the thin-film magnetic head according to the present invention, and FIGS. 5 (a) to (i) are views showing the manufacturing process of the thin-film magnetic head according to the present invention as viewed from the medium sliding surface side. FIG. 6 is a perspective view of a main part of a conventionally known thin film magnetic head, FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view of a main part of a conventional thin-film magnetic head, and FIG. 8 is a plan view showing the relationship between a lower magnetic film and an insulating pattern. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base body 2 ... Lower magnetic film 21 ... Pole part 4 ... Upper magnetic film 41 ... Call part 5, 51, 52 ... Conductor coil film 6, 61-63 ... Interlayer insulating film 11 ... ... Inorganic insulating film, 12 ... Groove
Claims (7)
介して互いに対向する下部磁性膜及び上部磁性膜と、導
体コイル膜とでなる磁気回路を有する薄膜磁気ヘッドに
おいて、 前記上部磁性膜は、一つのみ備えられ、前記下部磁性膜
との間で単一の磁気ギャップを構成しており、 前記磁気ギャップ膜は、無機絶縁膜によって構成されて
おり、 前記無機絶縁膜は、前記下部磁性膜の前記ポール部に対
応する部分の表面に溝を有し、前記溝に前記上部磁性膜
の前記ポール部が形成されており、 前記溝は、前記下部磁性膜のポール部の幅に合わせて形
成されている 薄膜磁気ヘッド。1. A thin film magnetic head having a magnetic circuit comprising a lower magnetic film and an upper magnetic film whose pole portions are opposed to each other via a magnetic gap film on a substrate, and a conductor coil film, wherein the upper magnetic film Is provided only, and forms a single magnetic gap with the lower magnetic film. The magnetic gap film is formed of an inorganic insulating film, and the inorganic insulating film is formed of the lower magnetic film. A groove is formed on a surface of a portion of the magnetic film corresponding to the pole portion, and the pole portion of the upper magnetic film is formed in the groove, and the groove is adjusted to a width of the pole portion of the lower magnetic film. Thin-film magnetic head formed by
ら前記基体に対して付与され、両者間の段差を埋めて平
坦化する 特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁気ヘッド。2. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein said inorganic insulating film is applied to said base from above said lower magnetic film and fills a step between them to flatten.
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。3. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein said inorganic insulating film is made of an oxide insulator.
の少なくとも１種でなることを特徴とする特許請求の範
囲第２項に記載の薄膜磁気ヘッド。4. The thin-film magnetic head according to claim 2 , wherein said oxide insulator is made of at least one of Al 2 O 3 , SiO 2 , Ta 2 O 5 and the like.
介して互いに対向する下部磁性膜及び上部磁性膜と、導
体コイル膜とでなる磁気回路を有する薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、 前記基体の上に前記下部磁性膜を形成する工程と、 前記下部磁性膜の上から前記基体に対して無機絶縁膜を
付与する工程と、 前記下部磁性膜のポール部に対応する部分において、前
記ポール部の幅に合わせて、前記無機絶縁膜の表面に溝
を付与する工程と、 前記無機絶縁膜に付与された前記溝内に前記上部磁性膜
のポール部を形成する工程とを含む 薄膜磁気ヘッドの製造方法。5. A method for manufacturing a thin-film magnetic head having a magnetic circuit comprising a lower magnetic film and an upper magnetic film whose pole portions oppose each other via a magnetic gap film on a substrate, and a conductor coil film. A step of forming the lower magnetic film on a base; a step of applying an inorganic insulating film to the base from above the lower magnetic film; Forming a groove on the surface of the inorganic insulating film in accordance with the width of the portion, and forming a pole portion of the upper magnetic film in the groove provided on the inorganic insulating film. Manufacturing method.
無機絶縁膜を付与する工程の後、前記無機絶縁膜の表面
に溝を付与する工程の前に、前記無機絶縁膜を面加工し
て平坦化する工程を含む 特許請求の範囲第５項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。6. A surface processing of the inorganic insulating film after the step of applying the inorganic insulating film to the substrate from above the lower magnetic film and before the step of providing a groove on the surface of the inorganic insulating film. 6. The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 5, further comprising a step of flattening.
グの工程であることを特徴とする特許請求の範囲第５項
または第６項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。7. A method according to claim 5, wherein said surface processing is a polishing or ion milling step.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62306094A JP2632882B2 (en) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62306094A JP2632882B2 (en) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01146110A JPH01146110A (en) | 1989-06-08 |
| JP2632882B2 true JP2632882B2 (en) | 1997-07-23 |
Family
ID=17952959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62306094A Expired - Lifetime JP2632882B2 (en) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2632882B2 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817521A (en) * | 1981-07-21 | 1983-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film magnetic head |
| JPH0760490B2 (en) * | 1983-08-29 | 1995-06-28 | ソニー株式会社 | Method for manufacturing multi-element thin film magnetic head |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP62306094A patent/JP2632882B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01146110A (en) | 1989-06-08 |
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