JP2643082B2 - 光屈折2ビームカップリングの改良された方法 - Google Patents
光屈折2ビームカップリングの改良された方法Info
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Description
【0001】
【発明の分野】本発明は光屈折2ビームカップリングに
おける正味増を生じる光屈折ポリマー光学物品及びその
光屈折ポリマーを使用するホログラフ記憶装置に関す
る。
おける正味増を生じる光屈折ポリマー光学物品及びその
光屈折ポリマーを使用するホログラフ記憶装置に関す
る。
【0002】
【発明の背景】光屈折効果は非線形光学材料中において
光誘導電荷再分布を伴い内部電界を生じ、これは光学的
非線形性により屈折率における局部的変化をひき起こ
し、その結果動的で消去可能な、光を回折するホログラ
ムが形成される。光屈折効果は材料を明及び暗部からな
る光学強度パターン、例えば2つのコヒーレントレーザ
ー書き込みビームを干渉することにより形成されるパタ
ーンに露光することにより達成される。材料中に生ずる
移動性電荷は拡散及びドリフトプロセスの影響を受けな
がら移動して内部空間電荷電界すなわち電荷格子を形成
する。非線形材料は電気光学効果を持つから、電荷格子
からの電界は光学屈折率において格子を生じ、これは読
み出しの間に光の回折をひき起こす。いくつかの光屈折
材料の重要な別の性質は非対称2ビームカップリングで
あり、これは屈折率変化のパターンがもとの明暗光学強
度パターンから空間的に位置を変える場合に起こる。非
対称2ビームカップリングは2つのコヒーレントビーム
が材料中で重なり、そして2つの伝送ビームの光パワー
をこの技術分野で公知の方法により測定することにより
観察することができる。非対称2ビームカップリングは
格子形成の間に2ビームの1つの光パワーが減少し、一
方他のビームの光パワーが増加する場合に起こる。光パ
ワーが増加したビームが光屈折材料の吸収を考慮しても
パワーの正味増を実現する場合もっとも有利である。
光誘導電荷再分布を伴い内部電界を生じ、これは光学的
非線形性により屈折率における局部的変化をひき起こ
し、その結果動的で消去可能な、光を回折するホログラ
ムが形成される。光屈折効果は材料を明及び暗部からな
る光学強度パターン、例えば2つのコヒーレントレーザ
ー書き込みビームを干渉することにより形成されるパタ
ーンに露光することにより達成される。材料中に生ずる
移動性電荷は拡散及びドリフトプロセスの影響を受けな
がら移動して内部空間電荷電界すなわち電荷格子を形成
する。非線形材料は電気光学効果を持つから、電荷格子
からの電界は光学屈折率において格子を生じ、これは読
み出しの間に光の回折をひき起こす。いくつかの光屈折
材料の重要な別の性質は非対称2ビームカップリングで
あり、これは屈折率変化のパターンがもとの明暗光学強
度パターンから空間的に位置を変える場合に起こる。非
対称2ビームカップリングは2つのコヒーレントビーム
が材料中で重なり、そして2つの伝送ビームの光パワー
をこの技術分野で公知の方法により測定することにより
観察することができる。非対称2ビームカップリングは
格子形成の間に2ビームの1つの光パワーが減少し、一
方他のビームの光パワーが増加する場合に起こる。光パ
ワーが増加したビームが光屈折材料の吸収を考慮しても
パワーの正味増を実現する場合もっとも有利である。
【0003】光屈折効果を示す無機結晶はこの技術分野
で公知であり、例えばGuenter及びHuignard,「光屈折
材料及びそれらの応用」I巻及びII巻(「応用物理学に
おける話題」61巻及び62巻)(Springer,Berlin,
Heidelberg 1988年刊)に記述されている。無機光
屈折結晶は電磁放射の伝送及び制御(位相、強度、又は
伝搬の方向の変化)のための光学物品に作り上げられて
いる。いくつかの無機結晶例えばBaTiO3、Bi12
SiO20及びSrxBa1-xNb2O6は2ビームカップリ
ングにおける正味増を示し、例えばYehによりApplied
Optics(1987年)、26巻、602ページにおいて
要約されている。正味増は、例えばFeinbergによりPhys
ics Today(1988年10月)、41巻、46ページ
に記述されているように自己位相結合(self-phase con
jugation)、ノベルティーフィルタリング(novelty fi
ltering)、ビームファニングによる光学制限(optical
limiting)のようないくつかの適用に必要不可欠であ
る。
で公知であり、例えばGuenter及びHuignard,「光屈折
材料及びそれらの応用」I巻及びII巻(「応用物理学に
おける話題」61巻及び62巻)(Springer,Berlin,
Heidelberg 1988年刊)に記述されている。無機光
屈折結晶は電磁放射の伝送及び制御(位相、強度、又は
伝搬の方向の変化)のための光学物品に作り上げられて
いる。いくつかの無機結晶例えばBaTiO3、Bi12
SiO20及びSrxBa1-xNb2O6は2ビームカップリ
ングにおける正味増を示し、例えばYehによりApplied
Optics(1987年)、26巻、602ページにおいて
要約されている。正味増は、例えばFeinbergによりPhys
ics Today(1988年10月)、41巻、46ページ
に記述されているように自己位相結合(self-phase con
jugation)、ノベルティーフィルタリング(novelty fi
ltering)、ビームファニングによる光学制限(optical
limiting)のようないくつかの適用に必要不可欠であ
る。
【0004】しかしながら、そのような結晶を所望の薄
層デバイス例えば光導波管又は多層スタックに作り上げ
ることは技術的に困難である。その上、所望の特性改良
例えば光屈折効果の速さ及び/又は大きさの増加を達成
するため結晶材料に種々の異なるドーパントを添加する
のは挑戦的なことである。なぜならドーパントはしばし
ば成長の過程で結晶から排除されるからである。
層デバイス例えば光導波管又は多層スタックに作り上げ
ることは技術的に困難である。その上、所望の特性改良
例えば光屈折効果の速さ及び/又は大きさの増加を達成
するため結晶材料に種々の異なるドーパントを添加する
のは挑戦的なことである。なぜならドーパントはしばし
ば成長の過程で結晶から排除されるからである。
【0005】Schildkraut等の米国特許4,999,80
9(3/21/91発行)は光屈折性であると記述され
たポリマー材料を開示しており、Ducharme等の米国特許
5,064,264(11/12/91発行)は光屈折性
であることを示す数種のポリマー材料を開示している。
これらのポリマー材料は薄層デバイス例えば光導波管又
は多層スタックに加工することができる。その上、それ
らは容易に有機物質を添加して光屈折効果を改良するこ
とができる。一般に、電荷再分布過程を助けるには外部
電界が必要である。電界を当てる結果として、非ゼロ位
相シフトを屈折率格子及び光パターンの間で起こすこと
ができる。十分に高い電界を当てた場合、ポリマー光屈
折材料は非対称2ビームカップリングを示すことは、Wa
lsh及びMoernerによりJournal of the Optical Society
of America B:Optical Physics(1992年)、9
巻、1642ページに記述されている通り認められてお
り、その開示は参照により本明細書に組み入れる。しか
しながら、そこにはポリマー光屈折材料についての光屈
折2ビームカップリングにおける正味増を開示していな
い。この技術分野においては、なおポリマー光屈折物質
を用いる2ビームカップリングの正味増のための方法が
求められている。
9(3/21/91発行)は光屈折性であると記述され
たポリマー材料を開示しており、Ducharme等の米国特許
5,064,264(11/12/91発行)は光屈折性
であることを示す数種のポリマー材料を開示している。
これらのポリマー材料は薄層デバイス例えば光導波管又
は多層スタックに加工することができる。その上、それ
らは容易に有機物質を添加して光屈折効果を改良するこ
とができる。一般に、電荷再分布過程を助けるには外部
電界が必要である。電界を当てる結果として、非ゼロ位
相シフトを屈折率格子及び光パターンの間で起こすこと
ができる。十分に高い電界を当てた場合、ポリマー光屈
折材料は非対称2ビームカップリングを示すことは、Wa
lsh及びMoernerによりJournal of the Optical Society
of America B:Optical Physics(1992年)、9
巻、1642ページに記述されている通り認められてお
り、その開示は参照により本明細書に組み入れる。しか
しながら、そこにはポリマー光屈折材料についての光屈
折2ビームカップリングにおける正味増を開示していな
い。この技術分野においては、なおポリマー光屈折物質
を用いる2ビームカップリングの正味増のための方法が
求められている。
【0006】従って、光屈折2ビームカップリングにつ
いて正味増をもたらす改良された方法を提供することが
本発明の一つの目的である。他の目的及び利益は以下の
開示により明らかになるであろう。
いて正味増をもたらす改良された方法を提供することが
本発明の一つの目的である。他の目的及び利益は以下の
開示により明らかになるであろう。
【0007】
【発明の概要】本発明は、外部電界及びコヒーレント電
磁放射の2つの交差するビームにさらすことからなる光
屈折2ビームカップリングにおける正味増を生ずるポリ
マー光学物品に関する。光学物品は3つの成分、すなわ
ち(i)入射放射の波長において0.1cm-1より小さい
吸収係数を持つ少なくとも50重量%の電荷輸送用ポリ
マー(Charge transporting polymer)、(ii)外部電
界により配向した場合、光学物品に、入射放射の波長に
おいて0.1ピコメーター/ボルト(pm/V)より大き
い単位電界当たりの光学屈折率における変化を生ずるに
十分な光学非線形性を付与する非線形光学発色団及び
(iii)増感剤を含む。増感剤は、光学物品により吸収
される全放射の少なくとも約70%を吸収するのが好ま
しい。好ましくは、物品による全光学吸収は10cm-1よ
り少ない。好ましくは入射放射の波長は650nmより長
く、そしてより好ましくは700nmより長い。本発明の
より完全な開示を以下の詳細な説明において提供する。
磁放射の2つの交差するビームにさらすことからなる光
屈折2ビームカップリングにおける正味増を生ずるポリ
マー光学物品に関する。光学物品は3つの成分、すなわ
ち(i)入射放射の波長において0.1cm-1より小さい
吸収係数を持つ少なくとも50重量%の電荷輸送用ポリ
マー(Charge transporting polymer)、(ii)外部電
界により配向した場合、光学物品に、入射放射の波長に
おいて0.1ピコメーター/ボルト(pm/V)より大き
い単位電界当たりの光学屈折率における変化を生ずるに
十分な光学非線形性を付与する非線形光学発色団及び
(iii)増感剤を含む。増感剤は、光学物品により吸収
される全放射の少なくとも約70%を吸収するのが好ま
しい。好ましくは、物品による全光学吸収は10cm-1よ
り少ない。好ましくは入射放射の波長は650nmより長
く、そしてより好ましくは700nmより長い。本発明の
より完全な開示を以下の詳細な説明において提供する。
【0008】
【発明の詳述】本発明は光屈折2ビームカップリングに
おける正味増を生じる光屈折ポリマー光学物品及びその
光屈折ポリマーを使用するホログラフ記憶装置に関す
る。本明細書で使用する光屈折2ビームカップリングに
おける正味増は光屈折光学物品を通過して伝送されそし
てその中で交差する2つの交差するコヒーレント光ビー
ムの1つの光パワーにおける増加を意味し、この場合光
パワーにおける増加は光学物品の吸収による光学損失よ
り大きい。光屈折2ビームカップリングにおける正味増
は下の式のように表すことができる。 Γ−α>0 式中、Γは長さの逆単位における2ビームカップリング
増加係数であり、そしてαは同じ長さの逆単位、例えば
cm-1における光学損失係数である。好ましくは、正味増
は1cm-1より大きい。
おける正味増を生じる光屈折ポリマー光学物品及びその
光屈折ポリマーを使用するホログラフ記憶装置に関す
る。本明細書で使用する光屈折2ビームカップリングに
おける正味増は光屈折光学物品を通過して伝送されそし
てその中で交差する2つの交差するコヒーレント光ビー
ムの1つの光パワーにおける増加を意味し、この場合光
パワーにおける増加は光学物品の吸収による光学損失よ
り大きい。光屈折2ビームカップリングにおける正味増
は下の式のように表すことができる。 Γ−α>0 式中、Γは長さの逆単位における2ビームカップリング
増加係数であり、そしてαは同じ長さの逆単位、例えば
cm-1における光学損失係数である。好ましくは、正味増
は1cm-1より大きい。
【0009】本発明の方法において、好ましくは同じ波
長を持つ同じ偏波の2つのコヒーレント光ビームは光屈
折光学物品中で重なる。好ましいコヒーレント光ビーム
源はレーザー及び他の高いコヒーレンスを持つ光源であ
る。好ましいレーザーはクリプトンイオン、アルゴンイ
オン、チタニウムサファイア、色素、ダイオード及びネ
オジミウムドープトイツトリウムアルミニウムガーネッ
トレーザーである。好ましくは、光は約650nmより長
く、より好ましくは約700nmより長くそしてもっとも
好ましくは約750nmより長い波長を持つ。2つの入射
ビームはそれらが光学物品の内部容積の中で交差するよ
うに集束する。この光ビームは同じ偏波を持ちそして明
暗の光の縞のパターンが物品の容積中でつくられるため
に十分な空間的及び時間的コヒーレンスを持つ。この光
パターンは両ビームが同じ波長を持つ場合におけるよう
に静止しているのが好ましい。ビームがわずかに異なる
波長を持つ場合、明暗の縞のパターンは電荷再分配が依
然として起こり得るように十分にゆっくり動く。
長を持つ同じ偏波の2つのコヒーレント光ビームは光屈
折光学物品中で重なる。好ましいコヒーレント光ビーム
源はレーザー及び他の高いコヒーレンスを持つ光源であ
る。好ましいレーザーはクリプトンイオン、アルゴンイ
オン、チタニウムサファイア、色素、ダイオード及びネ
オジミウムドープトイツトリウムアルミニウムガーネッ
トレーザーである。好ましくは、光は約650nmより長
く、より好ましくは約700nmより長くそしてもっとも
好ましくは約750nmより長い波長を持つ。2つの入射
ビームはそれらが光学物品の内部容積の中で交差するよ
うに集束する。この光ビームは同じ偏波を持ちそして明
暗の光の縞のパターンが物品の容積中でつくられるため
に十分な空間的及び時間的コヒーレンスを持つ。この光
パターンは両ビームが同じ波長を持つ場合におけるよう
に静止しているのが好ましい。ビームがわずかに異なる
波長を持つ場合、明暗の縞のパターンは電荷再分配が依
然として起こり得るように十分にゆっくり動く。
【0010】光屈折光学物品は自立するか、又は導波
管、繊維、薄形ロッド、又は不活性透明層が一つおきに
ある多数の光屈折ポリマーのスタックからなる多層物品
中に置くことができる。光学物品は、外部電界を材料に
印加してNLO発色団のポーリング配向及び交差する光
ビームの存在下における能率的な電荷発生及び再分布を
生ずるための装置を含む。コヒーレントレーザービーム
を物品中で重ね、そして外部電界を印加するそのような
光学物品の製作方法はGuenter及びHuignard(上記参
照)、Feinbirg(上記参照)並びにWalsh及びMoerner
(上記参照)に開示されており、これらの開示はそれぞ
れ参照により本明細書に組み入れる。本発明の方法に使
用する光屈折光学物品は電荷輸送用ポリマー、非線形光
学発色団及び増感剤を含む。
管、繊維、薄形ロッド、又は不活性透明層が一つおきに
ある多数の光屈折ポリマーのスタックからなる多層物品
中に置くことができる。光学物品は、外部電界を材料に
印加してNLO発色団のポーリング配向及び交差する光
ビームの存在下における能率的な電荷発生及び再分布を
生ずるための装置を含む。コヒーレントレーザービーム
を物品中で重ね、そして外部電界を印加するそのような
光学物品の製作方法はGuenter及びHuignard(上記参
照)、Feinbirg(上記参照)並びにWalsh及びMoerner
(上記参照)に開示されており、これらの開示はそれぞ
れ参照により本明細書に組み入れる。本発明の方法に使
用する光屈折光学物品は電荷輸送用ポリマー、非線形光
学発色団及び増感剤を含む。
【0011】光学物品の第一の成分は電荷輸送用ポリマ
ーである。物品は少なくとも約50重量%、好ましくは
少なくとも約60重量%、そしてより好ましくは少なく
とも70重量%の電荷輸送用ポリマーを含む。このポリ
マーは一般に約1,000〜107の分子量Mnを持つ。
ポリマーは入射光ビームの散乱を避けるため実質的に非
晶質であるのが好ましい。その上、電荷輸送用ポリマー
は約0.1cm-1より小さく好ましくは約0.01cm-1より
小さい入射放射の波長(1つ又は複数)における低い吸
収係数を持つ。このポリマーは移動する電荷を輸送して
物品内部に空間電界をつくり出すように機能し、それに
より光学非線形性による屈折率変化をひき起こす。この
ポリマーはポーリング過程においてNLO発色団の自由
な回転配向を可能にするため工程作業温度に近いか又は
それより高いガラス転移温度を持つのが好ましい。本発
明の方法における使用に適する電荷輸送用ポリマーはポ
リ(ビニルカルバゾール)、ポリ(シラン)、ポリ(パ
ラ−フェニレンビニレン)、ポリ(アニリン)、及びこ
の技術分野で公知の他の電荷輸送用ポリマーである。
ーである。物品は少なくとも約50重量%、好ましくは
少なくとも約60重量%、そしてより好ましくは少なく
とも70重量%の電荷輸送用ポリマーを含む。このポリ
マーは一般に約1,000〜107の分子量Mnを持つ。
ポリマーは入射光ビームの散乱を避けるため実質的に非
晶質であるのが好ましい。その上、電荷輸送用ポリマー
は約0.1cm-1より小さく好ましくは約0.01cm-1より
小さい入射放射の波長(1つ又は複数)における低い吸
収係数を持つ。このポリマーは移動する電荷を輸送して
物品内部に空間電界をつくり出すように機能し、それに
より光学非線形性による屈折率変化をひき起こす。この
ポリマーはポーリング過程においてNLO発色団の自由
な回転配向を可能にするため工程作業温度に近いか又は
それより高いガラス転移温度を持つのが好ましい。本発
明の方法における使用に適する電荷輸送用ポリマーはポ
リ(ビニルカルバゾール)、ポリ(シラン)、ポリ(パ
ラ−フェニレンビニレン)、ポリ(アニリン)、及びこ
の技術分野で公知の他の電荷輸送用ポリマーである。
【0012】本発明の方法における使用に適する第二の
成分は非線形光学発色団(NLO発色団)である。NL
O発色団として役立つ有機分子は非対称で分極し、電子
供与基と電子受容基との間で共役するσ又はπ電子を持
つ。NLO発色団は基底電子状態で電気双極子モーメン
トを持つ。印加した外部電荷の影響下で配向させると、
本発明の方法に使用するNLO発色団は光学物品に高い
非線形光学応答、すなわち入射放射の波長において0.
1pm/Vより大きい単位印加電界当たりの光学屈折率に
おける変化を与える。NLO発色団は非線形性に対して
著しく有害ではなくそしてホストポリマーに対して溶解
性及び混和性のような、他の有用な性質を与える可溶化
基例えばアルキル又はペルフルオロアルキル又はアルコ
キシで置換することができる。好ましくはNLO発色団
を電荷輸送用ポリマー中に分散させる。しかしながら、
場合によりNLO発色団を随意に電荷輸送用ポリマーと
共有結合させることもできる。本発明の方法における使
用に好ましいNLO発色団は 1. (+)−2−(α−メチルベンジル)アミノ−5
−ニトロピリジン(MBANP)、 2. 4−ピペリジノベンジリデンマロノニトニル(P
DCS)、 3. 2−トリフルオロメチル−4−ニトロ−4′−メ
トキシスチルベン(MTFNS)、 4. 1,3−ジメチル−2,2−テトラメチレン−5−
ニトロベンズイミダゾリン(NEEDLE)、及び 5. 一般式
成分は非線形光学発色団(NLO発色団)である。NL
O発色団として役立つ有機分子は非対称で分極し、電子
供与基と電子受容基との間で共役するσ又はπ電子を持
つ。NLO発色団は基底電子状態で電気双極子モーメン
トを持つ。印加した外部電荷の影響下で配向させると、
本発明の方法に使用するNLO発色団は光学物品に高い
非線形光学応答、すなわち入射放射の波長において0.
1pm/Vより大きい単位印加電界当たりの光学屈折率に
おける変化を与える。NLO発色団は非線形性に対して
著しく有害ではなくそしてホストポリマーに対して溶解
性及び混和性のような、他の有用な性質を与える可溶化
基例えばアルキル又はペルフルオロアルキル又はアルコ
キシで置換することができる。好ましくはNLO発色団
を電荷輸送用ポリマー中に分散させる。しかしながら、
場合によりNLO発色団を随意に電荷輸送用ポリマーと
共有結合させることもできる。本発明の方法における使
用に好ましいNLO発色団は 1. (+)−2−(α−メチルベンジル)アミノ−5
−ニトロピリジン(MBANP)、 2. 4−ピペリジノベンジリデンマロノニトニル(P
DCS)、 3. 2−トリフルオロメチル−4−ニトロ−4′−メ
トキシスチルベン(MTFNS)、 4. 1,3−ジメチル−2,2−テトラメチレン−5−
ニトロベンズイミダゾリン(NEEDLE)、及び 5. 一般式
【化1】 、Dは好ましくはパラ位に位置するアルコキシ、アリー
ルオキシ、チオアルキル、チオアリール、アミノ、アル
キルアミノ、アリールアミノのような電子供与基であ
り、Ajは1つ又はそれより多い(i)ニトロ、シア
ノ、スルホニル、カルボニル、アルコキシカルボニルの
ような電子吸引基でありそしてj=1、2又は3であり
そしてβtrans、βcis又はα位でスチレンに結合してい
る;及び(ii)β位で結合しているニトロビニル、ジシ
アノビニル、トリシアノビニル及びニトロフェニルのよ
うな電子吸引基であり、そしてRkはハロ、アルキル、
ペルフルオロアルキル及びアルコキシのような芳香族環
の置換基であり、これは発色団の透明性、非線形性及び
溶解性に影響する)の置換されたスチレンである。
ルオキシ、チオアルキル、チオアリール、アミノ、アル
キルアミノ、アリールアミノのような電子供与基であ
り、Ajは1つ又はそれより多い(i)ニトロ、シア
ノ、スルホニル、カルボニル、アルコキシカルボニルの
ような電子吸引基でありそしてj=1、2又は3であり
そしてβtrans、βcis又はα位でスチレンに結合してい
る;及び(ii)β位で結合しているニトロビニル、ジシ
アノビニル、トリシアノビニル及びニトロフェニルのよ
うな電子吸引基であり、そしてRkはハロ、アルキル、
ペルフルオロアルキル及びアルコキシのような芳香族環
の置換基であり、これは発色団の透明性、非線形性及び
溶解性に影響する)の置換されたスチレンである。
【0013】PVKホストポリマーにとって、好ましい
スチレンNLO発色団はトランス−3−フルオロ−4−
N,N−ジエチルアミノ−β−ニトロスチレン(FDE
ANST)である。ポリ(シラン)ホストポリマーにと
って、好ましいスチレンNLO発色団は3−フルオロ−
4−N,N−ジエチル−β−メチル−β−ニトロスチレ
ン(F−DEAMNST)である。
スチレンNLO発色団はトランス−3−フルオロ−4−
N,N−ジエチルアミノ−β−ニトロスチレン(FDE
ANST)である。ポリ(シラン)ホストポリマーにと
って、好ましいスチレンNLO発色団は3−フルオロ−
4−N,N−ジエチル−β−メチル−β−ニトロスチレ
ン(F−DEAMNST)である。
【0014】光学物品は増感剤も含む。本発明の方法の
能率を高めるには、この増感剤は光学物品が吸収する全
放射の少なくとも約70%、好ましくは少なくとも約8
0%を吸収する。増感剤による吸収は増感剤添加及び無
添加において物品の吸収を測定することにより求めるこ
とができる。物品による全光学吸収は10cm-1より少な
いのが好ましい。増感剤は例えば電荷輸送用ポリマー又
はNLO発色団との錯体を形成させることができる場合
がある。増感剤が錯体を形成する場合、この錯体は光学
物品によって吸収される全放射の少なくとも約70%、
好ましくは少なくとも約80%を吸収するべきである。
本発明の方法における使用に適当な増感剤はトリニトロ
フルオレノン(TNF)、フラレン(fullerenes)例え
ばC60及びC70、ペリレン色素例えばペリレンジカルボ
キシイミド、スクアリリウム色素、電荷移動錯体例えば
アントラセン/テトラシアノキノジメタン、及びカルバ
ゾールより大きい酸化能力を持つ分子及び好ましくは6
50nmより長い波長領域に光学吸収を持つそれを含む。
他の増感剤はこの技術分野で公知のもので例えば米国特
許5,064,264に開示されたそれであり、その開示
は参照により本明細書に組み入れる。増感剤又は増感剤
により形成される電荷移動錯体は入射光を吸収しそして
移動性電荷を発生する。吸収された光子当たり増感剤分
子当たり発生した移動性電荷の数である移動性電荷発生
の量子収率は好ましくは1%より大きく、より好ましく
は10%より大きく、そしてもっとも好ましくは90%
より大きい。一般に、この物品は約0.01重量%〜約
10重量%、好ましくは1.5重量%より少ない増感剤
を含む。増感剤は物品にそのような少ない割合でのみ含
まれるから、物品による入射光の最小吸収のみ起こりそ
して光学物品による光の全吸収は10cm-1より少ない。
能率を高めるには、この増感剤は光学物品が吸収する全
放射の少なくとも約70%、好ましくは少なくとも約8
0%を吸収する。増感剤による吸収は増感剤添加及び無
添加において物品の吸収を測定することにより求めるこ
とができる。物品による全光学吸収は10cm-1より少な
いのが好ましい。増感剤は例えば電荷輸送用ポリマー又
はNLO発色団との錯体を形成させることができる場合
がある。増感剤が錯体を形成する場合、この錯体は光学
物品によって吸収される全放射の少なくとも約70%、
好ましくは少なくとも約80%を吸収するべきである。
本発明の方法における使用に適当な増感剤はトリニトロ
フルオレノン(TNF)、フラレン(fullerenes)例え
ばC60及びC70、ペリレン色素例えばペリレンジカルボ
キシイミド、スクアリリウム色素、電荷移動錯体例えば
アントラセン/テトラシアノキノジメタン、及びカルバ
ゾールより大きい酸化能力を持つ分子及び好ましくは6
50nmより長い波長領域に光学吸収を持つそれを含む。
他の増感剤はこの技術分野で公知のもので例えば米国特
許5,064,264に開示されたそれであり、その開示
は参照により本明細書に組み入れる。増感剤又は増感剤
により形成される電荷移動錯体は入射光を吸収しそして
移動性電荷を発生する。吸収された光子当たり増感剤分
子当たり発生した移動性電荷の数である移動性電荷発生
の量子収率は好ましくは1%より大きく、より好ましく
は10%より大きく、そしてもっとも好ましくは90%
より大きい。一般に、この物品は約0.01重量%〜約
10重量%、好ましくは1.5重量%より少ない増感剤
を含む。増感剤は物品にそのような少ない割合でのみ含
まれるから、物品による入射光の最小吸収のみ起こりそ
して光学物品による光の全吸収は10cm-1より少ない。
【0015】電荷輸送用ポリマー中に形成される内部空
間電荷電界はその源として捕捉電子又は正孔に依存す
る。多くのポリマー材料において、捕捉部位は偶発的で
あり、非晶質ポリマーマトリックス中の欠失及び不純物
による。空間電荷捕捉は所望により光学物品中に捕捉用
物質の計画的な組み込みにより増大させることができ
る。電荷輸送剤が電子供与体の場合、例えば前記Duchar
me等の米国特許に開示されているように低い酸化能力の
第二供与体を組み込むことにより輸送用正孔、捕捉部位
を与えることができる。電荷輸送剤が電子受容体の場
合、輸送用電子、捕捉部位はより大きい電子親和性を持
つ第二受容体の組み込みにより与えることができる。
間電荷電界はその源として捕捉電子又は正孔に依存す
る。多くのポリマー材料において、捕捉部位は偶発的で
あり、非晶質ポリマーマトリックス中の欠失及び不純物
による。空間電荷捕捉は所望により光学物品中に捕捉用
物質の計画的な組み込みにより増大させることができ
る。電荷輸送剤が電子供与体の場合、例えば前記Duchar
me等の米国特許に開示されているように低い酸化能力の
第二供与体を組み込むことにより輸送用正孔、捕捉部位
を与えることができる。電荷輸送剤が電子受容体の場
合、輸送用電子、捕捉部位はより大きい電子親和性を持
つ第二受容体の組み込みにより与えることができる。
【0016】本発明の方法は種々の適用例えば光位相結
合、光ビーム屈折、光相互連結、コヒーレント光増幅、
ノベルティーフィルタリングなどに利用することができ
る。本発明の方法は特にコヒーレント光増幅、光学制
限、ビームファニング及び自己位相結合に特に有用であ
る。
合、光ビーム屈折、光相互連結、コヒーレント光増幅、
ノベルティーフィルタリングなどに利用することができ
る。本発明の方法は特にコヒーレント光増幅、光学制
限、ビームファニング及び自己位相結合に特に有用であ
る。
【0017】本発明はホログラフ記憶方法およびホログ
ラフ記憶装置にも関する。本発明のホログラフ記憶方法
は光屈折光学物品を外部電界並びに同じ偏波及び700
nmより長い波長を持つコヒーレント光の2つの交差する
ビームにさらすことを含む。2つのビームの1つは非情
報運搬参照ビームであり、好ましくはほぼ平面の同位相
波面(phase front)を持つコリメートされた又は弱集
束ビームである。第二のビームは情報運搬シグナルビー
ムであり、これは一般に複雑な位相および複雑な横強度
分布を持つ。データの並列ブロックの形の情報はシグナ
ルビームをその横位相又は強度プロファイルを調節する
マスク又はページコンポーザーを通過させることにより
印加される。光屈折光学物品は屈折率変化の複雑な三次
元空間パターンとしてホログラムを記録するが、これは
各々が明らかな振幅、空間周波数および空間位相を持つ
多数の正弦インデックス格子のフーリエ重置(Fourier
superposition)と数理的に同等である。適当な強度の
全屈折率変化に達した後、参照およびシグナルビームを
止める。
ラフ記憶装置にも関する。本発明のホログラフ記憶方法
は光屈折光学物品を外部電界並びに同じ偏波及び700
nmより長い波長を持つコヒーレント光の2つの交差する
ビームにさらすことを含む。2つのビームの1つは非情
報運搬参照ビームであり、好ましくはほぼ平面の同位相
波面(phase front)を持つコリメートされた又は弱集
束ビームである。第二のビームは情報運搬シグナルビー
ムであり、これは一般に複雑な位相および複雑な横強度
分布を持つ。データの並列ブロックの形の情報はシグナ
ルビームをその横位相又は強度プロファイルを調節する
マスク又はページコンポーザーを通過させることにより
印加される。光屈折光学物品は屈折率変化の複雑な三次
元空間パターンとしてホログラムを記録するが、これは
各々が明らかな振幅、空間周波数および空間位相を持つ
多数の正弦インデックス格子のフーリエ重置(Fourier
superposition)と数理的に同等である。適当な強度の
全屈折率変化に達した後、参照およびシグナルビームを
止める。
【0018】ホログラムに記録した情報は光屈折光学物
品を二重のもとの参照ビームで照らすことにより読み出
すことができる。読み出しプロセスで生ずる屈折率変化
は読み出しビームからの光を回折してもとの情報運搬シ
グナルビームの再構成を形づくり、これは光屈折光学物
品中で始まりそして物品から出て自由空間を伝搬する。
次いで、ホログラフ記録データは標準の光学要素を使用
して再構成ビームを捕捉しそして高分解能検出器アレイ
でページコンポーザーの表面の実像を形成させることに
より回収する。
品を二重のもとの参照ビームで照らすことにより読み出
すことができる。読み出しプロセスで生ずる屈折率変化
は読み出しビームからの光を回折してもとの情報運搬シ
グナルビームの再構成を形づくり、これは光屈折光学物
品中で始まりそして物品から出て自由空間を伝搬する。
次いで、ホログラフ記録データは標準の光学要素を使用
して再構成ビームを捕捉しそして高分解能検出器アレイ
でページコンポーザーの表面の実像を形成させることに
より回収する。
【0019】光屈折物品が記録されたホログラムの主空
間周波数成分の逆数に比較して厚い場合、多数のホログ
ラムを参照ビームの入射角度を変えることにより光屈折
物品の同じスポットにおいて多重送信することができ、
それにより各ホログラムが読み出しプロセスの間参照及
びシグナルビームの交差の別々の角度により生ずる。次
いで、記録プロセスで使用する特定の参照ビームを2つ
にし、同じ入射角を含む読み出しビームで光屈折物品の
同じスポットを照らすことにより選ばれたホログラムを
読み出す(D.L.Staebler等、Appl. Phys. lett.(19
75年)、26巻、182ページにより記述されている
ように)。もしくは、多重送信は各参照ビームの同位相
波面をコード化する(C.Denz等、Optics Communicatio
ns(1991年)、85巻、171〜176ページによ
り記述されているように)ことにより、又は参照、シグ
ナルおよび読み出しビームをつくるために使用するレー
ザー波長を変えることにより果たすことができる。
間周波数成分の逆数に比較して厚い場合、多数のホログ
ラムを参照ビームの入射角度を変えることにより光屈折
物品の同じスポットにおいて多重送信することができ、
それにより各ホログラムが読み出しプロセスの間参照及
びシグナルビームの交差の別々の角度により生ずる。次
いで、記録プロセスで使用する特定の参照ビームを2つ
にし、同じ入射角を含む読み出しビームで光屈折物品の
同じスポットを照らすことにより選ばれたホログラムを
読み出す(D.L.Staebler等、Appl. Phys. lett.(19
75年)、26巻、182ページにより記述されている
ように)。もしくは、多重送信は各参照ビームの同位相
波面をコード化する(C.Denz等、Optics Communicatio
ns(1991年)、85巻、171〜176ページによ
り記述されているように)ことにより、又は参照、シグ
ナルおよび読み出しビームをつくるために使用するレー
ザー波長を変えることにより果たすことができる。
【0020】本発明は 1) 700nmより長い波長において0.1cm-1より小
さい吸収係数を持つ電荷輸送用ポリマーを少なくとも5
0重量%と、非線形発色団と、及び増感剤とを含む光屈
折ポリマー光学物品であって、前記増感剤は、前記波長
における放射の、前記光学物品による全吸収の少なくと
も約70%を吸収し、外部電界により配向した場合前記
光学物品に0.1pm/Vより大きい単位印加電界当たり
の屈折率変化を与えることを特徴とする、光学物品、 2) 前記光学物品中で700nmより長い所定の波長を
持つ同じ偏波(参照及びシグナルビーム)のコヒーレン
ト電磁放射の2つの交差するビームをつくるための装
置、 3) 前記光学物品に外部電界を印加するための装置、
及び 4) 前記ビームの1つ(シグナルビーム)に空間情報
を印加するための装置からなるホログラフ記憶装置にも
関する。
さい吸収係数を持つ電荷輸送用ポリマーを少なくとも5
0重量%と、非線形発色団と、及び増感剤とを含む光屈
折ポリマー光学物品であって、前記増感剤は、前記波長
における放射の、前記光学物品による全吸収の少なくと
も約70%を吸収し、外部電界により配向した場合前記
光学物品に0.1pm/Vより大きい単位印加電界当たり
の屈折率変化を与えることを特徴とする、光学物品、 2) 前記光学物品中で700nmより長い所定の波長を
持つ同じ偏波(参照及びシグナルビーム)のコヒーレン
ト電磁放射の2つの交差するビームをつくるための装
置、 3) 前記光学物品に外部電界を印加するための装置、
及び 4) 前記ビームの1つ(シグナルビーム)に空間情報
を印加するための装置からなるホログラフ記憶装置にも
関する。
【0021】好ましくは、この装置は参照ビームの位相
又は角度を調節する装置を備える。ホログラフプロセス
記憶のための操作パラメーター、及びホログラフ記憶装
置用部材は、結晶光屈折材料についてこの技術分野で公
知であり、例えばCollier等、Optical Holography、1
6章(Academic Press、1991年刊)に開示されてお
り、この開示は参照により本明細書に組み入れる。次の
実施例は本発明の方法の詳細な記述である。詳細な製造
法は上述のより概括的に記述した方法の範囲内にあり、
そして例証するために役立つ。この実施例は例証する目
的にのみ提示し、本発明の範囲を限定しようとするもの
ではない。
又は角度を調節する装置を備える。ホログラフプロセス
記憶のための操作パラメーター、及びホログラフ記憶装
置用部材は、結晶光屈折材料についてこの技術分野で公
知であり、例えばCollier等、Optical Holography、1
6章(Academic Press、1991年刊)に開示されてお
り、この開示は参照により本明細書に組み入れる。次の
実施例は本発明の方法の詳細な記述である。詳細な製造
法は上述のより概括的に記述した方法の範囲内にあり、
そして例証するために役立つ。この実施例は例証する目
的にのみ提示し、本発明の範囲を限定しようとするもの
ではない。
【0022】実施例1−合成 (4−n−ブトキシフェニル)エチルジクロロシラン Mg削りくず(15.9g、0.66モル)を温度計、コ
ンデンサー、滴加用漏斗およびアルゴン導入孔を備え、
オーブン乾燥しアルゴン充填した2L三つ頸フラスコに
入れた。180mLの乾燥THF(Na/Ph2CO)を
添加しそしてマグネシウムを数滴の1,2−ジブロモエ
タンと一緒に約20分間攪拌した。パラ−n−ブトキシ
フェニルブロミド(あらかじめCaH2を溜去した)
(100g、0.44モル)を340mLのTHFに溶解
し、マグネシウムに滴加した。熱線銃を用いて最初にい
くらか加熱した後、さらに1時間溶液をおだやかに還流
させた。溶液をさらに4時間加熱して還流させ、次いで
室温に冷却しそしてガラス繊維の栓を通して滴加用漏斗
の中にろ過した。滴加用漏斗を、コンデンサーと機械攪
拌機を付しそして200mLのEt2O(新しい容器入
り)及びEtSiCl3(あらかじめCaH2を溜去し
た)(72g、0.44モル)を添加した2Lフラスコ
に取り付けた。グリニャール溶液を最初は0℃、次いで
周囲温度で約15時間にわたって攪拌しながら滴加し
た。生ずる白色混合物をさらに1時間攪拌した。混合物
をオーブン乾燥したセライトパッドでろ過し、300mL
のEt2Oで洗浄した。褐色のろ液をロータリーエバポ
レーターで濃縮した。残留物を500mLのヘキサンで
洗浄し、沈澱を第二のセライトパッドでろ過して除い
た。ヘキサンをロータリーエバポレーターで除き、残留
物をクーゲルロール(Kugelrohr)蒸溜した(110〜
130℃/<10μmHg)。蒸溜物をショートパス蒸溜
装置を通して再度CaH2を溜去した(95℃/15〜
20μmHg)。収得量:52g(43%)。
ンデンサー、滴加用漏斗およびアルゴン導入孔を備え、
オーブン乾燥しアルゴン充填した2L三つ頸フラスコに
入れた。180mLの乾燥THF(Na/Ph2CO)を
添加しそしてマグネシウムを数滴の1,2−ジブロモエ
タンと一緒に約20分間攪拌した。パラ−n−ブトキシ
フェニルブロミド(あらかじめCaH2を溜去した)
(100g、0.44モル)を340mLのTHFに溶解
し、マグネシウムに滴加した。熱線銃を用いて最初にい
くらか加熱した後、さらに1時間溶液をおだやかに還流
させた。溶液をさらに4時間加熱して還流させ、次いで
室温に冷却しそしてガラス繊維の栓を通して滴加用漏斗
の中にろ過した。滴加用漏斗を、コンデンサーと機械攪
拌機を付しそして200mLのEt2O(新しい容器入
り)及びEtSiCl3(あらかじめCaH2を溜去し
た)(72g、0.44モル)を添加した2Lフラスコ
に取り付けた。グリニャール溶液を最初は0℃、次いで
周囲温度で約15時間にわたって攪拌しながら滴加し
た。生ずる白色混合物をさらに1時間攪拌した。混合物
をオーブン乾燥したセライトパッドでろ過し、300mL
のEt2Oで洗浄した。褐色のろ液をロータリーエバポ
レーターで濃縮した。残留物を500mLのヘキサンで
洗浄し、沈澱を第二のセライトパッドでろ過して除い
た。ヘキサンをロータリーエバポレーターで除き、残留
物をクーゲルロール(Kugelrohr)蒸溜した(110〜
130℃/<10μmHg)。蒸溜物をショートパス蒸溜
装置を通して再度CaH2を溜去した(95℃/15〜
20μmHg)。収得量:52g(43%)。
【0023】(4−n−ブトキシフェニル)エチルジク
ロロシランの重合 球状ナトリウム(4g、0.17モル)を50mLの還流
している乾燥トルエンに分散させた。次に25mLの追加
のトルエンを添加した。(4−n−ブトキシフェニル)
エチルジクロロシラン(21.75g、0.078モル)
を20mLのトルエンに溶解し、注射器ポンプを経て0.
7mL/分で65〜75℃でテフロン攪拌機で攪拌してい
るナトリウム分散液に滴加した。50分かけて添加の
後、反応混合物をさらに2時間攪拌した。40mLのトル
エン、5mLのイソプロパノール及び70mLのトルエンを
連続して添加した。固体を「C」フリットでろ過して除
いた。ろ液を3×100mLのH2Oで洗浄し、MgSO4
で乾燥した。100mLのMeOHをろ液に添加した。生
ずる沈澱を真空オーブン中で3日間乾燥した(2g、1
2%)。1gの白色固体を100mLのトルエンに一晩攪
拌して溶解し、次いで150mLのイソプロパノールに滴
加した。ねばねばした固体沈澱を集め、真空オーブン中
で乾燥して0.5gを収得した。M2(GPC)=47
3,000(PDI=2.6)Tg(DSC)〜56℃。
TGA:300℃で99.5%完全;398℃で80.5
%残存。UV=λmax(薄膜)350nm。
ロロシランの重合 球状ナトリウム(4g、0.17モル)を50mLの還流
している乾燥トルエンに分散させた。次に25mLの追加
のトルエンを添加した。(4−n−ブトキシフェニル)
エチルジクロロシラン(21.75g、0.078モル)
を20mLのトルエンに溶解し、注射器ポンプを経て0.
7mL/分で65〜75℃でテフロン攪拌機で攪拌してい
るナトリウム分散液に滴加した。50分かけて添加の
後、反応混合物をさらに2時間攪拌した。40mLのトル
エン、5mLのイソプロパノール及び70mLのトルエンを
連続して添加した。固体を「C」フリットでろ過して除
いた。ろ液を3×100mLのH2Oで洗浄し、MgSO4
で乾燥した。100mLのMeOHをろ液に添加した。生
ずる沈澱を真空オーブン中で3日間乾燥した(2g、1
2%)。1gの白色固体を100mLのトルエンに一晩攪
拌して溶解し、次いで150mLのイソプロパノールに滴
加した。ねばねばした固体沈澱を集め、真空オーブン中
で乾燥して0.5gを収得した。M2(GPC)=47
3,000(PDI=2.6)Tg(DSC)〜56℃。
TGA:300℃で99.5%完全;398℃で80.5
%残存。UV=λmax(薄膜)350nm。
【0024】4−ピペリジノベンジリデンマロノニトリ
ル(PDCS) この化合物はBrunskill等、Synthetic Communications
(1978年)、8巻(1号)、1〜7ページの方法に
よりつくり、そして下記の特性値を示した。mp 125〜12
6°,〔lit1 mp 126〜127°〕:1H NMR(CDCl3)δ 1.60-
1.80(brs, 6H), 3.40-3.60(m, 4H), 6.83(d, J=9, 2H),
7.41(s, 1H), 7.77(d, J=9, 2H);13CNMR(CDCl3) ppm
24.311, 25.421, 48.037, 71.990, 112.969, 114.933,
116.032, 119.670, 134.022, 154.435, 157.775
ル(PDCS) この化合物はBrunskill等、Synthetic Communications
(1978年)、8巻(1号)、1〜7ページの方法に
よりつくり、そして下記の特性値を示した。mp 125〜12
6°,〔lit1 mp 126〜127°〕:1H NMR(CDCl3)δ 1.60-
1.80(brs, 6H), 3.40-3.60(m, 4H), 6.83(d, J=9, 2H),
7.41(s, 1H), 7.77(d, J=9, 2H);13CNMR(CDCl3) ppm
24.311, 25.421, 48.037, 71.990, 112.969, 114.933,
116.032, 119.670, 134.022, 154.435, 157.775
【0025】3−フルオロ−4−ジエチルアミノベンゼ
ンカルボキサルデヒド 攪拌棒、コンデンサー及び窒素導入孔を備えた250m
L丸底フラスコに3,4−ジフルオロベンズアルデヒド
(25.0g、176ミリモル)、ジメチルスルホキシ
ド(50mL)及びジエチルアミン(38.6g、528
ミリモル)を入れた。生ずる溶液を6時間おだやかに沸
騰させ、この時薄層クロマトグラフィーはすべてのジフ
ルオロベンズアルデヒドが消費されたことを示した。溶
液を冷却し、酢酸エチル及び水と共に分液漏斗に移し
た。相を分離し、有機相を水でよく洗浄し、乾燥(Mg
SO4)し、そしてシリカゲルの短いパッドでろ過し
た。シリカゲル(50g)をろ液に添加し、混合物を濃
縮乾燥した。この物をシリカゲルカラムの頂部に載せ、
ヘキサン中酢酸エチルのグラジエント(0→4%)によ
り溶離した。純粋な画分をロータリーエバポレーターで
濃縮してその後の変換に十分な純度を持つ淡褐色油状物
(31.97g、92%)を得た。 IR(CCl4) 1695cm-1; 1H NMR(CDCl3)δ 9.70(s, 1H), 7.
41-7.50(m, 2H), 6.78(t, J=8Hz, 1H), 3.39(q, J=7Hz,
4H), 1.20(t, J=7Hz, 6H);13C NMR(CDCl3) ppm189.04
8, 151.901(d, J=244Hz), 142.844(d, J=8Hz), 127.88
0, 126.244(d, 6Hz), 116.433(d, J=23Hz), 115.316(d,
5Hz), 45.845(d, J=6Hz), 12.858(d, J=1Hz)。
ンカルボキサルデヒド 攪拌棒、コンデンサー及び窒素導入孔を備えた250m
L丸底フラスコに3,4−ジフルオロベンズアルデヒド
(25.0g、176ミリモル)、ジメチルスルホキシ
ド(50mL)及びジエチルアミン(38.6g、528
ミリモル)を入れた。生ずる溶液を6時間おだやかに沸
騰させ、この時薄層クロマトグラフィーはすべてのジフ
ルオロベンズアルデヒドが消費されたことを示した。溶
液を冷却し、酢酸エチル及び水と共に分液漏斗に移し
た。相を分離し、有機相を水でよく洗浄し、乾燥(Mg
SO4)し、そしてシリカゲルの短いパッドでろ過し
た。シリカゲル(50g)をろ液に添加し、混合物を濃
縮乾燥した。この物をシリカゲルカラムの頂部に載せ、
ヘキサン中酢酸エチルのグラジエント(0→4%)によ
り溶離した。純粋な画分をロータリーエバポレーターで
濃縮してその後の変換に十分な純度を持つ淡褐色油状物
(31.97g、92%)を得た。 IR(CCl4) 1695cm-1; 1H NMR(CDCl3)δ 9.70(s, 1H), 7.
41-7.50(m, 2H), 6.78(t, J=8Hz, 1H), 3.39(q, J=7Hz,
4H), 1.20(t, J=7Hz, 6H);13C NMR(CDCl3) ppm189.04
8, 151.901(d, J=244Hz), 142.844(d, J=8Hz), 127.88
0, 126.244(d, 6Hz), 116.433(d, J=23Hz), 115.316(d,
5Hz), 45.845(d, J=6Hz), 12.858(d, J=1Hz)。
【0026】3−フルオロ−4−N,N−ジエチルアミ
ノ−β−ニトロスチレン(FDEANST) 攪拌棒及び窒素導入孔を備えた500mL丸底フラスコに
3−フルオロ−4−ジエチルアミノベンズアルデヒド
(9.76g、50ミリモル)、ニトロメタン(6.5
g、100ミリモル)、メタノール(50mL)及びエチ
レンジアミン二酢酸塩(0.90g、5.0ミリモル)を
入れた。生ずる溶液を室温で36時間攪拌し、次に氷浴
で冷却し、吸引ろ過により分離した結晶生成物を冷メタ
ノールでよく洗浄しそして風乾した。赤色結晶をメタノ
ールからのもう1回の結晶化によりさらに精製した
(6.46g、54%)。 mp 73.3-74.0°; 1H NMR(CDCl3)δ 7.90(d, J=14Hz, 1
H), 7.46(d, J=14Hz), 7.22-7.13(m, 2H), 6.77(t, J=9
Hz, 1H), 3.40(q, J=7Hz, 4H), 1.21(t, J=7Hz, 6H);
13C NMR(CDCl3) ppm 152.186(d, J=244Hz), 141.360(d,
J=8Hz), 138.739(d, J=2Hz), 133.452, 127.320, 118.
848(d, J=8Hz), 116.735(d, J=19Hz), 116.513, 45.998
(d, J=5Hz), 13.04。 元素分析(C12H15FN2O2として計算): 計算値 C,60.49;H,6.34;N,11.75;F,7.97 実測値 C,60.58;H,6.27;N,11.97;F,7.97 さらに別の生成物を母液とクロマトグラフィーの組合せ
により得ることができる。
ノ−β−ニトロスチレン(FDEANST) 攪拌棒及び窒素導入孔を備えた500mL丸底フラスコに
3−フルオロ−4−ジエチルアミノベンズアルデヒド
(9.76g、50ミリモル)、ニトロメタン(6.5
g、100ミリモル)、メタノール(50mL)及びエチ
レンジアミン二酢酸塩(0.90g、5.0ミリモル)を
入れた。生ずる溶液を室温で36時間攪拌し、次に氷浴
で冷却し、吸引ろ過により分離した結晶生成物を冷メタ
ノールでよく洗浄しそして風乾した。赤色結晶をメタノ
ールからのもう1回の結晶化によりさらに精製した
(6.46g、54%)。 mp 73.3-74.0°; 1H NMR(CDCl3)δ 7.90(d, J=14Hz, 1
H), 7.46(d, J=14Hz), 7.22-7.13(m, 2H), 6.77(t, J=9
Hz, 1H), 3.40(q, J=7Hz, 4H), 1.21(t, J=7Hz, 6H);
13C NMR(CDCl3) ppm 152.186(d, J=244Hz), 141.360(d,
J=8Hz), 138.739(d, J=2Hz), 133.452, 127.320, 118.
848(d, J=8Hz), 116.735(d, J=19Hz), 116.513, 45.998
(d, J=5Hz), 13.04。 元素分析(C12H15FN2O2として計算): 計算値 C,60.49;H,6.34;N,11.75;F,7.97 実測値 C,60.58;H,6.27;N,11.97;F,7.97 さらに別の生成物を母液とクロマトグラフィーの組合せ
により得ることができる。
【0027】2−トリフルオロメチル−4−ニトロ−
4′−メトキシスチルベン(MTFNS) 攪拌棒、還流コンデンサー及び窒素導入孔を備えた25
0mL丸底フラスコに2−ブロモ−5−ニトロベンゾトリ
フルオリド(5.40g、20ミリモル)、4−ビニル
アニソール(2.95g、22ミリモル)、NMP(2
0mL)、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチ
ル〕アミン(TDA−1)(0.65g、2.0ミリモ
ル)、炭酸カリウム(4.2g、30ミリモル)及び塩
化パラジウム(0.035g、0.20ミリモル)を入れ
た。生ずるスラリーを140℃まで徐々に加温し、その
温度に4時間保った。次に混合物を冷却し、水(200
mL)を攪拌しながら滴加した。油性水層をデカントし、
さらに追加の水(200mL)で置き換え、生ずる懸濁液
を攪拌し、そして吸引ろ過により単離した黒色固体を水
でよく洗浄し、次いで風乾した。粗生成物をベントナイ
ト粘土(5g)、シリカゲル(5g)及びメチルシクロ
ヘキサン(150mL)を含むエルレンマイヤーフラスコ
に移した。スラリーを攪拌しながら沸騰させ、熱ろ過し
そして冷却してろ液から生成物を淡黄色結晶として単離
した(3.30g、51%)。 mp 120.4-122.7°; 1H NMR(CDCl3)δ 8.52(s, 1H), 8.3
5(d, J=9Hz, 1H), 7.94(d, J=9Hz), 7.51(d, J=9Hz, 2
H), 7.28(q, J=16Hz, 2H), 6.95(d, J=9Hz), 3.86(s, 3
H); 13C NMR(CDCl3) ppm 160.669, 145.561, 143.022,
136.361, 128.812,128.438, 128.005, 127.502, 127.25
1, 126.439, 129.315, 121.961, 121.864,120.953, 11
9.581, 114.318, 55.278。
4′−メトキシスチルベン(MTFNS) 攪拌棒、還流コンデンサー及び窒素導入孔を備えた25
0mL丸底フラスコに2−ブロモ−5−ニトロベンゾトリ
フルオリド(5.40g、20ミリモル)、4−ビニル
アニソール(2.95g、22ミリモル)、NMP(2
0mL)、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチ
ル〕アミン(TDA−1)(0.65g、2.0ミリモ
ル)、炭酸カリウム(4.2g、30ミリモル)及び塩
化パラジウム(0.035g、0.20ミリモル)を入れ
た。生ずるスラリーを140℃まで徐々に加温し、その
温度に4時間保った。次に混合物を冷却し、水(200
mL)を攪拌しながら滴加した。油性水層をデカントし、
さらに追加の水(200mL)で置き換え、生ずる懸濁液
を攪拌し、そして吸引ろ過により単離した黒色固体を水
でよく洗浄し、次いで風乾した。粗生成物をベントナイ
ト粘土(5g)、シリカゲル(5g)及びメチルシクロ
ヘキサン(150mL)を含むエルレンマイヤーフラスコ
に移した。スラリーを攪拌しながら沸騰させ、熱ろ過し
そして冷却してろ液から生成物を淡黄色結晶として単離
した(3.30g、51%)。 mp 120.4-122.7°; 1H NMR(CDCl3)δ 8.52(s, 1H), 8.3
5(d, J=9Hz, 1H), 7.94(d, J=9Hz), 7.51(d, J=9Hz, 2
H), 7.28(q, J=16Hz, 2H), 6.95(d, J=9Hz), 3.86(s, 3
H); 13C NMR(CDCl3) ppm 160.669, 145.561, 143.022,
136.361, 128.812,128.438, 128.005, 127.502, 127.25
1, 126.439, 129.315, 121.961, 121.864,120.953, 11
9.581, 114.318, 55.278。
【0028】(+)−2−(α−メチルベンジル)アミ
ノ−5−ニトロピリジン(MBANP) 公知の単結晶NLO物質であるMBANPをTwieg等、P
oly.Prep.(1982年)、23巻(2号)、147
ページに開示の方法により製造した。
ノ−5−ニトロピリジン(MBANP) 公知の単結晶NLO物質であるMBANPをTwieg等、P
oly.Prep.(1982年)、23巻(2号)、147
ページに開示の方法により製造した。
【0029】1,3−ジメチル−2,2−テトラメチレン
−5−ニトロベンズイミダゾリン(NEEDLE) 250mL丸底フラスコに3,4−ビス(メチルアミノ)
ニトロベンゼン(0.905g、5.0ミリモル)、酢酸
エチル(125mL)、シクロペンタノン(2.10g、
25.0ミリモル)及びトルエンスルホン酸水和物(2
5mg)を入れた。生ずる溶液を蒸気浴で1時間沸騰さ
せ、次いでシリカゲル(10g)を添加しそしてスラリ
ーを濃縮乾燥した。この混合物をシリカゲルカラムの頂
部に載せ、ヘキサン中酢酸エチルのグラジエント(0→
18%)で溶離した。純粋な生成物を含む画分を合併
し、濃縮し、イソプロピルエーテル及びジクロロメタン
の混合物から再結晶して黒色のきらめく針状物質を得た
(1.09g、87%)。 mp 104.8-107.7°; 1H NMR(CDCl3)δ 7.66(dd, J=2Hz,
8Hz, 1H), 6.80(d, 2Hz,1H), 5.95(d, 8Hz, 1H), 2.88
(s, 3H), 2.81(s, 3H), 1.90-2.05(m, 4H), 1.66-1.89
(m, 4H); 13C NMR(CDCl3) ppm 140.016, 139.997, 138.
779, 118.792, 98.654, 97.471, 95.557, 34.132, 27.9
54, 27.811, 26.063。
−5−ニトロベンズイミダゾリン(NEEDLE) 250mL丸底フラスコに3,4−ビス(メチルアミノ)
ニトロベンゼン(0.905g、5.0ミリモル)、酢酸
エチル(125mL)、シクロペンタノン(2.10g、
25.0ミリモル)及びトルエンスルホン酸水和物(2
5mg)を入れた。生ずる溶液を蒸気浴で1時間沸騰さ
せ、次いでシリカゲル(10g)を添加しそしてスラリ
ーを濃縮乾燥した。この混合物をシリカゲルカラムの頂
部に載せ、ヘキサン中酢酸エチルのグラジエント(0→
18%)で溶離した。純粋な生成物を含む画分を合併
し、濃縮し、イソプロピルエーテル及びジクロロメタン
の混合物から再結晶して黒色のきらめく針状物質を得た
(1.09g、87%)。 mp 104.8-107.7°; 1H NMR(CDCl3)δ 7.66(dd, J=2Hz,
8Hz, 1H), 6.80(d, 2Hz,1H), 5.95(d, 8Hz, 1H), 2.88
(s, 3H), 2.81(s, 3H), 1.90-2.05(m, 4H), 1.66-1.89
(m, 4H); 13C NMR(CDCl3) ppm 140.016, 139.997, 138.
779, 118.792, 98.654, 97.471, 95.557, 34.132, 27.9
54, 27.811, 26.063。
【0030】3−フルオロ−4−N,N−ジエチル−β
−メチル−β−ニトロスチレン(F−DEAMNST) 攪拌棒及び窒素バブラーを備えた500mL丸底フラスコ
に3−フルオロ−4−N,N−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド(5.86g、30ミリモル)、メタノール
(75mL)、ニトロエタン(4.50g、60ミリモ
ル)及びEDDA(540mg、3.0ミリモル)を入れ
た。生ずる溶液を室温で3日間攪拌すると、この時痕跡
量の出発アルデヒドが残存するのみであった。シリカゲ
ル(15g)をこの溶液に添加し、スラリーをロータリ
ーエバポレータで濃縮乾燥した。この混合物をシリカゲ
ルカラムの頂部に載せ、ヘキサン中酢酸エチルのグラジ
エント(0→4%)で溶離した。純粋な生成物を含む画
分を合併し、濃縮して黄橙色の油状物を得た(5.82
g、76%)。1 H NMR(CDCl3)δ 7.97(s, 1H), 7.06-7.16(m, 2H), 6.7
8-6.88(m, 1H), 3.31-3.46(m, 4H), 2.46(d, J=1Hz, 3
H), 1.18(t, J=7Hz, 6H); 13C NMR(CDCl3) ppm 152.490
(d, J=244Hz, 139.677(d, J=7Hz), 133.205(d, J=2Hz),
127.940(d, J=2Hz), 121.577(d, J=8Hz), 118.283(d,
J=24Hz), 117.043(d, J=5Hz), 45.805(d, J=5Hz), 14.0
35, 12.922。 元素分析(C13H17FN2O2として計算): 計算値 C,61.89;H,6.79;N,11.10;F,7.53 実測値 C,61.38;H,6.76;N,11.02;F,7.45 特許請求の範囲を満足する異なる電荷輸送用ポリマー/
NLO発色団/増感剤の組合わせからなる本発明の方法
の特定の実施例を以下に示す。
−メチル−β−ニトロスチレン(F−DEAMNST) 攪拌棒及び窒素バブラーを備えた500mL丸底フラスコ
に3−フルオロ−4−N,N−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド(5.86g、30ミリモル)、メタノール
(75mL)、ニトロエタン(4.50g、60ミリモ
ル)及びEDDA(540mg、3.0ミリモル)を入れ
た。生ずる溶液を室温で3日間攪拌すると、この時痕跡
量の出発アルデヒドが残存するのみであった。シリカゲ
ル(15g)をこの溶液に添加し、スラリーをロータリ
ーエバポレータで濃縮乾燥した。この混合物をシリカゲ
ルカラムの頂部に載せ、ヘキサン中酢酸エチルのグラジ
エント(0→4%)で溶離した。純粋な生成物を含む画
分を合併し、濃縮して黄橙色の油状物を得た(5.82
g、76%)。1 H NMR(CDCl3)δ 7.97(s, 1H), 7.06-7.16(m, 2H), 6.7
8-6.88(m, 1H), 3.31-3.46(m, 4H), 2.46(d, J=1Hz, 3
H), 1.18(t, J=7Hz, 6H); 13C NMR(CDCl3) ppm 152.490
(d, J=244Hz, 139.677(d, J=7Hz), 133.205(d, J=2Hz),
127.940(d, J=2Hz), 121.577(d, J=8Hz), 118.283(d,
J=24Hz), 117.043(d, J=5Hz), 45.805(d, J=5Hz), 14.0
35, 12.922。 元素分析(C13H17FN2O2として計算): 計算値 C,61.89;H,6.79;N,11.10;F,7.53 実測値 C,61.38;H,6.76;N,11.02;F,7.45 特許請求の範囲を満足する異なる電荷輸送用ポリマー/
NLO発色団/増感剤の組合わせからなる本発明の方法
の特定の実施例を以下に示す。
【0031】実施例2−方法 0.25mlの溶媒混合物トルエン/シクロヘキサノン
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
(hole transporting polymer)PVK(AldrichChemic
al Company製、第二標準、Mw=100,000、Mn=
38,000)、19mgの発色団F−DEANST、及
び0.9mgの増感剤TNFを添加した。この溶液を12
0nmの透明導電性材料の酸化インジウムスズ(ITO)
をコートした2枚のガラス板に付着させた。ポリマー混
合物を周囲条件下で16時間、そして50℃で30ミリ
トル未満の圧力でさらに6時間乾燥した。次いでコート
した板を140℃で2分間加熱し、板を一緒に加圧して
ポリマー混合物をそれらの間に封じ込めた。この板はそ
の縁に置いた125μmのMylarスペーサーにより平行に
保った。得られる試料の光学吸収係数を測定した結果7
53nmで1.4cm-1であった。
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
(hole transporting polymer)PVK(AldrichChemic
al Company製、第二標準、Mw=100,000、Mn=
38,000)、19mgの発色団F−DEANST、及
び0.9mgの増感剤TNFを添加した。この溶液を12
0nmの透明導電性材料の酸化インジウムスズ(ITO)
をコートした2枚のガラス板に付着させた。ポリマー混
合物を周囲条件下で16時間、そして50℃で30ミリ
トル未満の圧力でさらに6時間乾燥した。次いでコート
した板を140℃で2分間加熱し、板を一緒に加圧して
ポリマー混合物をそれらの間に封じ込めた。この板はそ
の縁に置いた125μmのMylarスペーサーにより平行に
保った。得られる試料の光学吸収係数を測定した結果7
53nmで1.4cm-1であった。
【0032】光導電性は試料を横切って500Vバイア
スを当て、そして試料を3mmのスポットサイズの100
mWの753nmの単色光で照射した場合において、電流の
増加を測定することにより証明した。これから単位光強
度当たり光導電率σ/Iを測定したところ1.3×10
-13(Ωcm)-1(W/cm2)であった。ポリマーの電気光
学効果は電界を試料を横切って当てた場合の屈折率の変
化を測定する干渉計測定法により測定した。屈折率の3
乗及び電気光学係数γ13の積は試料を横切る2000V
のバイアス電界を当てて830nmの波長で測定した場合
0.43pm/Vであった。
スを当て、そして試料を3mmのスポットサイズの100
mWの753nmの単色光で照射した場合において、電流の
増加を測定することにより証明した。これから単位光強
度当たり光導電率σ/Iを測定したところ1.3×10
-13(Ωcm)-1(W/cm2)であった。ポリマーの電気光
学効果は電界を試料を横切って当てた場合の屈折率の変
化を測定する干渉計測定法により測定した。屈折率の3
乗及び電気光学係数γ13の積は試料を横切る2000V
のバイアス電界を当てて830nmの波長で測定した場合
0.43pm/Vであった。
【0033】光屈折効果は屈折率格子の形成の観察及び
上述の非対称2ビームカップリング(2BC)により証
明した。この技術分野で公知のように、屈折率格子の形
成は格子から光学回折により発生するビームにおけるパ
ワーを測定し、そしてこのパワーを探測用ビームにおけ
るパワーで割って回折効率を求めることにより検出する
ことができる。両測定における操作波長は753nmであ
った。4000Vのバイアス電界を試料を横切って当て
た場合、η=4.5×10-4のピーク回折効率が回折効
率測定において観察された。同じ電界で2BCはΓ=
7.0cm-1の増加係数を持ち非対称であることが認めら
れた。従ってこの方法は5.6cm-1の内部正味増を生じ
た。
上述の非対称2ビームカップリング(2BC)により証
明した。この技術分野で公知のように、屈折率格子の形
成は格子から光学回折により発生するビームにおけるパ
ワーを測定し、そしてこのパワーを探測用ビームにおけ
るパワーで割って回折効率を求めることにより検出する
ことができる。両測定における操作波長は753nmであ
った。4000Vのバイアス電界を試料を横切って当て
た場合、η=4.5×10-4のピーク回折効率が回折効
率測定において観察された。同じ電界で2BCはΓ=
7.0cm-1の増加係数を持ち非対称であることが認めら
れた。従ってこの方法は5.6cm-1の内部正味増を生じ
た。
【0034】実施例3−方法 0.25mlの溶媒混合物トルエン−シクロヘキサノン
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団PDCS及び0.9mgの増感剤
TNFを添加した。試料をこの溶液から実施例1に記述
したようにつくった。試料の光学吸収係数を測定した結
果2.3cm-1であった。実施例1に記述した条件で測定
した結果、σ/Iは7.6×10-14(Ωcm)-1/(W/
cm2)そしてn3γ13は0.23pm/Vであった。
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団PDCS及び0.9mgの増感剤
TNFを添加した。試料をこの溶液から実施例1に記述
したようにつくった。試料の光学吸収係数を測定した結
果2.3cm-1であった。実施例1に記述した条件で測定
した結果、σ/Iは7.6×10-14(Ωcm)-1/(W/
cm2)そしてn3γ13は0.23pm/Vであった。
【0035】光屈折効果はインデックス格子及び2ビー
ムカップリング増加係数から回折効率を測定することに
より証明した。両測定における操作波長は753nmであ
った。試料を横切って4000Vのバイアス電界を当て
た場合、η=3.7×10-3のピーク回折効率が認めら
れた。同じ電界で2BCはΓ=7.8cm-1の増加係数を
持ち非対称であることが観察された。従ってこの実施例
は5.5cm-1の内部正味増を示した。
ムカップリング増加係数から回折効率を測定することに
より証明した。両測定における操作波長は753nmであ
った。試料を横切って4000Vのバイアス電界を当て
た場合、η=3.7×10-3のピーク回折効率が認めら
れた。同じ電界で2BCはΓ=7.8cm-1の増加係数を
持ち非対称であることが観察された。従ってこの実施例
は5.5cm-1の内部正味増を示した。
【0036】実施例4−方法 0.25mlの溶媒混合物トルエン−シクロヘキサノン
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団MBANP、及び0.9mgの増
感剤TNFを添加した。試料をこの溶液から実施例1に
記述したようにつくった。試料の光学吸収係数を測定し
た結果0.9cm-1であった。実施例1に記述した条件で
測定した結果、σ/Iは3.8×10-14(Ωcm)-1/
(W/cm2)そしてn3γ13は0.07pm/Vであった。
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団MBANP、及び0.9mgの増
感剤TNFを添加した。試料をこの溶液から実施例1に
記述したようにつくった。試料の光学吸収係数を測定し
た結果0.9cm-1であった。実施例1に記述した条件で
測定した結果、σ/Iは3.8×10-14(Ωcm)-1/
(W/cm2)そしてn3γ13は0.07pm/Vであった。
【0037】光屈折効果は実施例1に記述のように証明
した。両測定における操作波長は753nmであった。試
料を横切って4000Vのバイアス電界を当てた場合、
η=1.7×10-4のピーク回折効率が観察された。同
じ電界で2BCはΓ=2.6cm-1の増加係数を持ち非対
称であることが認められた。従ってこの実施例は1.7c
m-1の内部正味増を生じた。
した。両測定における操作波長は753nmであった。試
料を横切って4000Vのバイアス電界を当てた場合、
η=1.7×10-4のピーク回折効率が観察された。同
じ電界で2BCはΓ=2.6cm-1の増加係数を持ち非対
称であることが認められた。従ってこの実施例は1.7c
m-1の内部正味増を生じた。
【0038】実施例5−方法 0.25mlの溶媒混合物トルエン−シクロヘキサノン
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団MTFNS、及び0.9mgの増
感剤TNFを添加した。試料をこの溶液から実施例1に
記述したようにつくった。試料の光学吸収係数を測定し
た結果0.6cm-1であった。実施例1に記述した条件で
測定した結果、σ/Iは8.5×10-14(Ωcm)-1/
(W/cm2)そしてn3γ13は0.15pm/Vであった。
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団MTFNS、及び0.9mgの増
感剤TNFを添加した。試料をこの溶液から実施例1に
記述したようにつくった。試料の光学吸収係数を測定し
た結果0.6cm-1であった。実施例1に記述した条件で
測定した結果、σ/Iは8.5×10-14(Ωcm)-1/
(W/cm2)そしてn3γ13は0.15pm/Vであった。
【0039】光屈折効果は実施例1に記述した方法によ
り証明した。操作波長は753nmであった。試料を横切
って4000Vのバイアス電界を当てた場合、η=1.
2×10-5のピーク回折効率が観察された。同じ電界で
2BCはΓ=1.2cm-1の増加係数を持ち非対称である
ことが認められた。従ってこの実施例は0.6cm-1の内
部正味増を示した。
り証明した。操作波長は753nmであった。試料を横切
って4000Vのバイアス電界を当てた場合、η=1.
2×10-5のピーク回折効率が観察された。同じ電界で
2BCはΓ=1.2cm-1の増加係数を持ち非対称である
ことが認められた。従ってこの実施例は0.6cm-1の内
部正味増を示した。
【0040】実施例6−方法 0.25mlの溶媒混合物トルエン−シクロヘキサノン
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団F−DEANST、及び0.1m
gの増感剤C60を添加した。試料をこの溶液から実施例
1に記述したようにつくった。試料の光学吸収係数を測
定した結果0.9cm-1であった。実施例1に記述した条
件で測定した結果、σ/Iは5.2×10-14(Ωcm)-1
/(W/cm2)そしてn3γ13は0.38pm/Vであっ
た。
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団F−DEANST、及び0.1m
gの増感剤C60を添加した。試料をこの溶液から実施例
1に記述したようにつくった。試料の光学吸収係数を測
定した結果0.9cm-1であった。実施例1に記述した条
件で測定した結果、σ/Iは5.2×10-14(Ωcm)-1
/(W/cm2)そしてn3γ13は0.38pm/Vであっ
た。
【0041】本発明の方法を753nmの操作波長を使用
して証明した。試料を横切って4000Vのバイアス電
界を当てた場合、η=1.1×10-3のピーク回折効率
が観察された。同じ電界で2BCはΓ=9.0cm-1の増
加係数を持ち非対称であることが認められた。従ってこ
の実施例は8.1cm-1の内部正味増を示した。
して証明した。試料を横切って4000Vのバイアス電
界を当てた場合、η=1.1×10-3のピーク回折効率
が観察された。同じ電界で2BCはΓ=9.0cm-1の増
加係数を持ち非対称であることが認められた。従ってこ
の実施例は8.1cm-1の内部正味増を示した。
【0042】実施例7−方法 0.25mlの溶媒混合物トルエン−シクロヘキサノン
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団F−DEANST、及び0.1m
gの増感剤ペリレン色素を添加した。試料をこの溶液か
ら実施例1に記述したようにつくった。試料の光学吸収
係数を測定した結果0.3cm-1であった。実施例1に記
述した条件で測定した結果、σ/Iは8.0×10
-15(Ωcm)-1/(W/cm2)そしてn3γ13は0.48pm
/Vであった。753nmの操作波長で試料を横切って4
000Vのバイアス電界を当てた場合η=4.0×10
-5のピーク回折効率が観察された。同じ電界で2BCは
Γ=2.3cm-1の増加係数を持ち非対称であることが認
められた。従ってこの実施例は2.0cm-1の内部正味増
を示した。
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団F−DEANST、及び0.1m
gの増感剤ペリレン色素を添加した。試料をこの溶液か
ら実施例1に記述したようにつくった。試料の光学吸収
係数を測定した結果0.3cm-1であった。実施例1に記
述した条件で測定した結果、σ/Iは8.0×10
-15(Ωcm)-1/(W/cm2)そしてn3γ13は0.48pm
/Vであった。753nmの操作波長で試料を横切って4
000Vのバイアス電界を当てた場合η=4.0×10
-5のピーク回折効率が観察された。同じ電界で2BCは
Γ=2.3cm-1の増加係数を持ち非対称であることが認
められた。従ってこの実施例は2.0cm-1の内部正味増
を示した。
【0043】実施例8−方法 0.25mlの溶媒混合物トルエン/シクロヘキサノン
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団NEEDLE、及び0.1mgの
増感剤C60を添加した。試料をこの溶液から実施例1に
記述したようにつくった。試料の光学吸収係数を測定し
た結果4.0cm-1であった。実施例1に記述した条件で
測定した結果σ/Iは6.1×10-14(Ωcm)-1/(W
/cm2)そしてn3γ13は0.24pm/Vであった。
(容量で80%/20%)に38mgの正孔輸送ポリマー
PVK、19mgの発色団NEEDLE、及び0.1mgの
増感剤C60を添加した。試料をこの溶液から実施例1に
記述したようにつくった。試料の光学吸収係数を測定し
た結果4.0cm-1であった。実施例1に記述した条件で
測定した結果σ/Iは6.1×10-14(Ωcm)-1/(W
/cm2)そしてn3γ13は0.24pm/Vであった。
【0044】正味増方法を実施例1に記述のように証明
した。操作波長は753nmであった。試料を横切って4
000Vのバイアス電界を当てた場合η=1.5×10
-3のピーク回折効率が観察された。同じ電界で2BCは
Γ=10.3cm-1の増加係数を持ち非対称であることが
認められた。従ってこの方法の実施例は6.3cm-1の内
部正味増を示した。
した。操作波長は753nmであった。試料を横切って4
000Vのバイアス電界を当てた場合η=1.5×10
-3のピーク回折効率が観察された。同じ電界で2BCは
Γ=10.3cm-1の増加係数を持ち非対称であることが
認められた。従ってこの方法の実施例は6.3cm-1の内
部正味増を示した。
【0045】実施例9−方法 1.0mlの溶媒アニソール(メトキシベンゼン)に42m
gの正孔輸送ポリマーのポリ(n−ブトキシフェニルエ
チルシラン)、28mgの発色団F−DEAMNST、及
び0.14mgの増感剤C60を添加した。この溶液を12
0nmの透明導電性材料の酸化インジウムスズ(ITO)
をコートした2枚のガラス板に付着させた。ポリマー混
合物を95℃、大気圧下で1時間乾燥した。次いでコー
トした板を95℃で一緒に加圧してそれらの間にポリマ
ー混合物を封じ込めた。175μmのガラス製スペーサ
ーを板の縁に置いて板を平行に保った。得られる試料の
光学吸収係数を測定した結果753nmで0.2cm-1であ
った。
gの正孔輸送ポリマーのポリ(n−ブトキシフェニルエ
チルシラン)、28mgの発色団F−DEAMNST、及
び0.14mgの増感剤C60を添加した。この溶液を12
0nmの透明導電性材料の酸化インジウムスズ(ITO)
をコートした2枚のガラス板に付着させた。ポリマー混
合物を95℃、大気圧下で1時間乾燥した。次いでコー
トした板を95℃で一緒に加圧してそれらの間にポリマ
ー混合物を封じ込めた。175μmのガラス製スペーサ
ーを板の縁に置いて板を平行に保った。得られる試料の
光学吸収係数を測定した結果753nmで0.2cm-1であ
った。
【0046】光屈折効果を753nmの操作波長で上述の
方法により証明した。試料を横切って2000Vのバイ
アス電界を当てた場合、η=1.6×10-4のピーク回
折効率が観察された。同じ電界で2BCはΓ=1.6cm
-1の増加係数を持ち非対称であることが認められた。従
ってこの実施例は1.4cm-1の内部正味増を示した。
方法により証明した。試料を横切って2000Vのバイ
アス電界を当てた場合、η=1.6×10-4のピーク回
折効率が観察された。同じ電界で2BCはΓ=1.6cm
-1の増加係数を持ち非対称であることが認められた。従
ってこの実施例は1.4cm-1の内部正味増を示した。
【0047】本発明は特定の実施態様に関連して記述し
たが、これらは本発明を制限するためのものではなく、
その思想と範囲から逸脱することなく種々の実施態様、
変更及び修正を実行し得ることは明白であり、そしてそ
のような同等な実施態様は本発明の範囲に含めるものと
理解されるべきである。
たが、これらは本発明を制限するためのものではなく、
その思想と範囲から逸脱することなく種々の実施態様、
変更及び修正を実行し得ることは明白であり、そしてそ
のような同等な実施態様は本発明の範囲に含めるものと
理解されるべきである。
【0048】以上、本発明を詳細に説明したが、本発明
はさらに次の実施態様によってこれを要約して示すこと
ができる。 1.ポリマー光学物品を外部電界及びコヒーレント電磁
放射の2つの交差するビームにさらすことからなる光屈
折2ビームカップリングにおける正味増を生ずる方法に
おいて、前記物品は0.1cm-1より小さい放射のビーム
の波長における吸収係数を持つ電荷輸送用ポリマーの少
なくとも50重量%、外部電界により配向した場合物品
に0.1pm/Vより大きい単位印加電界当たりの屈折率
における変化を与える非線形発色団、及び増感剤からな
り、且つ前記増感剤は光学物品による放射の全吸収の少
なくとも約70%を与えることを特徴とする方法。 2.電荷輸送用ポリマーがポリ(ビニルカルバゾー
ル)、ポリ(シラン)、ポリ(パラ−フェニレンビニレ
ン)、又はポリ(アニリン)である前項1記載の方法。 3.非線形発色団が置換されたスチレンである前項1記
載の方法。 4.非線形発色団が3−フルオロ−4−N,N−ジエチ
ルアミノ−β−ニトロスチレンである前項3記載の方
法。
はさらに次の実施態様によってこれを要約して示すこと
ができる。 1.ポリマー光学物品を外部電界及びコヒーレント電磁
放射の2つの交差するビームにさらすことからなる光屈
折2ビームカップリングにおける正味増を生ずる方法に
おいて、前記物品は0.1cm-1より小さい放射のビーム
の波長における吸収係数を持つ電荷輸送用ポリマーの少
なくとも50重量%、外部電界により配向した場合物品
に0.1pm/Vより大きい単位印加電界当たりの屈折率
における変化を与える非線形発色団、及び増感剤からな
り、且つ前記増感剤は光学物品による放射の全吸収の少
なくとも約70%を与えることを特徴とする方法。 2.電荷輸送用ポリマーがポリ(ビニルカルバゾー
ル)、ポリ(シラン)、ポリ(パラ−フェニレンビニレ
ン)、又はポリ(アニリン)である前項1記載の方法。 3.非線形発色団が置換されたスチレンである前項1記
載の方法。 4.非線形発色団が3−フルオロ−4−N,N−ジエチ
ルアミノ−β−ニトロスチレンである前項3記載の方
法。
【0049】5.非線形発色団が2−(α−メチルベン
ジル)アミノ−5−ニトロピリジンである前項1記載の
方法。 6.非線形発色団が2−トリフルオロメチル−4−ニト
ロ−4′−メトキシスチルベンである前項1記載の方
法。 7.増感剤がフラレン、トリニトロフルオレノン、又は
ペリレン色素である前項1記載の方法。 8.正味増が1cm-1より大きい前項1記載の方法。 9.光学物品の全吸収が10cm-1より少ない前項1記載
の方法。 10.光学物品が光学導波管、円筒繊維又は多層物品で
ある前項1記載の方法。 11.ビームの波長が約700nmより長い前項1記載の
方法。
ジル)アミノ−5−ニトロピリジンである前項1記載の
方法。 6.非線形発色団が2−トリフルオロメチル−4−ニト
ロ−4′−メトキシスチルベンである前項1記載の方
法。 7.増感剤がフラレン、トリニトロフルオレノン、又は
ペリレン色素である前項1記載の方法。 8.正味増が1cm-1より大きい前項1記載の方法。 9.光学物品の全吸収が10cm-1より少ない前項1記載
の方法。 10.光学物品が光学導波管、円筒繊維又は多層物品で
ある前項1記載の方法。 11.ビームの波長が約700nmより長い前項1記載の
方法。
【0050】12.光屈折ポリマー光学物品を外部電界
及び650nmより長い波長を持つコヒーレント電磁放射
の交差する参照ビーム及びシグナルビームにさらすこと
からなるホログラフ記憶方法において、前記物品は0.
1cm-1より小さい放射のビームの波長における吸収係数
を持つ電荷輸送用ポリマーの少なくとも50重量%、外
部電界により配向した場合物品に0.1pm/Vより大き
い単位印加電界当たりの屈折率における変化を与える非
線形発色団、及び増感剤からなり、且つ前記増感剤は光
学物品による放射の全吸収の少なくとも約70%を与え
ることを特徴とする方法。 13.電荷輸送用ポリマーがポリ(ビニルカルバゾー
ル)、ポリ(シラン)、ポリ(パラ−フェニレンビニレ
ン)、又はポリ(アニリン)である前項12記載の方
法。 14.非線形発色団が置換されたスチレンである前項1
2記載の方法。 15.非線形発色団が3−フルオロ−4−N,N−ジエ
チルアミノ−β−ニトロスチレンである前項12記載の
方法。
及び650nmより長い波長を持つコヒーレント電磁放射
の交差する参照ビーム及びシグナルビームにさらすこと
からなるホログラフ記憶方法において、前記物品は0.
1cm-1より小さい放射のビームの波長における吸収係数
を持つ電荷輸送用ポリマーの少なくとも50重量%、外
部電界により配向した場合物品に0.1pm/Vより大き
い単位印加電界当たりの屈折率における変化を与える非
線形発色団、及び増感剤からなり、且つ前記増感剤は光
学物品による放射の全吸収の少なくとも約70%を与え
ることを特徴とする方法。 13.電荷輸送用ポリマーがポリ(ビニルカルバゾー
ル)、ポリ(シラン)、ポリ(パラ−フェニレンビニレ
ン)、又はポリ(アニリン)である前項12記載の方
法。 14.非線形発色団が置換されたスチレンである前項1
2記載の方法。 15.非線形発色団が3−フルオロ−4−N,N−ジエ
チルアミノ−β−ニトロスチレンである前項12記載の
方法。
【0051】16.非線形発色団が2−(α−メチルベ
ンジル)アミノ−5−ニトロピリジンである前項12記
載の方法。 17.非線形発色団が2−トリフルオロメチル−4−ニ
トロ−4′−メトキシスチルベンである前項12記載の
方法。 18.増感剤がフラレン、トリニトロフルオレノン、又
はペリレン色素である前項12記載の方法。 19.光学物品の全吸収が10cm-1より少ない前項12
記載の方法。 20.光学物品が光学導波管、円筒繊維又は多層物品で
ある前項12記載の方法。
ンジル)アミノ−5−ニトロピリジンである前項12記
載の方法。 17.非線形発色団が2−トリフルオロメチル−4−ニ
トロ−4′−メトキシスチルベンである前項12記載の
方法。 18.増感剤がフラレン、トリニトロフルオレノン、又
はペリレン色素である前項12記載の方法。 19.光学物品の全吸収が10cm-1より少ない前項12
記載の方法。 20.光学物品が光学導波管、円筒繊維又は多層物品で
ある前項12記載の方法。
【0052】21.a.700nmより長い波長において
0.1cm-1より小さい吸収係数を持つ電荷輸送用ポリマ
ーの少なくとも50重量%、外部電界により配向した場
合物品に0.1pm/Vより大きい単位印加電界当たりの
屈折率における変化を与える非線形発色団、及び700
nmより長い波長において光学物品による放射の全吸収の
少なくとも約70%を与える増感剤よりなる光屈折ポリ
マー光学物品、 b.物品中で700nmより長い波長を持つコヒーレント
電磁放射の2つの交差するビームをつくるための装置、 c.物品に外部電界を印加するための装置、及び d.ビームの1つに空間情報を印加するための装置から
なることを特徴とするホログラフ記憶装置。 22.さらにビームの位相を調節する装置を含む前項2
1記載の装置。 23.さらにビームの角度を調節する装置を含む前項2
1記載の装置。
0.1cm-1より小さい吸収係数を持つ電荷輸送用ポリマ
ーの少なくとも50重量%、外部電界により配向した場
合物品に0.1pm/Vより大きい単位印加電界当たりの
屈折率における変化を与える非線形発色団、及び700
nmより長い波長において光学物品による放射の全吸収の
少なくとも約70%を与える増感剤よりなる光屈折ポリ
マー光学物品、 b.物品中で700nmより長い波長を持つコヒーレント
電磁放射の2つの交差するビームをつくるための装置、 c.物品に外部電界を印加するための装置、及び d.ビームの1つに空間情報を印加するための装置から
なることを特徴とするホログラフ記憶装置。 22.さらにビームの位相を調節する装置を含む前項2
1記載の装置。 23.さらにビームの角度を調節する装置を含む前項2
1記載の装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドナルド・マツクスウエル・バーランド アメリカ合衆国カリフオルニア州95126. サンホゼー.ユニバーシテイアベニユー 1670 (72)発明者 マルクス・シヤール・ヨハネス・マーリ ー・ドンケルス オランダ国2334.エー・エス.レイデ ン.ブウルハーヴエラーン48 (72)発明者 ロバート・デニス・ミラー アメリカ合衆国カリフオルニア州95120. サンホゼー.タモシヤンタードライブ 6614 (72)発明者 ウイリアム・エスコー・マーナー アメリカ合衆国カリフオルニア州95120. サンホゼー.ベルダードライブ1003 (72)発明者 スコツト・マイクスナー・サイレンス アメリカ合衆国カリフオルニア州94536. フリーモント.ベルデンテラス3238.ア パートメント ナンバー222 (72)発明者 ロバート・ジエイムズ・トウイーグ アメリカ合衆国カリフオルニア州95125. サンホゼー.リンカンコート1027 (72)発明者 シシーリア・アン・ウオルシユ アメリカ合衆国カリフオルニア州95125. サンホゼー.ジヨナサンアベニユー2140
Claims (5)
- 【請求項1】700nmより長い波長において0.1cm-1
より小さい吸収係数を持つ電荷輸送用ポリマーを少なく
とも50重量%と、非線形発色団と、及び増感剤とを含
む光屈折ポリマー光学物品であって、 前記増感剤は、前記波長における放射の、前記光学物品
による全吸収の少なくとも約70%を吸収し、 外部電界により配向した場合前記光学物品に0.1pm/
Vより大きい単位印加電界当たりの屈折率変化を与える
ことを特徴とする、光学物品。 - 【請求項2】前記非線形発色団は、2−(α−メチルベ
ンジル)アミノ−5−ニトロピリジン、3−フルオロ−
4−N,N−ジエチルアミノ−β−ニトロスチレン、及
び2−トリフルオロメチル−4−ニトロ−4'−メトキ
シスチルベンからなる群から選択されることを特徴とす
る、請求項1に記載の光学物品。 - 【請求項3】前記電荷輸送用ポリマーは、ポリ(ビニル
カルバゾール)、ポリシラン、ポリ(パラフェニレンビ
ニレン)及びポリアニリンからなる群から選択されるこ
とを特徴とする、請求項1に記載の光学物品。 - 【請求項4】a.700nmより長い波長において0.1c
m-1より小さい吸収係数を持つ電荷輸送用ポリマーを少
なくとも50重量%と、非線形発色団と、及び増感剤と
を含む光屈折ポリマー光学物品であって、 前記増感剤は、前記波長における放射の、前記光学物品
による全吸収の少なくとも約70%を吸収し、 外部電界により配向した場合前記光学物品に0.1pm/
Vより大きい単位印加電界当たりの屈折率変化を与える
ことを特徴とする、光学物品、 b.前記光学物品中で700nmより長い所定の波長を持
つコヒーレント電磁放射の2つの交差するビームをつく
るための装置、 c.前記光学物品に外部電界を印加するための装置、及
び d.前記ビームの1つに空間情報を印加するための装置
を含む、ホログラフ記憶装置。 - 【請求項5】光屈折ポリマー光学物品を外部電界及び7
00nmより長い波長を持つコヒーレント電磁放射の交差
する参照ビーム及びシグナルビームにさらすことからな
るホログラフ記憶方法において、 前記物品は、前記放射ビームの波長において0.1cm-1
より小さい吸収係数を持つ電荷輸送用ポリマーを少なく
とも50重量%と、非線形発色団、及び増感剤とを含
み、前記増感剤は、前記波長の放射ビームの前記光学物
品による全吸収の少なくとも約70%を吸収し、前記外
部電界により配向した場合前記物品に0.1pm/Vより
大きい単位印加電界当たりの屈折率変化を与えることを
特徴とする、方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/006,450 US5361148A (en) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | Apparatus for photorefractive two beam coupling |
| US006450 | 1993-01-21 | ||
| US6450 | 2001-11-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06235949A JPH06235949A (ja) | 1994-08-23 |
| JP2643082B2 true JP2643082B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=21720950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5315018A Expired - Fee Related JP2643082B2 (ja) | 1993-01-21 | 1993-12-15 | 光屈折2ビームカップリングの改良された方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5361148A (ja) |
| JP (1) | JP2643082B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5607799A (en) * | 1994-04-21 | 1997-03-04 | International Business Machines Corporation | Optical photorefractive article |
| US6280884B1 (en) * | 1994-04-21 | 2001-08-28 | International Business Machines Corporation | Process for photorefractive index grating formation |
| US5744267A (en) * | 1994-10-12 | 1998-04-28 | Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of University Of Arizona | Azo-dye-doped photorefractive polymer composites for holographic testing and image processing |
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| ES2169390T3 (es) * | 1996-05-11 | 2002-07-01 | Univ Manchester | Compuestos fotorrefractivos. |
| US5719690A (en) * | 1996-05-31 | 1998-02-17 | International Business Machines Corporation | Photorefractive glass article |
| US5739929A (en) * | 1996-06-17 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Method and device for holographic storage |
| US5724460A (en) * | 1996-06-26 | 1998-03-03 | University Of Maryland Baltimore County | Photorefractive thin film polymer waveguide two beam coupling (WTBC) device |
| US6761999B2 (en) * | 1996-07-08 | 2004-07-13 | The Regents Of The University Of California | Nondegenerate four-wave mixing using photoinduced charge-transfer materials |
| JP3907988B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 光記録媒体 |
| GB0220856D0 (en) * | 2002-09-07 | 2002-10-16 | Univ Manchester | Photorefractive devices |
| TWI241322B (en) * | 2002-12-31 | 2005-10-11 | Ind Tech Res Inst | Recording medium dye, high density blue ray recording medium and manufacturing method thereof |
| US7067230B2 (en) | 2003-01-15 | 2006-06-27 | Nitto Denko Corporation | Photorefractive composite |
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