JP2643879B2 - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
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- JP2643879B2 JP2643879B2 JP6302599A JP30259994A JP2643879B2 JP 2643879 B2 JP2643879 B2 JP 2643879B2 JP 6302599 A JP6302599 A JP 6302599A JP 30259994 A JP30259994 A JP 30259994A JP 2643879 B2 JP2643879 B2 JP 2643879B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセスにお
けるフォトリソグラフィー工程に関し、特にシリル化法
による微細パターン形成方法に関する。
けるフォトリソグラフィー工程に関し、特にシリル化法
による微細パターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスを始めとする微細
加工を必要とする各種電子デバイスの分野では、デバイ
スの高密度化、高集積化の要求がますます高まってお
り、これらの要求を満たすにはパターンの微細化が必須
となってきている。そして半導体デバイス製造工程で、
微細パターン形成に重要な役割を果たしているのがフォ
トリソグラフィー工程である。更に、フォトリソグラフ
ィー工程においては、半導体デバイスの微細化に伴い、
レジストパターンを精度良く基板に転写する方法が求め
られ、従来のウエットエッチングに代わり、ガスプラズ
マ等を用いたドライエッチングが用いられるようになり
つつある。特に、酸素プラズマを用いてレジストパター
ンを転写する方法においては、耐酸素プラズマ性の高い
珪素化合物を選択的にレジスト表面に導入する単層シリ
ル化法が盛んに検討されている。
加工を必要とする各種電子デバイスの分野では、デバイ
スの高密度化、高集積化の要求がますます高まってお
り、これらの要求を満たすにはパターンの微細化が必須
となってきている。そして半導体デバイス製造工程で、
微細パターン形成に重要な役割を果たしているのがフォ
トリソグラフィー工程である。更に、フォトリソグラフ
ィー工程においては、半導体デバイスの微細化に伴い、
レジストパターンを精度良く基板に転写する方法が求め
られ、従来のウエットエッチングに代わり、ガスプラズ
マ等を用いたドライエッチングが用いられるようになり
つつある。特に、酸素プラズマを用いてレジストパター
ンを転写する方法においては、耐酸素プラズマ性の高い
珪素化合物を選択的にレジスト表面に導入する単層シリ
ル化法が盛んに検討されている。
【０００３】従来の単層シリル化法は、パターン露光後
に光照射部または未照射部を選択的にシリル化し、その
後、酸素プラズマによりドライ現像を行い、パターニン
グするものである。露光部を選択的にシリル化する方法
としては、例えば、ジャーナル・オブ・バキューム・サ
イエンス・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ
Ｖａｃｕｕｍｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ）Ｂ、９巻、６号、３３９９頁〜３４０５頁
（１９９１年）に記載されているベイク（Ｋｉ−Ｈｏ
Ｂａｉｋ）らのＤＥＳＩＲＥ（Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｅ
ｎｈａｎｃｅｄＳｉｌｙｌａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔ）
プロセスがある。ＤＥＳＩＲＥプロセスとは、パターン
露光し、ベーク後、レジストをシリル化剤（例えば、ヘ
キサメチルジシラザン）を用いてシリル化を行い、その
後、酸素プラズマでドライ現像を行い、パターンを形成
するものである。この時、露光部ではシリル化により、
樹脂（例えば、ノボラック樹脂）のヒドロキシル基（−
ＯＨ基）とシリル化剤が反応して、シリルエーテル（−
ＯＳｉ（ＣＨ３）３）が形成されるため、酸素プラズマ
に対するエッチング耐性が向上する。一方、未露光部で
は、露光後のベーク処理により、感光剤（例えば、ナフ
トキノンジアジド基を含む感光剤）と樹脂との架橋反応
が起こるため、シリル化反応が起こらない。その結果、
露光部と未露光部で酸素プラズマによるエッチング速度
の差が生じ、ネガパターン形成が可能となる。前述のベ
イクらは、この手法でシリル化剤にビス（ジメチルアミ
ノ）メチルシランを用いた例も報告している。
に光照射部または未照射部を選択的にシリル化し、その
後、酸素プラズマによりドライ現像を行い、パターニン
グするものである。露光部を選択的にシリル化する方法
としては、例えば、ジャーナル・オブ・バキューム・サ
イエンス・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ
Ｖａｃｕｕｍｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ）Ｂ、９巻、６号、３３９９頁〜３４０５頁
（１９９１年）に記載されているベイク（Ｋｉ−Ｈｏ
Ｂａｉｋ）らのＤＥＳＩＲＥ（Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｅ
ｎｈａｎｃｅｄＳｉｌｙｌａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔ）
プロセスがある。ＤＥＳＩＲＥプロセスとは、パターン
露光し、ベーク後、レジストをシリル化剤（例えば、ヘ
キサメチルジシラザン）を用いてシリル化を行い、その
後、酸素プラズマでドライ現像を行い、パターンを形成
するものである。この時、露光部ではシリル化により、
樹脂（例えば、ノボラック樹脂）のヒドロキシル基（−
ＯＨ基）とシリル化剤が反応して、シリルエーテル（−
ＯＳｉ（ＣＨ３）３）が形成されるため、酸素プラズマ
に対するエッチング耐性が向上する。一方、未露光部で
は、露光後のベーク処理により、感光剤（例えば、ナフ
トキノンジアジド基を含む感光剤）と樹脂との架橋反応
が起こるため、シリル化反応が起こらない。その結果、
露光部と未露光部で酸素プラズマによるエッチング速度
の差が生じ、ネガパターン形成が可能となる。前述のベ
イクらは、この手法でシリル化剤にビス（ジメチルアミ
ノ）メチルシランを用いた例も報告している。
【０００４】また、未露光部を選択的にシリル化する方
法としては、例えば、樹脂と光酸発生剤、および酸の作
用により樹脂と架橋反応を起こす架橋剤とから成るレジ
ストを用いることを特徴とする、特開平４−２８７０４
７号公報に記載されている藤野らの方法がある。この方
法では、パターン露光、ベーク、シリル化、酸素プラズ
マによるドライ現像と、上記記載の方法と工程は同様で
あるが、この方法では、露光部は、露光により発生した
酸の作用により樹脂と架橋剤が架橋反応を起こすため、
シリル化剤がレジスト中に拡散できず、シリル化反応が
おこらない。一方、未露光部では、そのような架橋反応
が起こらないので、シリル化される。その結果、露光部
と未露光部でエッチング速度の差が生じ、ポジパターン
形成が可能となる。
法としては、例えば、樹脂と光酸発生剤、および酸の作
用により樹脂と架橋反応を起こす架橋剤とから成るレジ
ストを用いることを特徴とする、特開平４−２８７０４
７号公報に記載されている藤野らの方法がある。この方
法では、パターン露光、ベーク、シリル化、酸素プラズ
マによるドライ現像と、上記記載の方法と工程は同様で
あるが、この方法では、露光部は、露光により発生した
酸の作用により樹脂と架橋剤が架橋反応を起こすため、
シリル化剤がレジスト中に拡散できず、シリル化反応が
おこらない。一方、未露光部では、そのような架橋反応
が起こらないので、シリル化される。その結果、露光部
と未露光部でエッチング速度の差が生じ、ポジパターン
形成が可能となる。
【０００５】また、未露光部を選択的にシリル化するも
う１つの方法としては、例えばポリビニルフェノール単
体からなるレジスト膜に、ＡｒＦエキシマレーザ（１９
３ｎｍ）等の高エネルギー光線を照射することにより、
露光部のみ樹脂の架橋反応を起こさせ、次にジメチルシ
リルジメチルアミン等でシリル化することにより、未露
光部のみ選択的にシリル化領域を形成し、そして酸素プ
ラズマにより露光領域をエッチングすることによりポジ
パターンを形成する。この方法を用いた例としては、ジ
ャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジッ
クス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）Ｐｔ．１、３１巻、Ｎ
ｏ．１２Ｂ、４３２１頁−４３２６頁（１９９２年）に
記載されているジョンソン（Ｄｏｎａｌｄ Ｗ． Ｊｏ
ｈｎｓｏｎ）らの例が挙げられる。
う１つの方法としては、例えばポリビニルフェノール単
体からなるレジスト膜に、ＡｒＦエキシマレーザ（１９
３ｎｍ）等の高エネルギー光線を照射することにより、
露光部のみ樹脂の架橋反応を起こさせ、次にジメチルシ
リルジメチルアミン等でシリル化することにより、未露
光部のみ選択的にシリル化領域を形成し、そして酸素プ
ラズマにより露光領域をエッチングすることによりポジ
パターンを形成する。この方法を用いた例としては、ジ
ャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジッ
クス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）Ｐｔ．１、３１巻、Ｎ
ｏ．１２Ｂ、４３２１頁−４３２６頁（１９９２年）に
記載されているジョンソン（Ｄｏｎａｌｄ Ｗ． Ｊｏ
ｈｎｓｏｎ）らの例が挙げられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の単層シ
リル化法、特に未露光部にシリル化領域を形成する単層
シリル化法においてシリル化に利用されているシリル化
剤としては、ヘキサメチルジシラザン、ジメチルシリル
ジメチルアミン、テトラメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノトリメチルシラン、１，１，３，３，５，
５−ヘキサメチルシクロトリシラザン等、シリル化によ
って、樹脂（例えば、ノボラック樹脂、ポリビニルフェ
ノール）のヒドロキシル基１つに対し、珪素原子１つし
か導入できない化合物のみである。このため、レジスト
に導入される珪素原子の濃度が低く、酸素プラズマに対
するエッチング耐性が十分ではない。その結果、酸素プ
ラズマによるエッチング後、微細パターンでの形状の劣
化が特に激しく、微細パターンの寸法制御が困難とな
る。
リル化法、特に未露光部にシリル化領域を形成する単層
シリル化法においてシリル化に利用されているシリル化
剤としては、ヘキサメチルジシラザン、ジメチルシリル
ジメチルアミン、テトラメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノトリメチルシラン、１，１，３，３，５，
５−ヘキサメチルシクロトリシラザン等、シリル化によ
って、樹脂（例えば、ノボラック樹脂、ポリビニルフェ
ノール）のヒドロキシル基１つに対し、珪素原子１つし
か導入できない化合物のみである。このため、レジスト
に導入される珪素原子の濃度が低く、酸素プラズマに対
するエッチング耐性が十分ではない。その結果、酸素プ
ラズマによるエッチング後、微細パターンでの形状の劣
化が特に激しく、微細パターンの寸法制御が困難とな
る。
【０００７】これより、単層レジストの未露光部のシリ
ル化法においては、より高濃度にシリル化領域を形成
し、シリル化層のエッチング耐性を向上させる方法が求
められている。
ル化法においては、より高濃度にシリル化領域を形成
し、シリル化層のエッチング耐性を向上させる方法が求
められている。
【０００８】そこでこの分野での技術的課題は、より高
濃度にシリル化しうる方法の開発である。従来の技術は
これらの点から不十分であり、より一層高濃度にシリル
化しうる方法の開発が望まれている。
濃度にシリル化しうる方法の開発である。従来の技術は
これらの点から不十分であり、より一層高濃度にシリル
化しうる方法の開発が望まれている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究の結
果、上記の課題は、シリル化剤にビス（ジメチルアミ
ノ）メチルシラン（以下Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳと略す）を用
いるシリル化方法により解決されることを見いだし本発
明にいたった。
果、上記の課題は、シリル化剤にビス（ジメチルアミ
ノ）メチルシラン（以下Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳと略す）を用
いるシリル化方法により解決されることを見いだし本発
明にいたった。
【００１０】以下に本発明による微細パターン形成方法
を述べる。レジストを被加工基板上に回転塗布し、露
光、ベーク後、シリル化剤にＢ（ＤＭＡ）ＭＳを用いて
未露光部のシリル化を行いシリル化領域を形成する。次
に該シリル化領域をマスクとしてレジスト層を酸素プラ
ズマによりエッチングすることにより微細パターンを得
る。
を述べる。レジストを被加工基板上に回転塗布し、露
光、ベーク後、シリル化剤にＢ（ＤＭＡ）ＭＳを用いて
未露光部のシリル化を行いシリル化領域を形成する。次
に該シリル化領域をマスクとしてレジスト層を酸素プラ
ズマによりエッチングすることにより微細パターンを得
る。
【００１１】そして本発明によるＢ（ＤＭＡ）ＭＳを用
いたシリル化方法は、従来のシリル化剤でレジストをシ
リル化する方法に比べ、シリル化層の珪素原子濃度が高
く、また酸素プラズマ耐性が優れ、更にドライ現像後の
パターン形状が良好であることを確認した。このことか
らＢ（ＤＭＡ）ＭＳを用いた未露光部のシリル化方法
は、レジストのシリル化方法として有効であり、更に微
細パターン形成能に優れていることが明らかとなった。
いたシリル化方法は、従来のシリル化剤でレジストをシ
リル化する方法に比べ、シリル化層の珪素原子濃度が高
く、また酸素プラズマ耐性が優れ、更にドライ現像後の
パターン形状が良好であることを確認した。このことか
らＢ（ＤＭＡ）ＭＳを用いた未露光部のシリル化方法
は、レジストのシリル化方法として有効であり、更に微
細パターン形成能に優れていることが明らかとなった。
【００１２】なお、前述のＫｉ−Ｈｏ Ｂａｉｋらによ
る、露光部にシリル化領域を形成する方法において、シ
リル化剤にＢ（ＤＭＡ）ＭＳを用いた例が開示されてい
るが、特に優れた性能は見られていなかった。本発明
は、Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳを未露光部のシリル化に使用する
ことで従来にない効果が得られることをはじめて開示す
るものである。
る、露光部にシリル化領域を形成する方法において、シ
リル化剤にＢ（ＤＭＡ）ＭＳを用いた例が開示されてい
るが、特に優れた性能は見られていなかった。本発明
は、Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳを未露光部のシリル化に使用する
ことで従来にない効果が得られることをはじめて開示す
るものである。
【００１３】
【実施例】次に実施例により本発明を更に詳しく説明す
るが、本発明はこれらの例によって何ら制限されるもの
ではない。
るが、本発明はこれらの例によって何ら制限されるもの
ではない。
【００１４】（実施例１）ポリビニルフェノール（ＭＷ
＝３４０００）２０ｇを乳酸エチル８０ｇに溶解し、さ
らに０．２μｍ孔メンブレンフィルターでろ過し、レジ
スト溶液を調製した。得られた溶液をシリコン基板上に
回転塗布し、ホットプレート上で１００℃、６０秒ベー
クを行い、厚さ０．７μｍのレジスト膜を形成した。こ
のようにして作成した膜に、Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳ１０％、
キシレン８７％、Ｎ−メチルピロリドン３％からなる混
合溶液に室温で１２０秒間浸漬し、次いでレジスト膜を
キシレンでリンスすることによりレジスト膜をシリル化
した。次にシリル化したレジスト膜を日新ハイボルテー
ジ（株）製後方散乱測定装置ＡＮ−２５００（入射イオ
ン： ４Ｈｅ＋、入射エネルギー：２．０ＭｅＶ、ビー
ム電流：１．０ｎＡ）を用いてラザフォード後方散乱分
析（以下ＲＢＳと略す）を行い、シリル化層のＳｉ濃度
を測定した。その結果を表１に示す。
＝３４０００）２０ｇを乳酸エチル８０ｇに溶解し、さ
らに０．２μｍ孔メンブレンフィルターでろ過し、レジ
スト溶液を調製した。得られた溶液をシリコン基板上に
回転塗布し、ホットプレート上で１００℃、６０秒ベー
クを行い、厚さ０．７μｍのレジスト膜を形成した。こ
のようにして作成した膜に、Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳ１０％、
キシレン８７％、Ｎ−メチルピロリドン３％からなる混
合溶液に室温で１２０秒間浸漬し、次いでレジスト膜を
キシレンでリンスすることによりレジスト膜をシリル化
した。次にシリル化したレジスト膜を日新ハイボルテー
ジ（株）製後方散乱測定装置ＡＮ−２５００（入射イオ
ン： ４Ｈｅ＋、入射エネルギー：２．０ＭｅＶ、ビー
ム電流：１．０ｎＡ）を用いてラザフォード後方散乱分
析（以下ＲＢＳと略す）を行い、シリル化層のＳｉ濃度
を測定した。その結果を表１に示す。
【００１５】（比較例１）また比較例１として、レジス
ト膜を１００℃に加熱しながら、１０Ｔｏｒｒのジメチ
ルシリルジメチルアミン蒸気に、２分間曝してシリル化
したレジスト膜のＲＢＳも行った。その結果を表１に示
す。
ト膜を１００℃に加熱しながら、１０Ｔｏｒｒのジメチ
ルシリルジメチルアミン蒸気に、２分間曝してシリル化
したレジスト膜のＲＢＳも行った。その結果を表１に示
す。
【００１６】（比較例２）また比較例２として、レジス
ト膜をビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン１０％、
キシレン８７％、Ｎ−メチルピロリドン３％からなる混
合溶液に室温で１２０秒間浸漬し、次いでレジスト膜を
キシレンでリンスすることによりレジスト膜をシリル化
したレジスト膜のＲＢＳも行った。その結果を表１に示
す。
ト膜をビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン１０％、
キシレン８７％、Ｎ−メチルピロリドン３％からなる混
合溶液に室温で１２０秒間浸漬し、次いでレジスト膜を
キシレンでリンスすることによりレジスト膜をシリル化
したレジスト膜のＲＢＳも行った。その結果を表１に示
す。
【００１７】
【表１】
【００１８】これらの結果から、Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳを用
いたシリル化方法は、従来の方法に比べて、シリル化さ
れた領域のＳｉ濃度が高いことが明らかとなった。
いたシリル化方法は、従来の方法に比べて、シリル化さ
れた領域のＳｉ濃度が高いことが明らかとなった。
【００１９】（実施例２）実施例１と同様の条件で作成
したレジスト膜のＦＴＩＲスペクトルを測定した。次に
そのレジスト膜をＢ（ＤＭＡ）ＭＳ１０％、キシレン８
７％、Ｎ−メチルピロリドン３％からなる混合溶液に室
温で１２０秒間浸漬し、次いでキシレンでリンスするこ
とによりレジスト膜を全面シリル化し、そしてシリル化
後のＦＴＩＲスペクトルを測定した。その時のＦＴＩＲ
差スペクトルを図１に示す。図１から、シリル化後、Ｓ
ｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に由来する１０９８ｃｍ−１の吸収が
増大していた。これらの結果から、Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳを
用いたシリル化では、樹脂（ポリビニルフェノール）の
ヒドロキシル基１つに対し、複数個の珪素原子が導入さ
れていることが明らかとなった。
したレジスト膜のＦＴＩＲスペクトルを測定した。次に
そのレジスト膜をＢ（ＤＭＡ）ＭＳ１０％、キシレン８
７％、Ｎ−メチルピロリドン３％からなる混合溶液に室
温で１２０秒間浸漬し、次いでキシレンでリンスするこ
とによりレジスト膜を全面シリル化し、そしてシリル化
後のＦＴＩＲスペクトルを測定した。その時のＦＴＩＲ
差スペクトルを図１に示す。図１から、シリル化後、Ｓ
ｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に由来する１０９８ｃｍ−１の吸収が
増大していた。これらの結果から、Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳを
用いたシリル化では、樹脂（ポリビニルフェノール）の
ヒドロキシル基１つに対し、複数個の珪素原子が導入さ
れていることが明らかとなった。
【００２０】（比較例３）比較例として、実施例２と同
様にして、但しレジスト膜のシリル化を１００℃に加熱
しながら、１０Ｔｏｒｒのジメチルシリルジメチルアミ
ン蒸気に、２分間曝すことにより行った。その結果、Ｆ
ＴＩＲ差スペクトルにおいて、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に由
来する吸収がなかった。このことからジメチルシリルジ
メチルシランを用いたシリル化では、樹脂（ポリビニル
フェノール）のヒドロキシル基１つに対し、１個の珪素
原子しか導入されていないことが明らかとなった。
様にして、但しレジスト膜のシリル化を１００℃に加熱
しながら、１０Ｔｏｒｒのジメチルシリルジメチルアミ
ン蒸気に、２分間曝すことにより行った。その結果、Ｆ
ＴＩＲ差スペクトルにおいて、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に由
来する吸収がなかった。このことからジメチルシリルジ
メチルシランを用いたシリル化では、樹脂（ポリビニル
フェノール）のヒドロキシル基１つに対し、１個の珪素
原子しか導入されていないことが明らかとなった。
【００２１】（実施例３）実施例１と同様の条件でレジ
スト膜を全面シリル化した。その後、Ｏ２−ＥＣＲ（Ｐ
ｏｗｅｒ＝５０Ｗ、圧力＝５ｍＴｏｒｒ、温度＝−５０
℃）によりエッチングを行った。その結果、レジスト膜
を全てエッチングするのに７００秒を要した。比較例と
して、レジスト膜を１００℃に加熱しながら、１０Ｔｏ
ｒｒのジメチルシリルジメチルシラン蒸気に、２分間曝
してシリル化したレジスト膜のエッチングも行った。そ
の結果、レジスト膜を全てエッチングするのに要した時
間は３８０秒であった。このことから、本発明の感光性
組成物は、酸素プラズマに対する耐性が優れていること
が明らかとなった。
スト膜を全面シリル化した。その後、Ｏ２−ＥＣＲ（Ｐ
ｏｗｅｒ＝５０Ｗ、圧力＝５ｍＴｏｒｒ、温度＝−５０
℃）によりエッチングを行った。その結果、レジスト膜
を全てエッチングするのに７００秒を要した。比較例と
して、レジスト膜を１００℃に加熱しながら、１０Ｔｏ
ｒｒのジメチルシリルジメチルシラン蒸気に、２分間曝
してシリル化したレジスト膜のエッチングも行った。そ
の結果、レジスト膜を全てエッチングするのに要した時
間は３８０秒であった。このことから、本発明の感光性
組成物は、酸素プラズマに対する耐性が優れていること
が明らかとなった。
【００２２】（実施例４）ポリビニルフェノール（ＭＷ
＝３４０００）２０ｇを乳酸エチル８０ｇに溶解し、さ
らに０．２μｍ孔メンブレンフィルターでろ過し、レジ
スト溶液を調製した。得られた溶液をシリコン基板上に
回転塗布し、ホットプレート上で１００℃、６０秒ベー
クを行い、厚さ０．７μｍのレジスト膜を形成した。こ
のようにして作成した膜に、ＡｒＦエキシマレーザ露光
装置（ＮＡ＝０．５５）を用いて露光した。露光後、レ
ジスト膜をＢ（ＤＭＡ）ＭＳ１０％、キシレン８７％、
Ｎ−メチルピロリドン３％からなる混合溶液に室温で１
２０秒間浸漬し、次いでレジスト膜をキシレンでリンス
することにより未露光領域をシリル化した。その後、Ｏ
２−ＥＣＲ（Ｐｏｗｅｒ＝５０Ｗ、圧力＝５ｍＴｏｒ
ｒ、温度＝−５０℃、時間＝１２０秒）によりエッチン
グを行った。図２に露光量２１５ｍＪ／ｃｍ２の時のレ
ジストパターンのＳＥＭ写真を示す。図２に示すように
０．１２μｍＬ／Ｓの矩形パターンが得られた。これら
の結果から、Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳを用いたシリル化方法
は、解像性が非常に優れていることが明らかとなった。
＝３４０００）２０ｇを乳酸エチル８０ｇに溶解し、さ
らに０．２μｍ孔メンブレンフィルターでろ過し、レジ
スト溶液を調製した。得られた溶液をシリコン基板上に
回転塗布し、ホットプレート上で１００℃、６０秒ベー
クを行い、厚さ０．７μｍのレジスト膜を形成した。こ
のようにして作成した膜に、ＡｒＦエキシマレーザ露光
装置（ＮＡ＝０．５５）を用いて露光した。露光後、レ
ジスト膜をＢ（ＤＭＡ）ＭＳ１０％、キシレン８７％、
Ｎ−メチルピロリドン３％からなる混合溶液に室温で１
２０秒間浸漬し、次いでレジスト膜をキシレンでリンス
することにより未露光領域をシリル化した。その後、Ｏ
２−ＥＣＲ（Ｐｏｗｅｒ＝５０Ｗ、圧力＝５ｍＴｏｒ
ｒ、温度＝−５０℃、時間＝１２０秒）によりエッチン
グを行った。図２に露光量２１５ｍＪ／ｃｍ２の時のレ
ジストパターンのＳＥＭ写真を示す。図２に示すように
０．１２μｍＬ／Ｓの矩形パターンが得られた。これら
の結果から、Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳを用いたシリル化方法
は、解像性が非常に優れていることが明らかとなった。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、Ｂ（ＤＭＡ）ＭＳ
を用いたシリル化方法は、シリル化領域の珪素原子濃度
が高く、また酸素プラズマに対する耐性が優れ、更に微
細パターン形成能が優れており、レジストのシリル化方
法として有効である。
を用いたシリル化方法は、シリル化領域の珪素原子濃度
が高く、また酸素プラズマに対する耐性が優れ、更に微
細パターン形成能が優れており、レジストのシリル化方
法として有効である。
【図１】本発明の実施例２に示すシリル化方法によって
シリル化したレジストのＦＴＩＲ差スペクトルを示す。
シリル化したレジストのＦＴＩＲ差スペクトルを示す。
【図２】本発明の実施例４に示す方法で形成された微細
パターンのＳＥＭ写真を示す。
パターンのＳＥＭ写真を示す。
なし
Claims (1)
- 【請求項１】少なくともレジストを被加工基板上に塗布
する工程と、プリベーク後露光する工程と、シリル化剤
を用いて未露光部をシリル化してシリル化領域を形成す
る工程と、該シリル化領域をマスクとしてレジスト層を
ガスプラズマを用いてエッチングする工程とからなる微
細パターン形成方法において、シリル化剤としてビス
（ジメチルアミノ）メチルシランを用いることを特徴と
する微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6302599A JP2643879B2 (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6302599A JP2643879B2 (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 微細パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08129262A JPH08129262A (ja) | 1996-05-21 |
| JP2643879B2 true JP2643879B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=17910924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6302599A Expired - Fee Related JP2643879B2 (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643879B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5885751A (en) * | 1996-11-08 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing deep UV photoresist films |
| JP5809771B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2015-11-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理方法、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP6302599A patent/JP2643879B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08129262A (ja) | 1996-05-21 |
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