Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP2644528B2 - Liquid crystal device and driving method thereof - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP2644528B2 - Liquid crystal device and driving method thereof - Google Patents

Liquid crystal device and driving method thereof

Info

Publication number
JP2644528B2
JP2644528B2 JP12368588A JP12368588A JP2644528B2 JP 2644528 B2 JP2644528 B2 JP 2644528B2 JP 12368588 A JP12368588 A JP 12368588A JP 12368588 A JP12368588 A JP 12368588A JP 2644528 B2 JP2644528 B2 JP 2644528B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
pulse
peak value
crystal device
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP12368588A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH01293321A (en
Inventor
伸二郎 岡田
豊 稲葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP12368588A priority Critical patent/JP2644528B2/en
Publication of JPH01293321A publication Critical patent/JPH01293321A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2644528B2 publication Critical patent/JP2644528B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、液晶装置及びその駆動法に関し、詳しくは
強誘電性液晶を用いた液晶装置及びその駆動法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal device and a driving method thereof, and more particularly, to a liquid crystal device using a ferroelectric liquid crystal and a driving method thereof.

〔従来技術〕(Prior art)

クラークとラガーウオルは、Applied Physics Letter
s 第36巻,第11号(1980年6月1日発行)、P.899−90
1、又は米国特許第4,367,924号、米国特許第4,563,059
号で、表面安定化強誘電性液晶(Surface−stabilized
ferroelectric liquid crystal)による双安定性強誘電
性液晶を明らかにした。この双安定性強誘電性液晶は、
バルク状態のカイラルスメクチック相における液晶分子
のらせん配列構造の形成を抑制するのに十分に小さい間
隔に設定した一対の基板間に配置させ、且つ複数の液晶
分子で組織された垂直分子層を一方向に配列させること
によって実現された。
Clark and Lager Walk are Applied Physics Letter
s Volume 36, Issue 11, June 1, 1980, P.899-90
1, or U.S. Patent 4,367,924, U.S. Patent 4,563,059
No., surface-stabilized liquid crystal (Surface-stabilized
Bistable ferroelectric liquid crystal by ferroelectric liquid crystal) was revealed. This bistable ferroelectric liquid crystal
A vertical molecular layer composed of a plurality of liquid crystal molecules is arranged in one direction between a pair of substrates set at an interval small enough to suppress the formation of a helical arrangement of liquid crystal molecules in the chiral smectic phase in the bulk state. It was realized by arranging in.

上述の強誘電性液晶素子は、基板の投影成分において
安定な分子長軸の平均方向()は、2方向に限定さ
れ、垂直分子層に並行な分子のダイポール・モーメント
()を有し、平均的に自発分極(Ps)を形成してい
る。この自発分極(Ps)と印加電界とが強い結合を生じ
る。この強誘電性液晶に一方向の電界を印加すると、垂
直分子層内のダイポール・モーメント()は、その電
界方向に揃う。この時のチルト角はらせん配列構造にお
ける頂角の1/2倍の角度に相当し、最大チルト角を生じ
る(この時の分子配列状態をユニフオーム配向状態U1
言う)。上述した電界を解除すると、しばらくの緩和期
間(強誘電性液晶の種類によって相違するが、一般的に
は1μs〜2μs程度である)を経た後、ユニフオーム
配向状態U1と比べ、分子の秩序度が低く、光学的一軸性
が低く、且つチルト角が小さい別の分子配列状態(この
状態をスプレイ配向状態S1と言う)に安定化する。スプ
レイ配向状態S1における分子のダイポール・モーメント
は同一方向とはなっていないが、自発分極(Ps)の方向
は、ユニフオーム配向状態U1の場合と同一であり、又垂
直分子層への分子軸の射影であるC−ダイレクタが基板
間で非平行、特に基板間でらせん配列構造の円軌道に沿
って配列している。この時のC−ダイレクタは必ずしも
一周期の円軌道に沿って配列されることはなく、上側基
板に隣接するC−ダイレクタと下側基板に隣接するC−
ダイレクタが円軌道上で180゜ないしはそれ以上、若し
くはそれ以下の角度で配列されることがある。又、逆方
向の電界印加により、同様にユニフオーム配向状態
(U2)とスプレイ配向状態(S2)を生じることになる。
In the above-described ferroelectric liquid crystal element, the average direction () of the long axis of molecules stable in the projected component of the substrate is limited to two directions, and has a dipole moment () of molecules parallel to the vertical molecular layer. It forms spontaneous polarization (Ps). This spontaneous polarization (Ps) and the applied electric field form strong coupling. When a unidirectional electric field is applied to the ferroelectric liquid crystal, the dipole moment () in the vertical molecular layer is aligned with the direction of the electric field. Tilt angle at this time is equivalent to half the apex angle of the helical array structure, resulting in maximum tilt angle (refer to molecular arrangement state at this time is Yunifuomu orientation state U 1). When the above-described electric field is released, after a short relaxation period (which varies depending on the type of ferroelectric liquid crystal, it is generally about 1 μs to 2 μs), the degree of molecular order is lower than that of the uniform alignment state U 1. low, optically uniaxial low and stabilized to another molecule alignment state tilt angle is small (say this state splay alignment state S 1). Although the dipole moment of the molecule in the splay alignment state S 1 is not in the same direction, the direction of the spontaneous polarization (Ps) is the same as in the uniform alignment state U 1 and the molecular axis to the vertical molecular layer. Are arranged in a non-parallel manner between the substrates, especially along a circular orbit of a spiral arrangement between the substrates. At this time, the C-directors are not necessarily arranged along a one-cycle circular orbit, and the C-directors adjacent to the upper substrate and the C-directors adjacent to the lower substrate are not arranged.
Directors may be arranged on a circular orbit at an angle of 180 ° or more or less. In addition, the application of an electric field in the opposite direction causes a uniform orientation state (U 2 ) and a splay orientation state (S 2 ).

従って、前述した強誘電性液晶素子をデイスプレイパ
ネルに適用した場合では、そのパネルの明るさはスプレ
イ配向状態S1及びS2における透過率によって一義的に定
められる。すなわち、透過光量は、分子配列状態を一軸
性として仮定すると、クロスニコル下で入射光I0の強度
に対して、 で定められる。本発明者らの実験によれば、スプレイ配
向状態S1及びS2でのチルト角θaは一般に5゜〜8゜で
あることが判明していた。
Therefore, in the case of applying the ferroelectric liquid crystal device described above in Deisupurei panel, the brightness of the panel is uniquely determined by the transmittance in the spray orientation state S 1 and S 2. That is, assuming that the molecular arrangement state is uniaxial, the amount of transmitted light with respect to the intensity of the incident light I 0 under crossed Nicols Is determined by According to the experiments of the present inventors, it has been found that the tilt angle θa in the splay alignment states S 1 and S 2 is generally 5 ° to 8 °.

前記問題点を解決するために高周波の交流印加手段
(ACスタビライズ効果)を用いた液晶装置が、例えば特
開昭61−246722号公報、同61−246723号公報、同61−24
6724号公報、同61−249024号公報、同61−249025号公報
などに明らかにされている。
In order to solve the above problem, a liquid crystal device using a high-frequency AC applying means (AC stabilizing effect) is disclosed in, for example, JP-A-61-246722, JP-A-61-246723, and JP-A-61-24.
These are disclosed in JP-A-6724, JP-A-61-249024, JP-A-61-249025 and the like.

上述のACスタビライズ効果は、誘電率異方性(△ε)
が負の強誘電性液晶に対して、交流電界を作用させるこ
とにより、液晶分子軸を電界方向に対して垂直に配向さ
せるトルクが発生し、チルト角θaを増大させることが
できる。
The AC stabilizing effect described above is based on the dielectric anisotropy (△ ε)
By applying an AC electric field to the negative ferroelectric liquid crystal, a torque for orienting the liquid crystal molecular axis perpendicular to the electric field direction is generated, and the tilt angle θa can be increased.

しかしながら、前述のACスタビライズ効果が温度変化
に応じて変化し、特に温度上昇に伴なってチルト角θa
が減少する問題点があった。
However, the above-mentioned AC stabilizing effect changes in accordance with the temperature change, and in particular, the tilt angle θa
However, there is a problem that the number is reduced.

すなわち、本発明は、走査電極と信号電極との交差部
を画素としたマトリクス電極及び負の誘電異方性をもつ
強誘電性液晶を有する液晶素子、選択された走査電極上
の選択された画素に強誘電性液晶の自発分極の方向を反
転させるのに十分な強度をもつパルスを印加する手段、
並びに温度上昇に応じて上記パルスの波高値を増加する
手段を有する液晶装置に特徴を有している。
That is, the present invention provides a liquid crystal device having a matrix electrode and a ferroelectric liquid crystal having a negative dielectric anisotropy in which an intersection of a scanning electrode and a signal electrode is a pixel, and a selected pixel on a selected scanning electrode. Means for applying a pulse having sufficient intensity to reverse the direction of spontaneous polarization of the ferroelectric liquid crystal,
The liquid crystal device has a feature of increasing the peak value of the pulse in accordance with the temperature rise.

〔発明の態様の詳細な説明〕 印加電界(E)とダイポール・モーメント(自発分
極)との結合で生じる液晶分子のトルクΓPs及び印加電
界(E)と誘電率異方性(△ε)との結合で生じる液晶
分子のトルクΓ△εは、それぞれ下式で示される。
[Detailed Description of Embodiments of the Invention] The torque Γ Ps of liquid crystal molecules generated by the coupling between the applied electric field (E) and the dipole moment (spontaneous polarization) and the applied electric field (E) and the dielectric anisotropy (△ ε) the torque gamma △ epsilon of the liquid crystal molecules caused by binding, respectively represented by the following formula.

ΓPs∝Ps・E ……(1) (ここでεは真空誘電率である) 上述の式(2)から、液晶分子の誘電率異方性△εが
大きい程、らせん配列構造が抑制あるいは消去されやす
いことが判る。しかも△ε<0の場合では、印加電界下
で液晶分子は基板の投影成分において優勢に配列し、そ
の結果らせん配列構造が抑制されることになる。
Γ Ps ∝Ps ・ E …… (1) (Here, ε 0 is the vacuum dielectric constant) From the above equation (2), it can be seen that the larger the dielectric anisotropy 液晶 ε of the liquid crystal molecules is, the more the helical arrangement structure is suppressed or erased. Moreover, in the case of Δε <0, the liquid crystal molecules are predominantly arranged in the projected component of the substrate under the applied electric field, and as a result, the helical arrangement structure is suppressed.

第1図は、△ε=−5.5の液晶(I)、△ε=−3.0の
液晶(II)、△ε=0の液晶(III)及び△ε=1.0の液
晶(IV)の電圧実効値Vrmsに対するチルト角θaの依存
性を表している。第1図に示す測定では、自発分極Psか
らの影響を除去するために、60KHzの短形交流を使用し
た。図中の○,×,△及び□は実測値である。
FIG. 1 shows the effective voltage values of the liquid crystal (I) with Δε = −5.5, the liquid crystal (II) with Δε = −3.0, the liquid crystal (III) with Δε = 0, and the liquid crystal (IV) with Δε = 1.0. It shows the dependence of the tilt angle θa on V rms . In the measurement shown in FIG. 1, a short alternating current of 60 KHz was used to remove the influence from the spontaneous polarization Ps. ○, ×, △, and □ in the figure are measured values.

第1図から明らかな如く、誘電率異方性△εが大きい
もの程、チルト角θaが大きいことが判る。液晶(I)
と(III)を用いたセルにおけるクロスニコル下での最
大透過率は、それぞれ15%[液晶(I)]と6%[液晶
(III)]であった。
As is clear from FIG. 1, it can be seen that the larger the dielectric anisotropy Δ △, the larger the tilt angle θa. Liquid crystal (I)
The maximum transmittance under crossed Nicols in the cells using (III) and (III) was 15% [liquid crystal (I)] and 6% [liquid crystal (III)], respectively.

本実施例で用いた強誘電性カイラルスメクチツク液晶
セルの特性は、下記のとおりであった。
The characteristics of the ferroelectric chiral smectic liquid crystal cell used in this example were as follows.

誘電異方性 △ε;−0.1 自発分極 Ps;12.9 最大チルト角 ;23.3゜ 自発分極の測定は100μmセルで、下記三角波印加法
により測定した(測定温度;27℃)。
Dielectric anisotropy Δε; -0.1 Spontaneous polarization Ps; 12.9 Maximum tilt angle; 23.3 ゜ Spontaneous polarization was measured in a 100 μm cell by the following triangular wave application method (measurement temperature; 27 ° C.).

この三角波印加法による自発分極の測定は、“ジヤパ
ニーズ・ジヤーナル・オブ・アプライド・フイジツク
ス”(“Japanese Journal of Applied Physics")1983
年,22(10)号、661〜663頁に記載され、ケイ・ミヤサ
ト(K.Miyasato)らの共著の“ダイレクト・メソツド・
ウイズ”「トライアングラー・ウエーブス・フオア・メ
ジヤーイング・スポンテニアス・ポテリゼイシヨン・オ
ン・フエロエレクトリツク・リキツド・クリスタル」
(“Direct Method with"「Trianguler Waves for Meas
uring Spontanious Polarization on Ferroelectric Li
quid Crystal」)にある。
The measurement of spontaneous polarization by this triangular wave application method is described in "Japanese Journal of Applied Physics" (1983).
, 22 (10), pages 661-663, co-authored by K. Miyasato et al.
With "" Triangle Waves, Fourth, Medium, Spontenious, Pottery Essence on Full Electric Liquid Crystals "
(“Direct Method with” “Trianguler Waves for Meas
uring Spontanious Polarization on Ferroelectric Li
quid Crystal ").

又、誘電異方性(△ε)(測定温度27℃)は、平行誘
電率(ε )と垂直誘電率(ε)との差(△ε=ε
−ε)から求めた。
 The dielectric anisotropy (△ ε) (measuring temperature 27 ° C)
Electricity (ε ) And vertical permittivity (ε) And the difference (△ ε = ε
−ε).

垂直誘電率(ε)測定には、セル厚を1.5μmに設
定し、垂直配向膜としてダイキン工業社製の「FS−116
S」を用いた空セルの容量(空セル容量C0⊥)と、セ
ル内に強誘電性液晶を注入した時の容量(液晶セル容量
LC⊥)を米国ヒユーレツト・パツカード社の「4192
A」によって測定した。これらの容量の比率CLC⊥/C
0⊥から垂直誘電率εを求めた。
For the measurement of the vertical dielectric constant ( ε⊥ ), the cell thickness was set to 1.5 μm, and “FS-116” manufactured by Daikin Industries, Ltd. was used as a vertical alignment film.
The capacity of an empty cell (empty cell capacity C 0⊥ ) using “S” and the capacity when a ferroelectric liquid crystal is injected into the cell (liquid crystal cell capacity C LC⊥ ) are determined by “4192” of the US Hewlett-Packard Company.
A ". Ratio of these capacities C LC⊥ / C
To determine the vertical dielectric constant ε from 0⊥.

平行誘電率(ε )測定には、セル厚を1.5μm〜3.0
μmに設定し、平行配向膜として東レ社製のポリイミド
「SP−710」を用いた空セルの容量(空セル容量
)と、セル内に強誘電性液晶を注入した時の容量
(液晶セル容量CLC)を前述と同様の「4192A」装置
によって測定した。これらの容量の比率CLC/C
ら平行誘電率ε を求めた。
 Parallel permittivity (ε ) For the measurement, the cell thickness is set to
μm, and Toray's polyimide as a parallel alignment film
Empty cell capacity using “SP-710” (empty cell capacity
C0) And the capacitance when ferroelectric liquid crystal is injected into the cell
(Liquid crystal cell capacity CLC) Is the same as the “4192A” device
Was measured by Ratio C of these capacitiesLC/ C0Or
Parallel permittivity ε I asked.

尚、容量測定時の周波数は、100KHzに設定した。又、
本実施例で使用したセルの電極間距離dは1.4μmで、
配向制御膜としてラビング処理したポリイミド膜を使用
した。
In addition, the frequency at the time of capacity measurement was set to 100 KHz. or,
The distance d between the electrodes of the cell used in this example was 1.4 μm,
A rubbed polyimide film was used as an orientation control film.

前述の強誘電性スメクチツク液晶を第2図に示す駆動
波形による動作を行ったところ、第3図に示す動作マー
ジンが得られた。この際、 であった。
When the above-described ferroelectric smectic liquid crystal was operated with the drive waveform shown in FIG. 2, the operation margin shown in FIG. 3 was obtained. On this occasion, Met.

第3図における横軸はパルス幅△T2を示し、縦軸は書
込み電圧VOP(=V1+V3)を示している。第4図によれ
ば、温度23℃〜35℃の間の動作マージンが示され、温度
上昇に従って動作可能領域が図の左上方側へとシフトし
ているのが判る。
The horizontal axis in FIG. 3 indicates the pulse width ΔT 2 , and the vertical axis indicates the write voltage V OP (= V 1 + V 3 ). According to FIG. 4, an operation margin between the temperatures of 23 ° C. to 35 ° C. is shown, and it can be seen that the operable area shifts to the upper left side of the figure as the temperature rises.

このようなマージン形状は△ε<0の強誘電性スメク
チツク液晶セルで一般的に見られるものであって、駆動
電圧が高い方がパルス幅マージンが拡大している。
Such a margin shape is generally seen in a ferroelectric smectic liquid crystal cell with Δε <0, and the higher the driving voltage, the wider the pulse width margin.

従って、温度上昇に従って、駆動電圧を上昇させるこ
とにより、パルス幅マージンを維持して、大面積のセル
においても、高品質な駆動状況を得ることが出来た。
Therefore, by increasing the drive voltage as the temperature rises, the pulse width margin is maintained, and a high-quality drive state can be obtained even in a large-area cell.

パルス幅マージンを拡大することは、温度変化に対し
て許容範囲を広げる事になるのでセル内での温度バラツ
キに対して強くなる。
Increasing the pulse width margin increases the permissible range with respect to temperature changes, so that it is more resistant to temperature variations within the cell.

第3図では、バイアス比を一定(1/3)に保って、走
査線と信号線との両方の印加電圧を変えたが、信号線の
印加電圧を一定に保ち、走査信号の波高値だけを変化さ
せた場合のパルス幅マージンを第4図に示す。第3図と
同様に、縦軸に選択時の波高値(VOP)、横軸にパルス
幅△T2をとって、マトリクス駆動可能な範囲を示した。
この場合も、電圧上昇に伴って、パルス幅マージンが拡
大することがわかる。
In FIG. 3, the bias voltage is kept constant (1/3) and the applied voltage of both the scanning line and the signal line is changed. However, the applied voltage of the signal line is kept constant and only the peak value of the scanning signal is changed. FIG. 4 shows a pulse width margin in the case where is changed. As in FIG. 3, the vertical axis represents the peak value (V OP ) at the time of selection, and the horizontal axis represents the pulse width ΔT 2, and the range in which the matrix can be driven is shown.
Also in this case, it can be seen that the pulse width margin increases as the voltage increases.

したがって、第3図のバイアス比一定の場合と同様、
温度上昇に伴って選択時の波高値を高くする方法も有効
であることがわかる。
Therefore, similar to the case where the bias ratio is constant in FIG. 3,
It can be seen that a method of increasing the peak value at the time of selection with the temperature rise is also effective.

尚、第4図中の肩の数字はバイアス比を示している。 It should be noted that shoulder numbers in FIG. 4 indicate bias ratios.

一方、液晶層への電界印加はできるだけ少量であるこ
とが保存性からも望ましく、又、消費電力の上からも望
ましい。したがって、低電圧でも比較的広いマージンが
確保できる低温領域では、駆動電圧を低くするのが望ま
しい。
On the other hand, application of an electric field to the liquid crystal layer is desirably as small as possible from the viewpoint of storage stability and power consumption. Therefore, in a low temperature region where a relatively wide margin can be secured even at a low voltage, it is desirable to lower the drive voltage.

温度変化と書込みの電圧変化の実施例を第5図に示し
た。これは第3図でA−A′ラインに23℃のとき設定し
て、27℃に変化したら、B−B′ラインへ移動させ、30
℃においては、C−C′ラインへ移動させたことに一致
する。
FIG. 5 shows an example of a change in temperature and a change in write voltage. This is set at 23 ° C. on the line AA ′ in FIG. 3, and when it changes to 27 ° C., it is moved to the line BB ′ and
In ° C., this corresponds to the movement to the CC ′ line.

第6図は、本発明で用いたマトリクス電極を配置した
強誘電性液晶パネル61の駆動装置を表している。第6図
のパネル61には、走査線62とデータ線63とが互いに交差
して配線され、その交差部の走査線62とデータ線63との
間には強誘電性液晶が配置されている。又、第6図中、
64は走査回路、65は走査側駆動回路、66は信号側駆動電
圧発生回路、67はラインメモリー、68はスフトレジス
タ、69は走査側駆動電圧発生電源、60はマイクロ・プロ
セツサー・ユニツト(MPV)を表わしている。
FIG. 6 shows a driving device of the ferroelectric liquid crystal panel 61 in which the matrix electrodes used in the present invention are arranged. In the panel 61 of FIG. 6, scanning lines 62 and data lines 63 are wired so as to cross each other, and a ferroelectric liquid crystal is disposed between the scanning lines 62 and the data lines 63 at the intersections. . Also, in FIG.
64 is a scanning circuit, 65 is a scanning side drive circuit, 66 is a signal side drive voltage generation circuit, 67 is a line memory, 68 is a shift register, 69 is a scan side drive voltage generation power supply, and 60 is a microprocessor unit (MPV) Is represented.

走査側駆動電圧発生電源69には、電圧V1,V2,VCが用意
され、例えば電圧V1とV2を前述した走査選択信号の電源
とし、電圧VCを走査非選択信号の電源とすることができ
る。
The scanning-side drive voltage generation power supply 69 is provided with voltages V 1 , V 2 , and V C. For example, the voltages V 1 and V 2 are used as the power supply for the above-described scan selection signal, and the voltage V C is used as the power supply for the scan non-selection signal. It can be.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば、ACスタビライズ下での駆動時の温度
依存性を減少させることにより、動作マージンを増大さ
せることができる。
According to the present invention, the operating margin can be increased by reducing the temperature dependency at the time of driving under AC stabilization.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、チルト角θaの誘電異方性△εに対する印加
電圧依存性を示す特性図である。第2図は、本実施例で
用いた駆動の波形図である。第3図及び第4図は、動作
マージンを示す説明図である。第5図は、温度変化によ
るシーケンスを示す説明図である。第6図は、本発明装
置のブロツク図である。
FIG. 1 is a characteristic diagram showing the dependency of the tilt angle θa on the applied voltage with respect to the dielectric anisotropy Δε. FIG. 2 is a waveform diagram of the drive used in this embodiment. 3 and 4 are explanatory diagrams showing an operation margin. FIG. 5 is an explanatory diagram showing a sequence based on a temperature change. FIG. 6 is a block diagram of the device of the present invention.

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】走査電極と信号電極との交差部を画素とし
たマトリクス電極及び負の誘電異方性をもつ強誘電性液
晶を有する液晶素子、並びに、 選択された走査電極上の選択された画素に強誘電性液晶
の分子配向状態を変化させるのに十分な強度をもつパル
スを印加し、温度上昇に応じて該パルスの波高値を増加
させ、選択されていない走査電極上の画素に交流電圧パ
ルスを印加する電圧印加手段 を有する液晶装置。
A liquid crystal device having a matrix electrode and a ferroelectric liquid crystal having a negative dielectric anisotropy, wherein a pixel is formed at an intersection of a scanning electrode and a signal electrode; A pulse having a sufficient intensity to change the molecular alignment state of the ferroelectric liquid crystal is applied to the pixel, and the peak value of the pulse is increased in accordance with the temperature rise, and the AC is applied to the pixel on the unselected scan electrode. A liquid crystal device having voltage applying means for applying a voltage pulse.
【請求項2】前記交流電圧パルスは、一定の波高値をも
つパルス列を有している請求項1に記載の液晶装置。
2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the AC voltage pulse has a pulse train having a constant peak value.
【請求項3】前記強誘電性液晶の分子配向状態を変化さ
せるのに十分な強度をもつパルスの波高値と、前記交流
電圧パルスの波高値との比は、一定値である請求項1に
記載の液晶装置。
3. The ratio of the peak value of a pulse having a sufficient intensity to change the molecular alignment state of the ferroelectric liquid crystal to the peak value of the AC voltage pulse is a constant value. The liquid crystal device according to the above.
【請求項4】走査電極と信号電極との交差部を画素とし
たマトリクス電極及び負の誘電異方性をもつカイラルス
メクチック液晶を有する液晶素子、並びに、 選択された走査電極上の選択された画素にカイラルスメ
クチック液晶の分子配向状態を変化させるのに十分な強
度をもつパルスを印加し、温度上昇に応じて該パルスの
波高値を増加させ、選択されていない走査電極上の画素
に交流電圧パルスを印加する電圧印加手段 を有する液晶装置。
4. A liquid crystal device having a matrix electrode and a chiral smectic liquid crystal having a negative dielectric anisotropy having a pixel at an intersection of a scanning electrode and a signal electrode, and a selected pixel on a selected scanning electrode. A pulse having an intensity sufficient to change the molecular orientation state of the chiral smectic liquid crystal is applied, and the peak value of the pulse is increased in accordance with the temperature rise. A liquid crystal device having a voltage applying means for applying a voltage.
【請求項5】前記交流電圧パルスは、一定の波高値をも
つパルス列を有している請求項4に記載の液晶装置。
5. The liquid crystal device according to claim 4, wherein the AC voltage pulse has a pulse train having a constant peak value.
【請求項6】前記カイラルスメクチック液晶の分子配向
状態を変化させるのに十分な強度をもつパルスの波高値
と、前記交流電圧パルスの波高値との比は、一定値であ
る請求項4に記載の液晶装置。
6. The ratio of the peak value of a pulse having a sufficient intensity to change the molecular alignment state of the chiral smectic liquid crystal to the peak value of the AC voltage pulse is a constant value. Liquid crystal device.
【請求項7】走査電極と信号電極との交差部を画素とし
たマトリクス電極及び負の誘電異方性をもつカイラルス
メクチック液晶を有する液晶装置の駆動法において、 選択された走査電極上の選択された画素にカイラルスメ
クチック液晶の分子配向状態を変化させるのに十分な強
度をもつパルスを印加し、温度上昇に応じて該パルスの
波高値を増加させ、選択されていない走査電極上の画素
に交流電圧パルスを印加する、 ことを特徴とする液晶装置の駆動法。
7. A method of driving a liquid crystal device having a matrix electrode and a chiral smectic liquid crystal having a negative dielectric anisotropy, wherein a pixel is formed at an intersection of a scanning electrode and a signal electrode. A pulse having an intensity sufficient to change the molecular alignment state of the chiral smectic liquid crystal is applied to the pixel, and the peak value of the pulse is increased in accordance with the temperature rise, and the AC is applied to the pixel on the unselected scanning electrode. A method for driving a liquid crystal device, comprising applying a voltage pulse.
【請求項8】前記交流電圧パルスは、一定の波高値をも
つパルス列を有している請求項7に記載の液晶装置の駆
動法。
8. The method according to claim 7, wherein the AC voltage pulse has a pulse train having a constant peak value.
【請求項9】前記カイラルスメクチック液晶の分子配向
状態を変化させるのに十分な強度をもつパルスの波高値
と、前記交流電圧パルスの波高値との比は、一定値であ
る請求項7に記載の液晶装置の駆動法。
9. The ratio of the peak value of a pulse having a sufficient intensity to change the molecular alignment state of the chiral smectic liquid crystal to the peak value of the AC voltage pulse is a constant value. For driving liquid crystal devices.
JP12368588A 1988-05-20 1988-05-20 Liquid crystal device and driving method thereof Expired - Fee Related JP2644528B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12368588A JP2644528B2 (en) 1988-05-20 1988-05-20 Liquid crystal device and driving method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12368588A JP2644528B2 (en) 1988-05-20 1988-05-20 Liquid crystal device and driving method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01293321A JPH01293321A (en) 1989-11-27
JP2644528B2 true JP2644528B2 (en) 1997-08-25

Family

ID=14866787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12368588A Expired - Fee Related JP2644528B2 (en) 1988-05-20 1988-05-20 Liquid crystal device and driving method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2644528B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01293321A (en) 1989-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4902107A (en) Ferroelectric liquid crystal optical device having temperature compensation
US4681404A (en) Liquid crystal device and driving method therefor
US20030063246A1 (en) Bistable nematic liquid crystal device
HK44096A (en) Ferroelectric liquid-crystal cell
EP0281341B1 (en) Flexoelectric liquid cristal device
JPH05281580A (en) Gray scale display device
US6784968B1 (en) Addressing bistable nematic liquid crystal devices
JPH0422496B2 (en)
US4917470A (en) Driving method for liquid crystal cell and liquid crystal apparatus
US5136408A (en) Liquid crystal apparatus and driving method therefor
JPH0422492B2 (en)
US5278684A (en) Parallel aligned chiral nematic liquid crystal display element
JPS61249025A (en) liquid crystal device
JP2644528B2 (en) Liquid crystal device and driving method thereof
JPH079508B2 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
JPH09311354A (en) Liquid crystal display element manufacturing method
JPH1054972A (en) Liquid crystal display device, liquid crystal display device driving circuit, and liquid crystal display device driving method
JP2525453B2 (en) Liquid crystal device and driving method thereof
JPH0448368B2 (en)
JPS61246722A (en) Liquid crystal optical element
US5550664A (en) Liquid crystal display device
WO1997002510A1 (en) Liquid crystal device
JPH03154029A (en) Gray scale liquid crystal device
JPH0833537B2 (en) Liquid crystal device and driving method thereof
CA1304485C (en) Liquid crystal display element and method for driving same

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees