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JP2650422B2 - Wafer grinding equipment - Google Patents
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JP2650422B2 - Wafer grinding equipment - Google Patents

Wafer grinding equipment

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JP2650422B2
JP2650422B2 JP15791989A JP15791989A JP2650422B2 JP 2650422 B2 JP2650422 B2 JP 2650422B2 JP 15791989 A JP15791989 A JP 15791989A JP 15791989 A JP15791989 A JP 15791989A JP 2650422 B2 JP2650422 B2 JP 2650422B2
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wafer
grinding
ground
surface roughness
dressing
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  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ウェーハ研削装置に関し、 ウェーハの研削面を表面あらさ測定手段によって測定
しながら、支持盤の回転速度を制御して、常に最適な研
削面が得られるようにして、研削作業の効率化を図るこ
とを目的とし、 回転駆動される多軸研削盤と、複数枚のウェーハが支
持され、かつウェーハの夫々が移動しながら対向する多
軸研削盤によって順次研削されるように、回転駆動され
る保持盤と、前記ウェーハの研削面に対向して設けられ
た表面あらさ測定手段との有し、前記保持盤の回転速度
が、表面あらさ測定手段によって制御されるように構成
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] Regarding a wafer grinding apparatus, a rotating surface of a support plate is controlled while a ground surface of a wafer is measured by a surface roughness measuring means so that an optimum ground surface is always obtained. In order to increase the efficiency of the grinding operation, a multi-axis grinding machine that is driven in rotation and a multi-axis grinding machine that supports a plurality of wafers and that each of the wafers move while facing each other are sequentially ground. As described above, the rotating disk is provided with a holding plate that is driven to rotate, and a surface roughness measuring unit provided to face the ground surface of the wafer, and the rotation speed of the holding plate is controlled by the surface roughness measuring unit. To be configured.

〔産業上の利用分野〕[Industrial applications]

本発明は、ウェーハ研削装置に係わり、特に、ウェー
ハの研削面を表面あらさ測定手段によって測定しなが
ら、支持盤の回転速度を制御するウェーハ研削装置に関
する。
The present invention relates to a wafer grinding apparatus, and more particularly, to a wafer grinding apparatus that controls a rotation speed of a support plate while measuring a ground surface of a wafer by a surface roughness measuring unit.

近年、マイクロエレクトロニクスの発展は目ざましい
ものがあるが、その発展は、半導体デバイスの技術革新
に負うところが大きい。
In recent years, the development of microelectronics has been remarkable, but the development largely depends on the technological innovation of semiconductor devices.

中でも、シリコン半導体を用いた集積回路の大規模化
・高集積化は、非常に急速な推移をしており、1チップ
内に集積される素子数は、メモリ素子の容量に換算すれ
ば、数年単位で4倍に拡大している。
Above all, the scale and integration of integrated circuits using silicon semiconductors have been changing very rapidly, and the number of elements integrated in one chip can be reduced to the number of memory elements. It has expanded four-fold on a yearly basis.

それに伴い、シリコンウェーハ(以下、ウェーハと略
称)からデバイスに仕上げるまでの一連の工程、いわゆ
るウェーハプロセスにおける各工程の製造技術的な改革
が強く進めされている。
Accordingly, a series of steps from a silicon wafer (hereinafter abbreviated as a wafer) to a device, that is, a so-called wafer process, has been strongly reformed in terms of manufacturing technology.

それに加えて、ウェーハプロセスの前後で行われるウ
ェーハに対する機械的な加工工程も地味な工程ではある
が、生産性を向上させる要の工程であるとして、重要視
されている。
In addition, mechanical processing steps on wafers performed before and after the wafer process are plain steps, but are regarded as important steps for improving productivity.

そして、この前後の工程の中で、ウェーハプロセスの
後、つまり素子が形成された後のウェーハの裏面を研削
して、所定の厚さと研削面に仕上げる研削工程は、付加
価値が最大限に増大したウェーハを扱う工程であるだけ
に、如何に効率よく行うかが重要な課題となっている。
In the process before and after this, after the wafer process, that is, the grinding process of grinding the back surface of the wafer after the elements are formed to finish it to a predetermined thickness and ground surface, the added value is maximized Since it is a process for handling a wafer that has been processed, how to perform it efficiently is an important issue.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図は従来のウェーハ研削装置の構成図、第4図は
従来の研削工程の流れ図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a conventional wafer grinding apparatus, and FIG. 4 is a flowchart of a conventional grinding process.

第3図はウェーハ3の研削を、3本の多軸の研削盤2
によって順次行うウェーハ研削装置1を示したものであ
る。
FIG. 3 shows grinding of a wafer 3 by three multi-axis grinding machines 2.
1 shows a wafer grinding apparatus 1 which is sequentially performed.

そして、研削盤2が3本のときは、例えば、保持盤4
の周囲を4等分した位置の3箇所にそれぞれ配置され、
残る1箇所の位置Aは、ウェーハ3の出し入れを行う場
所になっている。
When the number of the grinding machines 2 is three, for example,
Are placed in three places where the perimeter is divided into four equal parts,
The remaining one position A is a place where the wafer 3 is taken in and out.

3本のそれぞれの研削盤2の盤面には、研削歯6が固
着されている。
Grinding teeth 6 are fixed to the surface of each of the three grinding machines 2.

この研削歯6は、ダイヤモンド研磨粉を粘結剤によっ
て環状に成形固形化したもので、ダイヤモンドリングな
どとも呼ばれる。
The grinding teeth 6 are formed by annularly forming and solidifying diamond abrasive powder with a binder, and are also called diamond rings or the like.

そして、その研削歯6の先端の形状は、例えば、角柱
の突起が突出していたり、三角山形の突起が突出してい
たりしており、目的に応じて使い分けられている。
The shape of the tip of the grinding tooth 6 is, for example, a prism-shaped protrusion or a triangular-shaped protrusion, and is properly used depending on the purpose.

ところで、一般に、ウェーハプロセスにおいて用いら
れるウェーハは、工程中に反ったり破損したりすること
を避けるために、例えば、750μmといったかなり厚い
ものになっている。
By the way, in general, a wafer used in a wafer process is considerably thick, for example, 750 μm in order to avoid warping or breakage during the process.

ウェーハプロセスが終わった、この厚いウェーハ31
は、位置Aにおいて、例えば、真空チャックによって、
保持盤4に取り付けられる。
Wafer process is over, this thick wafer 31
At position A, for example, by a vacuum chuck,
It is attached to the holding board 4.

この保持盤4は、盤の周りにウェーハ3が、例えば、
8枚支持できる大きな構成で、この支持されたウェーハ
3が、例えば、毎分100mmの速度で移動するような周速
で回転する。
The holding plate 4 has a wafer 3 around the plate, for example,
With a large configuration capable of supporting eight wafers, the supported wafer 3 rotates at a peripheral speed such as to move at a speed of, for example, 100 mm per minute.

そして、例えば、毎分2,000回転で回っている。3つ
の研削盤2の第一研削盤21から第二研削盤22、第二研削
盤22から第三研削盤23へと、厚さが、例えば、500μm
の厚さになるように、順次研削されながら移動してい
く。
And, for example, it spins at 2,000 revolutions per minute. From the first grinder 21 of the three grinders 2 to the second grinder 22, and from the second grinder 22 to the third grinder 23, the thickness is, for example, 500 μm.
It is moved while being ground sequentially so as to have a thickness of.

こうして、第三研削盤23による研削が終わると、所定
の厚さと表面あらさとに仕上がったウェーハ32が、位置
Aから順次取り出される。
When the grinding by the third grinder 23 is completed in this way, the wafers 32 having a predetermined thickness and surface roughness are sequentially taken out from the position A.

この保持盤4が順次回転移動していく速さは、第4図
において、研削速度と呼び、研削工程の生産性を決める
重要な要素となっている。
The speed at which the holding platen 4 is sequentially rotated is called a grinding speed in FIG. 4 and is an important factor that determines the productivity of the grinding process.

同図の流れ図において、この研削速度は、通常、作業
を開始する時点で設定される。
In the flow chart of FIG. 7, this grinding speed is usually set at the time of starting the work.

一方、ウェーハ表面の研削のされ具合は、その前に研
削したロットの研削面の良否によって判定し、その判定
が良と出れば研削が行われる。
On the other hand, the degree of grinding of the wafer surface is determined based on the quality of the ground surface of the previously grounded lot. If the determination is good, grinding is performed.

もし、判定が否ならば、いわゆる段取り替えを行う。 If the determination is no, so-called setup change is performed.

すなわち、段取り替えとは、研削しようとするウェー
ハに替えて、保持盤にドレッシングボードと呼ばれる研
磨ボードを取り付け、研削歯をドレッシングすることで
ある。
That is, the setup change is to attach a polishing board called a dressing board to a holding board in place of a wafer to be ground and dress the ground teeth.

このドレッシングは、研削歯の粘結剤を削ってダイヤ
モンド粉末を露出させるもので、これによって研削歯が
再生される。
This dressing removes the binder from the grinding teeth to expose the diamond powder, thereby regenerating the grinding teeth.

また、ダミーのウェーハを用いて、ドレッシングと類
似の再生効果を得ることがプリカットと呼び、ドレッシ
ングに替わる研削歯の再生方法として行うこともある。
Obtaining a regenerating effect similar to that of dressing by using a dummy wafer is called pre-cut, and may be performed as a method of regenerating ground teeth instead of dressing.

そして、このドレッシングが終わると、ダミーウェー
ハを研削してみて、研削面が良ければ、通常の研削作業
を再開する。
When the dressing is completed, the dummy wafer is ground, and if the ground surface is good, the normal grinding operation is restarted.

もし、ダミーウェーハによる研削面の仕上がり状態が
悪ければ、作業の流れを戻して再びドレッシングを行
う。
If the finished state of the ground surface by the dummy wafer is not good, the work flow is returned and the dressing is performed again.

こうした一連の作業は、従来、手作業で行われてお
り、例えば、顔が映るかどうかで判断する目視による研
削面の仕上がり具合の確認とか、どちらかといえば試行
錯誤に近い研削歯のドレッシングとかは、研削工程の生
産性を著しく阻害する原因となっていた。
Conventionally, such a series of operations is performed manually, for example, by visually confirming the degree of finish of the ground surface by judging whether or not a face is reflected, or by dressing the grinding teeth which is close to trial and error. Has caused the productivity of the grinding process to be significantly impaired.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

以上述べたように、ウェーハプロセスによって素子が
形成済みのウェーハは、ウェーハプロセス中に反ったり
破損したりすることを防ぐために、厚めに加工されてい
る。
As described above, the wafer on which elements have been formed by the wafer process is processed to be thicker to prevent the wafer from being warped or damaged during the wafer process.

そこで、この素子が形成済みのウェーハは、所定の厚
さになるように、ウェーハの裏側を研削することが行わ
れる。
Therefore, the back side of the wafer on which the element has been formed is ground to a predetermined thickness.

この研削工程は、研削速度の設定にしても、ウェーハ
の研削面の仕上がり状態の確認にしても、研削歯のドレ
ッシングにしても、そのドレッシングの具合をダミーウ
ェーハによって評価するにしても、従来は、目視と手作
業に頼って行われていた。
Conventionally, this grinding process is performed regardless of whether the grinding speed is set, the finished state of the ground surface of the wafer is checked, the dressing of the grinding teeth is performed, or the state of the dressing is evaluated using a dummy wafer. , Relying on visual and manual work.

そのため、従来の研削工程においては、ウェーハの研
削面の不良や破損なども間々あり、生産性を著しく阻害
している問題があった。
For this reason, in the conventional grinding process, there is a problem that the grinding surface of the wafer is often defective or damaged, which significantly impairs productivity.

本発明は、ウェーハの研削面の監視を自動化するとと
もに、その監視の評価結果に基づいて研削速度を制御す
るようにし、研削工程の効率化を図る装置を提供するこ
とを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an apparatus that automates monitoring of a ground surface of a wafer and controls a grinding speed based on an evaluation result of the monitoring, thereby improving the efficiency of the grinding process.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上で述べた課題は、回転駆動される多軸研削盤と、複
数枚のウェーハが支持され、かつウェーハの夫々が移動
しながら対向する多軸研削盤によって順次研削されるよ
うに、回転駆動される保持盤と、前記ウェーハの研削面
に対向して設けられた表面あらさ測定手段とを有し、前
記保持盤の回転速度が、前記表面あらさ測定手段によっ
て制御されるように構成されたウェーハ研削装置によっ
て解決される。
The problem described above is a multi-axis grinding machine that is rotationally driven, and a plurality of wafers are supported, and the wafers are rotationally driven so that each of the wafers is sequentially ground by the opposing multi-axis grinding machines while moving. A wafer grinding machine having a surface roughness measuring means provided opposite to a grinding surface of the wafer, wherein the rotation speed of the holding disk is controlled by the surface roughness measuring means. Solved by the device.

〔作 用〕(Operation)

本発明においては、ウェーハの研削面を表面あらさ測
定手段によって監視し、その評価結果によって、ウェー
ハを支持する保持盤の回転速度、つまり、ウェーハの研
削時間を制御するようにしている。
In the present invention, the grinding surface of the wafer is monitored by the surface roughness measuring means, and the rotational speed of the holding plate supporting the wafer, that is, the grinding time of the wafer is controlled based on the evaluation result.

すなわち、ウェーハの研削面に不具合が生ずると、そ
の都度研削作業を中止して、ドレッシング、あるいはプ
リカット作業を行い、その結果の良否をダミーウェーハ
によって確認してから、本来の作業を再開する、という
従来の非効率的な研削工程に替えて、本発明において
は、常にウェーハの研削面を表面あらさ測定手段によっ
て自動的に監視するようにしている。
In other words, when a defect occurs on the ground surface of the wafer, the grinding operation is stopped each time, dressing or pre-cut operation is performed, the quality of the result is checked with a dummy wafer, and then the original operation is restarted. In place of the conventional inefficient grinding process, in the present invention, the ground surface of the wafer is always automatically monitored by the surface roughness measuring means.

そして、もし、研削歯の切れ味が悪くなり、研削面が
濁ったり、毟(むし)ったようになったりして不具合が
生じた場合には、保持盤の回転速度、つまりウェーハが
多軸研削盤を順次巡る速度を、予め設定した遅い速度に
自動的に減速するようにしている。
And, if the sharpness of the grinding teeth becomes poor and the grinding surface becomes cloudy or tears, causing troubles, the rotation speed of the holding plate, that is, the wafer is multiaxially ground. The speed of sequentially going around the board is automatically reduced to a preset slow speed.

こゝで、表面あらさ測定手段には、研削中のウェーハ
の表面を、接触しながら表面あらさを測定することも不
可能ではないが、非接触式の、例えば、電気マイクロメ
ータとか、空気マイクロメータ、あるいは光学式の表面
あらさ計などを用いるようにしている。
Here, it is not impossible for the surface roughness measuring means to measure the surface roughness while contacting the surface of the wafer being ground, but it is not necessary to use a non-contact type such as an electric micrometer or an air micrometer. Alternatively, an optical surface roughness meter or the like is used.

そして、この保持盤の回転速度を減速することによっ
て、多軸のそれぞれの研削盤の研削歯にドレッシングの
効果を与えることができる。
By reducing the rotation speed of the holding plate, a dressing effect can be given to the grinding teeth of each of the multi-axis grinding machines.

また、研削面に不都合が生じた場合に、その都度、ド
レッシングの効果の確認をダミーウェーハを用いて行わ
なくてもよいので、研削作業の能率向上も図ることがで
きる。
In addition, when a problem occurs on the ground surface, the effect of the dressing need not be checked using the dummy wafer each time, so that the efficiency of the grinding operation can be improved.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の実施例説明図、第2図は第1図は研
削工程の流れ図である。
FIG. 1 is an explanatory view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a flowchart of a grinding process.

第1図に示した本発明になるウェーハ研削装置1は、
8枚のウェーハ3が真空チャックによって支持できる保
持盤4を用い、研削盤2には3軸を用いた。
The wafer grinding apparatus 1 according to the present invention shown in FIG.
A holding plate 4 capable of supporting eight wafers 3 by a vacuum chuck was used, and a grinding machine 2 used three axes.

ウェーハ3の研削後の厚さの設定は、第一研削盤21が
0.61mm、第二研削盤22が0.58mm、第三研削盤23が0.52mm
で、最終的には0.52±0.05mmの範囲に入り、研削面の仕
上がりは鏡面であることを目標とした。
The thickness of the wafer 3 after the grinding is set by the first grinding machine 21.
0.61 mm, second grinder 22 is 0.58 mm, third grinder 23 is 0.52 mm
Thus, the final goal was to enter the range of 0.52 ± 0.05 mm, and the finish of the ground surface to be a mirror surface.

また、位置Aにおいて、スラッシングした厚さのまち
まちなウェーハ31を支持したり、研削の終わったウェー
ハ32を取り出すようにした。
Further, at the position A, the wafers 31 having different thicknesses subjected to thrashing are supported, and the wafers 32 which have been ground are taken out.

一方、表面あらさ測定手段5には、光切断式の表面あ
らさ計を用い、位置Aと第三研削盤23との間の研削が終
わったウェーハ3が測定できる位置に設けた。
On the other hand, the surface roughness measuring means 5 is provided at a position where the wafer 3 after grinding between the position A and the third grinding machine 23 can be measured using a light-section type surface roughness meter.

そして、周速が毎分140mmで、ゆっくり巡ってくる研
削済みのウェーハ3の研削面が従来の目視によって確認
したときと同様に、鏡面に仕上がらなくなったときの表
面あらさ計の出力レベルによって、保持盤4の回転速度
が、毎分80mmの周速になるように、図示していない制御
系によって制御できるようにした。
The peripheral speed is 140 mm per minute, and the same as when the ground surface of the slowly lapping ground wafer 3 is visually confirmed by the conventional visual inspection, the output level of the surface roughness meter when the mirror surface is no longer finished is maintained. The rotation speed of the panel 4 can be controlled by a control system (not shown) so that the peripheral speed is 80 mm per minute.

こうして、組み上げた本発明になるウェーハ研削装置
1を稼働させて、性能の評価を行った。
Thus, the assembled wafer grinding apparatus 1 according to the present invention was operated to evaluate the performance.

その結果、従来のような研削を中止して、ドレッシン
グボードによるドレッシングであるとか、ダミーウェー
ハによる研削面の仕上がりの確認とかの煩わしい作業を
行わなくても、ドレッシング相当の効果によって研削歯
の再生が行われることが確認できた。
As a result, the grinding teeth can be regenerated by the effect equivalent to the dressing without having to perform the conventional grinding and stop the troublesome work of dressing with a dressing board or checking the finish of the ground surface with a dummy wafer. It was confirmed that it was done.

こゝで、研削盤が何本の多軸になっているかとか、保
持盤に何枚のウェーハを支持するかなどは、種々の変形
か可能である。
Here, various modifications are possible, such as how many multi-axes the grinding machine has and how many wafers are supported on the holding board.

また、研削盤の回転速度や保持盤の周速などは、一義
的に決まる値ではなく、種々の変形が可能である。
In addition, the rotation speed of the grinding machine, the peripheral speed of the holding machine, and the like are not values that are determined uniquely, and various modifications are possible.

さらに、表面あらさ測定手段には、非接触の種々の方
式の表面あらさ計を用いることができるが、接触式の表
面あらさ計ももちろん含まれる。
Furthermore, various non-contact surface roughness meters can be used as the surface roughness measurement means, but a contact surface roughness meter is of course included.

そして、どの場所に設けるか、何個設けるかなどにも
種々の変形が可能である。
In addition, various modifications are possible as to where and how many are provided.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上述べたように、本発明によれば、従来の研削工程
において行われていた、研削速度の設定とか、ウェーハ
の研削面の仕上がり状態の確認とか、研削歯のドレッシ
ングとか、そのドレッシングの具合をダミーウェーハに
よって評価するとかなどのいろいろな作業、しかも、目
視と手作業に頼って行われていた煩雑な作業を、全部省
くことができる。
As described above, according to the present invention, the setting of the grinding speed, the confirmation of the finished state of the ground surface of the wafer, the dressing of the grinding teeth, and the condition of the dressing, which were performed in the conventional grinding process, are performed. Various operations such as evaluation using a dummy wafer, and complicated operations that have been performed by relying on visual observation and manual operation can be omitted.

また、それに伴って、従来の研削工程で間々起こって
いた、ウェーハの研削面の不良や破損などによる損失
も、激減させることができる。
Accordingly, the loss caused by the failure or breakage of the ground surface of the wafer, which has frequently occurred in the conventional grinding process, can be drastically reduced.

従って、本発明になるウェーハ研削装置によれば、ウ
ェーハプロセスを経た付加価値の高いウェーハを扱う研
削工程の生産性を、大幅に向上させる効果がある。
Therefore, according to the wafer grinding apparatus of the present invention, there is an effect that the productivity of the grinding process for handling high value-added wafers after the wafer process is greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の実施例説明図、 第2図は第1図は研削工程の流れ図、 第3図は従来のウェーハ研削装置の構成図、 第4図は従来の研削工程の流れ図、 である。 同図において、 1はウェーハ研削装置、2は研削盤、 3はウェーハ、4は保持盤、 5は表面あらさ測定手段、 6は研削歯、 である。 FIG. 1 is an explanatory view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flowchart of a grinding process, FIG. 3 is a block diagram of a conventional wafer grinding apparatus, and FIG. is there. In the figure, 1 is a wafer grinding device, 2 is a grinding machine, 3 is a wafer, 4 is a holding plate, 5 is a surface roughness measuring means, and 6 is a grinding tooth.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】回転駆動される多軸研削盤(2)と、 複数枚のウェーハ(3)が支持され、かつ該ウェーハ
(3)の夫々が移動しながら対向する前記多軸研削盤
(2)によって順次研削されるように、回転駆動される
保持盤(4)と、 前記ウェーハ(3)の研削面に対向して設けられた表面
あらさ測定手段(5)とを有し、 前記保持盤(4)の回転速度が、前記表面あらさ測定手
段(5)によって制御されることを特徴とするウェーハ
研削装置。
1. A multi-axis grinding machine (2) that is driven to rotate and a multi-axis grinding machine (2) that supports a plurality of wafers (3) and faces each of the wafers (3) while moving. And a surface roughness measuring means (5) provided to face the ground surface of the wafer (3) so as to be sequentially ground by (1); (4) The wafer grinding apparatus, wherein the rotation speed is controlled by the surface roughness measuring means (5).
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