JP2653566B2 - 半導体基板評価方法及び装置 - Google Patents
半導体基板評価方法及び装置Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
- H10P74/203—Structural properties, e.g. testing or measuring thicknesses, line widths, warpage, bond strengths or physical defects
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
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- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
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- G—PHYSICS
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板評価方法及
びその方法の実施に用いる装置に関し、さらにその装置
の較正に用いて好適な標準基板及びその製造方法に関す
る。
びその方法の実施に用いる装置に関し、さらにその装置
の較正に用いて好適な標準基板及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は半導体基板（ウェー
ハ）上に形成される。このため、ウェーハ内部の結晶性
はもとより、ウェーハの表面近傍の品質が非常に重要で
ある。このため、ウェーハ表面と、表面に影響を及ぼす
表面近傍の結晶性の評価がそれぞれ行われている。その
評価の多くは、酸化や拡散などの熱処理をしたときや、
ダメージを与えたときの、積層欠陥やスリップといった
結晶性の悪化の程度や、表面近傍の固溶酸素起因の析出
物の量で評価をしていた。
ハ）上に形成される。このため、ウェーハ内部の結晶性
はもとより、ウェーハの表面近傍の品質が非常に重要で
ある。このため、ウェーハ表面と、表面に影響を及ぼす
表面近傍の結晶性の評価がそれぞれ行われている。その
評価の多くは、酸化や拡散などの熱処理をしたときや、
ダメージを与えたときの、積層欠陥やスリップといった
結晶性の悪化の程度や、表面近傍の固溶酸素起因の析出
物の量で評価をしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の評価方法では、実際の半導体装置の製造プロセスに
おけると同様の熱処理を施さなければ、正確な評価はで
きない。
来の評価方法では、実際の半導体装置の製造プロセスに
おけると同様の熱処理を施さなければ、正確な評価はで
きない。
【０００４】また、ＤＲＡＭでは、高集積化に伴ない、
接合リーク特性などの電気特性がより重要となってきて
いる。しかし、上記特性には、上記評価では検出が難し
いほど微小な表面近傍の結晶欠陥が、影響を与える。こ
のため、上記従来の評価方法では差のみられないウェー
ハを用いた場合であっても、デバイスの歩留に明らかな
差異が認められるようになってきている。
接合リーク特性などの電気特性がより重要となってきて
いる。しかし、上記特性には、上記評価では検出が難し
いほど微小な表面近傍の結晶欠陥が、影響を与える。こ
のため、上記従来の評価方法では差のみられないウェー
ハを用いた場合であっても、デバイスの歩留に明らかな
差異が認められるようになってきている。
【０００５】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
その目的は、実際の半導体装置の製造プロセスにおける
と同様の熱処理を施すことなく、製品の歩留に影響を与
える結晶欠陥を検出することにより、半導体基板の評価
を可能とした方法及び装置を提供すること、さらにその
装置の較正に使用する標準基板及びその製造方法を提供
することにある。
その目的は、実際の半導体装置の製造プロセスにおける
と同様の熱処理を施すことなく、製品の歩留に影響を与
える結晶欠陥を検出することにより、半導体基板の評価
を可能とした方法及び装置を提供すること、さらにその
装置の較正に使用する標準基板及びその製造方法を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の評価方法
は、半導体基板をアルカリ性水溶液でエッチングする第
１のエッチング工程と、前記第１のエッチング工程でエ
ッチングした前記半導体基板の表面に光線や電子線等の
ビームを照射し、前記基板の表面における前記ビームの
第１の反射ビームを受ける第１の検査工程と、前記第１
のエッチング工程を経た前記半導体基板をアルカリ性水
溶液でエッチングする第２のエッチング工程と、前記第
２のエッチング工程でエッチングした前記半導体基板の
表面に光線や電子線等のビームを照射し、前記基板の表
面における前記ビームの第２の反射ビームを受ける第２
の検査工程と、前記第１反射ビームと前記第２反射ビー
ムとの関係から結晶欠陥と異物とを判別する工程と、こ
の半導体基板の表面近傍に存在する結晶欠陥の数と、こ
れらの欠陥の形状・大きさ・分布状態等の特性を得て、
この数及び特性から前記半導体基板を評価する評価工程
と、を備えるものとして構成される。
は、半導体基板をアルカリ性水溶液でエッチングする第
１のエッチング工程と、前記第１のエッチング工程でエ
ッチングした前記半導体基板の表面に光線や電子線等の
ビームを照射し、前記基板の表面における前記ビームの
第１の反射ビームを受ける第１の検査工程と、前記第１
のエッチング工程を経た前記半導体基板をアルカリ性水
溶液でエッチングする第２のエッチング工程と、前記第
２のエッチング工程でエッチングした前記半導体基板の
表面に光線や電子線等のビームを照射し、前記基板の表
面における前記ビームの第２の反射ビームを受ける第２
の検査工程と、前記第１反射ビームと前記第２反射ビー
ムとの関係から結晶欠陥と異物とを判別する工程と、こ
の半導体基板の表面近傍に存在する結晶欠陥の数と、こ
れらの欠陥の形状・大きさ・分布状態等の特性を得て、
この数及び特性から前記半導体基板を評価する評価工程
と、を備えるものとして構成される。
【０００７】本発明の第１の評価装置は、半導体基板を
アルカリ性水溶液で複数回繰り返してエッチング可能な
エッチング機構と、エッチングする毎に前記半導体基板
の表面に光線や電子線等のビームを照射可能なビーム射
出手段と、前記ビームの前記基板表面における反射ビー
ムをその都度受けることのできる反射ビーム検出手段
と、前記反射ビーム検出手段からの各出力によって結晶
欠陥と異物とを判別する判別手段、この半導体基板の表
面近傍に存在する結晶欠陥の数と、これらの欠陥の形状
・大きさ・分布状態等の特性を得て、この数及び特性か
ら前記基板を評価する評価手段と、を備えるものとして
構成される。
アルカリ性水溶液で複数回繰り返してエッチング可能な
エッチング機構と、エッチングする毎に前記半導体基板
の表面に光線や電子線等のビームを照射可能なビーム射
出手段と、前記ビームの前記基板表面における反射ビー
ムをその都度受けることのできる反射ビーム検出手段
と、前記反射ビーム検出手段からの各出力によって結晶
欠陥と異物とを判別する判別手段、この半導体基板の表
面近傍に存在する結晶欠陥の数と、これらの欠陥の形状
・大きさ・分布状態等の特性を得て、この数及び特性か
ら前記基板を評価する評価手段と、を備えるものとして
構成される。
【０００８】
【作用】半導体基板をエッチングすると、表面上の欠陥
としての凹部の径は、エッチング量に依存して大きくな
る。このため、あるエッチング量と、他のエッチング量
においては、同一の欠陥であっても、その大きさは変化
する。これに対し、微粒子の径はエッチング量と無関係
である。よって、ビームを照射すると、２つの異なるエ
ッチング量における同一点での反射ビームが異なるもの
として得られたときには、それは欠陥であると認識され
る。
としての凹部の径は、エッチング量に依存して大きくな
る。このため、あるエッチング量と、他のエッチング量
においては、同一の欠陥であっても、その大きさは変化
する。これに対し、微粒子の径はエッチング量と無関係
である。よって、ビームを照射すると、２つの異なるエ
ッチング量における同一点での反射ビームが異なるもの
として得られたときには、それは欠陥であると認識され
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１０】図１は、本発明の実施例に係る評価装置の
平面的な概略図を示す。
平面的な概略図を示す。
【００１１】図中、１０１は測定ウェーハ用キャリア、
１０２は測定済ウェーハ用キャリアを示す。測定時に
は、ウェーハをキャリア１０１にセットし、キャリア１
０２を空の状態にセットする。測定時には、キャリア１
０１から、ウェーハ搬送機１０４により、ウェーハを１
枚ぬき取り、そのウェーハをエッチングチェンバ１０６
内のウェーハチャックへ載置する。エッチングチェンバ
１０６は、薬液に対し不活性なＰＴＦＥでできており、
円板状のウェーハ載置台とカバーとを有する。つまり、
カバーによってチェンバ１０６内が密閉可能に開閉され
る。エッチングチェンバ１０６には、排液口、薬液供給
口、純水供給口、および高純度Ｎ２ガス供給口が設けら
れている。そして、図２に示したフローに従って、ウェ
ーハに対してのエッチング（Ｓ３）、水洗（Ｓ４）およ
び乾燥（Ｓ５）を行う。エッチング液としては、ＮＨ４
ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５のものを用いる。
１０２は測定済ウェーハ用キャリアを示す。測定時に
は、ウェーハをキャリア１０１にセットし、キャリア１
０２を空の状態にセットする。測定時には、キャリア１
０１から、ウェーハ搬送機１０４により、ウェーハを１
枚ぬき取り、そのウェーハをエッチングチェンバ１０６
内のウェーハチャックへ載置する。エッチングチェンバ
１０６は、薬液に対し不活性なＰＴＦＥでできており、
円板状のウェーハ載置台とカバーとを有する。つまり、
カバーによってチェンバ１０６内が密閉可能に開閉され
る。エッチングチェンバ１０６には、排液口、薬液供給
口、純水供給口、および高純度Ｎ２ガス供給口が設けら
れている。そして、図２に示したフローに従って、ウェ
ーハに対してのエッチング（Ｓ３）、水洗（Ｓ４）およ
び乾燥（Ｓ５）を行う。エッチング液としては、ＮＨ４
ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５のものを用いる。
【００１２】エッチング後乾燥させたウェーハ１０７
を、搬送機１０４により欠陥検出装置１０５へ搬送する
（Ｓ６，Ｓ７）。欠陥検出装置１０５内の真空チャック
１０８にウェーハ１０７を固定し、エッチングにより顕
在化させたウェーハ表面の欠陥を検出する（Ｓ８）。こ
の装置１０５はＨｅ−Ｎｅレーザーを有する。このレー
ザーからのレーザー光をウェーハの表面に照射する。レ
ーザー光はウェーハ表面の欠陥で散乱する。その散乱光
をフォトマルチプライヤにより受光し、電気量へ変換す
る。このときの光照射位置を検出することにより、ウェ
ーハ面内の座標における光散乱量のマッピングが可能と
なる。このマッピングデータは、演算装置１０３内のメ
モリに記憶される。なお、エッチングから欠陥検出まで
の工程（Ｓ１〜Ｓ８）はプログラムにより任意回数繰り
返すことができる（Ｒ１）。検出済のウェーハをウェー
ハキャリア１０２へ搬送する（Ｓ９）。この後、演算装
置１０３からデータを出力する（Ｓ１０）。この演算装
置１０３は、フォトマルチプライヤからの出力に基づい
て評価も行う。以上のステップＳ１〜Ｓ１０を、異なる
ウェーハについて繰返す（Ｒ２）。上記検査は、０．５
μｍ以上の微粒子が１００００個／ｔｆ３以下の環境下
で行うのが望ましい。
を、搬送機１０４により欠陥検出装置１０５へ搬送する
（Ｓ６，Ｓ７）。欠陥検出装置１０５内の真空チャック
１０８にウェーハ１０７を固定し、エッチングにより顕
在化させたウェーハ表面の欠陥を検出する（Ｓ８）。こ
の装置１０５はＨｅ−Ｎｅレーザーを有する。このレー
ザーからのレーザー光をウェーハの表面に照射する。レ
ーザー光はウェーハ表面の欠陥で散乱する。その散乱光
をフォトマルチプライヤにより受光し、電気量へ変換す
る。このときの光照射位置を検出することにより、ウェ
ーハ面内の座標における光散乱量のマッピングが可能と
なる。このマッピングデータは、演算装置１０３内のメ
モリに記憶される。なお、エッチングから欠陥検出まで
の工程（Ｓ１〜Ｓ８）はプログラムにより任意回数繰り
返すことができる（Ｒ１）。検出済のウェーハをウェー
ハキャリア１０２へ搬送する（Ｓ９）。この後、演算装
置１０３からデータを出力する（Ｓ１０）。この演算装
置１０３は、フォトマルチプライヤからの出力に基づい
て評価も行う。以上のステップＳ１〜Ｓ１０を、異なる
ウェーハについて繰返す（Ｒ２）。上記検査は、０．５
μｍ以上の微粒子が１００００個／ｔｆ３以下の環境下
で行うのが望ましい。
【００１３】このような構成の評価装置を用いることに
より、１枚のウェーハについて複数回のエッチングおよ
び欠陥検出をくりかえすことが自動的に行える。これ
は、作業者の負担軽減となる。また、エッチングを繰り
返すと、ウェーハ表面に顕在する欠陥は大きくなるもの
の、ウェーハ表面上に付着している微粒子は、その数に
ばらつきは生じても大きさは変化しない。このため、検
出時に得たマッピングのデータから、ある特定の座標に
存在する光散乱物体が微粒子であるか欠陥であるかを見
分けることができる。これは、複数回のエッチングを行
うことによって、より顕著となる。つまり、欠陥の数と
大きさからウェーハの評価ができる。
より、１枚のウェーハについて複数回のエッチングおよ
び欠陥検出をくりかえすことが自動的に行える。これ
は、作業者の負担軽減となる。また、エッチングを繰り
返すと、ウェーハ表面に顕在する欠陥は大きくなるもの
の、ウェーハ表面上に付着している微粒子は、その数に
ばらつきは生じても大きさは変化しない。このため、検
出時に得たマッピングのデータから、ある特定の座標に
存在する光散乱物体が微粒子であるか欠陥であるかを見
分けることができる。これは、複数回のエッチングを行
うことによって、より顕著となる。つまり、欠陥の数と
大きさからウェーハの評価ができる。
【００１４】図３は、その評価フローの１例を示す。同
図において、Ａｎ（Ｘ，Ｙ）、Ｃは、それぞれ、 Ａｎ（Ｘ，Ｙ）：ｎ回エッチング（Ｓ３）を繰り返した
後の光散乱強度。この強度は散乱を生じさせる粒子、溝
等の径に比例。 Ｃ：ばらつきを表わす係数。 を示す。つまり、エッチング数が増えているにも拘ら
ず、あるウェーハのある座標点において、散乱光強度が
増大したか（Ｓ２３のＹｅｓ）、しないか（Ｓ２３のＮ
Ｏ）によって、光散乱物体が欠陥か、微粒子かが判定で
きる。
図において、Ａｎ（Ｘ，Ｙ）、Ｃは、それぞれ、 Ａｎ（Ｘ，Ｙ）：ｎ回エッチング（Ｓ３）を繰り返した
後の光散乱強度。この強度は散乱を生じさせる粒子、溝
等の径に比例。 Ｃ：ばらつきを表わす係数。 を示す。つまり、エッチング数が増えているにも拘ら
ず、あるウェーハのある座標点において、散乱光強度が
増大したか（Ｓ２３のＹｅｓ）、しないか（Ｓ２３のＮ
Ｏ）によって、光散乱物体が欠陥か、微粒子かが判定で
きる。
【００１５】なお、上記実施例において、上記エッチン
グ液として、例えば、コリンとＨ２Ｏ２を含む液を用い
ることもできる。また、エッチング時間を制御可能な場
合には、ウェーハのエッチングを繰り返すことなく、あ
る所定の時間だけ一回でエッチングするようにしてもよ
い。
グ液として、例えば、コリンとＨ２Ｏ２を含む液を用い
ることもできる。また、エッチング時間を制御可能な場
合には、ウェーハのエッチングを繰り返すことなく、あ
る所定の時間だけ一回でエッチングするようにしてもよ
い。
【００１６】また、欠陥の検出に用いるレーザーとし
て、Ｈｅ−Ｎｅレーザーに代えて、他のレーザーや電子
線など、所望の微小な凹凸を検出しうるソースを用いる
ことが可能である。当然、検出子（プローバー）を光検
出子に限る必要もないのもいうまでもない。
て、Ｈｅ−Ｎｅレーザーに代えて、他のレーザーや電子
線など、所望の微小な凹凸を検出しうるソースを用いる
ことが可能である。当然、検出子（プローバー）を光検
出子に限る必要もないのもいうまでもない。
【００１７】図４は、図１のエッチングチェンバ１０６
と光散乱式欠陥検出装置１０５とを一体化したものを示
す。被測定用ウェーハ２０１は、真空チャック２０５に
保持され、所望の回転数による回転が可能である。これ
らが納まっているエッチングチェンバ２０６内には、パ
ージ・乾燥用ガス口２０８、レーザー光入射窓２０４、
散乱光検出器２０３、およびエッチング液注入口２０９
が設けられている。排液・排気口は図示されていないが
薬液注入口２０９に並行して設けることができる。
と光散乱式欠陥検出装置１０５とを一体化したものを示
す。被測定用ウェーハ２０１は、真空チャック２０５に
保持され、所望の回転数による回転が可能である。これ
らが納まっているエッチングチェンバ２０６内には、パ
ージ・乾燥用ガス口２０８、レーザー光入射窓２０４、
散乱光検出器２０３、およびエッチング液注入口２０９
が設けられている。排液・排気口は図示されていないが
薬液注入口２０９に並行して設けることができる。
【００１８】このチェンバ２０６内で、エッチングから
ウェーハ乾燥、欠陥検出まで一貫して行うことができ
る。このため、図１に示した装置よりも、エッチングを
繰り返すたびにわずかながら増減する微粒子の増減幅
（ばらつき）が少なくなるという利点がある。これによ
り、より精度の高い欠陥検出が可能となる。
ウェーハ乾燥、欠陥検出まで一貫して行うことができ
る。このため、図１に示した装置よりも、エッチングを
繰り返すたびにわずかながら増減する微粒子の増減幅
（ばらつき）が少なくなるという利点がある。これによ
り、より精度の高い欠陥検出が可能となる。
【００１９】なお、ウェーハ２０１の出入れは、チェン
バ２０６上端の蓋２０７を開閉して、ウェーハ搬送機に
よって行われる。真空チャック２０５に固定されたウェ
ーハ２０１が、チャック２０５の下降に伴って、Ｏリン
グ２１０に密閉状態に当接する。次に、注入口２０９よ
りエッチング液を注入し、エッチングを行う。エッチン
グ後、図示しない純水口より純水を注入して水洗いす
る。この後、排液し、チャック２０５を上昇させてウェ
ーハ２０１をＯリングより離す。そして、ウェーハ２０
１を回転しつつ、ガス口２０８より乾燥空気または
Ｎ２、Ａｎ等の高純度ガスをウェーハ２０１に吹き付け
て、ウェーハ２０１を乾燥させる。ウェーハ２０１乾燥
後、レーザー照射し、散乱されたレーザー光を検出し
て、欠陥を認識する。この認識方法は前述の方法と同様
である。レーザー光入射窓２０４や検出器２０３等は、
エッチング液に充分耐えられる材質を用いる必要がある
のは当然である。このような方式であれば、上述の如
く、測定中におけるウェーハ２０１上の微粒子の増減が
より少なくなり、精度の高い欠陥検出が可能である。
バ２０６上端の蓋２０７を開閉して、ウェーハ搬送機に
よって行われる。真空チャック２０５に固定されたウェ
ーハ２０１が、チャック２０５の下降に伴って、Ｏリン
グ２１０に密閉状態に当接する。次に、注入口２０９よ
りエッチング液を注入し、エッチングを行う。エッチン
グ後、図示しない純水口より純水を注入して水洗いす
る。この後、排液し、チャック２０５を上昇させてウェ
ーハ２０１をＯリングより離す。そして、ウェーハ２０
１を回転しつつ、ガス口２０８より乾燥空気または
Ｎ２、Ａｎ等の高純度ガスをウェーハ２０１に吹き付け
て、ウェーハ２０１を乾燥させる。ウェーハ２０１乾燥
後、レーザー照射し、散乱されたレーザー光を検出し
て、欠陥を認識する。この認識方法は前述の方法と同様
である。レーザー光入射窓２０４や検出器２０３等は、
エッチング液に充分耐えられる材質を用いる必要がある
のは当然である。このような方式であれば、上述の如
く、測定中におけるウェーハ２０１上の微粒子の増減が
より少なくなり、精度の高い欠陥検出が可能である。
【００２０】以上詳述した様に、上述の方法では、ウェ
ーハのエッチングとそれに続く散乱体の検出を複数回行
うようにした。このため、エッチング量に依存して大き
くなる欠陥と、エッチング量に依存しない微粒子との分
離を行うことができる。かつ、欠陥の数も把握できる。
このため、半導体デバイス等の製造歩留に影響するよう
なウェーハ表面近傍の結晶欠陥を、熱処理を行うことな
く、きわめて容易に評価できる。
ーハのエッチングとそれに続く散乱体の検出を複数回行
うようにした。このため、エッチング量に依存して大き
くなる欠陥と、エッチング量に依存しない微粒子との分
離を行うことができる。かつ、欠陥の数も把握できる。
このため、半導体デバイス等の製造歩留に影響するよう
なウェーハ表面近傍の結晶欠陥を、熱処理を行うことな
く、きわめて容易に評価できる。
【００２１】処理済のウェーハの表面をレーザー光で検
査するに当っては、レーザー光をウェーハ表面へ複数の
異なる入射角をもって入射させることも非常に有意義で
ある。
査するに当っては、レーザー光をウェーハ表面へ複数の
異なる入射角をもって入射させることも非常に有意義で
ある。
【００２２】図５は、レーザー光１０３，１０５を２つ
の異なる入射角θ１，θ２をもって入射させるようにし
た装置の一例を示す。
の異なる入射角θ１，θ２をもって入射させるようにし
た装置の一例を示す。
【００２３】図中、２０１はウェーハ、２０２および２
０４は散乱光検出器、２０３，２０５はレーザー光を示
す。２０６は自転可能なウェーハチャックで、ウェーハ
面に平行な方向に移動可能である。散乱光検出器２０２
は、レーザー光２０３からの散乱光を、散乱光検出器１
０４はレーザー光１０５からの散乱光をそれぞれ検出す
る。計測方法を次に述べる。被測定用のウェーハ２０１
をウェーハチャック１０６に固定し、所定の回転数で回
転させる。次に、先ず、レーザー光２０３をウェーハ２
０１の端に照射し、照射した部分の直上へ散乱光検出器
２０４を移動させる。散乱光が検出された時、ウェーハ
チャック１０６のウェーハ面方向移動量から検出部のウ
ェーハの座標位置を記憶装置に記憶させる。つまり、図
５中のレーザー光２０３による散乱光強度のマップを表
１の如く作成する。
０４は散乱光検出器、２０３，２０５はレーザー光を示
す。２０６は自転可能なウェーハチャックで、ウェーハ
面に平行な方向に移動可能である。散乱光検出器２０２
は、レーザー光２０３からの散乱光を、散乱光検出器１
０４はレーザー光１０５からの散乱光をそれぞれ検出す
る。計測方法を次に述べる。被測定用のウェーハ２０１
をウェーハチャック１０６に固定し、所定の回転数で回
転させる。次に、先ず、レーザー光２０３をウェーハ２
０１の端に照射し、照射した部分の直上へ散乱光検出器
２０４を移動させる。散乱光が検出された時、ウェーハ
チャック１０６のウェーハ面方向移動量から検出部のウ
ェーハの座標位置を記憶装置に記憶させる。つまり、図
５中のレーザー光２０３による散乱光強度のマップを表
１の如く作成する。
【００２４】 即ち、ある座標位置で散乱光が検出された場合、その座
標位置との関係で、散乱光の強度に対応した値が記憶さ
れる。また、図５中のレーザー光２０５による散乱光の
マップも、上記と同様に記憶する。この時に、ウェーハ
チャック２０６のモータの信号から、レーザー光２０３
による場合と同一の座標関係で散乱光強度を検出するこ
とができる。
標位置との関係で、散乱光の強度に対応した値が記憶さ
れる。また、図５中のレーザー光２０５による散乱光の
マップも、上記と同様に記憶する。この時に、ウェーハ
チャック２０６のモータの信号から、レーザー光２０３
による場合と同一の座標関係で散乱光強度を検出するこ
とができる。
【００２５】ウェーハ２０１の全面をレーザー光２０
３，２０５で走査し終えた後に、２つのレーザー光２０
３，２０５における散乱光強度の比較を行う。即ち、図
７に示すように、凸部よりも凹部からの散乱光の方がレ
ーザーの入射角依存性が高い。このため、入射角の異な
る２つのレーザー光による同一の凹部からの散乱光の比
をとると、同一の凸部からの散乱光の比に比べて大きな
値になる。このことから、例えば表２に示すように、散
乱体の径の大きさを、入射角θの大きな方の散乱光検出
器を用いて計測する。
３，２０５で走査し終えた後に、２つのレーザー光２０
３，２０５における散乱光強度の比較を行う。即ち、図
７に示すように、凸部よりも凹部からの散乱光の方がレ
ーザーの入射角依存性が高い。このため、入射角の異な
る２つのレーザー光による同一の凹部からの散乱光の比
をとると、同一の凸部からの散乱光の比に比べて大きな
値になる。このことから、例えば表２に示すように、散
乱体の径の大きさを、入射角θの大きな方の散乱光検出
器を用いて計測する。
【００２６】 そして、散乱体の形状（凸か凹か）を判断するのに、散
乱光強度Ｉの比としてＩθ１／Ｉθ２（θ１＞θ２：図
５参照）を用いる。これにより、散乱体の形状と大きさ
を評価することが可能となる。これらの散乱体の分布は
図６に示したマップから出力可能なことは明白である。
乱光強度Ｉの比としてＩθ１／Ｉθ２（θ１＞θ２：図
５参照）を用いる。これにより、散乱体の形状と大きさ
を評価することが可能となる。これらの散乱体の分布は
図６に示したマップから出力可能なことは明白である。
【００２７】以上詳述した装置を用いることで、半導体
ウェーハの結晶性の評価をすることが可能である。前述
のように、本装置で散乱光を検出する前に、ウェーハは
所定の条件で処理される。即ち、例えばＮＨ４ＯＨ：Ｈ
２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５の液を７０℃とし、これに
ウェーハを１０分間浸漬する。この後、純水で１０分間
流水洗浄する。このような処理を行うことにより、ウェ
ーハ表面に存在する微小な欠陥部が選択的にエッチング
され、０．１μｍ程度の微小な欠陥（エッチピット）が
発生する。上記液および純水は当然のことながら微粒子
を全く含まないものが望ましい。実際には、処理槽や乾
燥機および薬液、純水からもある程度の微粒子の付着が
生ずるのは防げない。このため、上記処理で顕在化させ
たエッチピットと微粒子との区別が必要となり、本装置
によりそれが達成されるのである。
ウェーハの結晶性の評価をすることが可能である。前述
のように、本装置で散乱光を検出する前に、ウェーハは
所定の条件で処理される。即ち、例えばＮＨ４ＯＨ：Ｈ
２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５の液を７０℃とし、これに
ウェーハを１０分間浸漬する。この後、純水で１０分間
流水洗浄する。このような処理を行うことにより、ウェ
ーハ表面に存在する微小な欠陥部が選択的にエッチング
され、０．１μｍ程度の微小な欠陥（エッチピット）が
発生する。上記液および純水は当然のことながら微粒子
を全く含まないものが望ましい。実際には、処理槽や乾
燥機および薬液、純水からもある程度の微粒子の付着が
生ずるのは防げない。このため、上記処理で顕在化させ
たエッチピットと微粒子との区別が必要となり、本装置
によりそれが達成されるのである。
【００２８】以上詳述した様に、この装置では、半導体
ウェーハ上に照射する光を同一箇所に対し、少なくとも
２種以上の入射角で入射させるようにしている。散乱光
の強度は散乱体の形状（凹および凸）で散乱光の強度比
が異なること。このため、一方の散乱光強度から散乱体
の大きさを判断できる。また、高入射角からの散乱光強
度と低入射角からの散乱光強度との比から、散乱体が凹
であるか凸であるかを判断することができる。つまり、
前処理として、ｐＨ８以上の雰囲気に半導体ウェーハを
晒し、微小欠陥をエッチピットの形で顕在化させたもの
の数と分布を、簡便に測定することができる。
ウェーハ上に照射する光を同一箇所に対し、少なくとも
２種以上の入射角で入射させるようにしている。散乱光
の強度は散乱体の形状（凹および凸）で散乱光の強度比
が異なること。このため、一方の散乱光強度から散乱体
の大きさを判断できる。また、高入射角からの散乱光強
度と低入射角からの散乱光強度との比から、散乱体が凹
であるか凸であるかを判断することができる。つまり、
前処理として、ｐＨ８以上の雰囲気に半導体ウェーハを
晒し、微小欠陥をエッチピットの形で顕在化させたもの
の数と分布を、簡便に測定することができる。
【００２９】上述の装置（光散乱方式ウェーハ表面パー
ティクル計測装置）は、予め感度較正をしておく必要が
ある。その感度較正には従来ポリスチレンラテックス製
の標準粒子を塗布した鏡面ウェーハを、標準ウェーハと
して使用していた。しかしながら、ポリスチレンラテッ
クス製の標準粒子を塗布した標準ウェーハの使用には以
下のような問題があった。 １） 均一な塗布が困難。特に低密度領域の塗布は不可
能に近く、パーティクル密度を保証した標準ウェーハは
皆無である。 ２） 保管環境や取り扱いによる経時変化が発生し易
い。 ３） 標準粒子塗布作業は手作業となるため、作成に時
間を要しばらつきも多い。 ４） 塗布した標準粒子と、塗布後ウェーハ表面に付着
したパーティクルとは見分けがつかず、標準ウェーハと
しての信頼性に欠ける。
ティクル計測装置）は、予め感度較正をしておく必要が
ある。その感度較正には従来ポリスチレンラテックス製
の標準粒子を塗布した鏡面ウェーハを、標準ウェーハと
して使用していた。しかしながら、ポリスチレンラテッ
クス製の標準粒子を塗布した標準ウェーハの使用には以
下のような問題があった。 １） 均一な塗布が困難。特に低密度領域の塗布は不可
能に近く、パーティクル密度を保証した標準ウェーハは
皆無である。 ２） 保管環境や取り扱いによる経時変化が発生し易
い。 ３） 標準粒子塗布作業は手作業となるため、作成に時
間を要しばらつきも多い。 ４） 塗布した標準粒子と、塗布後ウェーハ表面に付着
したパーティクルとは見分けがつかず、標準ウェーハと
しての信頼性に欠ける。
【００３０】このため、上記従来の標準ウェーハに代え
て、本発明者らが新たに提案する以下の標準ウェーハを
使用するのが望ましい。即ち、本発明者らが提案する標
準ウェーハは、ウェーハの表面に凹部を形成したもので
ある。そのウェーハは、アルカリ系の洗浄薬液中ではシ
リコンウェーハ表層部の欠陥が選択エッチングされる性
質と、欠陥密度は結晶基板作成方法により任意にコント
ロール可能なことを利用した技術手段により作成したも
のである。洗浄薬液中でのシリコンウェーハのエッチン
グ速度は０〜１００オングストローム／分の範囲で調整
できる。このため凹部（パーティクルサイズに相当）の
大きさのコントロールは容易である。
て、本発明者らが新たに提案する以下の標準ウェーハを
使用するのが望ましい。即ち、本発明者らが提案する標
準ウェーハは、ウェーハの表面に凹部を形成したもので
ある。そのウェーハは、アルカリ系の洗浄薬液中ではシ
リコンウェーハ表層部の欠陥が選択エッチングされる性
質と、欠陥密度は結晶基板作成方法により任意にコント
ロール可能なことを利用した技術手段により作成したも
のである。洗浄薬液中でのシリコンウェーハのエッチン
グ速度は０〜１００オングストローム／分の範囲で調整
できる。このため凹部（パーティクルサイズに相当）の
大きさのコントロールは容易である。
【００３１】エッチングにより発生する凹部の数（パー
ティクル密度に相当）も結晶基板作成方法により０〜１
０００個／ｃｍ２の範囲で調整力可能である。
ティクル密度に相当）も結晶基板作成方法により０〜１
０００個／ｃｍ２の範囲で調整力可能である。
【００３２】以下に、上記新たに提案した標準ウェーハ
について詳述する。
について詳述する。
【００３３】新たに提案する標準ウェーハのアルカリエ
ッチング前後の概略断面図を図８に示す。（ａ）はエッ
チング前断面図、（ｂ）はエッチング後断面図を示す。
ッチング前後の概略断面図を図８に示す。（ａ）はエッ
チング前断面図、（ｂ）はエッチング後断面図を示す。
【００３４】シリコンウェーハ１の内部には、シリコン
単結晶育成時やウェーハ加工後の熱処理時に生成され
た、酸素、炭素、金属不純物を核とした析出物３が存在
している。また、析出物の密度は、単結晶育成条件、酸
素濃度、炭素濃度、金属不純量及び熱処理条件等によ
り、０〜１０９個／ｃｍ３の範囲内に分布している。
単結晶育成時やウェーハ加工後の熱処理時に生成され
た、酸素、炭素、金属不純物を核とした析出物３が存在
している。また、析出物の密度は、単結晶育成条件、酸
素濃度、炭素濃度、金属不純量及び熱処理条件等によ
り、０〜１０９個／ｃｍ３の範囲内に分布している。
【００３５】機械研磨後のウェーハ表面４にも、析出物
２は存在する。この状態では、析出物２のサイズが小さ
いため、レーザー光を当てても散乱光は生じない。この
ため、パーティクル測定装置の標準ウェーハには使えな
い。しかし、これら析出物２は、アルカリ系の薬品処理
でシリコンに対し１００以上の高選択比でエッチングさ
れる性質がある。このため、アルカリ性のメカノケミカ
ルポリッシング剤によるミラーポリッシングや、アンモ
ニア水／過酸化水素水／水（容積比一例 １：１：４）
処理液により析出物２は選択エッチングされ、凹部５を
形成する。凹部５の大きさはアルカリ性薬液処理時間で
調整可能である。図１０に、薬液処理時間と凹部の大き
さ（直径）との対応データ例を示す。凹部の密度は、前
記したように、ウェーハ結晶の種類により異なる。凹部
密度は、ウェーハ結晶において、ＦＺ＜ＣＺ、Ｅｐｉ＜
ＣＺ）低酸素密度＜高酸素密度等の性質を有する（図１
１参照）。
２は存在する。この状態では、析出物２のサイズが小さ
いため、レーザー光を当てても散乱光は生じない。この
ため、パーティクル測定装置の標準ウェーハには使えな
い。しかし、これら析出物２は、アルカリ系の薬品処理
でシリコンに対し１００以上の高選択比でエッチングさ
れる性質がある。このため、アルカリ性のメカノケミカ
ルポリッシング剤によるミラーポリッシングや、アンモ
ニア水／過酸化水素水／水（容積比一例 １：１：４）
処理液により析出物２は選択エッチングされ、凹部５を
形成する。凹部５の大きさはアルカリ性薬液処理時間で
調整可能である。図１０に、薬液処理時間と凹部の大き
さ（直径）との対応データ例を示す。凹部の密度は、前
記したように、ウェーハ結晶の種類により異なる。凹部
密度は、ウェーハ結晶において、ＦＺ＜ＣＺ、Ｅｐｉ＜
ＣＺ）低酸素密度＜高酸素密度等の性質を有する（図１
１参照）。
【００３６】図９は、上述の方法で作成した標準ウェー
ハの、パーティクル測定装置（０．１μｍ対応）による
測定結果を示す。
ハの、パーティクル測定装置（０．１μｍ対応）による
測定結果を示す。
【００３７】上述の本発明者らの提案した標準ウェーハ
には、次のような効果が得られる。 １） 標準ウェーハ表面の凹部からは、ウェーハ表面に
塗布した標準粒子と同様に、レーザー光照射による散乱
光を得ることができる。
には、次のような効果が得られる。 １） 標準ウェーハ表面の凹部からは、ウェーハ表面に
塗布した標準粒子と同様に、レーザー光照射による散乱
光を得ることができる。
【００３８】凹部の大きさはアルカリ系薬液によるウェ
ーハ処理時間により、密度は結晶製法やウェーハ熱処理
条件により任意に選択できる。このため、パーティクル
の大きさと同時に、従来不可能であったパーティクル密
度も保証できる。 ２） 量産化が可能なので、標準ウェーハの大量供給が
できる。 ３） 保管時や取り扱い時に付着した標準ウェーハ表面
の汚れやパーティクルは、通常の薬液洗浄により除去で
きる。これにより、従来の標準粒子塗布法の標準ウェー
ハに見られるようなパーティクル密度や大きさの経時変
化はなくなる。
ーハ処理時間により、密度は結晶製法やウェーハ熱処理
条件により任意に選択できる。このため、パーティクル
の大きさと同時に、従来不可能であったパーティクル密
度も保証できる。 ２） 量産化が可能なので、標準ウェーハの大量供給が
できる。 ３） 保管時や取り扱い時に付着した標準ウェーハ表面
の汚れやパーティクルは、通常の薬液洗浄により除去で
きる。これにより、従来の標準粒子塗布法の標準ウェー
ハに見られるようなパーティクル密度や大きさの経時変
化はなくなる。
【００３９】これにより、標準ウェーハとしての信頼性
も向上する。
も向上する。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板をエッチン
グするに当り、アルカリ性水溶液を用いるようにしたの
で、欠陥部分とそうでない部分とを区別してエッチング
でき、このエッチング量との関係で表面をビームで検査
するようにしたので、表面上の欠陥をエッチング量に応
じたものとして得ることができ、よって基板の評価が適
正に行える。また、エッチングを複数回行うようにした
ので、欠陥部分とそうでない部分のエッチング量により
大きな差をもたせることができ、これによってより適正
に評価することができる。
グするに当り、アルカリ性水溶液を用いるようにしたの
で、欠陥部分とそうでない部分とを区別してエッチング
でき、このエッチング量との関係で表面をビームで検査
するようにしたので、表面上の欠陥をエッチング量に応
じたものとして得ることができ、よって基板の評価が適
正に行える。また、エッチングを複数回行うようにした
ので、欠陥部分とそうでない部分のエッチング量により
大きな差をもたせることができ、これによってより適正
に評価することができる。
【図１】本発明の第１実施例の装置の平面図。
【図２】図１の装置の動作フロー。
【図３】ウェーハ表面上の微粒子と欠陥とを区別するた
めのフロー。
めのフロー。
【図４】本発明の第２実施例の装置の断面図。
【図５】本発明の第３実施例の概念図。
【図６】ウェーハ面上のマップを示す概念図。
【図７】散乱体形状による散乱光強度の光発射角依存性
を示す概念図。
を示す概念図。
【図８】標準ウェーハの製造工程を示す断面図。
【図９】標準ウェーハのパーティクル（凹部）分布例を
示す平面図。
示す平面図。
【図１０】薬液処理時間と凹部の直径との関係を示す
図。
図。
【図１１】ウェーハ結晶の種類と凹部密度との関係を示
す図。
す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−178135（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−155628（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−137641（ＪＰ，Ａ)
Claims (13)
- 【請求項１】半導体基板をアルカリ性水溶液でエッチン
グする第１のエッチング工程と、 前記第１のエッチング工程でエッチングした前記半導体
基板の表面に光線や電子線等のビームを照射し、前記基
板の表面における前記ビームの第１の反射ビームを受け
る第１の検査工程と、 前記第１のエッチング工程を経た前記半導体基板をアル
カリ性水溶液でエッチングする第２のエッチング工程
と、 前記第２のエッチング工程でエッチングした前記半導体
基板の表面に光線や電子線等のビームを照射し、前記基
板の表面における前記ビームの第２の反射ビームを受け
る第２の検査工程と、 前記第１反射ビームと前記第２反射ビームとの関係から
結晶欠陥と異物とを判別する工程と、 この半導体基板の表面近傍に存在する結晶欠陥の数と、
これらの欠陥の形状・大きさ・分布状態等の特性を得
て、この数及び特性から前記半導体基板を評価する評価
工程と、 を備えることを特徴とする半導体基板評価方法。 - 【請求項２】前記アルカリ性水溶液として、ｐＨ８以上
のものを用いる、請求項１に記載の半導体基板評価方
法。 - 【請求項３】前記アルカリ性水溶液として、ＮＨ４Ｏ
Ｈ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５のものを用いる、請
求項１又は２に記載の半導体基板評価方法。 - 【請求項４】前記ビームとしてレーザー光を用いる、請
求項１〜３のうちの１つに記載の方法。 - 【請求項５】前記ビームとして、電子線を用いる、請求
項１〜３のうちの１つに記載の方法。 - 【請求項６】前記評価工程では、前記第１及び第２反射
ビームの強度を比較して評価を行う、請求項１〜５の１
つに記載の方法。 - 【請求項７】前記検査工程では、前記第１及び第２反射
ビームとして散乱ビームを受ける、請求項１〜６の１つ
に記載の方法。 - 【請求項８】前記検査工程では、前記ビームを前記基板
の複数の微小点に順次当て、それらの各微小点毎の反射
ビームを微小点座標との関係で受ける、請求項１〜７の
１つに記載の方法。 - 【請求項９】前記評価工程では、前記第１及び第２反射
ビームから、エッチング数の増加に伴って、径の増加す
る欠陥に着目して評価する、請求項１〜８の１つに記載
の方法。 - 【請求項１０】前記検査工程は、０．５μｍ以上の微粒
子が１００００個／ｆｔ３以下の環境下で行う、請求項
１〜９の１つに記載の方法。 - 【請求項１１】半導体基板をアルカリ性水溶液で複数回
繰り返してエッチング可能なエッチング機構と、 エッチングする毎に前記半導体基板の表面に光線や電子
線等のビームを照射可能なビーム射出手段と、 前記ビームの前記基板表面における反射ビームをその都
度受けることのできる反射ビーム検出手段と、 前記反射ビーム検出手段からの各出力によって結晶欠陥
と異物とを判別する判別手段と、 この半導体基板の表面近傍に存在する結晶欠陥の数と、
これらの欠陥の形状・大きさ・分布状態等の特性を得
て、この数及び特性から前記基板を評価する評価手段
と、を備えることを特徴とする半導体基板評価装置。 - 【請求項１２】前記ビーム射出手段は、前記ビームを前
記基板の複数の微小点に順次照射するものである、請求
項１１記載の装置。 - 【請求項１３】前記ビーム射出手段が前記ビームを照射
している前記基板上の座標を出力可能な照射位置出力手
段をさらに備える、請求項１２記載の装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063586A JP2653566B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体基板評価方法及び装置 |
| KR1019920004903A KR960006194B1 (ko) | 1991-03-27 | 1992-03-26 | 반도체기판 평가방법 및 그 장치 |
| US07/858,700 US5271796A (en) | 1991-03-27 | 1992-03-27 | Method and apparatus for detecting defect on semiconductor substrate surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063586A JP2653566B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体基板評価方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299550A JPH04299550A (ja) | 1992-10-22 |
| JP2653566B2 true JP2653566B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=13233522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3063586A Expired - Lifetime JP2653566B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 半導体基板評価方法及び装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5271796A (ja) |
| JP (1) | JP2653566B2 (ja) |
| KR (1) | KR960006194B1 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5766360A (en) * | 1992-03-27 | 1998-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JPH06295945A (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体製造プロセスの評価方法および装置 |
| US5413941A (en) * | 1994-01-06 | 1995-05-09 | Micron Technology, Inc. | Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes |
| JPH0817815A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Toshiba Corp | 半導体デバイスの製造方法、半導体基板の処理方法、分析方法及び製造方法 |
| KR970030227A (ko) * | 1995-11-11 | 1997-06-26 | 김광호 | 현상 모니터링 장치 및 이를 이용한 현상 모니터링 방법 |
| US5695601A (en) * | 1995-12-27 | 1997-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for planarizing a semiconductor body by CMP method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the method |
| JPH10189677A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | シリコンウェーハの評価方法 |
| US5927512A (en) | 1997-01-17 | 1999-07-27 | Micron Technology, Inc. | Method for sorting integrated circuit devices |
| US6100486A (en) * | 1998-08-13 | 2000-08-08 | Micron Technology, Inc. | Method for sorting integrated circuit devices |
| US5844803A (en) * | 1997-02-17 | 1998-12-01 | Micron Technology, Inc. | Method of sorting a group of integrated circuit devices for those devices requiring special testing |
| US5915231A (en) * | 1997-02-26 | 1999-06-22 | Micron Technology, Inc. | Method in an integrated circuit (IC) manufacturing process for identifying and redirecting IC's mis-processed during their manufacture |
| US5856923A (en) | 1997-03-24 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing |
| US5907492A (en) | 1997-06-06 | 1999-05-25 | Micron Technology, Inc. | Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (IC's) have undergone, such as repairs, to select procedures the IC's will undergo, such as additional repairs |
| US7120513B1 (en) | 1997-06-06 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (ICS) have undergone, such as repairs, to select procedures the ICS will undergo, such as additional repairs |
| US5794175A (en) * | 1997-09-09 | 1998-08-11 | Teradyne, Inc. | Low cost, highly parallel memory tester |
| US6049624A (en) * | 1998-02-20 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Non-lot based method for assembling integrated circuit devices |
| KR100299375B1 (ko) * | 1998-04-17 | 2001-10-19 | 박종섭 | 반도체 박막의 표면 특성 모니터링 방법 |
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