JP2707647B2 - Pattern formation method for charge-coupled color line sensor - Google Patents
Pattern formation method for charge-coupled color line sensorInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電荷結合型カラーラインセンサーのパター
ン形成方法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pattern forming method for a charge-coupled color line sensor.
本発明は、分割露光によりパターンを形成するように
した電荷結合型カラーラインセンサーのパターン形成方
法において、上記分割露光により形成される繰り返しパ
ターン部のビット数を12の倍数とすることによって、繰
り返し周期の乱れを生じることなく分割露光により繰り
返しパターンを形成することができるようにしたもので
ある。According to the present invention, in a pattern forming method of a charge-coupled color line sensor in which a pattern is formed by divided exposure, the number of bits of a repeated pattern portion formed by the divided exposure is set to a multiple of 12, so that Thus, a pattern can be repeatedly formed by divisional exposure without causing disturbance.
電荷結合型カラーラインセンサー(以下、CCDカラー
ラインセンサーという)は、カラーコピー機等における
読み取り用のセンサーとして用いられている。A charge-coupled color line sensor (hereinafter, referred to as a CCD color line sensor) is used as a sensor for reading in a color copier or the like.
近年、このCCDカラーラインセンサーの製造において
は、パターンの微細化に伴い、パターン形成のための露
光は、例えば縮小率が5:1の縮小投影露光装置を用いて
行われている。この場合、例えばチップ長が20mm以上の
サイズの大きいCCDカラーラインセンサーのパターンを
上述の5:1の縮小投影露光により形成しようとすると、1
00mm以上のサイズのレティクルが必要となる。しかし、
現状ではレティクルのサイズはそれほど大きくないた
め、サイズの大きいCCDカラーラインセンサーを製造す
ることは容易でない。In recent years, in the manufacture of this CCD color line sensor, exposure for forming a pattern has been performed using a reduction projection exposure apparatus having a reduction ratio of, for example, 5: 1 with the miniaturization of patterns. In this case, for example, when trying to form a pattern of a large CCD color line sensor having a chip length of 20 mm or more by the above-described 5: 1 reduction projection exposure, 1
A reticle with a size of 00 mm or more is required. But,
At present, the size of the reticle is not very large, so it is not easy to manufacture a large CCD color line sensor.
このようなサイズの大きいCCDカラーラインセンサー
のパターンを形成するための露光は、例えば「日経マイ
クロデバイス」,1986年5月号,第132頁〜第134頁(日
経マグロウヒル社発行)で提案されているように、複数
回に分割して行うことが考えられる。Exposure for forming a pattern of a CCD color line sensor having such a large size is proposed in, for example, "Nikkei Micro Devices", May 1986, pp. 132-134 (published by Nikkei McGraw-Hill). As described above, it is conceivable to perform the operation in a plurality of times.
しかし、本発明者の検討によれば、上述のように単に
分割して露光を行うだけでは、次のような問題が生じ
る。すなわち、CCDカラーラインセンサーのセンサー部
には、その長手方向に例えば赤(R)、緑(G)、青
(B)の3色のカラーフィルターがこれらを単位として
繰り返し配置される。従って、このカラーフィルターの
パターンを形成するための露光を単に分割して行うだけ
では、分割露光された領域の間の継ぎ目でR、G、Bの
繰り返し周期に乱れが生じてしまい、結果的にCCDカラ
ーラインセンサーが不良となってしまう。However, according to the study of the present inventor, the following problem occurs only by performing divisional exposure as described above. That is, for example, three color filters of red (R), green (G), and blue (B) are repeatedly arranged in the sensor portion of the CCD color line sensor in the longitudinal direction thereof in units of these. Therefore, if the exposure for forming the pattern of the color filter is simply performed in a divided manner, the repetition cycle of R, G, and B is disturbed at a joint between the divided and exposed areas, and as a result, The CCD color line sensor becomes defective.
従って本発明の目的は、繰り返し周期の乱れを生じる
ことなく分割露光により繰り返しパターンを形成するこ
とができる電荷結合型カラーラインセンサーのパターン
形成方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a pattern formation method for a charge-coupled color line sensor that can form a repetitive pattern by divided exposure without causing a disorder in a repetition period.
CCDカラーラインセンサーのセンサー部には、すでに
述べたR、G、Bや黄(Ye)、シアン(Cy)、G等の3
回周期の繰り返しと、これらに輝度信号をとるための白
(W)を加えた4回周期の繰り返しとがある。従って、
カラーフィルターの繰り返しパターンを分割露光により
形成する場合には、1回の分割露光で形成される繰り返
しパターン部のビット数をこれらの2種類の繰り返し周
期3と4の最小公倍数である12の倍数とすれば、分割露
光を行う際に分割露光された領域の間の継ぎ目で繰り返
し周期の乱れが生じることはなくなる。In the sensor section of the CCD color line sensor, three of the already described R, G, B, yellow (Ye), cyan (Cy), G, etc.
There are a repetition of a four-time cycle and a four-time repetition in which white (W) for obtaining a luminance signal is added thereto. Therefore,
When the repetition pattern of the color filter is formed by division exposure, the number of bits of the repetition pattern portion formed by one division exposure is a multiple of 12 which is the least common multiple of these two types of repetition periods 3 and 4. Then, when performing the divisional exposure, disturbance of the repetition period does not occur at the joint between the dividedly exposed areas.
本発明は、以上の検討に基づいて案出されたものであ
る。The present invention has been made based on the above study.
すなわち、本発明は、分割露光によりパターンを形成
するようにした電荷結合型カラーラインセンサーのパタ
ーン形成方法において、分割露光により形成される繰り
返しパターン部のビット数を12の倍数としている。That is, according to the present invention, in the pattern forming method of the charge-coupled color line sensor in which the pattern is formed by the division exposure, the number of bits of the repetitive pattern portion formed by the division exposure is a multiple of 12.
上記した手段によれば、分割露光により形成される繰
り返しパターン部のビット数が12の倍数であるので、
(R、G、B)、(Ye、Cy、G)等の3回周期の繰り返
しと(R、G、B、W)、(Ye、Cy、G、W)等の4回
周期の繰り返しとがあっても、各分割露光により、これ
らの繰り返し単位の倍数分の繰り返しパターンが一括し
て露光されることになる。従って、分割露光された領域
の間の継ぎ目で繰り返しパターンの繰り返し周期の乱れ
が生じることはない。すなわち、繰り返し周期の乱れを
生じることなく分割露光により繰り返しパターンを形成
することができる。According to the above-described means, since the number of bits of the repetitive pattern portion formed by the divided exposure is a multiple of 12,
Repetition of three cycles such as (R, G, B) and (Ye, Cy, G) and repetition of four cycles such as (R, G, B, W) and (Ye, Cy, G, W) However, the repetition patterns corresponding to multiples of these repetition units are collectively exposed by each divided exposure. Therefore, there is no disturbance in the repetition period of the repetition pattern at the joint between the divided exposure areas. That is, it is possible to form a repetitive pattern by divided exposure without causing disturbance in the repetition period.
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
まず最初に、本実施例においてCCDカラーラインセン
サーのカラーフィルターのパターンを縮小投影露光によ
り形成する際に用いるレティクルについて説明する。第
3図はそのレティクルを示す。第3図に示すように、こ
のレティクルは、透明なガラス板1上にAパターン部
2、Bパターン部3及びCパターン部4が形成されたも
のである。符号5は遮光領域を示す。Aパターン部2
は、CCDカラーラインセンサーの出力部及びセンサー部
の一部に対応するパターンを有している。Bパターン部
3は、CCDカラーラインセンサーのセンサー部に対応す
るパターンを有している。この場合、このBパターン部
3における繰り返しパターンの全ビット数は、12×N
(ただし、Nは正の整数)となっている。一方、Cパタ
ーン部4は、CCDカラーラインセンサーの入力部及びセ
ンサー部の一部に対応するパターンを有する。First, a reticle used for forming a color filter pattern of a CCD color line sensor by reduction projection exposure in this embodiment will be described. FIG. 3 shows the reticle. As shown in FIG. 3, this reticle is formed by forming an A pattern portion 2, a B pattern portion 3, and a C pattern portion 4 on a transparent glass plate 1. Reference numeral 5 indicates a light shielding area. A pattern part 2
Has a pattern corresponding to the output part of the CCD color line sensor and part of the sensor part. The B pattern section 3 has a pattern corresponding to the sensor section of the CCD color line sensor. In this case, the total number of bits of the repetition pattern in the B pattern unit 3 is 12 × N
(Where N is a positive integer). On the other hand, the C pattern section 4 has a pattern corresponding to a part of the input section and the sensor section of the CCD color line sensor.
次に、CCDカラーラインセンサーのカラーフィルター
のパターンを形成する方法について説明する。Next, a method of forming a color filter pattern of a CCD color line sensor will be described.
まず、第3図に示すレティクルを例えば5:1の縮小投
影露光装置にセットし、あらかじめカラーフィルター形
成用の膜が表面に形成された例えばシリコンウエーハの
ような半導体ウエーハ(図示せず)にステップアンドリ
ピート方式で縮小投影露光を行う。すなわち、第1図に
示すように、まず上述のレティクルのAパターン部2を
用いて露光を行った後、このAパターン部2による露光
領域に隣接する領域にBパターン部3を用いて所定回数
(第1図においては4回)だけ分割露光を繰り返し行
う。次に、引き続いてBパターン部3による露光領域に
隣接する領域にCパターン部8を用いて露光を行う。こ
のようにして、この実施例の場合には、合計6ショット
の分割露光で1個のCCDカラーラインセンサー分の露光
を終了することになる。この露光終了後にカラーフィル
ター形成用の膜の現像を行うことによって所望のフィル
ターパターンが形成される。これらの工程を繰り返すこ
とにより、例えばR、G、Bの3色のカラーフィルター
を形成することができる。First, the reticle shown in FIG. 3 is set in, for example, a 5: 1 reduction projection exposure apparatus, and a step is performed on a semiconductor wafer (not shown), such as a silicon wafer, on which a film for forming a color filter is previously formed. Reduced projection exposure is performed by the AND repeat method. That is, as shown in FIG. 1, first, exposure is performed using the A pattern portion 2 of the reticle, and then a predetermined number of times is performed using the B pattern portion 3 in a region adjacent to the exposure region of the A pattern portion 2. The division exposure is repeated only (four times in FIG. 1). Next, subsequently, exposure is performed using the C pattern portion 8 in a region adjacent to the exposure region of the B pattern portion 3. In this manner, in the case of this embodiment, the exposure for one CCD color line sensor is completed by the divisional exposure of a total of six shots. After the exposure, a film for forming a color filter is developed to form a desired filter pattern. By repeating these steps, for example, color filters of three colors of R, G, and B can be formed.
第2図A及び第2図Bは、このようにして形成される
カラーフィルターの配置例を示す。2A and 2B show examples of the arrangement of the color filters thus formed.
また、第1図は1個のCCDカラーラインセンサーの露
光を行う場合を示しているが、実際には第4図に示すよ
うに、第1図と同様な露光を半導体ウエーハ6の全面に
行う。FIG. 1 shows a case where one CCD color line sensor is exposed, but in practice, as shown in FIG. 4, the same exposure as in FIG. 1 is performed on the entire surface of the semiconductor wafer 6. .
このように、本実施例によれば、CCDカラーラインセ
ンサーのセンサー部にカラーフィルターの繰り返しパタ
ーンを分割露光により形成する場合に、各分割露光によ
り形成される繰り返しパターン部(第3図に示すBパタ
ーン部3に相当する)のビット数を12の倍数としている
ので、3回周期の繰り返しと4回周期の繰り返しとがあ
っても、分割露光された領域の間の継ぎ目で繰り返し周
期の乱れが生じることがない。従って、縮小投影露光装
置を用いた分割露光により、例えばチップ長20mm以上の
サイズの大きいCCDカラーラインセンサーでもパターン
形成を不良を生じることなく、しかも容易に行うことが
できる。この場合、製造可能なCCDカラーラインセンサ
ーの長さは、使用する半導体ウエーハ6の径のみにより
制限される。また、縮小投影露光装置を用いて露光を行
っているので、パターンの合わせ精度も良い。As described above, according to the present embodiment, when a repetitive pattern of a color filter is formed on a sensor portion of a CCD color line sensor by divided exposure, a repetitive pattern portion formed by each divided exposure (B shown in FIG. 3). Since the number of bits of the pattern portion 3 is a multiple of 12, even if there are three repetitions and four repetitions, disturbance of the repetition period occurs at the joint between the divided exposure areas. Will not occur. Therefore, by the divisional exposure using the reduction projection exposure apparatus, even a large CCD color line sensor having a chip length of 20 mm or more, for example, can easily perform pattern formation without causing a defect. In this case, the length of the CCD color line sensor that can be manufactured is limited only by the diameter of the semiconductor wafer 6 to be used. In addition, since the exposure is performed using the reduction projection exposure apparatus, the pattern alignment accuracy is good.
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本
発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。Although the embodiments of the present invention have been specifically described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications based on the technical idea of the present invention are possible.
例えば、上述の実施例においては、第3図に示すよう
にAパターン部2、Bパターン部3及びCパターン部4
が形成されたレティクルを用いて露光を行っているが、
これらのAパターン部2、Bパターン部3及びCパター
ン部4を別個に形成したレティクルを用いて露光を行う
ことも可能である。また、1個のCCDカラーラインセン
サーのパターンを形成するための露光の分割数は必要に
応じて選ぶことが可能である。For example, in the above embodiment, as shown in FIG. 3, the A pattern portion 2, the B pattern portion 3, and the C pattern portion 4
Exposure is performed using the reticle with
It is also possible to perform exposure using a reticle in which the A pattern portion 2, the B pattern portion 3, and the C pattern portion 4 are separately formed. The number of divisions of exposure for forming one CCD color line sensor pattern can be selected as needed.
以上述べたように、本発明によれば、分割露光により
形成される繰り返しパターン部のビット数を12の倍数と
しているので、繰り返し周期の乱れを生じることなく分
割露光により繰り返しパターンを形成することができ
る。As described above, according to the present invention, since the number of bits of the repetitive pattern portion formed by the divided exposure is set to a multiple of 12, it is possible to form the repetitive pattern by the divided exposure without disturbing the repetition period. it can.
第1図は本発明の一実施例を説明するための平面図、第
2図A及び第2図BはCCDカラーラインセンサーのセン
サー部におけるカラーフィルターの配置例を示す図、第
3図は縮小投影露光に用いるレティクルを示す平面図、
第4図はCCDカラーラインセンサーを製造するための半
導体ウエーハの露光例を示す平面図である。 図面における主要な符号の説明 2:Aパターン部、3:Bパターン部、4:Cパターン部、6:半
導体ウエーハ。FIG. 1 is a plan view for explaining an embodiment of the present invention, FIGS. 2A and 2B are diagrams showing examples of arrangement of color filters in a sensor portion of a CCD color line sensor, and FIG. Plan view showing a reticle used for projection exposure,
FIG. 4 is a plan view showing an example of exposure of a semiconductor wafer for manufacturing a CCD color line sensor. Explanation of main symbols in the drawings 2: A pattern portion, 3: B pattern portion, 4: C pattern portion, 6: semiconductor wafer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川本 聖一 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−218650(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Seiichi Kawamoto 6-7-35 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Sony Corporation (56) References JP-A-60-218650 (JP, A)
Claims (1)
した電荷結合型カラーラインセンサーのパターン形成方
法において、 上記分割露光により形成される繰り返しパターン部のビ
ット数を12の倍数とすることを特徴とする電荷結合型カ
ラーラインセンサーのパターン形成方法。1. A pattern forming method for a charge-coupled color line sensor, wherein a pattern is formed by divisional exposure, wherein the number of bits of a repeated pattern portion formed by the divisional exposure is a multiple of 12. Forming method of a charge-coupled color line sensor.
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Publications (2)
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