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JP2724134B2 - Sample and hold circuit - Google Patents
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JP2724134B2 - Sample and hold circuit - Google Patents

Sample and hold circuit

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JP2724134B2
JP2724134B2 JP8201530A JP20153096A JP2724134B2 JP 2724134 B2 JP2724134 B2 JP 2724134B2 JP 8201530 A JP8201530 A JP 8201530A JP 20153096 A JP20153096 A JP 20153096A JP 2724134 B2 JP2724134 B2 JP 2724134B2
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俊次 永田
敏彦 清水
義人 禰寝
健二 麻殖生
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明はサンプル・ホールド
回路に係り、特にモノリシックIC化に適したサンプル
・ホールド回路に関する。 【0002】 【従来の技術】従来のサンプル・ホールド回路は図3に
示すように、2つのトランジスタQ13,Q14をエミッタ接
続し、一方に入力を入れ、他方をダイオード接続にし
て、定電流源(IA/2)に接続する方式が、バイポー
ラモノリシックIC用として使用されていた。これは例
えばアイ・エス・エス・シー・シー,論文集,テー エ
ッチ ピー エム 14.1(1983年)178頁か
ら179頁 (ISSCC, Digest of Technical
Papers,THPM14.1,pp178−179(198
3))で論じられている。この方式は、入力がトランジ
スタのベースであり、ダイオードブリッジを用いる方法
に比べて入カインピーダンスが高く、回路が簡単という
特徴がある。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、ダイ
オード接続されたトランジス夕Q14の負荷として定電流
源が必要であり、この定電流源にはpnpトランジスタを
使用ぜざるを得ない。しかし、モノリシックIC化した場
合、高速のpnpトランジスタが得られず、サンプルホー
ルド回路の高速化の障害となっていた。 【0004】本発明は高速化の障害となっているpnpト
ランジスタなどの素子を用いず、バイポーラモノリシッ
クICに適した高速のサンプル・ホールド回路を開発にと
もないなされたものである。 【0005】本願発明に先立って本願発明者等は、サン
プル状態モードとホールド状態モードを有する高速のサ
ンプル・ホールド回路として、ホールド状態モードの時
に入カトランジスタQ1とそれと対となるダイオード接続
の出力トランジスタQ2とに流れる電流を遮断することに
よって、ホールド用コンデンサへの電流の出入を無くす
方式を検討した。しかし、この方式ではホールド状態モ
ードの時に入カトランジスタQ1と出力トランジスタQ2と
はともに非導通状態ではあるが、各トランジスタQ1、ト
ランジスタQ2のベース・エミッタ端子間には寄生容量が
存在するために、この寄生容量を介して入カ信号の一部
がホールド用コンデンサに伝播すると言う問題が本願発
明者等の検討により明かとされた。 【0006】すなわち、ホールド状態モードでありなが
ら入力の一部が出力に現われるあるいは、入力信号に応
じて出力信号が変化してしまういわゆる “フィールド
スルーエラー" が発生し、サンプル・ホールド回路の精
度を低減するという間題である。 【0007】従って本願発明の目的は、このようなフィ
ールドスルーエラーを低減することの可能なサンプル・
ホールド回路を提供することにある。 【0008】 【課題を解決するための手段】上記目的は、ホールド状
態モードにおいて、入カトランジスタ(Q1)と出力トラン
ジスタ(Q2)の共通エミッタ端子のインピーダンスを制御
手段(Q8)によって低くすることにより、達成される。 【0009】 【作用】ホールド状態モードにおいて、制御手段(Q8)に
よって入カトランジスタ(Q1)と出力トランジスタ(Q2)の
共通エミッタ端子のインピーダンスを低くすることによ
り、入力端子(IN)から供給され入カトランジスタのベー
ス・エミッタ間寄生容量を介して伝播される信号は、入
カトランジスタ(Q1)と出力トランジスタ(Q2)の共通エミ
ッタ端子の制御手段(Q8)の低インピーダンスで減衰され
るので、ホールド用コンデンサまでの伝播信号量を十分
低減することが可能となる。 【0010】 【実施例】以下、図面を用いて、本発明の実施例による
フィールドスルーエラーを防止したサンプルホールド回
路を説明する。 【0011】図1はサンプル・ホールド回路の入カトラ
ンジスタQ1と出力トランジスタQ2の共通エミッタを、ホ
ールド状態モードの時に、低インピーダンスとする制御
回路Q8を付加したものである。 【0012】同図において、まずサンプル状態モードで
は、制御信号である正相クロックCLKが“H”レベル, 逆
相クロック/CLKが“L”レベルであり、Q4,Q6が“オ
ン”、一方Q5,Q7が“オフ”の状態になる。このとき、Q
1とQ2には電流が流れ、両トランジスタのべース・エミ
ッタ間電圧VBEはほぼ等しいことから、ホールド用コン
デンサCHの電圧は入力電圧にほぼ等しくなる。また、こ
の時、Q6にはI1なる電流が流れ抵抗R2には、R2・I1なる
電圧降下が生じる。従って、Vcc−R2・I1を入力電圧VIN
より低くしておけば、制御回路のエミッタフォロワトラ
ンジスタQ8は非導通となる。この時、電流I2がQ1, Q2に
IEに加算して流れることにするが、I2≪IEに選べばI2は
無視できるし、それ以外はI 2を考慮してIEの値を選定
できるので、入力信号への影響はない。 【0013】次に、ホールド状態モードでは、制御信号
である正相クロックCLKが“L"レベル, 逆相クロック/C
LKが‘H"レベルとなり、 Q4,Q6が‘オフ''、 Q5,Q7が
“オン" とする。この時、制御回路のエミッタフォロワ
トランジスタQ8が導通状態となるので、Q1, Q2, Q8のエ
ミッタ電位はVcc−VBEとなり、入力電圧およびホールド
用コンデンサの電圧よりも高い値に保持されるため、Q
1,Q2は非導通となる。従って、制御回路のエミッタフォ
ロワトランジスタQ8が導通状態となっており、この時、
Q8のエミッタのインピーダンスZeは次式で与えられる。 【0014】 【数1】 【0015】ここでgm=qI2/KTで表わされ、β
はQ8の電流増幅率である。 【0016】例えばI2=100μA, β=100, R2=1kΩとす
るとZeは約270Ωとなる。 【0017】従って、“オフ"状態であるQ1のべースエ
ミッタ間の容量を介して伝播された入力信号はこの共通
エミッタ端子の低インピーダンスZeにより大幅に減衰し
てから、Q2のべース・エミッタ間を介してホールド用コ
ンデンサCHに伝わり、サンプル・ホールド回路の出力電
圧を変動させることが無くなる。尚、図1の実施例で
は、正相クロック、逆相クロックがQ2の寄生容量を介し
てホールド状態モードの時にホールド用コンデンサに直
接伝わらないように配慮したもので、Q4とQ7のべース電
位は正相クロックCLK 、逆相クロック/CLK のハイレベ
ルとローレベルとの中間レベルVBによって設定されてい
る。 【0018】次に更に別の実施例を図2に示す。同図の
実施例が図1の実施例と異なるのは、Q1,Q2とQ4,Q5との
接続形態と、 Q4,Q5、Q6,Q7へ正相クロックCLK 、逆相
クロック/CLK の信号供給形態のみであり、ホールド状
態モード時の制御回路のエミッタフォロワトランジスタ
Q8の導通による、Q1,Q2の共通エミッタの低インピーダ
ンス化の動作は全く同一である。 【0019】これらの実施例によれば、簡単な制御回路
のエミッタフォロワトランジスタを付加するだけで、サ
ンプル・ホールド回路のホールド状態モードにおける入
力信号のホールド用コンデンサへの漏洩を低減でき、高
精度化の効果がある。 【0020】 【発明の効果】以上述べた如く、本発明によればフィー
ルドスルーエラーを低減することの可能なサンプル・ホ
ールド回路を提供することができる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sample and hold circuit, and more particularly to a sample and hold circuit suitable for a monolithic IC. 2. Description of the Related Art As shown in FIG. 3, a conventional sample-and-hold circuit has two transistors Q 13 and Q 14 connected to an emitter, one of the transistors Q 13 and Q 14 is connected to an input, and the other is connected to a diode to form a constant current. A connection to a source (IA / 2) has been used for bipolar monolithic ICs. This is described in, for example, ISSC, Dissertation, T.P.M. 14.1 (1983), pp. 178 to 179 (ISSCC, Digest of Technical
Papers, THPM 14.1, pp 178-179 (198
3)). This method is characterized in that the input is the base of a transistor, the input impedance is higher than the method using a diode bridge, and the circuit is simpler. [0003] [0006] The above prior art, transistor diode-connected evening requires a constant current source as a load of Q 14, forced ze use pnp transistor for the constant current source Absent. However, when a monolithic IC is used, a high-speed pnp transistor cannot be obtained, which is an obstacle to speeding up the sample-and-hold circuit. The present invention has been made with the development of a high-speed sample-and-hold circuit suitable for a bipolar monolithic IC without using elements such as a pnp transistor which is an obstacle to high-speed operation. Prior to the present invention, the inventors of the present invention disclosed a high-speed sample-and-hold circuit having a sample state mode and a hold state mode as an input transistor Q1 and a pair of diode-connected output transistors in the hold state mode. We studied a method to eliminate the flow of current into and out of the hold capacitor by interrupting the current flowing to Q2. However, in this method, the input transistor Q1 and the output transistor Q2 are both non-conductive in the hold state mode, but a parasitic capacitance exists between the base and emitter terminals of each transistor Q1 and the transistor Q2. The problem that a part of the input signal propagates to the hold capacitor via the parasitic capacitance has been clarified by the study of the present inventors. That is, a so-called "field-through error" occurs in which a part of the input appears at the output or the output signal changes in accordance with the input signal in the hold state mode. The problem is to reduce. Accordingly, an object of the present invention is to provide a sample / sample which can reduce such a field-through error.
An object of the present invention is to provide a hold circuit. The above object is achieved by reducing the impedance of a common emitter terminal of an input transistor (Q1) and an output transistor (Q2) in a hold state mode by a control means (Q8). Is achieved. In the hold mode, the impedance of the common emitter terminal of the input transistor (Q1) and the output transistor (Q2) is reduced by the control means (Q8), so that the input and output signals are supplied from the input terminal (IN). The signal propagated through the parasitic capacitance between the base and the emitter of the power transistor is attenuated by the low impedance of the control means (Q8) of the common emitter terminal of the input transistor (Q1) and the output transistor (Q2). It is possible to sufficiently reduce the amount of propagation signal to the capacitor for use. FIG. 1 is a block diagram showing a sample and hold circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a configuration in which a control circuit Q8 for making the common emitter of the input transistor Q1 and the output transistor Q2 of the sample and hold circuit low impedance in the hold mode is added. In the figure, first, in the sample state mode, the normal phase clock CLK which is a control signal is at the "H" level, the negative phase clock / CLK is at the "L" level, Q4 and Q6 are "on", while Q5 and Q5 are on. , Q7 is turned off. At this time, Q
Since a current flows through 1 and Q2 and the base-emitter voltage V BE of both transistors is substantially equal, the voltage of the holding capacitor CH becomes substantially equal to the input voltage. At this time, a current I1 flows through Q6, and a voltage drop of R2 · I1 occurs in the resistor R2. Therefore, Vcc-R2 / I1 is changed to the input voltage V IN
If lower, the emitter follower transistor Q8 of the control circuit will be non-conductive. At this time, the current I2 changes to Q1 and Q2.
Although it will be added to IE and flows, if I2≪IE is selected, I2 can be ignored, and otherwise, the value of IE can be selected in consideration of I2, so that there is no effect on the input signal. Next, in the hold state mode, the normal phase clock CLK which is a control signal is at "L" level and the negative phase clock / C
LK goes to the “H” level, Q4 and Q6 are turned “off”, and Q5 and Q7 are turned “on.” At this time, the emitter follower transistor Q8 of the control circuit becomes conductive, so that Q1, Q2, Q8 The emitter potential becomes Vcc- VBE , which is kept higher than the input voltage and the voltage of the hold capacitor.
1, Q2 becomes non-conductive. Therefore, the emitter follower transistor Q8 of the control circuit is in a conductive state.
The impedance Ze of the emitter of Q8 is given by the following equation. ## EQU1 ## Where gm = qI 2 / KT and β
Is the current amplification factor of Q8. For example, when I 2 = 100 μA, β = 100, and R2 = 1 kΩ, Ze becomes about 270Ω. Therefore, the input signal propagated through the capacitance between the base-emitter of Q1 in the "off" state is greatly attenuated by the low impedance Ze of the common emitter terminal before the base-emitter of Q2 is turned on. The voltage is transmitted to the hold capacitor CH via the gap, and the output voltage of the sample / hold circuit does not fluctuate. In the embodiment shown in FIG. 1, care is taken so that the positive-phase clock and the negative-phase clock are not transmitted directly to the hold capacitor in the hold state mode via the parasitic capacitance of Q2. The potential is set by an intermediate level VB between the high level and the low level of the positive phase clock CLK and the negative phase clock / CLK. Next, still another embodiment is shown in FIG. This embodiment differs from the embodiment of FIG. 1 in the connection form between Q1, Q2 and Q4, Q5, and the supply of the positive-phase clock CLK and the negative-phase clock / CLK to Q4, Q5, Q6, Q7. Emitter follower transistor of control circuit in hold state mode
The operation of lowering the impedance of the common emitter of Q1 and Q2 by the conduction of Q8 is exactly the same. According to these embodiments, the leakage of the input signal to the hold capacitor in the hold state mode of the sample and hold circuit can be reduced by simply adding the emitter follower transistor of the simple control circuit, and the accuracy can be improved. Has the effect. As described above, according to the present invention, it is possible to provide a sample and hold circuit capable of reducing a field through error.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の第1の実施例によるサンプル・ホール
ド回路を示す図。 【図2】本発明の第2の実施例によるサンプル・ホール
ド回路を示す図。 【図3】従来の例を示す図。 【符号の説明】 Q1・・・入カトランジスタ、Q2・・・出力トランジス
夕、R1・・・負荷抵抗、Q4, Q5・・、スイッチトランジ
スタ、CH・・・ホールド用コンデンサ、10・・・バッフ
ァ回路。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a sample and hold circuit according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing a sample and hold circuit according to a second embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing a conventional example. [Explanation of Signs] Q1: input transistor, Q2: output transistor, R1: load resistance, Q4, Q5, switch transistor, CH: hold capacitor, 10: buffer circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 敏彦 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 禰寝 義人 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 麻殖生 健二 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内   ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page    (72) Inventor Toshihiko Shimizu               1-280 Higashi Koikebo, Kokubunji-shi, Tokyo                 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Yoshito Neneko               1-280 Higashi Koikebo, Kokubunji-shi, Tokyo                 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Kenji Asashima               1-280 Higashi Koikebo, Kokubunji-shi, Tokyo                 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.ベースに入力信号が入力される第1のトランジスタ
と、該第1のトランジスタのエミッタとエミッタが相互
接続された第2のトランジスタとからなる第1の差動対
トランジスタ、 上記第1の差動対トランジスタの上記第2のトランジス
タのコレクタにエミッタが接続された第3のトランジス
タと該第3のトランジスタのコレクタおよびベースと動
作電位点との間に接続された第1の抵抗とからなる負荷
回路と、 上記第1の差動対トランジスタの上記第2のトランジス
タの上記コレクタに接続されたコンデンサと、 エミッタが相互接続され、制御信号によって差動的に導
通状態と非導通状態とされる第4のトランジスタと第5
のトランジスタとからなり、該第4と該第5のトランジ
スタの一方のトランジスタのコレクタが上記第1の差動
対トランジスタの上記第1と上記第2のトランジスタの
上記相互接続された上記エミッタと接続された第2の差
動対トランジスタと、 上記第2の差動対トランジスタの上記第4と上記第5の
トランジスタの上記相互接続された上記エミッタに接続
された電流源とを具備してなり、 上記コンデンサの出力信号を上記第2のトランジスタの
ベースに帰還せしめるように構成され、 上記制御信号によって上記第2の差動対トランジスタの
上記第4と上記第5のトランジスタの上記一方のトラン
ジスタを導通状態とせしめ上記第4と上記第5のトラン
ジスタの他方のトランジスタを非導通状態とせしめるこ
とにより、上記第1のトランジスタの上記ベースに入力
される上記入力信号に対応した電圧を上記コンデンサに
供給するサンプル状態モードと、上記制御信号によって
上記第2の差動対トランジスタの上記第4と上記第5の
トランジスタの上記一方のトランジスタを非導通状態と
せしめ上記第4と上記第5のトランジスタの他方のトラ
ンジスタを導通状態とせしめることにより、上記サンプ
ル状態モードにて上記コンデンサに供給された上記電圧
を保持するホールド状態モードとを実行する如く構成さ
れたサンプル・ホールド回路であって、 上記ホールド状態モードにおいて、上記制御信号に応答
することにより上記第1の差動対トランジスタの上記第
1と上記第2のトランジスタの上記相互接続された上記
エミッタを低インピーダンスとする制御手段ををさらに
具備することを特徴とするサンプル・ホールド回路。 2.上記制御手段は、ベースが上記制御信号に応答し、
エミッタが上記第1の差動対トランジスタの上記第1と
上記第2のトランジスタの上記相互接続された上記エミ
ッタに接続されたエミッタフォロワトランジスタを含
み、 上記ホールド状態モードにおいて、上記制御信号に応答
して上記第2の差動対トランジスタの上記第4と上記第
5のトランジスタの上記一方のトランジスタが非導通状
態とされる際に、上記制御手段の上記エミッタフォロワ
トランジスタは上記制御信号に応答して導通状態に制御
されることを特徴とする請求項1に記載のサンプル・ホ
ールド回路。
(57) [Claims] A first differential pair transistor including a first transistor to which an input signal is input to a base, and a second transistor having an emitter connected to the emitter of the first transistor; A load circuit comprising a third transistor having an emitter connected to the collector of the second transistor, and a first resistor connected between the collector and base of the third transistor and an operating potential point; A capacitor connected to the collector of the second transistor of the first differential pair transistor and an emitter connected to each other, and a conductive signal and a non-conductive signal which are differentially turned on and off by a control signal; Transistor and Fifth
And a collector of one of the fourth and fifth transistors is connected to the interconnected emitters of the first and second transistors of the first differential pair transistor. A second differential pair transistor, and a current source connected to the interconnected emitters of the fourth and fifth transistors of the second differential pair transistor, The output signal of the capacitor is fed back to the base of the second transistor, and the one of the fourth and fifth transistors of the second differential pair transistor is turned on by the control signal. By bringing the other transistor out of the fourth and fifth transistors into a non-conductive state, the first transistor is turned off. A sample state mode in which a voltage corresponding to the input signal input to the base of the second differential pair transistor is supplied to the capacitor; A hold state mode for holding the voltage supplied to the capacitor in the sample state mode by causing one of the transistors to be in a non-conductive state and the other of the fourth and fifth transistors to be in a conductive state. A sample and hold circuit configured to execute the first and second transistors of the first differential pair transistor in the hold state mode in response to the control signal. And further comprising control means for making the interconnected emitters low impedance. Sample-and-hold circuit, wherein the door. 2. The control means includes a base responsive to the control signal,
An emitter includes an emitter follower transistor connected to the interconnected emitters of the first and second transistors of the first differential pair transistor, and responsive to the control signal in the hold state mode. When the one of the fourth and fifth transistors of the second differential pair transistor is turned off, the emitter follower transistor of the control means responds to the control signal. 2. The sample and hold circuit according to claim 1, wherein the sample and hold circuit is controlled to a conductive state.
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