JP2728508B2 - Dust detection method and semiconductor manufacturing apparatus using the same - Google Patents
Dust detection method and semiconductor manufacturing apparatus using the sameInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造装置などの内部の塵埃の発生状
況がその性能に大きく影響を与える装置の塵埃監視シス
テムに係り、特に被検査装置の発塵箇所の特定を容易に
行なうことが出来る塵埃検出方法に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dust monitoring system for a device in which the generation of dust inside a semiconductor manufacturing device or the like greatly affects its performance, and particularly to a device for inspecting a device to be inspected. The present invention relates to a dust detection method capable of easily specifying a dust generation point.
半導体製造装置などの内部の塵埃の発生状況がその性
能に大きく影響を与える装置の塵埃監視システムは、従
来は特開昭60-218845号公報に記載のように、半導体製
造装置を投入・通過させたウエハを検査装置内に投入
し、塵埃の付着状況その他の検査を行なつていた。A dust monitoring system for a device in which the generation of dust inside a semiconductor manufacturing device or the like has a great effect on its performance is conventionally provided with a semiconductor manufacturing device as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-218845. The inspected wafer is put into the inspection apparatus, and the inspection of the dust adhesion state and the like are performed.
上記従来技術のよつて得られたデータは、半導体製造
装置内の塵埃状況の全てが積算されたものとなり、半導
体製造装置のどこから、いつウエハに付着した塵埃かに
ついてはほとんど情報を得ることが出来ない。従つて半
導体製造装置の塵埃の管理は数によるものが中心とな
り、ウエハから検出される塵埃の総数あるいは特定の粒
径の塵埃の数がある数を越えると半導体製造装置を停止
し、内部の分解清掃を行ない装置内部に付着した塵埃を
除去する。この作業は長時間かかるため装置の稼働率を
著しく低下させる原因となつている。また塵埃発生箇所
の特定が出来ないため、不要な部分の清掃あるいは、発
塵箇所への適切な発塵抑制対策がとりにくいという問題
点もあつた。The data obtained by the above-mentioned conventional technology is the sum of all the dust conditions in the semiconductor manufacturing equipment, and almost information can be obtained from where in the semiconductor manufacturing equipment and when dust adheres to the wafer. Absent. Therefore, the management of dust in semiconductor manufacturing equipment is mainly based on numbers, and when the total number of dust detected from wafers or the number of dust having a specific particle size exceeds a certain number, the semiconductor manufacturing equipment is stopped and the internal disassembly is stopped. Perform cleaning to remove dust adhering inside the equipment. Since this operation takes a long time, the operation rate of the apparatus is significantly reduced. In addition, since it is not possible to specify a dust generation location, there is another problem that it is difficult to clean unnecessary portions or to take appropriate measures to suppress dust generation at the dust generation location.
上記目的である発塵箇所の特定を達成するために、塵
埃がいつ検出されたかを知る機構を設け、この検出時刻
情報と装置内の各ステツプのタイムチヤートとを比較す
ることにより塵埃が装置内のどこで発生したかを知るこ
とが出来る。また、各所に設けられた検出器の出力を常
時監視しておくことにより装置内の発塵箇所の特定が可
能になる。また発塵検出時に装置内に印を付け、この印
の確認にて発塵箇所の特定が可能になる。また装置投入
直前のこの装置にて処理される処理物の塵埃の情報と装
置通過直後の被処理物上の塵埃の情報とを比較すること
で内部の発塵状況を監視することが出来る。更にまた塵
埃の発塵箇所の特定によりその箇所の動作条件を変更す
ることで達成することが出来る。In order to achieve the above-mentioned purpose of specifying the dust generation point, a mechanism for knowing when dust is detected is provided, and by comparing this detection time information with the time chart of each step in the apparatus, dust is reduced in the apparatus. Where it occurred. In addition, by constantly monitoring the outputs of the detectors provided at various places, it is possible to specify a dust generating point in the apparatus. In addition, when dust is detected, a mark is made in the apparatus, and the location of the dust can be specified by checking this mark. Further, by comparing the information on the dust of the processing object processed by the apparatus immediately before the apparatus is input and the information on the dust on the object to be processed immediately after passing through the apparatus, it is possible to monitor the internal dust generation state. Furthermore, it can be achieved by specifying the dust generation location and changing the operating conditions of that location.
装置内に投入されたセンサは塵埃が装置内で発生しセ
ンサ面に付着すると、少なくともセンサにて付着した塵
埃の検出及び付着時刻の検出を行なう。場合によつては
付着粒子の直径その他の情報についての検出も行なう。
先に得られた塵埃の付着の検出及び付着時刻の情報と、
装置内の各ステツプに要する時間とを比較すれば塵埃の
センサへの付着場所の特定を行なうことが出来る。ま
た、装置内部の各所に設けられたセンサにより、各所の
塵埃の発生が常時監視されているため、塵埃の発生は直
ちに検出され、これにより塵埃の発生箇所の特定が可能
となる。また、装置内の投入されたセンサはセンサ面に
装置内で発生した塵埃が付着すると、少なくともセンサ
にて付着した塵埃を検出しかつ付着時刻の検出を行な
う。この時センサの位置を装置内に印を付ける。この印
の確認することで塵埃の発生箇所の特定が可能となる。
また、装置の投入に直前と搬出口直後に設けられた塵埃
の検出機構により検出される投入直前と搬出直後の塵埃
情報の変化により装置内部の塵埃の発生状況を監視でき
る。更にまたダストセンサにて装置内部の発塵箇所を特
定することが出来るので、これによりこの部分の動作条
件を変更することで発塵量の制御を行なうことが出来
る。When dust is generated in the apparatus and adheres to the sensor surface, the sensor introduced into the apparatus performs at least detection of the adhered dust and detection of the adhesion time by the sensor. In some cases, detection of the diameter of the attached particles and other information is also performed.
Information on the detection of the adhesion of dust obtained earlier and the adhesion time,
By comparing the time required for each step in the apparatus, it is possible to specify the place where dust adheres to the sensor. In addition, since the generation of dust at each location is constantly monitored by sensors provided at various locations inside the apparatus, the occurrence of dust is immediately detected, and thereby the location of dust generation can be specified. In addition, when dust generated in the apparatus adheres to the sensor surface, at least the sensor detects the attached dust and detects the adhesion time when the input sensor in the apparatus adheres to the sensor surface. At this time, the position of the sensor is marked in the apparatus. By confirming this mark, it is possible to specify the location where dust is generated.
Further, it is possible to monitor the state of generation of dust inside the apparatus based on a change in dust information immediately before insertion and immediately after unloading, which is detected by dust detection mechanisms provided immediately before the apparatus is input and immediately after the exit. Furthermore, since the dust sensor can identify a dust generating portion inside the apparatus, the dust generating amount can be controlled by changing the operating condition of this portion.
以下本発明の実施例を以下図を用いて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は実施例のフロー図である。まず塵埃を検出す
る機構と塵埃の検出された時刻を検出する機構を備え、
この検出機構にて検出した塵埃の情報を収録する機構を
設けたダストセンサを内部の発塵状況を検査すべき装置
へ投入する。次いでこのダストセンサにて装置の内部の
塵埃の検出を行なう。この時に塵埃の検出された時刻の
情報も収録する。場合によつては塵埃の粒径位置の情報
他などについても収録する。被検査対象装置内部の塵埃
情報の収録が終了すると次いでダストセンサにて収録し
た塵埃情報に基づき発塵マツプを作成する。この後に作
成したマツプを用いて被検査対象装置のどこで発塵した
かを特定する。これは作成したマツプには塵埃が検出さ
れた時刻情報が含まれており、この検出時刻と、被検査
対象装置内での各ステツプの所要時間のチヤートとを比
較すると、塵埃の検出された時刻にこのダストセンサが
装置のどの部分に存在していたかがわかる。これにより
塵埃の発塵箇所の特定を行なうことが可能になる。FIG. 1 is a flowchart of the embodiment. First, it has a mechanism to detect dust and a mechanism to detect the time when dust is detected,
A dust sensor provided with a mechanism for recording information on the dust detected by the detection mechanism is input to a device to be inspected for the internal dust generation status. Next, dust inside the apparatus is detected by the dust sensor. At this time, information on the time at which dust is detected is also recorded. In some cases, information on the particle size position of dust and the like are also recorded. When the recording of the dust information inside the device to be inspected is completed, a dust map is created based on the dust information recorded by the dust sensor. Using the map created after this, it is specified where the dust is generated in the device to be inspected. This is because the created map contains the time information at which dust was detected.Comparing this detection time with the chart of the required time of each step in the device under test, the time at which dust was detected It can be known where in the device the dust sensor was located. This makes it possible to specify a dust generation location.
第2図の実施例はダストセンサシステムに用いるダス
トセンサの動作のダイヤグラムである。ダストセンサに
は塵埃検出のための検出機構、塵埃検出の時刻の検出機
構、検出した信号が塵埃によるものかどうかの判定機
構、塵埃の情報をダストセンサ本体内あるいは外部へと
転送する機構、転送された情報を記録する機構が備えら
れている。まずダストセンサを始動させる。次いで同セ
ンサ内部の情報をセンサ初期化するために消去する。こ
のとき消去される情報は検出機構にて検出される情報で
塵埃の付着時刻情報、塵埃の付着位置情報、塵埃の付着
個数情報で、場合によつては塵埃の粒径分布情報、塵埃
の成分情報等も含まれる。次いで時刻情報とするために
センサ内時刻の計測を始める。その次にダストセンサの
初期化を行なう。これは2つのステツプから成つてい
る。まずこの時点でセンサ面上に付着している塵埃の検
出を行なうためのセンサ面上の走査を行なう。次いで検
出された結果をセンサの初期情報とする。初期情報は、
検出機構にて検出される情報で初期情報収集時刻、塵埃
の付着位置情報、塵埃の付着個数情報で、場合によつて
は塵埃の粒径分布情報、塵埃の成分情報等も含まれる。
ダストセンサ初期化の後、被検査対象装置でのダスト計
測のためのトリガ信号を入れる。このトリガによりダス
トセンサは被検査対象装置投入後にダストの計測を始め
ることになる。ダストセンサはトリガ信号を与えられた
後に被検査対象装置に投入される。投入されたダストセ
ンサは塵埃検出のためのセンサ面の走査を開始する。被
検査対象装置内にて発生した塵埃がセンサ面に付着する
とセンタ面に設けられた検出機構にて検出される。この
検出信号により塵埃情報の抽出を行なう。これは検出信
号が塵埃以外のものによる外乱のために発生した信号が
入つている可能性があるため、これをセンサ内の情報と
比較して塵埃による信号かを判定する。塵埃による信号
と判定された場合にはこれを塵埃情報とする。この情報
の内容は塵埃検出時刻情報、塵埃付着位置情報、塵埃付
着個数情報、場合によつては塵埃の粒径分布情報、塵埃
の成分情報等も含まれる。次いでこの情報を転送するた
めの処理を行う。この処理はこの走査で得られた塵埃情
報とその一つ前の走査で得られた塵埃情報との比較を行
ない、その情報の推移を得る。この推移を次にセンサ内
あるいはセンサ外に設けられた塵埃情報を蓄積のための
機構へと転送する。転送された塵埃情報は蓄積のための
機構へと順次蓄積される。次いで塵埃の検出測定を続行
するかどうかを判定する。検出を続行する場合には再度
塵埃の検出のための走査以下塵埃の蓄積までの動作を繰
返す。検出を終了する場合には蓄積された塵埃情報によ
り塵埃マツプを作成するための処理を行なう。この処理
はセンサ内部あるいはセンサの外部のいずれかで行な
う。この処理が終了した後にダストセンサの測定動作を
停止する。測定の終了したダストセンサは被検査対象処
理装置外へと搬出される。第3図の実施例はダストセン
サシステムのダストセンサの塵埃検出のための検出機構
の動作のダイヤグラムである。本実施例では塵埃の検出
機構が、光及び塵埃による光の散乱、光の掩蔽を検出す
る受光センサを用いている。まず塵埃検出のための光を
放射する。被検査装置内発生塵埃による光の散乱を検出
する場合には光は受光センサに直接光が入らぬように受
光センサ面に平行に放射される。装置内で発生した塵埃
が光の放射されている空間に入るとこの塵埃による光の
散乱を発生する。この散乱された光を受光センサにてと
らえることにより塵埃を検出することが出来る。また装
置内発生塵埃による光の掩蔽を検出する場合には光は受
光センサ面に直接光が入るように放射される。装置内で
発生した塵埃が受光センサ面上に付着すると受光センサ
に入る光がこの塵埃により掩蔽されるので、塵埃を検出
することが出来る。いずれの場合も塵埃によりひき起さ
れた受光センサの検出信号は、塵埃による信号かその他
の外乱による信号かをセンサ内情報と比較して判定す
る。塵埃による信号と判定された場合は塵埃情報とす
る。塵埃検出以外の外乱と判定された場合は検出を続け
る。FIG. 2 is a diagram showing the operation of the dust sensor used in the dust sensor system. The dust sensor has a detection mechanism for detecting dust, a mechanism for detecting the time of dust detection, a mechanism for determining whether the detected signal is due to dust, a mechanism for transferring dust information to the inside or outside of the dust sensor body, and transfer. There is provided a mechanism for recording the obtained information. First, the dust sensor is started. Next, the information inside the sensor is deleted to initialize the sensor. The information erased at this time is information detected by the detection mechanism, such as dust adhesion time information, dust adhesion position information, and dust adhesion number information. In some cases, dust particle size distribution information and dust components. Information is also included. Next, measurement of the in-sensor time is started to obtain the time information. Then, the dust sensor is initialized. It consists of two steps. First, scanning on the sensor surface is performed to detect dust adhering on the sensor surface at this time. Next, the detected result is used as initial information of the sensor. The initial information is
The information detected by the detection mechanism is the initial information collection time, dust attachment position information, dust attachment number information, and in some cases, dust particle size distribution information, dust component information, and the like.
After the initialization of the dust sensor, a trigger signal for dust measurement in the device to be inspected is input. With this trigger, the dust sensor starts measuring the dust after the device to be inspected is put in. The dust sensor is supplied to the device under test after receiving the trigger signal. The input dust sensor starts scanning the sensor surface for dust detection. When dust generated in the device to be inspected adheres to the sensor surface, it is detected by a detection mechanism provided on the center surface. Dust information is extracted based on this detection signal. Since the detection signal may include a signal generated due to disturbance due to something other than dust, this is compared with information in the sensor to determine whether the signal is due to dust. If it is determined that the signal is due to dust, this is used as dust information. The contents of this information include dust detection time information, dust adhesion position information, dust adhesion number information, and in some cases, dust particle size distribution information, dust component information, and the like. Next, processing for transferring this information is performed. In this processing, the dust information obtained by this scan is compared with the dust information obtained by the immediately preceding scan, and the transition of the information is obtained. This transition is then transferred to a mechanism for storing dust information provided inside or outside the sensor. The transferred dust information is sequentially stored in a storage mechanism. Next, it is determined whether or not to continue the detection and measurement of dust. When the detection is continued, the operation from the scanning for detecting the dust to the accumulation of the dust is repeated again. When the detection is terminated, a process for creating a dust map is performed based on the accumulated dust information. This processing is performed either inside the sensor or outside the sensor. After this processing is completed, the measurement operation of the dust sensor is stopped. The dust sensor for which measurement has been completed is carried out of the processing apparatus to be inspected. FIG. 3 is a diagram showing the operation of the detection mechanism for detecting dust in the dust sensor of the dust sensor system. In the present embodiment, the dust detection mechanism uses a light receiving sensor that detects light and scattering of light and dust obscuration. First, light for dust detection is emitted. When light scattering due to dust generated in the device to be inspected is detected, the light is emitted in parallel with the light receiving sensor surface so that the light does not directly enter the light receiving sensor. When dust generated in the apparatus enters a space from which light is radiated, light is scattered by the dust. Dust can be detected by detecting the scattered light with the light receiving sensor. Further, when detecting light obscuration due to dust generated in the apparatus, the light is emitted so that light directly enters the light receiving sensor surface. When dust generated in the apparatus adheres to the light receiving sensor surface, light entering the light receiving sensor is covered by the dust, so that the dust can be detected. In any case, the detection signal of the light receiving sensor caused by the dust is determined by comparing the signal due to the dust or the signal due to other disturbance with the information in the sensor. If it is determined that the signal is due to dust, the signal is regarded as dust information. If it is determined that the disturbance is other than the dust detection, the detection is continued.
第4図の実施例はダストセンサシステムのダストセン
サの塵埃検出のための他の検出機構の動作ダイヤグラム
である。本実施例では塵埃の検出機構がAT板水晶振動
子、この振動子の発信回路及び周波数検出回路から構成
されている。まずAT板水晶振動子を発振回路にて発振さ
せておく、この振動子に被検査対象装置内で発生した塵
埃が振動子の面に付着すると振動子の厚みが変化するた
めこの厚みの変化に対する量だけ周波数が減少する。こ
の減少量を検出する。次いでこの検出信号を塵埃による
ものか、その他の外乱によるものかをセンサ内情報と比
較して判定する。塵埃による信号と判定された場合は塵
埃情報とする。塵埃以外の外乱と判定された場合には検
出を続ける。The embodiment of FIG. 4 is an operation diagram of another detection mechanism for detecting dust by the dust sensor of the dust sensor system. In the present embodiment, the dust detection mechanism includes an AT plate crystal oscillator, a transmission circuit of the oscillator, and a frequency detection circuit. First, the AT plate crystal oscillator is oscillated by an oscillation circuit. If dust generated in the device to be inspected adheres to the surface of the oscillator, the thickness of the oscillator changes. The frequency decreases by an amount. The amount of decrease is detected. Next, it is determined whether the detection signal is due to dust or other disturbance by comparing it with information in the sensor. If it is determined that the signal is due to dust, the signal is regarded as dust information. If it is determined that the disturbance is other than dust, the detection is continued.
第5図の実施例はダストセンサシステムのダストセン
サの塵埃検出のための他の検出機構の動作ダイヤグラム
である。本実施例では塵埃の検出機構が微小電荷の検出
器及び微小電荷の変化により生ずる微小電流の検出器か
ら構成されている。微小電荷の検出器に被検査対象装置
内で発生した塵埃が付着すると、通常は塵埃は帯電して
いるため微小電荷の検出器により付着が検出される。ま
たこのとき電荷の変動が生じるので微小電流が発生す
る。この電流は微小電流計にて検出される。次いでこの
検出信号が塵埃によるものかその他の外乱によるものか
をセンサ内情報と比較して判定する。塵埃による信号と
判定された場合は塵埃情報とする。塵埃以外の外乱と判
定された場合には検出を続ける。The embodiment of FIG. 5 is an operation diagram of another detection mechanism for detecting dust by the dust sensor of the dust sensor system. In this embodiment, the dust detection mechanism includes a detector for detecting a minute electric charge and a detector for detecting a minute electric current caused by a change in the minute electric charge. When dust generated in the device to be inspected adheres to the minute-charge detector, the dust is usually charged, and the adhesion is detected by the minute-charge detector. Also, at this time, a small current is generated due to a change in charge. This current is detected by a minute ammeter. Next, it is determined whether the detection signal is due to dust or other disturbance by comparing the information with the information in the sensor. If it is determined that the signal is due to dust, the signal is regarded as dust information. If it is determined that the disturbance is other than dust, the detection is continued.
第6図の実施例はダストセンサシステムのダストセン
サの塵埃検出のための他の検出機構の動作ダイヤグラム
である。本実施例では塵埃の検出機構が光化学反応を用
いたものとなつている。光化学反応は塵埃の付着により
光化学反応が進展する形式のものと塵埃の付着により光
化学反応が停止される形式のものを用いている。塵埃の
付着により光化学反応が進展する形式のものは、光化学
反応を抑制するための光が周期的に放射される。この反
応は光があたらないと化学反応が進展し時間経過に比例
する。従つて塵埃がダストセンサ上に付着するとセンサ
面の該当部分が光に対して掩蔽されるため化学反応が進
展する。この化学反応の進展の程度で塵埃の付着した時
間を確定することが出来る。塵埃の付着により光化学反
応が停止する形式のものは、光化学反応を促進するため
の光が周期的に放射される。この反応は光があたらない
と化学反応が停止する。この化学反応は光あたつている
時間経過に比例する。従つて塵埃がダストセンサ上に付
着するセンサ面の該当部分が光に対して掩蔽されるため
化学反応が停止する。この化学反応の進展の程度で塵埃
の付着した時刻を確定することが出来る。The embodiment of FIG. 6 is an operation diagram of another detection mechanism for detecting dust by the dust sensor of the dust sensor system. In this embodiment, the dust detection mechanism uses a photochemical reaction. As the photochemical reaction, a type in which the photochemical reaction progresses due to the adhesion of dust and a type in which the photochemical reaction is stopped by the adhesion of dust are used. In the type in which the photochemical reaction progresses due to the attachment of dust, light for suppressing the photochemical reaction is periodically emitted. This reaction progresses in the absence of light and the chemical reaction progresses, and is proportional to the passage of time. Therefore, when dust adheres to the dust sensor, a corresponding portion of the sensor surface is covered by light, and a chemical reaction proceeds. The time at which dust adheres can be determined based on the degree of progress of the chemical reaction. In the type in which the photochemical reaction is stopped by the attachment of dust, light for promoting the photochemical reaction is periodically emitted. This reaction stops when no light is applied. This chemical reaction is proportional to the passage of time over the light. Therefore, the chemical reaction stops because the corresponding portion of the sensor surface where dust adheres to the dust sensor is covered with light. The time at which dust adheres can be determined based on the degree of progress of the chemical reaction.
第7図の実施例はダストセンサシステムのダストセン
サの塵埃検出のための検出機構の動作ダイヤグラムであ
る。本実施例では塵埃の検出機構が光化学反応を用いた
もので、特定の波長の光により化学反応が促進される物
質をセンサ面に多種波長に反応するように塗布した構造
となつている。ダストセンサにて塵埃の検出のための測
定時には、第1の光が放射される。このとき塵埃がセン
サ面に付着していれば第1の光が掩蔽されてその部分の
第1の光に反応する化学物質は化学反応を行なわない。
第1の光が放射されて一定時間後に第2の光が放射され
る。このときセンサ面に塵埃が付着していれば、第1の
光のときと同様に第2の光が掩蔽されてその部分の第2
の光に反応する化学物質は化学反応を行なわない。以下
これが多数の波長について次々と繰返される。これによ
りどの光に反応していないかを調べることによりいつ塵
埃が付着したかを特定できる。FIG. 7 is an operation diagram of a detection mechanism for detecting dust in a dust sensor of a dust sensor system. In this embodiment, the dust detection mechanism uses a photochemical reaction, and has a structure in which a substance whose chemical reaction is promoted by light of a specific wavelength is applied to the sensor surface so as to react to various wavelengths. At the time of measurement for detecting dust by the dust sensor, the first light is emitted. At this time, if dust adheres to the sensor surface, the first light is obscured, and the chemical substance reacting to the first light in that portion does not perform a chemical reaction.
The second light is emitted a certain time after the first light is emitted. At this time, if dust adheres to the sensor surface, the second light is obscured as in the case of the first light, and the second light of that portion is covered.
Chemicals that react to light do not undergo a chemical reaction. This is repeated for a number of wavelengths one after another. This makes it possible to determine when dust has adhered by examining which light is not responding.
第8図の実施例はダストセンサシステムのダストセン
サの他の塵埃検出のための検出機構の動作ダイヤグラム
である。本実施例では塵埃の検出機構がセンサ面への塵
埃の衝突によつて生じる加速計及び信号処理系から構成
されている。まず加速度計を作動させておく、塵埃がセ
ンサ面に衝突すると加速計にて検知される。このときセ
ンサ面内に設けられた複数個の加速度計によりどの位置
に塵埃がいつ付着したかを検知することが出来る。また
ダストセンサ移動時の衝撃の信号を塵埃付着信号と混同
しないようにセンサからの過大入力信号を排除する信号
処理系が作動する。FIG. 8 is an operation diagram of a detection mechanism for detecting other dust in the dust sensor of the dust sensor system. In the present embodiment, the dust detection mechanism is composed of an accelerometer and a signal processing system generated by the impact of dust on the sensor surface. First, the accelerometer is activated. When dust collides with the sensor surface, it is detected by the accelerometer. At this time, it is possible to detect at which position dust adheres and at which position by a plurality of accelerometers provided in the sensor surface. In addition, a signal processing system for eliminating an excessive input signal from the sensor is operated so as not to confuse a signal of an impact when the dust sensor moves with a dust adhesion signal.
第9図の実施例はダストセンサシステムのダストセン
サの他の塵埃検出のための機構の動作ダイヤグラムであ
る。本実施例では塵埃の付着が刺激となりセンサ面に設
けた微生物の成長が促進あるいは抑制される微生物を用
いている。塵埃の付着が刺激となり微生物の成長が促進
される場合は、センサ面に塵埃が付着すると塵埃の付着
した部分の微生物の刺激を受け成長が促進される。微生
物の成長は刺激を受けてからの時間に比例するようにな
つており、このため塵埃がいつ付着したかを知ることが
出来る。また塵埃の付着が刺激となり微生物の成長が停
止する場合は、センサ面に塵埃が付着すると塵埃の付着
した部分の微生物が刺激を受け成長が停止する。塵埃の
付着した部分の微生物は成長が停止するまでは成長を続
けており、この成長は時間の経過に比例するため、いつ
塵埃が付着したかを知ることが出来る。FIG. 9 is an operation diagram of another mechanism for detecting dust in the dust sensor of the dust sensor system. In the present embodiment, microorganisms provided on the sensor surface are stimulated by the adhesion of dust to stimulate or suppress the growth of microorganisms. When the adhesion of dust stimulates the growth of microorganisms, when the dust adheres to the sensor surface, the growth is promoted by the stimulation of microorganisms in the portion where the dust adheres. The growth of microorganisms is proportional to the time since the stimulus, so that it is possible to know when dust has adhered. In addition, when the adhesion of dust is a stimulus and the growth of microorganisms is stopped, when the dust adheres to the sensor surface, the microorganisms in the portion where the dust is attached are stimulated and the growth stops. The microorganisms in the portion to which dust adheres continue to grow until the growth stops, and since this growth is proportional to the passage of time, it is possible to know when dust adheres.
第10図の実施例は他のシステムフロー図である。塵埃
検出のための検出機構を検査すべき装置の各所に設けて
あり、塵埃の装置内の各所での発生を監視している。塵
埃が発生し検出機構にて検出されると直ちにその情報に
基づき塵埃の検出がどの検出機構のものかを特定するこ
とが出来、塵埃発生箇所の特定が可能となる。The embodiment of FIG. 10 is another system flow diagram. A detection mechanism for detecting dust is provided in each part of the apparatus to be inspected, and the generation of dust in each part in the apparatus is monitored. As soon as dust is generated and detected by the detection mechanism, it is possible to specify which detection mechanism the dust detection is based on the information, and it is possible to specify the dust generation location.
第11図の実施例は更に他のシステムフロー図である。
内部の塵埃発生状況を監視すべき処理装置の被処理物の
投入口の直前と被処理物の搬出口の直後とにこの被処理
物への塵埃の付着状況を検査する装置を設けてある。被
監視対象装置内に被処理物を投入する投入口の直前に設
けられた塵埃の付着状況を検査する装置にて塵埃の付着
状況を検査する。その後被監視対象装置にて被処理物を
処理する。処理後被処理物を搬出し、搬出口直後に設け
られた塵埃付着の状況を検査する装置にて塵埃の付着状
況を検査する。被処理物の被監視対象の処理装置投入直
前の塵埃の付着情報と処理直後の塵埃の付着情報とによ
り被監視対象処理装置の内部の発塵状況を監視できる。The embodiment of FIG. 11 is still another system flow diagram.
A device is provided for inspecting the state of attachment of dust to the object to be processed immediately before the inlet of the object to be processed and immediately after the outlet of the object to be processed in the processing apparatus for monitoring the state of dust generation therein. The state of adhesion of dust is inspected by a device for inspecting the state of adhesion of dust, which is provided immediately before an inlet for introducing an object to be processed into the device to be monitored. Thereafter, the object to be processed is processed by the monitored device. After the treatment, the object to be processed is carried out, and the state of dust adhesion is inspected by an apparatus for inspecting the state of dust adhesion provided immediately after the exit. The dust generation status inside the monitored object processing apparatus can be monitored based on the dust adhesion information of the object to be monitored immediately before input to the processing apparatus and the dust adhesion information immediately after the processing.
第12図の実施例は更に他のシステムのフロー図であ
る。まず塵埃を検出する機構、塵埃の検出された時刻を
検出する機構、この検出機構にて検出した塵埃の情報を
収録する機構、塵埃を検出した時に検査すべき装置内に
ダストセンサの位置を付ける機構を備えたダストセンサ
を内部の発塵状況を検査すべき装置内へ投入する。次い
でこのダストセンサにて装置内部の塵埃の検出を行な
う。この時に塵埃の検出された時刻の情報も収録する。
場合によつては塵埃の粒径位置の情報他についても収録
する。加えて塵埃の検出が行なわれた際に被検査対象装
置内にダストセンサのその時の位置を示す印を付ける。
なおこの印の材料は塵埃の発生原因となりにくいように
且つ、この印の確認後容易に取除ける物質を用いてい
る。被検査対象装置内部の塵埃情報の収録が終了すると
次いでダストセンサにて収録した塵埃情報に基づき発塵
マツプを作成する。この後作成したマツプ及び装置内に
付けられた印により塵埃の発塵箇所の特定行なうことが
出来る。The embodiment of FIG. 12 is a flowchart of yet another system. First, a mechanism for detecting dust, a mechanism for detecting the time at which dust is detected, a mechanism for recording information of the dust detected by this detection mechanism, and a position of the dust sensor in a device to be inspected when dust is detected. A dust sensor equipped with a mechanism is put into a device to be inspected for the inside dust generation status. Next, the dust inside the device is detected by the dust sensor. At this time, information on the time at which dust is detected is also recorded.
In some cases, information on the particle size position of dust and the like are also recorded. In addition, when dust detection is performed, a mark indicating the current position of the dust sensor is placed in the device to be inspected.
The material of this mark is a substance that is hard to cause dust and that can be easily removed after confirmation of the mark. When the recording of the dust information inside the device to be inspected is completed, a dust map is created based on the dust information recorded by the dust sensor. Thereafter, the location where dust is generated can be specified by the map created and the mark attached in the apparatus.
第13図の実施例は更に他のシステムフロー図である。
まず塵埃を検出する機構、塵埃の検出された時刻を検出
する機構、この検出機構にて検出した塵埃の情報を収録
する機構を設けたダストセンサを内部の発塵状況を検査
すべき半導体製造装置へ投入する。次いでこのダストセ
ンサにて装置の内部の塵埃の検出を行なう。この時に塵
埃の検出された時刻の情報も収録する。場合によつては
塵埃の粒径位置の情報などについても収録する。被検査
対象の半導体製造装置内部の塵埃情報の収録が終了する
と次いでダストセンサにて収録した塵埃情報に基づき発
塵マツプを作成する。この後に作成したマツプを用いて
被検査対象の半導体製造装置のどこで発塵したかを特定
する。これは作成したマツプには塵埃が検出された時刻
情報が含まれており、この検出時刻と、被検査対象装置
内での各ステツプの所要時間のチヤートとを比較する
と、塵埃の検出された時刻にこのダストセンサが装置の
どの部分に存在していたかがわかる。これにより塵埃の
発塵箇所の特定を行なうことが出来る。The embodiment of FIG. 13 is still another system flow diagram.
First, a semiconductor sensor for inspecting the state of dust generation inside a dust sensor provided with a mechanism for detecting dust, a mechanism for detecting the time at which dust is detected, and a mechanism for recording information of the dust detected by this detection mechanism. To Next, dust inside the apparatus is detected by the dust sensor. At this time, information on the time at which dust is detected is also recorded. In some cases, information such as the position of the particle size of dust is also recorded. When the recording of the dust information inside the semiconductor manufacturing apparatus to be inspected is completed, then a dust map is created based on the dust information recorded by the dust sensor. Using the map created thereafter, it is specified where the dust is generated in the semiconductor manufacturing apparatus to be inspected. This is because the created map contains the time information at which dust was detected.Comparing this detection time with the chart of the required time of each step in the device under test, the time at which dust was detected It can be known where in the device the dust sensor was located. As a result, it is possible to specify a dust generation location.
第14図の実施例はダストセンサの外観図である。半導
体製造装置の内部の発塵状況を検査しやすいように通常
の半導体製造装置にて処理に用いるウエハと同じ口径、
同程度の厚みとなつている。塵埃の検出機構11が通常半
導体製造装置にて処理されるウエハの被処理面に対応す
る側に設けられている。塵埃の検出された時刻を検出す
る機構、この検出した塵埃の情報を収録する機構を収納
した周辺機構12が塵埃の検出機構11の下部に設けられて
いる。FIG. 14 is an external view of a dust sensor. The same diameter as the wafer used for processing in normal semiconductor manufacturing equipment, so that it is easy to inspect the state of dust generation inside the semiconductor manufacturing equipment,
It has the same thickness. A dust detection mechanism 11 is provided on a side corresponding to a surface to be processed of a wafer which is usually processed in a semiconductor manufacturing apparatus. A peripheral mechanism 12 containing a mechanism for detecting the time at which dust is detected and a mechanism for recording information on the detected dust is provided below the dust detection mechanism 11.
第15図の実施例はダストセンサの設けられたウエハの
外観図である。通常半導体製造装置にて処理されるウエ
ハ2の被処理面に対応する側にダストセンサ1が設けら
れている。FIG. 15 is an external view of a wafer provided with a dust sensor. A dust sensor 1 is provided on a side corresponding to a surface to be processed of a wafer 2 which is usually processed in a semiconductor manufacturing apparatus.
第16図の実施例はダストセンサシステムを用いた半導
体製造装置のシステムフロー図である。まず塵埃を検出
する機構、塵埃の検出された時刻を検出する機構、この
検出にて検出した塵埃の情報を収録する機構を備えたダ
ストセンサを内部の発塵状況を制御すべき半導体製造装
置内に投入する。次いでこのダストセンサにて装置内部
の塵埃の検出を行なう。この時に塵埃の検出された時刻
の情報も収録する。場合によつて塵埃の粒径、位置など
の情報他についても収録する。被制御対象装置内部の塵
埃情報の収録が終了すると次いでダストセンサにて収録
した塵埃情報に基づき発塵マツプを作成する。この後に
作成したマツプを用いて被制御対象装置のどこで発塵し
たかを特定する。これにより発塵箇所の動作条件を変更
する。これにより被制御対象装置の内部の発塵量が制御
出来る。The embodiment of FIG. 16 is a system flow diagram of a semiconductor manufacturing apparatus using a dust sensor system. First, a dust sensor equipped with a mechanism for detecting dust, a mechanism for detecting the time at which dust is detected, and a mechanism for recording information of the dust detected by this detection is provided inside a semiconductor manufacturing apparatus for controlling the internal dust generation situation. To Next, the dust inside the device is detected by the dust sensor. At this time, information on the time at which dust is detected is also recorded. In some cases, information such as the particle size and position of dust is also recorded. When the recording of the dust information inside the controlled device is completed, a dust map is created based on the dust information recorded by the dust sensor. Using the map created thereafter, where the dust is generated in the controlled device is specified. This changes the operating conditions of the dusting point. Thus, the amount of dust generated inside the controlled device can be controlled.
本発明は、以上説明したようにダストセンサにて塵埃
がいつセンサに付着したかがわかるのでこれにより装置
のどの部分から発塵したのかを特定出来る。また装置内
に設けられたセンサにて装置内部が常時監視されている
ため発塵箇所を直ちに特定することが出来る。また装置
内に付けられた印を確認することで発塵箇所の特定が行
なえる。また装置の投入口直前と搬出口直後に設けられ
た塵埃検出機構により検出される投入直前と搬出直後の
塵埃情報の変化により装置内の塵埃の発生状況を監視で
きる。更にまたダストセンサにて内部の発塵箇所の特定
が出来るので、この箇所の動作条件を変更することで発
塵量の制御が行なえる等の効果を有する。According to the present invention, as described above, since the dust sensor can detect when dust adheres to the sensor, it is possible to specify from which part of the apparatus the dust is generated. In addition, since the inside of the apparatus is constantly monitored by the sensor provided in the apparatus, a dust generation point can be immediately specified. In addition, by confirming the mark attached to the inside of the apparatus, the dust generation point can be specified. Further, it is possible to monitor the state of dust generation in the apparatus based on a change in dust information immediately before insertion and immediately after unloading detected by dust detection mechanisms provided immediately before the entrance of the apparatus and immediately after the exit. Furthermore, since a dust generation point inside can be specified by the dust sensor, it is possible to control the amount of generated dust by changing the operating conditions at this point.
第1図は本発明の一実施例のシステムフロー図、第2図
は他の実施例でダストセンサシステムに用いるダストセ
ンサの動作のダイヤグラム、第3図は更に他の実施例で
ダストセンサの塵埃検出のための検出機構の動作ダイヤ
グラム、第4図は更に他の実施例でダストセンサの他の
塵埃検出機構の動作ダイヤグラム、第5図は更に他の実
施例でダストセンサの他の塵埃検出機構の動作ダイヤグ
ラム、第6図は更に他の実施例でダストセンサの他の塵
埃検出機構の動作ダイヤグラム、第7図は更に他の実施
例でダストセンサの塵埃検出機構の動作ダイヤグラム、
第8図は更に他の実施例でダストセンサの他の塵埃検出
機構の動作ダイヤグラム、第9図は更に他の実施例でダ
ストセンサの他の塵埃検出機構の動作ダイヤグラム、第
10図は更に他の実施例で他のシステムフロー図、第11図
は更に他の実施例で他のシステムフロー図、第12図は更
に他の実施例で他のシステムフロー図、第13図は更に他
の実施例で他のシステムフロー図、第14図は更に他の実
施例でダストセンサの外観図、第15図は更に他の実施例
でダストセンサの設けられたウエハの外観図、第16図は
更に他の実施例でダストセンサシステムを用いた半導体
製造装置のシステムフロー図である。 1……ダストセンサ、2……ウエハ、11……塵埃検出機
構、12……周辺機構。FIG. 1 is a system flow diagram of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram of the operation of a dust sensor used in a dust sensor system in another embodiment, and FIG. 3 is dust of the dust sensor in still another embodiment. FIG. 4 is an operation diagram of a detection mechanism for detection, FIG. 4 is an operation diagram of another dust detection mechanism of a dust sensor in still another embodiment, and FIG. 5 is another dust detection mechanism of a dust sensor in still another embodiment. FIG. 6 is an operation diagram of another dust detection mechanism of a dust sensor in still another embodiment, and FIG. 7 is an operation diagram of a dust detection mechanism of a dust sensor in still another embodiment.
FIG. 8 is an operation diagram of another dust detection mechanism of the dust sensor in still another embodiment, and FIG. 9 is an operation diagram of another dust detection mechanism of the dust sensor in still another embodiment.
10 is another system flow diagram in still another embodiment, FIG. 11 is another system flow diagram in still another embodiment, FIG. 12 is another system flow diagram in still another embodiment, FIG. FIG. 14 is another system flow diagram in still another embodiment, FIG. 14 is an external view of a dust sensor in still another embodiment, FIG. 15 is an external view of a wafer provided with a dust sensor in still another embodiment, FIG. 16 is a system flow diagram of a semiconductor manufacturing apparatus using a dust sensor system in still another embodiment. 1 ... Dust sensor, 2 ... Wafer, 11 ... Dust detection mechanism, 12 ... Peripheral mechanism.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市川 洋子 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (72)発明者 時末 裕充 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (72)発明者 赤津 利雄 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (72)発明者 村松 公夫 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所高崎工場内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Yoko Ichikawa 502 Kandate-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Pref.Hitachi, Ltd.Mechanical Laboratory Co., Ltd. In the laboratory (72) Inventor Toshio Akatsu 502 Kandachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Pref. Machinery Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Kimio Muramatsu 111, Nishiyokote-cho, Takasaki-shi, Gunma Pref.
Claims (15)
された時刻を検出する機構を備え、この検出機構にて検
出した塵埃の情報を収録する機構を設けたダストセンサ
を、内部の塵埃発生状況を検査すべき装置内に投入・通
過させ、このダストセンサにて得られた情報に基づき、
被検査対象装置内の発塵状況図表を作成し、この図表に
て被検査対象装置内の塵埃発生箇所の特定を行なうこと
を可能にしたことを特徴とする塵埃検出方法。A dust sensor having a detection mechanism for detecting dust and a mechanism for detecting a time at which the dust is detected, and a mechanism for recording information of the dust detected by the detection mechanism is provided. The occurrence situation is introduced and passed into the device to be inspected, and based on the information obtained by this dust sensor,
A dust detection method, comprising: creating a diagram of the state of dust generation in a device to be inspected, and enabling the location of dust generation in the device to be inspected to be identified using the chart.
ストセンサは、塵埃検出のための検出機構、塵埃検出の
時刻の検出機構、検出した信号が塵埃によるものかどう
かの判定機構、塵埃の情報をダストセンサ本体内あるい
は外部へと転送する機構及び転送された情報を記録する
機構を備え、ダストセンサ始動直後に同センサ内部の情
報を消去し、その後同センサ面上の初期付着塵埃を検出
しこれを初期塵埃情報とし、次いで内部の発塵状況を検
査すべき装置内での検査を行なうためのトリガ信号によ
り同被検査装置内の塵埃の検出のための検査・検出を行
ない、得られた検出信号に対して塵埃か否かを判定し、
これにより得られた塵埃情報を同センサ本体内あるいは
センサ外部へと転送し、転送された情報を記録・蓄積
し、検出のための走査以下情報の記録・蓄積までの動作
を所定時間繰返した後に、記録・蓄積された情報を被検
査装置内の発塵状況図表作成のための情報として処理す
ることを特徴とした塵埃検出方法。2. The dust detecting method according to claim 1, wherein the dust sensor includes a detecting mechanism for detecting the dust, a detecting mechanism for detecting the time of the dust detection, a determining mechanism for determining whether or not the detected signal is due to the dust, Equipped with a mechanism to transfer information to the inside or outside of the dust sensor body and a mechanism to record the transferred information, erase the information inside the sensor immediately after starting the dust sensor, and then detect the initially attached dust on the sensor surface This is used as initial dust information, and then inspection / detection for detection of dust in the device to be inspected is performed by a trigger signal for performing inspection in the device to be inspected for the state of internal dust generation. Determine whether the detection signal is dust or not,
After transferring the obtained dust information to the inside of the sensor main body or to the outside of the sensor, recording and storing the transferred information, and repeating the operation from scanning for detection to recording and storage of information for a predetermined time, And processing the recorded / accumulated information as information for creating a chart of the status of dust generation in the device to be inspected.
ストセンサの塵埃の検出に、塵埃検出のための光及び、
塵埃によるこの光の散乱、掩蔽を検出する素子を用いる
ことを特徴とする塵埃検出方法。3. The dust detection method according to claim 2, wherein the dust sensor detects the dust by using light for dust detection and:
A dust detection method using an element for detecting scattering and obscuration of the light by dust.
ストセンサの塵埃の検出に、AT板水晶振動子、この振動
子の発信回路及び周波数検出回路を用いることを特徴と
する塵埃検出方法。4. The dust detection method according to claim 2, wherein an AT plate quartz oscillator, a transmission circuit of this oscillator, and a frequency detection circuit are used for dust detection of the dust sensor.
ストセンサの塵埃の検出に、微小電荷の検出器及び微小
電荷の変化により生ずる微小電流の検出器を用いること
を特徴とする塵埃検出方法。5. The dust detection method according to claim 2, wherein a detector for detecting a minute electric charge and a detector for detecting a minute electric current caused by a change in the minute electric charge are used for detecting the dust of the dust sensor. .
ストセンサの塵埃の検出に、化学反応を用いたもので、
塵埃の付着により付着部分の反応が開始されることある
いは停止されることを利用することを特徴とする塵埃検
出方法。6. The dust detection method according to claim 2, wherein a chemical reaction is used for detecting the dust by the dust sensor.
A dust detection method using the fact that the reaction of an adhering portion is started or stopped by the adhering of dust.
ストセンサの塵埃の検出に、塵埃のセンサ面への衝突を
検出する加速度計を用いることを特徴とする塵埃検出方
法。7. The dust detection method according to claim 2, wherein an accelerometer for detecting the collision of the dust with the sensor surface is used for detecting the dust of the dust sensor.
ストセンサの塵埃の検出に、微生物を用いたもので、塵
埃の付着によりこの微生物の成長が開始又は停止される
ことを利用することを特徴とする塵埃検出方法。8. The dust detection method according to claim 2, wherein the detection of the dust by the dust sensor uses microorganisms, and utilizes the fact that the growth of the microorganisms is started or stopped by the adhesion of dust. Characteristic dust detection method.
埃を検出するための機構を内部の塵埃発生状況を検査す
べき装置の各所に設置し、常時各所の塵埃情報を監視す
ることにより、被検査対象装置内の発塵箇所の特定を行
なうことを特徴とする塵埃検出方法。9. A dust detection method according to claim 1, wherein a mechanism for detecting dust is installed in each part of the apparatus for inspecting the state of dust generation inside and constantly monitors dust information in each part. A dust detection method, comprising: identifying a dusting point in a device to be inspected.
塵埃を検出するための機構を内部の塵埃発生状況を検査
すべき処理装置の被処理物投入口の直前及び被処理物搬
出口の直後に設けて被検査装置の内部の発塵状況を監視
することを特徴とする塵埃検出方法。10. The dust detection method according to claim 1, wherein
A mechanism for detecting dust is provided immediately before a workpiece input port and immediately after a workpiece outlet of a processing apparatus to be inspected for the state of internal dust generation, and monitors the state of dust generation inside the apparatus to be inspected. A dust detection method, comprising:
塵埃を検出するための検出機構及び塵埃の検出された時
刻を検出する機構を備え、この検出機構にて検出した塵
埃の情報を収録する機構,塵埃を検出した時に被検査装
置内にダストセンサの位置を付ける機構を設けたダスト
センサを、内部の塵埃発生状況を検査すべき装置内に投
入・通過時に、ダストセンサが塵埃を検出した時に、装
置内にダストセンサの位置を特定する印を付け、この印
により被検査対象装置内の発生箇所を特定することを可
能にしたことを特徴とする塵埃検出方法。11. The dust detecting method according to claim 1, wherein
It has a detection mechanism for detecting dust and a mechanism for detecting the time at which dust is detected. A mechanism for recording information on the dust detected by this detection mechanism. When a dust sensor equipped with a positioning mechanism is inserted into or passed through a device to be inspected for dust generation inside, when the dust sensor detects dust, a mark identifying the position of the dust sensor is placed in the device. A dust detection method characterized in that it is possible to specify the location of occurrence in the inspection target device by using the mark.
内部の塵埃の発生状況を検査すべき装置として半導体製
造装置を用いることを特徴とする塵埃検出方法。12. The dust detecting method according to claim 1, wherein
A dust detection method, wherein a semiconductor manufacturing device is used as a device for inspecting the state of generation of dust inside.
ダストセンサの形状が半導体製造装置に投入可能なウエ
ハと同様の形状をしていることを特徴とする塵埃検出方
法。13. The dust detecting method according to claim 1, wherein
A dust detection method, wherein the shape of a dust sensor is similar to that of a wafer that can be put into a semiconductor manufacturing apparatus.
ダストセンサが半導体製造装置に投入されるウエハの1
部分を形成していることを特徴とする塵埃検出方法。14. The dust detection method according to claim 1, wherein
Dust sensor for wafer 1 put into semiconductor manufacturing equipment
A dust detection method comprising forming a portion.
の検出された時刻を検出する機構を備え、この検出機構
にて検出した塵埃の情報を収録する機構を設けたダスト
センサを、内部の塵埃発生状況を検査すべき半導体製造
装置内に投入・通過させ、このダストセンサにて得られ
た情報に基づき、被検査対象装置内の発塵状況図表を作
成し、この図表にて被検査対象装置内の発塵箇所を特定
し、これに基づき被検査対象装置内の発塵箇所の作動条
件を変更し発塵量を制御することを特徴とする半導体製
造装置。15. A dust sensor having a detection mechanism for detecting dust and a mechanism for detecting the time at which the dust is detected, and a mechanism for recording information of the dust detected by the detection mechanism is provided. The dust generation status is input and passed into the semiconductor manufacturing equipment to be inspected, and based on the information obtained by this dust sensor, a chart of the dust generation status in the device to be inspected is created. A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that a dust generation point in an apparatus is specified, and an operation condition of the dust generation point in a device to be inspected is changed based on the identified dust generation point to control a dust generation amount.
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