JP2743778B2 - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JP2743778B2 JP2743778B2 JP5176603A JP17660393A JP2743778B2 JP 2743778 B2 JP2743778 B2 JP 2743778B2 JP 5176603 A JP5176603 A JP 5176603A JP 17660393 A JP17660393 A JP 17660393A JP 2743778 B2 JP2743778 B2 JP 2743778B2
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- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リードフ
レームに関し、特に、インナーリード表面の一部に絶縁
材が塗布されたリードフレームに関するものである。
レームに関し、特に、インナーリード表面の一部に絶縁
材が塗布されたリードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置に使用されるリード
フレームは、インナーリードの前方にタブと呼ばれる部
分を有し、そのタブに半導体素子を載置して固定するよ
うに形成されている。タブとインナーリードとの間には
若干の隙間が形成されており、半導体素子の電極とイン
ナーリードとの結線は、その隙間を跨いでボンディング
ワイヤにより行われている。最近、半導体集積回路の大
容量化に伴って半導体素子の寸法が大きくなり、前記隙
間を形成する余裕がなくなると共に、樹脂封入に必要な
長さをインナーリードの部分に確保することが困難にな
ってきている。
フレームは、インナーリードの前方にタブと呼ばれる部
分を有し、そのタブに半導体素子を載置して固定するよ
うに形成されている。タブとインナーリードとの間には
若干の隙間が形成されており、半導体素子の電極とイン
ナーリードとの結線は、その隙間を跨いでボンディング
ワイヤにより行われている。最近、半導体集積回路の大
容量化に伴って半導体素子の寸法が大きくなり、前記隙
間を形成する余裕がなくなると共に、樹脂封入に必要な
長さをインナーリードの部分に確保することが困難にな
ってきている。
【０００３】このような問題を解決するために、タブを
省略し、インナーリードに絶縁フィルムを介して直接半
導体素子を固定する提案がなされている。ところで、上
記のような半導体装置用リードフレームは、装置構成の
必要上、バスバー（電源接続用の母線部分）をインナー
リードの前方（半導体チップ側）に配設する必要があ
る。このようなリ−ドフレームを使用した半導体装置に
おいては、インナーリードと半導体素子の電極とを接続
するボンディングワイヤが、バスバーに接触し、短絡す
ることが考えられる。この短絡を防止するために電源ス
テ−ジに絶縁材を配置させている。この絶縁材として
は、絶縁性の高い接着剤が多く用いられ、この接着剤を
塗布する方法としては、溶媒を混入してワニス状として
絶縁の必要なバスバー上に塗布する方法が採られてい
る。
省略し、インナーリードに絶縁フィルムを介して直接半
導体素子を固定する提案がなされている。ところで、上
記のような半導体装置用リードフレームは、装置構成の
必要上、バスバー（電源接続用の母線部分）をインナー
リードの前方（半導体チップ側）に配設する必要があ
る。このようなリ−ドフレームを使用した半導体装置に
おいては、インナーリードと半導体素子の電極とを接続
するボンディングワイヤが、バスバーに接触し、短絡す
ることが考えられる。この短絡を防止するために電源ス
テ−ジに絶縁材を配置させている。この絶縁材として
は、絶縁性の高い接着剤が多く用いられ、この接着剤を
塗布する方法としては、溶媒を混入してワニス状として
絶縁の必要なバスバー上に塗布する方法が採られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなリードフ
レームにおいては、絶縁材がワニス状で塗布されるた
め、絶縁の必要のない部分に絶縁材が流れるという問題
があった。このことを防止するために塗布するワニス状
絶縁材を比較的少量にすることで対応しようとすると、
絶縁が必要な部分に絶縁材を均一に塗布するのが困難
で、塗布形状が非常に不安定となり、絶縁材を十分な厚
さとすることができないという問題があった。
レームにおいては、絶縁材がワニス状で塗布されるた
め、絶縁の必要のない部分に絶縁材が流れるという問題
があった。このことを防止するために塗布するワニス状
絶縁材を比較的少量にすることで対応しようとすると、
絶縁が必要な部分に絶縁材を均一に塗布するのが困難
で、塗布形状が非常に不安定となり、絶縁材を十分な厚
さとすることができないという問題があった。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑みなれたものであ
り、その目的は、絶縁材の流れを防止し、絶縁材の塗布
範囲を正確に決定することができ、絶縁材を十分に厚く
することのできる半導体装置用リードフレームを提供す
ることにある。
り、その目的は、絶縁材の流れを防止し、絶縁材の塗布
範囲を正確に決定することができ、絶縁材を十分に厚く
することのできる半導体装置用リードフレームを提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置用リードフレームは、ボン
ディングワイヤとの接触防止が必要なバスバーが一体的
に形成されたインナーリードのボンディングワイヤ側の
当該バスバーの表面に絶縁材を設けた半導体装置用リー
ドフレームであって、前記バスバーが一体的に形成され
たインナーリードのボンディングワイヤ側に当該インナ
ーリードの幅方向の両側面において開放された絶縁材の
流れを防止するための流れ防止用溝を設けたことを特徴
としている。
め、本発明に係る半導体装置用リードフレームは、ボン
ディングワイヤとの接触防止が必要なバスバーが一体的
に形成されたインナーリードのボンディングワイヤ側の
当該バスバーの表面に絶縁材を設けた半導体装置用リー
ドフレームであって、前記バスバーが一体的に形成され
たインナーリードのボンディングワイヤ側に当該インナ
ーリードの幅方向の両側面において開放された絶縁材の
流れを防止するための流れ防止用溝を設けたことを特徴
としている。
【０００７】ここで、前記流れ防止用溝が、前記ボンデ
ィングワイヤ側のインナーリードのワイヤボンディング
部の一端または両端に設けられるのが好ましい。
ィングワイヤ側のインナーリードのワイヤボンディング
部の一端または両端に設けられるのが好ましい。
【０００８】
【作用】本発明の半導体装置用リードフレームによれ
ば、絶縁材の流れを防止するための流れ防止用溝が形成
されているので、インナーリード表面に載せられたワニ
ス状絶縁材は、その表面張力により流れ防止用溝のエッ
ジに沿って、その周部を形成し、所定部以外への流れ出
しがなく、絶縁材の塗布範囲が決定される。
ば、絶縁材の流れを防止するための流れ防止用溝が形成
されているので、インナーリード表面に載せられたワニ
ス状絶縁材は、その表面張力により流れ防止用溝のエッ
ジに沿って、その周部を形成し、所定部以外への流れ出
しがなく、絶縁材の塗布範囲が決定される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の半導体装置用リードフレーム
を、添付の図面に示す好適実施例に基づいて詳細に説明
する。
を、添付の図面に示す好適実施例に基づいて詳細に説明
する。
【００１０】図１および図２は、それぞれ本発明の半導
体装置用リードフレームの一実施例の模式的部分斜視図
および部分断面図である。
体装置用リードフレームの一実施例の模式的部分斜視図
および部分断面図である。
【００１１】図１および図２に示すように、半導体装置
用リードフレーム１は、エッチングなどによって形成さ
れたもので、インナーリード２がリードフレーム１の中
央部方向に収束するように伸長しているものである。イ
ンナーリード２には、信号伝達用リード３と電源用リー
ド（接地用リードも含む）４とがある。電源用リード４
は、その先端に、信号用リード３の伸長方向と略直交す
る方向にバスバー５が一体的に形成されている。
用リードフレーム１は、エッチングなどによって形成さ
れたもので、インナーリード２がリードフレーム１の中
央部方向に収束するように伸長しているものである。イ
ンナーリード２には、信号伝達用リード３と電源用リー
ド（接地用リードも含む）４とがある。電源用リード４
は、その先端に、信号用リード３の伸長方向と略直交す
る方向にバスバー５が一体的に形成されている。
【００１２】インナーリード３および電源用リード４の
片面には、絶縁フィルム６を介して半導体素子７が取り
付けられている。半導体素子７には、インナーリード２
側に複数の電極８が形成されている。電極８と、インナ
ーリード２のワイヤボンディング部２ａとは、それぞれ
ボンディングワイヤ９の端部が固着され接続されてい
る。
片面には、絶縁フィルム６を介して半導体素子７が取り
付けられている。半導体素子７には、インナーリード２
側に複数の電極８が形成されている。電極８と、インナ
ーリード２のワイヤボンディング部２ａとは、それぞれ
ボンディングワイヤ９の端部が固着され接続されてい
る。
【００１３】バスバー５のボンディングワイヤ９側の表
面には、ボンディングワイヤ９との電気的接続を防止す
るための絶縁材１０が固着されている。絶縁材１０とし
ては、絶縁性の高い接着剤が好適に用いられる。この絶
縁材１０は、塗布時には溶剤と混合してワニス状として
使用されるものである。このようなワニス状絶縁材（接
着剤）としては、例えば熱可塑性ポリエーテルアミドイ
ミドを溶剤であるＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン）で溶かしたもの、絶縁性および接着性を有するポリ
アミドイミド系のもの、およびこれらに添加物として平
均粒径１０μｍのＳｉ０2 を混入したものなどを使用す
ることができる。このように、絶縁材１０はワニス状に
してバスバー５上に塗布されるので、ワニスの表面張力
によって流れ防止用溝１１のエッジ１１ａで堰止められ
（図３（ａ）参照）容易に流れ防止用溝１１を越えるこ
とはできない。したがって、バスバー５およびバスバー
５が一体的に形成された電源用リード４のワイヤボンデ
ィング部２ａまでワニス状絶縁材１０が流れ出すことは
ない。したがって、この絶縁材１０の塗布範囲を、流れ
防止用溝１１のエッジ１１ａまでに制限することができ
る。
面には、ボンディングワイヤ９との電気的接続を防止す
るための絶縁材１０が固着されている。絶縁材１０とし
ては、絶縁性の高い接着剤が好適に用いられる。この絶
縁材１０は、塗布時には溶剤と混合してワニス状として
使用されるものである。このようなワニス状絶縁材（接
着剤）としては、例えば熱可塑性ポリエーテルアミドイ
ミドを溶剤であるＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン）で溶かしたもの、絶縁性および接着性を有するポリ
アミドイミド系のもの、およびこれらに添加物として平
均粒径１０μｍのＳｉ０2 を混入したものなどを使用す
ることができる。このように、絶縁材１０はワニス状に
してバスバー５上に塗布されるので、ワニスの表面張力
によって流れ防止用溝１１のエッジ１１ａで堰止められ
（図３（ａ）参照）容易に流れ防止用溝１１を越えるこ
とはできない。したがって、バスバー５およびバスバー
５が一体的に形成された電源用リード４のワイヤボンデ
ィング部２ａまでワニス状絶縁材１０が流れ出すことは
ない。したがって、この絶縁材１０の塗布範囲を、流れ
防止用溝１１のエッジ１１ａまでに制限することができ
る。
【００１４】流れ防止用溝１１は、絶縁材塗布工程にお
いてワニス状接着剤が所定部以外に流れ出すのを防止す
るためのもので、電源用リード４の、絶縁を必要とする
部分とワイヤボンディング部２ａとの間に形成れたもの
である。この流れ防止用溝１１は、電源用リード４およ
びバスバー５のボンディングワイヤ９側に形成されたも
ので、それぞれのリードの幅方向に全幅に渡って形成さ
れている。この流れ防止用溝１１の形状は特に限定され
るものではなく、例えば図３（ａ）に示すように断面形
状がＶ字型のものを用いることができる。
いてワニス状接着剤が所定部以外に流れ出すのを防止す
るためのもので、電源用リード４の、絶縁を必要とする
部分とワイヤボンディング部２ａとの間に形成れたもの
である。この流れ防止用溝１１は、電源用リード４およ
びバスバー５のボンディングワイヤ９側に形成されたも
ので、それぞれのリードの幅方向に全幅に渡って形成さ
れている。この流れ防止用溝１１の形状は特に限定され
るものではなく、例えば図３（ａ）に示すように断面形
状がＶ字型のものを用いることができる。
【００１５】上記のような構成がモールドレジン１３に
よって封入され、半導体装置１２となるものである。
よって封入され、半導体装置１２となるものである。
【００１６】上述の半導体装置用リードフレーム１は、
例えばエッチングにより形成することができるが、この
時、前記流れ防止用溝１１は、例えばハ−フエッチとし
て形成することができる。
例えばエッチングにより形成することができるが、この
時、前記流れ防止用溝１１は、例えばハ−フエッチとし
て形成することができる。
【００１７】上記のような半導体装置用リードフレーム
１によれば、流れ防止用溝１１が形成されているので、
絶縁材１０を形成するためにワニス状接着剤を塗布する
工程において、塗布範囲が防止用溝１１のエッジ１１ａ
によって決定され、そのためワイヤボンディング部２ａ
に流れる心配がなく、塗布工程の迅速化に貢献するこが
できる。また、塗布範囲が、予め流れ防止用溝１１によ
って絶縁材を必要とする箇所だけに決定されているた
め、絶縁材１０を十分な厚みとすることが容易となり、
リードフレーム１の信頼性の向上を図ることができる。
１によれば、流れ防止用溝１１が形成されているので、
絶縁材１０を形成するためにワニス状接着剤を塗布する
工程において、塗布範囲が防止用溝１１のエッジ１１ａ
によって決定され、そのためワイヤボンディング部２ａ
に流れる心配がなく、塗布工程の迅速化に貢献するこが
できる。また、塗布範囲が、予め流れ防止用溝１１によ
って絶縁材を必要とする箇所だけに決定されているた
め、絶縁材１０を十分な厚みとすることが容易となり、
リードフレーム１の信頼性の向上を図ることができる。
【００１８】なお、上述したように流れ防止用溝として
は、特に制限的ではなく、図３（ａ）に示す断面形状が
Ｖ字型の流れ防止用溝１１の他に、図３（ｂ）および
（ｃ）に示すように、断面形状がＵ字型の流れ防止用溝
１４でもよく、また、開口部の幅Ｗが内部の幅より狭く
なっているオーバーハング状の流れ防止用溝１５でもよ
い。ワニス状絶縁材の堰止め効果としては、流れ防止用
溝幅Ｗ、あるいはその深さｄよりもインナーリード表面
と溝の内壁とのなす角（コーナ角度）θの影響が大きい
ので、コーナ角θが大きい程、その効果は大である。し
たがって、図３（ｂ），（ｃ）に示す流れ防止用溝１
４，１５の方が、図３（ａ）に示す断面形状がＶ字型の
流れ防止用溝１１に比べ、インナーリード表面と溝の内
壁とのなす角度θが大きく、ワニス状絶縁材の流出を防
止する効果が大きい。
は、特に制限的ではなく、図３（ａ）に示す断面形状が
Ｖ字型の流れ防止用溝１１の他に、図３（ｂ）および
（ｃ）に示すように、断面形状がＵ字型の流れ防止用溝
１４でもよく、また、開口部の幅Ｗが内部の幅より狭く
なっているオーバーハング状の流れ防止用溝１５でもよ
い。ワニス状絶縁材の堰止め効果としては、流れ防止用
溝幅Ｗ、あるいはその深さｄよりもインナーリード表面
と溝の内壁とのなす角（コーナ角度）θの影響が大きい
ので、コーナ角θが大きい程、その効果は大である。し
たがって、図３（ｂ），（ｃ）に示す流れ防止用溝１
４，１５の方が、図３（ａ）に示す断面形状がＶ字型の
流れ防止用溝１１に比べ、インナーリード表面と溝の内
壁とのなす角度θが大きく、ワニス状絶縁材の流出を防
止する効果が大きい。
【００１９】また、上述したリードフレーム１は、電源
用リード４の先端にバスバー５が一体的に形成されたも
のであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、
例えば、接地用リードあるいは信号用リードの先端にバ
スバーが一体的に形成されたリードフレームにも適用可
能である。
用リード４の先端にバスバー５が一体的に形成されたも
のであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、
例えば、接地用リードあるいは信号用リードの先端にバ
スバーが一体的に形成されたリードフレームにも適用可
能である。
【００２０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る半導体装置用リードフレームによれば、バスバーが一
体的に形成されたインナーリードのボンディングワイヤ
側に当該インナーリードの幅方向の両側面において開放
された絶縁材の流れ防止用溝が形成されているので、絶
縁材の塗布範囲を正確に決定することができ、また、絶
縁材を厚くする事も可能になる。これにより、半導体装
置用リードフレームの絶縁材塗布の信頼性および作業性
ならびにリードフレーム自体の信頼性の向上を図ること
ができる。
る半導体装置用リードフレームによれば、バスバーが一
体的に形成されたインナーリードのボンディングワイヤ
側に当該インナーリードの幅方向の両側面において開放
された絶縁材の流れ防止用溝が形成されているので、絶
縁材の塗布範囲を正確に決定することができ、また、絶
縁材を厚くする事も可能になる。これにより、半導体装
置用リードフレームの絶縁材塗布の信頼性および作業性
ならびにリードフレーム自体の信頼性の向上を図ること
ができる。
【図１】 本発明に係る半導体装置用リードフレームの
一実施例の部分概略斜視図である。
一実施例の部分概略斜視図である。
【図２】 本発明に係る半導体装置用リードフレームの
一実施例の部分断面図である。
一実施例の部分断面図である。
【図３】 （ａ），（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ本
発明に係る半導体装置用リードフレームの流れ防止用溝
の一実施例の断面図である。
発明に係る半導体装置用リードフレームの流れ防止用溝
の一実施例の断面図である。
１ 半導体装置用リードフレーム ２ インナーリード ２ａ ワイヤボンディング部 ３ 信号用リード ４ 電源用リード ５ バスバー ６ 絶縁フィルム ７ 半導体素子 ８ 電極 ９ ボンディングワイヤ １０ 絶縁材 １１，１４，１５ 流れ防止用溝 １２ 半導体装置 １３ モールドレジン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小 山 秀 幸 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (72)発明者 川 村 敏 雄 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日 立電線株式会社 電線工場内 (56)参考文献 特開 平５−13654（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−199559（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子の電極とインナーリードの先端
とがワイヤボンディングされており、ボンディングワイ
ヤとの接触防止が必要なバスバーが一体的に形成された
インナーリードのボンディングワイヤ側の当該バスバー
の表面に絶縁材を設けた半導体装置用リードフレームで
あって、前記バスバーが一体的に形成されたインナーリ
ードのボンディングワイヤ側に当該インナーリードの幅
方向の両側面において開放された絶縁材の流れを防止す
るための流れ防止用溝を設けたことを特徴とする半導体
装置用リードフレーム。 - 【請求項２】前記流れ防止用溝が、前記ボンディングワ
イヤ側のインナーリードのワイヤボンディング部の一端
または両端に設けられる請求項１に記載の半導体装置用
リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176603A JP2743778B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176603A JP2743778B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738044A JPH0738044A (ja) | 1995-02-07 |
| JP2743778B2 true JP2743778B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=16016460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5176603A Expired - Fee Related JP2743778B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2743778B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10034006A1 (de) * | 2000-07-07 | 2002-01-24 | Infineon Technologies Ag | Trägermatrix mit Bondkanal für integrierte Halbleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JP2007330036A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Seiko Epson Corp | 振動体、圧電アクチュエータ、電子機器、および振動体の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04199559A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2670392B2 (ja) * | 1991-07-05 | 1997-10-29 | 日立電線株式会社 | 半導体集積回路装置 |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP5176603A patent/JP2743778B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0738044A (ja) | 1995-02-07 |
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| JPH03102843A (ja) | 半導体集積回路装置 |
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