JP2758400B2 - Ferroelectric polymer optical recording medium - Google Patents
Ferroelectric polymer optical recording mediumInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、光カード、光ディスク、ディスプレー等に
有用なビニリデン系重合体(以下、PVD系重合体と略
す)を記録層として用いた強誘電性高分子光可逆記録媒
体に関する。
[従来技術]
PVD系重合体を記録媒体とした高分子光メモリーは、
すでに知られている。
これはPVD系重合体の強誘電性を利用した画期的な光
メモリーで、その記録原理は特開昭59−215096号公報、
同59−215097号公報、あるいはIEEE Trans.Electr.In
s.,EI−21,539,1986、高分子加工35,418(1986)に開示
されているように、強誘電性高分子材料が電界によって
分極する性質を利用して、高い電界を印加して一方向に
分極させた該強誘電性高分子材料に対して、抗電界以下
の弱い逆電界を印加した状態で任意の部分に光ビームを
照射加熱して該光照射部のみを選択的に分極反転せしめ
ることにより書き込みを可能にし、さらに光または熱に
よる焦電効果を利用して読み出すことができるというも
のである。
このような強誘電性高分子を光メモリーとして使用す
る場合には、該メモリーに照射される光に対する吸収効
率は重要な要素となるが、PVD系重合体膜は一般に光透
過性が高いために高出力のレーザー光を照射してもロス
が多く、実用化に際して大きな問題となっていた。
又、本記録媒体はその機能上、該記録層の両面に電極
層を設けなければならないが、当該電極材料に対する検
討は行われておらず、発生した熱が電極を介して容易に
拡散してしまうために、記録層の温度上昇が難かしく、
メモリーとして使用する場合は、S/N比や記録密度が低
下するといった問題を有していた。
[目 的]
本発明は、こうした事情に鑑み、PVD系重合体からな
る光記録媒体において、記録層を挾む1枚の電極の少な
くとも一方が、光源である半導体レーザー光の波長域に
おいて吸収を持ち、電極であると同時に熱源として機能
する、高感度の強誘電性高分子光記録媒体を提供するこ
とを目的とするものである。
[構 成]
本発明者らは従来より前記光記録媒体を実用化するた
め研究を重ねてきたが、該光記録媒体の電極層の少なく
とも一方に特定の条件を有する電極材料を使用すること
により該光記録媒体の光吸収効率を改善し、かつ発生し
た熱を一定時間保持する方法を確立し、実用性の高い強
誘電性高分子記録媒体を作製することに成功した。
すなわち、本発明は、PVD系重合体からなる光記録媒
体において、該PVD系重合体より構成される記録層を挾
む1対の電極のうち、少なくとも一方の電極を構成する
材料が下記条件式を満たす物性を有することを特徴とす
る強誘電性高分子光記録媒体。
ただし、
k:熱伝導率(w・m-1・K-1)
ρ:密度(g・m-3)
c:比熱(J・g-1・K-1)
である。
以下本発明の構成を図面に基づいて説明する。第1図
は本発明の強誘電性高分子記録媒体の構成モデル図であ
る。この図中の1が該光記録媒体の記録層であるPVD系
重合体膜から成る部分である。2は下部電極であり、3
が上部電極である。また4は下部電極2を支持する基板
である。
本発明において使用される上記電極材料は上記第1図
中の上部、下部いずれの電極でも良く、又両電極とも上
記材料によって構成されていても構わない。さらに本発
明者らは以前にPVD系重合体記録層中に色素を分散し
て、その光吸収効率を改善し得ることを報告したが、本
発明はこの場合にも適用することが可能であり、この場
合には照射光の入射側の電極を透明電極とし、もう一方
の電極に上記材料を使用することが望ましい。
本発明において電極層を構成する材料は上式よりも判
るように熱伝導率が小さく、比熱及び密度が比較的大き
いものが好ましい。この条件を満たす金属を具体的に述
べると、テルル、ビスマス、チタン、ニオブ、ニッケ
ル、白金、アンチモン、クロム、ゲルマニウム、ケイ
素、アルミニウム等が挙げられる。上記材料を使用し
て、該電極層は蒸着法、スパッタリング法、CVD法等に
より形成される。
さらに当該電極層以外の他の構成についても説明す
る。
記録層を構成するPVD系重合体には種々の化合物が報
告されているが、本記録媒体においては強誘電性を有
し、かつ誘電ヒステリシス測定で矩形を示すものが望ま
しく、たとえばふっ化ビニリデンのホモ重合体、及びふ
っ化ビニリデンを50モル%以上含むふっ化ビニリデン共
重合体である。該共重合体としてはふっ化ビニリデンと
三ふっ化エチレン、六ふっ化プロピレン、三ふっ化塩化
エチレン等との共重合体等を挙げることができる。
また、ポリシアン化ビニリデン、シアン化ビニリデン
及び酢酸ビニル共重合体等も挙げられるが、これらの中
でも弗化ビニリデン及び三弗化エチレン共重合体[以下
P(VDF−TrFE)と略す]が最も好ましい。
該記録層のPVD系重合体膜を製膜する方法としては浸
漬コーティング、スプレーコーティング、スピナーコー
ティング、ブレードコーティング、ローラコーティン
グ、カーテンコーティング等の溶液塗布法によって形成
することができる。この中でも浸漬コーティングやスピ
ナーコーティングによるものが該PVD系重合体を均一な
膜厚に形成する上に、超薄膜が得られる点からも好まし
い。
本発明で採用される他の電極材料について述べると、
透明電極としてはスズをドープした酸化インジウム(IT
O)や酸化スズ、アンドープの酸化インジウム等が挙げ
られ、半透明電極には金、白金、銀、鉛、亜鉛、アルミ
ニウム、ニッケル、タンタル、チタン、コバルト、ニオ
ブ、パラジウム、スズ等の各種金属の蒸着、CVD、スパ
ッタリング膜等が挙げられるが特にこれらに限定される
ものではない。
また上記電極の支持体である基板4の材料としては、
ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロ
ピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、
ポリアミド、ポリイミド、ポリオレフィン、アクリル樹
脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂及び上記の誘導体等
の各種プラスチックやガラス、石英板、セラミックなど
が好適であるが、照射光に対して透明であることが望ま
しく、又電極との絶縁を兼ねているものであることが好
ましいが、本発明はこれらに限定されるものではない。
照射光源は量産性及び価格的にも半導体レーザー(L
D)が最適と考えられる。LD光の照射方向は上部・下部
何れの電極側からでも構わないが、その際に前記したよ
うに光源側の電極が照射光に対して透明であることが望
ましい場合もある。
第2図は下部電極2の表面に下引き層5を設けた例で
ある。下引き層5は下部電極2の表面に表面処理剤を塗
布あるいは蒸着することにより形成され、その目的には
下記のものが挙げられる。
1)電極との接着性の向上
2)記録層の保存安定性の向上
3)水、ガス、溶剤等のバリアー性
上記に於て、特に1に主たる特性が要求される。そこ
で使用される表面処理剤には、ヘキサメチルジシラザン
(HMDS)、トリメチルクロルシラン(TMCS)、ジメチル
クロルシラン(DMCS)、ジメチルジクロルシラン(DMDC
S)、ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、t−ブ
チルジメチルクロルシラン、ビス(トリメチルシリル)
トリフルオロアセトアミド、トリメチルシリルジフェニ
ル尿素、ビストリメチルシリル尿素等があげられる。
又、上記シリル化剤以外にチタン系のカップリング剤
(アンカーコート剤)も有効であることが確認されてい
る。
第3図には上部電極3上に保護層6を設けた例を示し
たが、この保護層は記録層をキズ、ホコリ、汚れ等から
の保護及び記録層の保存安定性の向上等を目的として、
各種高分子材料やシランカップリング剤、ガラスなどか
ら形成される。
以下実施例によって本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれら実施例のみ限定されるものではない。
比較例1
厚さ約1mmのITO蒸着ガラス上に、スピンコート法によ
りP(VDF−TrFE)膜を厚さ1μmで塗布して記録層1
を形成した。本サンプルの上部電極として金
を蒸着した後に該P(VDF−TrFE)膜に100Vの電圧をか
けてポーリング処理を施した。さらに25Vの逆電界を掛
けながら、発振波長830nmの半導体レーザー(以下LDと
略す)を用いて照射光強度5.5mWで下部電極側からP(V
DF−TrFE)層内の数箇所を加熱して情報を記録した。そ
の後、LD光強度を0.55mWに弱めて10kHzでチョピングし
ながら再度P(VDF−TrFE)層にLD光を照射して電極間
に生じる焦電電流を計測して記録した情報の読み出し操
作を行うと、S/N比が25dBであることが判明した。
実施例1
比較例と同様に厚さ約1mmのITO蒸着ガラス上に、スピ
ンコート法で厚さ1μmに塗布したP(VDF−TrFE)膜
上に上部電極としてクロム
を約500Åの厚さに蒸着した。100Vの電界を印加して該
サンプルをポーリング処理した後に25Vの逆電界を印加
しながら発振波長830nmの半導体レーザー光を強度5.5mW
で下部ITO電極側から照射し該サンプルの数ケ所を加熱
して情報を記録した。
以下比較例と同様の方法により記録した情報を読み出
した所、S/N比が35dBであることが判明した。
実施例2
比較例と同様の方法で上部電極に白金
を用いてサンプルを作製した。該サンプルのS/N比を測
定すると、39dBであることが判明した。
実施例3
比較例と同様の方法で上部電極にゲルマニウム
を用いてサンプルを作製し、そのS/N比を評価したとこ
ろ34dBであることが判明した。
実施例4
上部電極にテルルを用いて比較例と同様の方法でサンプルを作製・評価し
たところS/N比が49dBに達することが判明した。
実施例5
上部電極にビスマス
を使用して以下比較例と同様の方法でサンプルを作製・
評価したところ、S/N比が45dBであることが判明した。
実施例6
上記電極にチタン
を使用して以下比較例と同様の方法でサンプルを作製・
評価したところ、S/Nが44dBであることが判明した。
実施例7
上部電極としてアンチモン
を使用して、以下比較例と同様の方法でサンプルを作製
・評価したところ、S/N比が42dBであることが判明し
た。
実施例8
上部電極としてニッケル
を用いて、以下比較例と同様の方法でサンプルを作製・
評価したところ、S/N比が40dBであることが判明した。
実施例9
上部電極としてニオブ
を用いて、以下比較例と同様の方法でサンプルを作製・
評価したところ、S/N比が40dBであることが判明した。
実施例10
P(VDF−TrFE)溶液中に下記式で示される5wt%のシ
アニン色素を分散して、厚さ1mmのITO蒸着ガラス上に、
スピンコート法により厚さ1μmで塗布して記録層1を
形成した。本サンプルの上部電極としてテルル
を蒸着した。以下比較例と同様の操作により、本サンプ
ルを作製・評価したところS/N比が55dBに達することが
判明した。
実施例11
比較例1と同様の方法で上部電極にスズ[k/(ρ・
c)=5.11×10-5w・m2・J-1]を用いてサンプルを作製
した。該サンプルのS/N比を比較例1と同じ条件で測定
すると、32dBであることが確認された。
実施例12
比較例1と同様の方法で上部電極に亜鉛[k/(ρ・
c)=5.22×10-5w・m2・J-1]を用いてサンプルを作製
した。該サンプルのS/N比を比較例1と同じ条件で測定
すると、33dBであることが確認された。
実施例13
比較例1と同様の方法で上部電極にモリブデン[k/
(ρ・c)=6.97×10-5w・m2・J-1]を用いてサンプル
を作製した。該サンプルのS/N比を比較例1と同じ条件
で測定すると、31dBであることが確認された。
実施例14
比較例1と同様の方法で上部電極にタングステン[k/
(ρ・c)=8.95×10-5w・m2・J-1]を用いてサンプル
を作製した。該サンプルのS/N比を比較例1と同じ条件
で測定すると、30dBであることが確認された。
比較例2
比較例1と同様の方法で上部電極に銀[k/(ρ・c)
=2.30×10-4w・m2・J-1]を用いてサンプルを作製し
た。該サンプルのS/N比を比較例1と同じ条件で測定す
ると、15dBであることが確認された。
比較例3
比較例1と同様の方法で上部電極にアルミニウム[k/
(ρ・c)=1.20×10-4w・m2・J-1]を用いてサンプル
を作製した。該サンプルのS/N比を比較例1と同じ条件
で測定すると、25dBであることが確認された。
比較例4
比較例1と同様の方法で上部電極に銅[k/(ρ・c)
=1.48×10-4w・m2・J-1]を用いてサンプルを作製し
た。該サンプルのS/N比を比較例1と同じ条件で測定す
ると、22dBであることが確認された。
以上の実施例と比較例の結果から、少なくとも一方の
電極を構成する材料が、k/ρ・c≦1.0×10-4w・m2/Jを
満足する場合には、S/N比が30dB以上となり、強誘電性
高分子光記録媒体として実用上使用可能であり、一方、
前記式を満足しないものは30dBに達することができず、
同媒体として使用に耐えなくなる。
[効 果]
以上説明したように、本発明を利用することにより強
誘電性高分子光記録媒体の光吸収効率を向上させると共
に、発生した熱の拡散を低下せしめて、該光記録媒体の
感度を増大することができ、半導体レーザーのような低
パワーの照射光に対しても極めて鋭敏に反応して、書き
込み、読出し及び消去という一連の動作をスムーズに行
うことができるという顕著な効果を奏するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a ferroelectric polymer using a vinylidene polymer (hereinafter abbreviated as PVD polymer) useful as a recording layer in optical cards, optical disks, displays, and the like. The present invention relates to a photoreversible recording medium. [Prior art] A polymer optical memory using a PVD polymer as a recording medium
Already known. This is an epoch-making optical memory utilizing the ferroelectricity of a PVD polymer, and its recording principle is disclosed in JP-A-59-215096.
No. 59-215097, or IEEE Trans.Electr.In
S., EI-21, 539, 1986, and Polymer Processing 35 , 418 (1986), a high electric field is applied by utilizing the property that a ferroelectric polymer material is polarized by an electric field. The ferroelectric polymer material polarized in one direction is irradiated with a light beam in a state where a weak reverse electric field equal to or less than the coercive electric field is applied, and selectively heated to selectively irradiate the light irradiated portion. By inverting the polarization, writing can be performed, and reading can be performed using the pyroelectric effect of light or heat. When such a ferroelectric polymer is used as an optical memory, the absorption efficiency with respect to the light applied to the memory is an important factor, but the PVD-based polymer film generally has a high light-transmitting property. Irradiation with high-power laser light causes a large loss, which has been a major problem in practical use. In addition, the recording medium must have electrode layers on both sides of the recording layer in terms of its function.However, no consideration has been given to the electrode material, and the generated heat easily diffuses through the electrodes. It is difficult to raise the temperature of the recording layer
When used as a memory, there is a problem that the S / N ratio and the recording density are reduced. [Purpose] In view of such circumstances, in the present invention, in an optical recording medium made of a PVD-based polymer, at least one of the electrodes sandwiching the recording layer absorbs light in the wavelength region of the semiconductor laser light as a light source. It is an object of the present invention to provide a highly sensitive ferroelectric polymer optical recording medium having a function as a heat source as well as an electrode. [Structure] The present inventors have been conducting research for practical use of the above-mentioned optical recording medium, but by using an electrode material having specific conditions for at least one of the electrode layers of the optical recording medium. A method for improving the light absorption efficiency of the optical recording medium and maintaining the generated heat for a certain period of time was established, and a highly practical ferroelectric polymer recording medium was successfully manufactured. That is, the present invention provides an optical recording medium comprising a PVD-based polymer, wherein a material constituting at least one of a pair of electrodes sandwiching a recording layer composed of the PVD-based polymer is represented by the following conditional expression: A ferroelectric polymer optical recording medium having physical properties satisfying the following. Here, k: thermal conductivity (w · m −1 · K −1 ) ρ: density (g · m -3 ) c: specific heat (J · g −1 · K −1 ) Hereinafter, the configuration of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a structural model diagram of a ferroelectric polymer recording medium of the present invention. Reference numeral 1 in this figure denotes a portion composed of a PVD-based polymer film which is a recording layer of the optical recording medium. 2 is a lower electrode, 3
Is an upper electrode. Reference numeral 4 denotes a substrate for supporting the lower electrode 2. The electrode material used in the present invention may be either the upper electrode or the lower electrode in FIG. 1, or both electrodes may be made of the above material. Furthermore, the present inventors have previously reported that a dye can be dispersed in a PVD-based polymer recording layer to improve its light absorption efficiency, but the present invention can also be applied to this case. In this case, it is desirable that the electrode on the incident side of the irradiation light be a transparent electrode and that the other electrode be made of the above-mentioned material. In the present invention, the material constituting the electrode layer preferably has a low thermal conductivity and a relatively high specific heat and density as can be understood from the above formula. Specific examples of metals satisfying this condition include tellurium, bismuth, titanium, niobium, nickel, platinum, antimony, chromium, germanium, silicon, and aluminum. Using the above materials, the electrode layer is formed by an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like. Further, a configuration other than the electrode layer will be described. Various compounds have been reported for the PVD-based polymer constituting the recording layer.However, it is desirable that the recording medium has ferroelectricity and has a rectangular shape as measured by dielectric hysteresis, such as vinylidene fluoride. A homopolymer and a vinylidene fluoride copolymer containing at least 50 mol% of vinylidene fluoride. Examples of the copolymer include a copolymer of vinylidene fluoride and ethylene trifluoride, propylene hexafluoride, ethylene trifluoride chloride and the like. Polyvinylidene cyanide, vinylidene cyanide, and vinyl acetate copolymer are also exemplified. Among them, vinylidene fluoride and ethylene trifluoride copolymer (hereinafter abbreviated as P (VDF-TrFE)) are most preferable. The PVD polymer film of the recording layer can be formed by a solution coating method such as dip coating, spray coating, spinner coating, blade coating, roller coating, and curtain coating. Among them, those obtained by dip coating or spinner coating are preferable from the viewpoint of forming the PVD polymer into a uniform film thickness and obtaining an ultrathin film. To describe other electrode materials employed in the present invention,
As a transparent electrode, tin-doped indium oxide (IT
O), tin oxide, undoped indium oxide, and the like. Translucent electrodes include various metals such as gold, platinum, silver, lead, zinc, aluminum, nickel, tantalum, titanium, cobalt, niobium, palladium, and tin. Examples include vapor deposition, CVD, and sputtering films, but are not particularly limited thereto. As a material of the substrate 4 which is a support of the electrode,
Polyethylene, polyethylene terephthalate, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polycarbonate, polyvinyl alcohol, polyvinyl acetate,
Various plastics such as polyamides, polyimides, polyolefins, acrylic resins, phenolic resins, epoxy resins and the above derivatives and glass, quartz plates, ceramics and the like are preferable, but it is preferable that they are transparent to irradiation light, It is preferable that they also serve as insulation with respect to the above, but the present invention is not limited to these. The irradiation light source is a semiconductor laser (L
D) is considered optimal. The irradiation direction of the LD light may be from either the upper or lower electrode side, but in that case, as described above, it is sometimes desirable that the electrode on the light source side is transparent to the irradiation light. FIG. 2 shows an example in which an undercoat layer 5 is provided on the surface of the lower electrode 2. The undercoat layer 5 is formed by applying or vapor-depositing a surface treating agent on the surface of the lower electrode 2, and the following are mentioned for the purpose. 1) Improvement in adhesion to electrodes 2) Improvement in storage stability of the recording layer 3) Barrier properties of water, gas, solvent, etc. In the above, particularly, the main property is required to be 1. The surface treatment agents used there include hexamethyldisilazane (HMDS), trimethylchlorosilane (TMCS), dimethylchlorosilane (DMCS), and dimethyldichlorosilane (DMDC).
S), bis (trimethylsilyl) acetamide, t-butyldimethylchlorosilane, bis (trimethylsilyl)
Trifluoroacetamide, trimethylsilyldiphenylurea, bistrimethylsilylurea and the like.
It has also been confirmed that a titanium-based coupling agent (anchor coating agent) is effective in addition to the silylating agent. FIG. 3 shows an example in which a protective layer 6 is provided on the upper electrode 3. This protective layer is intended to protect the recording layer from scratches, dust, dirt, etc. and to improve the storage stability of the recording layer. As
It is formed from various polymer materials, silane coupling agents, glass, and the like. Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. Comparative Example 1 A P (VDF-TrFE) film was applied to a thickness of about 1 mm on an ITO vapor-deposited glass by spin coating to a thickness of 1 μm to form a recording layer 1.
Was formed. Gold was used as the upper electrode for this sample. Was deposited, and a voltage of 100 V was applied to the P (VDF-TrFE) film to perform a poling treatment. Further, while applying a reverse electric field of 25 V, using a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 830 nm (hereinafter abbreviated as LD), applying P (V
(DF-TrFE) Information was recorded by heating several places in the layer. Thereafter, the LD light intensity is reduced to 0.55 mW, and the P (VDF-TrFE) layer is again irradiated with LD light while chopping at 10 kHz, the pyroelectric current generated between the electrodes is measured, and the recorded information is read out. It turned out that the S / N ratio was 25 dB. Example 1 In the same manner as in the comparative example, a P (VDF-TrFE) film applied to a thickness of 1 μm on an ITO vapor-deposited glass having a thickness of about 1 mm by a spin coating method to form a chromium as an upper electrode. Was deposited to a thickness of about 500 mm. After poling the sample by applying an electric field of 100 V, while applying a reverse electric field of 25 V, a semiconductor laser light having an oscillation wavelength of 830 nm is applied with an intensity of 5.5 mW.
Then, the sample was irradiated from the lower ITO electrode side to heat several places of the sample to record information. When the recorded information was read out in the same manner as in the comparative example, it was found that the S / N ratio was 35 dB. Example 2 Platinum was applied to the upper electrode in the same manner as in the comparative example. Was used to prepare a sample. The S / N ratio of the sample was measured and found to be 39 dB. Example 3 Germanium was added to the upper electrode in the same manner as in the comparative example. A sample was prepared using the method described above, and its S / N ratio was evaluated. Example 4 Tellurium was used for the upper electrode A sample was prepared and evaluated using the same method as in the comparative example, and it was found that the S / N ratio reached 49 dB. Example 5 Bismuth for the upper electrode To prepare a sample in the same manner as in the comparative example below.
Upon evaluation, the S / N ratio was found to be 45 dB. Example 6 Titanium was used for the electrode. To prepare a sample in the same manner as in the comparative example below.
Upon evaluation, the S / N was found to be 44 dB. Example 7 Antimony as upper electrode Was used to prepare and evaluate a sample in the same manner as in the comparative example, and it was found that the S / N ratio was 42 dB. Example 8 Nickel as upper electrode To prepare a sample in the same manner as in the comparative example below.
Upon evaluation, the S / N ratio was found to be 40 dB. Example 9 Niobium as upper electrode To prepare a sample in the same manner as in the comparative example below.
Upon evaluation, the S / N ratio was found to be 40 dB. Example 10 5 wt% of a cyanine dye represented by the following formula was dispersed in a P (VDF-TrFE) solution, and the dispersion was coated on a 1 mm-thick ITO vapor-deposited glass.
The recording layer 1 was formed by spin coating at a thickness of 1 μm. Tellurium as the upper electrode of this sample Was deposited. When this sample was prepared and evaluated by the same operation as in the comparative example, it was found that the S / N ratio reached 55 dB. Example 11 In the same manner as in Comparative Example 1, tin [k / (ρ ·
c) = 5.11 × 10 −5 w · m 2 · J −1 ] to prepare a sample. When the S / N ratio of the sample was measured under the same conditions as in Comparative Example 1, it was confirmed to be 32 dB. Example 12 In the same manner as in Comparative Example 1, zinc [k / (ρ ·
c) = 5.22 × 10 −5 w · m 2 · J −1 ] to prepare a sample. When the S / N ratio of the sample was measured under the same conditions as in Comparative Example 1, it was confirmed to be 33 dB. Example 13 In the same manner as in Comparative Example 1, molybdenum [k /
(Ρ · c) = 6.97 × 10 −5 w · m 2 · J −1 ] to prepare a sample. When the S / N ratio of the sample was measured under the same conditions as in Comparative Example 1, it was confirmed to be 31 dB. Example 14 In the same manner as in Comparative Example 1, tungsten [k /
(Ρ · c) = 8.95 × 10 −5 w · m 2 · J −1 ] to prepare a sample. When the S / N ratio of this sample was measured under the same conditions as in Comparative Example 1, it was confirmed to be 30 dB. Comparative Example 2 In the same manner as in Comparative Example 1, silver [k / (ρ · c) was applied to the upper electrode.
= 2.30 × 10 −4 w · m 2 · J −1 ]. When the S / N ratio of this sample was measured under the same conditions as in Comparative Example 1, it was confirmed to be 15 dB. Comparative Example 3 In the same manner as in Comparative Example 1, aluminum [k /
(Ρ · c) = 1.20 × 10 −4 w · m 2 · J −1 ] to prepare a sample. When the S / N ratio of the sample was measured under the same conditions as in Comparative Example 1, it was confirmed to be 25 dB. Comparative Example 4 Copper [k / (ρ · c)] was applied to the upper electrode in the same manner as in Comparative Example 1.
= 1.48 × 10 −4 w · m 2 · J −1 ]. When the S / N ratio of this sample was measured under the same conditions as in Comparative Example 1, it was confirmed to be 22 dB. From the results of the above Examples and Comparative Examples, when the material constituting at least one electrode satisfies k / ρ · c ≦ 1.0 × 10 −4 w · m 2 / J, the S / N ratio is It is 30 dB or more and can be practically used as a ferroelectric polymer optical recording medium.
Those that do not satisfy the above formula cannot reach 30 dB,
It cannot be used as the same medium. [Effects] As described above, by utilizing the present invention, the light absorption efficiency of the ferroelectric polymer optical recording medium is improved, and the diffusion of the generated heat is reduced, whereby the sensitivity of the optical recording medium is reduced. In response to a low-power irradiation light such as a semiconductor laser, and has a remarkable effect that a series of operations of writing, reading, and erasing can be smoothly performed. Things.
【図面の簡単な説明】
第1〜3図は本発明の強誘電性高分子記録媒体の構成モ
デル図。
1……記録層、2……下部電極、3……上部電極、4…
…基板、5……下引層、6……保護層。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1 to 3 are structural model diagrams of a ferroelectric polymer recording medium of the present invention. 1 ... recording layer, 2 ... lower electrode, 3 ... upper electrode, 4 ...
... substrate, 5 ... undercoat layer, 6 ... protective layer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本村 修二 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平1−97923(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 9/02 G06K 19/00 K──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Shuji Motomura 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Co., Ltd. (56) References JP-A-1-97923 (JP, A) (58) Surveyed field (Int.Cl. 6 , DB name) G11B 9/02 G06K 19/00 K
Claims (1)
該ビニリデン系重合体より構成される記録層を挾む1対
の電極のうち、少なくとも一方の電極を構成する材料が
下記条件式を満たす物性を有することを特徴とする強誘
電性高分子光記録媒体。 ただし、 k:熱伝導率(w・m-1・K-1) ρ:密度(g・m-3) c:比熱(J・g-1・K-1)(57) [Claims] In an optical recording medium comprising a vinylidene polymer,
A ferroelectric polymer optical recording characterized in that at least one of the pair of electrodes sandwiching the recording layer composed of the vinylidene polymer has physical properties satisfying the following conditional expressions: Medium. Where: k: thermal conductivity (w · m −1 · K −1 ) ρ: density (g · m -3 ) c: specific heat (J · g −1 · K −1 )
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|---|---|---|---|
| JP62318613A JP2758400B2 (en) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Ferroelectric polymer optical recording medium |
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| JP62318613A JP2758400B2 (en) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Ferroelectric polymer optical recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01162255A JPH01162255A (en) | 1989-06-26 |
| JP2758400B2 true JP2758400B2 (en) | 1998-05-28 |
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ID=18101091
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|---|---|---|---|
| JP62318613A Expired - Lifetime JP2758400B2 (en) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | Ferroelectric polymer optical recording medium |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0197923A (en) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Sanyo Chem Ind Ltd | Recording display element |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62318613A patent/JP2758400B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| JPH01162255A (en) | 1989-06-26 |
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