JP2762895B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2762895B2 JP2762895B2 JP5151871A JP15187193A JP2762895B2 JP 2762895 B2 JP2762895 B2 JP 2762895B2 JP 5151871 A JP5151871 A JP 5151871A JP 15187193 A JP15187193 A JP 15187193A JP 2762895 B2 JP2762895 B2 JP 2762895B2
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- Japan
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- film
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- resistor
- thin film
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に形成される薄
膜抵抗体のレーザートリミングに関し、特に薄膜抵抗体
上に形成される保護膜構造に関するものである。
膜抵抗体のレーザートリミングに関し、特に薄膜抵抗体
上に形成される保護膜構造に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、基板上に形成した薄膜抵抗体をレー
ザー光により溶融切断して、その抵抗値を調整するレー
ザートリミング法が知られている。そして、この薄膜抵
抗体の保護膜として、トリミング性の観点から薄膜抵抗
上には酸化珪素を成膜し、耐環境性の観点から酸化珪素
膜上に窒化珪素膜を成膜するといった２層保護膜が使用
されている。
ザー光により溶融切断して、その抵抗値を調整するレー
ザートリミング法が知られている。そして、この薄膜抵
抗体の保護膜として、トリミング性の観点から薄膜抵抗
上には酸化珪素を成膜し、耐環境性の観点から酸化珪素
膜上に窒化珪素膜を成膜するといった２層保護膜が使用
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、保護膜
に窒化珪素膜を用いた場合には、窒化珪素膜の屈折率が
約２．０と大きいため、薄膜抵抗体で吸収されるレーザ
ー光エネルギーが図３に示すように、窒化珪素膜の膜厚
により大きく変動してしまう。その変動により薄膜抵抗
体４でのレーザー光エネルギーの吸収率が低い場合に
は、トリミングができないといった問題が生じてしまう
ことがある。これを光の性質を基にして以下に説明す
る。
に窒化珪素膜を用いた場合には、窒化珪素膜の屈折率が
約２．０と大きいため、薄膜抵抗体で吸収されるレーザ
ー光エネルギーが図３に示すように、窒化珪素膜の膜厚
により大きく変動してしまう。その変動により薄膜抵抗
体４でのレーザー光エネルギーの吸収率が低い場合に
は、トリミングができないといった問題が生じてしまう
ことがある。これを光の性質を基にして以下に説明す
る。
【０００４】光の性質として、平行平板に入射されたレ
ーザー光エネルギーは、平行平板表面での反射Ｒ、平行
平板での吸収Ａおよび透過Ｔと３種類の状態に分けられ
る。すなわち、この３種類の状態の和が、入射したレー
ザー光のエネルギーに相当する。入射したレーザー光の
エネルギーを１としてこれを式で表すと、
ーザー光エネルギーは、平行平板表面での反射Ｒ、平行
平板での吸収Ａおよび透過Ｔと３種類の状態に分けられ
る。すなわち、この３種類の状態の和が、入射したレー
ザー光のエネルギーに相当する。入射したレーザー光の
エネルギーを１としてこれを式で表すと、
【０００５】
【数１】Ａ＋Ｔ＋Ｒ＝１ となる。そして、多層膜においては、その表面での反射
光Ｒ0 は、各層界面からの反射光（Ｒ1,Ｒ2,Ｒ3,・・
・）の干渉光となる。従って、反射光Ｒ0 が変化すると
数１式をみても分かるように、多層膜中に入射されるレ
ーザー光も変動することになる。ここで、図２に示すよ
うな窒化珪素膜２，酸化珪素膜３，薄膜抵抗体４，下地
酸化膜５，シリコン基板６からなる多層膜系を考える場
合、反射光Ｒ 0 は、窒化珪素膜２の表面での反射、すな
わち界面ａからの反射光Ｒ1 とそれ以下の界面ｂ，ｃ，
ｄ，ｅからの反射光Ｒ2 との干渉光と考えることができ
る。薄膜抵抗４をトリミングするレーザー光が波長１．
０６４μｍのＹＡＧレーザー光の場合、干渉光である反
射光Ｒ0 は窒化珪素膜２の膜厚変動に影響を受け、約２
６６ｎｍの周期で変化する。実際、図２に示す窒化珪素
膜の膜厚は１μｍ程度であり、この厚さでの膜厚ばらつ
きは２００〜３００ｎｍとなってしまう。従って、図２
に示すような素子構造では反射光Ｒ0 は窒化珪素膜の膜
厚変動の影響を受けることになり、上述のように薄膜抵
抗体４に到達するレーザー光が変動し、図３に示すよう
に薄膜抵抗体４でのレーザー光エネルギーの吸収率が変
動してしまう。特に、ＳＯＩ構造を有する素子の場合
は、薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギー吸収率がＳＯ
Ｉ層の影響を受けるため、さらに深刻な問題となってい
る。
光Ｒ0 は、各層界面からの反射光（Ｒ1,Ｒ2,Ｒ3,・・
・）の干渉光となる。従って、反射光Ｒ0 が変化すると
数１式をみても分かるように、多層膜中に入射されるレ
ーザー光も変動することになる。ここで、図２に示すよ
うな窒化珪素膜２，酸化珪素膜３，薄膜抵抗体４，下地
酸化膜５，シリコン基板６からなる多層膜系を考える場
合、反射光Ｒ 0 は、窒化珪素膜２の表面での反射、すな
わち界面ａからの反射光Ｒ1 とそれ以下の界面ｂ，ｃ，
ｄ，ｅからの反射光Ｒ2 との干渉光と考えることができ
る。薄膜抵抗４をトリミングするレーザー光が波長１．
０６４μｍのＹＡＧレーザー光の場合、干渉光である反
射光Ｒ0 は窒化珪素膜２の膜厚変動に影響を受け、約２
６６ｎｍの周期で変化する。実際、図２に示す窒化珪素
膜の膜厚は１μｍ程度であり、この厚さでの膜厚ばらつ
きは２００〜３００ｎｍとなってしまう。従って、図２
に示すような素子構造では反射光Ｒ0 は窒化珪素膜の膜
厚変動の影響を受けることになり、上述のように薄膜抵
抗体４に到達するレーザー光が変動し、図３に示すよう
に薄膜抵抗体４でのレーザー光エネルギーの吸収率が変
動してしまう。特に、ＳＯＩ構造を有する素子の場合
は、薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギー吸収率がＳＯ
Ｉ層の影響を受けるため、さらに深刻な問題となってい
る。
【０００６】従って、本発明は、上記問題点に鑑み、基
板上に形成した薄膜抵抗体のレーザートリミングにおい
て、この薄膜抵抗体上に形成した保護膜の膜厚ばらつき
の影響を低減することのできる半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
板上に形成した薄膜抵抗体のレーザートリミングにおい
て、この薄膜抵抗体上に形成した保護膜の膜厚ばらつき
の影響を低減することのできる半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに成された本発明による半導体装置は、基板上に形成
され、レーザー光によってその抵抗値を調整される薄膜
抵抗体を有する半導体装置において、該薄膜抵抗体上に
形成される第１の保護膜の屈折率よりも小さい屈折率を
有する第２の保護膜を形成したことを特徴としている。
めに成された本発明による半導体装置は、基板上に形成
され、レーザー光によってその抵抗値を調整される薄膜
抵抗体を有する半導体装置において、該薄膜抵抗体上に
形成される第１の保護膜の屈折率よりも小さい屈折率を
有する第２の保護膜を形成したことを特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明によると、薄膜抵抗体上に形成される第
１の保護膜よりも屈折率の小さい第２の保護膜を形成す
るようにしているため、前記第１の保護膜表面でのレー
ザー光の反射を抑えることができる。これにより、前記
第１の保護膜の膜厚ばらつきに起因する、前記第１の保
護膜下層界面からの反射光と前記第１の保護膜表面上か
らの反射光との干渉による反射光の変動を抑えることが
できる。
１の保護膜よりも屈折率の小さい第２の保護膜を形成す
るようにしているため、前記第１の保護膜表面でのレー
ザー光の反射を抑えることができる。これにより、前記
第１の保護膜の膜厚ばらつきに起因する、前記第１の保
護膜下層界面からの反射光と前記第１の保護膜表面上か
らの反射光との干渉による反射光の変動を抑えることが
できる。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例を図１を用いて説明する。
本実施例は、従来構造の素子表面にさらに反射防止膜と
して、酸化珪素膜を堆積したものである。本実施例の構
造を以下に示す。Ｓｉ基板６上に、ボロンおよびリンを
含有する酸化珪素膜であるＢＰＳＧ膜および酸化珪素膜
からなる下地酸化膜５を形成し、その上にＣｒＳｉから
なる薄膜抵抗体４を形成し、その上に薄膜抵抗体の保護
膜としてＴＥＯＳ酸化膜３，ｐ−ＳｉＮからなる窒化珪
素膜２を形成し、さらにＴＥＯＳ酸化膜１を形成する。
窒化珪素膜２の屈折率ｎ2 は２．０であり、酸化膜１の
屈折率ｎ1 は１．４５である。このときのＴＥＯＳ酸化
膜１の厚さは１８３ｎｍ程度（後に説明する）とする。
なお、図中７はＡｌ配線である。
本実施例は、従来構造の素子表面にさらに反射防止膜と
して、酸化珪素膜を堆積したものである。本実施例の構
造を以下に示す。Ｓｉ基板６上に、ボロンおよびリンを
含有する酸化珪素膜であるＢＰＳＧ膜および酸化珪素膜
からなる下地酸化膜５を形成し、その上にＣｒＳｉから
なる薄膜抵抗体４を形成し、その上に薄膜抵抗体の保護
膜としてＴＥＯＳ酸化膜３，ｐ−ＳｉＮからなる窒化珪
素膜２を形成し、さらにＴＥＯＳ酸化膜１を形成する。
窒化珪素膜２の屈折率ｎ2 は２．０であり、酸化膜１の
屈折率ｎ1 は１．４５である。このときのＴＥＯＳ酸化
膜１の厚さは１８３ｎｍ程度（後に説明する）とする。
なお、図中７はＡｌ配線である。
【００１０】上記構造の素子にＹＡＧレーザー光（波長
１０６４ｎｍ）を照射した場合の薄膜抵抗体４でのレー
ザー光の吸収率変化を図４に示す。また、従来構造の素
子における薄膜抵抗体でのレーザー光の吸収率変化を図
３に示す。両図を見比べても分かるように、窒化珪素膜
上に酸化珪素膜を形成した本実施例の方が、窒化珪素膜
の膜厚変化に対して薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギ
ーの変動が小さいことが分かる。
１０６４ｎｍ）を照射した場合の薄膜抵抗体４でのレー
ザー光の吸収率変化を図４に示す。また、従来構造の素
子における薄膜抵抗体でのレーザー光の吸収率変化を図
３に示す。両図を見比べても分かるように、窒化珪素膜
上に酸化珪素膜を形成した本実施例の方が、窒化珪素膜
の膜厚変化に対して薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギ
ーの変動が小さいことが分かる。
【００１１】以上のように、本実施例によると窒化珪素
膜よりも屈折率の小さい酸化珪素膜（ＴＥＯＳ酸化膜）
を窒化珪素膜上に形成しているため、窒化珪素膜表面で
の反射光を抑えることができる。そのため、窒化珪素膜
下層界面からの反射光と窒化珪素膜表面の反射光との干
渉による反射光の変動を抑えることができる。すなわ
ち、窒化珪素膜の膜厚ばらつきによる反射光の変動を抑
えることができる。これにより、薄膜抵抗体に到達する
レーザー光の変動を抑えることができ、薄膜抵抗体での
レーザー光エネルギーの吸収率の変動を抑えることがで
きる。従って、薄膜抵抗体のレーザートリミングにおい
て、窒化珪素膜の膜厚ばらつきの影響を低減することの
できる半導体装置を提供できる。
膜よりも屈折率の小さい酸化珪素膜（ＴＥＯＳ酸化膜）
を窒化珪素膜上に形成しているため、窒化珪素膜表面で
の反射光を抑えることができる。そのため、窒化珪素膜
下層界面からの反射光と窒化珪素膜表面の反射光との干
渉による反射光の変動を抑えることができる。すなわ
ち、窒化珪素膜の膜厚ばらつきによる反射光の変動を抑
えることができる。これにより、薄膜抵抗体に到達する
レーザー光の変動を抑えることができ、薄膜抵抗体での
レーザー光エネルギーの吸収率の変動を抑えることがで
きる。従って、薄膜抵抗体のレーザートリミングにおい
て、窒化珪素膜の膜厚ばらつきの影響を低減することの
できる半導体装置を提供できる。
【００１２】尚、薄膜抵抗体以下の構造がどの様な構造
になっていても、薄膜抵抗体上に保護膜が存在する場合
には、その上に保護膜よりも低屈折率の膜を形成するよ
うにすれば同等な効果が得られる。上述のように、窒化
珪素膜上に酸化珪素膜を形成した場合には、窒化珪素膜
の膜厚変動による薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギー
の吸収率変動を抑えることができる事が分かった。そこ
で、次に、窒化珪素膜上の酸化珪素膜の厚さの最適化に
ついて考える。酸化珪素の最適膜厚とは、窒化珪素膜表
面上でのレーザー光の反射が最小になるときである。こ
こで、垂直入射光に対して、１個の単層膜を下から順に
それと等価な１つの面に次々に置き換えていくＲｏｕａ
ｒｄの方法がある。この方法では、単層膜の上下両界面
での反射率を１つの式に置き換えることが可能となる。
なお、この方法は上の単層膜から順に行っても同等であ
り、ここでは上の単層膜から行うＲｏｕａｒｄの方法を
適用する。
になっていても、薄膜抵抗体上に保護膜が存在する場合
には、その上に保護膜よりも低屈折率の膜を形成するよ
うにすれば同等な効果が得られる。上述のように、窒化
珪素膜上に酸化珪素膜を形成した場合には、窒化珪素膜
の膜厚変動による薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギー
の吸収率変動を抑えることができる事が分かった。そこ
で、次に、窒化珪素膜上の酸化珪素膜の厚さの最適化に
ついて考える。酸化珪素の最適膜厚とは、窒化珪素膜表
面上でのレーザー光の反射が最小になるときである。こ
こで、垂直入射光に対して、１個の単層膜を下から順に
それと等価な１つの面に次々に置き換えていくＲｏｕａ
ｒｄの方法がある。この方法では、単層膜の上下両界面
での反射率を１つの式に置き換えることが可能となる。
なお、この方法は上の単層膜から順に行っても同等であ
り、ここでは上の単層膜から行うＲｏｕａｒｄの方法を
適用する。
【００１３】２層膜において上層膜の屈折率をｎ1 膜厚
をｄとして、下層膜の屈折率をｎ2、また空気の屈折率
をｎ0 とする。このとき、ｎ1 ＜ｎ2 とすると反射率は
常に上層膜があるときの方が小さくなる。さらに、トリ
ミングに使用する照射レーザー光の波長をλとして、
をｄとして、下層膜の屈折率をｎ2、また空気の屈折率
をｎ0 とする。このとき、ｎ1 ＜ｎ2 とすると反射率は
常に上層膜があるときの方が小さくなる。さらに、トリ
ミングに使用する照射レーザー光の波長をλとして、
【００１４】
【数２】ｎ1 ｄ＝λ／４＋ｍλ／２ （ｍ＝０，１，
２，・・・） という条件を満たすとき、上層膜をＲｏｕａｒｄの方法
により上層膜を面に置き換えたときの反射率は、
２，・・・） という条件を満たすとき、上層膜をＲｏｕａｒｄの方法
により上層膜を面に置き換えたときの反射率は、
【００１５】
【数３】Ｒ1 ＝（ｎ1 2−ｎ2 ｎ0 ／ｎ1 2＋ｎ2 ｎ0 ）2 となり、反射率Ｒ1 は最小となる。従って、この方法を
本実施例に適用して、面に置き換えられる単層膜を窒化
珪素膜上の酸化珪素膜と考えると、この酸化珪素膜の膜
厚を数２式で与えられるような膜厚にすれば、窒化珪素
膜上面での反射を最小にすることができる。本実施例の
場合では、トリミングレーザー光にＹＡＧレーザー光を
用いているので、酸化珪素膜の光学的厚さは１８３ｎｍ
となる。図４は、この厚さ程度の酸化膜１を形成した時
の例である。このときの反射率は、酸化膜の屈折率をｎ
1 ＝１．４５、窒化珪素膜の屈折率ｎ2 ＝２．０、空気
の屈折率ｎ0 として数３式よりＲ1 ＝６．２×１０-4と
なり、窒化珪素膜単独での反射率０．１１に比べ遙に小
さい値となる。
本実施例に適用して、面に置き換えられる単層膜を窒化
珪素膜上の酸化珪素膜と考えると、この酸化珪素膜の膜
厚を数２式で与えられるような膜厚にすれば、窒化珪素
膜上面での反射を最小にすることができる。本実施例の
場合では、トリミングレーザー光にＹＡＧレーザー光を
用いているので、酸化珪素膜の光学的厚さは１８３ｎｍ
となる。図４は、この厚さ程度の酸化膜１を形成した時
の例である。このときの反射率は、酸化膜の屈折率をｎ
1 ＝１．４５、窒化珪素膜の屈折率ｎ2 ＝２．０、空気
の屈折率ｎ0 として数３式よりＲ1 ＝６．２×１０-4と
なり、窒化珪素膜単独での反射率０．１１に比べ遙に小
さい値となる。
【００１６】また、薄膜抵抗体のレーザートリミング
は、窒化珪素膜などの保護膜の影響を受けるばかりでな
く、薄膜抵抗体下のＢＰＳＧ膜および酸化珪素膜からな
る下地酸化膜の膜厚の影響を受けることが知られてい
る。下地酸化膜の影響は、本発明の課題と同様にその膜
厚変動によるトリミングの不安定性である。これを解決
するために、下地酸化膜の膜厚制御を考えない場合はト
リミングエネルギーを増加させなければならず、このエ
ネルギーの増加により窒化珪素膜や酸化珪素膜の破壊が
起こってしまうといった問題がある。
は、窒化珪素膜などの保護膜の影響を受けるばかりでな
く、薄膜抵抗体下のＢＰＳＧ膜および酸化珪素膜からな
る下地酸化膜の膜厚の影響を受けることが知られてい
る。下地酸化膜の影響は、本発明の課題と同様にその膜
厚変動によるトリミングの不安定性である。これを解決
するために、下地酸化膜の膜厚制御を考えない場合はト
リミングエネルギーを増加させなければならず、このエ
ネルギーの増加により窒化珪素膜や酸化珪素膜の破壊が
起こってしまうといった問題がある。
【００１７】そこで、本発明者らは、本実施例における
窒化珪素膜上の酸化膜ありの素子と従来構造の酸化膜な
しの素子とにおいて、下地酸化膜の影響をトリミングに
必要な照射レーザーエネルギーの大きさで比較検討し
た。その結果を図５に示す。同図（ａ）は本実施例によ
るものであり、（ｂ）は従来技術によるものである。膜
厚は、低屈折率膜であるＴＥＯＳ酸化膜を１７７ｎｍ，
保護膜である窒化珪素膜を１μｍ，ＴＥＯＳ酸化膜を８
２０ｎｍとした。この図より、本実施例の素子の方が下
地酸化膜の膜厚変動に対してトリミングエネルギーが小
さくなっていると共に安定していることも分かる。すな
わち、窒化珪素膜上に酸化膜を形成することにより、薄
膜抵抗体のレーザートリミングにおいて、下地酸化膜の
影響も小さくできるという効果もあることがわかった。
窒化珪素膜上の酸化膜ありの素子と従来構造の酸化膜な
しの素子とにおいて、下地酸化膜の影響をトリミングに
必要な照射レーザーエネルギーの大きさで比較検討し
た。その結果を図５に示す。同図（ａ）は本実施例によ
るものであり、（ｂ）は従来技術によるものである。膜
厚は、低屈折率膜であるＴＥＯＳ酸化膜を１７７ｎｍ，
保護膜である窒化珪素膜を１μｍ，ＴＥＯＳ酸化膜を８
２０ｎｍとした。この図より、本実施例の素子の方が下
地酸化膜の膜厚変動に対してトリミングエネルギーが小
さくなっていると共に安定していることも分かる。すな
わち、窒化珪素膜上に酸化膜を形成することにより、薄
膜抵抗体のレーザートリミングにおいて、下地酸化膜の
影響も小さくできるという効果もあることがわかった。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明によると、第１の
保護膜下層界面からの反射光と前記第１の保護膜表面上
からの反射光との干渉による反射光の変動を抑えること
ができるため、薄膜抵抗体に到達するレーザー光の変動
を抑えることができる。従って、薄膜抵抗体でのレーザ
ー光エネルギーの吸収率変動を抑えることができる。す
なわち、薄膜抵抗体のレーザートリミングにおいて、薄
膜抵抗体上に形成した保護膜の膜厚ばらつきの影響を低
減することができるという優れた効果が得られる。
保護膜下層界面からの反射光と前記第１の保護膜表面上
からの反射光との干渉による反射光の変動を抑えること
ができるため、薄膜抵抗体に到達するレーザー光の変動
を抑えることができる。従って、薄膜抵抗体でのレーザ
ー光エネルギーの吸収率変動を抑えることができる。す
なわち、薄膜抵抗体のレーザートリミングにおいて、薄
膜抵抗体上に形成した保護膜の膜厚ばらつきの影響を低
減することができるという優れた効果が得られる。
【図１】本発明による一実施例を説明するための素子の
断面図である。
断面図である。
【図２】従来技術を説明するための素子の断面図であ
る。
る。
【図３】従来技術を説明する図である。
【図４】本発明による一実施例を説明する図である。
【図５】（ａ）は、一実施例による特性図である。
（ｂ）は、従来技術による特性図である。
（ｂ）は、従来技術による特性図である。
１ 酸化珪素膜 ２ 窒化珪素膜 ３ 酸化珪素膜 ４ 薄膜抵抗体 ５ 下地酸化膜 ６ Ｓｉ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−14245（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−114159（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−242966（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−22650（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−291260（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−33859（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 27/04 H01C 17/22 H01L 21/82 H01L 21/822 H01L 27/01 321
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成され、レーザー光によって
その抵抗値を調整される薄膜抵抗体を有する半導体装置
において、 該薄膜抵抗体上に形成される第１の保護膜の屈折率より
も小さい屈折率を有する第２の保護膜を形成したことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5151871A JP2762895B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 半導体装置 |
| US08/222,815 US5525831A (en) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Semiconductor device with thin film resistor having reduced film thickness sensitivity during trimming process |
| EP94105245A EP0620586B1 (en) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Semiconductor device having thin film resistor |
| DE69427501T DE69427501T2 (de) | 1993-04-05 | 1994-04-05 | Halbleiteranordnung mit Dünnfilm-Widerstand |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5151871A JP2762895B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722585A JPH0722585A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2762895B2 true JP2762895B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=15528044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5151871A Expired - Lifetime JP2762895B2 (ja) | 1993-04-05 | 1993-06-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2762895B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7741131B2 (en) * | 2007-05-25 | 2010-06-22 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser processing of light reflective multilayer target structure |
| CN105719783A (zh) * | 2015-07-23 | 2016-06-29 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 微波电路用薄膜电阻调节装置及其调节方法 |
-
1993
- 1993-06-23 JP JP5151871A patent/JP2762895B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722585A (ja) | 1995-01-24 |
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