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JP2767144B2 - Processing equipment - Google Patents
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JP2767144B2 - Processing equipment - Google Patents

Processing equipment

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JP2767144B2
JP2767144B2 JP1284204A JP28420489A JP2767144B2 JP 2767144 B2 JP2767144 B2 JP 2767144B2 JP 1284204 A JP1284204 A JP 1284204A JP 28420489 A JP28420489 A JP 28420489A JP 2767144 B2 JP2767144 B2 JP 2767144B2
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load lock
lock chamber
chamber
upper lid
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION 【産業上の利用分野】[Industrial applications]

この発明は、蓋により密閉されると共に室内が真空に
される可能性のあるロードロック室を備える処理装置に
関する。
The present invention relates to a processing apparatus including a load lock chamber which is sealed by a lid and may be evacuated.

【従来の技術】[Prior art]

例えばプラズマエッチング装着においては、エッチン
グ処理室内に、被処理基板例えば半導体ウェーハを挟む
ように2個の電極を設け、この電極間に高周波電源を接
続する。そして、処理室内を所定の真空雰囲気にした状
態で、この電源から電極間に所定の電力を印加するとと
もに、所望の処理ガスを電極間に供給してこの処理ガス
をプラズマ化し、このプラズマ化した処理ガスにより半
導体ウェーハ表面のエッチングを行うようにする。 この場合に、スループットを上げるために、この処理
室へのウェーハの搬入側(イン側)及びウェーハの搬出
側(アウト側)に真空装置であるロードロック室を設け
る。すなわち、大気開放状態においてロードロック室に
ウェーハをロードし、あるいはロードロック室からレシ
ーバにアンロードするようにするとともに、半導体ウェ
ーハのロードロック室から処理室へのロード及び処理室
からロードロック室へのアンロードは、ロードロック室
を処理室と同じ真空状態にして行うようにする。このよ
うにすると、ロードロック室は1枚の半導体ウェーハご
とに大気開放及び真空状態を交互に繰り返すようにする
が、エッチング処理用の処理室内は常に所定の真空状態
を保つことができ、スループットが向上する。 ところで、ロードロック室は例えば上面側が開口の箱
体に、例えばポリカーボネートからなる上蓋が、複数箇
所において直接ねじ止めされて構成されている。
For example, in plasma etching installation, two electrodes are provided in an etching chamber so as to sandwich a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer, and a high frequency power supply is connected between the electrodes. Then, in a state where the processing chamber was set to a predetermined vacuum atmosphere, a predetermined power was applied between the electrodes from this power source, and a desired processing gas was supplied between the electrodes to convert the processing gas into plasma. The surface of the semiconductor wafer is etched by the processing gas. In this case, in order to increase the throughput, a load lock chamber, which is a vacuum device, is provided on the loading side (inside) of the wafer into the processing chamber and on the unloading side (out side) of the wafer. That is, the wafer is loaded into the load lock chamber in the open-to-atmosphere state, or the wafer is unloaded from the load lock chamber to the receiver, and the semiconductor wafer is loaded from the load lock chamber to the processing chamber and from the processing chamber to the load lock chamber. Is performed by setting the load lock chamber in the same vacuum state as the processing chamber. In this way, the load lock chamber alternately repeats the opening to the atmosphere and the vacuum state for each semiconductor wafer, but the processing chamber for the etching process can always maintain a predetermined vacuum state, and the throughput is reduced. improves. Incidentally, the load lock chamber is configured such that, for example, an upper lid made of, for example, polycarbonate is directly screwed at a plurality of locations in a box body having an open upper surface.

【発明が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the invention]

ところが、従来のように容器の側壁に、複数点におい
て、上蓋をねじにより固定する方式は、蓋がねじによる
固定、すなわち点接触の状態で容器に固定されることに
なる。 このため、真空排気すると蓋が容器内側に凹むように
吸引されるため、蓋には点固定のねじ部分にのみ大きな
力がかかり、この部分に割れが生じてしまう欠点があ
る。 この発明は、以上の点に鑑み、蓋に割れを生じないよ
うにした真空装置を提供しようとするものである。
However, in the conventional method in which the upper lid is fixed to the side wall of the container at a plurality of points by screws, the lid is fixed to the container by screws, that is, in a state of point contact. For this reason, when evacuation is performed, the lid is sucked so as to be depressed inside the container, so that a large force is applied only to the point-fixed screw portion of the lid, and there is a disadvantage that this portion is cracked. The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a vacuum device in which a lid is not cracked.

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

この発明による処理装置は、 蓋により開口部が気密に閉塞されるとともに、真空吸
引可能であり、樹脂製のロードロック室と、 前記ロードロック室から搬入される被処理体を処理す
る処理室と を有する処理装置において、 前記蓋が、 前記開口部を覆う樹脂製の蓋体と、 この蓋体を、その前記開口部の周縁に沿った部分にお
いて押圧して固定する環状固定部材と からなるとともに、 前記ロードロック室内には、容積減少部材を設ける ことを特徴とする。
The processing apparatus according to the present invention includes: a load lock chamber made of a resin, the opening being airtightly closed by a lid, being capable of vacuum suction, and a processing chamber for processing an object to be loaded from the load lock chamber. Wherein the lid comprises: a resin lid covering the opening; and an annular fixing member for pressing and fixing the lid at a portion along the periphery of the opening. A volume reduction member is provided in the load lock chamber.

【作用】[Action]

この発明においては、蓋は面接触効果を有する環状固
定部材により押圧されて固定される。したがって、ロー
ドロック室および蓋体を樹脂により構成して、軽量化、
コストダウン、蓋の透明化を図った場合においても、蓋
は、面接触の状態で容器に固定されることになり、割れ
は生じない。また、ロードロック室内には、容積減少部
材が設けられるので、ロードロック室内を真空吸引する
時間を短縮することができる。
In this invention, the lid is pressed and fixed by the annular fixing member having the surface contact effect. Therefore, the load lock chamber and the lid are made of resin to reduce the weight,
Even when the cost is reduced and the lid is made transparent, the lid is fixed to the container in a state of surface contact, and no crack occurs. Further, since the volume reduction member is provided in the load lock chamber, it is possible to reduce the time for vacuum suction in the load lock chamber.

【実施例】【Example】

以下、この発明を、エッチング装置のロードロック室
に適用した場合を例にとって、図を参照しながら説明す
る。 この例が適用されるプラズマエッチング装置は、第3
図に示すように、エッチング処理室1の、被処理体例え
ばウェーハ搬入側にロードロック室2が連接されてい
る。 エッチング処理室1は、例えばアルミニウム製の電極
3を備えるとともに、図示しないが、このアルミニウム
製電極3と対向する上方に例えばアモルファスカーボン
製電極を備えたアルミニウム製電極体を備え、これらア
ルミニウム製電極3とアモルファスカーボン製電極(図
示せず)との間に高周波電源を接続する。また、所定の
処理ガスを各電極間に供給する。 また、ロードロック室2は、エッチング処理室1とゲ
ート4を介して連接されており、ロードロック室2内に
はハンドリングアーム5を備える。 このロードロック室2の上蓋6の上方には、ロードロ
ック室2内のハンドリングアーム5に半導体ウェーハが
搬入されて載置されているか否かを、この上蓋6を介し
て外部から検知するようにするための光センサ(図示せ
ず)が設けられている。このため、上蓋6は、この例の
場合、ロードロック室2の中のローディング・アンロー
ディングの状態を監視できるように、透明材料ではなく
てはならず、また、真空吸引、大気の開放がウェーハの
1枚ごとに行われるため、耐衝撃性に強いことが必要で
ある。そこで、上蓋6の材料としては、一般にポリカー
ボネートが用いられる。 ところで、ロードロック室2の上蓋6は真空吸引され
たときに、これに加わる力に耐えるような厚さにする必
要がある。真空吸引したとき、蓋に加わる力は、ロード
ロック室2の平面積、すなわち上蓋6の表面積に比例し
たものとなるので、上蓋6の厚さは、上蓋6の表面積に
応じたものとしなければならない。 このため、ウェーハサイズが大きくなったり、あるい
はウェーハ搬送アームの構造によって、ロードロック室
を大型化したときには、蓋の厚さを厚く、例えば20〜30
mm程度にしなければならない。 ところで、ポリカーボネートからなる板は、現在の製
造技術では、厚さが12mmまでは一体成型により製造する
ことができるが、これ以上の厚さの板は複数枚のポリカ
ーボネートの板を積層構造にしなければならない。した
がって、上記のような厚さの上蓋6の場合、積層構造の
ポリカーボネートの板を使用することになる。 ところが、この積層構造の蓋板を従来のように、ねじ
によってロードロック室2の容器の側壁に、直接的に単
にねじ止めした場合、上蓋6はねじの位置で点接触の状
態で容器に固定されることになり、真空吸引、大気開放
の繰り返しにより、その点接触であるねじ部において積
層部分から上蓋6に割れを生じてしまう欠点がある。特
にメカニカルブースターのように急激に吸引する場合、
衝撃が大きく、上記割れを生じやすい。 そこで、この実施例では、上蓋6の止め方式は、割れ
を防止するように以下のようなものとされている。 すなわち、この例の場合、ロードロック室2は、第1
図及び第2図に示すように、上蓋6を固定部が箱体7に
対して面接触の状態でねじ止めするようにしている。 ロードロック室2は、例えばポリカーボネートからな
り、上面部が1辺の長さが例えば30mmの正方形状の開口
を有する箱体7に、同じくポリカーボネートからなる上
蓋6が箱体7の上記開口を閉塞するように載置される。
上蓋6と箱体7の側壁上部との接触部には、気密保持の
ためのOリング8が介挿されている。この場合、上蓋6
は、厚さが例えば30mmで、積層されたポリカーボネート
の板で構成されている。また、箱体7の側壁の厚さは、
例えば10〜12mmとされる。 また、上蓋6の上面の周囲の、箱体7の側壁と対向す
る部分は、厚み方向にL字形に切り欠かれて例えば厚さ
10mmの段部9が形成される。そして、この段部9に環状
固定部材の例としての環状の板体、例えばアルミニウム
からなる厚さ例えば10mmの面接触効果を有する補強体、
例えば環状金属板10が配置される。 そして、複数個のねじ11を、この環状金属板10から上
蓋6を通して箱体7の側壁にねじ込み、上蓋6を箱体7
に固定する。すなわち、上蓋6は、環状金属板10により
箱体7の側壁面上部に面接触の状態で押圧されて、箱体
7に固定されるものである。なお、この場合、環状金属
板10の上面のねじ挿入部には、ねじ11の頭部を上蓋6の
面と面一とするための、例えば深さ5mmのざぐり孔12が
設けられている。 上記補強体は、真空圧によるねじ止め用孔への集中応
力を分散するための機械的強度を有するもの、すなわち
面接触効果があれば、アルミニウムに限らずいずれのも
のでもよい。 また、この例の場合、上蓋6の箱体7側の面には、箱
体7の内寸法により若干小さい、ポリカーボネートから
なる板13が、上蓋6にねじ14によってねじ止めされて取
り付けられている。この板13は、ロードロック室2内の
容積を減らして、真空ポンプによって真空吸引する時間
を減らし、上蓋6にかかる力を少なくするようにするた
めのものである。なお、この板13は、ねじ止めではな
く、上蓋6に積層により一体に形成するようにしてもよ
い。 以上のように構成したエッチング装置の動作を以下に
説明する。 カセットから搬送機構によって搬送されてくるウェー
ハを、大気開放の状態のロードロック室2内のハンドリ
ングアーム5上に載置する。すると、これが上蓋6の上
方のセンサで検出され、その検出信号を受けて、ロード
ロック室2のゲートを閉じる。そして、真空吸引装置、
例えばメカニカルブースターによってロードロック室2
内を真空吸引し、ロードロック室2をエッチング処理室
1と同じ真空雰囲気にする。その後、ロードロック室2
と処理室1との間のゲートを開けて、ハンドリングアー
ム5によって、ウェーハを真空雰囲気状態の処理室1内
に搬入する。 処理室1においては、前記高周波電源から前記2個の
電極間に所定の電力を印加し、予め処理室1内に導入さ
れている所望の処理ガスをプラズマ化する。そして、こ
のプラズマ化した処理ガスにより半導体ウェーハ表面の
エッチングを行う。 そして、処理の終了した半導体ウェーハは、エッチン
グ処理室1のアンロード側のゲートを開けて、エッチン
グ処理室1と同じ真空雰囲気にされた真空予備室あるい
はアウト側のロードロック室に搬送する。その後、エッ
チング処理室1のアンロード側のゲートを閉じて、この
アウト側のロードロック室を大気開放して、レシーバに
半導体ウェーハを収納する。 以上のように、ロードロック室2の上蓋6は、環状金
属板10によって、面接触の状態で、箱体7に固定させる
ので、上蓋6がポリカーボネートの積層板からなる構成
されていた場合であっても、上記のように真空吸引、大
気開放が繰り返されたときに、上記上蓋6の積層部分か
ら割れを生じるようなことはない。 なお、以上の例は、この発明をエッチング装置のロー
ドロック室に適用した場合であるが、この発明は、これ
に限られるものではなく、ロードロック室で真空吸引を
行なう処理装置であれば、この発明はすべて適用できる
ことはいうまでもない。 また、蓋の材料がポリカーボネート以外のものであっ
ても適用可能であることは勿論である。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings, taking a case where the present invention is applied to a load lock chamber of an etching apparatus as an example. The plasma etching apparatus to which this example is applied is the third type.
As shown in the drawing, a load lock chamber 2 is connected to an object to be processed, for example, a wafer loading side of the etching processing chamber 1. The etching chamber 1 includes, for example, an aluminum electrode 3 and, although not shown, an aluminum electrode body provided with, for example, an amorphous carbon electrode above the aluminum electrode 3. A high frequency power supply is connected between the electrode and an amorphous carbon electrode (not shown). Also, a predetermined processing gas is supplied between the electrodes. The load lock chamber 2 is connected to the etching processing chamber 1 via a gate 4, and includes a handling arm 5 in the load lock chamber 2. Above the upper lid 6 of the load lock chamber 2, whether or not a semiconductor wafer is carried in and placed on the handling arm 5 in the load lock chamber 2 is externally detected via the upper lid 6. An optical sensor (not shown) is provided. For this reason, in this case, the upper lid 6 must be made of a transparent material so that the loading / unloading state in the load lock chamber 2 can be monitored. Since it is performed for each sheet, it is necessary to have high impact resistance. Therefore, polycarbonate is generally used as the material of the upper lid 6. Incidentally, the upper lid 6 of the load lock chamber 2 needs to be thick enough to withstand the force applied thereto when vacuum suction is performed. When vacuum suction is applied, the force applied to the lid is proportional to the plane area of the load lock chamber 2, that is, the surface area of the upper lid 6. No. For this reason, when the wafer size becomes large or the load lock chamber is enlarged due to the structure of the wafer transfer arm, the thickness of the lid is increased, for example, 20 to 30.
mm. By the way, a plate made of polycarbonate can be manufactured by integral molding up to a thickness of 12 mm with the current manufacturing technology, but a plate with a thickness greater than this must be a multilayer structure of multiple polycarbonate plates. No. Therefore, in the case of the upper lid 6 having the above thickness, a polycarbonate plate having a laminated structure is used. However, when the lid plate of this laminated structure is simply screwed directly to the side wall of the container of the load lock chamber 2 with a screw as in the conventional case, the upper lid 6 is fixed to the container in a point contact state at the screw position. Therefore, there is a drawback that the upper lid 6 is cracked from the layered portion in the screw portion which is the point contact due to the repetition of vacuum suction and opening to the atmosphere. Especially when aspirating suddenly like a mechanical booster,
The impact is large, and the cracks are easily generated. Therefore, in this embodiment, the method of stopping the upper lid 6 is as follows to prevent cracking. That is, in this example, the load lock chamber 2 is
As shown in FIG. 2 and FIG. 2, the upper lid 6 is screwed with the fixing portion in surface contact with the box 7. The load lock chamber 2 is made of, for example, polycarbonate, and has an upper surface having a square opening with a side length of, for example, 30 mm, and a top lid 6 also made of polycarbonate closing the opening of the box 7. It is placed as follows.
An O-ring 8 for maintaining airtightness is inserted at a contact portion between the upper lid 6 and the upper side wall of the box 7. In this case, the upper lid 6
Has a thickness of, for example, 30 mm and is made of laminated polycarbonate plates. The thickness of the side wall of the box 7 is
For example, it is set to 10 to 12 mm. Further, a portion around the upper surface of the upper lid 6 and facing the side wall of the box body 7 is cut out in an L-shape in the thickness direction, and has a thickness of, for example,
A 10 mm step 9 is formed. An annular plate as an example of the annular fixing member, for example, a reinforcing member having a surface contact effect of aluminum having a thickness of, for example, 10 mm,
For example, an annular metal plate 10 is arranged. Then, a plurality of screws 11 are screwed from the annular metal plate 10 through the upper lid 6 to the side wall of the box 7 to attach the upper lid 6 to the box 7.
Fixed to That is, the upper lid 6 is pressed by the annular metal plate 10 to the upper part of the side wall surface of the box body 7 in surface contact, and is fixed to the box body 7. In this case, for example, a counterbore hole 12 having a depth of 5 mm is provided in the screw insertion portion on the upper surface of the annular metal plate 10 to make the head of the screw 11 flush with the surface of the upper lid 6. The reinforcing member is not limited to aluminum but may be any material having a mechanical strength for dispersing the concentrated stress to the screwing hole due to the vacuum pressure, that is, any material having a surface contact effect. In the case of this example, a plate 13 made of polycarbonate, which is slightly smaller due to the inner dimensions of the box 7, is screwed to the upper cover 6 with screws 14 on the surface of the upper cover 6 on the box 7 side. . The plate 13 is for reducing the volume in the load lock chamber 2, reducing the time for vacuum suction by the vacuum pump, and reducing the force applied to the upper lid 6. The plate 13 may be formed integrally with the upper lid 6 by lamination instead of screwing. The operation of the etching apparatus configured as described above will be described below. The wafer transferred from the cassette by the transfer mechanism is placed on the handling arm 5 in the load lock chamber 2 which is open to the atmosphere. Then, this is detected by the sensor above the upper lid 6, and upon receiving the detection signal, the gate of the load lock chamber 2 is closed. And a vacuum suction device,
For example, load lock chamber 2 by mechanical booster
The inside of the chamber is evacuated, and the load lock chamber 2 is set to the same vacuum atmosphere as the etching chamber 1. Then, load lock room 2
The gate between the wafer and the processing chamber 1 is opened, and the wafer is carried into the processing chamber 1 in a vacuum atmosphere by the handling arm 5. In the processing chamber 1, a predetermined power is applied between the two electrodes from the high-frequency power supply, and a desired processing gas previously introduced into the processing chamber 1 is turned into plasma. Then, the surface of the semiconductor wafer is etched with the processing gas converted into plasma. Then, the processed semiconductor wafer is conveyed to the vacuum preparatory chamber or the out-side load lock chamber in the same vacuum atmosphere as the etching processing chamber 1 by opening the gate on the unloading side of the etching processing chamber 1. Thereafter, the gate on the unloading side of the etching chamber 1 is closed, the load lock chamber on the out side is opened to the atmosphere, and the semiconductor wafer is stored in the receiver. As described above, since the upper lid 6 of the load lock chamber 2 is fixed to the box body 7 by the annular metal plate 10 in a surface contact state, the upper lid 6 is made of a laminate of polycarbonate. However, when the vacuum suction and the opening to the atmosphere are repeated as described above, a crack does not occur from the laminated portion of the upper lid 6. Although the above example is a case where the present invention is applied to the load lock chamber of the etching apparatus, the present invention is not limited to this, and any processing apparatus that performs vacuum suction in the load lock chamber may be used. It goes without saying that the present invention is all applicable. Also, it goes without saying that the present invention is applicable even if the material of the lid is other than polycarbonate.

【発明の効果】【The invention's effect】

以上説明したように、この発明によれば、蓋は、直接
ねじ止めして固定するのではなく、ねじと蓋の間に環状
固定部材を介挿させ、蓋はこの環状固定部材によって容
器に押圧されるように固定されるので、蓋の固定部は、
単にねじ止めした場合の点接触状態ではなく、面接触状
態となるので、固定部から割れが生じるのを防止するこ
とができる。
As described above, according to the present invention, the lid is not directly screwed and fixed, but an annular fixing member is inserted between the screw and the lid, and the lid is pressed against the container by the annular fixing member. The fixed part of the lid is
Since a point contact state is obtained instead of a point contact state when simply screwed, it is possible to prevent a crack from being generated from the fixing portion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図及び第2図は、この発明による真空装置の一例を
説明するための平面図及び断面図、第3図は、この発明
が適用される装置の例としてのエッチング装置の一部を
示す図である。 6;上蓋 7;箱体 8;Oリング 9;段部 10;環状金属板 11;ねじ
1 and 2 are a plan view and a sectional view for explaining an example of a vacuum apparatus according to the present invention, and FIG. 3 shows a part of an etching apparatus as an example of an apparatus to which the present invention is applied. FIG. 6; Top lid 7; Box 8; O-ring 9; Step 10; Ring metal plate 11; Screw

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】蓋により開口部が気密に閉塞されるととも
に、真空吸引可能であり、樹脂製のロードロック室と、 前記ロードロック室から搬入される被処理体を処理する
処理室と を有する処理装置において、 前記蓋が、 前記開口部を覆う樹脂製の蓋体と、 この蓋体を、その前記開口部の周縁に沿った部分におい
て押圧して固定する環状固定部材と からなるとともに、 前記ロードロック室内には、容積減少部材を設ける ことを特徴とする処理装置。
An opening is hermetically closed by a lid and vacuum-suctionable, and has a load lock chamber made of resin, and a processing chamber for processing an object loaded from the load lock chamber. In the processing apparatus, the lid includes: a resin lid that covers the opening; and an annular fixing member that presses and fixes the lid at a portion along a periphery of the opening. A processing device, wherein a volume reducing member is provided in the load lock chamber.
【請求項2】前記ロードロック室および前記蓋体を構成
する樹脂は、ポリカーボネートであることを特徴とする
請求項1に記載の処理装置。
2. The processing apparatus according to claim 1, wherein the resin forming the load lock chamber and the lid is polycarbonate.
【請求項3】前記蓋体を構成する樹脂は、透明であるこ
とを特徴とする請求項1または請求項2に記載の処理装
置。
3. The processing apparatus according to claim 1, wherein the resin forming the lid is transparent.
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