Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP2788559B2 - Semiconductor laser light source device and bar code reader - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP2788559B2 - Semiconductor laser light source device and bar code reader - Google Patents

Semiconductor laser light source device and bar code reader

Info

Publication number
JP2788559B2
JP2788559B2 JP3161493A JP16149391A JP2788559B2 JP 2788559 B2 JP2788559 B2 JP 2788559B2 JP 3161493 A JP3161493 A JP 3161493A JP 16149391 A JP16149391 A JP 16149391A JP 2788559 B2 JP2788559 B2 JP 2788559B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
light source
source device
laser light
mode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3161493A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0512476A (en
Inventor
浩寧 吉川
行造 山崎
稔幸 市川
正徳 大川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3161493A priority Critical patent/JP2788559B2/en
Publication of JPH0512476A publication Critical patent/JPH0512476A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2788559B2 publication Critical patent/JP2788559B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザを用いた
半導体レーザ光源装置に関する。バーコード読取装置や
レーザプリンタ装置に対しては、小型で低価格であるこ
とが要望されており、このため、レーザビームの走査機
構などの機械的な可動部分をはじめ各部の小型化が必要
とされている。これに応じて、レーザプリンタ装置にお
いては、He−Neレーザなどの気体レーザに代えて、赤外
線半導体レーザを用いた光源装置を採用することによ
り、装置全体の小型化が実現されている。一方、赤外線
では読みにくいバーコードが付けられた商品などが多数
市販されているため、バーコード読取装置の光源として
は可視光源が適しており、赤外線半導体レーザを用いる
ことによって光走査装置を小型化する方法は適用されて
いなかった。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser light source device using a semiconductor laser. Barcode readers and laser printers are required to be small and inexpensive, so it is necessary to reduce the size of mechanically movable parts such as a laser beam scanning mechanism. Have been. Accordingly, in a laser printer device, a light source device using an infrared semiconductor laser is used in place of a gas laser such as a He-Ne laser, thereby realizing the miniaturization of the entire device. On the other hand, since many products with barcodes that are difficult to read with infrared light are on the market, a visible light source is suitable as the light source of the barcode reader, and the optical scanning device can be downsized by using an infrared semiconductor laser. The method of doing was not applied.

【0002】しかし、近年、発振波長700nm以下の可
視光の半導体レーザが製品化されたことから、半導体レ
ーザを用いた光源装置を採用し、バーコード読取装置全
体の小型化および低価格化を図ることが要望されてい
る。
However, in recent years, since a visible light semiconductor laser having an oscillation wavelength of 700 nm or less has been commercialized, a light source device using the semiconductor laser is employed to reduce the size and cost of the entire bar code reader. It is desired.

【0003】[0003]

【従来の技術】図12,図13に、従来のバーコード読
取装置の構成を示す。図12において、He−Neレーザか
ら射出したレーザビームは、凹面鏡301に設けられた
開口部を介してポリゴンミラー311に入射し、このポ
リゴンミラー311の回転に応じて、図13に示すよう
に、パターン合成ミラー303a,303b,303c
を順に走査する。これらのパターン合成ミラー303a
〜303cによって反射されたレーザビームが、ミラー
304によって反射されて読取窓に取り付けられた固定
ホログラム305に入射し(図12参照)、この固定ホ
ログラム305の回折作用により折り曲げられ、図14
に示すように様々な走査パターンを描きながら、商品な
どの物体102に付けられたバーコード103を照明す
る構成となっている。また、このバーコードによって散
乱された光の一部は、図12に点線で示すように、上述
したレーザビームの光路を逆進して凹面鏡301に入射
し、この凹面鏡301とミラー341によって光検出器
342に導かれ、この光検出器542の出力の変化に基
づいて、読取処理部343が上述したバーコード102
を読み取る構成となっている。
2. Description of the Related Art FIGS. 12 and 13 show the configuration of a conventional bar code reader. 12, a laser beam emitted from a He-Ne laser enters a polygon mirror 311 through an opening provided in a concave mirror 301, and according to the rotation of the polygon mirror 311 as shown in FIG. Pattern combining mirrors 303a, 303b, 303c
Are sequentially scanned. These pattern combining mirrors 303a
The laser beam reflected by .about.303c is reflected by the mirror 304 and enters the fixed hologram 305 attached to the reading window (see FIG. 12), and is bent by the diffraction action of the fixed hologram 305, and FIG.
The bar code 103 attached to the object 102 such as a product is illuminated while drawing various scanning patterns as shown in FIG. A part of the light scattered by the barcode is incident on the concave mirror 301 by reversing the optical path of the laser beam as shown by a dotted line in FIG. 12, and is detected by the concave mirror 301 and the mirror 341. The reading processing unit 343 guides the bar code 102 to the bar code 102 based on a change in the output of the photodetector 542.
Is read.

【0004】この構成は、読取窓に固定されたホログラ
ムの回折作用によって、読取窓に垂直な方向の走査パタ
ーン(図14において、矢印Aで示す)を得ることによ
り、バーコード読取装置の薄型化を図ったものであり、
ホロウインド方式と呼ばれている。また、上述した固定
ホログラム305に結像機能を持たせることにより、バ
ーコード103からの散乱光を効率的に光検出器342
に集光することを可能としている。
In this configuration, a bar code reader is thinned by obtaining a scanning pattern (indicated by an arrow A in FIG. 14) in a direction perpendicular to the reading window by a diffraction action of a hologram fixed to the reading window. That is,
This is called the hollow-in method. In addition, by providing the fixed hologram 305 with an imaging function, the scattered light from the barcode 103 can be efficiently detected by the photodetector 342.
It is possible to collect light.

【0005】また、円周方向に複数の異なるパターンを
有するホログラムを備えた円盤(以下、ホログラムディ
スクと称する)をモータで回転させ、このホログラムデ
ィスクにレーザビームを入射することによってレーザビ
ームを走査する方式もあり、ホログラムディスク方式と
呼ばれている。
Further, a disk provided with a hologram having a plurality of different patterns in the circumferential direction (hereinafter, referred to as a hologram disk) is rotated by a motor, and the laser beam is scanned by irradiating the hologram disk with the laser beam. There is also a method, which is called a hologram disk method.

【0006】図15にホログラムディスク方式のバーコ
ード読取装置の構成を示す。図15において、レーザビ
ームは、集光レンズ441に設けられた開口部を介して
入射し、ミラー401によって折り曲げられてホログラ
ムディスク402に入射する。このホログラムディスク
402には、ホログラムディスク402の半径方向との
角度を連続的に変化させながら、ホログラムディスク4
02の斜め下方にレーザビームを回折させるパターンを
有するホログラムが備えられている。
FIG. 15 shows a configuration of a hologram disk type bar code reader. In FIG. 15, a laser beam enters through an opening provided in a condenser lens 441, is bent by a mirror 401, and enters a hologram disk 402. While continuously changing the angle of the hologram disk 402 with respect to the radial direction, the hologram disk 4
A hologram having a pattern for diffracting a laser beam is provided diagonally below 02.

【0007】従って、ホログラムディスク402を回転
させることにより、レーザビームは、数枚のパターン合
成ミラー403を順に走査し、これらのパターン合成ミ
ラー403によって反射された後に、ミラー404によ
って撥ね上げられ、読取窓405を介して射出される。
通常、3枚〜5枚のパターン合成ミラー403が備えら
れているが、図においては、1枚のパターン合成ミラー
403を代表して示した。
Therefore, by rotating the hologram disk 402, the laser beam scans several pattern combining mirrors 403 in order, and after being reflected by these pattern combining mirrors 403, is repelled by the mirror 404 and read. Emitted through window 405.
Usually, three to five pattern combining mirrors 403 are provided, but one pattern combining mirror 403 is shown as a representative in the figure.

【0008】これにより、上述したホロウインド方式と
同様に、様々な走査パターンが得られ、これらの走査パ
ターンを描いて走査されるレーザビームによって物体1
02上のバーコード102が照明される。また、このバ
ーコード102によって散乱された光の一部は、図15
に点線で示すように上述した光路を逆進し、集光レンズ
441によって光検出器442に集光されており、この
光検出器442の出力に基づいて、読取処理部443が
上述したバーコードを読み取る構成となっている。
As a result, various scanning patterns are obtained in the same manner as in the above-described hollow-in system, and the object 1 is scanned by a laser beam that is drawn and scanned.
02 is illuminated. Further, a part of the light scattered by the barcode 102 is shown in FIG.
As shown by a dotted line, the light travels backward in the above-described optical path and is condensed on the photodetector 442 by the condensing lens 441. Based on the output of the photodetector 442, the reading processing unit 443 executes Is read.

【0009】ここで、ホログラムには、上述した回折作
用とともに結像作用をも持たせることが可能であるの
で、走査手段としてホログラムディスク402を用いる
ことにより、別に結像光学系を設けて、読取窓から射出
するレーザビームを絞る必要がなくなり、光走査装置を
小型化することができる。
Here, since the hologram can have an image-forming function as well as the above-described diffraction function, by using the hologram disk 402 as the scanning means, an image-forming optical system is separately provided to read the image. There is no need to stop down the laser beam emitted from the window, and the optical scanning device can be downsized.

【0010】また、このホログラムディスク方式の光走
査装置は、レーザプリンタ装置にも用いられている。図
16に、レーザビームプリンタ装置の構成を示す。
This hologram disk type optical scanning device is also used in a laser printer. FIG. 16 shows the configuration of the laser beam printer.

【0011】図16において、半導体レーザ501から
射出した光は、コリメータレンズ502によってビーム
に整形された後に、ホログラムディスク503の下面に
斜めに入射する構成となっている。このホログラムディ
スク503の回折作用によって、上述したレーザビーム
は斜め上方に折り曲げられるとともに、ホログラムディ
スク503の回転に応じて、その円周の接線方向(図1
6において矢印Bで示した)に走査される。更に、ホロ
グラムディスク503に設けた各ホログラムは、上述し
た回折作用とともに結像作用を持っており、斜め上方に
折り曲げられたレーザビームを感光ドラム504上で結
像して、感光ドラム504上で鮮明な画像を得る構成と
なっている。
In FIG. 16, light emitted from a semiconductor laser 501 is shaped into a beam by a collimator lens 502 and then obliquely enters the lower surface of a hologram disk 503. Due to the diffraction effect of the hologram disk 503, the above-described laser beam is bent obliquely upward and, in accordance with the rotation of the hologram disk 503, the tangential direction of its circumference (FIG. 1).
6 (indicated by arrow B). Further, each hologram provided on the hologram disk 503 has an image-forming action together with the above-described diffraction action, and forms an image on the photosensitive drum 504 with the laser beam bent obliquely upward, so that it is sharp on the photosensitive drum 504. It is configured to obtain a perfect image.

【0012】このように、旧来、ポリゴンミラーやガル
バノミラーなどの走査素子と固定ミラーおよびレンズな
どの結像用光学系からなっていた走査機構をホログラム
を利用したビーム走査機構に置き換えることにより、バ
ーコード読取装置やレーザビームプリンタ装置の小型化
が実現されている。
As described above, by replacing a scanning mechanism, which has conventionally been composed of a scanning element such as a polygon mirror or a galvano mirror and an optical system for imaging such as a fixed mirror and a lens, with a beam scanning mechanism using a hologram, a bar scanning is realized. Code readers and laser beam printers have been downsized.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うにビーム走査機構の小型化が実現されたことにより、
光源として用いられているHe−Neレーザの発振管の直径
が相対的に大きくなっており、バーコード読取装置の寸
法が、このHe−Neレーザの発振管の大きさによって制限
されるまでになっている。従って、バーコード読取装置
を更に小型化するためには、光源として、可視光半導体
レーザを採用する必要がある。
By the way, as described above, the miniaturization of the beam scanning mechanism has been realized.
The diameter of the oscillation tube of the He-Ne laser used as a light source is relatively large, and the size of the barcode reader is limited by the size of the oscillation tube of the He-Ne laser. ing. Therefore, in order to further reduce the size of the barcode reader, it is necessary to employ a visible light semiconductor laser as a light source.

【0014】しかしながら、発振波長が700nm以下の
半導体レーザ(以下、単に半導体レーザと称する)は、
図17に示すように、温度や出力の変化に応じて発振波
長が連続的に変化するとともに、所定の温度で発振モー
ドの遷移が起こり、発振波長が不連続に変化する性質を
持っている。また、発振モードの遷移温度付近では、半
導体レーザはモード競合状態となり、隣接する2つの発
振モードに対応する波長の光が同時に射出される。
However, a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 700 nm or less (hereinafter simply referred to as a semiconductor laser)
As shown in FIG. 17, the oscillation wavelength changes continuously according to changes in temperature and output, and the oscillation mode changes at a predetermined temperature, so that the oscillation wavelength changes discontinuously. In the vicinity of the transition temperature of the oscillation mode, the semiconductor laser enters a mode competition state, and light beams having wavelengths corresponding to two adjacent oscillation modes are simultaneously emitted.

【0015】一方、上述したようなホログラムを利用し
たビーム走査機構は、レーザビームの波長が一定である
ことを前提としている。なぜならば、レーザビームの方
向を偏向するために利用している回折作用は、非常に波
長依存性の高い作用だからである。
On the other hand, the beam scanning mechanism using a hologram as described above is based on the premise that the wavelength of a laser beam is constant. This is because the diffraction effect used to deflect the direction of the laser beam is an operation having a very high wavelength dependence.

【0016】例えば、図16に示したレーザビームプリ
ンタのホログラムディスク503に入射するレーザビー
ムの波長が波長λi から波長λi+1 に変化すると、図1
6に点線で示すように、ホログラムディスク503を射
出するレーザビームの方向が変化し、感光ドラム504
上での結像位置がずれてしまう。また、上述したような
モード競合状態となると、実質的にレーザビームのビー
ム径が拡がることになるため、感光ドラム504上での
像がぼけてしまう。
[0016] For example, when the wavelength of the laser beam incident on the hologram disk 503 of the laser beam printer shown in FIG. 16 is changed from the wavelength lambda i of the wavelength lambda i + 1, 1
As indicated by the dotted line in FIG. 6, the direction of the laser beam emitted from the hologram disk 503 changes,
The above image formation position is shifted. Further, when the mode competition state as described above occurs, the beam diameter of the laser beam is substantially expanded, so that the image on the photosensitive drum 504 is blurred.

【0017】図12,図15に示したバーコード読取装
置においても同様であるが、バーコード読取装置におい
ては、レーザビームが描く走査パターンの位置に対して
は比較的大きい誤差が許されるので、主に、モード競合
状態によってレーザビームのビーム径が拡がることが問
題となる。特に、ホロウインド方式のバーコード読取装
置においては、図18に示すように、モード競合状態に
おいてはビーム径が走査方向に拡がって分解能が低下す
るため、バーコードの読取精度が著しく劣化してしま
う。
The same applies to the bar code reader shown in FIGS. 12 and 15, but in the bar code reader, a relatively large error is allowed with respect to the position of the scanning pattern drawn by the laser beam. The main problem is that the beam diameter of the laser beam expands due to the mode competition state. In particular, in a hollow-in-type bar code reading apparatus, as shown in FIG. 18, in a mode conflict state, the beam diameter expands in the scanning direction and the resolution is reduced, so that the bar code reading accuracy is significantly deteriorated. .

【0018】従って、光源を単に半導体レーザに置き換
えただけでは、半導体レーザの不安定性のために上述し
たような様々な問題点が生じ、装置の小型化と引換え
に、読取精度や印刷品質が犠牲となってしまう。
Therefore, simply replacing the light source with a semiconductor laser causes various problems as described above due to the instability of the semiconductor laser. In exchange for the downsizing of the apparatus, reading accuracy and print quality are sacrificed. Will be.

【0019】他方、半導体レーザを単一の発振モードに
固定して使用するための技術としては、半導体レーザに
ペルチェ素子などの温度制御素子を隣接させ、半導体レ
ーザの温度を一定に保つ方法が知られている。しかし、
半導体レーザの各素子間にはばらつきがあるため、上述
した発振モードの遷移温度は、半導体レーザ素子によっ
てまちまちである。このため、ペルチェ素子に設定する
温度を一律に決定すると、半導体レーザの状態をモード
競合状態に固定してしまう可能性がある。
On the other hand, as a technique for fixing a semiconductor laser in a single oscillation mode for use, there is known a method in which a temperature control element such as a Peltier element is arranged adjacent to the semiconductor laser to keep the temperature of the semiconductor laser constant. Have been. But,
Since there is variation among the elements of the semiconductor laser, the transition temperature of the oscillation mode described above varies depending on the semiconductor laser element. Therefore, if the temperature set for the Peltier element is determined uniformly, there is a possibility that the state of the semiconductor laser is fixed to the mode competition state.

【0020】また、モード競合状態の検出に応じてペル
チェ素子を駆動する構成とした場合においても、ペルチ
ェ素子への通電時間の設定によっては、モード競合状態
から脱出するために必要な温度変化を発生させられなか
ったり、逆に、必要以上の温度変化を与えてしまったり
する可能性がある。
Further, even when the Peltier element is driven in accordance with the detection of the mode competition state, a temperature change required to escape from the mode competition state occurs depending on the setting of the energizing time to the Peltier element. There is a possibility that the temperature may not be changed or a temperature change more than necessary may be given.

【0021】本発明は、半導体レーザを単一モードで安
定に発振可能とする半導体レーザ光源装置を提供するこ
とを目的とする。また、この光源装置を適用して小型の
バーコード読取装置を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a semiconductor laser light source device capable of stably oscillating a semiconductor laser in a single mode. It is another object of the present invention to provide a small-sized bar code reader by applying the light source device.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】図1は、請求項1ないし
請求項3の半導体レーザ光源装置の構成を示す図であ
る。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor laser light source device according to the first to third aspects of the present invention.

【0023】請求項1の発明は、半導体レーザ101か
ら放出されるレーザ光の一部に基づいて、半導体レーザ
101のモード競合状態を検出する検出手段111と、
モード競合状態を検出した旨の検出信号の入力に応じ
て、半導体レーザ101の温度を所定の調整量だけ調整
する温度調整手段112と、検出信号に基づいて、温度
調整手段112による温度調整によって半導体レーザ1
01がモード競合状態を脱出したか否か判定する判定手
段113と、モード競合状態から脱出していない旨の判
定結果の入力に応じて、温度調整手段112による調整
量を変更する変更手段114とを備えたことを特徴とす
る。
According to the first aspect of the present invention, a detecting means 111 for detecting a mode competition state of the semiconductor laser 101 based on a part of the laser light emitted from the semiconductor laser 101,
Temperature adjusting means 112 for adjusting the temperature of the semiconductor laser 101 by a predetermined adjustment amount in response to the input of a detection signal indicating that the mode competition state has been detected, and semiconductor adjustment by the temperature adjusting means 112 based on the detection signal. Laser 1
A determination unit 113 for determining whether or not 01 has escaped from the mode competition state; and a change unit 114 for changing the adjustment amount by the temperature adjustment unit 112 in response to the input of the determination result indicating that it has not escaped from the mode competition state. It is characterized by having.

【0024】請求項2の発明は、請求項1に記載の半導
体レーザ光源装置において、判定手段113が、検出手
段111からの検出信号の時間変化に基づいて、半導体
レーザ101がモード競合状態から脱出したか否かを判
定する構成であることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor laser light source device according to the first aspect, the determining means 113 causes the semiconductor laser 101 to escape from the mode competition state based on a time change of the detection signal from the detecting means 111. It is characterized in that it is configured to determine whether or not it has been done.

【0025】請求項3の発明は、請求項1に記載の半導
体レーザ光源装置において、変更手段114によって変
更された温度調整量を記憶して、温度調整手段112に
よる調整処理に供する記憶手段121を備えたことを特
徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor laser light source device according to the first aspect, the storage means 121 for storing the temperature adjustment amount changed by the change means 114 and providing the temperature adjustment amount by the temperature adjustment means 112 is provided. It is characterized by having.

【0026】図2は、請求項4の半導体レーザ光源装置
の構成を示す図である。請求項4の発明は、請求項1に
記載の半導体レーザ光源装置において、半導体レーザ1
01から射出されるレーザ光の一部に基づいて、半導体
レーザ101の発振モードを判別する判別手段131を
備え、判定手段113が、検出手段111からの検出信
号と判別手段131による判別結果とに基づいて、半導
体レーザ101がモード競合状態を脱出したか否か判定
する構成であることを特徴とする。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a semiconductor laser light source device according to a fourth aspect. According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor laser light source device according to the first aspect, the semiconductor laser
A determination unit 131 that determines the oscillation mode of the semiconductor laser 101 based on a part of the laser light emitted from the laser light source 01 is provided. It is characterized in that it is configured to determine whether the semiconductor laser 101 has escaped from the mode competition state based on this.

【0027】図3は、請求項5のバーコード読取装置の
構成を示す図である。請求項5の発明は、請求項1に記
載の半導体レーザ光源装置110と、半導体レーザ光源
装置110から入射するレーザビームをその波長に応じ
て走査して、物体102に付されたバーコード103を
照明するビーム走査機構141と、バーコード103か
らの散乱光の強度変化に基づいて、バーコード103の
読取処理を行う読取手段142とを備えたことを特徴と
する。
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of a bar code reading device according to a fifth embodiment. According to a fifth aspect of the present invention, the bar code 103 attached to the object 102 is scanned by scanning the semiconductor laser light source device 110 according to the first aspect and a laser beam incident from the semiconductor laser light source device 110 according to the wavelength. It is characterized by comprising a beam scanning mechanism 141 for illuminating and reading means 142 for reading the barcode 103 based on a change in intensity of scattered light from the barcode 103.

【0028】[0028]

【作用】請求項1の発明は、検出手段111により、モ
ード競合状態が検出されたときに温度調整手段112に
より半導体レーザ101の温度の調整を行い、このとき
の判定手段113による判定結果に応じて、変更手段1
14が上述した調整量を変更することにより、モード競
合状態を脱出するために必要な過不足ない調整量を学習
することができる。このようにして、適正な調整量が得
られた後は、モード競合状態の検出に応じて、温度調整
手段112により、過不足ない温度変化が半導体レーザ
101に与えられるので、モード競合状態を速やかに脱
出して、単一モード状態に安定化することが可能とな
る。
According to the first aspect of the present invention, when the mode competition state is detected by the detecting means 111, the temperature of the semiconductor laser 101 is adjusted by the temperature adjusting means 112, and according to the judgment result by the judging means 113 at this time. Change means 1
By changing the adjustment amount described above, the adjustment amount required for escape from the mode competition state can be learned without excess or deficiency. After the appropriate adjustment amount is obtained in this way, the temperature adjusting means 112 gives a proper temperature change to the semiconductor laser 101 in response to the detection of the mode competition state. And it can be stabilized in a single mode state.

【0029】また、判定手段113が、検出手段111
からの検出信号の時間変化に基づいて、モード競合状態
を脱出したか否かを判定するので、温度調整手段112
による調整処理に要する時間を考慮して、正確に判定す
ることができる。
Further, the judging means 113 comprises the detecting means 111
Since it is determined whether or not the mode competition state has been escaped based on the time change of the detection signal from the
The determination can be made accurately in consideration of the time required for the adjustment process performed by the control unit.

【0030】また、上述した学習過程で得られた調整量
を記憶手段121に記憶することにより、半導体レーザ
光源装置の電源切断後も適正な調整量を保持しておくこ
とが可能となり、次に、電源が投入されたときに、最初
から適正な調整量を保持した状態で半導体レーザ101
の制御を行うことができる。
Also, by storing the adjustment amount obtained in the learning process in the storage means 121, it becomes possible to hold the appropriate adjustment amount even after the power supply of the semiconductor laser light source device is turned off. When the power is turned on, the semiconductor laser 101 is held in a state where an appropriate adjustment amount is maintained from the beginning.
Can be controlled.

【0031】更に、判別手段131で得られた発振モー
ドの判別結果を判定手段113に入力することにより、
判定手段113は、温度調整手段112による調整処理
によってモード競合状態を脱出できなかった場合と別の
モード競合状態に遷移してしまった場合とを正確に区別
することが可能となる。
Further, by inputting the oscillation mode discrimination result obtained by the discrimination means 131 to the judgment means 113,
The determination unit 113 can accurately distinguish between a case where the mode competition state could not be escaped by the adjustment processing by the temperature adjustment unit 112 and a case where the mode transition to another mode competition state has occurred.

【0032】請求項5の発明は、半導体レーザ光源装置
110により、単一モード状態に安定化されたレーザビ
ームがビーム走査機構141に入射しているので、ビー
ム走査機構141の波長依存性にかかわらず、物体10
2上のバーコード103を細く絞ったレーザビームで照
明することができる。従って、読取手段142が、従来
と同様の読取処理を行うことにより、He−Neレーザ装置
を光源とした場合と同等の精度でバーコード103を読
み取ることが可能である。
According to the fifth aspect of the present invention, since the laser beam stabilized in a single mode state by the semiconductor laser light source device 110 is incident on the beam scanning mechanism 141, the laser beam is not affected by the wavelength dependence of the beam scanning mechanism 141. Object 10
2 can be illuminated with a narrowly focused laser beam. Therefore, the reading means 142 can read the barcode 103 with the same accuracy as the case where the He-Ne laser device is used as a light source by performing the same reading processing as in the related art.

【0033】[0033]

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例につい
て詳細に説明する。図4は、請求項1の半導体レーザ光
源装置の実施例構成を示す。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 4 shows the configuration of an embodiment of the semiconductor laser light source device of the first aspect.

【0034】図4において、半導体レーザ光源装置は、
半導体レーザ(LD)101からのレーザ光をコリメー
タレンズ(レンズ)502によって整形して得られるレ
ーザビームを射出する構成となっている。
In FIG. 4, the semiconductor laser light source device comprises:
The laser beam from the semiconductor laser (LD) 101 is shaped by a collimator lens (lens) 502 to emit a laser beam.

【0035】また、上述したレーザビームの一部は、図
4において点線で示すように、ホログラム211によっ
て回折されて分離され、CCDアレイ212の受光面上
に結像する構成となっている。
A part of the above-described laser beam is diffracted and separated by the hologram 211 and forms an image on the light receiving surface of the CCD array 212 as shown by a dotted line in FIG.

【0036】ここで、ホログラム211による回折角
は、入射するレーザビームの波長に依存するので、半導
体レーザ101がモード競合状態であるときは、図5に
示すように、発振モードi(波長λi )の光と発振モー
ドi+1(波長λi+1 )の光とがCCDアレイ212上
でそれぞれ別の位置で結像する。従って、例えば、CC
Dアレイ212の各素子の出力を比較して入射光強度の
ピーク位置を検出するピーク検出部213を設け、2つ
以上のピークを検出したか否かを示す検出信号をモード
競合検出結果として出力する構成とすればよい。
Here, since the diffraction angle by the hologram 211 depends on the wavelength of the incident laser beam, when the semiconductor laser 101 is in the mode competition state, as shown in FIG. 5, the oscillation mode i (wavelength λ i ) And light in the oscillation mode i + 1 (wavelength λ i + 1 ) form images on the CCD array 212 at different positions. Thus, for example, CC
A peak detector 213 is provided for detecting the peak position of the incident light intensity by comparing the output of each element of the D array 212 and outputting a detection signal indicating whether or not two or more peaks have been detected as a mode competition detection result. The configuration may be such that

【0037】このようにして、ホログラム211とCC
Dアレイ212とピーク検出部213とにより、検出手
段111の機能を実現することができる。また、図4に
おいて、ペルチェ素子221と駆動回路222とタイマ
223とは温度調整手段112を形成しており、モード
競合状態を検出した旨の検出信号に応じて、駆動回路2
22が、タイマ223に設定された通電時間だけペルチ
ェ素子221に所定の電流値の駆動電流を供給する構成
となっている。また、このペルチェ素子221は、上述
した半導体レーザ101に隣接して配置されており、上
述した駆動電流によってペルチェ素子221に与えられ
るエネルギーに相当する温度変化を半導体レーザ101
に与える構成となっている。
Thus, the hologram 211 and the CC
The function of the detection unit 111 can be realized by the D array 212 and the peak detection unit 213. In FIG. 4, the Peltier element 221, the driving circuit 222, and the timer 223 form a temperature adjusting unit 112, and the driving circuit 2 is controlled in response to a detection signal indicating that a mode competition state has been detected.
22 supplies the drive current of a predetermined current value to the Peltier element 221 for the energization time set in the timer 223. The Peltier element 221 is disposed adjacent to the semiconductor laser 101 described above, and changes the temperature corresponding to the energy given to the Peltier element 221 by the drive current described above.
Is provided.

【0038】また、タイマ231と判定回路232と
は、判定手段113を形成しており、モード競合状態を
検出した旨の検出信号に応じてタイマ231が動作を開
始し、所定の時間が経過したことを示すタイムアウト信
号を判定回路232に送出する構成となっている。ま
た、この判定回路232は、タイムアウト信号に応じて
後述する判定処理を行い、上述した温度調整手段112
が与えた温度変化によって半導体レーザ101がモード
競合状態を脱出したか否かを判定し、モード競合状態を
脱出していないときに、変更手段114に対して、温度
調整手段112のタイマ223に設定された通電時間の
変更を指示する構成となっている。
The timer 231 and the determination circuit 232 form the determination means 113. The timer 231 starts operating in response to a detection signal indicating that a mode competition state has been detected, and a predetermined time has elapsed. A timeout signal indicating this is sent to the determination circuit 232. Further, the determination circuit 232 performs a determination process described later in response to the timeout signal, and
It is determined whether or not the semiconductor laser 101 has escaped from the mode competition state based on the temperature change given by the controller. To change the supplied power supply time.

【0039】図4において、変更手段114は、レジス
タ241と加算器242と減算器243とマルチプレク
サ244とから形成されており、加算器242と減算器
243とが、レジスタ241の内容と所定の数値Δとの
加算処理および減算処理をそれぞれ行い、マルチプレク
サ244が、上述した変更指示に対応する演算結果を上
述した温度調整手段112に送出してタイマ221に設
定する構成となっている。また、マルチプレクサ244
の出力は、レジスタ241に入力されて保持されるとと
もに、上述した判定手段113のタイマ231に設定さ
れる構成となっている。
In FIG. 4, the changing means 114 comprises a register 241, an adder 242, a subtractor 243, and a multiplexer 244. The adder 242 and the subtractor 243 store the contents of the register 241 and a predetermined numerical value. The addition process and the subtraction process with Δ are performed, and the multiplexer 244 sends the calculation result corresponding to the above-described change instruction to the above-described temperature adjustment unit 112 and sets the result in the timer 221. The multiplexer 244
Is input to and held in the register 241, and is set in the timer 231 of the determination means 113 described above.

【0040】次に、上述した判定回路232による判定
処理および変更手段114による通電時間の変更処理に
ついて説明する。図6は、本発明の半導体レーザ光源装
置における温度調整量の学習動作を表す流れ図である。
Next, a description will be given of a determination process by the above-described determination circuit 232 and a process of changing the energization time by the changing unit 114. FIG. 6 is a flowchart showing the operation of learning the temperature adjustment amount in the semiconductor laser light source device of the present invention.

【0041】ここで、初期状態においては、温度調整手
段112のタイマ223および判定手段113のタイマ
231には、通電時間の初期値TO が設定されており、
また、この初期値TO に相当する数値が変更手段114
のレジスタ241に格納されている。
[0041] Here, in the initial state, the timer 231 of timer 223 and determining unit 113 of the temperature adjusting means 112 is initially set value T O of the energization time,
Further, the numerical value corresponding to the initial value T O is changed
Is stored in the register 241.

【0042】まず、判定回路232は、検出手段111
からの検出信号を読み込み(ステップ601)、モード
競合状態が発生しているか否かを判定する(ステップ6
02)。このステップ602の否定判定の場合は、ステ
ップ601およびステップ602を繰り返す。
First, the determination circuit 232 detects
Is read (step 601), and it is determined whether or not a mode race condition has occurred (step 6).
02). In the case of a negative determination in step 602, steps 601 and 602 are repeated.

【0043】一方、ステップ602における肯定判定の
場合は、上述した検出信号に応じて駆動回路222が動
作し、タイマ223に設定されている通電時間tだけ駆
動電流がペルチェ素子221に供給される(ステップ6
03)。また、このとき、判定手段113のタイマ23
1の動作が開始し、このタイマ231のタイムアウト信
号に応じて、判定回路232は、検出手段111からの
検出信号を読み込み(ステップ604)、この検出信号
に基づいて、モード競合状態を脱出したか否かを判定す
る(ステップ605)。
On the other hand, in the case of an affirmative determination in step 602, the drive circuit 222 operates according to the above-described detection signal, and the drive current is supplied to the Peltier element 221 for the energization time t set in the timer 223 ( Step 6
03). At this time, the timer 23 of the determination means 113
In response to the time-out signal from the timer 231, the determination circuit 232 reads the detection signal from the detection unit 111 (step 604), and based on the detection signal, determines whether the mode competition state has been escaped. It is determined whether or not there is (Step 605).

【0044】ここで、ステップ604において読み込ま
れた検出信号がモード競合状態を検出した旨を示してい
る場合は、ペルチェ素子221への駆動電流の通電時間
が短すぎたために、半導体レーザ101にモード競合状
態から脱出するために必要な温度変化が与えられなかっ
たことを示している。
Here, if the detection signal read in step 604 indicates that the mode competition state has been detected, it is determined that the mode of the semiconductor laser 101 has been changed because the drive current to the Peltier element 221 was too short. This indicates that the temperature change required to escape the race condition was not provided.

【0045】従って、判定回路232は、ステップ60
4で読み込んだ検出信号がモード競合状態を検出した旨
を示している場合に、ステップ602で検出したモード
競合状態を脱出していない(ステップ605の否定判
定)と判断して、変更手段114に対して通電時間の延
長を指示すればよい(ステップ606)。これに応じ
て、変更手段114のマルチプレクサ244により、加
算器242の出力が選択され、上述した数値Δに相当す
る時間δだけ延長された新しい通電時間が送出される。
Therefore, the judgment circuit 232 determines in step 60
When the detection signal read in step 4 indicates that the mode competition state has been detected, it is determined that the mode competition state detected in step 602 has not been escaped (negative determination in step 605), and On the other hand, extension of the energization time may be instructed (step 606). In response to this, the output of the adder 242 is selected by the multiplexer 244 of the changing means 114, and a new energizing time extended by the time δ corresponding to the above-mentioned numerical value Δ is transmitted.

【0046】一方、ステップ604において、単一モー
ドである旨の検出信号を読み込んだ場合は、温度調整手
段112が与えた温度変化により、半導体レーザ101
がステップ602において検出されたモード競合状態か
らは一旦は脱出したことを示している。
On the other hand, when the detection signal indicating that the mode is the single mode is read in step 604, the semiconductor laser 101 is changed by the temperature change given by the temperature adjusting means 112.
Indicates that the system has once escaped from the mode competition state detected in step 602.

【0047】この場合は、判定回路232は、ステップ
605における肯定判定とし、所定の遅延時間τをタイ
マ231に設定し(ステップ607)。その後、タイマ
231からのタイムアウト信号に応じて、再び、検出信
号を読み込んでモード競合状態であるか否かを判定する
(ステップ608)。
In this case, the determination circuit 232 makes an affirmative determination in step 605, and sets a predetermined delay time τ in the timer 231 (step 607). Thereafter, in response to the time-out signal from the timer 231, the detection signal is read again to determine whether or not a mode contention state exists (step 608).

【0048】このステップ608において、モード競合
状態であると判定された場合は、ペルチェ素子221へ
の駆動電流の通電時間が長すぎたために、半導体レーザ
101の温度が大きく変化し、別のモード競合状態に遷
移してしまったことを示している。従って、この場合
に、判定回路232は、通電時間を短縮を変更手段11
4に指示すればよい(ステップ609)。これに応じ
て、変更手段114のマルチプレクサ244により、減
算器243の出力が選択され、上述した時間δだけ短縮
された新しい通電時間が送出される。
If it is determined in step 608 that the mode is in the mode competition state, the time of the drive current to the Peltier element 221 is too long, and the temperature of the semiconductor laser 101 greatly changes. Indicates that the state has been changed. Therefore, in this case, the determination circuit 232 reduces the energization time by changing the changing unit 11.
4 (step 609). In response to this, the output of the subtractor 243 is selected by the multiplexer 244 of the changing means 114, and a new energization time reduced by the time δ is transmitted.

【0049】上述したように、時間差をおいてステップ
605およびステップ608を行って、検出信号の時間
変化を調べることにより、温度調整手段112による温
度調整により、半導体レーザ101がモード競合状態か
ら脱出したか否かを正確に判定することができ、温度調
整量の過不足を正しく判定することができる。
As described above, the steps 605 and 608 are performed with a time lag, and the time change of the detection signal is examined. The temperature adjustment by the temperature adjustment means 112 causes the semiconductor laser 101 to escape from the mode competition state. Can be accurately determined, and whether the temperature adjustment amount is excessive or deficient can be correctly determined.

【0050】また、この判定結果に応じて、変更手段1
14によって出力された新しい通電時間が、温度調整手
段112のタイマ223と判定手段113のタイマ23
1と変更手段114のレジスタ241とに入力されて設
定され、通電時間の変更処理が行われる(ステップ61
0)。
Further, according to the determination result, the changing means 1
The new energization time output by the timer 14 of the temperature adjustment means 112 and the timer 23 of the determination means 113
1 and input to the register 241 of the changing means 114 and set, and the energization time is changed (step 61).
0).

【0051】例えば、初めてモード競合状態が検出され
た後にステップ605における否定判定となった場合
は、ステップ606の処理に応じて、変更手段114に
より、通電時間は、初期値TO に所定の時間τを加算し
た時間に延長される。更に、この処理を繰り返すことに
より、通電時間を上述した所定の時間τずつ延長しなが
ら、適正な通電時間の探索が行われる。このようにして
適正な通電時間が検出された場合は、ステップ608に
おける否定判定となり、そのときの通電時間TE が学習
結果として保持される。
For example, if a negative determination is made in step 605 after the mode competition state is detected for the first time, the energization time is set to the initial value T O by the changing means 114 according to the processing in step 606. It is extended to the time obtained by adding τ. Further, by repeating this process, a search for an appropriate energization time is performed while extending the energization time by the predetermined time τ described above. Thus if the proper current time is detected, the result negative determination in step 608, the energization time T E at that time is held as a result learned.

【0052】また、初めにステップ605における肯定
判定となった場合は、ステップ609の処理に応じて、
変更手段114によって通電時間を時間δずつ短縮しな
がら適正な通電時間の探索が行われ、同様にして、得ら
れた適性な通電時間TE が学習結果として保持される。
If an affirmative determination is made in step 605 first, the process proceeds to step 609, where
The search for appropriate energization time performed while shortening the conduction time by time δ by changing means 114, in the same manner, resulting proper energization time T E is held as a result learned.

【0053】このような学習過程によって、適正な通電
時間が得られた後は、モード競合状態の検出に応じて、
この通電時間TE の間だけペルチェ素子221に駆動電
流が供給されるので、半導体レーザ101に過不足ない
温度変化を与えることが可能となり、モード競合状態を
確実に脱出させるとともに、別のモード競合状態に遷移
することを防ぐことができる。
After a proper energizing time is obtained by such a learning process, in response to the detection of the mode competition state,
Since the drive current to the Peltier element 221 only during the energization time T E is supplied, it is possible to give the excess or deficiency no temperature change in the semiconductor laser 101, it causes reliably escape mode competition state, another mode competition Transition to the state can be prevented.

【0054】これにより、半導体レーザ101を単一モ
ードに安定化して発振させることが可能となるので、可
視光半導体レーザを用いて、安定した波長のレーザビー
ムを射出する半導体レーザ光源装置を実現することがで
きる。また、半導体レーザ101の特性が年月の経過に
よって変化しても、柔軟に対応することができる。
As a result, the semiconductor laser 101 can be oscillated while being stabilized in a single mode, so that a semiconductor laser light source device that emits a laser beam of a stable wavelength using a visible light semiconductor laser is realized. be able to. Further, even if the characteristics of the semiconductor laser 101 change with the passage of time, it is possible to flexibly respond.

【0055】なお、温度調整量を駆動電流の通電時間を
制御する場合に限らず、駆動電流の電流値を変更するこ
とによって、温度調整手段112による温度調整量を制
御する場合にも本発明を適用することができる。この場
合は、タイマ223の代わりに、例えば可変抵抗を備え
て温度調整手段112を形成し、変更手段114が、可
変抵抗の抵抗値を変更して電流値を変更する構成とすれ
ばよい。
It should be noted that the present invention is not limited to the case where the amount of temperature adjustment is controlled by controlling the current supply time of the drive current, but is also applicable to the case where the amount of temperature adjustment by the temperature adjustment means 112 is controlled by changing the current value of the drive current. Can be applied. In this case, instead of the timer 223, for example, a configuration may be adopted in which the temperature adjusting unit 112 is provided with a variable resistor, and the changing unit 114 changes the current value by changing the resistance value of the variable resistor.

【0056】また、温度調整手段112としては、ペル
チェ素子221を用いた構成に限らず、ドライバ回路に
よって、半導体レーザ101に供給する駆動電流を制御
することにより、半導体レーザ101の温度を調整する
構成としてもよい。
The temperature adjusting means 112 is not limited to the configuration using the Peltier element 221, but is configured to control the temperature of the semiconductor laser 101 by controlling the driving current supplied to the semiconductor laser 101 by a driver circuit. It may be.

【0057】また、検出手段111として、モードホッ
ピング雑音(N.Chinone, T.Kuroda,T.Ohtoshi, T.Takah
ashi, T.Kajimura: "Mode-Hopping Noise in Index-Gui
dedSemiconductor Lasers and Its Reduction by Satur
able Absorbers", IEEE J.Quantum Electron.,VOL.QE2
1.1985 参照)を検出することにより、モード競合状態
を検出する構成を用いてもよい。
As the detecting means 111, mode hopping noise (N. Chinone, T. Kuroda, T. Ohhtoshi, T. Takah)
ashi, T. Kajimura: "Mode-Hopping Noise in Index-Gui
dedSemiconductor Lasers and Its Reduction by Satur
able Absorbers ", IEEE J. Quantum Electron., VOL. QE2
A configuration may be used in which a mode race condition is detected by detecting a mode race condition.

【0058】ここで、半導体レーザ101は、図7に示
すように、発光部が、射出窓とは逆側に放出するレーザ
光を受光するホトダイオード201を備えており、この
ホトダイオード201の出力が、半導体レーザ101の
光出力を示すモニタ電流として素子の外部に出力される
構成となっており、モード競合状態においては、このモ
ニタ電流に上述したモードホッピング雑音が観測される
ことが知られている。
Here, as shown in FIG. 7, the semiconductor laser 101 has a light emitting unit provided with a photodiode 201 for receiving a laser beam emitted to the side opposite to the emission window, and the output of the photodiode 201 is: It is configured to be output to the outside of the device as a monitor current indicating the optical output of the semiconductor laser 101, and it is known that the mode hopping noise described above is observed in this monitor current in a mode competition state.

【0059】従って、抽出回路214と比較回路215
とを備えて検出手段111を構成し、抽出回路214
が、上述したモニタ電流からモードホッピング雑音に相
当する雑音成分を抽出し、比較回路215が、得られた
雑音成分の大きさと所定の閾値とを比較して、閾値以上
であるとされたときに、モード競合状態を検出した旨の
検出信号を出力する構成とすればよい。このように、上
述したホトダイオード201と抽出回路214と比較回
路215とによって、検出手段111の機能を実現する
ことができる。
Therefore, the extraction circuit 214 and the comparison circuit 215
And the extraction circuit 214
Extracts a noise component corresponding to the mode hopping noise from the above-described monitor current, and the comparing circuit 215 compares the magnitude of the obtained noise component with a predetermined threshold value. In this case, a configuration may be adopted in which a detection signal indicating that a mode competition state has been detected is output. As described above, the function of the detection unit 111 can be realized by the photodiode 201, the extraction circuit 214, and the comparison circuit 215 described above.

【0060】この検出手段111によるモード競合状態
の検出に応じて、上述したステップ601〜ステップ6
10の学習処理を行うことにより、半導体レーザ101
にモード競合状態からの脱出に必要な温度調整量を与え
るための適正な通電時間TE を求めることができる。こ
れにより、モード競合状態の検出に応じて、適正な温度
変化を半導体レーザ101に与えることが可能となり、
確実にモード競合状態を脱出させることができる。
In accordance with the detection of the mode conflict state by the detecting means 111, the above-mentioned steps 601 to 6 are performed.
By performing the learning process of 10, the semiconductor laser 101
It can be obtained an appropriate energization time T E for providing the temperature adjustment amount required to escape from the mode race condition. Thereby, it becomes possible to give an appropriate temperature change to the semiconductor laser 101 in accordance with the detection of the mode competition state,
The mode competition state can be surely escaped.

【0061】この場合は、図4に示した検出手段111
のように、ホログラム211とCCDアレイ212とを
距離をおいて配置して、半導体レーザ101の発振波長
の違いによる結像位置の違いとして分離する必要はない
ので、検出手段111の構成を小型化することが可能で
あり、半導体レーザ光源装置の全体としての小型化を図
ることができる。また、CCDアレイやその駆動回路の
ような大規模な回路が不要となるので、小規模の回路で
検出手段111を実現可能である。
In this case, the detecting means 111 shown in FIG.
As described above, it is not necessary to dispose the hologram 211 and the CCD array 212 at a distance and separate them as a difference in the imaging position due to a difference in the oscillation wavelength of the semiconductor laser 101. It is possible to reduce the size of the semiconductor laser light source device as a whole. In addition, since a large-scale circuit such as a CCD array or a driving circuit for the CCD array is not required, the detection unit 111 can be realized with a small-scale circuit.

【0062】また、上述したようにして学習して得た適
性な調整量を半導体レーザ光源装置の電源切断後も保持
しておけば、次に電源を投入したときには、最初から適
正な調整量を得ることができる。
If the appropriate adjustment amount obtained by learning as described above is retained even after the power of the semiconductor laser light source device is turned off, the next time the power is turned on, the appropriate adjustment amount is set from the beginning. Obtainable.

【0063】図8に、請求項3の半導体レーザ光源装置
の記憶手段の実施例構成図を示す。図8において、レジ
スタ251とカウンタ252と比較回路253は温度調
整手段112のタイマ223を形成しており、所定のク
ロック信号に同期してカウンタ252が計数動作を行
い、得られた計数値とレジスタ251の内容とが一致し
たときに、比較回路253がタイムアウト信号を駆動回
路222に送出する構成となっている。また、バッテリ
254は、電源切断後に、レジスタ251に内容のバッ
クアップに必要な電流を供給する構成となっており、上
述した学習処理で得られた通電時間TE を保持する構成
となっている。
FIG. 8 shows an embodiment of the storage means of the semiconductor laser light source device according to the third aspect. In FIG. 8, a register 251, a counter 252, and a comparison circuit 253 form a timer 223 of the temperature adjusting unit 112, and the counter 252 performs a counting operation in synchronization with a predetermined clock signal. The comparison circuit 253 sends a time-out signal to the drive circuit 222 when the contents of 251 match. The battery 254, after power down, has a structure for supplying the current required for the content backup in the register 251 are configured to hold the energization time T E obtained by the above-described learning process.

【0064】また、電源投入に応じて、判定手段113
のタイマ231および変更手段114のレジスタ241
にレジスタ251の内容を転送し、それぞれに上述した
通電時間TE を設定する構成とすれば、最初に学習処理
を行った後は、電源投入直後から適性な調整量に基づい
て、半導体レーザ101のモード制御を行うことができ
る。
In response to power-on, the judgment means 113
Timer 231 and register 241 of changing means 114
If the configuration is such that the contents of the register 251 are transferred to each other and the above-described energizing time TE is set for each, after the learning process is first performed, the semiconductor laser 101 is set based on an appropriate adjustment amount immediately after power-on. Mode control can be performed.

【0065】なお、上述した実施例においては、タイマ
231の内部に記憶手段121を設けた構成について説
明したが、記憶手段121を温度調整手段112の外部
に設ける構成としてもよい。
In the above-described embodiment, the configuration in which the storage unit 121 is provided inside the timer 231 has been described. However, the configuration in which the storage unit 121 is provided outside the temperature adjustment unit 112 may be adopted.

【0066】ところで、図4に示したように、ホログラ
ム211の回折光に交差する位置にCCDアレイ212
を配置した場合は、CCDアレイ212上の回折光の結
像位置に基づいて、半導体レーザ101の発振波長を得
ることができ、発振モードそのものを判別することがで
きる。
By the way, as shown in FIG. 4, the CCD array 212 is located at a position intersecting the diffracted light of the hologram 211.
Is arranged, the oscillation wavelength of the semiconductor laser 101 can be obtained based on the image formation position of the diffracted light on the CCD array 212, and the oscillation mode itself can be determined.

【0067】図9に、請求項4の半導体レーザ光源装置
の実施例構成図を示す。図9において、半導体レーザ光
源装置は、図4に示した半導体レーザ光源装置にピーク
検出部216を付加して形成されており、検出手段11
1のCCDアレイ212の出力をこのピーク検出部21
6に入力する構成となっている。
FIG. 9 shows an embodiment of a semiconductor laser light source device according to the fourth aspect. In FIG. 9, the semiconductor laser light source device is formed by adding a peak detector 216 to the semiconductor laser light source device shown in FIG.
The output of one CCD array 212 is output to the peak detector 21.
6 is input.

【0068】このピーク検出部216は、CCDアレイ
212の出力を比較して回折光の結像位置をそれぞれ検
出し、各結像位置に対応するCCDアレイ212の素子
番号を半導体レーザ101の発振モードを示す情報とし
て出力する構成となっている。つまり、ホログラム21
1とCCDアレイ212とピーク検出部216とによっ
て、判別手段131の機能が実現されている。
The peak detector 216 compares the outputs of the CCD array 212 to detect the positions where the diffracted light is formed, and determines the element number of the CCD array 212 corresponding to each position of the light by the oscillation mode of the semiconductor laser 101. Is output as the information indicating. That is, the hologram 21
1, the CCD array 212 and the peak detection unit 216 implement the function of the determination unit 131.

【0069】この場合は、判別手段131によって得ら
れた発振モードを示す情報に基づいて、判定手段113
は、温度調整手段112による温度調整処理によって、
モード競合状態を脱出したか否かを判定することができ
る。
In this case, based on the information indicating the oscillation mode obtained by the determining means 131, the determining means 113
Is obtained by the temperature adjusting process by the temperature adjusting unit 112.
It can be determined whether or not the mode conflict state has been escaped.

【0070】例えば、モード競合状態の検出に応じて、
判別手段131による発振モードの判別結果を保持する
保持メモリ233を備えて判定手段113を構成し、モ
ード競合状態を検出した旨の検出信号の入力に応じて、
判定回路232が、保持メモリ233の内容と判別手段
131による判別結果とを照合し、この照合結果に応じ
て、通電時間の延長あるいは短縮を指示すればよい。
For example, in response to detection of a mode race condition,
The determining means 113 is provided with a holding memory 233 for holding the result of the determination of the oscillation mode by the determining means 131, and in response to the input of a detection signal indicating that the mode competition state has been detected,
The determination circuit 232 may compare the contents of the holding memory 233 with the determination result of the determination unit 131, and instruct the extension or shortening of the energization time according to the comparison result.

【0071】これにより、一旦はモード競合状態を脱出
したものの再び元のモード競合状態に戻ってしまった場
合と、調整量が大きすぎて次のモード競合状態に遷移し
てしまった場合とを区別して、それぞれの場合に応じて
通電時間を正確に制御することができ、適正な調整量を
確実に求めることができる。
As a result, there is a distinction between a case where the mode competition state is escaped but the mode competition state is returned again, and a case where the adjustment amount is too large and a transition is made to the next mode competition state. Separately, the energization time can be accurately controlled in each case, and an appropriate adjustment amount can be reliably obtained.

【0072】また、上述した判別手段131によって得
られる発振モードの判別結果に基づいて、半導体レーザ
101の現在の発振モードと目標とする発振モードとの
ずれの大きさを評価し、この評価結果に応じて、通電時
間の増分δを変更する構成としてもよい。
Further, the magnitude of the deviation between the current oscillation mode of the semiconductor laser 101 and the target oscillation mode is evaluated based on the oscillation mode discrimination result obtained by the discrimination means 131 described above. The configuration may be such that the increment δ of the energization time is changed accordingly.

【0073】このように、判別手段131によって得ら
れる半導体レーザ101の発振モードを考慮して調整量
の過不足を判定する場合は、温度調整手段112によっ
て半導体レーザ101に与えられた温度変化によって発
振モードが遷移した方向を考慮しながら適正な調整量を
習得することが可能である。
As described above, when it is determined whether the adjustment amount is excessive or deficient in consideration of the oscillation mode of the semiconductor laser 101 obtained by the determination unit 131, the oscillation is performed by the temperature change given to the semiconductor laser 101 by the temperature adjustment unit 112. It is possible to learn an appropriate adjustment amount while considering the direction in which the mode has changed.

【0074】次に、本発明の半導体レーザ光源装置を適
用したバーコード読取装置について説明する。図10
に、請求項4のバーコード読取装置の実施例構成図を示
す。
Next, a bar code reader to which the semiconductor laser light source device of the present invention is applied will be described. FIG.
Next, an embodiment of the bar code reader according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0075】図10において、バーコード読取装置は、
図12に示したホロウインド方式のバーコード読取装置
において、従来のHe−Neレーザ装置に代わる光源装置と
して、図4に示した半導体レーザ光源装置を備えて構成
されており、半導体レーザ光源装置から射出するレーザ
ビームが、凹面鏡301の開口部を介して、ポリゴンミ
ラー311に入射する構成となっている。このポリゴン
ミラー311とパターン合成ミラー303a〜303c
とミラー304と固定ホログラム305とは、ビーム走
査機構141を形成しており、固定ホログラム305に
よる回折作用を利用して、図14に示した様々な走査パ
ターンを描きながらレーザビームを走査し、物体102
上のバーコード103を照明する構成となっている。ま
た、このバーコード103からの散乱光は、従来のバー
コード読取装置と同様にして、凹面鏡301とミラー3
41とによって光検出器342に導かれており、この光
検出器342の出力の変化に基づいて、読取処理部34
3がバーコード103を読み取る構成となっている。
In FIG. 10, the bar code reader is
The hollow-in-type bar code reader shown in FIG. 12 includes the semiconductor laser light source device shown in FIG. 4 as a light source device replacing the conventional He-Ne laser device. The emitted laser beam enters the polygon mirror 311 through the opening of the concave mirror 301. The polygon mirror 311 and the pattern combining mirrors 303a to 303c
The mirror 304 and the fixed hologram 305 form a beam scanning mechanism 141, which scans a laser beam while drawing various scanning patterns shown in FIG. 102
The upper bar code 103 is illuminated. The scattered light from the bar code 103 is transmitted to the concave mirror 301 and the mirror 3 in the same manner as in the conventional bar code reader.
41, and is guided to the photodetector 342. Based on a change in the output of the photodetector 342, the reading processing unit 34
3 is configured to read the barcode 103.

【0076】この場合は、コリメータレンズ502とポ
リゴンミラー311との間に、ホログラム211を配置
し、このホログラム211による回折光と交差する位置
にCCDアレイ212を配置して、CCDアレイ212
の出力をピーク検出部213に送出する構成とすればよ
い。これにより、ピーク検出部213が、CCDアレイ
212上の回折光の結像位置を検出することにより、半
導体レーザ101のモード競合状態を検出することがで
き、これに応じて、温度調整手段112により、半導体
レーザ101の温度の調整が行われる。また、判定手段
113と変更手段114とによって上述した学習処理が
行われ、半導体レーザ101に適正な温度変化を与える
ための過不足ない通電時間TE が求められる。
In this case, a hologram 211 is arranged between the collimator lens 502 and the polygon mirror 311, and a CCD array 212 is arranged at a position where the hologram 211 intersects with the diffracted light.
May be sent to the peak detection unit 213. Thus, the peak detecting unit 213 can detect the mode competition state of the semiconductor laser 101 by detecting the image forming position of the diffracted light on the CCD array 212, and accordingly, the temperature adjusting unit 112 Then, the temperature of the semiconductor laser 101 is adjusted. Further, the learning process described above by the determination unit 113 and the changing unit 114 is performed, the excess and deficiency no energization time T E to provide the proper temperature changes in the semiconductor laser 101 is determined.

【0077】この学習処理の終了後は、モード競合状態
の検出に応じて、モード競合状態から脱出するために過
不足ない温度変化を半導体レーザ101に与えて、半導
体レーザ101をモード競合状態から速やかに脱出させ
ることが可能となり、ビーム走査機構141に入射する
レーザビームに複数の発振モードに対応する波長が混在
する状態を防ぐことができる。
After the completion of the learning process, in response to the detection of the mode competition state, the semiconductor laser 101 is given a proper temperature change to escape from the mode competition state, and the semiconductor laser 101 is quickly moved out of the mode competition state. It is possible to prevent the laser beam incident on the beam scanning mechanism 141 from being mixed with wavelengths corresponding to a plurality of oscillation modes.

【0078】これにより、上述した固定ホログラム30
5による回折作用にかかわらず、ビーム走査機構141
によって走査されるレーザビームを常に細く絞られた状
態に保つことが可能となるので、読取処理部343は、
光検出器342の出力に対して従来と同様の処理を行う
ことにより、バーコード103を高い精度で読み取るこ
とができる。
Thus, the above-described fixed hologram 30
Beam scanning mechanism 141 regardless of the diffraction effect of
It is possible to always keep the laser beam scanned narrowly in a narrow state, so that the reading processing unit 343
By performing the same processing as that of the related art on the output of the photodetector 342, the barcode 103 can be read with high accuracy.

【0079】このように、本発明の半導体レーザ光源装
置をバーコード読取装置に適用することにより、読取精
度を犠牲とすることなく、半導体レーザを光源として採
用して装置全体の小型化を図ることができる。
As described above, by applying the semiconductor laser light source device of the present invention to a bar code reader, the overall size of the device can be reduced by employing a semiconductor laser as a light source without sacrificing reading accuracy. Can be.

【0080】また、ホロウインド方式のバーコード読取
装置に限らず、ホログラムディスク方式のバーコード読
取装置に本発明の半導体レーザ光源装置を適用してもよ
い。この場合は、半導体レーザ光源装置から射出するレ
ーザビームを集光レンズ441の開口部とミラー401
とを介してホログラムディスク402に入射させる構成
とすればよい。これにより、ホログラムディスク402
とパターン合成ミラー403とミラー404とからなる
ビーム走査機構141に入射するレーザビームに複数の
発振モードに対応する波長が混在する状態を防ぐことが
でき、ホログラムディスク402による回折作用にかか
わらず、ビーム走査機構141によって走査されるレー
ザビームを常に細く絞られた状態に保つことが可能とな
る。
Further, the semiconductor laser light source device of the present invention may be applied to a hologram disk type bar code reader without being limited to the hollow window type bar code reader. In this case, the laser beam emitted from the semiconductor laser light source device is coupled to the opening of the condenser lens 441 and the mirror 401.
Then, a configuration may be adopted in which the light enters the hologram disk 402 through. Thereby, the hologram disk 402
And a laser beam incident on a beam scanning mechanism 141 comprising a pattern combining mirror 403 and a mirror 404 can be prevented from being mixed with wavelengths corresponding to a plurality of oscillation modes. The laser beam scanned by the scanning mechanism 141 can be kept constantly narrowed.

【0081】また、本発明の半導体レーザ光源装置をレ
ーザビームプリンタ装置に適用してもよい。図11に、
請求項4の半導体レーザ光源装置を適用したレーザビー
ムプリンタ装置の実施例構成を示す。
The semiconductor laser light source device of the present invention may be applied to a laser beam printer. In FIG.
The configuration of an embodiment of a laser beam printer device to which the semiconductor laser light source device of claim 4 is applied is shown.

【0082】図11において、半導体レーザ(LD)1
01から射出した光は、コリメータレンズ502によっ
てビームに整形された後に、上述したホログラムディス
ク503に斜め下方から入射し、このホログラムディス
ク503によって斜め上方に回折されるとともに、ホロ
グラムディスク503の回転動作に応じて、感光ドラム
504上を走査する構成となっている。
In FIG. 11, a semiconductor laser (LD) 1
After being shaped into a beam by the collimator lens 502, the light emitted from the hologram disk 503 is incident on the above-mentioned hologram disk 503 from obliquely below, is diffracted obliquely upward by the hologram disk 503, and is rotated by the hologram disk 503. Accordingly, the scanning on the photosensitive drum 504 is performed.

【0083】この場合は、コリメータレンズ502とホ
ログラムディスク503との間にホログラム211を配
置し、このホログラム211による回折光に交差する位
置にCCDアレイ212を配置し、このCCDアレイ2
12の出力をピーク検出部213,216に送出する構
成とすればよい。また、このピーク検出部213からの
検出信号に応じて、温度調整手段112が半導体レーザ
101に温度変化を与え、この検出信号とピーク検出部
216による発振モードの判別結果に基づいて、判定手
段113と変更手段114とが、上述した学習処理を行
ってモード競合状態からの脱出に過不足ない温度調整量
に対応する通電時間TEを求める構成となっている。
In this case, a hologram 211 is arranged between the collimator lens 502 and the hologram disk 503, and a CCD array 212 is arranged at a position intersecting the light diffracted by the hologram 211.
12 may be sent to the peak detectors 213 and 216. Further, in response to the detection signal from the peak detection unit 213, the temperature adjusting unit 112 gives a temperature change to the semiconductor laser 101, and based on the detection signal and the determination result of the oscillation mode by the peak detection unit 216, the determination unit 113 and a changing unit 114 has a configuration for obtaining the energization time T E corresponding to excess or deficiency no temperature adjustment amount escape from mode competition state performing the above-described learning process.

【0084】これにより、モード競合状態の検出に応じ
て、適正な温度変化を半導体レーザ101に与えて、半
導体レーザ101を単一モード状態に安定化することが
可能となるので、ホログラムディスク503を用いて、
感光ドラム504上をビーム径の細いレーザビームで走
査することができる。
As a result, an appropriate temperature change is given to the semiconductor laser 101 in response to the detection of the mode competition state, and the semiconductor laser 101 can be stabilized in the single mode state. make use of,
The photosensitive drum 504 can be scanned with a laser beam having a small beam diameter.

【0085】更に、判定手段113が、判別手段131
からの発振モードの判別結果に基づいて、現在の発振モ
ードと目標とする発振モードとのずれを評価し、得られ
たずれの方向に応じて、変更手段114に対して通電時
間の延長あるいは短縮を指示する構成とすれば、半導体
レーザ101を固定した発振モードで発振させる制御を
実現することができる。
Further, the judgment means 113
The deviation between the current oscillation mode and the target oscillation mode is evaluated based on the determination result of the oscillation mode, and the energization time is extended or shortened to the changing means 114 in accordance with the obtained direction of the deviation. , It is possible to realize control for causing the semiconductor laser 101 to oscillate in a fixed oscillation mode.

【0086】この場合は、従来のように、発振モード変
動による発振波長の変動をビーム走査機構の光学系で補
正する必要はないので、ビーム走査機構の光学系の設計
を容易としながら、従来と同等の印刷品質を得ることが
できる。
In this case, it is not necessary to correct the fluctuation of the oscillation wavelength due to the fluctuation of the oscillation mode by the optical system of the beam scanning mechanism as in the related art. Equivalent print quality can be obtained.

【0087】[0087]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、モード競
合状態の検出結果に基づいて、モード競合状態を脱出す
るために必要な温度調整量を学習することができ、モー
ド競合状態の検出に応じて、速やかに過不足ない温度変
化を半導体レーザに与えて、モード競合状態を脱出さ
せ、単一モード状態に安定化することができる。これに
より、波長依存性を有するビーム走査機構を備えたバー
コード読取装置に適用することが可能となり、バーコー
ド読取装置において、読取精度を犠牲とすることなく、
可視光の半導体レーザを採用して、装置全体の小型化を
図ることができる。
As described above, according to the present invention, the amount of temperature adjustment required to escape from the mode competition state can be learned based on the detection result of the mode competition state. Accordingly, the semiconductor laser can be quickly changed in temperature without any excess or shortage to escape the mode competition state and to stabilize the semiconductor laser in the single mode state. This makes it possible to apply the present invention to a barcode reader having a wavelength-dependent beam scanning mechanism, and without sacrificing the reading accuracy in the barcode reader.
The size of the entire device can be reduced by employing a visible light semiconductor laser.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】請求項1ないし請求項3の半導体レーザ光源装
置の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor laser light source device according to claims 1 to 3;

【図2】請求項4の半導体レーザ光源装置の構成を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a semiconductor laser light source device according to claim 4;

【図3】請求項5のバーコード読取装置の構成を示す図
である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a bar code reader according to claim 5;

【図4】請求項1の半導体レーザ光源装置の実施例構成
図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of an embodiment of a semiconductor laser light source device according to claim 1;

【図5】モード競合状態の検出処理の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a mode conflict state detection process.

【図6】本発明の半導体レーザ光源装置における温度調
整量の学習動作を表す流れ図である。
FIG. 6 is a flowchart showing a learning operation of a temperature adjustment amount in the semiconductor laser light source device of the present invention.

【図7】本発明の半導体レーザ光源装置の検出手段の別
実施例構成図である。
FIG. 7 is a block diagram of another embodiment of the detecting means of the semiconductor laser light source device of the present invention.

【図8】請求項3の半導体レーザ光源装置の記憶手段の
実施例構成図である。
FIG. 8 is a diagram showing an embodiment of the storage means of the semiconductor laser light source device according to claim 3;

【図9】請求項4の半導体レーザ光源装置の実施例構成
図である。
FIG. 9 is a diagram showing an embodiment of a semiconductor laser light source device according to claim 4;

【図10】請求項5のバーコード読取装置の実施例構成
図である。
FIG. 10 is a block diagram showing an embodiment of a bar code reader according to claim 5;

【図11】本発明の半導体レーザ光源装置を適用したレ
ーザビームプリンタ装置の構成図である。
FIG. 11 is a configuration diagram of a laser beam printer device to which the semiconductor laser light source device of the present invention is applied.

【図12】従来のバーコード読取装置の構成図である。FIG. 12 is a configuration diagram of a conventional barcode reading device.

【図13】バーコード読取装置のパターン合成ミラーの
配置を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing an arrangement of a pattern combining mirror of the barcode reading device.

【図14】ホロウインド方式走査パターンの説明図であ
る。
FIG. 14 is an explanatory diagram of a hollow-in scanning pattern.

【図15】ホログラムディスク方式のバーコード読取装
置の構成図である。
FIG. 15 is a configuration diagram of a hologram disk type bar code reader.

【図16】レーザビームプリンタ装置の構成図である。FIG. 16 is a configuration diagram of a laser beam printer device.

【図17】半導体レーザの発振モード遷移の説明図であ
る。
FIG. 17 is an explanatory diagram of transition of the oscillation mode of the semiconductor laser.

【図18】モード競合状態におけるビーム径の拡がりを
示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing the spread of a beam diameter in a mode competition state.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 半導体レーザ 102 物体 103 バーコード 110 半導体レーザ光源装置 111 検出手段 112 温度調整手段 113 判定手段 114 変更手段 121 記憶手段 131 判別手段 141 ビーム走査機構 142 読取手段 201 ホトダイオード 211 ホログラム 212 CCDアレイ 213,216 ピーク検出部 214 抽出回路 215,253 比較回路 221 ペルチェ素子 222 駆動回路 223,231 タイマ 232 判定回路 233 保持メモリ 241,251 レジスタ 242 加算器 243 減算器 244 マルチプレクサ 252 カウンタ 254 バッテリ 301 凹面鏡 303,403 パターン合成ミラー 304,341,401,404 ミラー 305 固定ホログラム 311 ポリゴンミラー 342,442 光検出器 343,443 読取処理部 402,503 ホログラムディスク 405 読取窓 502 コリメータレンズ(レンズ) 504 感光ドラム Reference Signs List 101 semiconductor laser 102 object 103 barcode 110 semiconductor laser light source device 111 detecting means 112 temperature adjusting means 113 determining means 114 changing means 121 storing means 131 determining means 141 beam scanning mechanism 142 reading means 201 photodiode 211 hologram 212 CCD array 213,216 peak Detector 214 Extraction circuit 215, 253 Comparison circuit 221 Peltier element 222 Drive circuit 223, 231 Timer 232 Judgment circuit 233 Holding memory 241, 251 Register 242 Adder 243 Subtractor 244 Multiplexer 252 Counter 254 Battery 301 Concave mirror 303, 403 Pattern synthesis mirror 304, 341, 401, 404 Mirror 305 Fixed hologram 311 Polygon mirror 342, 442 Light Can 343,443 reading processor 402, 503 hologram disc 405 read window 502 collimating lens (lens) 504 photosensitive drum

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大川 正徳 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G06K 7/10 H01S 3/18────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masanori Okawa 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Within Fujitsu Limited (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G06K 7/10 H01S 3 / 18

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体レーザ(101)から放出される
レーザ光の一部に基づいて、半導体レーザ(101)の
モード競合状態を検出する検出手段(111)と、 モード競合状態を検出した旨の検出信号の入力に応じ
て、前記半導体レーザ(101)の温度を所定の調整量
だけ調整する温度調整手段(112)と、 前記検出信号に基づいて、前記温度調整手段(112)
による温度調整によって前記半導体レーザ(101)が
モード競合状態を脱出したか否か判定する判定手段(1
13)と、 モード競合状態から脱出していない旨の判定結果の入力
に応じて、前記温度調整手段(112)による調整量を
変更する変更手段(114)とを備えたことを特徴とす
る半導体レーザ光源装置。
1. A detecting means (111) for detecting a mode competition state of a semiconductor laser (101) based on a part of a laser beam emitted from the semiconductor laser (101), and a detection means for detecting a mode competition state. A temperature adjustment unit (112) for adjusting the temperature of the semiconductor laser (101) by a predetermined adjustment amount in response to the input of the detection signal; and the temperature adjustment unit (112) based on the detection signal.
Determining means (1) for determining whether or not the semiconductor laser (101) has escaped the mode competition state by the temperature adjustment according to (1).
13) and a changing means (114) for changing an adjustment amount by the temperature adjusting means (112) in accordance with an input of a determination result indicating that the vehicle has not escaped from the mode competition state. Laser light source device.
【請求項2】 請求項1に記載の半導体レーザ光源装置
において、 判定手段(113)が、検出手段(111)からの検出
信号の時間変化に基づいて、半導体レーザ(101)が
モード競合状態から脱出したか否かを判定する構成であ
ることを特徴とする半導体レーザ光源装置。
2. The semiconductor laser light source device according to claim 1, wherein the judging means (113) changes the mode of the semiconductor laser (101) from the mode competition state based on a time change of a detection signal from the detecting means (111). A semiconductor laser light source device characterized in that it is configured to determine whether or not it has escaped.
【請求項3】 請求項1に記載の半導体レーザ光源装置
において、 変更手段(114)によって変更された温度調整量を記
憶して、温度調整手段(112)による調整処理に供す
る記憶手段(121)を備えたことを特徴とする半導体
レーザ光源装置。
3. The storage device (121) according to claim 1, wherein the temperature adjustment amount changed by the change device (114) is stored and used for the adjustment process by the temperature adjustment device (112). A semiconductor laser light source device comprising:
【請求項4】 請求項1に記載の半導体レーザ光源装置
において、 半導体レーザ(101)から射出されるレーザ光の一部
に基づいて、半導体レーザ(101)の発振モードを判
別する判別手段(131)を備え、 判定手段(113)が、検出手段(111)からの検出
信号と前記判別手段(131)による判別結果とに基づ
いて、前記半導体レーザ(101)がモード競合状態を
脱出したか否か判定する構成であることを特徴とする半
導体レーザ光源装置。
4. The semiconductor laser light source device according to claim 1, wherein the determination unit determines the oscillation mode of the semiconductor laser based on a part of the laser light emitted from the semiconductor laser. The determination means (113) determines whether or not the semiconductor laser (101) has escaped the mode competition state based on the detection signal from the detection means (111) and the determination result by the determination means (131). A semiconductor laser light source device characterized in that the semiconductor laser light source device is configured to determine whether or not the semiconductor laser light source device determines whether or not the semiconductor laser light source device is in use.
【請求項5】 請求項1に記載の半導体レーザ光源装置
(110)と、 前記半導体レーザ光源装置(110)から入射するレー
ザビームをその波長に応じて走査して、物体(102)
に付されたバーコード(103)を照明するビーム走査
機構(141)と、 前記バーコード(103)からの散乱光の強度変化に基
づいて、前記バーコード(103)の読取処理を行う読
取手段(142)と、 を備えたことを特徴とするバーコード読取装置。
5. The semiconductor laser light source device (110) according to claim 1, wherein a laser beam incident from the semiconductor laser light source device (110) is scanned according to the wavelength thereof to form an object (102).
A beam scanning mechanism (141) for illuminating the bar code (103) attached to the bar code, and a reading unit for performing a reading process of the bar code (103) based on a change in intensity of scattered light from the bar code (103). (142) A bar code reader, comprising:
JP3161493A 1991-07-02 1991-07-02 Semiconductor laser light source device and bar code reader Expired - Fee Related JP2788559B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3161493A JP2788559B2 (en) 1991-07-02 1991-07-02 Semiconductor laser light source device and bar code reader

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3161493A JP2788559B2 (en) 1991-07-02 1991-07-02 Semiconductor laser light source device and bar code reader

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0512476A JPH0512476A (en) 1993-01-22
JP2788559B2 true JP2788559B2 (en) 1998-08-20

Family

ID=15736120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3161493A Expired - Fee Related JP2788559B2 (en) 1991-07-02 1991-07-02 Semiconductor laser light source device and bar code reader

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2788559B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0512476A (en) 1993-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6999393B2 (en) Optical disc recording apparatus with realtime updating of strategy
US4566043A (en) Laser recording apparatus
US6646668B2 (en) Image forming apparatus for maintaining a constant beam scanning state
JPH09258125A (en) Beam light scanning device and image forming apparatus
EP0323850B1 (en) A scanning optical apparatus
US5241174A (en) Scanning optical apparatus having imaging position adjusting means
JP2788559B2 (en) Semiconductor laser light source device and bar code reader
US5822501A (en) Optical scanning device having dichroic mirror for separating reading and recording light beams
US6104524A (en) Optical scanning device
JP2788561B2 (en) Semiconductor laser light source device and bar code reader
JP3567645B2 (en) Image recording device
JP2003039724A (en) Light control method
JPH0591271A (en) Recorder
KR100243157B1 (en) Laser scanning unit module
JPS5975760A (en) Photoscanning system
JP2790736B2 (en) Semiconductor laser light source device and bar code reader
JP2877986B2 (en) Optical scanning device and bar code reader
JP2003191525A (en) Color image forming apparatus and method, program, and storage medium
US6249307B1 (en) Image forming apparatus using plural beam scanning
JPH0563281A (en) Semiconductor laser beam source and bar code reader
JPH0529696A (en) Semiconductor laser light source device and bar code reader
JP2647709B2 (en) Laser scanner
JP2713985B2 (en) Laser beam printer device
JPH09174890A (en) Laser thermal transfer method
JPH0251119A (en) scanning optical device

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980519

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090605

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100605

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110605

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees