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JP2799075B2 - 画素密度変換方式 - Google Patents
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JP2799075B2 - 画素密度変換方式 - Google Patents

画素密度変換方式

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JP2799075B2
JP2799075B2 JP2340424A JP34042490A JP2799075B2 JP 2799075 B2 JP2799075 B2 JP 2799075B2 JP 2340424 A JP2340424 A JP 2340424A JP 34042490 A JP34042490 A JP 34042490A JP 2799075 B2 JP2799075 B2 JP 2799075B2
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    • G06T3/40Scaling of whole images or parts thereof, e.g. expanding or contracting
    • G06T3/4007Scaling of whole images or parts thereof, e.g. expanding or contracting based on interpolation, e.g. bilinear interpolation

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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、画像の画素密度変換を任意の変換率で高
速に実行する画素密度変換方式に関する。
(従来の技術) 従来、画像の画素密度変換を高速で実行する方法とし
ては、変換率をもとにして原画像における副走行方向の
アドレス計算を行なうことにより、変換画像を構成する
主走査方向ラインを、原画像を構成する主走査方向ライ
ンの中から逐次抽出し、抽出されたラインを対象にして
間引き、補間を行なう方法がある。この方法では、主走
査方向において原画素列に対する間引き、補間により1
度に複数の変換画素が得られるため、高速な画素密度変
換が可能となっている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上述した従来の方法を用いて任意の変
換率による画素密度変換を行なう場合、副走査方向に関
しては変換率をもとに計算したアドレスから原画像ライ
ンを抽出するので問題はないが、主走査方向の変換で行
なわれる間引き、補間処理では、もとの画素数mと処理
後の画素数nとの間でn/mの変換率しか成り立たず、し
かもmおよびnは整数値しか取り得ないので、任意の交
換率を反映させることができない。したがって、従来の
方法は処理が高速である反面、任意の変換率による画素
密度変換が不可能であるという問題があった。
そこで、本発明は、間引き、補間を用いた画像の画素
密度変換を任意の変換率で高速に実行することのできる
画素密度変換方式を提供することを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明の画素密度変換方式は、原画像内の原画素列を
読み出す主走査方向アドレスおよび副走査方向アドレス
を任意の交換率に応じて任意のステップで出力するアド
レス発生手段と、このアドレス発生手段により出力され
たアドレスから読み出された主走査方向に並ぶm個(m
は整数)の画素からなる原画素列に対して間引き、補間
を行なうことにより変換画像の主走査方向に並ぶn個
(nは整数)の画素からなる変換画素列を発生する手段
をmおよびnの取る値の組み合わせに応じて複数有する
変換画素列発生手段と、から構成される画素密度変換方
式であって、前記変換画素列発生手段が、任意の変換率
r(rは実数)に最も近い値をとるn/mの間引き、補間
を選択し、前記アドレス発生手段が、前記変換率rおよ
び変換画素列発生手段が発生する変換画素列の画素数n
に対してn/rで表される主走査方向アドレスステップお
よび1/rで表わされる副走査方向アドレスステップでア
ドレスを生成することにより、間引き、補間による画素
密度変換を任意の変換率で行なうことを特徴としてい
る。
(作用) 原画素列に対する間引き、補間を行なうとともに、そ
の原画素列を任意の変換率を反映した主走査方向アドレ
スステップおよび副走査方向アドレスステップで読出す
ことにより、画素密度変換を任意の変換率で高速に実行
することができる。
(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明
する。
第1図は、本発明に係る画素密度変換方式を実施する
ためのハードウェアの構成を概略的に示すものである。
すなわち、このハードウェアは、アドレス発生回路1
と、アドレス変換回路2と、画像メモリ3と、ビット・
ブロック・トランスファ・ロジック(以下、BTLと記述
する)回路4と、変換画素列発生回路5と、シーケンサ
6とから構成されている。
アドレス発生回路1は、主走査方向、副走査方向それ
ぞれについてアドレス初期値およびアドレスステップを
もとに原画像からの原画素列を読み出し、アドレスを計
算して出力する。アドレス発生回路1から出力されたア
ドレスは、主走査方向アドレスx、副走査方向アドレス
yからなる2次元アドレスである。アドレス変換回路2
は、この2次元アドレスを原画像メモリ3をアクセスす
るのに直接必要なリニアアドレスAに、変換式A=y×
xw+xを用いて変換する。ただし、xwは原画像の主走査
方向の幅を表す。
アドレス変換回路2から出力されたリニアアドレスか
ら原画素列を読出すとき、その原画素列の先頭は一般に
画像メモリ3のワード境界と一致せず、ワード境界から
の変位も一定ではない。そこで、BTL回路4は、mビッ
ト構成の原画素列を含む1〜数ワードのデータを画像メ
モリ3から読み込んだ後、主走査方向アドレスをもとに
原画素列のLSB(Least Significant Bit)をワード境界
に合わせるためにビットシフト操作を行ない、その結果
を変換画素列発生回路5に出力する。シーケンサ6はBT
L回路4の入出力を制御する。変換画素列発生回路5
は、mビットで構成された原画素列入力に対してn/mの
間引き、補間を選択的に行ない、その結果をnビットの
変換画素列として入力する。
次に、このような構成のハードウェアを用いた画素密
度変換の処理を簡単に説明する。すなわち、画像メモリ
3には、原画像データが格納されているものとし、変換
率r(rは実数)は与えられているものとする。最初
に、変換率rから間引き、補間のパラメータmおよびn
が決定される。なお、mおよびnの決定方法については
後述する。さらに、rおよび決定されたnから主走査方
向のアドレスステップΔx=n/rと副走査方向アドレス
ステップΔy=1/rが計算される。なお、m,n,Δx,Δy
は、それぞれ図示しない外部回路、たとえばCPUによっ
て求められる。
次に、主走査方向アドレスおよび副走査方向アドレス
が、アドレス発生回路1によってそれぞれΔxおよびΔ
yのアドレスステップで生成される。生成された2次元
アドレスは、アドレス変換回路2によりリニアアドレス
に変換される。このリニアアドレスから1〜数ワードの
原画像データがBTL回路4に読み込まれた後、シフト操
作によってmビットの原画素列が抽出され、変換画素列
発生回路5に入力される。変換画素列発生回路5では、
入力されたmビットの原画素列に対して間引き、補間が
行なわれ、nビットの変換画素列が出力される。ただ
し、変換画素列発生回路5には、このときn/m倍の間引
き、補間を選択するようにn/mセレクト信号を予め入力
する。2次元アドレス生成から変換画素列発生までの処
理は、画素密度変換終了まで繰り返される。
次に、間引き、補間パラメータmおよびnを決定する
方法について説明する。
mはM0,M1,・・・,Mkの内いずれかの値を取り、nはN
0,N1,・・・,Nkの内のいずれかの値を取るものとする。
間引き、補間の倍率としては、N0/M0,N1/M1,・・・,Nk/
Mkの内のいずれかの値を取るものとし、その大小関係は
次式のようになっているものとする。
N0/M0<N1/M1<・・・<Nk/Mk ここで、変換率rが、 Ni−1/Mi−1<r≦Ni/Mi (1≦i≦k) ……(1) のとき、 n=Ni、m=Mi すなわち、間引き、補間の倍率を n/m=Ni/Mi と決定する。ただし、mおよびnを決定する条件として
(1)式の代わりに、 Ni/Mi<r≦Ni+1/Mi+1(0≦i=k−1) ……(2) か、または (Ni-1/Mi-1+Ni/Mi)/2<r≦(Ni/Mi+Ni+1/Mi+1)/2 (1≦i≦k−1) ……(3) などを用いてもよい。
本実施例では、m及びnがそれぞれ「16」、「17」、
・・・、「32」のいずれかの値を取り、間引き、補間の
倍率として16/32、17/32、・・・、32/32、・・・、32/
17、32/16のいずれかのモードを取り得るものと決めて
いる。ここに、第2図は、上述の方法から求めた本実施
例における間引き、補間モードn/m、主走査方向アドレ
スステップΔx、副走査方向アドレスステップΔyと変
換率rの対応関係を示している。
次に、第1図で示したハードウエアの各構成要素につ
いて詳細に説明する。
第3図は、前記変換画素列発生回路5を示すものであ
る。この変換画素列発生回路5は、主としてオア回路群
7と、複数の32ビットセレクタ8,…と、32ビット×2の
セレクタ9とで構成されている。各セレクタ8には共通
のセレクト信号が入力されており、このセレクト信号は
間引き、補間の倍率n/mを表している。また、各セレク
タ8からの1ビットの出力信号は変換画素列の構成要素
となる。従って、各セレクタ8は、32個の間引き、補間
モードの中からn/mの間引き、補間を選択することにな
る。なお、等倍時は最終段にあるセレクタ9のセレクト
信号がアクティブになり、出力として間引き、補間の結
果ではなく、原画素列データが選択される。また、各セ
レクタ8への入力には、原画素列データのほかに、オア
回路群7において隣接原画素同士の論理和をとったもの
を入力することができるようになっている。
第4図は、第3図における信号Y16を出力するセレク
タ8を代表して示すものである。このセレクタ8は、デ
ータ入力端Dに入力された32個のデータの内の1つを、
セレクト信号入力端Sに入力されたセレクト信号S0〜S4
によって選択し、出力するようになっている。
第5図は、セレクト信号S0〜S4と間引き、補間モード
n/mおよび各セレクタ8からの出力の対応関係を示すも
のである。第5図において、本実施例では、原画素列か
ら1/(n/m)の間隔で変換画素を抽出することを基本と
しながら、間引かれる原画素の分布が原画素列内におい
て左右対象となることと、連続して抽出される原画素の
長さが原画素の1ライン内において均等になること、と
いう2つの条件を満たすように各セレクタ8の出力を決
定している。さらに、間引かれる画素の情報も変換画素
に反映されるように、間引かれる画素とそれに隣接する
画素との論理和をとった結果をセレクタ出力として設定
している。これにより、変換画素においてい細線などが
不当に抜けてしまうことを防ぐことができる。第3図、
第4図および第5図において、D00〜D31は原画素列デー
タ、R00〜R30はそれぞれ[D00とD01との論理和をとった
もの]〜[D30とD31との論理和をとったもの]、Y00〜Y
31は各セレクタ8からの出力すなわち変換画素列データ
である。
第6図は、前記アドレス発生回路1を示すものであ
る。なお、以下の説明では、mビットの原画素列が含ま
れる1〜数ワードの原画素データを画像メモリ3から読
み出す一連の動作のことをまとめて「原画素列リードア
クセス」と表現する。また、第6図中、CLKは画像メモ
リ3に対する原画素列リードアクセスに同期したクロッ
ク、NEWLINEは原画素列読み出しラインの更新時からラ
イン更新後の第1回目の原画素列リードアクセス終了ま
でアクティブな信号、INITLINEは原画像の初期ラインに
対するアクセス時のみアクティブな信号である。
まず、主走査方向アドレスの生成方法について説明す
る。加算器10は、現在の主走査方向アドレスに主走査方
向アドレスステップを加えて出力する。フリップフロッ
プ11は、加算器10からの出力を原画像メモリ3に対する
原画素列リードアクセスを行なう度にラッチする。セレ
クタ12は、原画像の読み出しラインが更新されたかどう
かを判定して、更新直接の原画像列リードアクセス時の
み主走査方向アドレス初期値を選択し、その他の場合は
フリップフロップ11からのラッチ出力を選択して主走査
方向アドレスとして出力する。
次に、副走査方向アドレスの生成方法について説明す
る。加算器13は、現在の副走査方向アドレスに副走査方
向アドレスステップを加えて出力する。フリップフロッ
プ14は、加算器13からの出力を現画像メモリ3に対する
読み出しライン更新の度にラッチする。セレクタ15は、
原画像の初期ラインに対する原画素列リードアクセス時
のみ副走査方向アドレス初期値を選択し、そのほかの場
合はフリップフロップ14からのラッチ出力を選択して、
副走査方向アドレスとして出力する。
以上、本実施例のハードウェアについて説明したが、
このハードウェアを用いて行なわれる画素密度変換の処
理の特徴を具体例を用いて説明する。
第7図は、変換率r=0.5938のときの画素密度変換の
模式図を示すものである。ただし、第7図(a)は原画
像を、第7図(b)は変換画像をそれぞれ表す。また、
第7図(a),(b)において、太線で囲まれた斜線部
分は、それぞれm画素構成の原画素列、n画素構成の変
換画素列である。ここで、mおよびnは、第2図により
m=32、n=20と決まる。したがって、変換画素列発生
回路5は20/32の間引き、補間を選択する。ただし、こ
のmおよびnの値は、19/32(0.5937)<r≦20/32(0.
6250)を満たす変換率rに対して共通であるため、この
間引き、補間だけでは任意の変換率による画素密度変換
は不可能である。
そこで、任意の変換率rを処理に反映させるために、
rを用いて求めたアドレスステップで原画素列を読み出
す。アドレスステップはそれぞれ、 Δx=n/r=33.681 Δy=1/r=1.684 となる。原画像データの先頭アドレスを主走査方向、副
走査方向ともに「0」とすると、原画素列の読み出しア
ドレスは上記のアドレスステップから、走査方向につい
ては「0」、「33」、「67」、「101」・・・となり、
副走査方向については「0」、「1」、「3」、
「5」、「6」、「8」、「10」・・・となる。したが
って、原画素列は第7図(a)に示されている位置から
読み出されることになり、主走査方向、副走査方向とも
に任意の変換率rが反映される。特に、主走査方向につ
いては間引き、補間により一度に複数(n)個の変換画
素が得られることに加えて、任意の変換率rを設定でき
る。ただし、上記のアドレス値は、アドレス発生回路1
からの出力の小数部を切り捨てたものであるが、四捨五
入して求めてもよい。
変換画像は変換画素列が第7図(b)のように配列さ
れることによって構成される。第7図(b)の変換画素
列の左端に付けられた番号は、その変換画素列が第7図
(a)の中の同じ番号が記された原画素列を間引き、補
間して得られたものであることを示す。また、第8図
は、画像の1ラインだけに注目して間引き、補間(この
場合は間引き)が行なわれる様子を画素単位で示したも
のである。第8図の原画像中のラインにおいて、黒で示
した画素は間引かれずに保存され、斜線で示した画素は
その右隣の画素との論理和をとった結果が変換画素とな
ることを示している。
[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、原画素列に対す
る間引き、補間を行なうとともに、その原画素列を任意
の変換率を反映した主走査方向アドレスステップおよび
副走査方向アドレスステップで読出すことにより、画素
密度変換を任意の変換率で高速に実行することのできる
画素密度変換方式を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を説明するためのもので、第1図
は本発明に係る画素密度変換方式を実施するためのハー
ドウェア構成を概略的に示すブロック図、第2図は間引
き、補間モード、主走査方向アドレスステップ、副走査
方向アドレスステップとの変換率との対応関係を示す
図、第3図は変換画素列発生回路の構成を示すブロック
図、第4図は変換画素列発生回路の構成要素であるセレ
クタの入出力信号を説明するための図、第5図は間引
き、補間モードとセレクト信号および変換画素列発生回
路中の各セレクタの出力との対応関係を示す図、第6図
はアドレス発生回路の構成を示すブロック図、第7図は
原画素列および変換画素列の位置関係等を説明するため
の画素密度変換の模式図、第8図は画像の1ラインに注
目した間引き、補間を説明するための模式図である。 1……アドレス発生回路、2……アドレス変換回路、3
……画像メモリ、4……BTL回路、5……変換画素列発
生回路、6……シーケンサ、7……オア回路群、8,9,1
2,15……セレクタ、10,13……加算器、11,14……フリッ
プフロップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G06T 3/40 H04N 1/387 101 H04N 1/393

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】原画像内の原画素列を読み出す主走査方向
    アドレスおよび副走査方向アドレスを任意の変換率に応
    じて任意のステップで出力するアドレス発生手段と、 このアドレス発生手段により出力されたアドレスから読
    み出された主走査方向に並ぶm個(mは整数)の画素か
    らなる原画素列に対して間引き、補間を行なうことによ
    り変換画像の主走査方向に並ぶn個(nは整数)の画素
    からなる変換画素列を発生する手段をmおよびnの取る
    値の組み合わせに応じて複数有する交換画素列発生手段
    とから構成される画素密度変換方式であって、 前記変換画素列発生手段が、任意の変換率r(rは実
    数)に基も近い値をとるn/mの間引き、補間を選択し、
    前記アドレス発生手段が、前記変換率rおよび変換画素
    列発生手段が発生する変換画素列の画素数nに対してn/
    rで表される主走査方向アドレスステップおよび1/rで表
    わされる副走査方向アドレスステップでアドレスを生成
    することにより、間引き、補間により画素密度変換を任
    意の変換率で行なうことを特徴とする画素密度変換方
    式。
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