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JP2803276B2 - Multilayer film chip capacitors - Google Patents
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JP2803276B2 - Multilayer film chip capacitors - Google Patents

Multilayer film chip capacitors

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JP2803276B2 JP2005007A JP500790A JP2803276B2 JP 2803276 B2 JP2803276 B2 JP 2803276B2 JP 2005007 A JP2005007 A JP 2005007A JP 500790 A JP500790 A JP 500790A JP 2803276 B2 JP2803276 B2 JP 2803276B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子機器および電気機器に用いられる高耐熱
性で低吸湿性の積層フィルムチップコンデンサに関す
る。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-heat-resistant and low-hygroscopic laminated film chip capacitor used for electronic equipment and electric equipment.

従来の技術 ポリ2,6ジメチルポリフェニレンオキサイドは、その
熱変形温度が190℃と高く、またその誘電体損失が周波
数1KHzで0.001と小さいため、これまでにも電子部品や
電気機器用部品のための誘電体材料として幅広く使用さ
れてきた。出願人はその用途の一つとして、積層フィル
ムチップコンデンサを提案した。
Conventional technologyPoly 2,6-dimethylpolyphenylene oxide has a high thermal deformation temperature of 190 ° C and a low dielectric loss of 0.001 at a frequency of 1 KHz. It has been widely used as a dielectric material. The applicant has proposed a laminated film chip capacitor as one of the uses.

この積層フィルムチップコンデンサの概要について述
べる。
The outline of this laminated film chip capacitor will be described.

まずポリフェニレンサルファイドからなるプラスチッ
クフィルムの両面にアルミニウムが真空蒸着されて蒸着
電極が形成される。この蒸着電極上に、ポリ2,6ジメチ
ルポリフェニレンオキサイドからなる誘電体層が塩素系
有機溶剤に溶かした塗料のコーティング法で形成され、
両面蒸着両面コーティングフィルムが得られる。次に、
その両面蒸着両面コーティングフィルムが数百枚積層さ
れ、この積層体端面にメタリコン層が形成され、蒸着電
極と電気的接続がなされて、母コンデンサが得られる。
First, aluminum is vacuum-deposited on both sides of a plastic film made of polyphenylene sulfide to form a deposition electrode. On this deposition electrode, a dielectric layer made of poly 2,6 dimethyl polyphenylene oxide is formed by a coating method of a paint dissolved in a chlorine-based organic solvent,
A double-sided, double-sided coated film is obtained. next,
Hundreds of double-sided coated double-sided coating films are laminated, a metallikon layer is formed on the end face of the laminated body, and an electrical connection is made with the deposited electrode, thereby obtaining a mother capacitor.

この母コンデンサはまず90〜120℃の範囲内の温度で
熱せられ、それに残留している溶剤が除去される。さら
に、そのままでは十分でないポリ2,6ジメチルフェニレ
ンオキサイドの耐熱性を向上させるために、その熱変形
が生じない150〜190℃の範囲内の温度で15〜150時間加
熱されて、そして上下から加圧しながら200℃の温度で
1時間の加熱による架橋処理を施されてから、スライス
切断されてコンデンサ素子とされる。このコンデンサ素
子のメタリコン層にコムリードが溶接され、エポキシ樹
脂によりモールド外装が施された後、コムリードが加工
されて外部電極となり、積層フィルムチップコンデンサ
が得られる。
The mother capacitor is first heated at a temperature in the range of 90-120 ° C. to remove any residual solvent. Furthermore, in order to improve the heat resistance of poly 2,6 dimethyl phenylene oxide which is not sufficient as it is, it is heated for 15 to 150 hours at a temperature in the range of 150 to 190 ° C where its thermal deformation does not occur, and then heated from above and below. After being subjected to a crosslinking treatment by heating at a temperature of 200 ° C. for 1 hour while pressing, the slice is cut into a capacitor element. Comb leads are welded to the metallikon layer of this capacitor element, and after a mold package is applied with epoxy resin, the comb leads are processed to become external electrodes, thereby obtaining a multilayer film chip capacitor.

このようにして得られた積層フィルムチップコンデン
サは最高温度が230℃のリフロー方式によるはんだ付に
適し、その誘電体損失が周波数1KHzで0.0015であり、乾
燥後と吸湿後との間における静電容量増加率が5%とい
う特性を示していた。また完成した積層フィルムチップ
コンデンサより取り出したコーティング誘電体の熱変形
温度は198℃であった。
The multilayer film chip capacitor thus obtained is suitable for reflow soldering with a maximum temperature of 230 ° C, its dielectric loss is 0.0015 at a frequency of 1 KHz, and the capacitance between after drying and after absorbing moisture The characteristic that the rate of increase was 5% was shown. The thermal deformation temperature of the coating dielectric taken out of the completed laminated film chip capacitor was 198 ° C.

発明が解決しようとする課題 近年、電子機器や電気機器の小型化,高性能化さらに
はそれらの製造工程の自動化のために、これらに用いら
れる部品の小型化,高性能化,チップ化への要望が非常
に大きい。これはフィルムコンデンサにおいても例外で
ない。そのために、それらに用いられる誘電体に対して
低吸湿性,高耐熱性等が要求されるようになってきた。
Problems to be Solved by the Invention In recent years, in order to reduce the size and performance of electronic devices and electrical devices, and to automate the manufacturing process thereof, the components used in these devices have been reduced in size, performance and chips. The request is very large. This is no exception for film capacitors. For this reason, low hygroscopicity, high heat resistance, and the like have been required for the dielectrics used for them.

ポリ2,6ジメチルフェニレンオキサイドは、溶剤に溶
けやすく、加工も容易であるという利点をもっているも
のの、耐熱性が十分でない。そこで、その短所を補うた
めに、ポリ2,6ジメチルフェニレンオキサイドを、それ
が熱変形を生じない程度の高い温度で比較的長時間熱処
理することにより架橋処理を施してきた。その結果、ポ
リ2,6ジメチルフェニレンオキサイドの側鎖であるメチ
ル基が酸化によりOH基を有するようになり、そのために
吸湿性が増加し、ポリ2,6ジメチルフェニレンオキサイ
ドの乾燥後と吸湿後との間の比誘電率が本来は1%増加
する程度だったものが見掛上9%増加し、変化すること
が明らかとなった。この乾燥後と吸湿後との間の見掛の
比誘電率の増加は、ポリ2,6ジメチルフェニレンオキサ
イドの比誘電率が2.6であるのに対して、比誘電率が80
と非常に大きい水分が数分の1パーセントの量でポリ2,
6ジメチルフェニレンオキサイド中に侵入することによ
って生ずるものと推測される。
Poly 2,6 dimethyl phenylene oxide has the advantage of being easily soluble in a solvent and easy to process, but has insufficient heat resistance. Therefore, in order to compensate for the disadvantage, poly-2,6-dimethylphenylene oxide has been subjected to a cross-linking treatment by performing a heat treatment at a temperature high enough not to cause thermal deformation for a relatively long time. As a result, the methyl group, which is a side chain of poly 2,6 dimethylphenylene oxide, has an OH group due to oxidation, thereby increasing the hygroscopicity, and the poly 2,6 dimethyl phenylene oxide after drying and after absorbing moisture It was apparent that the relative permittivity between 1 and 2 originally increased by about 1%, but apparently increased by 9% and changed. The apparent increase in relative permittivity between after drying and after moisture absorption is due to the fact that the relative permittivity of poly 2,6 dimethylphenylene oxide is 2.6, while the relative permittivity is 80.
And a very large amount of water in a fraction of a percent
It is presumed to be caused by intrusion into 6-dimethylphenylene oxide.

このような吸湿による見掛の比誘電率増加あるいは耐
熱性不足という課題を解決するためには、ポリ2,6ジメ
チルフェニレンオキサイドの熱処理前と同程度の低吸湿
性であり、かつ熱処理後と同程度以上の熱変形温度を有
する高分子化合物を用いることが容易に考えられる。し
かしながら溶剤に溶ける熱変形温度の高い高分子材料は
非常に少ない。近年高分子化合物の開発が活発となり、
溶剤に溶け易いが熱変形温度も230℃を超えるポリアリ
レートが開発されるようになった。しかしポリアリレー
トの赤外線吸収スペクトルを分析すると未反応のOH基を
有することが分った。そしてこのため吸湿による見掛の
比誘電率増加率は6〜10%に達し、大きな課題であっ
た。
In order to solve the problem of apparent relative dielectric constant increase or insufficient heat resistance due to such moisture absorption, poly 2,6-dimethylphenylene oxide has low moisture absorption similar to that before heat treatment, and the same as after heat treatment. It is easily conceivable to use a polymer compound having a heat distortion temperature of about or higher. However, there are very few polymer materials having a high heat distortion temperature that are soluble in solvents. In recent years, the development of polymer compounds has become active,
Polyarylates that are easily soluble in solvents but have a heat distortion temperature exceeding 230 ° C. have been developed. However, analysis of the infrared absorption spectrum of the polyarylate revealed that it had unreacted OH groups. The apparent relative dielectric constant increase rate due to moisture absorption reached 6 to 10%, which was a major problem.

本発明はこれらOH基を有する高分子化合物を用い、前
記OH基を化学反応により消失させることによって高耐熱
性で低吸湿性の積層フィルムチップコンデンサを提供す
ることを目的とする。
An object of the present invention is to provide a laminated film chip capacitor having high heat resistance and low moisture absorption by using a polymer compound having these OH groups and eliminating the OH groups by a chemical reaction.

課題を解決するための手段 本発明の積層フィルムチップコンデンサは、OH基を有
する高分子化合物にメチルハイドロジェンポリシロキサ
ンとジイソプロキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタ
ンを併用して添加した誘電体を用いることを特徴とする
ものである。
Means for Solving the Problems The laminated film chip capacitor of the present invention uses a dielectric material obtained by adding methylhydrogenpolysiloxane and diisoproxybis (acetylacetonato) titanium to a polymer compound having an OH group. It is characterized by the following.

作用 ポリアリレートは主鎖にエステル結合を有し、末端に
ヒドロキシル基かあるいはカルボキシル基を有する。こ
れらに由来するOH基のためポリアリレートは吸湿性が大
きいものと推測される。
Action Polyarylate has an ester bond in the main chain and has a hydroxyl group or a carboxyl group at the terminal. It is presumed that polyarylate has high hygroscopicity due to OH groups derived from these.

本発明はこのようなOH基を有する高分子化合物にメチ
ルハイドロジェンポリシロキサンとジイソプロポキシ・
ビス(アセチルアセトナト)チタンを添加し熱処理を行
なうことにより、OH基とこれらの添加剤が化学的に反応
しO−Si結合あるいはO−Ti結合と化したり、またOH基
を有する高分子化合物からなる誘電体層の表面近傍に透
湿性が極めて小さい三次元架橋有機金属化合物層が形成
され、吸湿による見掛の比誘電率の増加率が2〜3%と
著しく小さくできるようになったものである。
The present invention relates to a polymer compound having an OH group such as methyl hydrogen polysiloxane and diisopropoxy.
By adding bis (acetylacetonato) titanium and performing heat treatment, OH groups and these additives chemically react to form O-Si bonds or O-Ti bonds, or polymer compounds having OH groups A three-dimensionally crosslinked organometallic compound layer having extremely low moisture permeability is formed in the vicinity of the surface of a dielectric layer made of, and the rate of increase in apparent dielectric constant due to moisture absorption can be significantly reduced to 2 to 3%. It is.

またメチルハイドロジェンポリシロキサンは液体であ
るため単独で高分子化合物に添加したとき、前記高分子
化合物の熱変形温度を著しく下げる。しかしその際ジイ
ソプロポキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタンを併
用して添加することにより、低下した熱変形温度以下の
低い温度で反応が生じて架橋が進行することにより熱変
形温度を高める働きをする。その結果、メチルハイドロ
ジェンポリシロキサンの添加による熱変形温度の低下が
防止でき、さらに全ての化学反応終了後に本来の高分子
化合物の熱変形温度が向上する良好な結果が得られた。
ところでジイソプロポキシ・ビス(アセチルアセトナ
ト)チタン単独の添加によるOH基の低減効果は、添加
量,熱処理条件の影響が強く、逆にOH基が増す場合があ
り、不完全であった。
Since methyl hydrogen polysiloxane is a liquid, when added alone to a polymer compound, it significantly lowers the heat distortion temperature of the polymer compound. However, in this case, by adding diisopropoxy bis (acetylacetonato) titanium in combination, the reaction occurs at a low temperature below the lowered heat distortion temperature and the crosslinking proceeds, thereby increasing the heat distortion temperature. I do. As a result, it was possible to prevent a decrease in the heat distortion temperature due to the addition of methyl hydrogen polysiloxane, and to obtain a favorable result that the heat distortion temperature of the original polymer compound was improved after all the chemical reactions were completed.
The effect of reducing OH groups by adding diisopropoxy bis (acetylacetonato) titanium alone was incomplete because the amount of addition and heat treatment conditions were strongly affected, and conversely OH groups increased.

実施例 以下本発明を実施例に基づいて説明する。Examples Hereinafter, the present invention will be described based on examples.

実施例1 厚さ2μmのポリフェニレンサルファイドからなるプ
ラスチックフィルムの両面に、アルミニウムを厚さ400
Åに蒸着して電極を形成した。
Example 1 A plastic film made of polyphenylene sulfide having a thickness of 2 μm was coated with aluminum to a thickness of 400 on both sides.
An electrode was formed by vapor deposition on Å.

そして、上記に示した構造のポリアリレートに10重量
パーセントのメチルハイドロジェンポリシロキサンと5
重量パーセントのジイソプロポキシ・ビス(アセチルア
セトナト)チタンを塩素系有機溶剤に溶かし十分かく拌
された塗液を前記両面蒸着電極上に厚さ1μmに塗布し
て誘電体層を形成し、両面蒸着両面コーティングフィル
ムを得た。次に前記両面蒸着両面コーティングフィルム
を数百枚積層し、得られた積層体端面に亜鉛を溶射して
メタリコン層を形成し、母コンデンサを得た。
Then, 10% by weight of methyl hydrogen polysiloxane and 5% are added to the polyarylate having the structure shown above.
A weight percent of diisopropoxy bis (acetylacetonato) titanium is dissolved in a chlorine-based organic solvent, and a sufficiently stirred coating solution is applied to a thickness of 1 μm on the double-sided electrode to form a dielectric layer. A vapor-deposited double-sided coating film was obtained. Next, several hundreds of the double-sided vapor-deposited double-sided coating films were laminated, and zinc was sprayed on the end face of the obtained laminated body to form a metallikon layer, thereby obtaining a mother capacitor.

この母コンデンサを90〜120℃の範囲内で徐々に昇温
した後、160℃の温度で10時間、さらに上下から加圧し
ながら200℃の温度で1時間加熱することにより熱処理
を施した。熱処理後、母コンデンサをスライス切断して
コンデンサ素子とし、得られたコンデンサ素子のメタリ
コン層にコムリードを溶接した。そして、エポキシ樹脂
によりモールド外装を施してから、コムリードを加工し
て外部電極とし、積層フィルムチップコンデンサを得
た。
After gradually raising the temperature of the mother capacitor within the range of 90 to 120 ° C., a heat treatment was performed by heating at a temperature of 160 ° C. for 10 hours and further at a temperature of 200 ° C. for 1 hour while applying pressure from above and below. After the heat treatment, the mother capacitor was sliced to obtain a capacitor element, and a comb lead was welded to a metallikon layer of the obtained capacitor element. Then, after applying a mold exterior with an epoxy resin, the comb leads were processed into external electrodes to obtain a multilayer film chip capacitor.

実施例2 実施例1に示した構造のポリアリレートに0.5重量パ
ーセントのメチルハイドロジェンポリシロキサンと0.5
重量パーセントのジイソプロポキシ・ビス(アセチルア
セトナト)チタンを塩素系有機溶剤に溶かし十分かく拌
された塗液を用い、実施例1と同様にして積層フィルム
チップコンデンサを得た。
Example 2 0.5% by weight of methyl hydrogen polysiloxane and 0.5% by weight of polyarylate having the structure shown in Example 1
A multilayer film chip capacitor was obtained in the same manner as in Example 1 by using a coating solution obtained by dissolving weight percent of diisopropoxy bis (acetylacetonato) titanium in a chlorine-based organic solvent and sufficiently stirring.

実施例3 実施例1に示した構造のポリアリレートに20重量パー
セントのメチルハイドロジェンポリシロキサンと40重量
パーセントのジイソプロポキシ・ビス(アセチルアセト
ナト)チタンを塩素系有機溶剤に溶かし十分かく拌され
た塗液を用い、実施例1と同様にして積層フィルムチッ
プコンデンサを得た。
Example 3 20% by weight of methylhydrogenpolysiloxane and 40% by weight of diisopropoxybis (acetylacetonato) titanium were dissolved in a polyarylate having the structure shown in Example 1 in a chlorine-based organic solvent and thoroughly stirred. A multilayer film chip capacitor was obtained in the same manner as in Example 1 using the above coating liquid.

比較例として 実施例1に示した構造のポリアリレートを単独で塩素
系有機溶剤に溶かし十分かく拌された塗液を用い、実施
例1と同様にして積層フィルムチップコンデンサを得
た。
As a comparative example, a multilayer film chip capacitor was obtained in the same manner as in Example 1 except that the polyarylate having the structure shown in Example 1 was dissolved alone in a chlorine-based organic solvent and a sufficiently stirred coating liquid was used.

従来例として ポリ2,6ジメチルフェニレンオキサイドを単独で塩素
系有機溶剤に溶かし十分かく拌された塗液を用い、実施
例1と同様にして積層フィルムチップコンデンサを得
た。
As a conventional example, a laminated film chip capacitor was obtained in the same manner as in Example 1 using a coating solution in which poly 2,6-dimethylphenylene oxide was dissolved alone in a chlorine-based organic solvent and sufficiently stirred.

以上のようにして得た本発明と比較例と従来例の積層
フィルムチップコンデンサを各50ヶずつ用い、乾燥後と
温度が40℃で湿度が95%の雰囲気に放置し十分吸湿した
時の間の平均静電容量増加率と、積層フィルムチップコ
ンデンサから取り出した誘電体層の熱変形温度を次表に
示した。
Using the laminated film chip capacitors of the present invention, the comparative example, and the conventional example obtained as described above, each of which is 50 pieces, the average between the time after drying and the time when the temperature is left in an atmosphere of 40 ° C. and 95% humidity and sufficiently absorbed is obtained. The following table shows the capacitance increase rate and the thermal deformation temperature of the dielectric layer taken out of the multilayer film chip capacitor.

この結果から明らかなように本発明によれば、吸湿に
よる静電容量増加率を著しく低減でき、特性の向上が可
能となり、さらに熱変形温度も向上するため、耐熱性を
向上させることができる。
As is apparent from these results, according to the present invention, the rate of increase in capacitance due to moisture absorption can be significantly reduced, characteristics can be improved, and the heat distortion temperature can be improved, so that heat resistance can be improved.

また、本発明において、高分子化合物は上記実施例で
示したポリアリレートに限らず、側鎖のメチル基の数に
無関係でありかつ主鎖のスルホニル基がメチレン基,エ
ーテル基あるいはスルフィド基の場合についても上記実
施例と同様の良好な結果が得られた。さらにポリエーテ
ルスルホン,ポリエーテルイミドについても同様の良好
な結果が得られた。また測鎖にOH基を有するシアノエチ
ル化ヒドロキシエチルセルロース,シアノエチル化プル
ランについても同様の効果が認められた。
Further, in the present invention, the polymer compound is not limited to the polyarylate shown in the above examples, and is not related to the number of methyl groups in the side chain and the sulfonyl group in the main chain is a methylene group, an ether group or a sulfide group. The same good results as in the above example were obtained for Similar good results were obtained with polyethersulfone and polyetherimide. Similar effects were also observed with cyanoethylated hydroxyethyl cellulose and cyanoethylated pullulan having OH groups in the chain measurement.

そして、熱処理の最終温度を230℃以上としてモール
ド外装を省略した積層フィルムチップコンデンサにおい
ても、吸湿による静電容量増加率が2.5%以下の良好な
結果が得られた。
Also in the laminated film chip capacitor in which the final temperature of the heat treatment was 230 ° C. or higher and the mold exterior was omitted, a favorable result was obtained in which the rate of increase in capacitance due to moisture absorption was 2.5% or less.

また、誘電体損失や絶縁抵抗の特性に関して、有機金
属化合物を添加して熱処理を実施しても、その増加ある
いは低下といった問題もなく、良好な結果が得られた。
In addition, regarding the characteristics of dielectric loss and insulation resistance, good results were obtained without any problem such as increase or decrease even when the heat treatment was performed by adding an organometallic compound.

発明の効果 本発明によれば、OH基を有した高分子化合物にメチル
ハイドロジェンポリシロキサンとジイソプロポキシ・ビ
ス(アセチルアセトナト)チタンを併用して添加し、熱
処理により吸湿性が著しく低減され、これを誘電体とし
て用いた積層チップコンデンサは吸湿による静電容量増
加率は小さくなり、静電容量が極めて安定となった。そ
して、同時にコーティング誘電体の熱変形温度が飛躍的
に向上でき、はんだフロー方式やリフロー方式を問わず
幅広い温度条件ではんだ付作業ができるようなった。
Effects of the Invention According to the present invention, methylhydrogenpolysiloxane and diisopropoxybis (acetylacetonato) titanium are added to a polymer compound having an OH group in combination, and the hygroscopicity is significantly reduced by heat treatment. In the multilayer chip capacitor using this as a dielectric, the rate of increase in capacitance due to moisture absorption became small, and the capacitance became extremely stable. At the same time, the thermal deformation temperature of the coating dielectric can be dramatically improved, and the soldering operation can be performed under a wide range of temperature conditions regardless of the solder flow method or the reflow method.

また添加剤の別な効果により、塗料の表面張力,流動
性が改善され、コーティング法による塗膜の均一性が改
善されたり、すべり性が改善され製造が安定になりそし
て歩留も向上し、信頼性向上とコストダウンを図ること
ができる。
Another effect of the additives is to improve the surface tension and fluidity of the paint, to improve the uniformity of the coating by the coating method, to improve the slipperiness, to make the production stable, and to improve the yield, It is possible to improve reliability and reduce costs.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−14866(JP,A) 特開 平1−130515(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01 4/00 - 4/40────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-3-14866 (JP, A) JP-A-1-130515 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01 4/00-4/40

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】プラスチックフィルムと、前記プラスチッ
クフィルムの両面上に形成された蒸着電極と、前記蒸着
電極の少なくとも一方の表面上に形成された誘電体層と
を有し、前記誘電体層が少なくともOH基を有した高分子
化合物に0.5重量パーセント以上から20重量パーセント
以下のメチルハイドロジェンポリシロキサンと0.5重量
パーセント以上から40重量パーセント以下のジイソプロ
ポキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタンを併用して
添加した誘電体で構成されていることを特徴とする積層
フィルムチップコンデンサ。
1. A plastic film, comprising: a vapor deposition electrode formed on both surfaces of the plastic film; and a dielectric layer formed on at least one surface of the vapor deposition electrode, wherein the dielectric layer has at least 0.5% to 20% by weight of methyl hydrogen polysiloxane and 0.5% to 40% by weight of diisopropoxy bis (acetylacetonato) titanium A laminated film chip capacitor comprising a dielectric material added.
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