JP2803741B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法Info
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- JP2803741B2 JP2803741B2 JP8549293A JP8549293A JP2803741B2 JP 2803741 B2 JP2803741 B2 JP 2803741B2 JP 8549293 A JP8549293 A JP 8549293A JP 8549293 A JP8549293 A JP 8549293A JP 2803741 B2 JP2803741 B2 JP 2803741B2
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- compound semiconductor
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- electrode
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
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- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般式ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ（０≦X＜１、０≦Y＜１）で表される窒化ガリ
ウム系化合物半導体の電極形成方法に係り、特にｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体、およびｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体とオーミック接触が得られる電極の形成方
法に関する。
1-X-YＮ（０≦X＜１、０≦Y＜１）で表される窒化ガリ
ウム系化合物半導体の電極形成方法に係り、特にｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体、およびｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体とオーミック接触が得られる電極の形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、Ｉｎ
ＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は｛ＩｎX
ＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X＜１、０≦Y＜１）｝は直接遷
移を有し、バンドギャップが１．９５ｅＶ〜６ｅＶまで
変化するため、発光ダイオード、レーザダイオード等、
発光素子の材料として有望視されている。この材料はノ
ンドープの状態、またはＳｉ、Ｇｅ等のｎ型ドーパント
をドープすることによりｎ型特性を示すことが知られて
いる。一方、ｐ型特性に関しては、最近になってｐ型ド
ーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体をｐ
型とする技術が開発されｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体が実現できるようになってきた。（例えば、特開平２
−２５７６７９号公報、特開平３−２１８３２５号公
報）
ＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は｛ＩｎX
ＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X＜１、０≦Y＜１）｝は直接遷
移を有し、バンドギャップが１．９５ｅＶ〜６ｅＶまで
変化するため、発光ダイオード、レーザダイオード等、
発光素子の材料として有望視されている。この材料はノ
ンドープの状態、またはＳｉ、Ｇｅ等のｎ型ドーパント
をドープすることによりｎ型特性を示すことが知られて
いる。一方、ｐ型特性に関しては、最近になってｐ型ド
ーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体をｐ
型とする技術が開発されｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体が実現できるようになってきた。（例えば、特開平２
−２５７６７９号公報、特開平３−２１８３２５号公
報）
【０００３】前記したようにｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体が実現可能となると、発光出力の高いｐ−ｎ接合
型の発光素子が求められる。ｐ−ｎ接合型の発光素子と
した場合、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体、およびｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体に形成される電極が、そ
れらの窒化ガリウム系化合物半導体とオーミック接触し
ていることが必要不可欠である。しかしながら、窒化ガ
リウム系化合物半導体の物性は、未だよく解明されてお
らず、オーミック接触が得ることのできる電極材料は未
だ知られていないのが実状である。
半導体が実現可能となると、発光出力の高いｐ−ｎ接合
型の発光素子が求められる。ｐ−ｎ接合型の発光素子と
した場合、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体、およびｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体に形成される電極が、そ
れらの窒化ガリウム系化合物半導体とオーミック接触し
ていることが必要不可欠である。しかしながら、窒化ガ
リウム系化合物半導体の物性は、未だよく解明されてお
らず、オーミック接触が得ることのできる電極材料は未
だ知られていないのが実状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そのため、本発明はこ
のような事情を鑑み成されたものであり、その目的とす
るところは、ｐ−ｎ接合型の窒化ガリウム系化合物半導
体を利用した発光素子の発光出力、発光効率を向上させ
るため、窒化ガリウム系化合物半導体のｎ型層、および
ｐ型層とオーミック接触が得られる電極の形成方法を提
供することにある。
のような事情を鑑み成されたものであり、その目的とす
るところは、ｐ−ｎ接合型の窒化ガリウム系化合物半導
体を利用した発光素子の発光出力、発光効率を向上させ
るため、窒化ガリウム系化合物半導体のｎ型層、および
ｐ型層とオーミック接触が得られる電極の形成方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の電極形成方法
は、電子キャリア濃度１×１０17／cm3以上のｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体、または正孔キャリア濃度１×
１０15／cm3以上のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
に、クロムおよび／またはニッケルを含む合金、または
該金属を付着した後、アニーリングすることを特徴とす
る。
は、電子キャリア濃度１×１０17／cm3以上のｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体、または正孔キャリア濃度１×
１０15／cm3以上のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
に、クロムおよび／またはニッケルを含む合金、または
該金属を付着した後、アニーリングすることを特徴とす
る。
【０００６】本発明の電極形成方法において、特に重要
なことは、電極を形成するｎ型窒化ガリウム系化合物半
導体の電子キャリア濃度は１×１０17／cm3以上必要と
することである。その濃度が１×１０17／cm3より少な
いと、ｎ型層と良好なオーミック接触が得られない。ま
た同じく、電極を形成するｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体の正孔キャリア濃度は１×１０15／cm3以上必要と
する。１×１０15／cm3よりも少ないと同じくｐ型層と
良好なオーミック接触が得られない。
なことは、電極を形成するｎ型窒化ガリウム系化合物半
導体の電子キャリア濃度は１×１０17／cm3以上必要と
することである。その濃度が１×１０17／cm3より少な
いと、ｎ型層と良好なオーミック接触が得られない。ま
た同じく、電極を形成するｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体の正孔キャリア濃度は１×１０15／cm3以上必要と
する。１×１０15／cm3よりも少ないと同じくｐ型層と
良好なオーミック接触が得られない。
【０００７】次に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体、
およびｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に付着する電極
材料は、クロムおよび／またはニッケルを含む合金、ま
たはその金属にする必要がある。具体的な金属としては
Ｃｒ、Ｎｉそれぞれ単独、合金としてはＡｕ、Ｐｔ、Ｍ
ｏ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｇａより選択された少なくとも一種の
金属と、Ｃｒとの合金、またはＮｉとの合金、あるいは
Ｃｒ−Ｎｉ合金を使用することができ、特にＣｒ、Ｎｉ
単独、またはＣｒ−Ｎｉ合金、Ｃｒ−Ａｕ合金、Ｎｉ−
Ａｕ合金が好ましい。合金のＣｒ、Ｎｉの含有率は特に
限定しないが、Ｃｒ、Ｎｉが多いほど好ましい。
およびｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に付着する電極
材料は、クロムおよび／またはニッケルを含む合金、ま
たはその金属にする必要がある。具体的な金属としては
Ｃｒ、Ｎｉそれぞれ単独、合金としてはＡｕ、Ｐｔ、Ｍ
ｏ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｇａより選択された少なくとも一種の
金属と、Ｃｒとの合金、またはＮｉとの合金、あるいは
Ｃｒ−Ｎｉ合金を使用することができ、特にＣｒ、Ｎｉ
単独、またはＣｒ−Ｎｉ合金、Ｃｒ−Ａｕ合金、Ｎｉ−
Ａｕ合金が好ましい。合金のＣｒ、Ｎｉの含有率は特に
限定しないが、Ｃｒ、Ｎｉが多いほど好ましい。
【０００８】上記電極材料を窒化ガリウム系化合物半導
体に付着させるには、蒸着法を好ましく用いることがで
き、予め合金化しておいた金属、金属単体を蒸着材料と
して付着させることができる。
体に付着させるには、蒸着法を好ましく用いることがで
き、予め合金化しておいた金属、金属単体を蒸着材料と
して付着させることができる。
【０００９】アニーリングは電極材料と窒化ガリウム系
化合物半導体とをなじませるために行い、好ましく４０
０℃以上の温度で行うことにより、上記電極材料をオー
ミック接触させることができる。またアニーリングは好
ましく窒素雰囲気中で行うことにより、窒化ガリウム系
化合物半導体中の窒素が分解して出て行くのを防ぐこと
ができ、結晶性を保つことができる。アニーリング温度
の上限は特に限定しないが、通常１１００℃以下で行う
ことが好ましい。１１００℃を超えると前記のように窒
化ガリウム系化合物半導体が分解しやすい傾向にあるか
らである。また、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体は、
幅２０μｍ以下で電極材料を付着した後、４００℃以上
でアニーリングを行うことにより、ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体の抵抗率が下がり、より好ましいｐ型を得
ることができる。
化合物半導体とをなじませるために行い、好ましく４０
０℃以上の温度で行うことにより、上記電極材料をオー
ミック接触させることができる。またアニーリングは好
ましく窒素雰囲気中で行うことにより、窒化ガリウム系
化合物半導体中の窒素が分解して出て行くのを防ぐこと
ができ、結晶性を保つことができる。アニーリング温度
の上限は特に限定しないが、通常１１００℃以下で行う
ことが好ましい。１１００℃を超えると前記のように窒
化ガリウム系化合物半導体が分解しやすい傾向にあるか
らである。また、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体は、
幅２０μｍ以下で電極材料を付着した後、４００℃以上
でアニーリングを行うことにより、ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体の抵抗率が下がり、より好ましいｐ型を得
ることができる。
【００１０】
【作用】図１は、それぞれ電子キャリア濃度の異なるＳ
ｉドープｎ型ＧａＮ層にＣｒ−Ｎｉ合金よりなる電極を
付着して、５００℃で１５分間アニーリングした後、そ
れぞれのＣｒ−Ｎｉ電極間の電流電圧特性を測定して、
ｎ型ＧａＮ層と電極とのオーミック接触を調べた結果を
比較して示す図である。Ａは２×１０19／cm3、Ｂは１
×１０18／cm3、Ｃは１×１０17／cm3、Ｄは６×１０16
／cm3の電子キャリア濃度を有するｎ型ＧａＮ層であ
る。Ａ〜Ｄを比較してもわかるように、電子キャリア濃
度が高いｎ型ＧａＮ層では容易にオーミック接触が得ら
れ、１×１０17／cm3ではまだオーミック接触が得られ
ているが、６×１０16／cm3では完全に電圧と電流とが
直線関係になく、オーミック接触していないことがわか
る。
ｉドープｎ型ＧａＮ層にＣｒ−Ｎｉ合金よりなる電極を
付着して、５００℃で１５分間アニーリングした後、そ
れぞれのＣｒ−Ｎｉ電極間の電流電圧特性を測定して、
ｎ型ＧａＮ層と電極とのオーミック接触を調べた結果を
比較して示す図である。Ａは２×１０19／cm3、Ｂは１
×１０18／cm3、Ｃは１×１０17／cm3、Ｄは６×１０16
／cm3の電子キャリア濃度を有するｎ型ＧａＮ層であ
る。Ａ〜Ｄを比較してもわかるように、電子キャリア濃
度が高いｎ型ＧａＮ層では容易にオーミック接触が得ら
れ、１×１０17／cm3ではまだオーミック接触が得られ
ているが、６×１０16／cm3では完全に電圧と電流とが
直線関係になく、オーミック接触していないことがわか
る。
【００１１】また、図２は、それぞれ正孔キャリア濃度
の異なるＭｇドープｐ型ＧａＮ層にＣｒ−Ｎｉ合金より
なる電極を付着して、同じく５００℃で１５分間アニー
リングした後、それぞれのＣｒ−Ｎｉ電極間の電流電圧
特性を測定して、ｐ型ＧａＮ層と電極とのオーミック接
触を調べた結果を比較して示す図である。Ｅは１×１０
17／cm3、Ｆは１×１０16／cm3、Ｇは１×１０15／c
m3、Ｈは５×１０14／cm3の正孔キャリア濃度を有する
ｐ型ＧａＮ層である。この図も同様に正孔キャリア濃度
１×１０15／cm3付近にオーミック接触の限界値があ
り、それを下回るとオーミック接触を得ることが困難で
あることを示している。
の異なるＭｇドープｐ型ＧａＮ層にＣｒ−Ｎｉ合金より
なる電極を付着して、同じく５００℃で１５分間アニー
リングした後、それぞれのＣｒ−Ｎｉ電極間の電流電圧
特性を測定して、ｐ型ＧａＮ層と電極とのオーミック接
触を調べた結果を比較して示す図である。Ｅは１×１０
17／cm3、Ｆは１×１０16／cm3、Ｇは１×１０15／c
m3、Ｈは５×１０14／cm3の正孔キャリア濃度を有する
ｐ型ＧａＮ層である。この図も同様に正孔キャリア濃度
１×１０15／cm3付近にオーミック接触の限界値があ
り、それを下回るとオーミック接触を得ることが困難で
あることを示している。
【００１２】さらに図３は、正孔キャリア濃度４×１０
16／cm3のＭｇドープｐ型ＧａＮ層にＮｉ−Ｃｒ合金を
付着した後、温度を変えて１５分間アニーリングした場
合に、そのアニーリング温度によるｐ型ＧａＮ層と、電
極との電流電圧特性の関係をそれぞれ比較して示す図で
ある。Ｉはアニーリング前、Ｊは２００℃、Ｋは３００
℃、Ｌは４００℃のアニーリング温度を示している。Ｉ
〜Ｌはアニーリング温度とｐ型ＧａＮ層とのオーミック
接触を示す図であるが、アニーリング温度によりｐ型Ｇ
ａＮ層と電極との接触抵抗が減少し傾きが大きくなり、
また電圧に比例して電流値が増加しオーミック接触が得
られていることがわかる。従って、好ましいアニーリン
グ温度は４００℃以上である。
16／cm3のＭｇドープｐ型ＧａＮ層にＮｉ−Ｃｒ合金を
付着した後、温度を変えて１５分間アニーリングした場
合に、そのアニーリング温度によるｐ型ＧａＮ層と、電
極との電流電圧特性の関係をそれぞれ比較して示す図で
ある。Ｉはアニーリング前、Ｊは２００℃、Ｋは３００
℃、Ｌは４００℃のアニーリング温度を示している。Ｉ
〜Ｌはアニーリング温度とｐ型ＧａＮ層とのオーミック
接触を示す図であるが、アニーリング温度によりｐ型Ｇ
ａＮ層と電極との接触抵抗が減少し傾きが大きくなり、
また電圧に比例して電流値が増加しオーミック接触が得
られていることがわかる。従って、好ましいアニーリン
グ温度は４００℃以上である。
【００１３】
【実施例】［実施例１］ＭＯＣＶＤ法を用い、サファイ
ア基板の上にＧａＮよりなるバッファ層を約２００オン
グストロームと、その上にノンドープのＧａＮ層を２μ
ｍの膜厚で成長させ、そのＧａＮ層の上にＭｇをドープ
したＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層を０．２μｍ成長させる。Ｍｇ
ドープＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層成長後、基板をアニーリング
装置に入れ、窒素雰囲気中７００℃で１０分間アニーリ
ングし、ＭｇドープＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層をさらに低抵抗
化してｐ型とする。ホール測定の結果、このＭｇドープ
ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層の正孔キャリア濃度は１×１０
17／cm3であった。
ア基板の上にＧａＮよりなるバッファ層を約２００オン
グストロームと、その上にノンドープのＧａＮ層を２μ
ｍの膜厚で成長させ、そのＧａＮ層の上にＭｇをドープ
したＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層を０．２μｍ成長させる。Ｍｇ
ドープＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層成長後、基板をアニーリング
装置に入れ、窒素雰囲気中７００℃で１０分間アニーリ
ングし、ＭｇドープＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層をさらに低抵抗
化してｐ型とする。ホール測定の結果、このＭｇドープ
ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層の正孔キャリア濃度は１×１０
17／cm3であった。
【００１４】次に前記ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層表面にＮ
ｉ−Ａｕ合金を蒸着した後、基板を同じくアニーリング
装置に入れ、窒素雰囲気中、５００℃で１０分間アニー
リングを行う。アニーリング終了後、電極間の電流電圧
特性を測定して、ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層と電極とのオ
ーミック接触を調べると、図２、Ｅと同一の直線が得ら
れ、オーミック接触が得られていることが確認された。
ｉ−Ａｕ合金を蒸着した後、基板を同じくアニーリング
装置に入れ、窒素雰囲気中、５００℃で１０分間アニー
リングを行う。アニーリング終了後、電極間の電流電圧
特性を測定して、ｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層と電極とのオ
ーミック接触を調べると、図２、Ｅと同一の直線が得ら
れ、オーミック接触が得られていることが確認された。
【００１５】［実施例２］実施例１において、ｐ型Ｇａ
0.9Ａｌ0.1Ｎ層に蒸着する電極材料をＣｒ−Ａｕ合金と
する他は同様にして電極を形成し、電流電圧特性を測定
したところ、同じく、図２、Ｅと同一の直線が得られ、
オーミック接触が確認された。
0.9Ａｌ0.1Ｎ層に蒸着する電極材料をＣｒ−Ａｕ合金と
する他は同様にして電極を形成し、電流電圧特性を測定
したところ、同じく、図２、Ｅと同一の直線が得られ、
オーミック接触が確認された。
【００１６】［実施例３］実施例１のノンドープＧａＮ
層の上に、Ｓｉをドープしたｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層を
０．２μｍ成長させた後、その上にＮｉの合金を蒸着し
て電極を付着する。なおこのＳｉドープＩｎ0.1Ｇａ0.9
Ｎ層の電子キャリア濃度は２×１０19／cm3であった。
後は実施例１と同様にアニーリングした後、電極間の電
流電圧特性を測定して、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9
Ｎ層と電極とのオーミック接触を調べたところ、図１、
Ａと同一の直線が得られ、オーミック接触が確認され
た。
層の上に、Ｓｉをドープしたｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層を
０．２μｍ成長させた後、その上にＮｉの合金を蒸着し
て電極を付着する。なおこのＳｉドープＩｎ0.1Ｇａ0.9
Ｎ層の電子キャリア濃度は２×１０19／cm3であった。
後は実施例１と同様にアニーリングした後、電極間の電
流電圧特性を測定して、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9
Ｎ層と電極とのオーミック接触を調べたところ、図１、
Ａと同一の直線が得られ、オーミック接触が確認され
た。
【００１７】［実施例４］実施例３において、Ｓｉドー
プｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層中のＳｉドープ量を変え、そ
の電子キャリア濃度を１×１０18／cm3とする他は同様
にしてＮｉ電極を形成し、電流電圧特性を測定したとこ
ろ図１、Ｂと同一の直線が得られ、オーミック接触が確
認された。
プｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層中のＳｉドープ量を変え、そ
の電子キャリア濃度を１×１０18／cm3とする他は同様
にしてＮｉ電極を形成し、電流電圧特性を測定したとこ
ろ図１、Ｂと同一の直線が得られ、オーミック接触が確
認された。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の方法による
と、ｎ型及びｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体と電極
とのオーミック接触が得られるため、窒化ガリウム系化
合物半導体を積層してｐ−ｎ接合の発光ダイオード、レ
ーザーダイオード等の発光素子を作成する際、その発光
素子の順方向電圧を下げ、発光効率を向上させることが
でき、産業上の利用価値は多大である。
と、ｎ型及びｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体と電極
とのオーミック接触が得られるため、窒化ガリウム系化
合物半導体を積層してｐ−ｎ接合の発光ダイオード、レ
ーザーダイオード等の発光素子を作成する際、その発光
素子の順方向電圧を下げ、発光効率を向上させることが
でき、産業上の利用価値は多大である。
【図１】 電子キャリア濃度が異なるｎ型ＧａＮ層と電
極との電流電圧特性の関係を比較して示す図。
極との電流電圧特性の関係を比較して示す図。
【図２】 正孔キャリア濃度が異なるＭｇドープｐ型Ｇ
ａＮ層と電極との電流電圧特性の関係を比較して示す
図。
ａＮ層と電極との電流電圧特性の関係を比較して示す
図。
【図３】 アニーリング温度によるｐ型ＧａＮ層と電極
との電流電圧特性の関係を比較して示す図。
との電流電圧特性の関係を比較して示す図。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭49−29771（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−213878（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−68579（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00 H01S 3/18 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (3)
- 【請求項１】 ノンドープＧａＮ層の上に成長された、
電子キャリア濃度１×１０17／cm3以上のｎ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体に、クロムおよび／またはニッケル
を含む合金またはその金属を付着した後、アニーリング
することにより、その電極とオーミック接触させること
を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方
法。 - 【請求項２】 正孔キャリア濃度１×１０15／cm3以上
のＭｇをドープしたｐ型ＧａＮに、クロムおよび／また
はニッケルを含む合金またはその金属を付着した後、ア
ニーリングすることにより、そのｐ型ＧａＮの抵抗率を
低下させ、その電極とオーミック接触させることを特徴
とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法。 - 【請求項３】 前記アニーリング温度は４００℃以上で
あることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガ
リウム系化合物半導体の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8549293A JP2803741B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8549293A JP2803741B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10099585A Division JPH10270757A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275868A JPH06275868A (ja) | 1994-09-30 |
| JP2803741B2 true JP2803741B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=13860438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8549293A Expired - Lifetime JP2803741B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803741B2 (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8395165B2 (en) | 2011-07-08 | 2013-03-12 | Bridelux, Inc. | Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer |
| US8525221B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-09-03 | Toshiba Techno Center, Inc. | LED with improved injection efficiency |
| US8536601B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-09-17 | Toshiba Techno Center, Inc. | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8552465B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-10-08 | Toshiba Techno Center Inc. | Method for reducing stress in epitaxial growth |
| US8558247B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Toshiba Techno Center Inc. | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
| US8564010B2 (en) | 2011-08-04 | 2013-10-22 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
| US8581267B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-11-12 | Toshiba Techno Center Inc. | Series connected segmented LED |
| US8624482B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-01-07 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
| US8664747B2 (en) | 2008-04-28 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding |
| US8686430B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Buffer layer for GaN-on-Si LED |
| US8865565B2 (en) | 2011-08-02 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate |
| US8916906B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon |
| US8994064B2 (en) | 2011-09-03 | 2015-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer |
| US9012939B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers |
| US9130068B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-09-08 | Manutius Ip, Inc. | Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers |
| US9142743B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes |
| US9159869B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer |
| US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
| US9490392B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-11-08 | Toshiba Corporation | P-type doping layers for use with light emitting devices |
| US9617656B2 (en) | 2011-07-25 | 2017-04-11 | Toshiba Corporation | Nucleation of aluminum nitride on a silicon substrate using an ammonia preflow |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69425186T3 (de) | 1993-04-28 | 2005-04-14 | Nichia Corp., Anan | Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP3292044B2 (ja) | 1996-05-31 | 2002-06-17 | 豊田合成株式会社 | ｐ伝導形３族窒化物半導体の電極パッド及びそれを有した素子及び素子の製造方法 |
| JP3587224B2 (ja) * | 1996-07-24 | 2004-11-10 | ソニー株式会社 | オーミック電極 |
| JP3298436B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2002-07-02 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
| EP1014455B1 (en) | 1997-07-25 | 2006-07-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| JP3794876B2 (ja) * | 1998-09-09 | 2006-07-12 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002353570A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Sharp Corp | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体装置及びその製造方法 |
| JP4956928B2 (ja) | 2004-09-28 | 2012-06-20 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
| JP5180802B2 (ja) * | 2008-12-18 | 2013-04-10 | 株式会社豊田中央研究所 | 積層電極形成方法とその積層電極を備える半導体装置 |
| US8735907B2 (en) * | 2009-07-22 | 2014-05-27 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Ohmic electrode for use in a semiconductor diamond device |
| JP6515842B2 (ja) * | 2016-03-10 | 2019-05-22 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP8549293A patent/JP2803741B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8664747B2 (en) | 2008-04-28 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding |
| US8871539B2 (en) | 2009-06-10 | 2014-10-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8536601B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-09-17 | Toshiba Techno Center, Inc. | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8546832B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Thin-film LED with p and n contacts electrically isolated from the substrate |
| US9142742B2 (en) | 2009-06-10 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8525221B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-09-03 | Toshiba Techno Center, Inc. | LED with improved injection efficiency |
| US9012953B2 (en) | 2009-11-25 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED with improved injection efficiency |
| US8684749B2 (en) | 2009-11-25 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | LED with improved injection efficiency |
| US8395165B2 (en) | 2011-07-08 | 2013-03-12 | Bridelux, Inc. | Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer |
| US10174439B2 (en) | 2011-07-25 | 2019-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nucleation of aluminum nitride on a silicon substrate using an ammonia preflow |
| US9617656B2 (en) | 2011-07-25 | 2017-04-11 | Toshiba Corporation | Nucleation of aluminum nitride on a silicon substrate using an ammonia preflow |
| US8916906B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon |
| US9012939B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers |
| US9142743B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes |
| US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
| US8865565B2 (en) | 2011-08-02 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate |
| US9159869B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer |
| US9070833B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
| US8564010B2 (en) | 2011-08-04 | 2013-10-22 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
| US8981410B1 (en) | 2011-09-01 | 2015-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
| US8624482B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-01-07 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
| US8994064B2 (en) | 2011-09-03 | 2015-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer |
| US9018643B2 (en) | 2011-09-06 | 2015-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
| US8558247B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Toshiba Techno Center Inc. | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
| US8686430B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Buffer layer for GaN-on-Si LED |
| US9130068B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-09-08 | Manutius Ip, Inc. | Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers |
| US9490392B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-11-08 | Toshiba Corporation | P-type doping layers for use with light emitting devices |
| US8581267B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-11-12 | Toshiba Techno Center Inc. | Series connected segmented LED |
| US9391234B2 (en) | 2011-11-09 | 2016-07-12 | Toshiba Corporation | Series connected segmented LED |
| US9123853B2 (en) | 2011-11-09 | 2015-09-01 | Manutius Ip, Inc. | Series connected segmented LED |
| US8552465B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-10-08 | Toshiba Techno Center Inc. | Method for reducing stress in epitaxial growth |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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