JP2803958B2 - 画像情報記録装置および画像情報再生装置 - Google Patents
画像情報記録装置および画像情報再生装置Info
- Publication number
- JP2803958B2 JP2803958B2 JP6678093A JP6678093A JP2803958B2 JP 2803958 B2 JP2803958 B2 JP 2803958B2 JP 6678093 A JP6678093 A JP 6678093A JP 6678093 A JP6678093 A JP 6678093A JP 2803958 B2 JP2803958 B2 JP 2803958B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image information
- light
- charge
- bias voltage
- information recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 91
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 25
- 230000005697 Pockels effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 8
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 7
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000017531 blood circulation Effects 0.000 description 4
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 9,10-anthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007170 pathology Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Locating Faults (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像情報記録装置およ
び画像情報再生装置に関し、特に、一定の周期で繰り返
し現れる画像情報を選択的に光学的に記録することがで
きる、PROM素子(Pockles Readout Optical Modula
tor )を利用した画像情報記録装置およびこの画像情報
記録装置に記録された画像情報を再生する画像情報再生
装置に関する。
び画像情報再生装置に関し、特に、一定の周期で繰り返
し現れる画像情報を選択的に光学的に記録することがで
きる、PROM素子(Pockles Readout Optical Modula
tor )を利用した画像情報記録装置およびこの画像情報
記録装置に記録された画像情報を再生する画像情報再生
装置に関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、撮像管、2次元CCDアレイ等の種々の撮像装置が
実用化されている。これらの撮像装置においては、撮像
すべき被撮像体からの光を電気信号に変換して画像の記
録再生が行われている。一方、入射した画像光のうち特
定の周波数で繰り返し現れる画像、例えば一定の周期で
発光点滅する光による画像を選択的に撮像したいという
要請も強く、例えば高圧送電線に用いられているガイシ
接続部や変成器において生ずる火花放電模様を鮮明に撮
像できる撮像装置の開発が強く要請されている。しかし
ながら、現在実用化されている撮像装置は、光電変換部
に入射する全ての光が受光されて光電変換されるため、
火花放電により生じた光とバックグランドからの光とが
共に光電変換されるため、火花放電による画像と背景画
像とが重畳されてしまい、火花放電による画像だけを鮮
明に撮像することができなかった。
来、撮像管、2次元CCDアレイ等の種々の撮像装置が
実用化されている。これらの撮像装置においては、撮像
すべき被撮像体からの光を電気信号に変換して画像の記
録再生が行われている。一方、入射した画像光のうち特
定の周波数で繰り返し現れる画像、例えば一定の周期で
発光点滅する光による画像を選択的に撮像したいという
要請も強く、例えば高圧送電線に用いられているガイシ
接続部や変成器において生ずる火花放電模様を鮮明に撮
像できる撮像装置の開発が強く要請されている。しかし
ながら、現在実用化されている撮像装置は、光電変換部
に入射する全ての光が受光されて光電変換されるため、
火花放電により生じた光とバックグランドからの光とが
共に光電変換されるため、火花放電による画像と背景画
像とが重畳されてしまい、火花放電による画像だけを鮮
明に撮像することができなかった。
【0003】一方、撮像素子としては空間光変調器の一
種であるPROM素子が既知である。ここで、PROM
素子とは、光導電効果により書込光の光強度に対応した
電荷を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持する
と共に、ポッケルス効果により保持している分極電荷に
応じて読出光の偏光状態を変化させる素子をいう。この
PROM素子は、例えば、Bi12SiO20単結晶プレー
トを備え、光導電効果を利用して画像情報の書き込みが
行われ、画像情報の読み出しはポッケルス効果を利用し
て行われている。
種であるPROM素子が既知である。ここで、PROM
素子とは、光導電効果により書込光の光強度に対応した
電荷を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持する
と共に、ポッケルス効果により保持している分極電荷に
応じて読出光の偏光状態を変化させる素子をいう。この
PROM素子は、例えば、Bi12SiO20単結晶プレー
トを備え、光導電効果を利用して画像情報の書き込みが
行われ、画像情報の読み出しはポッケルス効果を利用し
て行われている。
【0004】すなわち、画像情報を書き込む場合、PR
OM素子に直流バイアス電圧を印加した状態で書込光を
照射し、素子の内部に画像情報に対応した分極電荷を形
成して画像記録を行い、記録されている画像情報を読み
出す場合には直流バイアスまたは無バイアス状態で直線
偏光した光をPROM素子に投射し、PROM素子の内
部に形成されている分極電荷に基づくポッケルス効果を
利用して画像情報の読み出しが行われている。
OM素子に直流バイアス電圧を印加した状態で書込光を
照射し、素子の内部に画像情報に対応した分極電荷を形
成して画像記録を行い、記録されている画像情報を読み
出す場合には直流バイアスまたは無バイアス状態で直線
偏光した光をPROM素子に投射し、PROM素子の内
部に形成されている分極電荷に基づくポッケルス効果を
利用して画像情報の読み出しが行われている。
【0005】このPROM素子を用いた画像記録再生装
置を用いれば、インコヒーレント光画像をコヒーレント
光画像に変換したり、光フーリエ変換を行うことができ
るため、画像解析上、種々の利点が達成される。
置を用いれば、インコヒーレント光画像をコヒーレント
光画像に変換したり、光フーリエ変換を行うことができ
るため、画像解析上、種々の利点が達成される。
【0006】上述したPROM素子を画像情報記録媒体
として用いる場合、記録された画像に対し、種々の光画
像情報処理を施すことができるため、画像情報の記録再
生装置に用いる場合特有の有用性がある。従って、種々
の入射画像のうち特定の周波数で繰り返し現れる画像だ
けをPROM素子に記録できれば、周期的に現れる画像
を記録することができるだけでなく、PROM素子の特
有の特性を利用でき、画像解析上種々の利点が達成され
る。
として用いる場合、記録された画像に対し、種々の光画
像情報処理を施すことができるため、画像情報の記録再
生装置に用いる場合特有の有用性がある。従って、種々
の入射画像のうち特定の周波数で繰り返し現れる画像だ
けをPROM素子に記録できれば、周期的に現れる画像
を記録することができるだけでなく、PROM素子の特
有の特性を利用でき、画像解析上種々の利点が達成され
る。
【0007】しかしながら、PROM素子に画像情報を
記録する従来の画像記録装置では、背景部の画像と一定
の周期で現れる画像の両方が重畳して記録されるため、
一定の周期で繰り返し現れる画像を選択的に記録するこ
とができず、この結果、周期性画像を選択的に鮮明に記
録再生することができなかった。
記録する従来の画像記録装置では、背景部の画像と一定
の周期で現れる画像の両方が重畳して記録されるため、
一定の周期で繰り返し現れる画像を選択的に記録するこ
とができず、この結果、周期性画像を選択的に鮮明に記
録再生することができなかった。
【0008】従って、本発明の目的は、種々の入射画像
のうち特定の周期で繰り返し現れる画像を選択的にPR
OM素子等の画像情報記録素子に記録することができる
画像情報記録装置およびこの画像情報記録装置に記録さ
れた画像情報を再生する画像情報再生装置を提供するこ
とにある。
のうち特定の周期で繰り返し現れる画像を選択的にPR
OM素子等の画像情報記録素子に記録することができる
画像情報記録装置およびこの画像情報記録装置に記録さ
れた画像情報を再生する画像情報再生装置を提供するこ
とにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、書込光
の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極
電荷として保持する画像情報記録素子と、被写体からの
光を前記画像情報記録素子に書込光として入射させる撮
像手段と、前記書込光により形成される前記被写体の画
像のうち、必要な画像を形成する書込光の光強度変化の
周波数と同一の周波数を有する交流バイアス電圧を前記
画像情報記録素子に印加する交流バイアス電圧印加手段
とを具備し、前記書込光により形成される被写体の画像
から前記必要な画像を空間的に分離、抽出することを特
徴とする画像情報記録装置が得られる。
の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極
電荷として保持する画像情報記録素子と、被写体からの
光を前記画像情報記録素子に書込光として入射させる撮
像手段と、前記書込光により形成される前記被写体の画
像のうち、必要な画像を形成する書込光の光強度変化の
周波数と同一の周波数を有する交流バイアス電圧を前記
画像情報記録素子に印加する交流バイアス電圧印加手段
とを具備し、前記書込光により形成される被写体の画像
から前記必要な画像を空間的に分離、抽出することを特
徴とする画像情報記録装置が得られる。
【0010】また、本発明によれば、書込光の光強度に
対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極電荷として
保持ると共に、保持している分極電荷に応じて読出光を
変調させる空間光変調素子と、被写体からの光を前記空
間光変調素子に書込光として入射させる撮像手段と、前
記書込光により形成される前記被写体の画像のうち、必
要な画像を形成する書込光の光強度変化の周波数と同一
の周波数を有する交流バイアス電圧を前記空間光変調素
子に印加する交流バイアス電圧印加手段と、前記空間光
変調素子に読出光を入射させる読出光入射手段と、前記
空間光変調素子から出射される読出光を検出する読出光
検出手段とを具備し、前記書込光により形成される被写
体の画像から前記必要な画像を空間的に分離して読み出
すことを特徴とする画像情報再生装置が得られる。
対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極電荷として
保持ると共に、保持している分極電荷に応じて読出光を
変調させる空間光変調素子と、被写体からの光を前記空
間光変調素子に書込光として入射させる撮像手段と、前
記書込光により形成される前記被写体の画像のうち、必
要な画像を形成する書込光の光強度変化の周波数と同一
の周波数を有する交流バイアス電圧を前記空間光変調素
子に印加する交流バイアス電圧印加手段と、前記空間光
変調素子に読出光を入射させる読出光入射手段と、前記
空間光変調素子から出射される読出光を検出する読出光
検出手段とを具備し、前記書込光により形成される被写
体の画像から前記必要な画像を空間的に分離して読み出
すことを特徴とする画像情報再生装置が得られる。
【0011】本発明の画像情報記録装置および画像情報
再生装置は、前記被撮像体の画像のうち、一定の周波数
でその強度が変化する画像の強度変化の周波数を検出す
る周波数検出手段をさらに有することができ、その場
合、前記交流バイアス電圧印加手段は前記周波数検出手
段によって検出された周波数と同一周波数の交流バイア
ス電圧を前記画像情報記録素子または前記空間光変調素
子に印加する。
再生装置は、前記被撮像体の画像のうち、一定の周波数
でその強度が変化する画像の強度変化の周波数を検出す
る周波数検出手段をさらに有することができ、その場
合、前記交流バイアス電圧印加手段は前記周波数検出手
段によって検出された周波数と同一周波数の交流バイア
ス電圧を前記画像情報記録素子または前記空間光変調素
子に印加する。
【0012】また、本発明の画像情報記録装置および画
像情報再生装置は、前記交流バイアス電圧印加手段によ
って印加される交流バイアス電圧の位相を変化させるこ
とができる位相調整手段をさらに有することができる。
像情報再生装置は、前記交流バイアス電圧印加手段によ
って印加される交流バイアス電圧の位相を変化させるこ
とができる位相調整手段をさらに有することができる。
【0013】さらに、また、本発明の画像情報記録装置
および画像情報再生装置は、直流バイアス電圧を前記画
像情報記録素子または前記空間光変調素子に印加可能な
直流バイアス電圧印加手段をさらに有することができ
る。
および画像情報再生装置は、直流バイアス電圧を前記画
像情報記録素子または前記空間光変調素子に印加可能な
直流バイアス電圧印加手段をさらに有することができ
る。
【0014】なお、前記画像情報記録素子または前記空
間光変調素子としては、書込光の光強度に対応した電荷
を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持すると共
に、保持している分極電荷に応じて読出光の偏光状態を
変化させる空間光変調素子を用いることができる。
間光変調素子としては、書込光の光強度に対応した電荷
を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持すると共
に、保持している分極電荷に応じて読出光の偏光状態を
変化させる空間光変調素子を用いることができる。
【0015】このような、書込光の光強度に対応した電
荷を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持すると
共に、保持している分極電荷に応じて読出光の偏光状態
を変化させる空間光変調素子としては、光導電効果によ
り書込光の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電
荷を分極電荷として保持すると共に、ポッケルス効果に
より保持している分極電荷に応じて読出光の偏光状態を
変化させる素子を用いることができる。
荷を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持すると
共に、保持している分極電荷に応じて読出光の偏光状態
を変化させる空間光変調素子としては、光導電効果によ
り書込光の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電
荷を分極電荷として保持すると共に、ポッケルス効果に
より保持している分極電荷に応じて読出光の偏光状態を
変化させる素子を用いることができる。
【0016】さらに、光導電効果により書込光の光強度
に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極電荷とし
て保持すると共に、ポッケルス効果により保持している
分極電荷に応じて読出光の偏光状態を変化させる素子に
加えてさらに液晶を設けることができる。
に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極電荷とし
て保持すると共に、ポッケルス効果により保持している
分極電荷に応じて読出光の偏光状態を変化させる素子に
加えてさらに液晶を設けることができる。
【0017】また、前記空間光変調素子としては、書込
光の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分
極電荷として保持すると共に、保持している分極電荷に
応じて読出光の透過率を変化させる空間光変調素子を用
いてもよい。
光の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分
極電荷として保持すると共に、保持している分極電荷に
応じて読出光の透過率を変化させる空間光変調素子を用
いてもよい。
【0018】さらに、前記画像情報記録素子または前記
空間光変調素子を、記録材料としての光導電効果を有す
る材料と、読出用の材料としての液晶とを備えた構成と
してもよい。
空間光変調素子を、記録材料としての光導電効果を有す
る材料と、読出用の材料としての液晶とを備えた構成と
してもよい。
【0019】
【作用】強度I(t)の書込光をPROM素子等の光導
電効果を持つ材料のある結晶面に垂直に入射させた場
合、PROM素子の結晶表面に蓄積される電荷量Qは、
結晶内を当該結晶面に垂直な方向に流れる電流i(t)
により、次式で表わされる。
電効果を持つ材料のある結晶面に垂直に入射させた場
合、PROM素子の結晶表面に蓄積される電荷量Qは、
結晶内を当該結晶面に垂直な方向に流れる電流i(t)
により、次式で表わされる。
【0020】Q=∫i(t)dt …(1) この電流i(t)は、書込光によって励起されるキャリ
ヤの電荷密度q(t)と移動速度との積で表わされ、移
動速度は印加電界E(t)に比例するから、PROM素
子に印加するバイアス電圧をV(t)とすると、電流i
(t)は次式で表わされる。
ヤの電荷密度q(t)と移動速度との積で表わされ、移
動速度は印加電界E(t)に比例するから、PROM素
子に印加するバイアス電圧をV(t)とすると、電流i
(t)は次式で表わされる。
【0021】 i(t)∝q(t)E(t)∝q(t)V(t) …(2) また、キャリヤの電荷密度q(t)は、次式のように書
込光の光強度I(t)に比例する。
込光の光強度I(t)に比例する。
【0022】q(t)∝I(t) …(3) 従って、PROM素子の結晶表面に蓄積される電荷量Q
は次式で表わされる。
は次式で表わされる。
【0023】Q∝∫I(t)V(t)dt …(4) まず、PROM素子に直流バイアス電圧V(t)を印加
した場合を考えると、バイアス電圧V(t)は一定だか
ら、式(4)は次式のようになり、 Q∝V∫I(t)dt …(5) PROM素子の結晶表面に蓄積される電荷量Qは書込光
の光強度I(t)の時間積分にのみ比例し、書込光の時
間変化成分には依存しない。
した場合を考えると、バイアス電圧V(t)は一定だか
ら、式(4)は次式のようになり、 Q∝V∫I(t)dt …(5) PROM素子の結晶表面に蓄積される電荷量Qは書込光
の光強度I(t)の時間積分にのみ比例し、書込光の時
間変化成分には依存しない。
【0024】次に、PROM素子に交流バイアス電圧V
(t)=V0 cos 2πωtを印加した場合を考える。
(t)=V0 cos 2πωtを印加した場合を考える。
【0025】書込光の光強度I(t)をI(t)=I0
(cos 2πω′t+1)とすると、PROM素子の結晶
表面に蓄積される電荷量Qは次式で表わされる。
(cos 2πω′t+1)とすると、PROM素子の結晶
表面に蓄積される電荷量Qは次式で表わされる。
【0026】 Q∝I0 V0 ∫cos 2πωt(cos 2 πω′t+1)dt …(6) 今、書込光が、その光強度が時間に対して一定である連
続光である場合、すなわち、ω′=0の場合を考える
と、(6)式は以下のようになる。
続光である場合、すなわち、ω′=0の場合を考える
と、(6)式は以下のようになる。
【0027】 Q∝2I0 V0 ∫cos 2πωtdt=(I0 V0 /πω)sin (2πωt) …(7) (7)式より明らかなように、PROM素子に交流バイ
アス電圧を印加した場合においては、連続光を照射して
も、PROM素子の結晶表面に蓄積される電荷量Qはわ
ずかな増減を繰り返すだけである。従って、PROM素
子に交流バイアス電圧を印加した場合においては、PR
OM素子は連続光に対してほとんど感度を持たない。
アス電圧を印加した場合においては、連続光を照射して
も、PROM素子の結晶表面に蓄積される電荷量Qはわ
ずかな増減を繰り返すだけである。従って、PROM素
子に交流バイアス電圧を印加した場合においては、PR
OM素子は連続光に対してほとんど感度を持たない。
【0028】次に、書込光の周波数とPROM素子に印
加される交流バイアス電圧の周波数とが一致する場合、
すなわち、ω′=ωの場合は、(6)式は以下のように
なる。
加される交流バイアス電圧の周波数とが一致する場合、
すなわち、ω′=ωの場合は、(6)式は以下のように
なる。
【0029】 Q∝I0 V0 ∫cos 2πωt(cos 2πωt+1)dt =I0 V0 ((t/2)+(1/2πω)sin 2πωt +(1/8πω)sin 4πωt) …(8) (8)式の第1項は時間tおよび書込光の光強度I
(t)のI0 成分と交流バイアス電圧V(t)のV0 成
分との積に比例する項である。従って、PROM素子に
交流バイアス電圧を印加した場合であって、書込光の周
波数が交流バイアス電圧の周波数と等しい場合には、書
込光の光強度に対応した電荷がPROM素子の結晶表面
に蓄積されることになり、PROM素子は、交流バイア
ス電圧に同期してその光強度が変化する光に対して感度
を持つ。
(t)のI0 成分と交流バイアス電圧V(t)のV0 成
分との積に比例する項である。従って、PROM素子に
交流バイアス電圧を印加した場合であって、書込光の周
波数が交流バイアス電圧の周波数と等しい場合には、書
込光の光強度に対応した電荷がPROM素子の結晶表面
に蓄積されることになり、PROM素子は、交流バイア
ス電圧に同期してその光強度が変化する光に対して感度
を持つ。
【0030】このようにPROM素子に交流バイアス電
圧を印加した場合には、PROM素子は連続光には感度
を持たないが、交流バイアス電圧に同期してその光強度
が変化する光に対しては感度をもつから、被撮像体から
PROM素子に入射する光が、連続光と交流バイアス電
圧に同期してその光強度が変化する光とから成る場合に
は、交流バイアス電圧に同期してその光強度が変化する
光によって発生した電荷を選択的にPROM素子の結晶
表面に蓄積することができる。従って、PROM素子に
印加される交流バイアス電圧と同期している画像情報を
選択的にPROM素子に記録することができる。
圧を印加した場合には、PROM素子は連続光には感度
を持たないが、交流バイアス電圧に同期してその光強度
が変化する光に対しては感度をもつから、被撮像体から
PROM素子に入射する光が、連続光と交流バイアス電
圧に同期してその光強度が変化する光とから成る場合に
は、交流バイアス電圧に同期してその光強度が変化する
光によって発生した電荷を選択的にPROM素子の結晶
表面に蓄積することができる。従って、PROM素子に
印加される交流バイアス電圧と同期している画像情報を
選択的にPROM素子に記録することができる。
【0031】また、PROM素子に種々の周期で現れる
複数の画像情報が入射する場合、印加交流バイアス電圧
に同期する画像情報が選択的にPROM素子に記録され
る。従って、PROM素子に印加する交流バイアス電圧
の周波数を変化させることにより、種々の周波数におい
て変化する複数の画像情報のうち交流バイアス電圧と同
一周波数の画像情報だけを選択的に記録することができ
る。
複数の画像情報が入射する場合、印加交流バイアス電圧
に同期する画像情報が選択的にPROM素子に記録され
る。従って、PROM素子に印加する交流バイアス電圧
の周波数を変化させることにより、種々の周波数におい
て変化する複数の画像情報のうち交流バイアス電圧と同
一周波数の画像情報だけを選択的に記録することができ
る。
【0032】さらに、被撮像体の画像のうち一定の周波
数でその強度が変化する画像の強度変化の周波数を検出
する周波数検出手段を設け、この周波数検出手段によっ
て検出された周波数と同一周波数の交流バイアス電圧を
交流バイアス電圧印加手段によってPROM素子に印加
することにより、一定の周波数でその強度が変化する画
像情報の選択的な記録をより一層有効に行なえる。
数でその強度が変化する画像の強度変化の周波数を検出
する周波数検出手段を設け、この周波数検出手段によっ
て検出された周波数と同一周波数の交流バイアス電圧を
交流バイアス電圧印加手段によってPROM素子に印加
することにより、一定の周波数でその強度が変化する画
像情報の選択的な記録をより一層有効に行なえる。
【0033】また、交流バイアス電圧印加手段に加え
て、直流バイアス電圧をPROM素子に印加可能な直流
バイアス電圧印加手段をさらに設けることにより、一定
の周波数でその強度が変化する画像情報に加えてその背
景の画像情報も重畳して記録することができる。従っ
て、一定の周波数でその強度が変化する画像の被撮像体
における位置を正確に知ることができる。
て、直流バイアス電圧をPROM素子に印加可能な直流
バイアス電圧印加手段をさらに設けることにより、一定
の周波数でその強度が変化する画像情報に加えてその背
景の画像情報も重畳して記録することができる。従っ
て、一定の周波数でその強度が変化する画像の被撮像体
における位置を正確に知ることができる。
【0034】この際、まず、交流バイアス電圧をPRO
M素子に印加して一定の周波数でその強度が変化する画
像情報を選択的にPROM素子に記録した後に、直流バ
イアス電圧をPROM素子に印加して背景の画像情報を
重畳してPROM素子に記録してもよいし、交流バイア
ス電圧と直流バイアス電圧とを同時にPROM素子に印
加して一定の周波数でその強度が変化する画像情報の選
択的なPROM素子への記録および背景の画像情報のP
ROM素子への記録を同時に行なってもよい。
M素子に印加して一定の周波数でその強度が変化する画
像情報を選択的にPROM素子に記録した後に、直流バ
イアス電圧をPROM素子に印加して背景の画像情報を
重畳してPROM素子に記録してもよいし、交流バイア
ス電圧と直流バイアス電圧とを同時にPROM素子に印
加して一定の周波数でその強度が変化する画像情報の選
択的なPROM素子への記録および背景の画像情報のP
ROM素子への記録を同時に行なってもよい。
【0035】交流バイアス電圧印加手段によって印加さ
れる交流バイアス電圧の位相を変化させることができる
位相調整手段をさらに設けることにより、一定の周波数
でその強度が変化する画像情報と交流バイアス電圧との
間に位相差φがある場合であっても、一定の周波数でそ
の強度が変化する画像情報の選択的な記録を有効に行な
うことができる。
れる交流バイアス電圧の位相を変化させることができる
位相調整手段をさらに設けることにより、一定の周波数
でその強度が変化する画像情報と交流バイアス電圧との
間に位相差φがある場合であっても、一定の周波数でそ
の強度が変化する画像情報の選択的な記録を有効に行な
うことができる。
【0036】書込光:I(t)=I0 (cos 2πωt+
1)と交流バイアス電圧:V(t)=V0 cos 2πωt
との間に位相差φがある場合、(6)式は以下のように
表わすことができる。
1)と交流バイアス電圧:V(t)=V0 cos 2πωt
との間に位相差φがある場合、(6)式は以下のように
表わすことができる。
【0037】 Q∝I0 V0 ∫cos 2πωt(cos (2πωt+φ)+1)dt =I0 V0 ((1/2)cos φ・t+(1/2πω)sin 2πωt +(1/8πω)sin (4πωt+φ)) …(9) (9)式の第1項は時間t、書込光の光強度I(t)の
I0 成分、交流バイアス電圧V(t)のV0 成分、およ
びcos φとの積に比例する項である。従って、書込光の
周波数が交流バイアス電圧の周波数と等しい場合であっ
ても、PROM素子の感度は書込光と交流バイアス電圧
との間の位相差φに依存し、位相差φが、φ=π/2ま
たは3/2・πのような値となると、PROM素子は、
交流バイアス電圧と同一の周波数でその光強度が変化す
る光に対しても感度を持たなくなる。また、位相差φが
φ=π/2または3/2・πのような値とならない場合
には、PROM素子は、交流バイアス電圧と同一の周波
数でその光強度が変化する光に対して感度を持つが、位
相差φが、cos φの値を|cos φ|=1とする場合にP
ROM素子の感度は最大となる。
I0 成分、交流バイアス電圧V(t)のV0 成分、およ
びcos φとの積に比例する項である。従って、書込光の
周波数が交流バイアス電圧の周波数と等しい場合であっ
ても、PROM素子の感度は書込光と交流バイアス電圧
との間の位相差φに依存し、位相差φが、φ=π/2ま
たは3/2・πのような値となると、PROM素子は、
交流バイアス電圧と同一の周波数でその光強度が変化す
る光に対しても感度を持たなくなる。また、位相差φが
φ=π/2または3/2・πのような値とならない場合
には、PROM素子は、交流バイアス電圧と同一の周波
数でその光強度が変化する光に対して感度を持つが、位
相差φが、cos φの値を|cos φ|=1とする場合にP
ROM素子の感度は最大となる。
【0038】従って、交流バイアス電圧印加手段によっ
て印加される交流バイアス電圧の位相を変化させること
ができる位相調整手段をさらに設けて、位相差φを調整
することにより、一定の周波数でその強度が変化する画
像情報の選択的な記録を有効に行なうことができる。
て印加される交流バイアス電圧の位相を変化させること
ができる位相調整手段をさらに設けて、位相差φを調整
することにより、一定の周波数でその強度が変化する画
像情報の選択的な記録を有効に行なうことができる。
【0039】以上の画像情報の記録作用を説明するにつ
いては、書込光の光強度に対応した電荷を発生し、発生
した電荷を分極電荷として保持する画像情報記録素子、
および書込光の光強度に対応した電荷を発生し、発生し
た電荷を分極電荷として保持すると共に、保持している
分極電荷に応じて読出光を変調させる空間光変調素子と
して、光導電効果およびポッケルス効果の両方を持つP
ROM素子を例にとって本発明の作用を説明したが、光
導電効果は持つがポッケルス効果は持たない材料であ
る、GaAs単結晶、GaAs膜、水素化アモルファス
シリコン膜、アモルファスシリコンカーバイド膜やアモ
ルファスセレン膜等を本発明における画像情報記録素子
および空間光変調素子用の記録材料として用いた場合に
おいても、上述した画像情報の記録という点ではPRO
M素子と同様の作用を有する。
いては、書込光の光強度に対応した電荷を発生し、発生
した電荷を分極電荷として保持する画像情報記録素子、
および書込光の光強度に対応した電荷を発生し、発生し
た電荷を分極電荷として保持すると共に、保持している
分極電荷に応じて読出光を変調させる空間光変調素子と
して、光導電効果およびポッケルス効果の両方を持つP
ROM素子を例にとって本発明の作用を説明したが、光
導電効果は持つがポッケルス効果は持たない材料であ
る、GaAs単結晶、GaAs膜、水素化アモルファス
シリコン膜、アモルファスシリコンカーバイド膜やアモ
ルファスセレン膜等を本発明における画像情報記録素子
および空間光変調素子用の記録材料として用いた場合に
おいても、上述した画像情報の記録という点ではPRO
M素子と同様の作用を有する。
【0040】画像情報再生装置に用いられる空間光変調
素子としては、書込光の光強度に対応した電荷を発生
し、発生した電荷を分極電荷として保持すると共に、保
持している分極電荷に応じて読出光の偏光状態を変化さ
せる空間光変調素子を用いることができる。
素子としては、書込光の光強度に対応した電荷を発生
し、発生した電荷を分極電荷として保持すると共に、保
持している分極電荷に応じて読出光の偏光状態を変化さ
せる空間光変調素子を用いることができる。
【0041】このような空間光変調素子としては、例え
ば、PROM素子が挙げられる。PROM素子とは、前
述したように、光導電効果により書込光の光強度に対応
した電荷を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持
すると共に、ポッケルス効果により保持している分極電
荷に応じて読出光の偏光状態を変化させる素子をいうか
ら、画像情報の記録材料としてPROM素子を用いた場
合には、そのPROM素子自体によって読出光の偏光状
態を変化させることができ、他の読出用の材料を記録材
料に加えてさらに設ける必要がなくなる。
ば、PROM素子が挙げられる。PROM素子とは、前
述したように、光導電効果により書込光の光強度に対応
した電荷を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持
すると共に、ポッケルス効果により保持している分極電
荷に応じて読出光の偏光状態を変化させる素子をいうか
ら、画像情報の記録材料としてPROM素子を用いた場
合には、そのPROM素子自体によって読出光の偏光状
態を変化させることができ、他の読出用の材料を記録材
料に加えてさらに設ける必要がなくなる。
【0042】また、分極電荷に応じて読出光の偏光状態
を変化させる読出用の材料としては、液晶がある。
を変化させる読出用の材料としては、液晶がある。
【0043】ツイスト・ネマチック液晶(TNLC)等
の印加電圧に応じて読出光の偏光状態が変化する液晶を
PROM素子に加えてさらに設けた場合には、書込時に
PROM素子に印加される交流バイアス電圧の電圧値を
小さくすることができ、従って、交流バイアス電圧印加
手段の構成を簡単なものとすることができる。同じ偏光
の変化状態を得るのに必要な印加電圧は液晶のほうがP
ROM素子に比較して、約2桁以上低いから、書込時に
PROM素子に印加される交流バイアス電圧の電圧値を
小さくして、PROM素子の結晶表面に蓄積されて保持
される電荷の量を少なくしても、その電荷に基づく電界
が液晶に印加されることにより、液晶によって読出光の
偏光状態を必要なだけ変化させることができるからであ
る。
の印加電圧に応じて読出光の偏光状態が変化する液晶を
PROM素子に加えてさらに設けた場合には、書込時に
PROM素子に印加される交流バイアス電圧の電圧値を
小さくすることができ、従って、交流バイアス電圧印加
手段の構成を簡単なものとすることができる。同じ偏光
の変化状態を得るのに必要な印加電圧は液晶のほうがP
ROM素子に比較して、約2桁以上低いから、書込時に
PROM素子に印加される交流バイアス電圧の電圧値を
小さくして、PROM素子の結晶表面に蓄積されて保持
される電荷の量を少なくしても、その電荷に基づく電界
が液晶に印加されることにより、液晶によって読出光の
偏光状態を必要なだけ変化させることができるからであ
る。
【0044】さらに、光導電効果は持つがポッケルス効
果は持たない材料である、GaAs単結晶、GaAs
膜、水素化アモルファスシリコン膜、アモルファスシリ
コンカーバイド膜やアモルファスセレン膜等を本発明に
おける画像情報記録素子および空間光変調素子用の記録
材料として用いた場合には、読出用の材料として、ツイ
スト・ネマチック液晶(TNLC)等の印加電圧に応じ
て読出光の偏光状態が変化する液晶を用いることができ
る。この場合においても、小さい印加電圧で読出光の必
要な偏光の変化状態が得られるから、記録材料に印加さ
れる高圧バイアス電圧値を小さくすることができ、従っ
て、交流バイアス電圧印加手段の構成を簡単なものとす
ることができる。
果は持たない材料である、GaAs単結晶、GaAs
膜、水素化アモルファスシリコン膜、アモルファスシリ
コンカーバイド膜やアモルファスセレン膜等を本発明に
おける画像情報記録素子および空間光変調素子用の記録
材料として用いた場合には、読出用の材料として、ツイ
スト・ネマチック液晶(TNLC)等の印加電圧に応じ
て読出光の偏光状態が変化する液晶を用いることができ
る。この場合においても、小さい印加電圧で読出光の必
要な偏光の変化状態が得られるから、記録材料に印加さ
れる高圧バイアス電圧値を小さくすることができ、従っ
て、交流バイアス電圧印加手段の構成を簡単なものとす
ることができる。
【0045】このように、空間光変調素子として、書込
光の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分
極電荷として保持すると共に、保持している分極電荷に
応じて読出光の偏光状態を変化させる空間光変調素子を
用いた場合には、画像情報再生装置に設けられる、PR
OM素子に読出光を入射する読出光入射手段としては、
好ましくは、偏光子等を使用して直線偏光光を入射する
装置を用い、PROM素子から射出する読出光を検出す
る読出光検出手段としては、好ましくは、検光子等の光
の偏光状態を検出できる素子を備えた装置を用いる。
光の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分
極電荷として保持すると共に、保持している分極電荷に
応じて読出光の偏光状態を変化させる空間光変調素子を
用いた場合には、画像情報再生装置に設けられる、PR
OM素子に読出光を入射する読出光入射手段としては、
好ましくは、偏光子等を使用して直線偏光光を入射する
装置を用い、PROM素子から射出する読出光を検出す
る読出光検出手段としては、好ましくは、検光子等の光
の偏光状態を検出できる素子を備えた装置を用いる。
【0046】また、画像情報再生装置に用いられる空間
光変調素子として、書込光の光強度に対応した電荷を発
生し、発生した電荷を分極電荷として保持すると共に、
保持している分極電荷に応じて読出光の透過率を変化さ
せる空間光変調素子を用いることができる。
光変調素子として、書込光の光強度に対応した電荷を発
生し、発生した電荷を分極電荷として保持すると共に、
保持している分極電荷に応じて読出光の透過率を変化さ
せる空間光変調素子を用いることができる。
【0047】分極電荷に応じて読出光の透過率を変化さ
せる読出用の材料としては、液晶がある。ポリマー分散
型液晶(PDLC)等の印加電圧に応じて読出光の透過
率が変化する液晶を用いた場合には、読出光に偏光した
光を用いる必要がなくなるから、偏光子や検光子が不要
となり、画像情報再生装置の構成が簡単なものとなる。
せる読出用の材料としては、液晶がある。ポリマー分散
型液晶(PDLC)等の印加電圧に応じて読出光の透過
率が変化する液晶を用いた場合には、読出光に偏光した
光を用いる必要がなくなるから、偏光子や検光子が不要
となり、画像情報再生装置の構成が簡単なものとなる。
【0048】このポリマー分散型液晶(PDLC)等の
印加電圧に応じて読出光の透過率が変化する液晶は、P
ROM素子に加えて設けてもよく、光導電効果は持つが
ポッケルス効果は持たない材料である、GaAs単結
晶、GaAs膜、水素化アモルファスシリコン膜、アモ
ルファスシリコンカーバイド膜やアモルファスセレン膜
等を本発明における画像情報記録素子および空間光変調
素子用の記録材料として用いた場合には、読出用の材料
として用いてもよい。
印加電圧に応じて読出光の透過率が変化する液晶は、P
ROM素子に加えて設けてもよく、光導電効果は持つが
ポッケルス効果は持たない材料である、GaAs単結
晶、GaAs膜、水素化アモルファスシリコン膜、アモ
ルファスシリコンカーバイド膜やアモルファスセレン膜
等を本発明における画像情報記録素子および空間光変調
素子用の記録材料として用いた場合には、読出用の材料
として用いてもよい。
【0049】次に、画像情報の書込時間TW について検
討する。画像情報の周波数と交流バイアス電圧の周波数
が一致する場合、書込時間TW はどのようにも設定でき
る。
討する。画像情報の周波数と交流バイアス電圧の周波数
が一致する場合、書込時間TW はどのようにも設定でき
る。
【0050】一方、画像情報の周波数ω′と交流バイア
ス電圧の周波数ωとの間にずれがある場合、書込時間T
W をどのように設定すべきかが問題になる。
ス電圧の周波数ωとの間にずれがある場合、書込時間T
W をどのように設定すべきかが問題になる。
【0051】(6)式において、ω≠ω′の場合につい
て検討する。
て検討する。
【0052】 Q∝I0 V0 ∫(cos 2πωt+cos 2πωt・cos 2πω′t)dt =I0 V0 ((1/2πω)sin 2πωt +(1/2π(ω+ω′))sin 2π(ω+ω′)t +(1/2π(ω−ω′))sin 2π(ω−ω′)t) …(10) (10)式において、第3項はω 〜ω′の場合、他の
項よりもゆっくり変化し、振幅は大きい。従って、第3
項の周期よりも速く画像情報の書き込みが終了すれば、
画像情報の記録が可能になる。この場合、書き込み時間
TW を以下の式を満足するように設定すればPROM素
子が感度を持つ。
項よりもゆっくり変化し、振幅は大きい。従って、第3
項の周期よりも速く画像情報の書き込みが終了すれば、
画像情報の記録が可能になる。この場合、書き込み時間
TW を以下の式を満足するように設定すればPROM素
子が感度を持つ。
【0053】ω −ω′ <1/TW …(11)
【0054】
【実施例】次に、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0055】図1は、本発明の画像情報記録装置および
画像情報再生装置に使用されるPROM素子を説明する
ための断面図である。
画像情報再生装置に使用されるPROM素子を説明する
ための断面図である。
【0056】Bi12SiO20の単結晶からなる電荷発生
保持層4の両側にそれぞれ石英ガラスからなる絶縁層3
および5を設け、絶縁層3および5の外側にITO(In
diumTin Oxide)からなる透明電極2および6を設け、
透明電極2および6の外側に石英ガラスからなる基板ガ
ラス1および7をそれぞれ設けて、PROM素子16を
形成する。
保持層4の両側にそれぞれ石英ガラスからなる絶縁層3
および5を設け、絶縁層3および5の外側にITO(In
diumTin Oxide)からなる透明電極2および6を設け、
透明電極2および6の外側に石英ガラスからなる基板ガ
ラス1および7をそれぞれ設けて、PROM素子16を
形成する。
【0057】このPROM素子16に、矢印a方向から
画像情報書込光を入射する。Bi12SiO20は青色光よ
りも短波長の電磁波に対して感度(光伝導性)を有して
いるから、書込光としては青色領域の光やX線等を用い
る。書込光が入射すると、電荷発生保持層4内には光導
電効果により書込光強度に対応した電荷キャリヤ(電子
およびホール)が発生する。書込光の入射に対応して端
子8と9を介して透明電極2および6間にバイアス電圧
を印加すると、光導電効果によって発生した電荷キャリ
ヤは、電荷発生保護層4内に形成される電界によって電
荷発生保護層4内をドリフトし、電荷発生保護層4の表
面に分極する。分極した電荷は、電荷発生保護層4の両
表面にはそれぞれ絶縁層3および5が設けられているか
ら、電荷発生保護層の両表面において分極電荷として保
持されることになる。
画像情報書込光を入射する。Bi12SiO20は青色光よ
りも短波長の電磁波に対して感度(光伝導性)を有して
いるから、書込光としては青色領域の光やX線等を用い
る。書込光が入射すると、電荷発生保持層4内には光導
電効果により書込光強度に対応した電荷キャリヤ(電子
およびホール)が発生する。書込光の入射に対応して端
子8と9を介して透明電極2および6間にバイアス電圧
を印加すると、光導電効果によって発生した電荷キャリ
ヤは、電荷発生保護層4内に形成される電界によって電
荷発生保護層4内をドリフトし、電荷発生保護層4の表
面に分極する。分極した電荷は、電荷発生保護層4の両
表面にはそれぞれ絶縁層3および5が設けられているか
ら、電荷発生保護層の両表面において分極電荷として保
持されることになる。
【0058】本発明では、透明電極2および6の間に、
記録すべき画像情報の周波数に対応した周波数の交流バ
イアス電圧を印加する。この交流バイアス電圧は、正弦
波、三角波または矩形波等の種々の波形のものであって
よい。前述したように、画像情報の周波数に対応した交
流バイアス電圧を印加すると、画像情報の光強度、すな
わち入射光強度に比例した電荷が分極電荷として電荷発
生保持層4の表面に保持されるから、この分極電荷の量
およびその空間分布を画像情報としてPROM素子16
に記録する。
記録すべき画像情報の周波数に対応した周波数の交流バ
イアス電圧を印加する。この交流バイアス電圧は、正弦
波、三角波または矩形波等の種々の波形のものであって
よい。前述したように、画像情報の周波数に対応した交
流バイアス電圧を印加すると、画像情報の光強度、すな
わち入射光強度に比例した電荷が分極電荷として電荷発
生保持層4の表面に保持されるから、この分極電荷の量
およびその空間分布を画像情報としてPROM素子16
に記録する。
【0059】このように、PROM素子16には、分極
電荷の量およびその空間分布が記録されるから、このP
ROM素子16には階調性を有する画像情報が記録され
ることになる。
電荷の量およびその空間分布が記録されるから、このP
ROM素子16には階調性を有する画像情報が記録され
ることになる。
【0060】なお、一旦記録した情報は、透明電極2お
よび6を短絡した状態で、PROM素子16に青色光ま
たはそれよりも短波長の電磁波を投射するだけで消去す
ることができる。
よび6を短絡した状態で、PROM素子16に青色光ま
たはそれよりも短波長の電磁波を投射するだけで消去す
ることができる。
【0061】Bi12SiO20単結晶は、その結晶表面に
分極電荷が形成されると分極電荷に対応した強度の電界
が形成され、複屈折性が生ずる。従って、記録した画像
情報を再生する場合、PROM素子16に直線偏光した
読出光を入射するとPROM素子16から分極電荷の量
に応じた楕円偏光が出射するので、後段に検光子を配置
すれば、検光子から射出する読出光の光強度を測定する
ことにより分極電荷の量を測定できる。従って、検光子
の後段に結像光学系を介して投影することによりPRO
M素子16に記録した画像情報を光学像として再生する
ことができる。この時、読出光として、Bi12SiO20
単結晶に光導電効果が生じない光、例えば赤色光を用い
れば、分極電荷の分布状態を変化させることなく、画像
情報の再生が行える。
分極電荷が形成されると分極電荷に対応した強度の電界
が形成され、複屈折性が生ずる。従って、記録した画像
情報を再生する場合、PROM素子16に直線偏光した
読出光を入射するとPROM素子16から分極電荷の量
に応じた楕円偏光が出射するので、後段に検光子を配置
すれば、検光子から射出する読出光の光強度を測定する
ことにより分極電荷の量を測定できる。従って、検光子
の後段に結像光学系を介して投影することによりPRO
M素子16に記録した画像情報を光学像として再生する
ことができる。この時、読出光として、Bi12SiO20
単結晶に光導電効果が生じない光、例えば赤色光を用い
れば、分極電荷の分布状態を変化させることなく、画像
情報の再生が行える。
【0062】画像情報を再生する際、PROM素子16
の透明電極2および6の間に直流バイアスを印加しても
よく、あるいは透明電極2および6間を短絡してもよ
い。透明電極2および6の間に直流バイアスを印加すれ
ば、分極電荷が作る電界が直流バイアスによって形成さ
れる外部電界を打ち消す。従って、電荷発生保持層4内
は、書込光が照射された部分では電界が弱く、照射され
なかった部分では電界が強くなり、読み出される画像は
書込まれた画像情報のネガ像となる。透明電極2および
6間を短絡すると、電荷発生保持層4内の電界は分極電
界が作る電界のみとなり、従って、書込光が照射された
部分では電界が強くなり、照射されなかった部分では電
界が弱くなる。従って、読み出される画像は書込まれた
画像情報のポジ像となる。
の透明電極2および6の間に直流バイアスを印加しても
よく、あるいは透明電極2および6間を短絡してもよ
い。透明電極2および6の間に直流バイアスを印加すれ
ば、分極電荷が作る電界が直流バイアスによって形成さ
れる外部電界を打ち消す。従って、電荷発生保持層4内
は、書込光が照射された部分では電界が弱く、照射され
なかった部分では電界が強くなり、読み出される画像は
書込まれた画像情報のネガ像となる。透明電極2および
6間を短絡すると、電荷発生保持層4内の電界は分極電
界が作る電界のみとなり、従って、書込光が照射された
部分では電界が強くなり、照射されなかった部分では電
界が弱くなる。従って、読み出される画像は書込まれた
画像情報のポジ像となる。
【0063】なお、再生された画像情報の表示装置とし
て、例えばPROM素子16からの再生像をTVカメラ
で撮像しCRTを用いて表示することができ、あるいは
投影レンズ系を介してスクリーン上に投影して表示する
こともできる。また、必要に応じて光フーリエ変換等の
光画像処理のための光学系を設け、PROM素子16か
らの再生像をその光学系に入力し、適当な画像処理を施
すこともできる。
て、例えばPROM素子16からの再生像をTVカメラ
で撮像しCRTを用いて表示することができ、あるいは
投影レンズ系を介してスクリーン上に投影して表示する
こともできる。また、必要に応じて光フーリエ変換等の
光画像処理のための光学系を設け、PROM素子16か
らの再生像をその光学系に入力し、適当な画像処理を施
すこともできる。
【0064】図2は、本発明の画像情報記録装置および
画像情報再生装置に使用される液晶付PROM素子56
を説明するための断面図である。
画像情報再生装置に使用される液晶付PROM素子56
を説明するための断面図である。
【0065】液晶層50が絶縁層5と透明電極6との間
に設けられている。液晶層50として、ツイスト・ネマ
チック液晶(TNLC)等の印加電圧に応じて読出光の
偏光状態が変化する材料を用いた場合には、書込時に液
晶付PROM素子56の透明電極2および6の間に印加
される交流バイアス電圧の電圧値を小さくすることがで
き、従って、この交流バイアス電圧を印加する交流バイ
アス印加装置の構成を簡単で安価なものとすることがで
きる。同じ偏光の変化状態を得るのに必要な印加電圧は
液晶のほうが図1に示したPROM素子16に比較し
て、約2桁以上低いから、書込時に液晶付PROM素子
56の透明電極2および6間に印加される交流バイアス
電圧の電圧値を小さくして、電荷発生保持層4結晶表面
に蓄積されて保持される電荷の量を少なくしても、その
電荷に基づく電界が液晶層50に印加されることによ
り、液晶層50によって読出光の偏光状態を必要なだけ
変化させることができるからである。
に設けられている。液晶層50として、ツイスト・ネマ
チック液晶(TNLC)等の印加電圧に応じて読出光の
偏光状態が変化する材料を用いた場合には、書込時に液
晶付PROM素子56の透明電極2および6の間に印加
される交流バイアス電圧の電圧値を小さくすることがで
き、従って、この交流バイアス電圧を印加する交流バイ
アス印加装置の構成を簡単で安価なものとすることがで
きる。同じ偏光の変化状態を得るのに必要な印加電圧は
液晶のほうが図1に示したPROM素子16に比較し
て、約2桁以上低いから、書込時に液晶付PROM素子
56の透明電極2および6間に印加される交流バイアス
電圧の電圧値を小さくして、電荷発生保持層4結晶表面
に蓄積されて保持される電荷の量を少なくしても、その
電荷に基づく電界が液晶層50に印加されることによ
り、液晶層50によって読出光の偏光状態を必要なだけ
変化させることができるからである。
【0066】また、この構成の素子では、読出光に変調
を与えるのは液晶層50であるため電荷発生保持層4に
は光導電効果を持ち、ポッケルス効果を持たない材料の
使用も可能である。従って、Bi12SiO20単結晶の他
に、GaAs単結晶、GaAs膜、水素化アモルファス
シリコン膜、アモルファスシリコンカーバイド膜、アモ
ルファスセレン膜等が適用できる。
を与えるのは液晶層50であるため電荷発生保持層4に
は光導電効果を持ち、ポッケルス効果を持たない材料の
使用も可能である。従って、Bi12SiO20単結晶の他
に、GaAs単結晶、GaAs膜、水素化アモルファス
シリコン膜、アモルファスシリコンカーバイド膜、アモ
ルファスセレン膜等が適用できる。
【0067】液晶として、ポリマー分散型液晶(PDL
C)等の印加電圧に応じて読出光の透過率が変化する材
料を用いた場合には、読出光に偏光した光を用いる必要
がなくなるから、偏光子や検光子が不要となり、画像情
報再生装置の構成が簡単なものとなる。
C)等の印加電圧に応じて読出光の透過率が変化する材
料を用いた場合には、読出光に偏光した光を用いる必要
がなくなるから、偏光子や検光子が不要となり、画像情
報再生装置の構成が簡単なものとなる。
【0068】また、図3に示すように、液晶層50と電
荷発生保持層4の間に反射層51を設けた液晶付PRO
M素子56′を用いることもできる。反射層51として
は、例えば、TiO2 とSiO2 の積層膜を用いる。矢
印A方向から画像情報書込光を入射させ、記録を行う。
読出光は矢印B方向から入射され、反射層51で反射さ
れ、入射方向に光は出射され、画像情報の再生が行われ
る。この素子構成をとれば、読出項は電荷発生保持層4
を通過しないので、読出光波長を任意に選んでも、分極
電荷分布を変化させないことが利点である。
荷発生保持層4の間に反射層51を設けた液晶付PRO
M素子56′を用いることもできる。反射層51として
は、例えば、TiO2 とSiO2 の積層膜を用いる。矢
印A方向から画像情報書込光を入射させ、記録を行う。
読出光は矢印B方向から入射され、反射層51で反射さ
れ、入射方向に光は出射され、画像情報の再生が行われ
る。この素子構成をとれば、読出項は電荷発生保持層4
を通過しないので、読出光波長を任意に選んでも、分極
電荷分布を変化させないことが利点である。
【0069】なお、液晶層50の絶縁性が十分高く、こ
の液晶層50によって分極電荷を電荷保持発生層4の表
面に保持できるなら絶縁層3と5の一方または両方を設
けなくともよい。
の液晶層50によって分極電荷を電荷保持発生層4の表
面に保持できるなら絶縁層3と5の一方または両方を設
けなくともよい。
【0070】次に、図1、図2、図3にそれぞれ示した
PROM素子16または液晶付PROM素子56、5
6′を用いた画像情報記録装置および画像情報再生装置
およびこれらの装置によって画像情報を記録、再生する
方法について説明する。 (第1の実施例)図4は、本発明の第1の実施例の画像
情報記録装置および画像情報再生装置を説明するための
模式図である。
PROM素子16または液晶付PROM素子56、5
6′を用いた画像情報記録装置および画像情報再生装置
およびこれらの装置によって画像情報を記録、再生する
方法について説明する。 (第1の実施例)図4は、本発明の第1の実施例の画像
情報記録装置および画像情報再生装置を説明するための
模式図である。
【0071】高圧ガイ管に生ずる火花放電模様の画像情
報を、本実施例の画像情報記録装置および画像情報再生
装置によって、記録、再生する方法を説明する。
報を、本実施例の画像情報記録装置および画像情報再生
装置によって、記録、再生する方法を説明する。
【0072】送電線のガイ管に絶縁不良等が生ずると火
花放電が発生する。この火花放電は流れる電流の周波数
の2倍の周波数で周期的に発生する。昼間に火花放電模
様を撮像しようとしても太陽光が入射してしまうため、
火花放電模様を鮮明に撮像することができない。このよ
うな場合に、本発明による画像記録装置および画像再生
装置を用いれば、火花放電模様をPROM素子16また
は液晶付PROM素子56、56′に鮮明に記録するこ
とができる。
花放電が発生する。この火花放電は流れる電流の周波数
の2倍の周波数で周期的に発生する。昼間に火花放電模
様を撮像しようとしても太陽光が入射してしまうため、
火花放電模様を鮮明に撮像することができない。このよ
うな場合に、本発明による画像記録装置および画像再生
装置を用いれば、火花放電模様をPROM素子16また
は液晶付PROM素子56、56′に鮮明に記録するこ
とができる。
【0073】3本の電力線10a〜10cが高圧ガイ管
11a〜11cに支持されている。1本の電力線10b
に電流検知器12を取り付け、この電流検知器12によ
って電力線10bに流れる電流波形を検出する。検出し
た電流波形を増幅器13で増幅した後、検出した電流波
形を倍波発生器14に供給して検出した電流の2倍の周
波数の信号を発生させる。発生した2倍の周波数の信号
を高圧交流電圧発生器15に供給し、電力線10bに流
れる電流と同位相で周波数が2倍の高圧交流バイアス電
圧を発生し、この高圧交流バイアス電圧をPROM素子
16または液晶付PROM素子56、56′に印加す
る。
11a〜11cに支持されている。1本の電力線10b
に電流検知器12を取り付け、この電流検知器12によ
って電力線10bに流れる電流波形を検出する。検出し
た電流波形を増幅器13で増幅した後、検出した電流波
形を倍波発生器14に供給して検出した電流の2倍の周
波数の信号を発生させる。発生した2倍の周波数の信号
を高圧交流電圧発生器15に供給し、電力線10bに流
れる電流と同位相で周波数が2倍の高圧交流バイアス電
圧を発生し、この高圧交流バイアス電圧をPROM素子
16または液晶付PROM素子56、56′に印加す
る。
【0074】発生した火花放電による光は、シャッター
17、結像レンズ系18およびハーフミラー19を経て
PROM素子16または液晶付PROM素子56、5
6′に入射する。PROM素子16または液晶付PRO
M素子56、56′には一定の周期で繰り返し現われる
火花放電と同期した交流バイアス電圧が印加されるの
で、太陽光は記録されず火花放電による画像だけがPR
OM素子16または液晶付PROM素子56、56′に
記録され、この結果、太陽光が入射しても火花放電によ
る画像だけを鮮明に記録することができる。なお、本実
施例では、電力線10bに電流検知器12を設けて火花
放電が発生する周波数および位相を検出したが、電力線
10bを流れる電流の周波数および位相が既知の場合に
は、電流検知器12は不要である。
17、結像レンズ系18およびハーフミラー19を経て
PROM素子16または液晶付PROM素子56、5
6′に入射する。PROM素子16または液晶付PRO
M素子56、56′には一定の周期で繰り返し現われる
火花放電と同期した交流バイアス電圧が印加されるの
で、太陽光は記録されず火花放電による画像だけがPR
OM素子16または液晶付PROM素子56、56′に
記録され、この結果、太陽光が入射しても火花放電によ
る画像だけを鮮明に記録することができる。なお、本実
施例では、電力線10bに電流検知器12を設けて火花
放電が発生する周波数および位相を検出したが、電力線
10bを流れる電流の周波数および位相が既知の場合に
は、電流検知器12は不要である。
【0075】次に、PROM素子16または液晶付PR
OM素子56、56′に記録された画像を再生する再生
光学系について説明する。
OM素子56、56′に記録された画像を再生する再生
光学系について説明する。
【0076】記録された画像を再生する際、シャッター
17を閉じるとともに高圧交流電圧発生器15をオフす
る。レーザ光源20から読出光を発生させる。この読出
光としては、PROM素子16または液晶付PROM素
子56、56′に用いられているBi12SiO20結晶に
光導電効果が生じない波長の光、例えば波長633nm
の光を用いる。その後、レーザ光源20から発生した読
出光は偏光子27により直線偏光した光とされる。その
後、読出光は再生光光シャッター21を通り、さらにエ
クスパンダーレンズおよびコリメータレンズからなるビ
ームエクスパンダー25を介して拡大平行光束となり、
ハーフミラー19を経てPROM素子16または液晶付
PROM素子56、56′に入射する。
17を閉じるとともに高圧交流電圧発生器15をオフす
る。レーザ光源20から読出光を発生させる。この読出
光としては、PROM素子16または液晶付PROM素
子56、56′に用いられているBi12SiO20結晶に
光導電効果が生じない波長の光、例えば波長633nm
の光を用いる。その後、レーザ光源20から発生した読
出光は偏光子27により直線偏光した光とされる。その
後、読出光は再生光光シャッター21を通り、さらにエ
クスパンダーレンズおよびコリメータレンズからなるビ
ームエクスパンダー25を介して拡大平行光束となり、
ハーフミラー19を経てPROM素子16または液晶付
PROM素子56、56′に入射する。
【0077】PROM素子16または液晶付PROM素
子56、56′に入射した読出光は、PROM素子16
または液晶付PROM素子56、56′に記録されてい
る画像情報に従った楕円率を有する楕円偏光となってP
ROM素子16または液晶付PROM素子56、56′
から射出する。従って、この読出光をPROM素子16
または液晶付PROM素子56、56′の後方に配置し
た検光子22を通過させることにより、PROM素子1
6または液晶付PROM素子56、56′に記録されて
いた画像情報は、その画像情報に対応する光強度分布を
持つ光学像として再生される。この光学像をTVカメラ
23によって撮像しモニタ24上に表示する。
子56、56′に入射した読出光は、PROM素子16
または液晶付PROM素子56、56′に記録されてい
る画像情報に従った楕円率を有する楕円偏光となってP
ROM素子16または液晶付PROM素子56、56′
から射出する。従って、この読出光をPROM素子16
または液晶付PROM素子56、56′の後方に配置し
た検光子22を通過させることにより、PROM素子1
6または液晶付PROM素子56、56′に記録されて
いた画像情報は、その画像情報に対応する光強度分布を
持つ光学像として再生される。この光学像をTVカメラ
23によって撮像しモニタ24上に表示する。
【0078】このように構成すれば、一旦記録した画像
情報を直ちに再生することができ、ポータブル型の画像
記録および再生装置を実現することができる。太陽光が
入射する昼間であっても高圧ガイ管や変成器等に放電事
故が発生したか否かを迅速に検査することがてきる。
情報を直ちに再生することができ、ポータブル型の画像
記録および再生装置を実現することができる。太陽光が
入射する昼間であっても高圧ガイ管や変成器等に放電事
故が発生したか否かを迅速に検査することがてきる。
【0079】また、この時、液晶付PROM素子56、
56′としてPDLC等の光透過率を変化させる液晶を
用いた素子を用いた場合、偏光子27および検光子22
は不要である。 (第2の実施例)図5は、本発明の第2の実施例の画像
情報記録装置および画像情報再生装置を説明するための
模式図である。
56′としてPDLC等の光透過率を変化させる液晶を
用いた素子を用いた場合、偏光子27および検光子22
は不要である。 (第2の実施例)図5は、本発明の第2の実施例の画像
情報記録装置および画像情報再生装置を説明するための
模式図である。
【0080】この実施例においては、PROM素子16
または液晶付PROM素子56、56′に直流バイアス
電圧を印加可能な直流電圧発生器26をさらに設けてい
る点が第1の実施例と異なるが、他の構成は第1の実施
例と同じである。
または液晶付PROM素子56、56′に直流バイアス
電圧を印加可能な直流電圧発生器26をさらに設けてい
る点が第1の実施例と異なるが、他の構成は第1の実施
例と同じである。
【0081】高圧交流電圧発生器15に加えて、直流電
圧発生器26をさらに設けることにより、交流バイアス
電圧だけでなく直流バイアス電圧もPROM素子16ま
たは液晶付PROM素子56、56′に印加することが
できる。従って、周期的に発生する火花放電だけでな
く、その背景の高圧ガイ管11a〜11cや電力線10
a〜10cも重畳して記録することができ、火花放電が
発生している箇所を正確に知ることができる。
圧発生器26をさらに設けることにより、交流バイアス
電圧だけでなく直流バイアス電圧もPROM素子16ま
たは液晶付PROM素子56、56′に印加することが
できる。従って、周期的に発生する火花放電だけでな
く、その背景の高圧ガイ管11a〜11cや電力線10
a〜10cも重畳して記録することができ、火花放電が
発生している箇所を正確に知ることができる。
【0082】本実施例においては、まず、高圧交流電圧
発生器15により交流バイアス電圧をPROM素子16
または液晶付PROM素子56、56′に印加して火花
放電模様を記録し、次に、直流電圧発生器26により直
流バイアス電圧をPROM素子16または液晶付PRO
M素子56、56′に印加して背景の高圧ガイ管11a
〜11cや電力線10a〜10cの画像情報を重畳して
PROM素子16または液晶付PROM素子56、5
6′に記録してもよいし、高圧交流電圧発生器15およ
び直流電圧発生器26により交流バイアス電圧および直
流バイアス電圧を同時にPROM素子16または液晶付
PROM素子56、56′に印加して、火花放電模様お
よび背景の高圧ガイ管11a〜11cや電力線10a〜
10cの画像情報を同時にPROM素子16または液晶
付PROM素子56、56′に記録してもよい。 (第3の実施例)図6は、本発明の第3の実施例の画像
情報記録装置および画像情報再生装置を説明するための
模式図である。
発生器15により交流バイアス電圧をPROM素子16
または液晶付PROM素子56、56′に印加して火花
放電模様を記録し、次に、直流電圧発生器26により直
流バイアス電圧をPROM素子16または液晶付PRO
M素子56、56′に印加して背景の高圧ガイ管11a
〜11cや電力線10a〜10cの画像情報を重畳して
PROM素子16または液晶付PROM素子56、5
6′に記録してもよいし、高圧交流電圧発生器15およ
び直流電圧発生器26により交流バイアス電圧および直
流バイアス電圧を同時にPROM素子16または液晶付
PROM素子56、56′に印加して、火花放電模様お
よび背景の高圧ガイ管11a〜11cや電力線10a〜
10cの画像情報を同時にPROM素子16または液晶
付PROM素子56、56′に記録してもよい。 (第3の実施例)図6は、本発明の第3の実施例の画像
情報記録装置および画像情報再生装置を説明するための
模式図である。
【0083】生体透過像としての血管像の画像情報を、
本実施例の画像情報記録装置および画像情報再生装置に
よって、記録、再生する方法を説明する。
本実施例の画像情報記録装置および画像情報再生装置に
よって、記録、再生する方法を説明する。
【0084】血管中の血流は心拍に応じた周期で変動
し、レントゲン像として撮像した場合血流の量に応じた
濃淡画像となる。従って、血管のレントゲン像は心拍に
応じてその強度が変化する画像となる。一方、血管をレ
ントゲン撮像装置で撮像すると骨格等の静止画と一緒に
撮像されてしまい、血管像だけを鮮明に撮像することが
できなかった。このような場合、本発明による画像記録
装置および画像再生装置を用いれば、周期性を有する血
管像だけを鮮明に撮像でき、種々の病理の診断に寄与す
ることができる。
し、レントゲン像として撮像した場合血流の量に応じた
濃淡画像となる。従って、血管のレントゲン像は心拍に
応じてその強度が変化する画像となる。一方、血管をレ
ントゲン撮像装置で撮像すると骨格等の静止画と一緒に
撮像されてしまい、血管像だけを鮮明に撮像することが
できなかった。このような場合、本発明による画像記録
装置および画像再生装置を用いれば、周期性を有する血
管像だけを鮮明に撮像でき、種々の病理の診断に寄与す
ることができる。
【0085】X線源30から検査すべき人体31に向け
てX線を投射し、X線透過像をX線カメラ32により撮
像し、撮像されたX線像を表示装置33に表示する。表
示された血管の画像は心拍の周期でその強度を変化させ
る画像となる。この血管像を、シャッター34、結像レ
ンズ系35およびハーフミラー36を介してPROM素
子16または液晶付PROM素子56、56′上に投影
する。
てX線を投射し、X線透過像をX線カメラ32により撮
像し、撮像されたX線像を表示装置33に表示する。表
示された血管の画像は心拍の周期でその強度を変化させ
る画像となる。この血管像を、シャッター34、結像レ
ンズ系35およびハーフミラー36を介してPROM素
子16または液晶付PROM素子56、56′上に投影
する。
【0086】一方、人体31の脈拍波形を脈拍波形測定
器38で測定し、その出力信号を位相調整器39に供給
する。この位相調整器39では、測定した脈拍から適当
な時間だけ遅れたパルス信号を形成し、この信号を交流
高圧電源40に供給し、この交流高圧電源40から、位
相調整器39からの出力信号に同期した交流バイアス電
圧を発生してPROM素子16または液晶付PROM素
子56、56′に印加する。
器38で測定し、その出力信号を位相調整器39に供給
する。この位相調整器39では、測定した脈拍から適当
な時間だけ遅れたパルス信号を形成し、この信号を交流
高圧電源40に供給し、この交流高圧電源40から、位
相調整器39からの出力信号に同期した交流バイアス電
圧を発生してPROM素子16または液晶付PROM素
子56、56′に印加する。
【0087】このように構成すれば、血管中を流れる血
流に時間遅れが生じても、PROM素子16または液晶
付PROM素子56、56′への交流バイアス電圧の位
相と観察位置における血流の位相とを一致させることが
できるので、血管の画像だけをPROM素子16または
液晶付PROM素子56、56′に鮮明に記録すること
ができる。
流に時間遅れが生じても、PROM素子16または液晶
付PROM素子56、56′への交流バイアス電圧の位
相と観察位置における血流の位相とを一致させることが
できるので、血管の画像だけをPROM素子16または
液晶付PROM素子56、56′に鮮明に記録すること
ができる。
【0088】PROM素子16または液晶付PROM素
子56、56′に記録された画像を再生する再生光学系
については第1の実施例と同じである。
子56、56′に記録された画像を再生する再生光学系
については第1の実施例と同じである。
【0089】本実施例の場合も、必要に応じて、記録し
た画像について光フーリエ変換等の光画像処理を行うこ
とができる。 (第4の実施例)図7は、本発明の第4の実施例の画像
情報記録装置および画像情報再生装置を説明するための
模式図である。
た画像について光フーリエ変換等の光画像処理を行うこ
とができる。 (第4の実施例)図7は、本発明の第4の実施例の画像
情報記録装置および画像情報再生装置を説明するための
模式図である。
【0090】街の灯りの中から、固有周期で点滅する灯
台や信号等の灯りを、本実施例の画像情報記録装置およ
び画像情報再生装置によって分離して記録、再生する方
法を説明する。本実施例のような装置は航行支援装置と
呼ばれる。
台や信号等の灯りを、本実施例の画像情報記録装置およ
び画像情報再生装置によって分離して記録、再生する方
法を説明する。本実施例のような装置は航行支援装置と
呼ばれる。
【0091】航空機が街の上空を飛行する場合や、街中
の空港に着陸する場合等には、街の灯りの中から航行支
援用の灯台や信号等からの灯りを分離して検出し、その
情報を航空機の飛行制御に役立てている。
の空港に着陸する場合等には、街の灯りの中から航行支
援用の灯台や信号等からの灯りを分離して検出し、その
情報を航空機の飛行制御に役立てている。
【0092】航行支援用の灯台46を所定の固有周波数
において点滅させる。灯台46からの光は、シャッター
17、結像レンズ系18およびハーフミラー19を経て
PROM素子16または液晶付PROM素子56、5
6′に入射する。灯台46の周波数と同一の周波数の交
流バイアス電圧を高圧交流電圧発生器15によってPR
OM素子16または液晶付PROM素子56、56′に
印加する。交流バイアス電圧の位相は高圧交流電圧発生
器15の前段に設けられた位相調整器44からの出力信
号によって調整する。
において点滅させる。灯台46からの光は、シャッター
17、結像レンズ系18およびハーフミラー19を経て
PROM素子16または液晶付PROM素子56、5
6′に入射する。灯台46の周波数と同一の周波数の交
流バイアス電圧を高圧交流電圧発生器15によってPR
OM素子16または液晶付PROM素子56、56′に
印加する。交流バイアス電圧の位相は高圧交流電圧発生
器15の前段に設けられた位相調整器44からの出力信
号によって調整する。
【0093】PROM素子16または液晶付PROM素
子56、56′には、灯台46の点滅周波数と同一の周
波数の交流バイアス電圧が印加されるので、街42の灯
りは記録されず灯台46の画像だけがPROM素子16
または液晶付PROM素子56、56′に記録される。
子56、56′には、灯台46の点滅周波数と同一の周
波数の交流バイアス電圧が印加されるので、街42の灯
りは記録されず灯台46の画像だけがPROM素子16
または液晶付PROM素子56、56′に記録される。
【0094】本発明は上述した実施例だけに限定されず
種々の変形や偏光が可能である。例えば上述した実施例
では透過型PROM素子を用いたが、アルミニウムの反
射膜を形成した反射型のPROM素子を用いることも可
能である。
種々の変形や偏光が可能である。例えば上述した実施例
では透過型PROM素子を用いたが、アルミニウムの反
射膜を形成した反射型のPROM素子を用いることも可
能である。
【0095】
【発明の効果】本発明の画像情報記録装置は、書込光の
光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極電
荷として保持する画像情報記録素子と、被写体からの光
を前記画像情報記録素子に書込光として入射させる撮像
手段と、前記書込光により形成される前記被写体の画像
のうち、必要な画像を形成する書込光の光強度変化の周
波数と同一の周波数を有する交流バイアス電圧を前記画
像情報記録素子に印加する交流バイアス電圧印加手段と
を有し、前記書込光により形成される被写体の画像から
前記必要な画像を空間的に分離、抽出するから、画像情
報記録素子に印加される交流バイアスと同期している画
像情報を選択的に記録することができる。
光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極電
荷として保持する画像情報記録素子と、被写体からの光
を前記画像情報記録素子に書込光として入射させる撮像
手段と、前記書込光により形成される前記被写体の画像
のうち、必要な画像を形成する書込光の光強度変化の周
波数と同一の周波数を有する交流バイアス電圧を前記画
像情報記録素子に印加する交流バイアス電圧印加手段と
を有し、前記書込光により形成される被写体の画像から
前記必要な画像を空間的に分離、抽出するから、画像情
報記録素子に印加される交流バイアスと同期している画
像情報を選択的に記録することができる。
【0096】また、本発明の画像情報再生装置は、書込
光の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分
極電荷として保持すると共に、保持している分極電荷に
応じて読出光を変調させる空間光変調素子と、被写体か
らの光を前記空間光変調素子に書込光として入射させる
撮像手段と、前記書込光により形成される前記被写体の
画像のうち、必要な画像を形成する書込光の光強度変化
の周波数と同一の周波数を有する交流バイアス電圧を前
記空間光変調素子に印加する交流バイアス電圧印加手段
と、前記空間光変調素子に読出光を入射させる読出光入
射手段と、前記空間光変調素子から出射される読出光を
検出する読出光検出手段とを有し、前記書込光により形
成される被写体の画像から前記必要な画像を空間的に分
離して読み出すから、空間光変調素子に印加される交流
バイアスと同期している画像情報を選択的に記録、再生
することができる。
光の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分
極電荷として保持すると共に、保持している分極電荷に
応じて読出光を変調させる空間光変調素子と、被写体か
らの光を前記空間光変調素子に書込光として入射させる
撮像手段と、前記書込光により形成される前記被写体の
画像のうち、必要な画像を形成する書込光の光強度変化
の周波数と同一の周波数を有する交流バイアス電圧を前
記空間光変調素子に印加する交流バイアス電圧印加手段
と、前記空間光変調素子に読出光を入射させる読出光入
射手段と、前記空間光変調素子から出射される読出光を
検出する読出光検出手段とを有し、前記書込光により形
成される被写体の画像から前記必要な画像を空間的に分
離して読み出すから、空間光変調素子に印加される交流
バイアスと同期している画像情報を選択的に記録、再生
することができる。
【0097】また、被撮像体の画像のうち一定の周波数
でその強度が変化する画像の強度変化の周波数を検出す
る周波数検出手段を設け、この周波数検出手段によって
検出された周波数と同一周波数の交流バイアス電圧を交
流バイアス電圧印加手段によって画像情報記録素子また
は空間光変調素子に印加することにより、一定の周波数
でその強度が変化する画像情報の選択的な記録をより一
層有効に行なえる。
でその強度が変化する画像の強度変化の周波数を検出す
る周波数検出手段を設け、この周波数検出手段によって
検出された周波数と同一周波数の交流バイアス電圧を交
流バイアス電圧印加手段によって画像情報記録素子また
は空間光変調素子に印加することにより、一定の周波数
でその強度が変化する画像情報の選択的な記録をより一
層有効に行なえる。
【0098】さらに、交流バイアス電圧印加手段によっ
て印加される交流バイアス電圧の位相を変化させること
ができる位相調整手段をさらに設けることにより、一定
の周波数でその強度が変化する画像情報と交流バイアス
電圧との間に位相差φがある場合であっても、一定の周
波数でその強度が変化する画像情報の選択的な記録を有
効に行なうことができる。
て印加される交流バイアス電圧の位相を変化させること
ができる位相調整手段をさらに設けることにより、一定
の周波数でその強度が変化する画像情報と交流バイアス
電圧との間に位相差φがある場合であっても、一定の周
波数でその強度が変化する画像情報の選択的な記録を有
効に行なうことができる。
【0099】さらに、また、交流バイアス電圧印加手段
に加えて、直流バイアス電圧を画像情報記録素子または
空間光変調素子に印加可能な直流バイアス電圧印加手段
をさらに設けることにより、一定の周波数でその強度が
変化する画像情報に加えてその背景の画像情報も重畳し
て記録することができる。従って、一定の周波数でその
強度が変化する画像の被撮像体における位置を正確に知
ることができる。
に加えて、直流バイアス電圧を画像情報記録素子または
空間光変調素子に印加可能な直流バイアス電圧印加手段
をさらに設けることにより、一定の周波数でその強度が
変化する画像情報に加えてその背景の画像情報も重畳し
て記録することができる。従って、一定の周波数でその
強度が変化する画像の被撮像体における位置を正確に知
ることができる。
【0100】画像情報記録素子および空間光変調素子と
して、光導電効果により書込光の光強度に対応した電荷
を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持すると共
に、ポッケルス効果により保持している分極電荷に応じ
て読出光の偏光状態を変化させる素子を用いた場合に
は、この素子自体によって読出光の偏光状態を変化させ
ることができ、他の読出用の材料を記録材料に加えて設
ける必要がなくなる。
して、光導電効果により書込光の光強度に対応した電荷
を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持すると共
に、ポッケルス効果により保持している分極電荷に応じ
て読出光の偏光状態を変化させる素子を用いた場合に
は、この素子自体によって読出光の偏光状態を変化させ
ることができ、他の読出用の材料を記録材料に加えて設
ける必要がなくなる。
【0101】さらに、光導電効果により書込光の光強度
に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極電荷とし
て保持すると共に、ポッケルス効果により保持している
分極電荷に応じて読出光の偏光状態を変化させる素子に
加えてさらに液晶を設けることにより画像情報記録装置
および画像情報再生装置の構成を簡単なものとすること
ができる。
に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極電荷とし
て保持すると共に、ポッケルス効果により保持している
分極電荷に応じて読出光の偏光状態を変化させる素子に
加えてさらに液晶を設けることにより画像情報記録装置
および画像情報再生装置の構成を簡単なものとすること
ができる。
【0102】また、画像情報記録素子または空間光変調
素子を、記録材料としての光導電効果を有する材料と、
読出用の材料としての液晶とを備えた構成とすることに
より、光導電効果は持つがポッケルス効果は持たない材
料である、GaAs単結晶、GaAs膜、水素化アモル
ファスシリコン膜、アモルファスシリコンカーバイド膜
やアモルファスセレン膜等を画像情報記録素子および空
間光変調素子用の記録材料として用いることができる。
素子を、記録材料としての光導電効果を有する材料と、
読出用の材料としての液晶とを備えた構成とすることに
より、光導電効果は持つがポッケルス効果は持たない材
料である、GaAs単結晶、GaAs膜、水素化アモル
ファスシリコン膜、アモルファスシリコンカーバイド膜
やアモルファスセレン膜等を画像情報記録素子および空
間光変調素子用の記録材料として用いることができる。
【図1】本発明の画像情報記録装置および画像情報再生
装置に使用されるPROM素子を説明するための断面図
である。
装置に使用されるPROM素子を説明するための断面図
である。
【図2】本発明の画像情報記録装置および画像情報再生
装置に使用される液晶付PROM素子を説明するための
断面図である。
装置に使用される液晶付PROM素子を説明するための
断面図である。
【図3】本発明の画像情報記録装置および画像情報再生
装置に使用される他の液晶付PROM素子を説明するた
めの断面図である。
装置に使用される他の液晶付PROM素子を説明するた
めの断面図である。
【図4】本発明の第1の実施例の画像情報記録装置およ
び画像情報再生装置を説明するための模式図である。
び画像情報再生装置を説明するための模式図である。
【図5】本発明の第2の実施例の画像情報記録装置およ
び画像情報再生装置を説明するための模式図である。
び画像情報再生装置を説明するための模式図である。
【図6】本発明の第3の実施例の画像情報記録装置およ
び画像情報再生装置を説明するための模式図である。
び画像情報再生装置を説明するための模式図である。
【図7】本発明の第4の実施例の画像情報記録装置およ
び画像情報再生装置を説明するための模式図である。
び画像情報再生装置を説明するための模式図である。
1、7…基板ガラス 2、6…透明電極 3、5…絶縁層 4…電荷発生保持層 10a〜10c…電力線 11a〜11c…高圧ガイ管 12…電流検知器 13…増幅器 14…倍波発生器 15…高圧交流電圧発生器 16…PROM素子 17、34…シャッター 18、35…結像レンズ系 19、36…ハーフミラー 20…レーザ光源 21…再生光光シャッター 22…検光子 23…TVカメラ 24…モニタ 25…ビームエクスパンダー 26…直流電圧発生器 27…偏光子 30…X線源 31…人体 32…X線カメラ 33…表示装置 38…脈拍波形測定器 39、44…位相調整器 40…交流高圧電源 42…街 46…灯台 50…液晶層 51…反射層 56、56′…液晶付PROM素子
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−503009(JP,A) 特開 平2−282721(JP,A) 特開 平3−200117(JP,A) 特開 平3−113989(JP,A) 特開 昭59−14841(JP,A) 特開 平2−245721(JP,A) 1989年電子情報通信学会秋季全国大会 講演論文集[分冊4]通信・エレクトロ ニクス(1989年8月15日発行)P.4− 278 Applied Optics,Vo l.21 No.20 PP.3706−3712 (15 Octorber 1982) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/00 - 1/055 504 G02F 1/135 G02F 3/00 - 3/02 A61B 6/00 300 G01N 21/67 G01N 21/84 G01R 31/00 - 31/08
Claims (17)
- 【請求項1】書込光の光強度に対応した電荷を発生し、
発生した電荷を分極電荷として保持する画像情報記録素
子と、被写体 からの光を前記画像情報記録素子に書込光として
入射させる撮像手段と、前記書込光により形成される前記被写体の画像のうち、
必要な画像を形成する書込光の光強度変化の周波数と同
一の周波数を有する 交流バイアス電圧を前記画像情報記
録素子に印加する交流バイアス電圧印加手段とを具備
し、前記書込光により形成される被写体の画像から前記必要
な画像を空間的に分離、抽出 することを特徴とする画像
情報記録装置。 - 【請求項2】請求項1記載の画像情報記録装置におい
て、前記被撮像体の画像のうち、一定の周波数でその強
度が変化する画像の強度変化の周波数を検出する周波数
検出手段をさらに有し、前記交流バイアス電圧印加手段
は前記周波数検出手段によって検出された周波数と同一
周波数の交流バイアス電圧を前記画像情報記録素子に印
加することを特徴とする画像情報記録装置。 - 【請求項3】請求項1または2記載の画像情報記録装置
において、前記交流バイアス電圧印加手段によって印加
される交流バイアス電圧の位相を変化させることができ
る位相調整手段をさらに有することを特徴とする画像情
報記録装置。 - 【請求項4】請求項1乃至3のいずれかに記載の画像情
報記録装置において、直流バイアス電圧を前記画像情報
記録素子に印加可能な直流バイアス電圧印加手段をさら
に有することを特徴とする画像情報記録装置。 - 【請求項5】請求項1乃至4のいずれかに記載の画像情
報記録装置において、前記画像情報記録素子は、書込光
の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極
電荷として保持すると共に、保持している分極電荷に応
じて読出光の偏光状態を変化させる空間光変調素子であ
ることを特徴とする画像情報記録装置。 - 【請求項6】請求項5記載の画像情報記録装置におい
て、前記画像情報記録素子は、光導電効果により書込光
の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極
電荷として保持すると共に、ポッケルス効果により保持
している分極電荷に応じて読出光の偏光状態を変化させ
る素子であることを特徴とする画像情報記録装置。 - 【請求項7】請求項6記載の画像情報記録装置におい
て、前記光導電効果により書込光の光強度に対応した電
荷を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持すると
共に、ポッケルス効果により保持している分極電荷に応
じて読出光の偏光状態を変化させる素子に加えてさらに
液晶を設けたことを特徴とする画像情報記録装置。 - 【請求項8】請求項1乃至4のいずれかに記載の画像情
報記録装置において、前記画像情報記録素子は、記録材
料としての光導電効果を有する材料と、読出用の材料と
しての液晶とを備えることを特徴とする画像情報記録装
置。 - 【請求項9】書込光の光強度に対応した電荷を発生し、
発生した電荷を分極電荷として保持すると共に、保持し
ている分極電荷に応じて読出光を変調させる空間光変調
素子と、被写体 からの光を前記空間光変調素子に書込光として入
射させる撮像手段と、前記書込光により形成される前記被写体の画像のうち、
必要な画像を形成する書込光の光強度変化の周波数と同
一の周波数を有する 交流バイアス電圧を前記空間光変調
素子に印加する交流バイアス電圧印加手段と、 前記空間光変調素子に読出光を入射させる読出光入射手
段と、 前記空間光変調素子から出射される読出光を検出する読
出光検出手段とを具備し、前記書込光により形成される被写体の画像から前記必要
な画像を空間的に分離して読み出す ことを特徴とする画
像情報再生装置。 - 【請求項10】請求項9記載の画像情報再生装置におい
て、前記被撮像体の画像のうち、一定の周波数でその強
度が変化する画像の強度変化の周波数を検出する周波数
検出手段をさらに有し、前記交流バイアス電圧印加手段
は前記周波数検出手段によって検出された周波数と同一
周波数の交流バイアス電圧を前記空間光変調素子に印加
することを特徴とする画像情報再生装置。 - 【請求項11】請求項9または10記載の画像情報再生
装置において、前記交流バイアス電圧印加手段によって
印加される交流バイアス電圧の位相を変化させることが
できる位相調整手段をさらに有することを特徴とする画
像情報再生装置。 - 【請求項12】請求項9乃至11のいずれかに記載の画
像情報再生装置において、直流バイアス電圧を前記空間
光変調素子に印加可能な直流バイアス電圧印加手段をさ
らに有することを特徴とする画像情報再生装置。 - 【請求項13】請求項9乃至12のいずれかに記載の画
像情報再生装置において、前記空間光変調素子は、書込
光の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分
極電荷として保持すると共に、保持している分極電荷に
応じて読出光の偏光状態を変化させる空間光変調素子で
あることを特徴とする画像情報再生装置。 - 【請求項14】請求項13記載の画像情報再生装置にお
いて、前記空間光変調素子は、光導電効果により書込光
の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分極
電荷として保持すると共に、ポッケルス効果により保持
している分極電荷に応じて読出光の偏光状態を変化させ
る素子であることを特徴とする画像情報再生装置。 - 【請求項15】請求項14記載の画像情報再生装置にお
いて、前記光導電効果により書込光の光強度に対応した
電荷を発生し、発生した電荷を分極電荷として保持する
と共に、ポッケルス効果により保持している分極電荷に
応じて読出光の偏光状態を変化させる素子に加えてさら
に液晶を設けたことを特徴とする画像情報再生装置。 - 【請求項16】請求項9乃至12のいずれかに記載の画
像情報再生装置において、前記空間光変調素子は、書込
光の光強度に対応した電荷を発生し、発生した電荷を分
極電荷として保持すると共に、保持している分極電荷に
応じて読出光の透過率を変化させる空間光変調素子であ
ることを特徴とする画像情報再生装置。 - 【請求項17】請求項9乃至12のいずれかに記載の画
像情報再生装置において、前記空間光変調素子は、記録
材料としての光導電効果を有する材料と、読出用の材料
としての液晶とを備えることを特徴とする画像情報再生
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6678093A JP2803958B2 (ja) | 1992-03-30 | 1993-03-25 | 画像情報記録装置および画像情報再生装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7439392 | 1992-03-30 | ||
| JP4-74393 | 1992-03-30 | ||
| JP6678093A JP2803958B2 (ja) | 1992-03-30 | 1993-03-25 | 画像情報記録装置および画像情報再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0611671A JPH0611671A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2803958B2 true JP2803958B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=26407977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6678093A Expired - Lifetime JP2803958B2 (ja) | 1992-03-30 | 1993-03-25 | 画像情報記録装置および画像情報再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803958B2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP6678093A patent/JP2803958B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 1989年電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集[分冊4]通信・エレクトロニクス(1989年8月15日発行)P.4−278 |
| Applied Optics,Vol.21 No.20 PP.3706−3712(15 Octorber 1982) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0611671A (ja) | 1994-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06180353A (ja) | 電気光学を利用した電圧像形成装置及び方法 | |
| JPH049916A (ja) | 記録装置および記録ヘッド | |
| JPH06213975A (ja) | 試験中のパネルの表面上の多数の位置における電圧を観察する装置および方法 | |
| US4492468A (en) | Interferometer for the real time display of deformations of vibrating structures | |
| US4063281A (en) | Motion detection employing direct Fourier transforms of images | |
| JP2803958B2 (ja) | 画像情報記録装置および画像情報再生装置 | |
| US1789521A (en) | Television system | |
| EP0564209B1 (en) | Picture information memory device and picture information reproducing device using Pockels readout optical modulator element | |
| JP3879805B2 (ja) | 光学フィルタリング装置および方法 | |
| JPH02143778A (ja) | 電荷潜像の読取り方式 | |
| JP2865535B2 (ja) | 振動測定装置および振動測定方法 | |
| EP0376282B1 (en) | Photo-modulation method and system for reproducing charge latent image | |
| JP2875141B2 (ja) | 速度測定装置および速度測定方法 | |
| RU2224276C2 (ru) | Лазерный способ оптической градуировки развертки скоростного фоторегистратора | |
| JPH0463320A (ja) | 光―光変換素子 | |
| JPH0725865Y2 (ja) | 電荷像による情報信号の記録再生装置 | |
| Grinberg et al. | Optical subtraction of images in real time | |
| Levi | High-Fidelity Video Recording Using Ultrasonic Light Modulation | |
| JP2942612B2 (ja) | 画像検出記録装置 | |
| JPH02245721A (ja) | 画像変換素子及びそれを用いたx線画像検知方法 | |
| SU959015A1 (ru) | Преобразователь изображени | |
| JPH0522867Y2 (ja) | ||
| SU630983A1 (ru) | Устройство дл вы влени дефектов поверхности полупроводниковых приборов | |
| JPH03246560A (ja) | 記録方法 | |
| JP3044875B2 (ja) | 表示装置 |